TWI288979B - Light emitting diode bonded with metal diffusion and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1288979 AOC-06-02-TW 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種高效率發光二極體，尤指一種利用金 屬擴散接合（Diffusion bonding)技術，將兩片異質晶片予以接 合以提升亮度，同時利用金屬擴散作用將LED表面進行粗 糙化以增加出光效率。 【先前技術】 使用MOCVD磊晶技術可生產高亮度m-ν族發光 二極體（LED)，包含AlInGaP系列半導體材料（發光範圍：56〇 nm - 65〇nm)、InGaN系列半導體材料（發光範圍：38〇nm -550nm);目前已經廣泛運用於指示燈、交通號誌燈、廣告看 板等應用。AlInGaP系列半導體材料，由於基板的晶格常數 與後續磊晶成長層必須相符，一般均選用砷化鎵基板（GaAs 在此發光範圍為吸光材料），因此LED所發出的光，有一半以 上都被此吸光基板所吸收；所以各發明者相繼揭露各種將此 吸光性基板移除並接合於一永久性基板的製程方式或結 構。 1993 年，Fred A· Kish 等人，在 US 專利第 5,376,580 號 中揭露一種半導體發光二極體製程與結構，如第一圖所示， 利用高溫高壓（溫度> 900°C，壓力> 400 kg/cm2)的晶片接合 方式，將半導體磊晶片（61)與具有透光特性的GaP半導體基 板（60)進行接合，並於接合前或接合後移除吸光砷化鎵基 板。由於此製程方式必須接合兩片半導體材料，所以Fred· A 建議接合介面必須有GaP或InGaP層作為接合層（62)， -5-

1288979 AOC-06-02-TW • 此種接合方式稱之為熔合接合（Fusion Bonding);兩片半導體 層經過熔合接合製程後，必須考慮電流的導電性，因此其晶 格方向必須精確的對準，否則在此接合介面將產生電流能障； 因此，使用熔合接合製程有如下缺點：（1)使用高溫高壓製程， 維持磊晶片完整性不易，因此其生產良率不高。（2)介面晶格 方向對準控制不易，容易造成LED操作電壓偏高。 ， 2003 年，Tzer_Perng Chen 在 US 專利第 6,797,987 B2 號 . 中揭露一種led半導體結構，如第二圖所示，此發明同樣 p 在具有暫時性的吸光砷化鎵基板上以MOCVD進行磊晶 層（100)成長，成長後在p歐姆接觸層（pe〇hmic contact layer : GaAsP，AlGaAs or GaP)上進行歐姆接面金屬（112)製作以利 電流傳導，沉積透明導電氧化層（114)及金屬反射層（116)以 反射由主動發光層（106)產生的光，其中透明導電氧化層（114) 也肩負傳導電流的任務以製作垂直結構的LED裝置。另外 準備永久性基板（120)如：Si、AIN、SiC等，在此基板（120)上 沉積共晶材料如Au-Sn、Au-Si、Pb-Sn、Au-Ge或低熔點 材料In(l22)，以作為永久性基板與磊晶層之接合面。而該金 ® 屬黏合層（124)為接合半導體晶片與金屬基板的材料，其原 理為利用共晶（Eutectic)金屬或低熔點金屬，於共晶點或熔 點時接合金屬將迅速液化，液化金屬凝結後，可將兩異質晶 圓接合，由於接合過程中固態金屬將變成液態，因此接合過 程所需壓力必須小於15 kg/cm2,以免液態化的金屬於接合 過程中被擠壓後損失，此種接合方式稱之為「共晶接合」。 Chen所揭露的金屬黏合層之共晶點或熔點如下： AOC-06-02-TW1288979

Typical eutectic point or melting point In 156〇C Au - 20Sn 276〇C Au - 3.2Si 363〇C Pb-61.9Sn 183〇C Au - 12.5Ge 381〇C 由上述資料可知道，Chen所揭露的金屬黏合層，屬於低 溫（Typ. < 400°C)、低壓（< 15 kg/cm2 )方式，將兩種異質材料 黏貼在一起，其缺點為：（1)由於此類共晶反應迅速，液化後，接 合金屬間厚度控制不易；(2)容易產生介金屬化合物 (intermetallic compound 簡稱 IMC)，一 般而言 IMC 均為脆性材 料，更加劣化此金屬黏貼層之接合特性。（3)後續製程若經過 高溫可能影響到此金屬接合層；此外LED長期點亮時，其介 ® 面溫度可能超過200°C，在承受外圍Epoxy的長期推擠下， 接合面金屬極易發生潛變（Creep)而導致接合面分離。 2002 年，Shunji Yoshitake 等人於 US 6,900,473 B2 中 r 揭露一種磊晶片表面粗糙的製程方式，如第三圖所示，眾所 * 週知地，由於半導體材料與空氣的反射率差異，導致半導體 發光二極體所發出的光除了被吸光性基板（GaAs)吸收外，另 外大部分的光由於無法一次直接離開半導體内部而在其中 進行多次全反射，多數全反射的光最後以熱的形式消失在半 -7-

AOC-06-02-TW AOC-06-02-TW.1288979 導體中。利用表面粗糙提昇LED出光效率為提高光線離開 半導體内部一個良好的方法；但是磊晶層表面多為（1〇〇)面， 欲進行粗糙化的製程並不容易實施，Shunji Yoshitake揭露的 方式為：以MOCVD進行磊晶沉積後使用H2+AsH3在600°C 以上對晶片表面進行熱處理；由於在高溫時，III-V材料，會有 所謂熱 I虫刻效應（Thermal Etch effect),Shunji Yoshitake 利 用不同製程條件造成蟲晶表面的粗糙度；但是，此製程方法 受限於粗链製程進行時，晶圓表面不得有任何金屬層，否則 在高溫（> 600°C)熱處理下，磊晶必定受到金屬層破壞；由 於受此限制，AlInGaP系列半導體表面粗糙化之實施仍屬 不易。 【發明内容】 本發明之主要目的，係提供一種利用金屬擴散接合之發 光二極體及其製法，將III-V族材料中具有暫時性基板（GaAs) 之AlInGaP系列發光二極體磊晶圓與一熱膨脹係數與磊晶 片相近的永久性基板材料（如GaP、GaAs等）相互接合，並製 作成具有垂直構造之LED發光二極體；其具有提升產品可 靠度及高效率（High Performance)之功能增進者。 本發明之又一目的，則在提供一種高效率LED，其利用 歐姆接面金屬擴散技術與濕餘刻技術將表面進行粗糙化，以 增加出光效率。 為達上述目的，本發明所採用之方法其實施步驟包含： a)·在-暫時性基板上形成—厚度小於2G_ _化铭 銦鎵（AlInGaP)半導體磊晶層，該半導體磊晶層包括一第一 -8 -

AOC-06-02-TW 1288979 束缚層、一主動發光層及一第二束缚層依序磊晶於該暫時 性基板上； b )·形成一絕緣透明層於該第二束缚層的部分表面； c) .形成一歐姆接面於該絕緣透明層及第二束缚層上； d) .提供一 75〜200//m厚度之第二導電型永久性基板， 該永久性基板具有一歐姆接觸金屬層於該永久性基板上表 面，及一第二導電型電極於該永久性基板之下表面； e) .利用一厚度小於5//m之金屬擴散接合層，以特定溫 度（400°C〜700°C )及壓力（50〜500kg/cm2)，將該半導體磊晶層 之歐姆接面與該永久性基板之歐姆接觸金屬層進行擴散接 合（Diffusion bonding); f) .移除該暫時性基板；以及 g) .形成一第一導電型電極於該半導體磊晶層之第一導 電型的第一束缚層的部分表面，且該半導體磊晶層頂面利用 歐姆接面金屬，以400°C〜600°C進行熱處理，使歐姆接面金屬 擴散進入第一束缚層中，並使内部呈現不連續之金屬團簇， 再以濕蝕刻藥水對第一束缚層進行蝕刻，後續使用超音波震 盪清洗移除該金屬團簇，據以形成粗糙面。 依據本發明上揭方法，其所製成之發光二極體結構 包含： 一第二導電型永久性基板，形成於一第二導電型電極上； 一歐姆接觸金屬層，形成於該永久性基板上； 一金屬擴散接合層，形成於該歐姆接觸金屬層上； 一歐姆接面，形成於該金屬擴散接合層上， -9-

1288979 AOC-06-02-TW 一磷化鋁銦鎵（AlInGaP)半導體磊晶層，形成於該歐姆 接面上，其頂面並形成粗糙面； 一絕緣透明層，係插入於該歐姆接面與該AUnGap半導 體磊晶層底面間之部分表面；以及 一第一導電型電極，係形成於該AlInGap半導體磊晶層 之第一導電型的第一束縛層部分表面上，且相對應設在該絕 緣透明層之位置的上方。 【實施方式】 如前文所討論，由於AlInGaP系列材料必須於吸光性基 板（GaAs)上成長，因此由主動發光層所發出往下的光，多數 被此吸光性基板所吸收。因此有發明者揭露將此吸光性基 板移除並接合於一永久性基板的製程方式或結構，由於永久 性基板提供磊晶層一機械性支撐作用，因此接合的方式將 〜響到生產成本與接合面接合強度。前文所提到的方式有 「熔合接合」，此接合方式由於在高溫高壓下進行接合，介面 結構強度佳，但是電壓控制與生產成本控制不易。「共晶接合」 方式由於為低溫低壓製程，其缺點為接合面強度不佳，LED 容易發生接合面分離的現象，可靠度不佳。 本發明利用金屬的擴散作用，選用適當熔點（Tg:600t: 1400 C)的金屬，當溫度大於1/2 Tg時，在適當壓力下（> 5〇 kg/cm )，兩金屬間將產生相互擴散的方式將兩片異質晶圓 接合在一起；其介面接合強度接近於金屬本身Bulk Module。 材料選擇如下表： -10-

AOC-06-02-TW AOC-06-02-TW1288979 金屬擴散接合層 Tg (°C) 1/2 Tg (°C) Bulk Module (GPa) Cu 1038 519 140 Ag 962 481 100 Au 1064 532 220 A1 660 330 26 上述材料均適用於此金屬擴散接合層，亦可以在純金屬 當中添加少量參雜以降低擴散接合製程溫度，如Au-Zn、 Au-Ge、Au-Be等均可;Au相關合金為建議材料，建議壓力範 圍為 50 〜500 kg/cm2 〇 由於此半導體裝置將兩種異質材料（半導體磊晶片與 永久性基板）接合在一起，由於後續半導體製程中必須製作 歐姆接面，此歐姆接面必須運用高溫融合製程，一般而言溫 度介於400°C- 600°C之間，此溫度變化，由於熱膨脹係數的差 異將導致半導體磊晶層（20)與金屬基板相對應變位移不同 而產生應力於磊晶層與基板當中。由於磊晶層為發光之主 體，因此磊晶層所承受的應力必須慎重考量；其中，永久性基 板（30)厚度為75〜200//m、磊晶層（20)厚度為< 20//m、金 屬擴散接合層（40)厚度< 5//m;由上述厚度分析，磊晶層的應 力來源主要由於永久性基板與磊晶層的熱膨脹係數差異所 提供，金屬擴散接合層由於厚度最低，其產生的應力可合理 的忽略；所以永久性基板的選擇對此裝置的可靠度至為重 要0 -11 - AOC-06-02-TW1288979 各材料熱膨脹係數表列如下： 材料 a (1/10'6K) 蠢晶層(Layer 21〜23) 5.5 GaP基板 5.8 Mo基板 4.9 GaAs基板 6.4 Si基板 2.6 上述材料中，本發明建議的用久性基板為GaP、GaAs、 Mo等基板。GaAs基板雖為吸光基板，但是本裝置結構中， 主動發光層產生往下的光多數經過金屬鏡面層反射出去，因 此GaAs基板仍符合本發明使用。 永久性基板（30)與金屬擴散接合層（40)選定後，本發明 的製法包含下述之步驟：

首先，請參閱第四圖所示，本發明之發光二極體，其一實 施例之製程，係以一 η型砷化鎵（GaAs)作為暫時性基板（10)， 但不限定於此。接著，一磷化鋁鎵銦（AlGalnP)半導體磊晶層 (20)使用MOCVD製程形成於該基板（10)上；在本實施例中， 該半導體磊晶層（20)包括η型之第一束缚層（21)、一主動發 光層（22)形成於該第一束缚層（21)上，一 ρ型之第二束缚層 (23)形成於該主動發光層（22)上。該第一束缚層（21)包括以 n-AlInGaP所構成為較佳，亦可為η-Α1ΙηΡ，第二束缚層（23)包 括p-AlInGaP，亦可為ρ-Α1ΙηΡ，該主動發光層（22)包括 -12-

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AlGalnP;而在另一種實施例中，該主動發光層（22)係由另外 一種習知多重量子井（multiple quantum well，MQW)結構之技 • 術所形成。 持續第四圖所示，由於本發明實施例為垂直結構設計， 該第二束缚層（23)必須製作一歐姆接面（25)，但因該歐姆接 面（25)經過高溫熱處理後會破壞反射面，所以在歐姆接面（25) 與第二束缚層（23)之間必須插入一絕緣透明層（24)，於第二 束缚層（23)的部分表面，此一絕緣透明層（24)之圖型（pattern) ' 可為塊狀、環狀等任一形狀所構成，其包括選自Si02、Al2〇3 ® 及SiNx系列其中任一材料，其作用為防止第二束缚層（23)表 面遭破壞。如此該歐姆接面（25)可同時具有金屬反射面的作 用，由主動發光層（22)產生的光，將可以有效的被反射。 接著，如第五圖所示，提供一第二導電型永久性基板（30)， 其選擇可以為GaP、GaAs、金屬Mo基板等，厚度為75〜200 //m，該永久性基板（30)具有一歐姆接觸金屬層（31)於該永久 性基板（30)上表面，及一第二導電型電極（32)於該永久性基 板（30)之下表面，以提供該永久性基板（30)的電流流通性。 φ 進一步，在該歐姆接觸金屬層（31)上沈積一金屬擴散接 合層（40)，其選擇可以為Au、Cu、Ag、A1等任一材料。當 然，該金屬擴散接合層（40)亦可沈積在該半導體磊晶層（20) . 之歐姆接面（25)的表面，容不贅述。 - 將前述兩片異質晶片透過特定的溫度（400°C〜700°C)及 壓力（50〜500kg/cm2)，透過該金屬擴散行為進行接合 (Diffusion bonding)，並移除該暫時性基板（1 〇)，使其如第六所 示之結構。 -13 -

1288979 AOC-06-02-TW 最後，如第七圖所示，形成一第一導電型電極（50)於該半 導體磊晶層（20)之第一導電型的第一束缚層（21)的部分表 面，即在該n-AlInGaP之部分表面上，其包括中間之結合塾 (bonding pad)(51)及周邊之接觸塾（contact pad)(52)所構成，且 較佳實施例係該第一導電型電極（50)配合該絕緣透明層（24) 之形狀及相對位置而設成對應之預定圖型（pattern)者。讓該 接觸墊（52)對準該絕緣透明層（24);因此，當發光二極體於正 常操作下，所形成之蕭基障壁（Shottky barrier)具有良好的電 流堵塞（current block)效果。 然，光由主動發光層（22)產生後會在四面八方發出，為增 加出光效率，本發明另一特徵為：在AlInGaP之第一束缚層 (21)發光表面進行粗糙化製程。其製法為：利用歐姆接面金 屬（可以為Au-Zu、Au-Be、Au-Ge及Au-Sn等合金），進行熱 處理（400 °C〜600 °C )，使歐姆接面金屬擴散進入第一束縛層 (21)(其成分為（AlxGa^Jylrh-yP)中，由於金屬擴散進入 n-AlGalnP所構成之第一束缚層（21)，使内部呈現不連續之 金屬團簇。此金屬團簇屬於金相關的合金相，當利用濕蝕刻 藥水（可為 NH40H:H202:H20=2:1:5 或 H2S〇4:H2〇2:H2〇=1:1:1〇 等）蝕 刻該第一束缚層（21)時，此金屬團簇等同第一束缚層（21)之 微光罩（Micro Mask)，後續使用超音波震盪清洗，即可移除此 金屬團簇，據以形成如第七圖所示之粗糙面（211)。而第八圖 為實施此製程所製作之表面粗糙的電子顯微鏡像片，透過此 粗糙製程可提升50%〜70%的亮度，較之習用之熱蝕刻方式 製作粗糙面更佳。 是以，本發明利用金屬擴散作用，選用特定熔點的金屬， -14-

•1288979 AOC-06-02-TW 將兩片異質晶圓接合在一起，藉以改善習用之「熔合接合」 及「共晶接合」之缺失。且，同時湘金屬擴散作用將= 粗糙化以增加出光效率，進而提升LED產品之可靠度及言 效率（High Performance)。 南 細上所述，本發明所揭示之技術手段，確具「新穎性」、 進步性」及「可供產業利用」等發明專利要件，祈請鈞 局惠賜專利，以勵發明，無任德感。 惟’上述所揭露之圖式、說明，僅為本發明之較佳實施例， 大m項技藝人士，依本案精神範β^所作之修飾或等效 變化，仍應包括本案申請專利範圍内。

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AOC-06-02-TW AOC-06-02-TW1288979 【圖式簡單說明】 第一圖係習用US專利第5,376,580號LED之截面圖。 第二圖係習用US專利第6,797,987號LED之截面圖。 第三圖係習用US專利第6,900,473號LED之截面圖。 第四圖係本發明半導體磊晶層於暫時性基板之截面圖。 第五圖係本發明永久性基板準備之截面圖。 第六圖係本發明經過擴散接合並移除暫時性基板之載面圖。 第七圖係本發明利用擴散接合製程所完成之LED截面圖。 第八圖係本發明表面粗糙化之電子顯微鏡像片。 【主要元件符號說明】 (10)暫時性基板 (20) 半導體蠢晶層 (21) 第一束缚層 (211)粗糙面 (22) 主動發光層 (23) 第二束缚層 (24) 絕緣透明層 (25) 歐姆接面 (30) 永久性基板 (31) 歐姆接觸金屬層 (32) 第二導電型電極 (40)金屬擴散接合層 (50) 第一導電型電極 (51) 結合墊 (52) 接觸墊 -16-

Claims (1)

1. AOC-06-02-TW AOC-06-02-TW1288979 十、申請專利範圍： 1 · 一種利用金屬擴散接合之發光二極體的製法，其實 施步驟包含： a) .在一暫時性基板上形成一厚度小於20//m的磷化鋁 銦鎵（AlInGaP)半導體磊晶層，該半導體磊晶層包括一第一 束缚層、一主動發光層及一第二束缚層依序磊晶於該暫時 性基板上； b) .形成一絕緣透明層於該第二束缚層的部分表面； c) .形成一歐姆接面於該絕緣透明層及第二束缚層上； d) .提供一 75〜200//m厚度之第二導電型永久性基板， 該永久性基板具有一歐姆接觸金屬層於該永久性基板上表 面，及一第二導電型電極於該永久性基板之下表面； e) .利用一厚度小於5//m之金屬擴散接合層，以特定溫 度（400°C〜700°C )及壓力（50〜500kg/cm2)，將該半導體磊晶層 之歐姆接面與該永久性基板之歐姆接觸金屬層進行擴散接 合（Diffusion bonding); f) .移除該暫時性基板；以及 g) .形成一第一導電型電極於該半導體磊晶層之第一導 電型的第一束缚層的部分表面，且該半導體磊晶層頂面利用 歐姆接面金屬，以400°C〜600°C進行熱處理，使歐姆接面金屬 擴散進入第一束缚層中，並使内部呈現不連續之金屬團簇， 再以濕蝕刻藥水對第一束缚層進行蝕刻，後續使用超音波震 盪清洗移除該金屬團簇，據以形成粗韃面。 -17- AOC-06-02-TW AOC-06-02-TW1288979 2·如申請專利範圍第1項所述之利用金屬擴散接合 之發光二極體的製法，其中，該暫時性基板包括由η型砷化鎵 (n-GaAs)所構成。 3·如申請專利範圍第1項所述之利用金屬擴散接合 之發光二極體的製法，其中，該第一束缚層包括由η型磷化鋁 銦鎵（n_AlInGaP)及η型磷化鋁銦（η-AllnP)其中任一所構成。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之利用金屬擴散接合 之發光二極體的製法，其中，該第二束缚層包括由P型磷化鋁 銦鎵（p-AlInGaP)及p型磷化鋁銦（p-AllnP)其中任一所構成。 5·如申請專利範圍第1項所述之利用金屬擴散接合 之發光二極體的製法，其中，該絕緣透明層包括選自Si02、 Al2〇3及SiNx系列其中任一所構成。 6·如申請專利範圍第1項所述之利用金屬擴散接合 之發光二極體的製法，其中，該第二導電型永久性基板包括 選自磷化鎵（GaP)，砷化鎵（GaAs)及金屬Mo其中任一材料所 構成。 7·如申請專利範圍第1項所述之利用金屬擴散接合 之發光二極體的製法，其中，該金屬擴散接合層包括選自 Au、Cu、Ag、Al、Au，Zn 合金、Au-Ge 合金及 Au-Be 合金 其中任一材料所構成。 -18- AOC-06-02-TW AOC-06-02-TW.1288979 8 ·如申請專利範圍第1項所述之利用金屬擴散接合 之發光二極體的製法，其中，該其中，該歐姆接面金屬包括選 自Au-Zn合金、Au-Ge合金及Au-Sn合金其中任一所構成。 9 ·如申請專利範圍第1項所述之利用金屬擴散接合 之發光二極體的製法，其中，該第一導電型電極係包括中間 之結合墊（bonding pad)及周邊之接觸塾（contact pad)所構成。 1 0 ·如申請專利範圍第1項所述之利用金屬擴散接合 之發光二極體的製法，其中，該該濕蝕刻藥水包括由 ΝΗ40Η·2:Η20=2:1:5 及 H2S04:H202:H20=1:1:10 其中任一系列所 構成。 1 1 · 一種利用金屬擴散接合之發光二極體，包含有： 一第二導電型永久性基板，形成於一第二導電型電極上； 一歐姆接觸金屬層，形成於該永久性基板上； 一金屬擴散接合層，形成於該歐姆接觸金屬層上； 一歐姆接面，形成於該金屬擴散接合層上， 一磷化鋁銦鎵（AlInGaP)半導體磊晶層，形成於該歐姆 接面上，其頂面並形成粗糙面； 一絕緣透明層，係插入於該歐姆接面與該AlInGaP半導 體磊晶層底面間之部分表面；以及 一第一導電型電極，係形成於該AlInGaP半導體磊晶層 之第一導電型的第一束缚層部分表面上，且相對應設在該絕 緣透明層之位置的上方。 -19- AOC-06-02-TW AOC-06-02-TW1288979 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述之利用金屬擴散接 合之發光二極體，其中，該第二導電型永久性基板包括選自 磷化鎵（GaP)，砷化鎵（GaAs)及金屬Mo其中任一材料所構成， 其厚度為75〜200//m。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項所述之利用金屬擴散接 合之發光二極體，其中，該金屬擴散接合層包括選自Au、 Cu、Ag、Al、Au-Zn 合金、Au-Ge 合金、Au-Be 合金其中 任一材料所構成，其厚度小於5//m。 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項所述之利用金屬擴散接 合之發光二極體，其中，該絕緣透明層包括選自si〇2、ai2o3 及SiNx系列其中任一所構成。 1 5 ·如申請專利範圍第1 1項所述之利用金屬擴散接 合之發光二極體，其中，該磷化鋁銦鎵（AlGalnP)半導體磊晶 層之厚度小於20 //m，其蠢晶層包括： 一具有第一導電型之第一束缚層，形成於一暫時性基板 表面； 一主動發光層，形成於該第一束缚層表面；以及 一具有第二導電型之第二束缚層，形成於該主動發光層 之表面。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之利用金屬擴散接 合之發光二極體，其中，該第一束缚層包括由η型磷化鋁銦鎵 (n-AlInGaP)及η型磷化鋁銦（η-Α1ΙηΡ)其中任一所構成。 -20- AOC-06-02-TW AOC-06-02-TW.1288979 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項所述之利用金屬擴散接 合之發光二極體，其中，該第二束缚層包括由P型填化鋁銦鎵 (p-AlInGaP)及p型磷化鋁銦（ρ-ΑΙΙηΡ)其中任一所構成。 1 8 ·如申請專利範圍第1 5項所述之利用金屬擴散接 合之發光二極體，其中，該暫時性基板包括由η型坤化蘇 (n-GaAs)所構成。 1 9 ·如申請專利範圍第1 1項所述之利用金屬擴散接 合之發光二極體，其中，該第一導電型電極係包括中間之結 合塾（bonding pad)及周邊之接觸塾（contact pad)所構成。

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