TW200539088A - Plasma display device and method of driving plasma display panel - Google Patents

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200539088 九、發明說明： I：發明戶斤屬之技術領域】 發明領域 本發明係關於一種用以顯示影像的電漿顯示裝置，以及一 5 種用以驅動一電漿顯示面板的方法。 I：先前技術】 相關技術的敘述

多種形態的平面顯示裝置已被商品化。其中一種為AC-型 (AC放電型）電漿顯示面板。該電漿顯示面板具有二個基板，即 10 前玻璃基板與後玻璃基板，該二個基板距離一預定間隙而彼此 相對設置。該前玻璃基板為電漿顯示面板的一顯示表面。在前 玻璃基板的内表面（亦即，面對後玻璃基板的表面）上，形成有 數個彼此平行延伸的橫排電極對以做為維持電極對。在後玻璃 基板上，形成有數個縱列電極以做為定址電極，其等係垂直於 15 橫排電極對而延伸。一螢光材料被塗覆於後玻璃基板上。從顯 示器表面視之，做為像素的顯示晶胞被形成在橫排電極與縱列 電極的交會處。一運用次圖場法的多重灰階（階層）驅動序列被 執行於此種電裝顯示面板中，俾以生成一信實於輸入影像訊號 的預定半色調顯示亮度。 20 在依據次圖場法的階層驅動序列中，影像訊號的一圖場被 分割成數個次圖場，且各個次圖場被分配有一預定數目的光放 射（抑或是一預定期間的光放射）。顯示器驅動係利用此等次圖 場而被實施於一圖場。在各個次圖場中，一定址程序及一維持 程序被順序地執行。在定址程序中，一放電係依據一輸入影像 200539088 訊號，而被選擇性地生成於位在各顯示晶胞内的橫排電極與縱 列電極之間，以形成（或消除）一預定量的壁電荷。此一放電被 稱為選擇性放電。在維持程序中，只有具壁電荷的顯示晶胞被 迫重覆地放電，以維持一與該放電相關的光放射狀態。至少在 5第一次圖場處，一起始程序被執行於定址程序之前。在起始程 序中，一重置放電被生成於所有顯示晶胞之各個橫排電極對的 二電極間’以起始仍位在5亥專顯示晶胞内的壁電荷量。 重置放電是一較強烈的放電，且完全對於欲被顯示的影像 内容沒有貢獻，而致使與此放電相關的光放射降減該影像的對 10 比。 15 另一種型式的電漿顯示裝置被提出以解決此一問題（請參 見曰本專利公開案第2001-188509號第13圖）。此種電漿顯示裝 置運用T-形橫排電極來產生放電。電壓呈上升趨勢緩慢變化的 一重置脈衝被施加於T-形橫排電極（請參見日本專利公開案第 2〇〇1-188509號第7圖），以生成一微弱重置放電。基於被弱化的 重置放電，一與該重置放電相關的光放射亮度會被降低，而致 使對比增加。為了在所有的顯示晶胞中生成具有此一重置脈衝 的重置放電，重置脈衝的峰值電壓必須較高。 然而，重置脈衝的高峰值電壓數值會致使強烈放電不僅被 產生在各橫排電極對的二電極之間，亦會被產生在橫排電極盘 縱列電極之間。此會導致較低的對比。又，在橫排電極與縱列 電極之間所產生的強烈放電會產生較所欲量更高的壁電荷。此 可月匕會在定址程序中引發錯誤的性放電。 A ^ 顯不影像 20 200539088 【發明内容】 發明概要 本發明的一個目的在於，提供一種能夠改善影像對比而不 會降減影像畫質的電漿顯示裝置。 5 本發明的另一個目的在於，提供-種用以驅動-能夠改善 影像對比而不會犧牲影像晝f之電漿顯示面板的方法。 依據本發明的-態樣，其係提供一種具有一電漿顯示面板 的電水顯不裳置。該電襞顯示面板具有數個朝向一橫排方向延 伸的橫排電極對，以及數個相對於該等橫排電極對呈垂直延伸 10的縱列電極。一個具有一放電空間的顯示晶胞被形成在該等橫 排電極對與縱列電極的各個交會處。各個顯示晶胞中形成有I 個氧化鎭層。該氧化鎮層具有一個放射出陰極冷光(CL)的氧化 鎂曰曰肢，s破-電子束所轄照並激發時，該陰極冷光具有一位 在200至300 nm之波長範圍内的峰值。該電漿顯示裝置亦包括 15重置構件’用以將—重置脈衝施加至橫排電極對，俾於所有 顯示晶胞的放電空間内產生重置放電，以起始所有的顯示晶 胞。重置脈衝可被施加至各橫排電極對中之各二個電極，抑或 是各橫排電極對的二個電極中之一者。該重置脈衝會起始所有 的顯不晶胞。該電漿顯示裝置亦包括一定址構件，用以依序將 20 一掃描脈衝施加至位在各橫排電極對中之一電梅， %丨上 Μ及將_對 應於一輸入影像§fl號的數據脈衝施加至各縱列電福， ^ ^ 以於各顯 示晶胞的放電空間中選擇性地生成一選擇性放電，俾將各顯示 晶胞設定於一明亮狀態或一不明亮狀態。該電漿顯示裝置亦包 括一維持構件，用以將一維持脈衝施加至該橫排電極對，俾在 200539088 =又疋為明*狀態的顯示晶胞的放電空間中生成-維持放 兒。至少部分的重置脈衝會隨時間而緩慢地改變其電壓數值。 維持脈衝可被施加至各橫排電極 、、 ί中之各二個電極，抑或被施 加至各橫排電極對的二 甲之一者。此電漿顯示裝置可改 。衫像對比而不會降減影像晝質。

10 _依據本發明的第二態樣，其係提供一種用以驅動一電毁顯 “板的方法。該電漿顯示面板包括數個朝向—橫排方向延伸 的橫排電極對’以及數個相對於該等橫排電極對呈垂直延伸的 縱列η…個具有顯示晶胞被形成在該等橫排 電極對與_電極的各做讀。—具有-絲化鎮層 以及—個放m該氧化鎮層面向該放電㈣。該氧化鎂層 具有—個氧化❹體。該氧化鎂晶體被—輻照電子束所激發而 «出陰極冷光’該陰極冷光具有_位在細至· nm之波長 範圍内的峰值。該用以驅動一電衆顯示面板的方法包括將一重 15置脈衝施加至橫排電極對。重置脈衝可被施加至各橫排電極對 中之各二個電極，抑或是各橫排電極對的二個電極中之-者。

重置脈衝的電壓數值會隨著至少某段時間而緩慢地變化。該重 置脈衝在所有顯示晶胞的放電空間内產生重置放電，以起始所 有的顯示晶胞。該電毁顯示面板驅動方法亦包括依序將一掃描 20脈衝施加至位在各橫排電極對中之一電極，以及將一對應於一 輸入影像訊號的數據脈衝施加至各縱列電極，以於各顯示晶胞 的放電空間中選擇性地生成一選擇性放電。該選擇性放電將各 顯示晶胞設定於一明亮狀態或一不明亮狀態。該電漿顯示面板 驅動方法亦包括將-維持脈衝施加至該橫排電極對，俾在被設 200539088 定為明焭狀態的顯示晶胞的放電空 生成一維持放電。維持 各橫排電極對中之各二電極，抑或被施加至各 才κ排笔極對的二電極中之一者。 依據本發明的第三態樣，其係提 5 死t、種包括一電漿顯示面 板、一個氧化鎂層與一重置構件的 罝5玄電漿顯不面板包括 數個朝向-橫排方向延伸的橫排 對，以及數個朝向一縱列 方向延伸的縱列電極。數個各具有—放電空間的顯示晶胞被形 成㈣專橫排電極對與縱列電極的各個交會處。該氧化鎮層且 10 有一被形成在各個顯示晶胞中的氧化鎂晶體。該氧化錢晶體被 -電子束所輻照並激發，從而放射出陰極冷光。該陰極冷光具 有-位在200至30〇 nm之波長範圍内的锋值。該重置構件將一 重置脈衝施加至所有的橫排電極對，俾於所有顯示晶胞的放電 空間内產生重置放電，以起始所有的顯示晶胞。重置脈衝可被 施加至各橫排電極對中之各二個電極，抑或是各橫排電極對的 15 一個電極中之者。重置脈衝具有_會隨著至少某段時間而緩 慢地變化的電壓數值。 對於熟習於本項技術人士而言，當參照所附圖式來閱讀並 暸解後列詳細敘述與申請專利範圍，本發明的此等及其他目 的、態樣及優點將變得顯明。 20 圖式簡單說明 第1圖繪示出依據本發明的一具體例的電漿顯示裝置之構 形； 第2圖為一個PDP的部分放大前視圖，以顯示該pDp的内部 構造； 200539088 第3圖為沿著第2圖中之ΠΙ-ΙΠ線的截面圖； 第4圖為沿著苐2圖中之ιν_ιν線的戴面圖； 第5Α圖為顯示出氧化鎂單晶體的一個實例； 第5Β圖為顯示出氧化鎂單晶體的另_個實例； 5 第6圖為一概圖，繪示出如何藉由噴塗法、靜電塗覆法等， 將蒸氣相法氧化鎂單晶體施加至一介電層的表面； 第7圖繪示出一被運用於第！圖所示電漿顯示裝置中的例 示性光放射驅動序列； 第8圖為一概圖，顯示出依據第7圖所示光放射驅動序列而 10 被施加至PDP的驅動脈衝的施加時序； 第9圖為一概圖，顯示出當一個氧化鎂單晶體被輻照以一 電子束時，CL光之波長與所觀察到的CL光之強度間的關係； 第10圖為一圖式，顯示出氧化鎂單晶體之粒徑與CL光在 235 nm處之強度間的關係； 15 第11圖為一概圖，顯示出當一顯示晶胞未形成一個氧化鎂 層時的放電機率、當顯示晶胞依據一習用蒸氣沈積法而形成有 一個氧化鎮層時的放電機率，以及當顯示晶胞形成有一包括數 個氧化錢單晶體的氧化鎂層的放電機率，藉由一電子束的輻 照’遠專氧化鎂單晶體涉及具有一位在200-300 nm範圍内之峰 20 值的CL光放射； 第12圖為一概圖，顯示出cl光放射之強度與放電延遲時間 之間的關係’該CL光放射的峰值係位於235 nm處； 第13圖為沿著第2圖中之xm-ΧΙΠ線的截面圖，顯示出本 發明的另一具體例；以及 10 200539088 第14圖為沿著第2圖中之XIV-XIV線的截面圖，其為13圖的 一個變化具體例。 I：實施方式】 本發明的詳細說明 5 參照第1圖，依據本發明之一態樣的電漿顯示裝置48的構 形將被敛述。

電漿顯示裝置48包括電漿顯示面板(PDP)50、一個X-電極 驅動器51、一個Y-電極驅動器53、一定址驅動器55以及一驅動 控制電路56。 10 PDP 50具有分別朝向二維顯示螢幕之一垂直方向延伸的 縱列電極DrDm，以及分別朝向該顯示螢幕之水平方向延伸的 橫排電極XrXn與橫排電極YrYn。橫排電極對（Y!，X!)、（Y2, X2)、（Y3, X3)、…與(Yn, Xn)在PDP50上形成第一顯示線、第二 顯示線、第三顯示線、...與第η顯示線。在各顯示線與各縱列電 15 極DrDm的交會區域處（一被第1圖中所示單點連線所圍繞的區 域），一顯示晶胞PC被形成以作為一像素。換言之，在PDP 50 上，歸屬於第一顯示線的顯示晶胞PC!，！ -PC^m、歸屬於第二顯 不線的顯不晶胞PC]，1 - PC2，m、…以及歸屬於第η顯不線的顯不 晶胞PCnJ - PCn，n^i配置成一矩陣形式。 20 第2圖為一放大圖，其繪示出PDP50從前表面（即顯示表面 側）觀視時的部分内部結構。特別是，縱列電極DrD3與第一顯 示線(Yl5 X!)及第二顯示線(Y2, X2)的交會處被繪示出。第3圖為 沿著第2圖中之III-III線的PDP50截面圖，以及第4圖為沿著第2 圖中之IV-IV線的PDP50截面圖。 200539088 5 10 15 20

如第2圖所示’各橫排電極χ包括—朝向顯示螢幕之水平方 向延伸的匯流電極Xb，以及數個被配置成與該匯流電極灿相接 觸的T形透明電極Xa。各個T形透明電極心被定位成對應於各顯 示晶胞PC。各橫排電極γ包括—朝向顯示營幕之水平方向延伸 的匯流電極Yb，以及數個被配置成與該匯流電極Yb相接觸的T 形透明電極Ya。各個T形透明電極Ya被定位成對應於各顯示晶 胞PC。透明電極Xa ' Ya係由諸如IT〇之導電透明膜所製成，且 匯流電極Ya、Yb係由諸如金屬膜所製成。如第3圖所示，橫排 電極X與縱列電極Y被形成在—前透明基板_背側。該前透明 基板_前側為PDP 50的-顯示螢幕。在各橫排電極對(χ γ) ^透明電極Xa(或Ya)朝向相對橫排電極γ(或χ)而延伸，且該 「Τ」形透明電極X“Ya的頭部（寬廣部分）係橫越—預定長度 的放電間隙gl而彼此面對。在前透明基板1〇的背侧上，一黑色 或暗色之光-吸收層(光屏蔽層)U被形成為朝向該顯示螢幕之 水平方向於第一橫排電極對％，γι)與第二橫排電極對㈨⑹ 之間延伸。第二橫排電極對是第一橫排電極對的一個相鄰橫排 電極對。在前透明基板10的背側上，更形成有一介電層Η，以 覆蓋該等橫排電極對(Χ，Υ)。如第3圖所示，在介電層Η的背側 (相對於與該等橫排電極對相接觸之表面的表面）上，一凸出介 電層以被形成在對應於光吸收層u及相鄰匯流電極齡^ 的位置處。在介電層12與凸出介電層12A上形成有—個氧化鎮 層13’氧化鎂層13包括數個氧化鎮晶體，該等氧化鎂晶體被J “照电子束所激發而產生陰極冷光放射，該陰極冷光具有一位 在200至3〇〇 nm之波長範圍内的峰值 礼化鎮早晶體包括藉由 12 200539088 將-鎮蒸氣予以氧化所生成的蒸氣相法氧化鎮晶體，該錢蒸氣 係藉由在-蒸氣相中加熱鎮所產生。蒸氣相法氧化錢晶體具有 -個多晶結構，其巾數個固態晶體彼此適配，諸如第5 a圖之 SEM照片所示，抑或是蒸氣相法氧化鎂晶體具有—個固態單晶 5結構’如㈣圖之SE職片所示。料晶體之平均粒徑為細 埃或更高，較佳為2000埃或更高（藉由贿法所測得）。如第糰 所示，蒸氣相法氧化鎮單晶體现係藉由嘴塗法、靜電塗覆法 等’而被施加至介電層12的表面上，以形成氧化鎮層13。任擇 地，可藉由蒸氣沈積法或減鍵法在介電層12之表面並將上形成 10 -薄膜氧化鎂層，並將數個蒸氣相法氧化錢單晶體施加至該膜 氧化鎂層上，以形成氧化鎂層13。 請回顧第2及3圖，在被配置成平行於前基板1〇的後基板14 上，縱列電極D被形成為朝向一垂直於橫排電極對(χ，γ)的方向 延伸。縱列電極D係在透明電極xa及化下方延伸。在後基板14 15上，更形成有一白色保護層15，以覆蓋縱列電極〇。縱列電極 保護層15上形成有隔壁16。隔壁16包括水平壁16A及垂直壁 16B，且隔壁16整體具有一階梯形。水平壁16A朝向顯示螢幕的 水平方向延伸，而位在對應於橫排電極對(X, γ)之各個匯流電 極Xb及Yb的位置處。垂直壁16B朝向顯示螢幕之垂直方向而延 20 伸於母一個相鄰縱列電極D之間。對PDP 50的各顯示線而言， 一間隙SL存在於相鄰隔壁16之間，如第2圖所示。再者，階梯 狀隔壁16界定出顯示晶胞PC ’該等晶胞各包括一獨立放電空間 S，以及透明電極xa與Ya。各顯示晶胞PC被二個相鄰之水平壁 16A及二個相鄰之垂直壁16B所界定。放電空間S被填充以一放 13 200539088 電氣體，包括氙氣。如第3圖所示，在各顯示晶胞PC中，形成 有一螢光材料層17，以覆蓋二個水平壁16A的内側面、二個垂 直壁16B的内側面，以及縱列電極保護層15的頂表面。螢光材 料層17包括二種螢光材料；一者用於放射紅光，一者用於放射 5綠光’且一者用於放射藍光。在各顯示晶胞Pc的放電空間s與 間隙SL之間，水平壁16A抵靠氧化鎂層13，以使得放電空間s 與間隙SL分開，如第3圖所示。另一方面，如第4圖所示，氧化 _ 鎂層13不抵靠垂直壁16B，以使得一間隙“存在於二者間。換 言之’在顯示晶胞pC的水平方向上彼此相鄰的顯示晶胞PC之放 10電空間S，係透過間隙rl而彼此連絡。 如第7圖所示，驅動控制電路56依據一運用次圖場法（次圖 框法）的光放射驅動序列，將多種用以驅動PDP 50的控制訊號供 應給X-電極驅動器51、Y-電極驅動器53及定址驅動器55。X-電 極驅動器51、Y-電極驅動器53及定址驅動器55依據第7圖所示光 15 放射驅動序列，產生多種用以驅動PDP 50的驅動脈衝（容後再 ^ 述），並將此等驅動脈衝供應給PDP 50。 在第7圖所示光放射驅動序列中，一定址程序w及一維持 程序I被執行於位在一圖場（一圖框）之顯示期間内的各個次圖 場SFl-SF(N)中。一重置程序尺僅在第一次圖場SF1中被執行於 20 定址程序W之前。 第8圖為一概圖，顯示出次圖場SFl-SF(N)的次圖場SF1及 SF2中，驅動脈衝施加至pop 50之縱列電極D與橫排電極X、γ 驅動脈衝的時序。 在各次圖場的定址程序W中，定址驅動器55產生一像素數 14 200539088 據脈衝，以設定各顯示晶胞pc是否被迫依據一輸入影像訊號而 在此久圖場中發光。例如，定址驅動器55於一顯示晶胞PC應發 5

10 15

20 光枯會產生一高電壓像素數據脈衝，且於該顯示晶胞PC不應發 光日守會產生一低電壓像素數據脈衝。定址驅動器55產生供所有 •員不日日胞PC用之像素數據脈衝。接著，定址驅動器55針對各顯 丁線將m個像素數據脈衝施加至縱列電極。七⑺。㈤個像素數據 脈衝為像素數據脈衝!^的一個群組。定址驅動器55將數個像素 數據脈衝群組DPl、Dp2、···及此依序地施加至縱列電極

Di Dm。同時’ ¥_電極·動器53依據各像素數據脈衝群組 PiDPn的犄序，同步地將負極性掃描脈搏§]?施加至橫排電極 Υ1 γη。-放電（選擇性放電）僅在一被施加以掃描脈衝5?及高電 壓像素數據脈衝的顯示晶胞Pc中生成，俾於位在顯示晶胞pc 的放電空間S中之氧化鎮層13及螢光材料層口的表面上，形成 一預定量之壁電荷。在-被絲崎描_sp及低電壓像素數 據脈衝的顯示晶胞PC中，不會生成_選擇性放電，以使得壁電 荷的狀態不會改變，亦即，壁電荷的存在/不存在被維持。 換言之，縱使執灯定址程序w，但各顯示晶胞似系依據一 輸入影像減，而被設定成存在有_預定量之壁電荷的明亮狀 態’抑或不存有-狀量之壁電荷的不明亮狀態。 在各次圖場的維持程序1中，X·電極驅㈣51與丫.電極驅 動器53交料且重祕純的維躲餅滅ΙΡγ分別施加 至橫排電極Χ「Χη&Υ1-Υη 依據各次圖場中的亮度權 時，一維持放電僅在呈明 。維持脈衝ΙΡχ及ΙΡγ被施加的次數係 重而疋。母次施加維持脈衝ΙΡΧ&ΙΡΥ 示晶胞（亦即’被形成為具 15 200539088 有一預定量之壁電射）巾被赵，且螢光層17伴隨著該放電而 發光’俾在面板表面上形成一影像。 5 在第-次圖場SF1中被執行於定址程序…之前的重置程序 R中，X·電極驅動器51同時將—負極性重置脈衝RPx施加至橫排 電極W如第8圖所示。與重置脈衝RPx的施加同時地，γ_ 電極驅動器53同時具有-脈波形式的正極性第一重置脈衝 RPY1施加至橫排電極¥1^電壓隨著時間緩慢地上升並達到 電壓峰值，如第8圖所示。第一重置脈衝Rpn的電壓峰值高 10 於維持脈衝IPX及IPY的電塵峰值。藉由第一重置脈衝rPyi與負 極性重置脈衝RPX的同時施加，所有顯示晶胞pCi，i_pCn，m中，各 於桜排電極X與γ之間產生第一重置放電。藉由第一放電的完 15 成，各顯示晶胞PC的放電空間S的氧化鎂層13的表面上形成一 預定量的壁電荷。特定言之，位在氧化鎂層13的表面上的橫排 電極X附近形成一正電荷，而橫排電極γ附近形成一負電荷。在 本毛明說明書中，此狀態稱為r形成壁電荷」。接著，如第8圖 所不，γ-電極驅動器53產生一負極性第二重置脈衝，其在 電®上呈_上升趨勢而緩慢變化，並同時施加將此脈搏施加至 所有的橫排電極γ广Yn。第三重置脈衝RPy2的電壓译值被設定在 20 _電壓_内’該範_從定址程序w中未被施加以掃描脈搏 SP的-橫排電極Y上之電壓數值，至掃描脈搏sp的電壓峰值。 回應第二重置脈衝RPy2的施加，戶斤有顯示晶胞pCi「pc_中， 各於橫排電極X與Y之間產生第二重置放電。第二重置放電去除 了所有顯示晶胞PCl，rPCnm中所形成壁電荷。換言之，藉由重 序R所有頒7F晶胞卩^心^被起始成不存有壁電荷的不 16 200539088 明亮狀態。定址放電前所產生的第一與第二重置放電中’各顯 示晶胞Pc中產生一放電。因為顯示晶胞PC形成有氧化鎂層13，' 所以由重置放電所提供的啟動效應（priming effect)會持續較長 的時間，以容許更快速的定址。 5 纟重置程序种，橫排電極Y被施加以在電壓上呈一上升 趨勢緩慢變化的第-重置脈·ΡΥ1，以使得丁_形透明電極於與 Xa之間產生微弱的第-重置放電，其目的在於改善對比。 如第5A及5B圖所示，被形成在各顯示晶胞％中之氧化鎮 層13包括較大的蒸氣相氧⑽單晶體。#被—電子束所輕照 W時，此等單晶體會放射出—具有位在脈3〇〇 波長範圍内（特 別是在230-250 nm之範圍内接近235 nm)之峰值的cl*(陰極冷 光）。因此，此等單晶體被認為具有一位在235腳處的能階。如 第10圖所示，P逍著条氣相法氧化鎮單晶體的粒徑增大，在加 nm處具有-峰值的以光放射會展現出更高的峰值強度。特定言 15之，在製造蒸氣相氧化鎂單晶體的製程期間，若在高於常用的 溫度下加熱鎮，則如第从及5]8圖所示，具有2〇〇〇埃或更高之較 大粒徑的單晶體，會與具有一為5〇〇埃之平均粒徑的蒸氣相氧 化鎮單晶體-起生成。因為在高於常用的溫度下加熱鎮，所以 鎮與氧進行反應所伴隨而來的燒焰亦變得較久。結果，在燒始 與周邊壤境之間產生較大的溫差，或可致使一群具有較大粒經 的洛乳相氧化_單晶體’會包括更多能在·咖處(特別是 在235 處)展現出高能階的單晶體。蒸氣相氧化鎮單晶體的特 试在於’舉例來說，相較於藉由其他方法所製得的氧化錢而 3，具有較南的純度、較細緻的顆粒，較低度的顆粒凝聚性。 17 200539088 因此，咸相信，於235 nm處具有能階的蒸氣相氧化鎂單晶 體能長時間（數亳秒）捕捉電子，並回應選擇性放電期間的電場 施加而放射電子，以快速地捕集放電所需的起始電子。因此， 莓氧化錢層13如弟3圖所示包括數個蒸氣相氧化儀早晶體，而 5該等蒸氣相氧化鎂單晶體回應電子輻射而展現出具有一位在 200至300 nm範圍内之峰值的CL光放射時，能導致放電的足量 電子在整個時程中均存在於放電空間S内，此在放電空間S中造 成一顯著地較高的放電機率。 ® 第11圖為一顯示出下列三個情況下之放電機率的概圖，亦 10即，當顯示晶胞？(：未形成一個氧化鎂層時、當顯示晶胞PC依據 一習用瘵氣沈積法而形成有一個氧化鎂層時，以及當顯示晶胞 pc形成有一包括數個蒸氣相氧化鎂單晶體的氧化鎂層，藉由一 電子束的輻照，該等氧化鎂單晶體發出具有一位在200_3〇〇 nm 範圍内之峰值的CL光放射。在第η圖中，水平輻代表施放電間 15隔，亦即產生一放電的時點至產生下一次放電的時點之間的 鲁 時間間隔。如圖所示，當各顯示晶胞PC具有含蒸氣相氧化鎮單 晶體的氧化鎂層13，且藉由一電子束的輻照，該等氧化鎂單晶 體涉及具有一位在200-300 nm範圍内之峰值的CL光放射時，放 電機率較藉由一習用蒸氣沈積法而形成有一個氧化鎂層的一 20顯不晶胞為高。如第12圖所示，因為蒸氣相氧化鎮單晶體放射 出較高強度的CL光，特別是藉由一電子束的輻照而具有一位在 235 nm處之峰值的CL光，故可降低放電空間5内所產生的放電 的延遲。 因此，當在重置程序R中，藉由施加一具有緩慢電壓變化 18 200539088 的第一重置脈衝11?^而產生微弱的第一重置放電時，即使第一 重置脈衝RPY1&電壓峰值為高，仍可產生具有低放電強度且具 有穩定性的第一重置放電。 在前述具體例中，雖然含氧化鎂單晶體的氧化鎂層13如第 5 5A或5B所示係直接地生成在介電層12的表面上，但一薄膜氧化 鎂層130可藉由蒸氣沈積法或濺渡法而設置在層12與13之間， 如第13及14圖所示。

該具體例關於所謂的選擇性寫入及定址法，該方法驅動 PDP 50以供半色調影像顯示之用。選擇性寫入及定址法起始顯 10 示晶胞，以使得所有的顯示晶胞中所殘存的壁電荷被降低至低 於一預定量（重置程序R)，以及依據一輸入影像訊號在各顯示晶 胞中選擇性地形成一等於或高於一預定量的壁電荷（定址程序 W)。然而，亦可使用所謂的選擇性刪除及定址法來驅動PDP50 以供顯示半色調影像之用。選擇性刪除及定址法在所有的顯示 15 晶胞中各形成一等於或高於一預定量的壁電荷（重置程序R)，以 及依據像素數據將各顯示晶胞中之壁電荷選擇性地降低至低 於一預定量（定址程序W)。如同選擇性寫入及定址法，選擇性 刪除及定址法可在重置程序R中產生低放電強度且具穩定性的 第一重置放電。 20 在例示性具體例中，橫排電極X被施加以重置脈衝RPX， 同時橫排電極Y被施加以第一重置脈衝RPyi。然而，重置脈衝 RPx可被省略，且橫排電極X可被設定於大地電位。橫排電極Y 可被施加以另一形式的第一重置脈衝RPyi。例如，第一重置脈 衝RPY]可具有第一區段以及一後續區段，在第一區段中，第一 19 200539088 重置脈衝RPY]急遽地上升至一低於放電起始電壓的第一預定 電壓值，而在後續區段中，第一重置脈衝RPYj々電壓值隨著時 間緩慢地變化，而達至一電壓峰值。換言之，可運用任何適用 的第一重置脈衝RPY1，只要其在重置電壓應被產生時展現出緩 5 慢的電壓變化。 【圖式簡單說明3 第1圖繪示出依據本發明的一具體例的電漿顯示裝置之構 形；

第2圖為一個PDP的部分放大前視圖，以顯示該PDP的内部 10 構造； 第3圖為沿著第2圖中之III-III線的截面圖； 第4圖為沿著第2圖中之IV-IV線的截面圖； 第5A圖為顯示出氧化鎂單晶體的一個實例； 第5B圖為顯示出氧化鎂單晶體的另一個實例； 15 20 第6圖為一概圖，繪示出如何藉由喷塗法、靜電塗覆法等， 將蒸氣相法氧化鎮單晶體施加至一介電層的表面； 第7圖繪示出一被運用於第1圖所示電漿顯示裝置中的例 示性光放射驅動序列； 第8圖為一概圖，顯示出依據第7圖所示光放射驅動序列而 被施加至PDP的驅動脈衝的施加時序； 第9圖為一概圖，顯示出當一個氧化鎂單晶體被輻照以一 電子束時，CL光之波長與所觀察到的CL光之強度間的關係； 第10圖為一圖式，顯示出氧化鎂單晶體之粒徑與CL光在 235 nm處之強度間的關係； 20 200539088 第11圖為一概圖，顯示出當一顯示晶胞未形成一個氧化鎂 層時的放電機率、當顯示晶胞依據一習用蒸氣沈積法而形成有 一個氧化鎂層時的放電機率，以及當顯示晶胞形成有一包括數 個氧化鎂單晶體的氧化鎂層的放電機率，藉由一電子束的輻 5…、β亥寺氧化鎂單晶體涉及具有一位在200-300 nm範圍内之锋 值的CL光放射； 第12圖為一概圖，顯示出光放射之強度與放電延遲時間 之間的關係，該CL光放射的峰值係位於235 nm處； 第13圖為沿著第2圖中之χπι_χπι線的截面圖，顯示出本 10發明的另一具體例；以及 第14圖為沿著第2圖中之χιν-Χΐν線的截面圖，其為13圖的 一個變化具體例。 【主要元件符號說明】

Xa，Ya·.·透明電極 16...隔壁 Xb，Yb···匯流電極 16A...水平壁 10…前透明基板 16B...垂直壁 gl··.放電間隙 SL...間隙 11…光吸收層（光屏蔽層） S...放電空間 12·.·介電層 17...螢光材料層 12A·.·凸出介電層 rl…間隙 13…氧化鎂層 48...電漿顯示裝置 13B···氧化鎂單晶體 50...電漿顯示面板(PDP) 14…後基板 51... X-電極驅動器 15…保護層 53. ·. Y-電極驅動裔 21 200539088 55.. .定址驅動器 56.. .驅動控制電路 DrDm...縱列電極 XrXn，YrYn...橫排電極 PC]，] - ?(3],111...顯不晶月包 W...定址程序 1.. .維持程序 SFl-SF(N)···次圖場 DPrDPn...像素數據脈衝 SP…掃描脈搏 IPX,IPY...維持脈衝 R...重置程序 RPx...重置脈衝 RPY1·.·第一重置脈衝 RPY2...第二重置脈衝

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Claims (1)

1. 200539088 十、申請專利範圍： 1· 一種電漿顯示裝置，其包含： 一電漿顯示面板，其具有數個朝向一橫排方向延伸的橫排 電極對’以及數個朝向一垂直於該橫排方向的縱列方向延 5 伸的縱列電極，且數個各具有一放電空間的顯示晶胞被形 成在該等橫排電極對與縱列電極的各個交會處； 一個氧化鎂層，其被形成在各個顯示晶胞中，且具有一個 氧化鎂晶體，該氧化鎂晶體被一輻照電子束所激發，從而 放射出陰極冷光，該陰極冷光具有一位在200至300 11111之波 ίο 長範圍内的峰值； 重置構件’用以將一重置脈衝施加至各橫排電極對中之一 或二個電極，俾於該顯示晶胞的放電空間内產生重置放 電，以起始各顯示晶胞； 定址構件，用以依序將_掃描脈衝施加至位在各橫排電極 15

   20 對中之-電極，以及將_對應於—輸人影像訊號的數據脈 衝施加至各縱列電極，以於各顯示晶胞的放電空間中 性地生成-選擇性放電，俾將各顯示晶胞設定於—明哀 態或一不明亮狀態；以及 冗狀 的放電 維持構件，用以將-維持脈衝施加至各橫排電極對中— 或二個電極’俾在被設定為明亮狀態的各顯示晶皰之— 空間中生成一維持放電； 其中部分的重置脈衝粟有一 電壓數值。 會隨著時間而緩慢地變化的 2·如申請專利範圍第1項之電衆顯示裝置，其中位在各橫挪電 23 200539088 極對中之二個橫排電極各包括—朝該橫排方向延伸的延長 體，以及沿著該縱列方向而從該延長體朝向一配合橫排電 極延伸的數個凸部，以使得各橫排電極對的各二個相對凸 部之間形成一放電間隙。 3. 如申請專利範圍第2項之電滎顯示裝置，其中各橫排電極的 凸部包括一寬廣頭部以及一將該寬廣頭部連接至該延長體 的柄部。 4. 如申請專利範圍第1項之電漿顯示裝置，其中該氧化錢層包 括-個氧化鎮單晶體，該氧化鎂單晶體係藉由將一錢蒸氣 在一蒸氣相中予以氧化而獲得。 5. 如申請專利範圍第4項之電漿顯示裝置，其中該氧化鎮層包 括一具有等於或高於2000埃之粒徑的氧化鎂單晶體。 士申#專利範圍第1項之電聚顯示裝置’其中該氧化鎮單晶 體會放射出-具有位在23〇至25() nm波長範圍内之峰值的 陰極冷光。

   如申請專利範圍第i項之電衆顯示裝置，其中該氧化錢層被 形成在一覆蓋著該等橫排電極對的介電層上。 如申請專利範圍第i項之電漿顯示裝置，其中該重置脈衝的 一電壓峰值係高於該維持電壓的一電壓峰值。 如申請專利項之電漿顯示裝置，其巾該重置脈衝包 括-電壓數值隨著時間缓慢增加的第一重置脈衝，以及一 電壓數值隨著時間缓慢降低的第二重置脈衝。 如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中該橫排電極對 各被-電極與-配合電極所界定，該第二重置脈衝的一電 24 200539088 壓峰值係介於該掃描脈衝被施加至該一電極時被施加至該 配合電極的一電壓數值，與該掃描脈衝的—電壓峰值之間。 η. -種用以驅動-電漿顯示面板的方法，該電漿顯示面板包 括數個朝向-橫排方向延伸的橫排電極斜，以及數個朝向 -垂直於雜排方向的縱列方向延伸的縱列電極，且數個 顯示晶胞被形成在該等橫排電極對與縱列電極的交會處， 各顯不晶胞具有彼此面對的一個氧化鎂層以及一個放電空 間，該氧化鎮層具有-個氧化鎭晶體，該氧化鎮晶體被一 輻照電子束所激發而放射出陰極冷光，該陰極冷光具有一 位在200至300 nm之波長範圍内的峰值，該方法包括： 將-會隨著時間而緩慢變化電壓數值的重置脈衝施加至 位在各橫排電極對中之-或二個電極，俾在各顯示晶胞的 放電空間内產生重置放電，以起始各顯示晶胞； 依序將一掃描脈衝施加至位在各橫排電極對中之一電 極，以及將一對應於一輸入影像訊號的數據脈衝施加至各 縱列電極，俾於各顯示晶胞的放電空間中選擇性地產生一 選擇性放電，以將各顯示晶胞設定於一明亮狀態或_不明 亮狀態；以及 將一維持脈衝施加至位在各橫排電極對中之一或二個電 極，俾在被設定為明亮狀態的各顯示晶胞的放電空間中產 生一維持放電。 12·如申請專利範圍第11項之用以騸動一電漿顯示面板的方 法，其中該氧化鎂層包括一個氧化鎂單晶體，該氧化鎂單 晶體係藉由將一鎂蒸氣在一蒸氣相中予以氧化而獲得。 25 200539088 5

   10 15

   20 13. 如申請專利範圍第12項之用以驅動一電漿顯示面板的方 法，其中該氧化鎂層包括一具有等於或高於2000埃之粒徑 的氧化鎂單晶體。 14. 如申請專利範圍第12項之用以驅動一電漿顯示面板的方 法，其中該鎂蒸氣係藉由將鎂予以加熱而得。 15. —種裝置，其包含： 一電漿顯示面板，其包括數個朝向一橫排方向延伸的橫 排電極對，以及數個朝向一垂直於該橫排方向的縱列方向 延伸的縱列電極，數個各具有一放電空間的顯示晶胞被形 成在該等橫排電極對與縱列電極的各個交會處； 一個氧化鎂層，其具有一被形成在各個顯示晶胞中的氧 化鎂晶體，該氧化鎂晶體被一輻照電子束所激發，從而放 射出陰極冷光，該陰極冷光具有一位在200至300 nm之波長 範圍内的峰值；以及 一重置構件，其將一重置脈衝施加至各橫排電極對中之 一或二個電極，俾於該顯示晶胞的放電空間内產生重置放 電，以起始各顯示晶胞，該重置脈衝具有一會隨著某段時 間而緩慢地變化的電壓數值。 16. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中位在各橫排電極對中 之二個橫排電極各包括一朝該橫排方向延伸的延長體，以 及沿著該縱列方向而從該延長體朝向一配合橫排電極延伸 的數個凸部，以使得各橫排電極對的各二個相對凸部之間 形成一放電間隙。 Π.如申請專利範圍第16項之裝置，其中各橫排電極的凸部包 26 200539088 括一寬廣頭部以及一將該寬廣頭部連接至該延長體的柄 部° 18. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該氧化鎂層包括一個 氧化鎂單晶體，該氧化鎂單晶體係藉由將一鎂蒸氣在一蒸 5 氣相中予以氧化而獲得。 19. 如申請專利範圍第18項之裝置，其中該氧化鎂層包括一具 有等於或高於2000埃之粒徑的氧化鎂單晶體。 20. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該氧化鎂單晶體會放 射出一具有位在230至250 nm波長範圍内之峰值的陰極冷 10 光。 21. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該氧化鎂層被形成在 一覆蓋著該等橫排電極對的介電層上。 22. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該重置脈衝的一電壓 峰值係高於該維持電壓的一電壓峰值。 15 23.如申請專利範圍第15項之裝置，其中該重置脈衝包括一電 壓數值隨著時間緩慢增加的第一重置脈衝，以及一電壓數 值隨著時間緩慢降低的第二重置脈衝。 24.如申請專利範圍第23項之電漿顯示裝置，其中該橫排電極 對各被一電極與一配合電極所界定，該第二重置脈衝的一 20 電壓峰值係介於該掃描脈衝被施加至該一電極時被施加至 該配合電極的一電壓數值，與該掃描脈衝的一電壓峰值之 間。 27