JP4541108B2 - プラズマディスプレイ装置 - Google Patents

Description

画像を表示するプラズマディスプレイ装置に関する。

現在、薄型表示装置として、ＡＣ型(交流放電型)のプラズマディスプレイパネルが製品化されてきている。プラズマディスプレイパネル内には、２枚の基板、すなわち前面ガラス基板及び背面ガラス基板が所定間隙を介して対向配置されている。表示面としての上記前面ガラス基板の内面（背面ガラス基板と対向する面）には、互いに対をなして平行に伸長する行電極対の複数がサスティン電極対として形成されている。背面ガラス基板には、行電極対と交差するように複数の列電極がアドレス電極として伸長形成され、さらに蛍光体が塗布されている。上記表示面側から見た場合、行電極対と列電極との交叉部に、画素に対応した表示セルが形成されている。このようなプラズマディスプレイパネルに対して、入力映像信号に対応した中間調の表示輝度を得るべく、サブフィールド法を用いた階調駆動を実施する。

サブフィールド法に基づく階調駆動では、発光を実施すべき回数（又は期間）が夫々に割り当てられている複数のサブフィールド各々にて、１フィールド分の映像信号に対する表示駆動を実施する。各サブフィールドでは、アドレス工程と、サスティン工程とを順次実行する。アドレス工程では、入力映像信号に応じて、選択的に各表示セル内の行電極及び列電極間で選択放電を生起させて所定量の壁電荷を形成（又は消去）させる。サスティン工程では、所定量の壁電荷が形成されている表示セルのみを繰り返し放電させてその放電に伴う発光状態を維持する。更に、少なくとも先頭のサブフィールドにおいて上記アドレス工程に先立ち、初期化工程を実行する。かかる初期化工程では、全ての表示セル内において、対を為す行電極間にリセット放電を生起させることにより全表示セル内に残留する壁電荷の量を初期化する初期化工程を実行する。

ここで、上記リセット放電は比較的強い放電であり、且つ表示すべき画像の内容には何ら関与しないものである為、この放電に伴う発光が画像のコントラストを低下させてしまうという問題があった。

そこで、放電を生起させる為の行電極として、Ｔ字形状の電極を採用し（例えば特許文献１の図１３参照）、立ち上がり時の電圧変化が緩やかなリセットパルス（例えば特許文献１の図７参照）をこのＴ字電極に印加することにより、弱いリセット放電を生起させるようにしたプラズマディスプレイ装置が提案された。この際、リセット放電が弱まった分だけ、このリセット放電に伴う発光輝度も低下してコントラストが高まるのである。尚、このような立ち上がり時の電圧変化が緩やかなリセットパルスにて確実に全表示セル内でリセット放電を生起させる為には、そのピーク電圧値を比較的高めに設定しなければならない。

ところが、リセットパルスのピーク電圧値を高くすると、対を為す行電極間のみならず、行電極及び列電極間においても強い放電が生起される場合があり、コントラストが低下してしまうという問題があった。又、行電極及び列電極間において生起された上記の如き強い放電により、所定量よりも多い壁電荷が形成されてしまい、アドレス工程において誤った選択放電が生起される場合が生じる。よって、この際、画像の表示品質が低下するという問題が発生する。

本発明は、かかる問題を解決すべく為されたものであり、画像品質を落とすことなくコントラストの向上を図ることが出来るプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とするものである。

請求項１記載によるプラズマディスプレイ装置は、表示ラインを構成する複数の行電極対を形成すると共に前記行電極対を被覆する誘電体層を形成しかつ前記誘電体層の表面に酸化マグネシウム層を形成した前面透明基板と、前記複数の行電極対に対して交差しその交差する方向に延びて行電極対との各交差部分に放電空間を有する表示セルを各々形成する複数の列電極を形成した背面基板とを有するプラズマディスプレイパネルを備えたプラズマディスプレイ装置であって、前記行電極対に時間経過に伴い緩やかに電圧値が変化する区間を有するリセットパルスを印加することにより全ての前記表示セルの前記放電空間内においてリセット放電を生起させて全ての前記表示セルを初期化するリセット工程と、前記行電極対各々の一方の行電極に順次走査パルスを印加すると共に入力映像信号に対応したデータパルスを前記列電極各々に印加することにより前記表示セル各々の前記放電空間内において選択的に選択放電を生起させて前記表示セル各々を点灯セル状態又は消灯セル状態に設定するアドレス工程と、前記行電極対にサスティンパルスを印加することにより前記点灯セル状態に設定された前記表示セルの前記放電空間内においてサスティン放電を生起させるサスティン工程とを実行する駆動部を備え、前記プラズマディスプレイパネルにおける前記酸化マグネシウム層は、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体粉末を前記誘電体層表面、または前記誘電体層表面に形成した薄膜酸化マグネシウム層上に付着させて形成したものである。

プラズマディスプレイパネルにおける酸化マグネシウム層は、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体粉末を付着させて構成し、時間経過に伴い緩やかに電圧値が変化してピーク電圧値に到るパルス波形を有するリセットパルスを印加することにより全表示セル内にリセット放電を生起させる。

図１は、本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。

図１に示す如く、かかるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルとしてのＰＤＰ５０、Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３、アドレスドライバ５５、及び駆動制御回路５６から構成される。

ＰＤＰ５０には、２次元表示画面の縦方向（垂直方向）に夫々伸張して配列された列電極Ｄ₁〜Ｄ_m、横方向（水平方向）に夫々伸張して配列された行電極Ｘ₁〜Ｘ_n及び行電極Ｙ₁〜Ｙ_nが形成されている。この際、互いに隣接するもの同士で対を為す行電極対（Ｙ₁，Ｘ₁）、（Ｙ₂，Ｘ₂）、（Ｙ₃，Ｘ₃）、・・・、（Ｙ_n，Ｘ_n）が夫々、ＰＤＰ５０における第１表示ライン〜第ｎ表示ラインを担う。各表示ラインと列電極Ｄ₁〜Ｄ_m各々との各交叉部(図１中の一点鎖線にて囲まれた領域)には、画素を担う表示セルＰＣが形成されている。すなわち、ＰＤＰ５０には、第１表示ラインに属する表示セルＰＣ_1,1〜ＰＣ_1,m、第２表示ラインに属する表示セルＰＣ_2,1〜ＰＣ_2,m、・・・・、第ｎ表示ラインに属する表示セルＰＣ_n,1〜ＰＣ_n,mの各々がマトリクス状に配列されているのである。

図２は、表示面側から眺めたＰＤＰ５０の内部構造を模式的に示す正面図である。尚、図２においては、ＰＤＰ５０の列電極Ｄ₁〜Ｄ₃各々と、第１表示ライン（Ｙ₁，Ｘ₁）及び第２表示ライン（Ｙ₂，Ｘ₂）との各交叉部を抜粋して示すものである。又、図３は、図２のＶ３−Ｖ３線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図であり、図４は、図２のＷ２−Ｗ２線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図である。

図２に示すように、各行電極Ｘは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｘｂと、かかるバス電極Ｘｂ上の各表示セルＰＣに対応した位置に夫々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｘａと、から構成される。各行電極Ｙは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｙｂと、かかるバス電極Ｙｂ上の各表示セルＰＣに対応した位置に夫々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｙａと、から構成される。透明電極Ｘａ及びＹａは例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなり、バス電極Ｘｂ及びＹｂは例えば金属膜からなる。透明電極Ｘａ及バス電極Ｘｂからなる行電極Ｘ、並びに透明電極Ｙａ及バス電極Ｙｂからなる行電極Ｙは、図３に示す如く、その前面側がＰＤＰ５０の表示面となる前面透明基板１０の背面側に形成されている。この際、各行電極対（Ｘ、Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａは、互いに対となる相手の行電極側に伸張しており、その幅広部の頂辺同士が所定幅の放電ギャップｇ１を介して互いに対向している。又、前面透明基板１０の背面側には、１対の行電極対（Ｘ₁、Ｙ₁）とこの行電極対に隣接する行電極対（Ｘ₂、Ｙ₂）との間に、２次元表示画面の水平方向に伸張する黒色または暗色の光吸収層（遮光層）１１が形成されている。さらに、前面透明基板１０の背面側には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層１２が形成されている。この誘電体層１２の背面側（行電極対が接触する面とは反対側の面）には、図３に示す如く、光吸収層１１とこの光吸収層１１に隣接するバス電極Ｘｂ及びＹｂとが形成されている領域に対応した部分に、嵩上げ誘電体層１２Ａが形成されている。 誘電体層１２及び嵩上げ誘電体層１２Ａの表面上には、電子線の照射によって励起されて波長２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層１３が形成されている。この酸化マグネシウム結晶体は、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られる気相法酸化マグネシウム結晶体を含んでいる。かかる気相法酸化マグネシウム結晶体は、例えば図５ＡのＳＥＭ写真像に示す如き立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造、あるいは図５ＢのＳＥＭ写真像に示す如き立方体の単結晶構造を有するものであり、その平均粒径は、５００オングストローム以上、好ましくは２０００オングストローム以上（ＢＥＴ法による測定結果）である。そして、図６に示すように、スプレー法や静電塗布法等により、気相法酸化マグネシウム単結晶体１３Ｂを誘電体層１２の表面に付着させることにより酸化マグネシウム層１３を形成させるのである。尚、誘電体層１２の表面に蒸着又はスパッタ法により薄膜酸化マグネシウム層を形成し、その上に気相法酸化マグネシウム単結晶体を付着させて酸化マグネシウム層１３を形成するようにしても良い。

前面透明基板１０と平行に配置された背面基板１４上には、列電極Ｄの各々が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向に伸張して形成されている。背面基板１４上には、更に列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層１５が形成されている。この列電極保護層１５上には隔壁１６が形成されている。隔壁１６は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極Ｘｂ及びＹｂに対応した位置において夫々２次元表示画面の横方向に伸張している横壁１６Ａと、互いに隣接する列電極Ｄ間の各中間位置において２次元表示画面の縦方向に伸張している縦壁１６Ｂとによって梯子形状に形成されている。尚、ＰＤＰ５０の各表示ライン毎に、図２に示す如き梯子形状の隔壁１６が夫々形成されており、互いに隣接する隔壁１６の間には、図２に示す如き隙間ＳＬが存在する。又、梯子状の隔壁１６によって、夫々独立した放電空間Ｓ、透明電極Ｘａ及びＹａを含む表示セルＰＣが区画されている。放電空間Ｓ内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。各表示セルＰＣ内における横壁１６Ａの側面、縦壁１６Ｂの側面、及び列電極保護層１５の表面には、図３に示す如くこれらの面を全て覆うように蛍光体層１７が形成されている。この蛍光体層１７は、実際には、赤色発光を為す蛍光体、緑色発光を為す蛍光体、及び青色発光を為す蛍光体の３種類からなる。各表示セルＰＣの放電空間Ｓと隙間ＳＬとの間は、図３に示す如く酸化マグネシウム層１３が横壁１６Ａに当接されることによって互いに閉じられている。一方、図４に示す如く、縦壁１６Ｂは酸化マグネシウム層１３に当接されていないので、その間に隙間ｒ１が存在する。すなわち、２次元表示画面の横方向において互いに隣接する表示セルＰＣ各々の放電空間Ｓは、この隙間ｒ１を介して互いに連通しているのである。

駆動制御回路５６は、上記構造を有するＰＤＰ５０を図７に示す如きサブフィールド法（サブフレーム法）を採用した発光駆動シーケンスに従って駆動させるべき各種制御信号をＸ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３、及びアドレスドライバ５５の各々に供給する。Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３、及びアドレスドライバ５５は、図７に示す発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０を駆動すべき各種駆動パルス（後述する）を生成してＰＤＰ５０に供給する。

図７に示す発光駆動シーケンスにおいては、１フィールド（１フレーム）の表示期間内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）各々毎に、アドレス工程Ｗ及びサスティン工程Ｉを夫々実行する。又、先頭のサブフィールドＳＦ１に限り、アドレス工程Ｗに先立ち、リセット工程Ｒを実行する。

図８は、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）の内からＳＦ１及びＳＦ２を抜粋して、ＰＤＰ５０の列電極Ｄ、行電極Ｘ及びＹに印加される各種駆動パルスの印加タイミングを示す図である。

先ず、各サブフィールドのアドレス工程Ｗでは、アドレスドライバ５５が、入力映像信号に基づきそのサブフィールドで各表示セルＰＣを発光させるか否かを設定する為の画素データパルスを生成する。例えば、アドレスドライバ５５は、表示セルＰＣを発光させる場合には高電圧、発光させない場合には低電圧の画素データパルスを各表示セルＰＣ毎に生成する。そして、アドレスドライバ５５は、かかる画素データパルスを１表示ライン分（ｍ個）ずつ、画素データパルス群ＤＰ_１、ＤＰ_２、・・・、ＤＰ_ｎとして順次、列電極Ｄ_１〜Ｄ_ｍに印加して行く。この間、Ｙ電極ドライバ５３は、上記画素データパルス群ＤＰ_１〜ＤＰ_ｎ各々のタイミングに同期させて負極性の走査パルスＳＰを行電極Ｙ_１〜Ｙ_ｎに順次印加して行く。この際、走査パルスＳＰが印加され且つ高電圧の画素データパルスが印加された表示セルＰＣのみに放電（選択放電）が生起され、その表示セルＰＣの放電空間Ｓ内における酸化マグネシウム層１３及び蛍光体層１７各々の表面に所定量の壁電荷が形成される。尚、走査パルスＳＰが印加されたものの低電圧の画素データパルスが印加された表示セルＰＣ内では上記の如き選択放電は生起されないので、その直前までの壁電荷の形成状態が維持される。

すなわち、アドレス工程Ｗの実行により、各表示セルＰＣは、入力映像信号に基づき、所定量の壁電荷が存在する点灯セル状態、又は所定量の壁電荷が存在しない消灯セル状態のいずれか一方に設定されるのである。

次に、各サブフィールドのサスティン工程Ｉでは、Ｘ電極ドライバ５１及びＹ電極ドライバ５３の各々が、交互に繰り返し正極性のサスティンパルスＩＰ_Ｘ及びＩＰ_Ｙを行電極Ｘ_１〜Ｘ_ｎ及びＹ_１〜Ｙ_ｎに印加する。尚、サスティンパルスＩＰ_Ｘ及びＩＰ_Ｙを印加する回数は、各サブフィールドにおける輝度の重み付けに依存する。この際、これらサスティンパルスＩＰ_Ｘ及びＩＰ_Ｙが印加される度に、所定量の壁電荷が形成されている上記点灯セル状態にある表示セルＰＣのみがサスティン放電し、この放電に伴い蛍光体層１７が発光してパネル面に画像が形成される。

そして、先頭のサブフィールドＳＦ１において上記アドレス工程Ｗに先立ち実施されるリセット工程Ｒでは、Ｘ電極ドライバ５１が図８に示す如き負極性のリセットパルスＲＰ_Ｘを行電極Ｘ_１〜Ｘ_ｎに一斉に印加する。更に、かかるリセットパルスＲＰ_Ｘの印加と同時に、Ｙ電極ドライバ５３は、図８に示す如き、時間経過に伴い緩やかに電圧値が上昇してピーク電圧値に到るパルス波形を有する正極性の第１リセットパルスＲＰ_Ｙ１を行電極Ｙ_１〜Ｙ_ｎに一斉に印加する。尚、第１リセットパルスＲＰ_Ｙ１のピーク電圧値は、上記サスティンパルスＩＰ_Ｘ及びＩＰ_Ｙのピーク電圧値よりも大である。上記第１リセットパルスＲＰ_Ｙ１及び負極性のリセットパルスＲＰｘの同時印加により、全ての表示セルＰＣ_１、 _１ 〜ＰＣ_ｎ、_ｍ各々内の行電極Ｘ及びＹ間において第１リセット放電が生起される。かかる第１リセット放電の終息後、各表示セルＰＣの放電空間Ｓ内における酸化マグネシウム層１３の表面に所定量の壁電荷が形成される。つまり、酸化マグネシウム層１３の表面上における行電極Ｘの近傍には正極性の電荷が形成され、行電極Ｙの近傍には負極性の電荷が形成される、いわゆる壁電荷の形成された状態となる。その後、Ｙ電極ドライバ５３は、図８に示す如き、立ち下がり時の電圧変化が緩やかな負極性の第２リセットパルスＲＰ_Ｙ２を生成し、これを全ての行電極Ｙ_１〜Ｙ_ｎに一斉に印加する。尚、第２リセットパルスＲＰ_Ｙ２のピーク電圧値は、上記アドレス工程Ｗにおいて走査パルスＳＰが印加されていない時の行電極Ｙ上の電圧値から走査パルスＳＰのピーク電圧値までの電圧範囲内において設定される。かかる第２リセットパルスＲＰ_Ｙ２の印加に応じて、全ての表示セルＰＣ _１ 、_１〜ＰＣ_ｎ、_ｍ各々内の行電極Ｘ及びＹ間において第２リセット放電が生起される。かかる第２リセット放電により、全ての表示セルＰＣ _１ 、_１〜ＰＣ_ｎ、_ｍ各々内に形成されていた壁電荷が消滅する。すなわち、リセット工程Ｒにより、全ての表示セルＰＣ _１ 、_１〜ＰＣ_ｎ、_ｍは、壁電荷の存在しない消灯セル状態に初期化されるのである。尚、アドレス放電前に行われる第１及び第２リセット放電時、各表示セルＰＣ内において放電が生じ、表示セルＰＣ内に上記酸化マグネシウム層１３が形成されているため、リセット放電によるプライミング効果が長く持続し、アドレスの高速化が可能となる。

上記リセット工程Ｒでは、コントラストの向上を図るべく、立ち上がり時の電圧変化が緩やかな第１リセットパルスＲＰ_Ｙ１を行電極Ｙに印加することによりＴ字状の透明電極Ｙａ及びＸａ間において弱い第１リセット放電を生起させるようにしている。

ここで、各表示セルＰＣ内に形成されている酸化マグネシウム層１３には、図５Ａ又は図５Ｂに示す如き形状の比較的大なる気相酸化マグネシウム単結晶体が含まれている。このような単結晶体は電子線を照射すると、図９に示す如く、波長域３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光と共に、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に２３０〜２５０ｎｍ内の２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光が生起されることから、２３５ｎｍに対応したエネルギー準位を有するものであると考えられる。尚、図１０に示す如く、２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光は、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きくなるほどそのピーク強度が大きくなる。すなわち、気相酸化マグネシウム結晶体を生成する際に、通常よりも高い温度でマグネシウムを加熱すると、平均粒径５００オングストロームの気相酸化マグネシウム単結晶体と共に、図５Ａ或いは図５Ｂの如き粒径２０００オングストローム以上の比較的大なる単結晶体が形成される。この際、マグネシウムを加熱する際の温度が通常よりも高温であるので、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さも長くなる。従って、かかる火炎と周囲との温度差が大になり、それ故に、粒径が大なる気相酸化マグネシウム単結晶体のグループほど、２００〜３００ｎｍ（特に２３５ｎｍ）に対応したエネルギー準位の高い単結晶体が多く含まれることになると推測される。この気相酸化マグネシウム単結晶体は、他の方法によって生成された酸化マグネシウムと比較すると高純度であると共に微粒子であり、粒子の凝集が少ない等の特徴を備えている。

従って、気相酸化マグネシウム単結晶体は、上述した如き２３５ｎｍに対応したエネルギー準位を有することにより、電子を長時間に亘り（数msec）捕捉し、この電子を選択放電時の電界の印加によって放出させることで放電に必要な初期電子を迅速に取得していると推測される。よって、電子の照射によって２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を為す気相酸化マグネシウム単結晶体が図３に示す如き酸化マグネシウム層１３に含まれていると、放電空間Ｓ内には放電を生起させるのに必要十分な量の電子が常時存在することになり、放電空間Ｓ内での放電確率が著しく高くなる。

図１１は、表示セルＰＣ内に酸化マグネシウム層を設けなかった場合、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を形成させた場合、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を生起する気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層を設けた場合各々での放電確率を示す図である。 図１１中において横軸は放電の休止時間、つまり放電が生起されてから次の放電が生起されるまでの時間間隔を表すものである。このように、各表示セルＰＣ内に、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を為す気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層１３を設けると、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を形成させた場合に比して放電確率が高まる。尚、図１２に示す如く、上記気相酸化マグネシウム単結晶体としては、電子線を照射した際のＣＬ発光、特に２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光の強度が大なるものほど、放電空間Ｓ内において生起される放電遅れを短縮させることができる。

従って、リセット工程Ｒにおいて、電圧変化が緩やかな第１リセットパルスＲＰ_Ｙ１を印加することにより微弱な第１リセット放電を生起させる場合に、この第１リセットパルスＲＰ_Ｙ１のピーク電圧値を高くしても、安定して放電強度の弱い第１リセット放電を生起させることが可能になる。

尚、上記実施例においては、図５Ａ又は図５Ｂに示す如き酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層１３を誘電体層１２の表面に形成するようにしているが、両者の間に図１３及び図１４に示す如く、蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層１３０を設けるようにしても良い。

又、上記実施例においては、ＰＤＰ５０を階調駆動させる駆動方法として、全表示セル内に残留する壁電荷が所定値未満となるように初期化し（リセット工程Ｒ）、入力映像信号に基づき選択的に各表示セル内に所定値以上の壁電荷を形成させる（アドレス工程Ｗ）、いわゆる選択書込アドレス法を採用した場合について説明した。しかしながら、ＰＤＰ５０を階調駆動させる駆動方法としては、全表示セル内に所定値以上の壁電荷を形成させ（リセット工程Ｒ）、画素データに応じて選択的に各表示セル内に形成されている壁電荷を所定値未満になるようにする（アドレス工程Ｗ）、いわゆる選択消去アドレス法を採用しても良い。選択消去アドレス法を採用した場合にも、選択書込アドレス法を採用した場合と同様に、リセット工程Ｒにおいて安定して放電強度の弱い第１リセット放電を生起させることが可能となる。

また、上記実施例においては、行電極Ｙに第１リセットパルスＲＰ_Y1と同時に行電極ＸにもリセットパルスＲＰ_Xを印加する例を示した。しかしながら、リセットパルスＲＰ_Xを省略して、行電極Ｘ側を接地電位としても良く、また、放電開始電圧よりも低い所定の第１電圧値まで急峻に立ち上げる第１区間、及びそれに続く時間経過に伴い緩やかに電圧値が変化してピーク電圧値に至る区間を有する第１リセットパルスＲＰ_Y1を行電極Ｙに印加するようにしても良い。すなわち、第１リセットパルスＲＰ_Y1としては、リセット放電を生じさせる区間において緩やかな電圧変化区間を有するものを用いれば良いのである。

本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。 表示面側から眺めたＰＤＰ５０の内部構造を模式的に示す正面図である。 図２に示されるＶ３−Ｖ３線上での断面を示す図である。 図２に示されるＷ２−Ｗ２線上での断面を示す図である。 酸化マグネシウム単結晶体の一例を示す図である。 酸化マグネシウム単結晶体の一例を示す図である。 スプレー法や静電塗布法等により気相法酸化マグネシウム単結晶体１３Ｂを誘電体層１２の表面に付着させた場合の形態を模式的に示す図である。 図１に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの一例を示す図である。 図７に示す発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０に印加される各種駆動パルスとその印加タイミングを示す図である。 酸化マグネシウム単結晶体に電子線を照射した際に励起されるＣＬ発光の波長とＣＬ発光強度との対応関係を示すグラフである。 酸化マグネシウム単結晶体の粒径と２３５ｎｍでのＣＬ発光強度との関係を示すグラフである。 表示セルＰＣ内に酸化マグネシウム層を設けなかった場合の放電確率、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を構築した場合の放電確率、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を励起する酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層を設けた場合各々での放電確率を示す図である。 ２３５ｎｍピークのＣＬ発光強度と放電遅れ時間との対応関係を示す図である。 図２に示されるＶ３−Ｖ３線上での断面の他の一例を示す図である。 図２に示されるＷ２−Ｗ２線上での断面の他の一例を示す図である。

主要部分の符号の説明

１３ 酸化マグネシウム層
５０ ＰＤＰ
５１ Ｘ電極ドライバ
５３ Ｙ電極ドライバ
５５ アドレスドライバ
５６ 駆動制御回路

Claims (2)

1. 表示ラインを構成する複数の行電極対を形成すると共に前記行電極対を被覆する誘電体層を形成しかつ前記誘電体層の表面に酸化マグネシウム層を形成した前面透明基板と、前記複数の行電極対に対して交差しその交差する方向に延びて行電極対との各交差部分に放電空間を有する表示セルを各々形成する複数の列電極を形成した背面基板とを有するプラズマディスプレイパネルを備えたプラズマディスプレイ装置であって、
   前記行電極対に時間経過に伴い緩やかに電圧値が変化する区間を有するリセットパルスを印加することにより全ての前記表示セルの前記放電空間内においてリセット放電を生起させて全ての前記表示セルを初期化するリセット工程と、前記行電極対各々の一方の行電極に順次走査パルスを印加すると共に入力映像信号に対応したデータパルスを前記列電極各々に印加することにより前記表示セル各々の前記放電空間内において選択的に選択放電を生起させて前記表示セル各々を点灯セル状態又は消灯セル状態に設定するアドレス工程と、前記行電極対にサスティンパルスを印加することにより前記点灯セル状態に設定された前記表示セルの前記放電空間内においてサスティン放電を生起させるサスティン工程とを実行する駆動部を備え、
   前記プラズマディスプレイパネルにおける前記酸化マグネシウム層は、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体粉末を前記誘電体層表面、または前記誘電体層表面に形成した薄膜酸化マグネシウム層上に付着させて形成したものであることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
2. 前記酸化マグネシウム結晶体粉末は、粒径が２０００オングストローム以上の酸化マグネシウム結晶体粉末を含んでいることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。