JPS6370832A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPS6370832A JPS6370832A JP61215418A JP21541886A JPS6370832A JP S6370832 A JPS6370832 A JP S6370832A JP 61215418 A JP61215418 A JP 61215418A JP 21541886 A JP21541886 A JP 21541886A JP S6370832 A JPS6370832 A JP S6370832A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアクティブマトリクスパネルの構造に関する。
従来アクティブマ） ＋１クスパネルの構造は“日経エ
レクトロニクス １９８４年９月１０日号腐３５１Ｐ、
２１１〜２４０１に示されるようなものであつ几。
レクトロニクス １９８４年９月１０日号腐３５１Ｐ、
２１１〜２４０１に示されるようなものであつ几。
第２図はアクティブマトリクスパネルの画素部分の平面
図の例である。２２けポリシリコンまたはアモルファス
シリコンの薄膜でＴＦＴのチャネル部及びソース・ドレ
イン電極を形成している。
図の例である。２２けポリシリコンまたはアモルファス
シリコンの薄膜でＴＦＴのチャネル部及びソース・ドレ
イン電極を形成している。
２４けポリシリコンや金属からなる薄膜でＴＦＴのゲ１
−ト電極及び走査線を形成している。２６は画素Ｋｌ！
、２７けデータ線である。
−ト電極及び走査線を形成している。２６は画素Ｋｌ！
、２７けデータ線である。
しかじ両速の従来技術では以下に述べるような問題点を
生じる。まず第１Ｋ、液晶に印加される電圧は液晶自身
の時定数に依存するため、温［／ｌ’−変化すると液晶
の時定数が変化して表示状態も変化するという問題点で
ある。特に高温においては液晶の抵抗が小さくなり時定
数も短くなるためコントラスト比が減少する。第２の問
題点け、液晶は支流駆動する必要があるため通常はビデ
オ信号を交流反転して用いるが、この信号の極性の違い
によりＴＦＴの書き込み及び保持の状態も異なるため、
液晶に印加される電圧ｂ；非対称な改分を持ち、フリッ
カ−を生じるというものである。
生じる。まず第１Ｋ、液晶に印加される電圧は液晶自身
の時定数に依存するため、温［／ｌ’−変化すると液晶
の時定数が変化して表示状態も変化するという問題点で
ある。特に高温においては液晶の抵抗が小さくなり時定
数も短くなるためコントラスト比が減少する。第２の問
題点け、液晶は支流駆動する必要があるため通常はビデ
オ信号を交流反転して用いるが、この信号の極性の違い
によりＴＦＴの書き込み及び保持の状態も異なるため、
液晶に印加される電圧ｂ；非対称な改分を持ち、フリッ
カ−を生じるというものである。
本発明けこれらの問題を解決するものであり、その目的
とするところは、高温でもコントラスト比ｈｉ減少する
ことなく、かつフリッカ−の少ないアクティブマトリク
スパネルの構造を与えるところにある。
とするところは、高温でもコントラスト比ｈｉ減少する
ことなく、かつフリッカ−の少ないアクティブマトリク
スパネルの構造を与えるところにある。
Ｃ問題点を解決する念めの手段〕
本発明のアクティブマトリクスパネルは、前段の走査線
の上部ま几は下部にＴＦＴのチャネル部と同じ導電膜を
、ゲート絶縁膜を介して配置し、前記導電膜が画素電極
く接続されていろことを特徴とする。
の上部ま几は下部にＴＦＴのチャネル部と同じ導電膜を
、ゲート絶縁膜を介して配置し、前記導電膜が画素電極
く接続されていろことを特徴とする。
本発明の上記の構造によれば、液晶の容量と並列にゲー
ト絶縁膜の容量が付加されることとなり液晶の時定数ｈ
；長くなるためコントラスト比が大きくなる。また、温
度が上昇して液晶の時定数が小さくなってもゲート絶縁
膜の容量は変化しないため、コントラスト比の減少を抑
えることができる。さらにビデオ信号の極性の違いによ
り生ずるＴｌＰＴの書き込み及び保持における非対称な
動作の影響を受けに〈〈なりフリッカ−が減少する。
ト絶縁膜の容量が付加されることとなり液晶の時定数ｈ
；長くなるためコントラスト比が大きくなる。また、温
度が上昇して液晶の時定数が小さくなってもゲート絶縁
膜の容量は変化しないため、コントラスト比の減少を抑
えることができる。さらにビデオ信号の極性の違いによ
り生ずるＴｌＰＴの書き込み及び保持における非対称な
動作の影響を受けに〈〈なりフリッカ−が減少する。
〔・実施例１〕
第１回顧は本発明の一実施倒を示すアクティブマド、リ
クスパネルの平面図であり、同図（ｂ）及び（Ｃ）はそ
れぞれ同図６）のＡ−Ｂ及び（！−，Ｄ＆でおける断面
図である。この図を用いて製造工ａＫ従い説明する。ま
ず絶縁基板１上にポリシリコンま几はアモルファスシリ
コンの薄膜２をデポジットし図のようにパターニングす
る。この薄膜は’ｒｌＦＴのチャネル部及びソース・ド
レイン電極、そして容量を作り込む几めの電極となる０
次にゲート絶縁膜３を形成し、その上にゲート電量も兼
ねる走査線４を形成する。その材料としてはポリシリコ
ンＴ？Ｔの場合にはポリシリコンや高融点金属が、アモ
ルファスシリコンＴＩＦＴの場合には通常の金属や透明
導電寝等ｂｔ用いられている。この上に層間絶縁嘆５を
デポジットし、コンタクトホールな開口し１画素電極６
及びデータ線７を形成し友ものがアクティブマトリクス
基板である。この基板と数μｍの空間を介して、共通電
榎を有するもう一つの基板を対向させ、この空間に液晶
を封入し次ものｂｚアクティブマトリクスパネルマある
。
クスパネルの平面図であり、同図（ｂ）及び（Ｃ）はそ
れぞれ同図６）のＡ−Ｂ及び（！−，Ｄ＆でおける断面
図である。この図を用いて製造工ａＫ従い説明する。ま
ず絶縁基板１上にポリシリコンま几はアモルファスシリ
コンの薄膜２をデポジットし図のようにパターニングす
る。この薄膜は’ｒｌＦＴのチャネル部及びソース・ド
レイン電極、そして容量を作り込む几めの電極となる０
次にゲート絶縁膜３を形成し、その上にゲート電量も兼
ねる走査線４を形成する。その材料としてはポリシリコ
ンＴ？Ｔの場合にはポリシリコンや高融点金属が、アモ
ルファスシリコンＴＩＦＴの場合には通常の金属や透明
導電寝等ｂｔ用いられている。この上に層間絶縁嘆５を
デポジットし、コンタクトホールな開口し１画素電極６
及びデータ線７を形成し友ものがアクティブマトリクス
基板である。この基板と数μｍの空間を介して、共通電
榎を有するもう一つの基板を対向させ、この空間に液晶
を封入し次ものｂｚアクティブマトリクスパネルマある
。
第３図は、Ｎ型のＭＯ８千ヤパシタのゲート電圧依存性
を示し次ものである。ゲート電圧７Ｇがしきい値電圧ｖ
ｔｈを超えると容量は増大しＱ６となりしｔい値電圧以
下では重なり容量ａ ｇｓｏ の入となる。従ってｖ
Ｏ＞ｖｔｈの領埴でＭＯ８容量を使うことが望ましいが
１本実施例にシいては第１図（６）の前段の走査線４の
下に作り込んだＭＯＥｉ容量けＴＦｌと同じ導電型であ
り１例えばＮ型の場合にはＴＦＴが０ＦＩＰ している
通常の状態でけｌａ＜ＶｔｈであるためＫＯｇｌｌＯの
入の容量となる。しかし、ゲート膜の厚さは液晶の封入
される空間に対して十分薄いため、単位直積あ几りの容
量ｂｔ大きくなり第１図ｂ）Ｋ示すようなパターンの重
なり容量ａ ｇｓ。
を示し次ものである。ゲート電圧７Ｇがしきい値電圧ｖ
ｔｈを超えると容量は増大しＱ６となりしｔい値電圧以
下では重なり容量ａ ｇｓｏ の入となる。従ってｖ
Ｏ＞ｖｔｈの領埴でＭＯ８容量を使うことが望ましいが
１本実施例にシいては第１図（６）の前段の走査線４の
下に作り込んだＭＯＥｉ容量けＴＦｌと同じ導電型であ
り１例えばＮ型の場合にはＴＦＴが０ＦＩＰ している
通常の状態でけｌａ＜ＶｔｈであるためＫＯｇｌｌＯの
入の容量となる。しかし、ゲート膜の厚さは液晶の封入
される空間に対して十分薄いため、単位直積あ几りの容
量ｂｔ大きくなり第１図ｂ）Ｋ示すようなパターンの重
なり容量ａ ｇｓ。
の入でも１画素電９＠６によって駆動される液晶の容量
の３０〜５０％糧度の容量となる。このＭＯＢ容量は液
晶の容量と並列に付加されるため、見かけ上液晶の時定
数が増大し、表示性能が大巾に向上する。これを第４図
を用いて説明する。この図はアクティブマトリクスパネ
ルの各部の電位を示す図であり、横軸に時刻、縦軸に電
位をとっである。周知のように、ＮＴＢＣのビデオ信号
はインターレースされた２つのフィールド、すなわち奇
数フィールドと偶数フィールドによって１７し−ムが構
成され１つの８面が完成される。液晶は交流駆動しなく
てはならない几め、データ線の信号は４２のよ５に交流
反転させ几ものを用いる。
の３０〜５０％糧度の容量となる。このＭＯＢ容量は液
晶の容量と並列に付加されるため、見かけ上液晶の時定
数が増大し、表示性能が大巾に向上する。これを第４図
を用いて説明する。この図はアクティブマトリクスパネ
ルの各部の電位を示す図であり、横軸に時刻、縦軸に電
位をとっである。周知のように、ＮＴＢＣのビデオ信号
はインターレースされた２つのフィールド、すなわち奇
数フィールドと偶数フィールドによって１７し−ムが構
成され１つの８面が完成される。液晶は交流駆動しなく
てはならない几め、データ線の信号は４２のよ５に交流
反転させ几ものを用いる。
４１け走査線の信号であり、ＮチャネルのＴＦＴで駆動
する場合にはこのようなパルスが必要となる。４４及び
４５けそれぞれ従来例と本発明の実施例における画素電
極の電経であり、４３け共通電極の電位である。この共
通電極と画素電極の間の電位差が液晶に印加される電圧
である。時刻ｔ。
する場合にはこのようなパルスが必要となる。４４及び
４５けそれぞれ従来例と本発明の実施例における画素電
極の電経であり、４３け共通電極の電位である。この共
通電極と画素電極の間の電位差が液晶に印加される電圧
である。時刻ｔ。
ｆＪｖららまでを奇数フィールド％ｔ、からｔ６までを
偶数フィールドとすると、まず奇数フィール、ドにおい
て時刻ｔ、においてＴ Ｆ Ｔ ｈＺ ＯＮ Ｌ、画素
電極にデータ線の信号が書き込まれ１時刻ｔ８において
ＴＦＴが０ＩＦＦするとある時定数で画素電極電位は共
通電極電位に向かって放電する。同様に偶数フィールド
においても１時刻ｔ４においてＴＦ’Ｊ’がＯＮし１画
素電極にデータ線の信号ｂ−書き込まれ、゛時刻ｔ、に
おいてＴＩＦＴがＯＦＦすると画素電極電位は共通電極
電位に向かって放電していく。斜線で示し１部分は本実
施において液晶に印加されろ電圧であり、従来例に比べ
て時定数が長くなう次ことにより、より大ぎな電圧を印
加することができることがわかる。この究めコントラス
ト比が増大する。まｆｔ１Ｍ０Ｂ容景とＴＦＴのドレイ
ン電極との間の配線部は第１回顧のようにデータ線と画
素電極の間に配置することにより、このす針量からもれ
る光を遮断する働きもあるｔめ、コントラスト比を増大
させるとともに１画像のきれがよくなる。さらに、温度
の変化に対して液晶の時定数が多少変動しても、付加し
７ｔＭＯＥ＋容量は変化しないため第３図の斜線部の面
積はあまり変動しない。
偶数フィールドとすると、まず奇数フィール、ドにおい
て時刻ｔ、においてＴ Ｆ Ｔ ｈＺ ＯＮ Ｌ、画素
電極にデータ線の信号が書き込まれ１時刻ｔ８において
ＴＦＴが０ＩＦＦするとある時定数で画素電極電位は共
通電極電位に向かって放電する。同様に偶数フィールド
においても１時刻ｔ４においてＴＦ’Ｊ’がＯＮし１画
素電極にデータ線の信号ｂ−書き込まれ、゛時刻ｔ、に
おいてＴＩＦＴがＯＦＦすると画素電極電位は共通電極
電位に向かって放電していく。斜線で示し１部分は本実
施において液晶に印加されろ電圧であり、従来例に比べ
て時定数が長くなう次ことにより、より大ぎな電圧を印
加することができることがわかる。この究めコントラス
ト比が増大する。まｆｔ１Ｍ０Ｂ容景とＴＦＴのドレイ
ン電極との間の配線部は第１回顧のようにデータ線と画
素電極の間に配置することにより、このす針量からもれ
る光を遮断する働きもあるｔめ、コントラスト比を増大
させるとともに１画像のきれがよくなる。さらに、温度
の変化に対して液晶の時定数が多少変動しても、付加し
７ｔＭＯＥ＋容量は変化しないため第３図の斜線部の面
積はあまり変動しない。
すなわち、広い温度範囲で再現性のよい表示画面を得る
ことができる。その上、フリヴカーも従来例に対して３
〜５ｄ′Ｂ下がることが出願人の実験で確かめられ比。
ことができる。その上、フリヴカーも従来例に対して３
〜５ｄ′Ｂ下がることが出願人の実験で確かめられ比。
これけ奇数フィールドと偶数フィールドでのＴＩＰＴの
書き退入及び保持における非対称な動作の影響をうけに
くくなる次めである。
書き退入及び保持における非対称な動作の影響をうけに
くくなる次めである。
〔実施例２〕
第５図ｂ）は本発明の第２の実施例におけるアクティブ
マトリクスパネルの平面図であり、同図φ）及び（６）
はそれぞれ同図ヒ）のに−Ｂ及びＯ−Ｄにおける断面図
である。このアクティブマトリクスパネルは第１の実施
例と全く同じ工場を月いて製造することができる。６１
〜６７けそれぞれ第１図の１〜７に対応してかり、６１
は絶縁基板、６２けポリシリコンマ九はアモルファスシ
リコンの薄膜、６３けゲート絶縁膜、６４け走査線、６
５は眉間絶縁膜、６６け画素電極、６７けデータ線であ
る。透過型の場合は、６６の画素電極には透明導電膜を
用い、６７のデータ線には画素電事と同じ透明導電膜ま
念は金属の薄膜を用いる。
マトリクスパネルの平面図であり、同図φ）及び（６）
はそれぞれ同図ヒ）のに−Ｂ及びＯ−Ｄにおける断面図
である。このアクティブマトリクスパネルは第１の実施
例と全く同じ工場を月いて製造することができる。６１
〜６７けそれぞれ第１図の１〜７に対応してかり、６１
は絶縁基板、６２けポリシリコンマ九はアモルファスシ
リコンの薄膜、６３けゲート絶縁膜、６４け走査線、６
５は眉間絶縁膜、６６け画素電極、６７けデータ線であ
る。透過型の場合は、６６の画素電極には透明導電膜を
用い、６７のデータ線には画素電事と同じ透明導電膜ま
念は金属の薄膜を用いる。
本実施例においては第１の実施例と同じく、前段の走査
線６４の下にＴＩＦＴと同じ導電型のＭＯ８容量を作り
込んであるため、Ｔ Ｆ Ｔ ｈｓ ０ＦＩＰ してい
る通常の状態では重なり容量のみｈｚ有効である。
線６４の下にＴＩＦＴと同じ導電型のＭＯ８容量を作り
込んであるため、Ｔ Ｆ Ｔ ｈｓ ０ＦＩＰ してい
る通常の状態では重なり容量のみｈｚ有効である。
しかし１本実施例にきいては、走査線６４が図４− ｒ
ａ＞のようにデータ線と平行につき出た形状となってお
り、この部分にもＭＯ８容量を作り込むことｂ；できる
次め、第１の実施例の約２倍の容量を付加することがで
きる。したがってより広い温度範囲で、よりコントラス
ト比が大きくフリッカ−の少ない高品質な表示画面を得
ることｆ）ｉで鎗る。
ａ＞のようにデータ線と平行につき出た形状となってお
り、この部分にもＭＯ８容量を作り込むことｂ；できる
次め、第１の実施例の約２倍の容量を付加することがで
きる。したがってより広い温度範囲で、よりコントラス
ト比が大きくフリッカ−の少ない高品質な表示画面を得
ることｆ）ｉで鎗る。
しかも１図４−μ）のように画素電極とデータ線のすき
間を覆うようＫＭＯ８容量を作り込むことにより、この
すき間からもれる光を遮断することができ１．″：Ｉン
トラスト比の増大に寄与する。
間を覆うようＫＭＯ８容量を作り込むことにより、この
すき間からもれる光を遮断することができ１．″：Ｉン
トラスト比の増大に寄与する。
〔実施例３〕
第６図Ｃａ）は本発明の第３の実施例Ｋかける７クテイ
プマトリクスパネルの平面図であり、同図の）及び（ｃ
）はそれぞれ同図上）のＡ−Ｂ及びＯ−Ｄにおける断面
図である。本実施例は第１および第２の実施例と異なり
、ＴＩＦ’Ｅ’と異なる導電シのＭＯ８容量を作り込む
。例えば、０Ｍ０ａ型のドライバーを内置し几アク≠イ
ブマトリクスパネルなどには有効である。
プマトリクスパネルの平面図であり、同図の）及び（ｃ
）はそれぞれ同図上）のＡ−Ｂ及びＯ−Ｄにおける断面
図である。本実施例は第１および第２の実施例と異なり
、ＴＩＦ’Ｅ’と異なる導電シのＭＯ８容量を作り込む
。例えば、０Ｍ０ａ型のドライバーを内置し几アク≠イ
ブマトリクスパネルなどには有効である。
第５図を用いて本実施例のアクティブマトリクスパネル
の構造を説明する。まず絶縁基板８１上にポリシリコン
またはアモルファスシリコン薄膜８２及び８８をデポジ
ットし図のようにパタ゛−二ングする。８２けＴＦＴの
チャネル部及びソースドレイン電極となり、８８はＭＯ
日容量を作り込む念めの電極となる。次にゲート絶縁膜
８３を形成し、その上にゲート電極を兼ねる走査線８４
を形成する。その後選択的にイオン注入を行ない、８２
をＮチャネルＴ’ＦＴとし、８８をＰチャネルのＭＯ８
＃ヤパシタとする。以後の工程は実施例１と同じで、８
５け眉間絶縁膜、８６け画素電監８７けデータ線である
。
の構造を説明する。まず絶縁基板８１上にポリシリコン
またはアモルファスシリコン薄膜８２及び８８をデポジ
ットし図のようにパタ゛−二ングする。８２けＴＦＴの
チャネル部及びソースドレイン電極となり、８８はＭＯ
日容量を作り込む念めの電極となる。次にゲート絶縁膜
８３を形成し、その上にゲート電極を兼ねる走査線８４
を形成する。その後選択的にイオン注入を行ない、８２
をＮチャネルＴ’ＦＴとし、８８をＰチャネルのＭＯ８
＃ヤパシタとする。以後の工程は実施例１と同じで、８
５け眉間絶縁膜、８６け画素電監８７けデータ線である
。
本実施例において＃−１ｔＴ’ＦＴとＭｏｔｉｆ容量の
導電ｍ ｈｔ ａなりている。ＰチャネルのＭＯＢＪ？
＋パシタのゲート電圧依存性は第３図のＮチャネルの場
合と対称で、ｙｏ （Ｖ ｔんでＣｏ 、 Ｗａ ）
Ｖ ｔんでａ ｇｓｏ となる。従りてＴＦＴのＯＦ
Ｆする通常の状態では、ｖｏ＜ＶｔＰＬ−ｔ’あるから
、電極８８と走査＠８４の重なっ比面積がすべて容量の
電極として働き、°本来のＭＯ日容ｆｃｏが付加される
ことになる。この容１の犬弾さけ、画素電極８６によっ
て駆動される液晶の容量の１００〜２００チ程度となり
、第１や第２の実施例に比べてけるかに大きい。従りて
その効果も大きくなる。ま九、前段の走査線が選択され
る期間は、ＭＯ日容量はＯＦＦ して重なり容量０ｇ５
ｏの入となる友め、走査線の波形をなまらせることもな
く、容量を付加したことくよって駆動状態は変化しない
。
導電ｍ ｈｔ ａなりている。ＰチャネルのＭＯＢＪ？
＋パシタのゲート電圧依存性は第３図のＮチャネルの場
合と対称で、ｙｏ （Ｖ ｔんでＣｏ 、 Ｗａ ）
Ｖ ｔんでａ ｇｓｏ となる。従りてＴＦＴのＯＦ
Ｆする通常の状態では、ｖｏ＜ＶｔＰＬ−ｔ’あるから
、電極８８と走査＠８４の重なっ比面積がすべて容量の
電極として働き、°本来のＭＯ日容ｆｃｏが付加される
ことになる。この容１の犬弾さけ、画素電極８６によっ
て駆動される液晶の容量の１００〜２００チ程度となり
、第１や第２の実施例に比べてけるかに大きい。従りて
その効果も大きくなる。ま九、前段の走査線が選択され
る期間は、ＭＯ日容量はＯＦＦ して重なり容量０ｇ５
ｏの入となる友め、走査線の波形をなまらせることもな
く、容量を付加したことくよって駆動状態は変化しない
。
以上述べ比ようＫ、本発明によるアクティブマトリクス
パネルは工程を増やすことなく、画素に容量を作り込む
ことができる。容量を付加することｋより、コントラス
ト比が増大し、フリッカ−は減少し、広い温習範囲で再
現性のよい画面を得ることができる。ま几、データ線と
画素電極の容置結合によるクロストークや１画面内での
絵素のバッツ千をおさえる効果もあり、総合的に画質は
向上する。
パネルは工程を増やすことなく、画素に容量を作り込む
ことができる。容量を付加することｋより、コントラス
ト比が増大し、フリッカ−は減少し、広い温習範囲で再
現性のよい画面を得ることができる。ま几、データ線と
画素電極の容置結合によるクロストークや１画面内での
絵素のバッツ千をおさえる効果もあり、総合的に画質は
向上する。
第１図（α）け７クテイプマトリクスパネルの構造を示
す平面図、第１図の）、（ｃ）はそのか方図。 第２図は従来の７クテイプマトリクスパネルの構造を示
す平面図。 第３図はＮチャネルのＭＯ８容量のゲート電圧依存性を
示す図。 第４図は７クテイプマトリクスパネルの各部の電位を示
す図。 第５ 図ｂ）、第６図社）はアクティブマトリクスパネ
ルの構造を示す平百図、第５図（６）、 （ｃ）、第６
図のＬ（ｃ）はその断面図。 ２．６２．８２・・・・・・・・ポリシリコーンまたは
アモルファスシリコン薄膜 ３．６３．８５・・・・・・・・ゲート絶縁膜４．６４
．８４・・・・・・・・走査線取 上 出頓人 セイコーエプソン株式会社 （ｂ） 第１図 茅２図 ツ―卜を五− 第３図 第４図 （ａ）（す （ｂ） 第５図 （び） （ｃ） ｄノ 第６図
す平面図、第１図の）、（ｃ）はそのか方図。 第２図は従来の７クテイプマトリクスパネルの構造を示
す平面図。 第３図はＮチャネルのＭＯ８容量のゲート電圧依存性を
示す図。 第４図は７クテイプマトリクスパネルの各部の電位を示
す図。 第５ 図ｂ）、第６図社）はアクティブマトリクスパネ
ルの構造を示す平百図、第５図（６）、 （ｃ）、第６
図のＬ（ｃ）はその断面図。 ２．６２．８２・・・・・・・・ポリシリコーンまたは
アモルファスシリコン薄膜 ３．６３．８５・・・・・・・・ゲート絶縁膜４．６４
．８４・・・・・・・・走査線取 上 出頓人 セイコーエプソン株式会社 （ｂ） 第１図 茅２図 ツ―卜を五− 第３図 第４図 （ａ）（す （ｂ） 第５図 （び） （ｃ） ｄノ 第６図
Claims (4)
- （１）絶縁基板上に設けられた、走査線群、データ線群
、及び前記走査線とデータ線の支点に設けられた薄膜ト
ランジスタ（以下、ＴＦＴと略記）アレイによって画素
電極を駆動し、前記画素電極と対向電極との間の電界で
液晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルにおい
て、前記画素電極の前段の走査線の上部または下部にＴ
ＦＴのチャネル部と同じ導電膜をゲート絶縁膜を介して
配置し、前記導電膜が前記画素電極に接続されていろこ
とを特徴とするアクティブマトリクスパネル。 - （２）前記導電膜の導電型が前記ＴＦＴと同じであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアクティブ
マトリクスパネル。 - （３）前記データ線と前記画素電極の間のすき間の一部
を前記導電膜または走査線の一部を用いて覆うような配
置としたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
アクティブマトリクスパネル。 - （４）前記導電膜の導電型が前記ＴＦＴと異なることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアクティブマト
リクスパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215418A JPH0823640B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215418A JPH0823640B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23270795A Division JP2626638B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | アクティブマトリクスパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370832A true JPS6370832A (ja) | 1988-03-31 |
| JPH0823640B2 JPH0823640B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=16672007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215418A Expired - Lifetime JPH0823640B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823640B2 (ja) |
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1986
- 1986-09-12 JP JP61215418A patent/JPH0823640B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH0823640B2 (ja) | 1996-03-06 |
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