JPH07234420A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH07234420A JPH07234420A JP4656994A JP4656994A JPH07234420A JP H07234420 A JPH07234420 A JP H07234420A JP 4656994 A JP4656994 A JP 4656994A JP 4656994 A JP4656994 A JP 4656994A JP H07234420 A JPH07234420 A JP H07234420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bus line
- liquid crystal
- data bus
- display device
- active matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- WBGNVADHURSIJJ-UHFFFAOYSA-N [In].[Pb].[Sn] Chemical compound [In].[Pb].[Sn] WBGNVADHURSIJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ゲートバスラインとデータバスラインまたは共
通接地バスラインを同一基板上に形成することに起因す
るゲートバスラインとデータバスライン（共通接地バス
ライン）の短絡による線欠陥、開口率の低下を防ぐと共
に、製造工程を削減し、歩留りの改良を目的とする。 【構成】アクティブマトリクス液晶表示装置において、
ＴＦＴ基板側にＴＦＴ素子とゲートバスラインを形成
し、共通バスラインとデータバスラインを共通化し共通
データバスラインとして対向基板上に形成し、１つのＴ
ＦＴ素子のソース及びドレインが各々液晶電極を介して
共通データバスラインと接続し、１つのＴＦＴ素子が２
つの表示電極を持つ構成から成る。
通接地バスラインを同一基板上に形成することに起因す
るゲートバスラインとデータバスライン（共通接地バス
ライン）の短絡による線欠陥、開口率の低下を防ぐと共
に、製造工程を削減し、歩留りの改良を目的とする。 【構成】アクティブマトリクス液晶表示装置において、
ＴＦＴ基板側にＴＦＴ素子とゲートバスラインを形成
し、共通バスラインとデータバスラインを共通化し共通
データバスラインとして対向基板上に形成し、１つのＴ
ＦＴ素子のソース及びドレインが各々液晶電極を介して
共通データバスラインと接続し、１つのＴＦＴ素子が２
つの表示電極を持つ構成から成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス型
液晶表示装置に関し、特に、ゲートバスラインとデータ
バスラインとを対向する基板上にそれぞれ設けた構造を
とるアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
液晶表示装置に関し、特に、ゲートバスラインとデータ
バスラインとを対向する基板上にそれぞれ設けた構造を
とるアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の等価回路を示すもので、ゲートバスライン
（「スキャンライン」あるいは「走査バス線」ともい
う）２とデータバスライン10は直交して交叉するように
同一基板上に形成され、その交叉部に薄膜トランジスタ
（「ＴＦＴ」という）１が設けられている。そして、Ｔ
ＦＴ１のゲート５はゲートバスライン２に、ドレイン６
はデータバスライン10に、ソース７は液晶12の表示電極
にそれぞれ接続されている。
晶表示装置の等価回路を示すもので、ゲートバスライン
（「スキャンライン」あるいは「走査バス線」ともい
う）２とデータバスライン10は直交して交叉するように
同一基板上に形成され、その交叉部に薄膜トランジスタ
（「ＴＦＴ」という）１が設けられている。そして、Ｔ
ＦＴ１のゲート５はゲートバスライン２に、ドレイン６
はデータバスライン10に、ソース７は液晶12の表示電極
にそれぞれ接続されている。
【０００３】ＴＦＴ１はスイッチング素子の役割を果た
し、例えば1280×1024画素の場合、ゲートバスライン２
に周波数60Ｈｚでオン時間20μｓのパルス信号を加えて
ＴＦＴ１をオン・オフしている。データバスライン10に
は液晶に書き込むべき信号が加えられ、データバスライ
ン10に沿って順次各々の液晶素子12に信号が書き込まれ
る。
し、例えば1280×1024画素の場合、ゲートバスライン２
に周波数60Ｈｚでオン時間20μｓのパルス信号を加えて
ＴＦＴ１をオン・オフしている。データバスライン10に
は液晶に書き込むべき信号が加えられ、データバスライ
ン10に沿って順次各々の液晶素子12に信号が書き込まれ
る。
【０００４】ＴＦＴ１がオンの時、データバスライン10
に加えられた電圧が液晶素子12に書き込まれ、ＴＦＴ１
がオフすると液晶素子12はその電圧を保持して、データ
信号がほかの液晶素子の書き込みを行っている期間も液
晶電圧は一定に保たれており、この方法で各液晶素子に
信号を書き込んでいる。
に加えられた電圧が液晶素子12に書き込まれ、ＴＦＴ１
がオフすると液晶素子12はその電圧を保持して、データ
信号がほかの液晶素子の書き込みを行っている期間も液
晶電圧は一定に保たれており、この方法で各液晶素子に
信号を書き込んでいる。
【０００５】しかし、図９に示す従来の装置において
は、ゲートバスライン２とデータバスライン10が同一基
板上で絶縁膜を介して交叉するため、例えば絶縁膜にピ
ンホールがあると、ゲートバスライン２とデータバスラ
イン10とが短絡してしまい、その結果表示装置に線欠陥
が生じる。
は、ゲートバスライン２とデータバスライン10が同一基
板上で絶縁膜を介して交叉するため、例えば絶縁膜にピ
ンホールがあると、ゲートバスライン２とデータバスラ
イン10とが短絡してしまい、その結果表示装置に線欠陥
が生じる。
【０００６】また、ＴＦＴ１においてゲート５とドレイ
ン６が短絡した場合、その素子に対応した画素異常だけ
でなく線欠陥が発生することになる。
ン６が短絡した場合、その素子に対応した画素異常だけ
でなく線欠陥が発生することになる。
【０００７】これらの欠点を回避するものとして、例え
ば特開平2−1822号公報には、図１０に示すように、ゲ
ートバスライン２を一方の基板上に設け、データバスラ
イン10を他方の基板上に設け、ゲートバスライン２とデ
ータバスライン10を互いに非交叉として両者の短絡を防
ぐ技術が開示されている。
ば特開平2−1822号公報には、図１０に示すように、ゲ
ートバスライン２を一方の基板上に設け、データバスラ
イン10を他方の基板上に設け、ゲートバスライン２とデ
ータバスライン10を互いに非交叉として両者の短絡を防
ぐ技術が開示されている。
【０００８】また、特開昭62−133478号公報には、図１
１に示すように、一方の基板にＴＦＴ１と、ゲートバス
ライン２と、ＴＦＴ１のドレイン電極６に接続した共通
接地バスライン13とを設け、対向基板に透明電極とデー
タバスライン10を形成することにより、ゲートバスライ
ン２とデータバスライン10の同一基板上における交叉を
回避する液晶パネルの構成が提案されている。
１に示すように、一方の基板にＴＦＴ１と、ゲートバス
ライン２と、ＴＦＴ１のドレイン電極６に接続した共通
接地バスライン13とを設け、対向基板に透明電極とデー
タバスライン10を形成することにより、ゲートバスライ
ン２とデータバスライン10の同一基板上における交叉を
回避する液晶パネルの構成が提案されている。
【０００９】図１１に示した従来例の駆動法を説明する
ための波形図を図１２に示す。図１２において、ゲート
信号は図１１に示すＴＦＴ１のゲート５に印加されるゲ
ートバスライン２の信号を表わし、データ信号ＶDはデ
ータバスライン２の信号を表わし、±４Ｖの交番電圧と
される。また、ソース電位はＴＦＴ１のソース７の電位
を表わし、液晶書込み電圧ＶLCは、データ信号電圧から
表示電極の電圧を差し引いた電圧であり、ＶLC＝ＶD−
ＶSとなる。
ための波形図を図１２に示す。図１２において、ゲート
信号は図１１に示すＴＦＴ１のゲート５に印加されるゲ
ートバスライン２の信号を表わし、データ信号ＶDはデ
ータバスライン２の信号を表わし、±４Ｖの交番電圧と
される。また、ソース電位はＴＦＴ１のソース７の電位
を表わし、液晶書込み電圧ＶLCは、データ信号電圧から
表示電極の電圧を差し引いた電圧であり、ＶLC＝ＶD−
ＶSとなる。
【００１０】ゲート信号が高電位になり、ＴＦＴ１がオ
ンするとドレイン６はグランド（接地）９に接続されて
いるため、ソース電位ＶSは０Ｖになる。
ンするとドレイン６はグランド（接地）９に接続されて
いるため、ソース電位ＶSは０Ｖになる。
【００１１】その後ゲート信号が低電位になりＴＦＴ１
がオフすると、ＴＦＴ１のソース７はグランド９から切
り離されフローティングになる。そして、ソース７は液
晶12の容量を介してデータバスライン10と容量結合する
ため、ＴＦＴ１がオン状態の時にデータ信号ＶDを例え
ば４Ｖにしておくと、データバスライン10が４Ｖから−
４Ｖに変化する際に、ソース電位ＶSは０Ｖから−８Ｖ
に変化する。
がオフすると、ＴＦＴ１のソース７はグランド９から切
り離されフローティングになる。そして、ソース７は液
晶12の容量を介してデータバスライン10と容量結合する
ため、ＴＦＴ１がオン状態の時にデータ信号ＶDを例え
ば４Ｖにしておくと、データバスライン10が４Ｖから−
４Ｖに変化する際に、ソース電位ＶSは０Ｖから−８Ｖ
に変化する。
【００１２】このように、データ信号ＶDとＴＦＴ１の
ソース電位ＶS間の電圧は４Ｖに保持され、液晶書込み
電圧ＶLCは、ＴＦＴ１オフ後に、データバスライン10の
電位の変化にかかわらず一定となるため、液晶12に書き
込まれた電圧はＴＦＴ１がオフの間も保持される。
ソース電位ＶS間の電圧は４Ｖに保持され、液晶書込み
電圧ＶLCは、ＴＦＴ１オフ後に、データバスライン10の
電位の変化にかかわらず一定となるため、液晶12に書き
込まれた電圧はＴＦＴ１がオフの間も保持される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
に示す従来の装置においても、同一基板内にゲートバス
ライン２と共通接地バスライン13が存在するため、画素
面積が減少し、開口率が低下することになる。また、共
通バスラインを設けない場合に比べ、工程数が増加し、
歩留りの低下をもたらす可能性がある。
に示す従来の装置においても、同一基板内にゲートバス
ライン２と共通接地バスライン13が存在するため、画素
面積が減少し、開口率が低下することになる。また、共
通バスラインを設けない場合に比べ、工程数が増加し、
歩留りの低下をもたらす可能性がある。
【００１４】このように従来のアクティブマトリクス型
液晶表示装置では、同一基板上にゲートバスライン２
と、共通バスライン11または共通接地バスライン13が形
成されるため、両者の短絡などにより線欠陥が発生した
り、開口率が低下する問題がある。また、ゲートバスラ
イン２と共通バスライン11または共通接地バスライン13
を同一基板上に形成するために、単にゲートバスライン
のみを基板上に形成する場合に比べてプロセス工程が多
く歩留りが悪いという問題がある。
液晶表示装置では、同一基板上にゲートバスライン２
と、共通バスライン11または共通接地バスライン13が形
成されるため、両者の短絡などにより線欠陥が発生した
り、開口率が低下する問題がある。また、ゲートバスラ
イン２と共通バスライン11または共通接地バスライン13
を同一基板上に形成するために、単にゲートバスライン
のみを基板上に形成する場合に比べてプロセス工程が多
く歩留りが悪いという問題がある。
【００１５】したがって、本発明は、前記問題点を解消
し、ゲートバスラインとデータバスラインの短絡による
線欠陥を解消すると共に、開口率の低下を防ぎ、且つプ
ロセス工程を削減し歩留りを改良し、更には製造コスト
を低減するアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供
することを目的とする。
し、ゲートバスラインとデータバスラインの短絡による
線欠陥を解消すると共に、開口率の低下を防ぎ、且つプ
ロセス工程を削減し歩留りを改良し、更には製造コスト
を低減するアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供
することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、対向して配置される透明基板の一方の基
板上に、マトリクス状に配置されたＭＯＳトランジスタ
と、該ＭＯＳトランジスタのソース端子とドレイン端子
にそれぞれ接続された表示電極対と、該ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子に接続された走査バス線と、を有し、
他方の基板上に前記走査バス線と直交する方向に、前記
表示電極対に対向して配置されたデータバス線対を有
し、前記表示電極対が１画素となることを特徴とするア
クティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
め、本発明は、対向して配置される透明基板の一方の基
板上に、マトリクス状に配置されたＭＯＳトランジスタ
と、該ＭＯＳトランジスタのソース端子とドレイン端子
にそれぞれ接続された表示電極対と、該ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子に接続された走査バス線と、を有し、
他方の基板上に前記走査バス線と直交する方向に、前記
表示電極対に対向して配置されたデータバス線対を有
し、前記表示電極対が１画素となることを特徴とするア
クティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００１７】本発明に係るアクティブマトリクス型液晶
表示装置においては、ＭＯＳトランジスタは、好ましく
はアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなるもの
である。
表示装置においては、ＭＯＳトランジスタは、好ましく
はアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなるもの
である。
【００１８】また、本発明に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置において、表示電極およびデータバス線
は透明導電材料からなり、透明導電材料は、好ましくは
ＩＴＯ（インジウム錫鉛）からなることを特徴とするも
のである。
型液晶表示装置において、表示電極およびデータバス線
は透明導電材料からなり、透明導電材料は、好ましくは
ＩＴＯ（インジウム錫鉛）からなることを特徴とするも
のである。
【００１９】さらに、本発明に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置は、データバス線の一部がＣｒで裏打
ちされていることを特徴とするものである。
ス型液晶表示装置は、データバス線の一部がＣｒで裏打
ちされていることを特徴とするものである。
【００２０】そして、本発明に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置は、データバス線対に互いに逆相のデ
ータ信号を供給することを特徴としている。
ス型液晶表示装置は、データバス線対に互いに逆相のデ
ータ信号を供給することを特徴としている。
【００２１】また、本発明においては、データバス線
が、対向する基板上に絶縁性保護膜を形成した上にＩＴ
Ｏをパターニングして形成されることを特徴とする。
が、対向する基板上に絶縁性保護膜を形成した上にＩＴ
Ｏをパターニングして形成されることを特徴とする。
【００２２】本発明は、別の好ましい態様として、対向
して配置される透明基板の一方の基板上に、マトリクス
状に配置されたＭＯＳトランジスタと、該ＭＯＳトラン
ジスタのソース端子とドレイン端子にそれぞれ接続され
た表示電極対と、該ＭＯＳトランジスタのゲート端子に
接続された走査バス線と、を有し、他方の基板上に前記
走査バス線と直交する方向に、前記表示電極対に対向し
てデータバス線及び共通バス線を備え、前記表示電極対
は相対的に大きな表示電極と相対的に小さな表示電極か
らなると共に、前記データバス線及び前記共通バス線と
対向して配置され、表示画素としては前記相対的に小さ
な表示電極に接続された液晶画素が用いられ、相対的に
大きな表示電極に接続された液晶画素は遮光膜で覆うこ
とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置を
提供する。
して配置される透明基板の一方の基板上に、マトリクス
状に配置されたＭＯＳトランジスタと、該ＭＯＳトラン
ジスタのソース端子とドレイン端子にそれぞれ接続され
た表示電極対と、該ＭＯＳトランジスタのゲート端子に
接続された走査バス線と、を有し、他方の基板上に前記
走査バス線と直交する方向に、前記表示電極対に対向し
てデータバス線及び共通バス線を備え、前記表示電極対
は相対的に大きな表示電極と相対的に小さな表示電極か
らなると共に、前記データバス線及び前記共通バス線と
対向して配置され、表示画素としては前記相対的に小さ
な表示電極に接続された液晶画素が用いられ、相対的に
大きな表示電極に接続された液晶画素は遮光膜で覆うこ
とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置を
提供する。
【００２３】なお、本発明の上記態様は、本発明の原理
に従い、ＭＯＳトランジスタとしてはアモルファスシリ
コン薄膜トランジスタからなる構成、表示電極、データ
バス線、共通バス線が透明導電材料からなる構成、及
び、データバス線及び／又は共通バス線等の一部がＣｒ
で裏打ちされた構成を含んでいる。
に従い、ＭＯＳトランジスタとしてはアモルファスシリ
コン薄膜トランジスタからなる構成、表示電極、データ
バス線、共通バス線が透明導電材料からなる構成、及
び、データバス線及び／又は共通バス線等の一部がＣｒ
で裏打ちされた構成を含んでいる。
【００２４】
【作用】上記構成のもと、本発明によれば、従来の技術
で問題とされた、ゲートバスラインとデータバスライン
の短絡による線欠陥の発生や、この線欠陥を抑制する構
造により生じる開口率の低下という問題を回避すると共
に、ＴＦＴ基板上にはゲートバスラインのみを形成すれ
ばよいため、製造工程を削減でき、歩留りの改良、及び
製造コストの低減が可能となる。
で問題とされた、ゲートバスラインとデータバスライン
の短絡による線欠陥の発生や、この線欠陥を抑制する構
造により生じる開口率の低下という問題を回避すると共
に、ＴＦＴ基板上にはゲートバスラインのみを形成すれ
ばよいため、製造工程を削減でき、歩留りの改良、及び
製造コストの低減が可能となる。
【００２５】本発明においては、ＭＯＳトランジスタ
は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタから成り、
大面積の安価なガラス基板上に比較的低温で容易に形成
可能とされ、高画質のアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置を提供する。
は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタから成り、
大面積の安価なガラス基板上に比較的低温で容易に形成
可能とされ、高画質のアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置を提供する。
【００２６】また、本発明においては、透明導電材料と
して好ましくは、比抵抗の小さなＩＴＯ（インジウム錫
鉛）が用いられる。
して好ましくは、比抵抗の小さなＩＴＯ（インジウム錫
鉛）が用いられる。
【００２７】さらに、本発明によれば、対向基板にＩＴ
Ｏ等で形成された共通データバスラインの一部を金属Ｃ
ｒで裏打ちすることにより配線抵抗を低くし、駆動信号
波形の伝送特性を改善し、且つラインの断線等に対する
保護を与える。
Ｏ等で形成された共通データバスラインの一部を金属Ｃ
ｒで裏打ちすることにより配線抵抗を低くし、駆動信号
波形の伝送特性を改善し、且つラインの断線等に対する
保護を与える。
【００２８】そして、本発明によれば、データバス線対
に互いに逆相のデータ信号を入力することにより、液晶
書込み電圧はＴＦＴ素子がオン状態からオフ状態に変化
したのちにおいても変化せず、オン時と同一の電圧に保
持され、この一定の液晶書込み電圧を用いて液晶パネル
を駆動することができる。
に互いに逆相のデータ信号を入力することにより、液晶
書込み電圧はＴＦＴ素子がオン状態からオフ状態に変化
したのちにおいても変化せず、オン時と同一の電圧に保
持され、この一定の液晶書込み電圧を用いて液晶パネル
を駆動することができる。
【００２９】また、本発明においては、データバス線
が、対向する基板上に絶縁性保護膜を形成した上にＩＴ
Ｏをパターニングして形成され、カラーフィルターの遮
光用の金属Ｃｒとデータバス線との電気的絶縁性が確保
されている。
が、対向する基板上に絶縁性保護膜を形成した上にＩＴ
Ｏをパターニングして形成され、カラーフィルターの遮
光用の金属Ｃｒとデータバス線との電気的絶縁性が確保
されている。
【００３０】
【実施例】図面を参照して、本発明の実施例を以下に説
明する。
明する。
【００３１】
【実施例１】図１に本発明の第１の実施例の等価回路
を、図２にその斜視図をそれぞれ示す。図示のように、
本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置では、ＴＦ
Ｔ基板100側には、ＭＯＳ型トランジスタであるアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ；水素化アモルファスシリコ
ンでａ−Ｓｉ：Ｈとも記す）薄膜トランジスタ素子ＴＦ
Ｔ１と、ゲートバスライン２とを設け、対向基板200側
には、データバスラインと共通バスラインを兼ねた共通
データバスライン３が設けられている。
を、図２にその斜視図をそれぞれ示す。図示のように、
本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置では、ＴＦ
Ｔ基板100側には、ＭＯＳ型トランジスタであるアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ；水素化アモルファスシリコ
ンでａ−Ｓｉ：Ｈとも記す）薄膜トランジスタ素子ＴＦ
Ｔ１と、ゲートバスライン２とを設け、対向基板200側
には、データバスラインと共通バスラインを兼ねた共通
データバスライン３が設けられている。
【００３２】共通データバスライン３は表示電極を兼
ね、好ましくは、ＩＴＯ（インジウム錫鉛；Indium-Tin
-Oxide）や酸化錫等、可視光の透過率が高い導電性材料
からなる透明電極で形成されている。
ね、好ましくは、ＩＴＯ（インジウム錫鉛；Indium-Tin
-Oxide）や酸化錫等、可視光の透過率が高い導電性材料
からなる透明電極で形成されている。
【００３３】ＴＦＴ１のドレイン６とソース７は、各々
液晶電極８を介して共通データバスライン３と対向配置
され２つの表示電極をもつ。
液晶電極８を介して共通データバスライン３と対向配置
され２つの表示電極をもつ。
【００３４】本実施例では、このように、ゲートバスラ
イン２と共通データバスライン３を別々の基板上に形成
することにより、従来の技術の問題であったゲートバス
ライン２と共通データバスライン３との短絡による線欠
陥の発生や開口率の低下を回避できる。
イン２と共通データバスライン３を別々の基板上に形成
することにより、従来の技術の問題であったゲートバス
ライン２と共通データバスライン３との短絡による線欠
陥の発生や開口率の低下を回避できる。
【００３５】また、本実施例では、ＴＦＴ１のソース７
とドレイン６の双方に表示電極が設けられている。この
ように、１つのＴＦＴに表示電極を対に設けることによ
って液晶パネルの開口率を向上することができる。
とドレイン６の双方に表示電極が設けられている。この
ように、１つのＴＦＴに表示電極を対に設けることによ
って液晶パネルの開口率を向上することができる。
【００３６】そして、本実施例では、ＴＦＴ基板100上
にはゲートバスライン２のみを形成すればよいため、製
造工程を簡略化することができ、歩留りの低下を防ぎ、
結果的に製造コストを低減する。
にはゲートバスライン２のみを形成すればよいため、製
造工程を簡略化することができ、歩留りの低下を防ぎ、
結果的に製造コストを低減する。
【００３７】次に、図３および図４を参照して、本実施
例に係るアクティブマトリクス液晶表示装置の駆動法の
一例を説明する。なお、図３と図４の時間軸は互いに対
応している。
例に係るアクティブマトリクス液晶表示装置の駆動法の
一例を説明する。なお、図３と図４の時間軸は互いに対
応している。
【００３８】図３に示すように、図１の共通データバス
ライン３、４には、０Ｖを中心とした周期120μｓ、振
幅±２Ｖの互いに反転した（逆相の）データ信号１、２
(1002，1003)が供給される。
ライン３、４には、０Ｖを中心とした周期120μｓ、振
幅±２Ｖの互いに反転した（逆相の）データ信号１、２
(1002，1003)が供給される。
【００３９】ゲートバスライン２には、図３の信号1001
に示すように、オン電圧15Ｖ、オフ電圧−15Ｖ、オン時
間（パルス幅）20μｓ、周期16.7ｍｓのゲート信号を印
加して、ＴＦＴ１をオン・オフする。図３に示すよう
に、時間軸上約320μｓから20μｓの期間、ゲート信号1
001はオン電圧とされ、この時、互いに逆相のデータ信
号１、２(1002，1003)の影響が相殺されて、図４に示す
ようにＴＦＴ１のドレイン電位1004とソース電位1005は
０Ｖになる。
に示すように、オン電圧15Ｖ、オフ電圧−15Ｖ、オン時
間（パルス幅）20μｓ、周期16.7ｍｓのゲート信号を印
加して、ＴＦＴ１をオン・オフする。図３に示すよう
に、時間軸上約320μｓから20μｓの期間、ゲート信号1
001はオン電圧とされ、この時、互いに逆相のデータ信
号１、２(1002，1003)の影響が相殺されて、図４に示す
ようにＴＦＴ１のドレイン電位1004とソース電位1005は
０Ｖになる。
【００４０】ＴＦＴ１がオフすると、ドレイン６とソー
ス７はフローティングになるため、データ信号１、２(1
002，1003)の変動の影響を受け、例えばデータ信号の電
圧が−４Ｖ降下すると、それとともにドレイン電位1004
及びソース電位1005は、データ信号の変動分である−４
Ｖだけ電位が変動する。
ス７はフローティングになるため、データ信号１、２(1
002，1003)の変動の影響を受け、例えばデータ信号の電
圧が−４Ｖ降下すると、それとともにドレイン電位1004
及びソース電位1005は、データ信号の変動分である−４
Ｖだけ電位が変動する。
【００４１】液晶書込み電圧ＶLCは、ＴＦＴ１がオン時
のデータ信号の電位とソース電位の差で決まり（即ちＶ
LC＝ＶD−ＶS）、ＴＦＴ１がオフ状態となっても液晶書
込み電圧ＶLCは一定に保持され、このことを利用して液
晶パネルを駆動する。
のデータ信号の電位とソース電位の差で決まり（即ちＶ
LC＝ＶD−ＶS）、ＴＦＴ１がオフ状態となっても液晶書
込み電圧ＶLCは一定に保持され、このことを利用して液
晶パネルを駆動する。
【００４２】なお、本実施例では、１つのＴＦＴ素子１
のソースとドレインには１対の表示電極が設けられてお
り、該１対の表示電極に接続された２つの液晶12には同
一の書込み電圧で書込みが行なわれるため、２つの液晶
12が１画素を形成することになる。
のソースとドレインには１対の表示電極が設けられてお
り、該１対の表示電極に接続された２つの液晶12には同
一の書込み電圧で書込みが行なわれるため、２つの液晶
12が１画素を形成することになる。
【００４３】
【実施例２】図５を参照して、本発明の第２の実施例を
以下に説明する。同図に示すように、ＴＦＴ１のドレイ
ン６側は大きな液晶電極（「表示電極」ともいう）を介
してデータバスライン10と対向配置し、ソース７側は相
対的に小さな液晶電極を介して共通バスライン11と対向
配置している。
以下に説明する。同図に示すように、ＴＦＴ１のドレイ
ン６側は大きな液晶電極（「表示電極」ともいう）を介
してデータバスライン10と対向配置し、ソース７側は相
対的に小さな液晶電極を介して共通バスライン11と対向
配置している。
【００４４】表示画素としてはソース７側に接続された
液晶画素12が用いられ、ドレイン６側に接続された液晶
画素は遮光膜で覆う。これは、大きい方の液晶電極に印
加される電位はゲート信号のオン・オフにかかわらず、
データバスライン10が変化すると液晶書込み電圧が変わ
ってしまうため、表示装置としては用いられず、このた
め遮光膜で覆っている。
液晶画素12が用いられ、ドレイン６側に接続された液晶
画素は遮光膜で覆う。これは、大きい方の液晶電極に印
加される電位はゲート信号のオン・オフにかかわらず、
データバスライン10が変化すると液晶書込み電圧が変わ
ってしまうため、表示装置としては用いられず、このた
め遮光膜で覆っている。
【００４５】次に、図６を参照して、本実施例に係る装
置の駆動法を説明する。ゲート信号1001として図示のよ
うなパルス信号を入力し、共通データバスライン10には
データ信号ＶD(1002)を、共通バスライン11には共通電
位1006のような一定電位ＶCをそれぞれ供給する。
置の駆動法を説明する。ゲート信号1001として図示のよ
うなパルス信号を入力し、共通データバスライン10には
データ信号ＶD(1002)を、共通バスライン11には共通電
位1006のような一定電位ＶCをそれぞれ供給する。
【００４６】ゲート信号が高電位になりＴＦＴ１がオン
状態にある時、ＴＦＴ１のドレイン６側に接続された液
晶容量をＣ1、ソース７側に接続された液晶容量をＣ2と
すれば、ソース電位は、 ＶP＝Ｃ1／（Ｃ1＋Ｃ2）×（ＶD−ＶC）＋ＶC となるので、Ｃ1＞＞Ｃ2（Ｃ1がＣ2に比べて大）の時、
ＶP＝ＶDとなり、データ信号ＶD(1002)がソース７に書
き込まれる。
状態にある時、ＴＦＴ１のドレイン６側に接続された液
晶容量をＣ1、ソース７側に接続された液晶容量をＣ2と
すれば、ソース電位は、 ＶP＝Ｃ1／（Ｃ1＋Ｃ2）×（ＶD−ＶC）＋ＶC となるので、Ｃ1＞＞Ｃ2（Ｃ1がＣ2に比べて大）の時、
ＶP＝ＶDとなり、データ信号ＶD(1002)がソース７に書
き込まれる。
【００４７】また、ゲート信号が低電位でＴＦＴ１がオ
フ状態にある時は、ソース電位1005は一定になり、液晶
電位は一定に保持される。
フ状態にある時は、ソース電位1005は一定になり、液晶
電位は一定に保持される。
【００４８】
【実施例３】図７を参照して、本発明の第３の実施例を
以下に説明する。図示の如く、本実施例では、共通デー
タバスライン３の一部を金属Ｃｒ14で裏打ちしている。
前記第１の実施例で説明した通り、共通データバスライ
ン３をＩＴＯ等の透明電極のみで形成した場合、配線抵
抗が大きくなり、このため、データ信号に歪みが生じる
等駆動信号の伝送特性が劣化したり、あるいは断線した
りする可能性が生じるが、本実施例は、共通データバス
ライン３の一部を金属Ｃｒ14で裏打ちすることにより、
これらの問題を解消するものである。
以下に説明する。図示の如く、本実施例では、共通デー
タバスライン３の一部を金属Ｃｒ14で裏打ちしている。
前記第１の実施例で説明した通り、共通データバスライ
ン３をＩＴＯ等の透明電極のみで形成した場合、配線抵
抗が大きくなり、このため、データ信号に歪みが生じる
等駆動信号の伝送特性が劣化したり、あるいは断線した
りする可能性が生じるが、本実施例は、共通データバス
ライン３の一部を金属Ｃｒ14で裏打ちすることにより、
これらの問題を解消するものである。
【００４９】金属Ｃｒ14による裏打ちの態様としては、
例えば図７（Ａ）に示すように、共通データバスライン
３の中央部に長手方向に沿ってＣｒの裏打ちラインを形
成するもの、あるいは図７（Ｂ）に示すように、図示上
下分割された共通データバスラインの端部を金属Ｃｒ14
を裏打ちして相互接続するもの等がある。
例えば図７（Ａ）に示すように、共通データバスライン
３の中央部に長手方向に沿ってＣｒの裏打ちラインを形
成するもの、あるいは図７（Ｂ）に示すように、図示上
下分割された共通データバスラインの端部を金属Ｃｒ14
を裏打ちして相互接続するもの等がある。
【００５０】なお、図７（Ｂ）では、共通データバスラ
イン３を図示上下に分割しているが、これは、図７
（Ａ）の構成では、共通データバスライン３の中央部に
Ｃｒの裏打ちラインが設けられているため開口率が低下
するという事を回避するものである。
イン３を図示上下に分割しているが、これは、図７
（Ａ）の構成では、共通データバスライン３の中央部に
Ｃｒの裏打ちラインが設けられているため開口率が低下
するという事を回避するものである。
【００５１】
【実施例４】図８に本発明の第４の実施例に係る液晶パ
ネルの断面図を示す。図８（Ａ）にはＴＦＴ基板100に
対向する対向基板200の断面図が、図８（Ｂ）にはＴＦ
Ｔ基板100の断面図がそれぞれ示されている。
ネルの断面図を示す。図８（Ａ）にはＴＦＴ基板100に
対向する対向基板200の断面図が、図８（Ｂ）にはＴＦ
Ｔ基板100の断面図がそれぞれ示されている。
【００５２】通常のカラーフィルター15の遮光には金属
Ｃｒ14が用いられているので、その直上に共通データバ
スライン３を形成するとこれらが短絡することになる。
このため、図８（Ａ）に示すように、絶縁性の保護膜16
を形成した上にＩＴＯをパターニングする。絶縁性の保
護膜16としては、熱硬化アクリル樹脂（例えば日本合成
ゴム社製のオプトマーＳＳ等）等が用いられる。
Ｃｒ14が用いられているので、その直上に共通データバ
スライン３を形成するとこれらが短絡することになる。
このため、図８（Ａ）に示すように、絶縁性の保護膜16
を形成した上にＩＴＯをパターニングする。絶縁性の保
護膜16としては、熱硬化アクリル樹脂（例えば日本合成
ゴム社製のオプトマーＳＳ等）等が用いられる。
【００５３】以上、本発明を上記各種実施例に即して説
明したが、本発明は、これらの実施態様の各種組合せを
含むことはいうまでもなく、さらに本発明の原理に準ず
る各種実施態様を含むものである。
明したが、本発明は、これらの実施態様の各種組合せを
含むことはいうまでもなく、さらに本発明の原理に準ず
る各種実施態様を含むものである。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ゲ
ートバスラインと共通データバスラインを別々の基板上
に形成することにより、従来の技術の問題であったゲー
トバスラインとデータバスラインの短絡による線欠陥の
発生や、これを抑制する構造により生じる開口率の低下
を防ぐことができる。さらに、本発明によれば、ＴＦＴ
基板上にはゲートバスラインのみを形成すればよいた
め、従来技術よりも製造工程を１工程削減でき、歩留り
の改良と製造コストの低減が可能となる。
ートバスラインと共通データバスラインを別々の基板上
に形成することにより、従来の技術の問題であったゲー
トバスラインとデータバスラインの短絡による線欠陥の
発生や、これを抑制する構造により生じる開口率の低下
を防ぐことができる。さらに、本発明によれば、ＴＦＴ
基板上にはゲートバスラインのみを形成すればよいた
め、従来技術よりも製造工程を１工程削減でき、歩留り
の改良と製造コストの低減が可能となる。
【００５５】本発明においては、ＭＯＳトランジスタ
は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタから成り、
大面積の安価なガラス基板上に比較的低温で容易に形成
可能とされ、高画質のアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置を提供する。
は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタから成り、
大面積の安価なガラス基板上に比較的低温で容易に形成
可能とされ、高画質のアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置を提供する。
【００５６】また、本発明によれば、表示電極およびデ
ータバス線が透明導電材料からなり、液晶パネルにおけ
る可視光の透過性を高めている。そして、本発明におい
ては、透明導電材料として好ましくは、比抵抗の小さな
ＩＴＯ（インジウム錫鉛）が用いられる。
ータバス線が透明導電材料からなり、液晶パネルにおけ
る可視光の透過性を高めている。そして、本発明におい
ては、透明導電材料として好ましくは、比抵抗の小さな
ＩＴＯ（インジウム錫鉛）が用いられる。
【００５７】さらに、本発明によれば、対向基板にＩＴ
Ｏ等で形成された共通データバスラインの一部を金属Ｃ
ｒで裏打ちすることにより配線抵抗を小さくして駆動信
号波形の伝送特性を改善し、且つラインの断線等に対す
る保護を与える。
Ｏ等で形成された共通データバスラインの一部を金属Ｃ
ｒで裏打ちすることにより配線抵抗を小さくして駆動信
号波形の伝送特性を改善し、且つラインの断線等に対す
る保護を与える。
【００５８】そして、本発明によれば、データバス線対
に互いに逆相のデータ信号を入力することにより、液晶
書込み電圧はＴＦＴ素子がオン状態からオフ状態に変化
したのちにおいてもオン時と同一の電圧に保持され、こ
の液晶書込み電圧を用いて液晶パネルを駆動することが
できるという効果を有する。
に互いに逆相のデータ信号を入力することにより、液晶
書込み電圧はＴＦＴ素子がオン状態からオフ状態に変化
したのちにおいてもオン時と同一の電圧に保持され、こ
の液晶書込み電圧を用いて液晶パネルを駆動することが
できるという効果を有する。
【００５９】また、本発明においては、データバス線
が、対向する基板上に絶縁性保護膜を形成した上にＩＴ
Ｏをパターニングして形成され、カラーフィルターの遮
光用の金属Ｃｒとデータバス線との電気的絶縁性が確保
されている。
が、対向する基板上に絶縁性保護膜を形成した上にＩＴ
Ｏをパターニングして形成され、カラーフィルターの遮
光用の金属Ｃｒとデータバス線との電気的絶縁性が確保
されている。
【００６０】さらに、本発明の好ましい別の態様とし
て、対向基板上に走査バス線と直交する方向に表示電極
対に対向してデータバス線及び共通バス線を備え、薄膜
トランジスタのソースとドレインに接続される表示電極
対は相対的に大きな表示電極と相対的に小さな表示電極
からなり、データバス線及び共通バス線と対向して配置
された構成によっても、ゲートバスラインとデータバス
ラインの短絡による線欠陥の発生や開口率の低下という
問題を回避できると共に、製造工程を削減でき、歩留り
の改良、及び製造コストの低減が可能となる。
て、対向基板上に走査バス線と直交する方向に表示電極
対に対向してデータバス線及び共通バス線を備え、薄膜
トランジスタのソースとドレインに接続される表示電極
対は相対的に大きな表示電極と相対的に小さな表示電極
からなり、データバス線及び共通バス線と対向して配置
された構成によっても、ゲートバスラインとデータバス
ラインの短絡による線欠陥の発生や開口率の低下という
問題を回避できると共に、製造工程を削減でき、歩留り
の改良、及び製造コストの低減が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の第１の実施例の斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施例の駆動法を示す波形図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第１の実施例の駆動法を示す波形図で
ある。
ある。
【図５】本発明の第２の実施例の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図６】本発明の第２の実施例の駆動法を示す波形図で
ある。
ある。
【図７】本発明の第３の実施例を説明する図である。
【図８】本発明の第４の実施例を説明する断面図であ
る。
る。
【図９】従来の液晶パネルの等価回路を示す図である。
【図１０】特開平2−1822号公報に開示された液晶パネ
ルの等価回路を示す図である。
ルの等価回路を示す図である。
【図１１】特開昭62−133478号公報に開示された液晶パ
ネルの等価回路を示す図である。
ネルの等価回路を示す図である。
【図１２】特開昭62−133489号公報に開示されたパネル
の駆動法を示す波形図である。
の駆動法を示す波形図である。
１ ＴＦＴ素子 ２ ゲートバスライン ３ 共通データバスラインａ ４ 共通データバスラインｂ ５ ゲート ６ ドレイン ７ ソース ８ 液晶電極 ９ グランド 10 データバスライン 11 共通バスライン 12 液晶 13 共通接地バスライン 14 金属Ｃｒ 15 カラーフィルター 16 絶縁性保護膜 100 ＴＦＴ基板 200 対向基板 1001 ゲート信号 1002 データ信号１ 1003 データ信号２ 1004 ドレイン電位 1005 ソース電位 1006 共通電位
Claims (8)
- 【請求項１】対向して配置される透明基板の一方の基板
上に、マトリクス状に配置されたＭＯＳトランジスタ
と、該ＭＯＳトランジスタのソース端子とドレイン端子
にそれぞれ接続された表示電極対と、該ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子に接続された走査バス線と、を有し、
他方の基板上に前記走査バス線と直交する方向に、前記
表示電極対に対向して配置されたデータバス線対を有
し、前記表示電極対が１画素を形成することを特徴とす
るアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】前記ＭＯＳトランジスタがアモルファスシ
リコン薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求
項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】前記表示電極およびデータバス線が透明導
電材料からなることを特徴とする請求項１記載のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】前記透明導電材料がＩＴＯ（インジウム錫
鉛）からなることを特徴とする請求項３記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】前記データバス線の一部がＣｒで裏打ちさ
れていることを特徴とする請求項１又は３記載のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項６】前記データバス線対に互いに逆相のデータ
信号を供給することを特徴とする請求項１に記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項７】前記データバス線が、前記他方の基板上に
絶縁性保護膜を形成した上にＩＴＯをパターニングして
形成されることを特徴とする請求項１記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項８】対向して配置される透明基板の一方の基板
上に、マトリクス状に配置されたＭＯＳトランジスタ
と、該ＭＯＳトランジスタのソース端子とドレイン端子
にそれぞれ接続された表示電極対と、該ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子に接続された走査バス線と、を有し、
他方の基板上に前記走査バス線と直交する方向に、前記
表示電極対に対向してデータバス線及び共通バス線を備
え、前記表示電極対は相対的に大きな表示電極と相対的
に小さな表示電極からなると共に、前記データバス線及
び前記共通バス線と対向して配置され、表示画素として
は前記相対的に小さな表示電極に接続された液晶画素が
用いられ、相対的に大きな表示電極に接続された液晶画
素は遮光膜で覆うことを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4656994A JP2882275B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4656994A JP2882275B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07234420A true JPH07234420A (ja) | 1995-09-05 |
| JP2882275B2 JP2882275B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=12750957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4656994A Expired - Fee Related JP2882275B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2882275B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6850307B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-02-01 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal display device, and electronic equipment |
| KR100507271B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2005-08-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-02-22 JP JP4656994A patent/JP2882275B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100507271B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2005-08-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US6850307B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-02-01 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal display device, and electronic equipment |
| US6922225B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-07-26 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal device, and electronic equipment |
| US6924867B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-08-02 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal device, and electronic equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2882275B2 (ja) | 1999-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6075580A (en) | Active matrix type liquid crystal display apparatus with conductive light shield element | |
| JP3210437B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US7626646B2 (en) | Substrate for display device and display device equipped therewith | |
| EP0766118A2 (en) | Active-matrix type liquid crystal display device and method of compensating for defective pixel | |
| JPH0814669B2 (ja) | マトリクス型表示装置 | |
| JPH09159996A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示パネル | |
| US6326641B1 (en) | Liquid crystal display device having a high aperture ratio | |
| JP2002040480A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3205155B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4030178B2 (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
| JP2693513B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示素子 | |
| JP2002116712A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| US5432625A (en) | Display screen having opaque conductive optical mask and TFT of semiconductive, insulating, and conductive layers on first transparent conductive film | |
| EP0554061B1 (en) | Liquid crystal display | |
| JP3583755B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| JP3157186B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JP2960268B2 (ja) | アクティブマトリックス液晶パネル及びその製造方法と駆動方法並びにアクティブマトリックス液晶ディスプレイ | |
| JP2882275B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH0980480A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0469622A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH09325360A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2780677B2 (ja) | アクティブマトリクス液晶表示パネル | |
| JPH04100022A (ja) | 液晶表示装置及びその駆動方法 | |
| JP2741773B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH07244296A (ja) | アクティブ・マトリクス駆動型液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990105 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080205 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090205 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100205 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100205 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110205 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120205 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120205 Year of fee payment: 13 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120205 Year of fee payment: 13 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140205 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |