JPH0244317A - 補助容量を有する液晶表示装置 - Google Patents
補助容量を有する液晶表示装置Info
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- JPH0244317A JPH0244317A JP63194421A JP19442188A JPH0244317A JP H0244317 A JPH0244317 A JP H0244317A JP 63194421 A JP63194421 A JP 63194421A JP 19442188 A JP19442188 A JP 19442188A JP H0244317 A JPH0244317 A JP H0244317A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置の1助容量に係り、特に大きな容
量を得るのに好適な補助容量を有する液晶表示装置に関
する。
量を得るのに好適な補助容量を有する液晶表示装置に関
する。
液晶デイスプレィは、薄型低消費電力という特徴を有し
、最近小型TVとして製品化されている。
、最近小型TVとして製品化されている。
高精細化した場合、プロジェクタ−で投射拡大する用途
もある。この場合1強い光を使うため、光と熱でスイッ
チング素子のリーク電流が増加する。
もある。この場合1強い光を使うため、光と熱でスイッ
チング素子のリーク電流が増加する。
また、熱により、液晶の抵抗も下がる。これらの理由か
ら、印加された電圧を保持するための補助容量が不可欠
となってくる。
ら、印加された電圧を保持するための補助容量が不可欠
となってくる。
補助容量を形成する考え方は古いが、具体的な一例は特
開昭61−13228に述べられている。
開昭61−13228に述べられている。
第4図及び第5図において従来例を説明する。
第4図において、信号線1及び走査線2の各交互点にス
イッチング素子3が配置されており、ソース側には液晶
セル4、補助容量5が並列に接続されている。液晶セル
4は対向基板共通電極6とで構成されている。補助容量
5の他方の共通電極は補助導体7で接続され、電位が固
定されている。
イッチング素子3が配置されており、ソース側には液晶
セル4、補助容量5が並列に接続されている。液晶セル
4は対向基板共通電極6とで構成されている。補助容量
5の他方の共通電極は補助導体7で接続され、電位が固
定されている。
第5図はスイッチング素子3及び補助容量5の部分の断
面図を示す、多結晶シリコンのゲート19と同時に、補
助容量用透明電極20を形成し、これを酸化してゲート
絶縁膜21と層間絶縁膜22を形成する。この上に再び
多結晶シリコンを形成し、信号電極1(ドレイン)、ソ
ース電極23、画素用透明電極24を形成する。こうし
て補助容量5が形成される。この例では画素用透明電極
241層間絶縁膜22.補助容量用透明電極20で一組
の容量が形成される。
面図を示す、多結晶シリコンのゲート19と同時に、補
助容量用透明電極20を形成し、これを酸化してゲート
絶縁膜21と層間絶縁膜22を形成する。この上に再び
多結晶シリコンを形成し、信号電極1(ドレイン)、ソ
ース電極23、画素用透明電極24を形成する。こうし
て補助容量5が形成される。この例では画素用透明電極
241層間絶縁膜22.補助容量用透明電極20で一組
の容量が形成される。
上記従来例においては、単一の容量のみで補助容量が構
成されており、特に大きな容量とする場合には、大きな
補助容量を実現できない。
成されており、特に大きな容量とする場合には、大きな
補助容量を実現できない。
本発明の目的は、大きな補助容量を形成する手段を提供
することにある。
することにある。
上記目的は、複数の容量を積層して並列に接続すること
によって達成される。
によって達成される。
本発明によって形成された大きな補助容量は。
液晶セルに並列に接続される。したがって、スイッチン
グ素子あるいは液晶セルのリーク電流を十分補償し1画
質の信頼性を高めることができる。
グ素子あるいは液晶セルのリーク電流を十分補償し1画
質の信頼性を高めることができる。
以下本発明の実施例を第1図、第2図により説明する。
第1図は本発明によるアクライブマトリクスの部分構成
を示す、信号線1.走査線2の交点にスイッチング素子
3が設けられており、ソース側には液晶セル4、補助容
量5が並列に接続されている。液晶セル4は対向基板共
通電極6とで構成されている。補助容量5は、ソース側
が2個の電極が並列された形で配置されており、他方の
共通電極は補助導体7で接続され、電位が固定されてい
る。
を示す、信号線1.走査線2の交点にスイッチング素子
3が設けられており、ソース側には液晶セル4、補助容
量5が並列に接続されている。液晶セル4は対向基板共
通電極6とで構成されている。補助容量5は、ソース側
が2個の電極が並列された形で配置されており、他方の
共通電極は補助導体7で接続され、電位が固定されてい
る。
第2図はスイッチング素子3及び補助容量5の部分の断
面図を示す、ガラス基板8に多結晶シリコン9を形成す
る。この後、補助容量5を形成する部分にはリンをドー
プしておく1次にゲート絶縁膜11.ゲート電極12を
形成する。この過程で、補助容量5には、補助容量用透
明電極10、補助容量用絶縁膜13.補助容量用共通電
極14が形成され、ここで、ひとつの容量が形成される
。
面図を示す、ガラス基板8に多結晶シリコン9を形成す
る。この後、補助容量5を形成する部分にはリンをドー
プしておく1次にゲート絶縁膜11.ゲート電極12を
形成する。この過程で、補助容量5には、補助容量用透
明電極10、補助容量用絶縁膜13.補助容量用共通電
極14が形成され、ここで、ひとつの容量が形成される
。
次に層間絶縁膜15を形成し、コンタクト窓を開けて、
画素用透明電極17を形成する。同一材料で信号電極1
(ドレイン電極)、ソース電極16、補助容量用の補助
導体7が形成される。この過程で、第2の容量が形成さ
れ、下に埋め込まれた容量と並列に接続される。このプ
ロセスで特に必要とされるのは、補助容量用透明電極1
0にドーピングするプロセスのみであり、他はスイッチ
ング素子と同一のプロセスで構成できる。
画素用透明電極17を形成する。同一材料で信号電極1
(ドレイン電極)、ソース電極16、補助容量用の補助
導体7が形成される。この過程で、第2の容量が形成さ
れ、下に埋め込まれた容量と並列に接続される。このプ
ロセスで特に必要とされるのは、補助容量用透明電極1
0にドーピングするプロセスのみであり、他はスイッチ
ング素子と同一のプロセスで構成できる。
第3図は本発明の応用例を示す。スイッチング素子3は
正スタガー型構造である。まずガラス基板8にドープし
た多結晶シリコン又はITOを形成し、信号電極1 (
ドレイン)、ドレイン電極16、画素用透明電極10を
形成する。この」二に、能動層である薄膜半導体層18
.ゲート絶縁膜11、ゲート12を形成する。以下は第
2図に示したと同様に補助容量5を形成できる。
正スタガー型構造である。まずガラス基板8にドープし
た多結晶シリコン又はITOを形成し、信号電極1 (
ドレイン)、ドレイン電極16、画素用透明電極10を
形成する。この」二に、能動層である薄膜半導体層18
.ゲート絶縁膜11、ゲート12を形成する。以下は第
2図に示したと同様に補助容量5を形成できる。
以上の実施例では多結晶シリコンを用いるスイッチング
素子について述べたが、単結晶、非晶質膜を用いるスイ
ッチング素子についても応用できる。また透明電極材料
としては、スイッチング素子を構成する半導体層、IT
O,薄膜メタル、導電性酸化物等を任意に選択できる。
素子について述べたが、単結晶、非晶質膜を用いるスイ
ッチング素子についても応用できる。また透明電極材料
としては、スイッチング素子を構成する半導体層、IT
O,薄膜メタル、導電性酸化物等を任意に選択できる。
〔発明の効果〕
以上述べた本発明によれば、大きな補助容量を工程を増
すことなく形成でき、液晶表示装置の画質の信頼性を高
めることができる。
すことなく形成でき、液晶表示装置の画質の信頼性を高
めることができる。
第1図は本発明を説明するためのアクティブマトリクス
部分構成図、第2図及び第3図は本発明を説明するため
のスイッチング素子及び補助容量部の断面図、第4図及
び第5図はそれぞれ従来例を説明するためのアクティブ
マトリクス部分構成図及びスイッチング素子及び補助容
量部を示す図である。 3・・・スイッチング素子、5・・・補助容量、10・
・・補助容量用透明電極、13・・・補助容量用絶縁膜
、14・・・補助容量用共通電極、15・・・層間絶縁
膜、17・・・画素用透明電極。 弔 図
部分構成図、第2図及び第3図は本発明を説明するため
のスイッチング素子及び補助容量部の断面図、第4図及
び第5図はそれぞれ従来例を説明するためのアクティブ
マトリクス部分構成図及びスイッチング素子及び補助容
量部を示す図である。 3・・・スイッチング素子、5・・・補助容量、10・
・・補助容量用透明電極、13・・・補助容量用絶縁膜
、14・・・補助容量用共通電極、15・・・層間絶縁
膜、17・・・画素用透明電極。 弔 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、補助容量を有する液晶表示装置において、補助容量
が、積層された複数の容量を並列に接続されてなること
を特徴とする補助容量を有する液晶表示装置。 2、第1項において、液晶表示装置を駆動するスイッチ
ング素子のゲート絶縁膜から成る容量と、スイッチング
素子の保護膜から成る容量を並列に接続したことを特徴
とする補助容量を有する液晶表示装置。 3、第1項または第2項において、スイッチング素子の
ゲート電極が、補助容量の共通電極であることを特徴と
する補助容量を有する液晶表示装置。 4、第1項、第2項または第3項において、スイッチン
グ素子の能導層又はゲートと同一材料を、補助容量の透
明電極として用いたことを特徴とする補助容量を有する
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63194421A JPH0244317A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 補助容量を有する液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63194421A JPH0244317A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 補助容量を有する液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0244317A true JPH0244317A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16324326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63194421A Pending JPH0244317A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 補助容量を有する液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0244317A (ja) |
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-
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- 1988-08-05 JP JP63194421A patent/JPH0244317A/ja active Pending
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