JPH0251863B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0251863B2 JPH0251863B2 JP59074228A JP7422884A JPH0251863B2 JP H0251863 B2 JPH0251863 B2 JP H0251863B2 JP 59074228 A JP59074228 A JP 59074228A JP 7422884 A JP7422884 A JP 7422884A JP H0251863 B2 JPH0251863 B2 JP H0251863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- silicon carbide
- sintering
- boron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 22
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011294 coal tar pitch Substances 0.000 claims description 13
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 8
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007970 homogeneous dispersion Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S75/00—Specialized metallurgical processes, compositions for use therein, consolidated metal powder compositions, and loose metal particulate mixtures
- Y10S75/95—Consolidated metal powder compositions of >95% theoretical density, e.g. wrought
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高強度炭化珪素焼結体の製造法に関す
る。更に詳細には炭化珪素微粉末に焼結助剤とし
てコールタールピツチとホウ素化合物と珪素粉末
とを特定量範囲で併用し混合した後成形し、不活
性雰囲気中で焼結せしめてなる高強度の炭化珪素
焼結体の製造法に関するものである。 炭化珪素は物理的および化学的性質に優れてお
り、特に高強度でかつ、耐触性を有し、高温にお
いても室温と変わらない機械的性質を有するため
耐摩耗性材料、高温構造材料として有望視されて
いる。しかし難焼結性のため高密度に焼結するこ
とが困難であり、ホツトプレス法による焼結、焼
結助剤添加による焼結等が提案されている。 例えば特公昭57−32035号公報によればβ型炭
化珪素と0.3〜3.0重量％のホウ素に相当する量の
ホウ素含有化合物と0.1〜1.0重量％の元素状炭素
に相当する炭素源とからなるミクロン以下の粉末
の均質分散体を炭化珪素に対して化学的に不活性
な雰囲気中において1900〜2100℃の温度で焼結す
ることにより理論値の85％以上の密度の焼結体を
得ることができること、また特開昭51−148712号
公報には１〜100m2／ｇの比表面積を有するα型
炭化珪素91〜99.35重量部に25〜75重量％の炭化
率を有する炭化可能な有機溶剤可溶性の有機材料
0.67〜20重量部、0.15〜3.0重量部のホウ素を含有
するホウ素源および一時的結合剤５〜15重量部を
添加混合し焼結することにより2.40ｇ／c.c.以上の
密度の焼結体を得ることができると教示されてい
るが、焼結体の性質、特に機械的強度については
何等記載が無く不明であつた。 本発明者等は先に、焼結助剤としてのホウ素と
炭素が炭化珪素焼結体の機械的強度に及ぼす影響
について検討し、炭化後４〜６重量部の炭素とな
るコールタールピツチと0.03〜0.15重量部のホウ
素量に相当するホウ素化合物を添加することによ
り高強度炭化珪素焼結体が得られることを見出し
た。 しかし上記方法においては高密度を得るに必要
なコールタールピツチの添加量が多いため、成形
密度が低く、添加有機物の熱分解時間が長時間必
要であり、生産性に劣りかつ、寸法精度が悪くな
る欠点を有していた。 これらの欠点を克服するため、本発明者らは更
に鋭意検討を重ねた結果、少量の珪素を附加添加
することによりコールタールピツチ量を減少させ
ることが可能なことを見出し、本発明を完成する
に至つた。 すなわち本発明は、炭化珪素微粉末100重量部
に焼結助剤としてコールタールピツチ２〜10重量
部とホウ素化合物をホウ素含有量に換算して0.03
〜0.15重量部と珪素粉末0.3〜３重量部とを添加
混合し、成形した後不活性雰囲気中1900〜2300℃
の温度で焼結することを特徴とする高強度炭化珪
素焼結体の製造法を提供するにある。 以下、本発明方法を更に詳細に説明する。 本発明方法で使用する炭化珪素粉末としてはα
相、β相あるいはその混合粉末のいずれでもよ
く、その粒子径は1μ以下であることが望ましい。 本発明方法の実施に当たつて焼結助剤は炭化珪
素粉末100重量部に対し、コールタールピツチ２
〜10重量部、好ましくは３〜６重量部、ホウ素化
合物はホウ素含有量として0.03〜0.15重量部、好
ましく0.05〜0.15重量部、と珪素粉末0.3〜３重量
部、好ましくは0.5〜１重量部の範囲で添加使用
される。 炭化珪素粉末に対する珪素粉末の添加量が0.3
重量部未満の場合には粒成長抑制の効果がなく、
焼結密度が低く好ましくなく、また3.0重量部を
越える場合には珪素の融点以上で蒸発した添加珪
素が気孔を残し、機械的強度を低下させるので好
ましくない。添加する珪素は微粒であることが望
ましいが、微粒すぎると粒子表面の酸化層が多く
なるため、0.1〜10μ程度の粒径のものが使用され
る。 他方、ホウ素化合物としては焼結温度まで安定
に存在する化合物、例えばホウ素、炭化ホウ素、
窒化ホウ素、ホウ化リン等が用いられるが、その
添加量がホウ素含有量換算で0.03重量部未満の場
合には焼結密度が低下し、また0.15重量部を越え
る場合に高密度焼結体を得ることはできるもの
の、焼結体の機械的強度が低下する。 またもう一方の焼結助剤としてのコールタール
ピツチは炭化率40〜60重量％のものが使用され、
キノリン、ベンゼン等の有機溶剤に溶解するか、
水中にエマルジヨン分散させ炭化珪素粉末と均一
に混合される。炭化珪素粉末に対するコールター
ルピツチの量が２重量部未満の場合には十分な粒
成長抑制効果、表面酸化層除去の効果がなく、焼
結密度が低く、他方10重量部を越える場合には成
形密度が低下しかつ、熱分解に長時間を必要と
し、生産性が低下するので好ましくない。 本発明において上記配合となる如く構成した炭
化珪素粉末と焼結助剤はベンゼン、キノリン、ア
ントラセン等の有機溶媒或いは水を用いて均一に
混合した後、スリツプキヤステイング成形する
か、或いはそのまま乾燥させるか、スプレードラ
イ法により造粒し、プレス成形法により加圧成形
するか、或いは有機バインダーを混合し、押出成
形や射出成形等により成形体を得ればよい。 このようにして特た成形体は必要に応じて機械
加工や脱バインダーを行つた後アルゴン、ヘリウ
ム、窒素等の不活性雰囲気中で1900〜2300℃の温
度で焼結を行う。焼結温度が1900℃より低い場合
には得られる成形体の焼結密度が低く、又2300℃
を越えると炭化珪素の蒸発や結晶粒の粗大化が起
こり、機械的強度が低下し好ましくない。 本発明方法を適用することにより何故高強度で
かつ、高密度の炭化珪素焼結体を得ることができ
るか理由は詳らかではないが、コールタールピツ
チの存在は1200℃以上で焼成時に於いて炭化珪素
の粒成長を抑制し、また表面酸化層除去に著しく
優れた効果を呈し、1900℃以上での焼結温度域に
於ける炭化珪素の焼結を従来よりも少ない焼結助
剤としてのホウ素量で焼結の効果を発現せしめる
と共に、炭化珪素の粒成長時の粒子表面での炭化
珪素を構成する珪素の表面拡散、気相拡散によつ
て生じる分解、蒸発が添加した珪素の存在により
抑制され、その結果としてコールタールピツチの
量を減少せしめても焼結体の機械的強度を低下せ
しめることなく高密度成形体を得ることができ
る。 以上詳述した本発明方法によれば、炭化珪素粉
末に焼結助剤としてコールタールピツチとホウ素
化合物および少量の珪素とを併用することにより
焼結体密度が少なくとも理論密度の90％、好まし
くは95％以上、機械的強度（抗折力）50Kg／cm2以
上の高密度、高強度炭化珪素焼結体を得ることが
可能となつたもので、タービン翼、ポンプ等の工
業材料の製造方法としてその工業的価値は頗る大
なるものである。 以下実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例 １ コールタールピツチ（炭素収率45％）６ｇをキ
ノリン９ｇに溶解した後、ベンゼン200ｇを加え
十分混合を行つた。この溶液に炭化珪素含有量96
％、BET比表面積９m2／ｇのα型炭化珪素100
ｇ、1200メツシユパスの炭化ホウ素0.15ｇと平均
粒子径3μの珪素0.5ｇとを加え、プラスチツクボ
ールミルを用い３時間分散混合した。この混合物
を窒素ガスを流しながら60℃で乾燥し、解砕した
後180メツシユの篩を通し、得られた混合粉末を
冷間プレス後ゴム型に装入し、２トン／cm2の成形
圧で静水圧プレス成形を行い、50×30×４mmの成
形体を作製した。この成形体の嵩密度は1.7ｇ／
cm3であつた。 次いでこの成形体をアルゴンガスを流しながら
600℃の温度で１時間の焼成を行つた後、更にア
ルゴンガス雰囲気下2050℃の温度条件で30分間焼
結した。得られた焼結体の焼結密度は3.12ｇ／
cm3、３点曲げ強度（JIS Ｒ−1601）は60Kg／mm2で
あつた。 比較例 １ 珪素を添加しない以外は実施例１と同一条件で
成形し、焼結した焼結体の焼結密度は焼結密度は
2.85ｇ／cm3、３点曲げ強度は32Kg／mm2であつた。 実施例２〜３および比較例２〜８ 第１表に示す原料を用いた以外は実施例１と同
一条件で成形し、焼結を行つた。この時の成形密
度、焼結密度および曲げ強度を第１表に示す。 【表】
る。更に詳細には炭化珪素微粉末に焼結助剤とし
てコールタールピツチとホウ素化合物と珪素粉末
とを特定量範囲で併用し混合した後成形し、不活
性雰囲気中で焼結せしめてなる高強度の炭化珪素
焼結体の製造法に関するものである。 炭化珪素は物理的および化学的性質に優れてお
り、特に高強度でかつ、耐触性を有し、高温にお
いても室温と変わらない機械的性質を有するため
耐摩耗性材料、高温構造材料として有望視されて
いる。しかし難焼結性のため高密度に焼結するこ
とが困難であり、ホツトプレス法による焼結、焼
結助剤添加による焼結等が提案されている。 例えば特公昭57−32035号公報によればβ型炭
化珪素と0.3〜3.0重量％のホウ素に相当する量の
ホウ素含有化合物と0.1〜1.0重量％の元素状炭素
に相当する炭素源とからなるミクロン以下の粉末
の均質分散体を炭化珪素に対して化学的に不活性
な雰囲気中において1900〜2100℃の温度で焼結す
ることにより理論値の85％以上の密度の焼結体を
得ることができること、また特開昭51−148712号
公報には１〜100m2／ｇの比表面積を有するα型
炭化珪素91〜99.35重量部に25〜75重量％の炭化
率を有する炭化可能な有機溶剤可溶性の有機材料
0.67〜20重量部、0.15〜3.0重量部のホウ素を含有
するホウ素源および一時的結合剤５〜15重量部を
添加混合し焼結することにより2.40ｇ／c.c.以上の
密度の焼結体を得ることができると教示されてい
るが、焼結体の性質、特に機械的強度については
何等記載が無く不明であつた。 本発明者等は先に、焼結助剤としてのホウ素と
炭素が炭化珪素焼結体の機械的強度に及ぼす影響
について検討し、炭化後４〜６重量部の炭素とな
るコールタールピツチと0.03〜0.15重量部のホウ
素量に相当するホウ素化合物を添加することによ
り高強度炭化珪素焼結体が得られることを見出し
た。 しかし上記方法においては高密度を得るに必要
なコールタールピツチの添加量が多いため、成形
密度が低く、添加有機物の熱分解時間が長時間必
要であり、生産性に劣りかつ、寸法精度が悪くな
る欠点を有していた。 これらの欠点を克服するため、本発明者らは更
に鋭意検討を重ねた結果、少量の珪素を附加添加
することによりコールタールピツチ量を減少させ
ることが可能なことを見出し、本発明を完成する
に至つた。 すなわち本発明は、炭化珪素微粉末100重量部
に焼結助剤としてコールタールピツチ２〜10重量
部とホウ素化合物をホウ素含有量に換算して0.03
〜0.15重量部と珪素粉末0.3〜３重量部とを添加
混合し、成形した後不活性雰囲気中1900〜2300℃
の温度で焼結することを特徴とする高強度炭化珪
素焼結体の製造法を提供するにある。 以下、本発明方法を更に詳細に説明する。 本発明方法で使用する炭化珪素粉末としてはα
相、β相あるいはその混合粉末のいずれでもよ
く、その粒子径は1μ以下であることが望ましい。 本発明方法の実施に当たつて焼結助剤は炭化珪
素粉末100重量部に対し、コールタールピツチ２
〜10重量部、好ましくは３〜６重量部、ホウ素化
合物はホウ素含有量として0.03〜0.15重量部、好
ましく0.05〜0.15重量部、と珪素粉末0.3〜３重量
部、好ましくは0.5〜１重量部の範囲で添加使用
される。 炭化珪素粉末に対する珪素粉末の添加量が0.3
重量部未満の場合には粒成長抑制の効果がなく、
焼結密度が低く好ましくなく、また3.0重量部を
越える場合には珪素の融点以上で蒸発した添加珪
素が気孔を残し、機械的強度を低下させるので好
ましくない。添加する珪素は微粒であることが望
ましいが、微粒すぎると粒子表面の酸化層が多く
なるため、0.1〜10μ程度の粒径のものが使用され
る。 他方、ホウ素化合物としては焼結温度まで安定
に存在する化合物、例えばホウ素、炭化ホウ素、
窒化ホウ素、ホウ化リン等が用いられるが、その
添加量がホウ素含有量換算で0.03重量部未満の場
合には焼結密度が低下し、また0.15重量部を越え
る場合に高密度焼結体を得ることはできるもの
の、焼結体の機械的強度が低下する。 またもう一方の焼結助剤としてのコールタール
ピツチは炭化率40〜60重量％のものが使用され、
キノリン、ベンゼン等の有機溶剤に溶解するか、
水中にエマルジヨン分散させ炭化珪素粉末と均一
に混合される。炭化珪素粉末に対するコールター
ルピツチの量が２重量部未満の場合には十分な粒
成長抑制効果、表面酸化層除去の効果がなく、焼
結密度が低く、他方10重量部を越える場合には成
形密度が低下しかつ、熱分解に長時間を必要と
し、生産性が低下するので好ましくない。 本発明において上記配合となる如く構成した炭
化珪素粉末と焼結助剤はベンゼン、キノリン、ア
ントラセン等の有機溶媒或いは水を用いて均一に
混合した後、スリツプキヤステイング成形する
か、或いはそのまま乾燥させるか、スプレードラ
イ法により造粒し、プレス成形法により加圧成形
するか、或いは有機バインダーを混合し、押出成
形や射出成形等により成形体を得ればよい。 このようにして特た成形体は必要に応じて機械
加工や脱バインダーを行つた後アルゴン、ヘリウ
ム、窒素等の不活性雰囲気中で1900〜2300℃の温
度で焼結を行う。焼結温度が1900℃より低い場合
には得られる成形体の焼結密度が低く、又2300℃
を越えると炭化珪素の蒸発や結晶粒の粗大化が起
こり、機械的強度が低下し好ましくない。 本発明方法を適用することにより何故高強度で
かつ、高密度の炭化珪素焼結体を得ることができ
るか理由は詳らかではないが、コールタールピツ
チの存在は1200℃以上で焼成時に於いて炭化珪素
の粒成長を抑制し、また表面酸化層除去に著しく
優れた効果を呈し、1900℃以上での焼結温度域に
於ける炭化珪素の焼結を従来よりも少ない焼結助
剤としてのホウ素量で焼結の効果を発現せしめる
と共に、炭化珪素の粒成長時の粒子表面での炭化
珪素を構成する珪素の表面拡散、気相拡散によつ
て生じる分解、蒸発が添加した珪素の存在により
抑制され、その結果としてコールタールピツチの
量を減少せしめても焼結体の機械的強度を低下せ
しめることなく高密度成形体を得ることができ
る。 以上詳述した本発明方法によれば、炭化珪素粉
末に焼結助剤としてコールタールピツチとホウ素
化合物および少量の珪素とを併用することにより
焼結体密度が少なくとも理論密度の90％、好まし
くは95％以上、機械的強度（抗折力）50Kg／cm2以
上の高密度、高強度炭化珪素焼結体を得ることが
可能となつたもので、タービン翼、ポンプ等の工
業材料の製造方法としてその工業的価値は頗る大
なるものである。 以下実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例 １ コールタールピツチ（炭素収率45％）６ｇをキ
ノリン９ｇに溶解した後、ベンゼン200ｇを加え
十分混合を行つた。この溶液に炭化珪素含有量96
％、BET比表面積９m2／ｇのα型炭化珪素100
ｇ、1200メツシユパスの炭化ホウ素0.15ｇと平均
粒子径3μの珪素0.5ｇとを加え、プラスチツクボ
ールミルを用い３時間分散混合した。この混合物
を窒素ガスを流しながら60℃で乾燥し、解砕した
後180メツシユの篩を通し、得られた混合粉末を
冷間プレス後ゴム型に装入し、２トン／cm2の成形
圧で静水圧プレス成形を行い、50×30×４mmの成
形体を作製した。この成形体の嵩密度は1.7ｇ／
cm3であつた。 次いでこの成形体をアルゴンガスを流しながら
600℃の温度で１時間の焼成を行つた後、更にア
ルゴンガス雰囲気下2050℃の温度条件で30分間焼
結した。得られた焼結体の焼結密度は3.12ｇ／
cm3、３点曲げ強度（JIS Ｒ−1601）は60Kg／mm2で
あつた。 比較例 １ 珪素を添加しない以外は実施例１と同一条件で
成形し、焼結した焼結体の焼結密度は焼結密度は
2.85ｇ／cm3、３点曲げ強度は32Kg／mm2であつた。 実施例２〜３および比較例２〜８ 第１表に示す原料を用いた以外は実施例１と同
一条件で成形し、焼結を行つた。この時の成形密
度、焼結密度および曲げ強度を第１表に示す。 【表】
Claims (1)
- １ 炭化珪素微粉末100重量部に焼結助剤として
コールタールピツチ２〜10重量部とホウ素化合物
をホウ素含有量に換算して0.03〜0.15重量部と珪
素粉末0.3〜３重量部とを添加混合し、成形した
後不活性雰囲気中1900〜2300℃の温度で焼結する
ことを特徴とする高強度炭化珪素焼結体の製造
法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074228A JPS60221365A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 高強度炭化珪素焼結体の製造法 |
| US06/721,663 US4562040A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-09 | Method for manufacturing high-strength sintered silicon carbide articles |
| AU41220/85A AU570788B2 (en) | 1984-04-13 | 1985-04-12 | High strength sintered silicon carbide article |
| CA000479029A CA1237876A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-12 | Method for manufacturing high-strength sintered silicon carbide articles |
| DE8585302633T DE3571802D1 (en) | 1984-04-13 | 1985-04-15 | Method manufacturing high-strength sintered silicon carbide articles |
| EP85302633A EP0159186B1 (en) | 1984-04-13 | 1985-04-15 | Method manufacturing high-strength sintered silicon carbide articles |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074228A JPS60221365A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 高強度炭化珪素焼結体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221365A JPS60221365A (ja) | 1985-11-06 |
| JPH0251863B2 true JPH0251863B2 (ja) | 1990-11-08 |
Family
ID=13541103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074228A Granted JPS60221365A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 高強度炭化珪素焼結体の製造法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4562040A (ja) |
| EP (1) | EP0159186B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60221365A (ja) |
| AU (1) | AU570788B2 (ja) |
| CA (1) | CA1237876A (ja) |
| DE (1) | DE3571802D1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4698481A (en) * | 1985-04-01 | 1987-10-06 | Kennecott Corporation | Method for preventing decomposition of silicon carbide articles during high temperature plasma furnace sintering |
| US4626406A (en) * | 1985-10-28 | 1986-12-02 | Inco Alloys International, Inc. | Activated sintering of metallic powders |
| DE3540254A1 (de) * | 1985-11-13 | 1987-05-21 | Mtu Muenchen Gmbh | Verfahren zur herstellung von siliziumkarbidkoerpern |
| JPH089504B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1996-01-31 | 住友化学工業株式会社 | 高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
| FR2645771B1 (fr) * | 1989-04-17 | 1991-06-14 | Air Liquide | Procede de restructuration d'un ensemble de poudres fines |
| GB2243160B (en) * | 1990-02-13 | 1994-08-10 | Honda Motor Co Ltd | A method of producing a moulded article |
| US5067999A (en) * | 1990-08-10 | 1991-11-26 | General Atomics | Method for providing a silicon carbide matrix in carbon-fiber reinforced composites |
| US5296311A (en) * | 1992-03-17 | 1994-03-22 | The Carborundum Company | Silicon carbide reinforced reaction bonded silicon carbide composite |
| US5752155A (en) * | 1996-10-21 | 1998-05-12 | Kennametal Inc. | Green honed cutting insert and method of making the same |
| US6576038B1 (en) * | 1998-05-22 | 2003-06-10 | Cabot Corporation | Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties |
| FR2857009A1 (fr) * | 2003-04-16 | 2005-01-07 | Sicat | Materiau ceramique a base de carbure de silicium pour utilisation dans des milieux agressifs |
| FR2857008B1 (fr) * | 2003-04-16 | 2006-05-19 | Sicat | Materiau ceramique a base de carbure de silicium pour utilisation dans des milieux agressifs |
| WO2011059041A1 (ja) * | 2009-11-12 | 2011-05-19 | 信越化学工業株式会社 | 炭化ケイ素粉末組成物及びそれを用いる炭化ケイ素成形体の製造方法 |
| CN106966732B (zh) * | 2017-03-09 | 2021-03-23 | 平顶山学院 | 一种细粉碳化硅陶瓷及其制备方法 |
| CN112536885A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-03-23 | 山田研磨材料有限公司 | 一种碳化硅异形梁的成型工艺 |
| CN113024255B (zh) * | 2021-03-31 | 2022-07-29 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种碳碳化硅复合粉末及其制备方法和用途 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57179076A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-04 | Hitachi Chemical Co Ltd | High density low electric specific resistance heat impact resistance silicon carbide sintered body and manufacture |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4312954A (en) * | 1975-06-05 | 1982-01-26 | Kennecott Corporation | Sintered silicon carbide ceramic body |
| GB1568403A (en) * | 1976-03-20 | 1980-05-29 | Lucas Industries Ltd | Method of producing a sintered composition |
| DE2809278A1 (de) * | 1978-03-03 | 1979-09-06 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Dichte polykristalline formkoerper aus alpha-siliciumcarbid und verfahren zu ihrer herstellung durch drucklose sinterung |
| US4179299A (en) * | 1978-05-01 | 1979-12-18 | The Carborundum Company | Sintered alpha silicon carbide ceramic body having equiaxed microstructure |
| US4346049A (en) * | 1978-05-01 | 1982-08-24 | Kennecott Corporation | Sintered alpha silicon carbide ceramic body having equiaxed microstructure |
| JPS5852528B2 (ja) * | 1979-04-10 | 1983-11-24 | 葛城産業株式会社 | 金属の多孔質焼結板状体およびその製造法 |
| JPS5823344B2 (ja) * | 1980-01-16 | 1983-05-14 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 炭化珪素焼結体の製造法 |
| DE3044162A1 (de) * | 1980-11-24 | 1982-06-03 | Annawerk Keramische Betriebe GmbH, 8633 Rödental | Polykristalliner formkoerper aus siliziumkarbid und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3044161A1 (de) * | 1980-11-24 | 1982-06-03 | Annawerk Keramische Betriebe GmbH, 8633 Rödental | Verfahren zur herstellung eines polykristallinen formkoerpers aus siliziumkarbid |
| JPS5918164A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-30 | 東京窯業株式会社 | 結晶結合炭化珪素質成形体の製造方法 |
| JPS6036375A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-25 | 住友化学工業株式会社 | セラミツク製内燃機関部品の製造方法 |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP59074228A patent/JPS60221365A/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-09 US US06/721,663 patent/US4562040A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-04-12 CA CA000479029A patent/CA1237876A/en not_active Expired
- 1985-04-12 AU AU41220/85A patent/AU570788B2/en not_active Ceased
- 1985-04-15 DE DE8585302633T patent/DE3571802D1/de not_active Expired
- 1985-04-15 EP EP85302633A patent/EP0159186B1/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57179076A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-04 | Hitachi Chemical Co Ltd | High density low electric specific resistance heat impact resistance silicon carbide sintered body and manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1237876A (en) | 1988-06-14 |
| AU4122085A (en) | 1985-10-17 |
| JPS60221365A (ja) | 1985-11-06 |
| AU570788B2 (en) | 1988-03-24 |
| DE3571802D1 (en) | 1989-08-31 |
| EP0159186A3 (en) | 1986-01-15 |
| US4562040A (en) | 1985-12-31 |
| EP0159186A2 (en) | 1985-10-23 |
| EP0159186B1 (en) | 1989-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4692418A (en) | Sintered silicon carbide/carbon composite ceramic body having fine microstructure | |
| US4525461A (en) | Sintered silicon carbide/graphite/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure | |
| JPH0251863B2 (ja) | ||
| IE43834B1 (en) | Sintered silicon carbide ceramic body | |
| JPS6363513B2 (ja) | ||
| EP2456733A2 (en) | Methods of forming sintered boron carbide | |
| EP0178753B1 (en) | Process for producing a sintered silicon carbide/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure | |
| JPS60200861A (ja) | 高強度炭化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPS62158166A (ja) | 窒化珪素混合粉末の製造法 | |
| JPS6360159A (ja) | 高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| JPS6152106B2 (ja) | ||
| JPS632913B2 (ja) | ||
| JPS638069B2 (ja) | ||
| JPS6212663A (ja) | Ｂ４ｃ質複合体およびその製造方法 | |
| JPS6034515B2 (ja) | 炭化珪素質セラミックス焼結体の製造法 | |
| JPS589785B2 (ja) | 炭化珪素焼結体の製造法 | |
| JPH0253388B2 (ja) | ||
| JPS6212664A (ja) | Ｂ↓４ｃ質複合体の焼結方法 | |
| JPS63392B2 (ja) | ||
| JPS61256977A (ja) | 高強度炭化珪素焼結体の製造法 | |
| JPH06279124A (ja) | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| JPS5848503B2 (ja) | シリコンカ−バイドシヨウケツセイケイタイノセイゾウホウホウ | |
| JPH0625038B2 (ja) | 耐摩耗性炭化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPS5915112B2 (ja) | 高密度炭化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPS6227030B2 (ja) |