JP6150299B2 - マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6150299B2 JP6150299B2 JP2014070685A JP2014070685A JP6150299B2 JP 6150299 B2 JP6150299 B2 JP 6150299B2 JP 2014070685 A JP2014070685 A JP 2014070685A JP 2014070685 A JP2014070685 A JP 2014070685A JP 6150299 B2 JP6150299 B2 JP 6150299B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- pattern
- mask
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 128
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 60
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 49
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 48
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 43
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 34
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 17
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 437
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 200
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- JMOHEPRYPIIZQU-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(2+) Chemical compound [O-2].[Ta+2] JMOHEPRYPIIZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本発明は、半導体装置の製造に用いられる転写用マスクの製造方法、該転写用マスクの製造に用いられるマスクブランクに関するものである。
一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィー法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚もの転写用マスク（通常、フォトマスクとも呼ばれている）が使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる遮光性の微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィー法が用いられている。
この転写用マスクは同じ微細パターンを大量に転写するための原版となるため、転写用マスク上に形成されたパターンの寸法精度は、作製される微細パターンの寸法精度に直接影響する。半導体回路の集積度が向上するにつれ、パターンの寸法は小さくなり、転写用マスクの精度もより高いものが要求されている。
従来より、このような転写用マスクとしては、ガラス基板等の透光性基板上に、遮光膜からなる転写パターンが形成されたバイナリマスクや、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜からなる転写パターンが形成された位相シフト型マスクなどがよく知られている。また、転写パターン形成領域の周辺部に遮光帯が形成されているハーフトーン型位相シフトマスクも知られている。
たとえば下記特許文献１には、 ハーフトーン型転写用マスク製造用のマスクブランクとして、基板側から金属シリサイド系の転写用マスク膜（光半透過膜）、クロム系化合物からなる遮光膜及びケイ素化合物からなるハードマスク膜の薄膜構成を有するマスクブランクが開示されている。
特許文献１に開示されているようなマスクブランクをパターニングする場合、まず、マスクブランクの表面に形成した所定のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスによるドライエッチングにより、ケイ素化合物からなるハードマスク膜をパターニングする。次に、パターニングされたハードマスク膜をマスクとして、塩素と酸素の混合ガスによるドライエッチングにより、クロム系化合物からなる遮光膜をパターニングする。続いて、パターニングされた遮光膜をマスクとして、フッ素系ガスによるドライエッチングにより、金属シリサイド系の転写用マスク膜（光半透過膜）をパターニングする。
ところで、上記のクロム系遮光膜は、組成に含まれるクロム元素の割合が多ければ、消衰係数が高くなるので膜厚を薄くしても高い光学濃度が得られる点で有利であるが、クロム元素の割合が高いほどエッチングレートが遅くなりパターニングに時間を要するので、遮光膜のパターニングが完了する前に上層のハードマスク膜のパターンが消失してしまうおそれがある。
一方、組成に含まれるクロム元素の割合が少なければ、エッチングレートは速くなるが、消衰係数が低くなるので所定の光学濃度を得るためには膜厚を厚くする必要がある。また、クロム系遮光膜のドライエッチングに用いる塩素と酸素の混合ガスは等方性エッチングの性質を有するため、クロム成分が少なくエッチングレートが速くて膜厚が厚ければパターンの側壁もエッチングガスによって侵食されてしまい、パターンの断面がえぐれた形状になるという問題もある。例えば寸法が８０ｎｍ以上のパターンであれば、遮光膜のエッチングによって遮光膜パターンの断面がえぐれた形状になったとしても、形成された遮光膜パターンの高さに対して遮光膜パターンとその直下の転写用マスク膜（光半透過膜）との接触面積が稼げるので遮光膜パターンが倒れてしまう危険性はほとんどないが、寸法が５０ｎｍ以下のＳＲＡＦ(Sub Resolution Assist Features)パターンの場合に、上記と同程度のえぐれ現象が生じると、遮光膜パターンの高さに対して遮光膜パターンと転写用マスク膜（光半透過膜）との接触面積が狭くなりすぎてしまい、遮光膜パターンが倒れてしまうことがある。遮光膜パターンの倒れが生じると、該遮光膜パターンをマスクとした転写用マスク膜（光半透過膜）のパターニングが困難になる。
また、遮光膜パターンの断面のえぐれの程度が大きいと、上層のハードマスク膜パターンよりも遮光膜パターンの寸法が細くなり、たとえ遮光膜パターンの倒れが生じないとしても、この遮光膜パターンをマスクとしてパターニングして形成される転写用マスク膜のパターン精度が劣化する。
以上のように、従来構成のマスクブランクを用いて、例えばＳＲＡＦパターンのような微細なパターンを転写用マスク膜に形成しようとする場合、高いパターン精度を得ることが困難である。
以上のように、従来構成のマスクブランクを用いて、例えばＳＲＡＦパターンのような微細なパターンを転写用マスク膜に形成しようとする場合、高いパターン精度を得ることが困難である。
そこで、本発明は、このような従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、第１に、ＳＲＡＦパターンのような微細な転写パターンであっても高精度で形成することができるマスクブランクを提供することであり、第２に、このようなマスクブランクを用いて、微細パターンが高精度で形成された転写用マスクの製造方法を提供することであり、第３に、かかる転写用マスクを用いて、パターン精度の優れた高品質の半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明者は、透光性基板上に、光半透過膜、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層された構造を有するマスクブランクにおいて、上記遮光膜を所定の積層構造とし、遮光膜の各層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートに着目して鋭意検討した結果、得られた知見に基づき本発明を完成した。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
透光性基板上に、光半透過膜、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層された構造を有するマスクブランクであって、前記光半透過膜は、少なくともケイ素を含有しており、前記ハードマスク膜は、少なくともケイ素とタンタルのいずれか一方または両方を含有しており、前記遮光膜は、下層、中間層及び上層の積層構造であって、クロムを含有しており、前記遮光膜における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層が最も遅く、次いで前記下層が遅い、ことを特徴とするマスクブランク。
構成１によれば、ハードマスク膜の直下にあるクロムを含有する遮光膜の上層は、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートが遮光膜の中で最も遅いため、エッチング中のサイドエッチが生じにくい（パターンの側壁が侵食されにくい）。遮光膜の上層のサイドエッチが生じにくいことで、遮光膜の上層には、直上のハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写される。ハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写された上層を遮光膜が有することで、遮光膜のパターンをマスクとしてパターニングされるケイ素含有の光半透過膜にも、ハードマスク膜のパターンをほぼ正確に形成することができる。
透光性基板上に、光半透過膜、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層された構造を有するマスクブランクであって、前記光半透過膜は、少なくともケイ素を含有しており、前記ハードマスク膜は、少なくともケイ素とタンタルのいずれか一方または両方を含有しており、前記遮光膜は、下層、中間層及び上層の積層構造であって、クロムを含有しており、前記遮光膜における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層が最も遅く、次いで前記下層が遅い、ことを特徴とするマスクブランク。
構成１によれば、ハードマスク膜の直下にあるクロムを含有する遮光膜の上層は、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートが遮光膜の中で最も遅いため、エッチング中のサイドエッチが生じにくい（パターンの側壁が侵食されにくい）。遮光膜の上層のサイドエッチが生じにくいことで、遮光膜の上層には、直上のハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写される。ハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写された上層を遮光膜が有することで、遮光膜のパターンをマスクとしてパターニングされるケイ素含有の光半透過膜にも、ハードマスク膜のパターンをほぼ正確に形成することができる。
また、構成１では、遮光膜の中間層のエッチングレートが最も速い膜設計となるため、遮光膜全体としてのエッチングレートを速くすることができる。
また、上層に次いでエッチングレートの遅い下層は、中間層よりもエッチングレートが遅いため、中間層よりもサイドエッチが生じにくい（パターンの側壁が侵食されにくい）。このため、下層のエッチング過程ではサイドエッチによる側壁の過度な侵食が抑制されるため、遮光膜パターンと光半透過膜との接触面積を遮光膜の下層で確保することができる。その結果、たとえば寸法が５０ｎｍ以下のパターンを形成する場合も、遮光膜パターンが倒れてしまうことはない。
以上のように、構成１によれば、ＳＲＡＦパターンのような微細な転写パターンであっても、本発明のマスクブランクの転写用マスク膜となる光半透過膜に高精度で形成することができ、結果、パターン精度に優れた転写用マスクを製造することができる。
また、上層に次いでエッチングレートの遅い下層は、中間層よりもエッチングレートが遅いため、中間層よりもサイドエッチが生じにくい（パターンの側壁が侵食されにくい）。このため、下層のエッチング過程ではサイドエッチによる側壁の過度な侵食が抑制されるため、遮光膜パターンと光半透過膜との接触面積を遮光膜の下層で確保することができる。その結果、たとえば寸法が５０ｎｍ以下のパターンを形成する場合も、遮光膜パターンが倒れてしまうことはない。
以上のように、構成１によれば、ＳＲＡＦパターンのような微細な転写パターンであっても、本発明のマスクブランクの転写用マスク膜となる光半透過膜に高精度で形成することができ、結果、パターン精度に優れた転写用マスクを製造することができる。
（構成２）
前記遮光膜において、クロムの含有量は、前記上層が最も多く、前記下層が次に多い、ことを特徴とする構成1に記載のマスクブランク。
構成２のように、遮光膜の上層部分にクロムの含有量が最も多い領域を有することで、上層が、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートが遮光膜の中で最も遅くなり、上記のとおり、遮光膜の上層には、直上のハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写されるため、最終的にはパターン形状に優れた転写用マスクを製造することができる。また、下層は、上層に次いでクロムの含有量が多いため、遮光膜とは異なる膜質の光半透過膜との密着性も良くなるので、遮光膜パターンの倒れをより効果的に抑制することができる。なお、中間層は、クロムの含有量が最も少ないため、エッチング時にパターンの側壁部分の侵食はあるものの、このような中間層を有することで遮光膜全体としてのエッチングレートを速めることができる。
前記遮光膜において、クロムの含有量は、前記上層が最も多く、前記下層が次に多い、ことを特徴とする構成1に記載のマスクブランク。
構成２のように、遮光膜の上層部分にクロムの含有量が最も多い領域を有することで、上層が、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートが遮光膜の中で最も遅くなり、上記のとおり、遮光膜の上層には、直上のハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写されるため、最終的にはパターン形状に優れた転写用マスクを製造することができる。また、下層は、上層に次いでクロムの含有量が多いため、遮光膜とは異なる膜質の光半透過膜との密着性も良くなるので、遮光膜パターンの倒れをより効果的に抑制することができる。なお、中間層は、クロムの含有量が最も少ないため、エッチング時にパターンの側壁部分の侵食はあるものの、このような中間層を有することで遮光膜全体としてのエッチングレートを速めることができる。
（構成３）
前記遮光膜にはさらに酸素が含まれており、酸素の含有量は、前記中間層よりも前記下層のほうが少ないことを特徴とする構成１又は２に記載のマスクブランク。
構成３のように、遮光膜中の酸素の含有量は、中間層よりも下層のほうが少ないことにより、中間層の酸素含有量が最も多くなるため、中間層のエッチングレートがより速くなる。このため、遮光膜全体のエッチングレートを速く保つことができる。また、下層に含まれる酸素含有量が中間層よりも少ないことで、中間層から下層にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが遅くなるが、下層におけるパターンのサイドエッチの進行も遅くなるため、下層でパターンの幅方向の寸法が保たれ、結果、遮光膜のパターンと光半透過膜との接触面積を保つことができる。さらに、下層の酸素含有量が相対的に少ないことによって遮光膜パターンと光半透過膜との密着性をより高める効果も得られる。
前記遮光膜にはさらに酸素が含まれており、酸素の含有量は、前記中間層よりも前記下層のほうが少ないことを特徴とする構成１又は２に記載のマスクブランク。
構成３のように、遮光膜中の酸素の含有量は、中間層よりも下層のほうが少ないことにより、中間層の酸素含有量が最も多くなるため、中間層のエッチングレートがより速くなる。このため、遮光膜全体のエッチングレートを速く保つことができる。また、下層に含まれる酸素含有量が中間層よりも少ないことで、中間層から下層にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが遅くなるが、下層におけるパターンのサイドエッチの進行も遅くなるため、下層でパターンの幅方向の寸法が保たれ、結果、遮光膜のパターンと光半透過膜との接触面積を保つことができる。さらに、下層の酸素含有量が相対的に少ないことによって遮光膜パターンと光半透過膜との密着性をより高める効果も得られる。
（構成４）
前記上層は、クロムの含有量が６０原子％以上であることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載のマスクブランク。
構成４のように、遮光膜の上層のクロム含有量が６０原子％以上であることにより、上層によって遮光膜全体の光学濃度を高められるとともに、上層におけるドライエッチングのエッチングレートが遅くなり、上層部分でのサイドエッチが抑制されるので、直上のハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写され、最終的にはパターン形状に優れた転写用マスクを製造することができる。
前記上層は、クロムの含有量が６０原子％以上であることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載のマスクブランク。
構成４のように、遮光膜の上層のクロム含有量が６０原子％以上であることにより、上層によって遮光膜全体の光学濃度を高められるとともに、上層におけるドライエッチングのエッチングレートが遅くなり、上層部分でのサイドエッチが抑制されるので、直上のハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写され、最終的にはパターン形状に優れた転写用マスクを製造することができる。
（構成５）
前記上層は、厚さが３ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載のマスクブランク。
構成５のように、遮光膜の上層の厚さを３ｎｍ以上８ｎｍ以下の範囲とすることにより、上層のエッチング時間を好適に抑制しつつ、上層でのパターニング精度を良好に維持することができる。
前記上層は、厚さが３ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載のマスクブランク。
構成５のように、遮光膜の上層の厚さを３ｎｍ以上８ｎｍ以下の範囲とすることにより、上層のエッチング時間を好適に抑制しつつ、上層でのパターニング精度を良好に維持することができる。
（構成６）
前記中間層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートの３倍以上であることを特徴とする構成１乃至５のいずれかに記載のマスクブランク。
構成６にあるように、中間層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートが、上層におけるエッチングレートの３倍以上であることにより、上層から中間層にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが速まり、上層でのサイドエッチの進行を抑制しつつ中間層の深さ方向のエッチングを完結することができる。
前記中間層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートの３倍以上であることを特徴とする構成１乃至５のいずれかに記載のマスクブランク。
構成６にあるように、中間層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートが、上層におけるエッチングレートの３倍以上であることにより、上層から中間層にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが速まり、上層でのサイドエッチの進行を抑制しつつ中間層の深さ方向のエッチングを完結することができる。
（構成７）
前記中間層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートの２倍以下であることを特徴とする構成１乃至６のいずれかに記載のマスクブランク。
構成１のように中間層から下層にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが遅くなるが、構成７にあるように、中間層におけるエッチングレートが下層におけるエッチングレートの２倍以下であることにより、下層のエッチング時に、中間層のサイドエッチがより進行する前に下層のエッチング及び必要なオーバーエッチングが完了するため、とくにパターン側壁の中間層と下層との界面での段差形成を抑制することができる。
前記中間層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートの２倍以下であることを特徴とする構成１乃至６のいずれかに記載のマスクブランク。
構成１のように中間層から下層にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが遅くなるが、構成７にあるように、中間層におけるエッチングレートが下層におけるエッチングレートの２倍以下であることにより、下層のエッチング時に、中間層のサイドエッチがより進行する前に下層のエッチング及び必要なオーバーエッチングが完了するため、とくにパターン側壁の中間層と下層との界面での段差形成を抑制することができる。
（構成８）
前記ハードマスク膜は、さらに酸素を含有することを特徴とする構成１乃至７のいずれかに記載のマスクブランク。
ハードマスク膜は、直下の遮光膜とエッチング選択性の高い素材であることが必要であるが、構成８にあるように、ハードマスク膜にケイ素やタンタルの酸化物等を含有する素材を選択することにより、クロム系の素材からなる遮光膜との高いエッチング選択性を確保することができ、レジストの薄膜化のみならずハードマスク膜の膜厚も薄くすることが可能である。したがって、マスクブランク表面に形成されたレジストパターンの転写精度が向上する。
前記ハードマスク膜は、さらに酸素を含有することを特徴とする構成１乃至７のいずれかに記載のマスクブランク。
ハードマスク膜は、直下の遮光膜とエッチング選択性の高い素材であることが必要であるが、構成８にあるように、ハードマスク膜にケイ素やタンタルの酸化物等を含有する素材を選択することにより、クロム系の素材からなる遮光膜との高いエッチング選択性を確保することができ、レジストの薄膜化のみならずハードマスク膜の膜厚も薄くすることが可能である。したがって、マスクブランク表面に形成されたレジストパターンの転写精度が向上する。
（構成９）
前記光半透過膜は、ケイ素と窒素を含有することを特徴とする構成１乃至８のいずれかに記載のマスクブランク。
構成９にあるように、光半透過膜にケイ素と窒素を含有する素材を適用することで、クロム系の遮光膜とのエッチング選択性を確保することができる。また、ケイ素と窒素を含有する素材であれば、エッチングガスとして異方性のフッ素系ガスを使用したパターニングを適用することができる。したがって、ハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写された遮光膜パターンをマスクとすることによって光半透過膜にもパターン精度に優れたパターンを形成することができる。
前記光半透過膜は、ケイ素と窒素を含有することを特徴とする構成１乃至８のいずれかに記載のマスクブランク。
構成９にあるように、光半透過膜にケイ素と窒素を含有する素材を適用することで、クロム系の遮光膜とのエッチング選択性を確保することができる。また、ケイ素と窒素を含有する素材であれば、エッチングガスとして異方性のフッ素系ガスを使用したパターニングを適用することができる。したがって、ハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写された遮光膜パターンをマスクとすることによって光半透過膜にもパターン精度に優れたパターンを形成することができる。
（構成１０）
前記光半透過膜と前記遮光膜の積層構造におけるＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）に対する透過率が０．２％以下であり、かつ、８００〜９００ｎｍの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が５０％以下であることを特徴とする構成１乃至９のいずれかに記載のマスクブランク。
波長８００〜９００ｎｍの近赤外領域の光はレジストを感光しないため、露光機にマスクブランクを配置する場合の位置決めに使用される光である。構成１０にあるように、光半透過膜と遮光膜の積層構造におけるＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）に対する透過率が０．２％以下であり、かつ、８００〜９００ｎｍの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が５０％以下であることによって、露光光のＡｒＦエキシマレーザーに対する良好な遮光性を備え、かつ、露光機へのマスクブランクの配置が容易になるため好ましい。
前記光半透過膜と前記遮光膜の積層構造におけるＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）に対する透過率が０．２％以下であり、かつ、８００〜９００ｎｍの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が５０％以下であることを特徴とする構成１乃至９のいずれかに記載のマスクブランク。
波長８００〜９００ｎｍの近赤外領域の光はレジストを感光しないため、露光機にマスクブランクを配置する場合の位置決めに使用される光である。構成１０にあるように、光半透過膜と遮光膜の積層構造におけるＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）に対する透過率が０．２％以下であり、かつ、８００〜９００ｎｍの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が５０％以下であることによって、露光光のＡｒＦエキシマレーザーに対する良好な遮光性を備え、かつ、露光機へのマスクブランクの配置が容易になるため好ましい。
（構成１１）
前記ハードマスク膜および光半透過膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによってパターニングされることを特徴とする構成１乃至１０のいずれかに記載のマスクブランク。
構成１１によれば、ハードマスク膜および光半透過膜は、異方性のフッ素系ガスを用いたドライエッチングによってパターニングされるので、遮光膜の上層に直上のハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写されることと相俟って、該遮光膜をマスクとするパターニングにより光半透過膜にパターン形状精度に優れた転写パターンを形成することができる。
前記ハードマスク膜および光半透過膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによってパターニングされることを特徴とする構成１乃至１０のいずれかに記載のマスクブランク。
構成１１によれば、ハードマスク膜および光半透過膜は、異方性のフッ素系ガスを用いたドライエッチングによってパターニングされるので、遮光膜の上層に直上のハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写されることと相俟って、該遮光膜をマスクとするパターニングにより光半透過膜にパターン形状精度に優れた転写パターンを形成することができる。
（構成１２）
構成１乃至１１のいずれかに記載のマスクブランクを用いる転写用マスクの製造方法であって、前記ハードマスク膜上に形成された光半透過膜のパターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、前記光半透過膜のパターンが形成されたハードマスク膜をマスクとし、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、前記光半透過膜のパターンが形成された遮光膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記光半透過膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、前記遮光膜上に形成された遮光パターンを有するレジスト膜をマスクとし、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に遮光パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
構成１２にあるように、本発明に係るマスクブランクを用いて上記製造工程により転写用マスクを製造することによって、ＳＲＡＦパターンのような微細パターンが高精度で形成された転写用マスクを得ることができる。
構成１乃至１１のいずれかに記載のマスクブランクを用いる転写用マスクの製造方法であって、前記ハードマスク膜上に形成された光半透過膜のパターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、前記光半透過膜のパターンが形成されたハードマスク膜をマスクとし、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、前記光半透過膜のパターンが形成された遮光膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記光半透過膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、前記遮光膜上に形成された遮光パターンを有するレジスト膜をマスクとし、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に遮光パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
構成１２にあるように、本発明に係るマスクブランクを用いて上記製造工程により転写用マスクを製造することによって、ＳＲＡＦパターンのような微細パターンが高精度で形成された転写用マスクを得ることができる。
（構成１３）
構成１１に記載の転写用マスクの製造方法により製造された転写用マスクを用い、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
構成１３にあるように、上記の微細パターンが高精度で形成された転写用マスクを用いて、パターン精度の優れた高品質の半導体装置を得ることができる。
構成１１に記載の転写用マスクの製造方法により製造された転写用マスクを用い、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
構成１３にあるように、上記の微細パターンが高精度で形成された転写用マスクを用いて、パターン精度の優れた高品質の半導体装置を得ることができる。
本発明のマスクブランクによれば、ＳＲＡＦパターンのような微細な転写パターンであっても高精度で形成することができる。すなわち、本発明のマスクブランクによれば、遮光膜の上層のエッチングレートが最も遅く上層パターンのサイドエッチが少ないため、レジスト膜ないしはハードマスク膜に形成された転写パターン形状がほぼ正確に転写された遮光膜パターンを形成することができるので、該遮光膜パターンをマスクとして、光半透過膜に形成するパターン精度を高くすることができる。また、遮光膜の下層のエッチングレートが上層に次いで遅く、中間層と比較しても遅く、下層パターンのサイドエッチを少なくできるので、遮光膜パターンと光半透過膜との十分な接触面積を確保でき、良好な密着性を得ることができる。したがってＳＲＡＦパターンのような微細なパターンを形成しても、遮光膜パターンが倒れないので、光半透過膜のパターンも高精度で形成することができる。
また、このような本発明のマスクブランクを用いることにより、微細パターンが高精度で形成された転写用マスクを製造することができる。
さらに、かかる転写用マスクを用いて、パターン精度の優れた高品質の半導体装置を製造することができる。
また、このような本発明のマスクブランクを用いることにより、微細パターンが高精度で形成された転写用マスクを製造することができる。
さらに、かかる転写用マスクを用いて、パターン精度の優れた高品質の半導体装置を製造することができる。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら詳述する。
前述のように、本発明者は、透光性基板上に、光半透過膜、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層された構造を有するマスクブランクにおいて、上記遮光膜を所定の積層構造とし、遮光膜の各層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートに着目して鋭意検討した結果、以下の構成を有する本発明によって前記の課題を解決できることを見出したものである。
前述のように、本発明者は、透光性基板上に、光半透過膜、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層された構造を有するマスクブランクにおいて、上記遮光膜を所定の積層構造とし、遮光膜の各層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートに着目して鋭意検討した結果、以下の構成を有する本発明によって前記の課題を解決できることを見出したものである。
すなわち、本発明は、上記構成１にあるとおり、透光性基板上に、光半透過膜、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層された構造を有するマスクブランクであって、前記光半透過膜は、少なくともケイ素を含有しており、前記ハードマスク膜は、少なくともケイ素とタンタルのいずれか一方または両方を含有しており、前記遮光膜は、下層、中間層及び上層の積層構造であって、クロムを含有しており、前記遮光膜における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層が最も遅く、次いで前記下層が遅い、ことを特徴とするマスクブランクである。
図１は、本発明に係るマスクブランクの一実施の形態を示す断面概略図である。
図１にあるとおり、本発明に係るマスクブランクの一実施の形態１０は、透光性基板１上に、光半透過膜２、遮光膜３、及びハードマスク膜４が順に積層された構造を有する。また、上記遮光膜３は、下層３１、中間層３２、及び上層３３の積層構造である。
図１にあるとおり、本発明に係るマスクブランクの一実施の形態１０は、透光性基板１上に、光半透過膜２、遮光膜３、及びハードマスク膜４が順に積層された構造を有する。また、上記遮光膜３は、下層３１、中間層３２、及び上層３３の積層構造である。
上記マスクブランク１０において、上記光半透過膜２は少なくともケイ素を含有しており、上記ハードマスク膜４は少なくともケイ素とタンタルのいずれか一方または両方を含有しており、また上記積層構造の遮光膜３はクロムを含有している。なお、詳しくは後述するが、上記光半透過膜２は、ケイ素と窒素を含有する素材を適用することが特に好ましく、上記ハードマスク膜４は、ケイ素やタンタルのほかに酸素を含有する素材を適用することが特に好ましい。
ここで、上記マスクブランク１０における透光性基板１としては、半導体装置製造用の転写用マスクに用いられる基板であれば特に限定されない。位相シフト型マスク用のブランクに使用する場合、使用する露光波長に対して透明性を有するものであれば特に制限されず、合成石英基板や、その他各種のガラス基板（例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス等）が用いられる。この中でも合成石英基板は、微細パターン形成に有効なＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）又はそれよりも短波長の領域で透明性が高いので、特に好ましく用いられる。
上記ハードマスク膜４は、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料やタンタル（Ｔａ）を含有する材料を用いることができる。ハードマスク膜４に好適なケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、ケイ素（Ｓｉ）に、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）および水素（Ｈ）から選らばれる１以上の元素を含有する材料が挙げられる。また、このほかのハードマスク膜４に好適なケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、ケイ素（Ｓｉ）および遷移金属に、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）および水素（Ｈ）から選ばれる１以上の元素を含有する材料が挙げられる。また、この遷移金属としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、スズ（Ｓｎ）が挙げられる。
一方、ハードマスク膜４に好適なタンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル（Ｔａ）に、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）および水素（Ｈ）から選らばれる１以上の元素を含有する材料が挙げられる。これらの中でも、タンタル（Ｔａ）に、酸素（Ｏ）を含有する材料が特に好ましい。このような材料の具体例としては、酸化タンタル（ＴａＯ）、酸化窒化タンタル（ＴａＯＮ）、ホウ化酸化タンタル（ＴａＢＯ）、ホウ化酸化窒化タンタル（ＴａＢＯＮ）等が挙げられる。
また、ハードマスク膜４は、ケイ素（Ｓｉ）やタンタル（Ｔａ）の他に、酸素（Ｏ）を含有する材料で形成されていることが好ましい。このようなハードマスク膜４は、クロム（Ｃｒ）を含有する材料で形成された遮光膜３との間で十分なエッチング選択性を有しており、遮光膜３にほとんどダメージを与えずにハードマスク膜４をエッチング除去することが可能である。
このようなハードマスク膜４を構成する材料の具体例としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化タンタル（ＴａＯ）、酸化窒化タンタル（ＴａＯＮ）、ホウ化酸化タンタル（ＴａＢＯ）及びホウ化酸化窒化タンタル（ＴａＢＯＮ）が挙げられる。
なお、ケイ素と酸素を含有する材料で形成されたハードマスク膜４は、有機系材料のレジスト膜との密着性が低い傾向があるため、ハードマスク膜４の表面をＨＭＤＳ（Hexamethyldisilazane）処理を施し、表面の密着性を向上させることが好ましい。
なお、ケイ素と酸素を含有する材料で形成されたハードマスク膜４は、有機系材料のレジスト膜との密着性が低い傾向があるため、ハードマスク膜４の表面をＨＭＤＳ（Hexamethyldisilazane）処理を施し、表面の密着性を向上させることが好ましい。
上記ハードマスク膜４の膜厚は特に制約される必要はないが、少なくとも直下の遮光膜３のエッチングが完了する前に消失しない程度の膜厚が必要である。一方、ハードマスク膜４の膜厚が厚いと、直上のレジストパターンを薄膜化することが困難である。このような観点から、本実施の形態においては、上記ハードマスク膜４の膜厚は、１．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、特に２．５ｎｍ以上６ｎｍ以下であることが好適である。
上記光半透過膜２は、少なくともケイ素を含有する材料で形成されるが、本発明に適用可能な上記光半透過膜２の構成は特に限定される必要はなく、例えば従来から使用されている位相シフト型マスクにおける光半透過膜の構成を適用することができる。
このような光半透過膜２の例としては、例えば遷移金属及びケイ素からなる金属シリサイド、あるいは遷移金属とケイ素に、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１以上の元素を含有させた材料からなる金属シリサイド系の光半透過膜、ケイ素に酸素、窒素、炭素、ホウ素等を含有させた材料からなるケイ素系の光半透過膜が好ましく挙げられる。上記金属シリサイド系の光半透過膜に含まれる遷移金属としては、例えばモリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム等が挙げられる。この中でも特にモリブデンが好適である。
このような光半透過膜２の例としては、例えば遷移金属及びケイ素からなる金属シリサイド、あるいは遷移金属とケイ素に、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１以上の元素を含有させた材料からなる金属シリサイド系の光半透過膜、ケイ素に酸素、窒素、炭素、ホウ素等を含有させた材料からなるケイ素系の光半透過膜が好ましく挙げられる。上記金属シリサイド系の光半透過膜に含まれる遷移金属としては、例えばモリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム等が挙げられる。この中でも特にモリブデンが好適である。
上記遷移金属とケイ素を含有する材料としては、具体的には、遷移金属シリサイド、または遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。また、上記ケイ素を含有する材料としては、具体的には、ケイ素の窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物（酸化窒化物）、炭酸化物（炭化酸化物）、あるいは炭酸窒化物（炭化酸化窒化物）を含む材料が好適である。
また、本発明においては、上記光半透過膜２が、単層構造、あるいは、低透過率層と高透過率層とからなる積層構造のいずれにも適用することができる。
上記光半透過膜２の好ましい膜厚は、材質によっても異なるが、特に位相シフト機能、光透過率の観点から適宜調整されることが望ましい。通常は、１００ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下の範囲であることが好適である。
上記光半透過膜２の好ましい膜厚は、材質によっても異なるが、特に位相シフト機能、光透過率の観点から適宜調整されることが望ましい。通常は、１００ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下の範囲であることが好適である。
また、上記積層構造の遮光膜３は、クロムを含有する材料で形成される。
上記クロムを含有する材料としては、例えばＣｒ単体、あるいはＣｒＸ（ここでＸはＮ、Ｃ、Ｏ等から選ばれる少なくとも一種）などのＣｒ化合物（例えばＣｒＮ，ＣｒＣ，ＣｒＯ，ＣｒＯＮ，ＣｒＣＮ，ＣｒＯＣ，ＣｒＯＣＮなど）が挙げられる。
上記クロムを含有する材料としては、例えばＣｒ単体、あるいはＣｒＸ（ここでＸはＮ、Ｃ、Ｏ等から選ばれる少なくとも一種）などのＣｒ化合物（例えばＣｒＮ，ＣｒＣ，ＣｒＯ，ＣｒＯＮ，ＣｒＣＮ，ＣｒＯＣ，ＣｒＯＣＮなど）が挙げられる。
図１に示すマスクブランク１０のような透光性基板１上に光半透過膜２、遮光膜３、及びハードマスク膜４が順に積層された積層膜からなる薄膜を形成する方法は特に制約される必要はないが、なかでもスパッタリング成膜法が好ましく挙げられる。スパッタリング成膜法によると、均一で膜厚の一定な膜を形成することが出来るので好適である。
本実施の形態に係るマスクブランク１０においては、上述の構成１にあるとおり、遮光膜３は、下層３１、中間層３２及び上層３３の積層構造であって、クロムを含有しており、この遮光膜３における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、上層３３が最も遅く、次いで下層３１が遅い、ことを特徴としている。
上記のように、ハードマスク膜４の直下にあるクロムを含有する遮光膜３の上層３３は、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレート（以下、説明の便宜上、単に「エッチングレート」と説明することもあるが、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートを意味するものとする。）が遮光膜３の中で最も遅いため、エッチング中のサイドエッチが生じにくい（換言すれば、パターンの側壁が侵食されにくい）。遮光膜３の上層３３部分でのサイドエッチが生じにくいことで、遮光膜３の上層３３には、直上のハードマスク膜４のパターン形状がほぼ正確に転写される。マスクブランク１０の表面に形成するレジスト膜を薄膜化することで、ハードマスク膜４には、最終的に光半透過膜２に形成されるべき転写パターンを有するレジストパターンが正確に転写されるので、ハードマスク膜４のパターン形状がほぼ正確に転写され、レジスト膜に形成されたパターン形状（たとえばパターン寸法）との差異が極めて少ない上層３３を遮光膜３が有することで、該遮光膜３のパターンをマスクとして異方性エッチングによりパターニングされるケイ素含有の光半透過膜２にも、ハードマスク膜４のパターンをほぼ正確に形成することができる。要するに、光半透過膜２のパターンをレジストパターンないしはハードマスク膜パターンと寸法の乖離することなく形成することができるので、光半透過膜２に形成するパターン精度を高くすることができる。
また、遮光膜３の中間層３２のエッチングレートが最も速い膜設計となるため、遮光膜３全体としてのエッチングレートを速くすることができる。なお、中間層３２は、遮光膜３の総膜厚に対して、３０％〜７０％の膜厚であることが好ましく、５０％〜６０％の膜厚がより好ましい。中間層３２の膜厚が薄すぎると、遮光膜３全体のエッチングレートを速める効果が少なくなり、膜厚が厚すぎると、中間層３２でのサイドエッチが深くなりすぎてしまい下層３１でのパターン形状の回復が不十分になる恐れがある。
また、上層３３に次いでエッチングレートの遅い下層３１は、中間層３２よりもエッチングレートが遅いため、中間層３２よりもサイドエッチが生じにくい（パターンの側壁が侵食されにくい）。このため、下層３１のエッチング過程ではサイドエッチによる側壁の過度な侵食が抑制されるため、上層３３のパターン形状が回復でき、しかも遮光膜３のパターンと光半透過膜２との接触面積を遮光膜３の下層３１で確保することができる。その結果、たとえば寸法が５０ｎｍ以下のパターンを形成する場合も、遮光膜パターンが倒れてしまうことはない。
以上のように、本実施形態のマスクブランク１０において、上記遮光膜３は、ハードマスク膜４のパターンを出来るだけ忠実に光半透過膜２に転写する目的で設けられている。上記マスクブランク１０を用いて製造される転写用マスク、すなわち位相シフト型マスクにおいては、最終的な転写パターンは光半透過膜２に形成されたパターンであり、上記遮光膜３に形成されるパターンは転写パターンとはならないため遮光膜パターンの断面形状自体は然程重要ではない。遮光膜３のパターンの断面形状において、上記中間層３２部分において多少サイドエッチによる側壁の侵食があっても、上述したように本発明の上記積層構造の遮光膜３は、ハードマスク膜４のパターンを出来るだけ忠実に光半透過膜２に転写することができるので、遮光膜３の断面形状の問題はない。
本実施の形態によれば、ＳＲＡＦパターンのような微細な転写パターンであっても、転写用マスク膜となる光半透過膜に高い精度で形成することができ、結果、パターン精度に優れた転写用マスクを製造することができる。
なお、遮光膜３の各層のエッチングレートの調整方法は特に限定されないが、遮光膜３を構成する各層の組成をそれぞれ異ならせることによって行うことが本発明には好適である。基本的には、各層のクロム含有量を調整することで可能であるが、例えば、各層で、クロムの酸化度や窒化度等を調整したり、各層の組成におけるクロム以外の構成を異ならせたりすることで調整することができる。また、エッチングレートを速めることができる元素（たとえばインジウムやモリブデン）の添加量を調整することによって各層のエッチングレートを調整するようにしてもよい。
なお、遮光膜３の各層のエッチングレートの調整方法は特に限定されないが、遮光膜３を構成する各層の組成をそれぞれ異ならせることによって行うことが本発明には好適である。基本的には、各層のクロム含有量を調整することで可能であるが、例えば、各層で、クロムの酸化度や窒化度等を調整したり、各層の組成におけるクロム以外の構成を異ならせたりすることで調整することができる。また、エッチングレートを速めることができる元素（たとえばインジウムやモリブデン）の添加量を調整することによって各層のエッチングレートを調整するようにしてもよい。
上記遮光膜３において、クロムの含有量は、上層３３が最も多く、下層３１が次に多いことが好適である（構成２の発明）。
遮光膜３の上層３３部分にクロムの含有量が最も多い領域を有することで、上層３３が、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートが遮光膜３の中で最も遅くなる。そのため、上層３３でのサイドエッチが少なく、遮光膜３の上層３３には、直上のハードマスク膜４のパターン形状がほぼ正確に転写されるため、最終的にはパターン形状に優れた転写用マスクを製造することができる。また、クロム含有量の最も多い上層３３は、消衰係数が高いため遮光膜３全体の光学濃度を高める効果も有する。
遮光膜３の上層３３部分にクロムの含有量が最も多い領域を有することで、上層３３が、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートが遮光膜３の中で最も遅くなる。そのため、上層３３でのサイドエッチが少なく、遮光膜３の上層３３には、直上のハードマスク膜４のパターン形状がほぼ正確に転写されるため、最終的にはパターン形状に優れた転写用マスクを製造することができる。また、クロム含有量の最も多い上層３３は、消衰係数が高いため遮光膜３全体の光学濃度を高める効果も有する。
また、下層３１は、上層３３に次いでクロムの含有量が多いため、遮光膜３とは異なる膜質の光半透過膜２との密着性も良くなるので、遮光膜パターンの倒れをより効果的に抑制することができる。つまり、下層３１は、クロムの含有量が比較的多いことからクロムの結合サイトに空き（正孔）が相対的に多くなるため、異なる膜質の光半透過膜２との密着性も良くなるので、遮光膜パターンの倒れをより効果的に抑制することができる。特に、アニール処理を施した金属ケイ素系の光半透過膜である場合には、光半透過膜の表面が酸素リッチな状態になるため、遮光膜３と光半透過膜２の界面で、上述のクロムの空きサイトと光半透過膜の酸素が化学的結合を持って接合するため密着性が高くなる。
なお、中間層３２は、遮光膜３中でクロムの含有量が最も少ない膜構成となるため、エッチング時にパターンの側壁部分の侵食はあるものの、このような中間層３２を有することで遮光膜３全体としてのエッチングレートを速めることができる。
なお、中間層３２は、遮光膜３中でクロムの含有量が最も少ない膜構成となるため、エッチング時にパターンの側壁部分の侵食はあるものの、このような中間層３２を有することで遮光膜３全体としてのエッチングレートを速めることができる。
上記遮光膜３において、上層３３は、クロムの含有量が６０原子％以上であることが好ましい（構成４の発明）。
遮光膜３の上層３３のクロム含有量が６０原子％以上であることにより、上層３３によって遮光膜３全体の光学濃度を高められるとともに、上層３３におけるエッチングレートが遅くなり、上層部分でのサイドエッチが抑制されるので、直上のハードマスク膜４のパターン形状がほぼ正確に転写され、最終的にはパターン形状に優れた転写用マスクを製造することができる。
遮光膜３の上層３３のクロム含有量が６０原子％以上であることにより、上層３３によって遮光膜３全体の光学濃度を高められるとともに、上層３３におけるエッチングレートが遅くなり、上層部分でのサイドエッチが抑制されるので、直上のハードマスク膜４のパターン形状がほぼ正確に転写され、最終的にはパターン形状に優れた転写用マスクを製造することができる。
また、上記遮光膜３にはさらに酸素を含有する場合、酸素の含有量は、中間層３２よりも下層３１のほうが少ないことが好ましい（構成３の発明）。
遮光膜３中の酸素の含有量が、中間層３２よりも下層３１のほうが少ないことにより、中間層３２の酸素含有量が最も多くなるため、中間層３２のエッチングレートがより速くなる。このため、遮光膜３全体のエッチングレートを速く保つことができる。また、下層３１に含まれる酸素含有量が中間層３２よりも少ないことで、中間層３２から下層３１にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが遅くなるが、下層３１におけるパターンのサイドエッチの進行も遅くなるため、下層３１で上層３３のパターン形状が回復し、パターンの幅方向の寸法が保たれ、結果、遮光膜３のパターンと光半透過膜２との接触面積を保つことができる。さらに、下層３１の酸素含有量が相対的に少ないことによって光半透過膜２の酸素とのやりとりが生じ、化学的結合を持って接合するため、遮光膜３のパターンと光半透過膜２との密着性をより高める効果も得られる。
遮光膜３中の酸素の含有量が、中間層３２よりも下層３１のほうが少ないことにより、中間層３２の酸素含有量が最も多くなるため、中間層３２のエッチングレートがより速くなる。このため、遮光膜３全体のエッチングレートを速く保つことができる。また、下層３１に含まれる酸素含有量が中間層３２よりも少ないことで、中間層３２から下層３１にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが遅くなるが、下層３１におけるパターンのサイドエッチの進行も遅くなるため、下層３１で上層３３のパターン形状が回復し、パターンの幅方向の寸法が保たれ、結果、遮光膜３のパターンと光半透過膜２との接触面積を保つことができる。さらに、下層３１の酸素含有量が相対的に少ないことによって光半透過膜２の酸素とのやりとりが生じ、化学的結合を持って接合するため、遮光膜３のパターンと光半透過膜２との密着性をより高める効果も得られる。
また、上記遮光膜３において、上層３３は、厚さが３ｎｍ以上８ｎｍ以下であることが好適である（構成５の発明）。
上層３３の厚さが３ｎｍを下回ると、ドライエッチング時の上層３３のパターン側壁の侵食のリスクが高くなる、また、上層３３の厚さが８ｎｍを超えると、上層３３のエッチング時間が長くなる恐れが生じる。したがって、遮光膜３の上層３３の厚さを、上記の３ｎｍ以上８ｎｍ以下の範囲とすることにより、上層３３のエッチング時間を好適に抑制しつつ、上層３３でのパターニング精度を良好に維持することができる。
上層３３の厚さが３ｎｍを下回ると、ドライエッチング時の上層３３のパターン側壁の侵食のリスクが高くなる、また、上層３３の厚さが８ｎｍを超えると、上層３３のエッチング時間が長くなる恐れが生じる。したがって、遮光膜３の上層３３の厚さを、上記の３ｎｍ以上８ｎｍ以下の範囲とすることにより、上層３３のエッチング時間を好適に抑制しつつ、上層３３でのパターニング精度を良好に維持することができる。
また、本発明においては、上記のとおり、遮光膜３における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、上層３３が最も遅く、次いで下層３１が遅いことが特徴となっており、よって中間層３２が最もエッチングレートが速い構成となっている。そして、この場合、上記遮光膜３の中間層３２におけるエッチングレートは、上層３３における上記エッチングレートの３倍以上であることが好適である（構成６の発明）。
このように、中間層３２におけるエッチングレートが、上層３３におけるエッチングレートの３倍以上であることにより、上層３３から中間層３２にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが速まり、上層３３でのサイドエッチの進行を抑制しつつ中間層３２の深さ方向のエッチングを完結することができるので好ましい。
このように、中間層３２におけるエッチングレートが、上層３３におけるエッチングレートの３倍以上であることにより、上層３３から中間層３２にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが速まり、上層３３でのサイドエッチの進行を抑制しつつ中間層３２の深さ方向のエッチングを完結することができるので好ましい。
また、上記の場合、中間層３２におけるエッチングレートは、下層３１におけるエッチングレートの２倍以下であることが好適である（構成７の発明）。
中間層３２から下層３１にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが遅くなるが、このとき中間層３２におけるエッチングレートが下層３１におけるエッチングレートの２倍以下であることにより、下層３１のエッチング時に、中間層３２のサイドエッチがより進行する前に下層３１のエッチング及び必要なオーバーエッチングが完了するため、とくにパターン側壁の中間層３２と下層３１との界面での段差形成を抑制することができる。
中間層３２から下層３１にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが遅くなるが、このとき中間層３２におけるエッチングレートが下層３１におけるエッチングレートの２倍以下であることにより、下層３１のエッチング時に、中間層３２のサイドエッチがより進行する前に下層３１のエッチング及び必要なオーバーエッチングが完了するため、とくにパターン側壁の中間層３２と下層３１との界面での段差形成を抑制することができる。
また、本発明において、上記ハードマスク膜４は、少なくともケイ素とタンタルのいずれか一方または両方を含有しているが、特にケイ素やタンタルに加えて酸素を含有する材料で形成されることが好ましい（構成８の発明）。
上記ハードマスク膜４は、直下の遮光膜３とエッチング選択性の高い素材であることが必要であるが、とくにハードマスク膜４にケイ素と酸素を含有する素材やタンタルと酸素を含有する素材を選択することにより、クロム系の素材からなる遮光膜３との高いエッチング選択性を確保することができるため、レジスト膜の薄膜化のみならずハードマスク膜４の膜厚も薄くすることが可能である。したがって、マスクブランク表面に形成された転写パターンを有するレジストパターンのハードマスク膜４への転写精度が向上する。
上記ハードマスク膜４は、直下の遮光膜３とエッチング選択性の高い素材であることが必要であるが、とくにハードマスク膜４にケイ素と酸素を含有する素材やタンタルと酸素を含有する素材を選択することにより、クロム系の素材からなる遮光膜３との高いエッチング選択性を確保することができるため、レジスト膜の薄膜化のみならずハードマスク膜４の膜厚も薄くすることが可能である。したがって、マスクブランク表面に形成された転写パターンを有するレジストパターンのハードマスク膜４への転写精度が向上する。
また、本発明において、上記光半透過膜２は、少なくともケイ素を含有しているが、特にケイ素と窒素を含有する材料で形成されることが好ましい（構成９の発明）。
上記光半透過膜２にケイ素と窒素を含有する素材を適用することで、クロム系の遮光膜３とのエッチング選択性を確保することができる。また、ケイ素と窒素を含有する素材であれば、エッチングガスとして異方性のフッ素系ガスを使用したパターニングを適用することができる。したがって、ハードマスク膜４のパターン形状がほぼ正確に転写された遮光膜３のパターンをマスクとする異方性エッチングによって光半透過膜２にもパターン精度に優れた転写パターンを形成することができる。
上記光半透過膜２にケイ素と窒素を含有する素材を適用することで、クロム系の遮光膜３とのエッチング選択性を確保することができる。また、ケイ素と窒素を含有する素材であれば、エッチングガスとして異方性のフッ素系ガスを使用したパターニングを適用することができる。したがって、ハードマスク膜４のパターン形状がほぼ正確に転写された遮光膜３のパターンをマスクとする異方性エッチングによって光半透過膜２にもパターン精度に優れた転写パターンを形成することができる。
また、本実施形態のマスクブランク１０は、上記光半透過膜２と上記遮光膜３の積層構造におけるＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）に対する透過率が０．２％以下であり、かつ、８００〜９００ｎｍの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が５０％以下であることが好ましい（構成１０の発明）。
波長８００〜９００ｎｍの近赤外領域の光はレジストを感光しないため、露光機にマスクブランクを配置する場合の位置決めに使用される光である。本構成のように、光半透過膜２と遮光膜３の積層構造におけるＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）に対する透過率が０．２％以下であり、かつ、８００〜９００ｎｍの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が５０％以下であることによって、たとえば遮光帯に要求される露光光のＡｒＦエキシマレーザーに対する良好な遮光性を備え、かつ、露光機へのマスクブランクの配置が容易になるため好ましい。
波長８００〜９００ｎｍの近赤外領域の光はレジストを感光しないため、露光機にマスクブランクを配置する場合の位置決めに使用される光である。本構成のように、光半透過膜２と遮光膜３の積層構造におけるＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）に対する透過率が０．２％以下であり、かつ、８００〜９００ｎｍの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が５０％以下であることによって、たとえば遮光帯に要求される露光光のＡｒＦエキシマレーザーに対する良好な遮光性を備え、かつ、露光機へのマスクブランクの配置が容易になるため好ましい。
また、本実施形態のマスクブランク１０においては、上記ハードマスク膜４および光半透過膜２は、いずれもフッ素系ガスを用いたドライエッチングによってパターニングすることができるので、遮光膜３の上層３３に直上のハードマスク膜４のパターン形状がほぼ正確に転写されることと相俟って、該遮光膜３をマスクとする異方性エッチングによるパターニングによって光半透過膜２にパターン形状精度に優れた転写パターンを形成することができる。
本発明は、上記の本発明に係るマスクブランクを用いる転写用マスクの製造方法についても提供するものである。
図２は、本発明の実施形態に係るマスクブランク１０を用いた転写用マスクの製造工程を示すマスクブランク等の断面概略図である。なお、図２は製造工程の理解を容易にするためのものであり、図２に示すパターンの断面形状は実際に形成される断面形状を正確に現したものではない。
図２は、本発明の実施形態に係るマスクブランク１０を用いた転写用マスクの製造工程を示すマスクブランク等の断面概略図である。なお、図２は製造工程の理解を容易にするためのものであり、図２に示すパターンの断面形状は実際に形成される断面形状を正確に現したものではない。
まず、マスクブランク１０の表面に所定のレジストパターン５を形成する（図２（ａ）参照）。このレジストパターン５は最終的な転写パターンとなる光半透過膜２に形成されるべき所望のパターンを有する。
次に、マスクブランク１０のハードマスク膜４上に形成された上記の光半透過膜のパターンを有するレジストパターン５をマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、ハードマスク膜４に光半透過膜のパターンに対応するハードマスク膜パターン４ａを形成する（図２（ｂ）参照）。
次に、マスクブランク１０のハードマスク膜４上に形成された上記の光半透過膜のパターンを有するレジストパターン５をマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、ハードマスク膜４に光半透過膜のパターンに対応するハードマスク膜パターン４ａを形成する（図２（ｂ）参照）。
次に、上記のように形成されたハードマスク膜パターン４ａをマスクとして、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、積層構造の遮光膜３に光半透過膜のパターンに対応する遮光膜パターン３ａを形成する（図２（ｃ）参照）。
次に、上記のように形成された遮光膜パターン３ａをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、光半透過膜２に光半透過膜パターン２ａを形成する（図２（ｄ）参照）。なお、この光半透過膜２のエッチング工程において、表面に露出しているハードマスク膜パターン４ａは除去される。
次に、上記のように形成された遮光膜パターン３ａをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、光半透過膜２に光半透過膜パターン２ａを形成する（図２（ｄ）参照）。なお、この光半透過膜２のエッチング工程において、表面に露出しているハードマスク膜パターン４ａは除去される。
次いで、上記遮光膜パターン３ａ上の全面にレジスト膜を塗布し、所定の露光、現像処理によって遮光膜に形成する遮光パターン（例えば遮光帯パターン）に対応するレジストパターン（図示せず）を形成する。そして、該レジストパターンをマスクとして、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、光半透過膜パターン２ａ上に所定の遮光パターン３ｂを形成する。最後に残存するレジストパターンを除去することにより、転写用マスク（たとえばハーフトーン型位相シフトマスク）２０が出来上がる（図２（ｅ）参照）。
上述の説明からも明らかなように、本発明の実施形態に係るマスクブランク１０を用いて上記製造工程にしたがって転写用マスクを製造することにより、ＳＲＡＦパターンのような微細パターンであっても高いパターン精度で形成された転写用マスクを得ることができる。すなわち、本発明の実施形態に係るマスクブランク１０によれば、遮光膜３の上層３３のエッチングレートが最も遅く上層パターンのサイドエッチが少ないため、レジスト膜ないしはハードマスク膜４に形成された転写パターン形状がほぼ正確に転写された遮光膜３のパターンを形成することができるので、該遮光膜パターンをマスクとして、光半透過膜２に形成するパターン精度を高くすることができる。また、遮光膜３の下層３１のエッチングレートが上層３３に次いで遅く、中間層３２と比較しても遅く、下層パターンのサイドエッチを少なくできるので、遮光膜パターンと光半透過膜２との十分な接触面積を確保でき、良好な密着性を得ることができる。したがってＳＲＡＦパターンのような微細なパターンを形成しても、遮光膜パターンが倒れないので、光半透過膜２のパターンも高いパターン精度で形成することができる。
また、上述の本発明に係る転写用マスクの製造方法により製造された、上記の微細パターンが高いパターン精度で形成された転写用マスクを用いて、リソグラフィー法により当該転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する工程を含む半導体装置の製造方法によれば、パターン精度の優れた高品質の半導体装置を得ることができる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
（実施例１）
本実施例は、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを露光光として用いるハーフトーン型位相シフトマスクの製造に使用するマスクブランクに関する。
本実施例に使用するマスクブランクは、図１に示すような、透光性基板（ガラス基板）１上に、光半透過膜２、３層積層構造の遮光膜３、ハードマスク膜４を順に積層した構造のものである。このマスクブランクは、以下のようにして作製した。
（実施例１）
本実施例は、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを露光光として用いるハーフトーン型位相シフトマスクの製造に使用するマスクブランクに関する。
本実施例に使用するマスクブランクは、図１に示すような、透光性基板（ガラス基板）１上に、光半透過膜２、３層積層構造の遮光膜３、ハードマスク膜４を順に積層した構造のものである。このマスクブランクは、以下のようにして作製した。
ガラス基板として合成石英基板（大きさ約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×厚み６．３５ｍｍ）を準備した。
次に、枚葉式ＤＣスパッタリング装置内に上記合成石英基板を設置し、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合焼結ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１２原子％：８８原子％）を用い、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガス（流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ＝８：７２：１００，圧力＝０．２Ｐａ）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、合成石英基板上に、モリブデン、シリコンおよび窒素からなるＭｏＳｉＮ光半透過膜（位相シフト膜）を６９ｎｍの厚さで形成した。形成したＭｏＳｉＮ膜の組成は、Ｍｏ：Ｓｉ：Ｎ＝４．１：３５．６：６０．３（原子％比）であった。この組成はＸＰＳにより測定した。
次に、枚葉式ＤＣスパッタリング装置内に上記合成石英基板を設置し、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合焼結ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１２原子％：８８原子％）を用い、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガス（流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ＝８：７２：１００，圧力＝０．２Ｐａ）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、合成石英基板上に、モリブデン、シリコンおよび窒素からなるＭｏＳｉＮ光半透過膜（位相シフト膜）を６９ｎｍの厚さで形成した。形成したＭｏＳｉＮ膜の組成は、Ｍｏ：Ｓｉ：Ｎ＝４．１：３５．６：６０．３（原子％比）であった。この組成はＸＰＳにより測定した。
次に、スパッタリング装置から基板を取り出し、上記合成石英基板上の光半透過膜に対し、大気中での加熱処理を行った。この加熱処理は、４５０℃で３０分間行った。この加熱処理後の光半透過膜に対し、位相シフト量測定装置を使用してＡｒＦエキシマレーザーの波長（１９３ｎｍ）における透過率と位相シフト量を測定したところ、透過率は６．４４％、位相シフト量は１７４．３度であった。
次に、上記光半透過膜を成膜した基板を再びスパッタリング装置内に投入し、上記光半透過膜の上に、ＣｒＯＣＮ膜からなる下層、ＣｒＯＣＮ膜からなる中間層、ＣｒＮ膜からなる上層の積層構造の遮光膜を形成した。具体的には、クロムからなるターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とヘリウム（Ｈｅ）の混合ガス雰囲気（流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２０：２５：１３：３０、圧力０．３Ｐａ）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、上記光半透過膜上に厚さ１５．４ｎｍのＣｒＯＣＮ膜からなる遮光膜下層を形成した。続いて、同じくクロムターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とヘリウム（Ｈｅ）の混合ガス雰囲気（流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２０：２４：２２：３０、圧力０．３Ｐａ）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、上記下層の上に厚さ２６．６ｎｍのＣｒＯＣＮ膜からなる遮光膜中間層を形成し、続いて、同じくクロムターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（流量比 Ａｒ：Ｎ２＝２５：５、圧力０．３Ｐａ）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、上記中間層の上に厚さ３．５ｎｍのＣｒＮ膜からなる遮光膜上層を形成した。
形成した遮光膜下層のＣｒＯＣＮ膜の組成は、Ｃｒ：Ｏ：Ｃ：Ｎ＝５５．２：２２．１：１１．６：１１．１（原子％比）であった。また、遮光膜中間層のＣｒＯＣＮ膜の組成は、Ｃｒ：Ｏ：Ｃ：Ｎ＝４９．２：２３．８：１３．０：１４．０（原子％比）、遮光膜上層のＣｒＮ膜の組成は、Ｃｒ：Ｎ＝７６．２：２３．８原子％比）であった。これらの組成はＸＰＳにより測定した。
次いで、上記遮光膜の上に、ＳｉＯＮ膜からなるハードマスク膜を形成した。具体的には、シリコンのターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と一酸化窒素（ＮＯ）とヘリウム（Ｈｅ）の混合ガス雰囲気（流量比 Ａｒ：ＮＯ：Ｈｅ＝８：２９：３２、圧力０．３Ｐａ）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、上記遮光膜の上に厚さ１５ｎｍのＳｉＯＮ膜からなるハードマスク膜を形成した。形成したＳｉＯＮ膜の組成は、Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝３７：４４：１９（原子％比）であった。この組成はＸＰＳにより測定した。
上記光半透過膜と遮光膜の積層膜の光学濃度は、ＡｒＦエキシマレーザーの波長（１９３ｎｍ）において３．０以上（透過率０．１％以下）であった。また、波長８８０ｎｍ（露光装置に搭載する基板位置決めに用いられる波長）における透過率は５０％以下であった。
以上のようにして本実施例のマスクブランクを作製した。
以上のようにして本実施例のマスクブランクを作製した。
次に、このマスクブランクを用いて、前述の図２に示される製造工程に従って、ハーフトーン型位相シフトマスクを製造した。なお、以下の符号は図１および図２中の符号と対応している。
まず、上記マスクブランク１０の上面にＨＭＤＳ処理を行い、スピン塗布法によって、電子線描画用の化学増幅型レジスト（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製 ＰＲＬ００９）を塗布し、所定のベーク処理を行って、膜厚１５０ｎｍのレジスト膜を形成した。
まず、上記マスクブランク１０の上面にＨＭＤＳ処理を行い、スピン塗布法によって、電子線描画用の化学増幅型レジスト（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製 ＰＲＬ００９）を塗布し、所定のベーク処理を行って、膜厚１５０ｎｍのレジスト膜を形成した。
次に、電子線描画機を用いて、上記レジスト膜に対して所定のデバイスパターン（光半透過膜２（位相シフト層）に形成すべき位相シフトパターンに対応するパターンで、ラインアンドスペース（４０ｎｍ）を含む。）を描画した後、レジスト膜を現像してレジストパターン５を形成した（図２（ａ）参照）。
次に、上記レジストパターン５をマスクとして、ハードマスク膜４のドライエッチングを行い、ハードマスク膜パターン４ａを形成した（図２（ｂ）参照）。ドライエッチングガスとしてはフッ素系ガス（ＳＦ６）を用いた。
上記レジストパターン５を除去した後、上記ハードマスク膜パターン４ａをマスクとして、上層、中間層及び下層の積層膜からなる遮光膜３のドライエッチングを連続して行い、遮光膜パターン３ａを形成した（図２（ｃ）参照）。ドライエッチングガスとしてはＣｌ２とＯ２の混合ガス（Ｃｌ２：Ｏ２＝８：１（流量比））を用いた。なお、遮光膜３のエッチングレートは、上層が２．９Å／秒、中間層が９．１Å／秒、下層が５．１Å／秒であった。
上記レジストパターン５を除去した後、上記ハードマスク膜パターン４ａをマスクとして、上層、中間層及び下層の積層膜からなる遮光膜３のドライエッチングを連続して行い、遮光膜パターン３ａを形成した（図２（ｃ）参照）。ドライエッチングガスとしてはＣｌ２とＯ２の混合ガス（Ｃｌ２：Ｏ２＝８：１（流量比））を用いた。なお、遮光膜３のエッチングレートは、上層が２．９Å／秒、中間層が９．１Å／秒、下層が５．１Å／秒であった。
続いて、上記遮光膜パターン３ａをマスクにして、光半透過膜２のドライエッチングを行い、光半透過膜パターン２ａ（位相シフト膜パターン）を形成した（図２（ｄ）参照）。ドライエッチングガスとしてはフッ素系ガス（ＳＦ６）を用いた。なお、この光半透過膜２のエッチング工程において、表面に露出しているハードマスク膜パターン４ａは除去された。
次に、上記図２（ｄ）の状態の基板上の全面に、スピン塗布法により、前記レジスト膜を再び形成し、電子線描画機を用いて、所定のデバイスパターン（たとえば遮光帯パターンに対応するパターン）を描画した後、現像して所定のレジストパターンを形成した。続いて、このレジストパターンをマスクとして、露出している遮光膜パターン３ａのエッチングを行うことにより、たとえば転写パターン形成領域内の遮光膜パターン３ａを除去し、転写パターン形成領域の周辺部には遮光帯パターン３ｂを形成した。この場合のドライエッチングガスとしてはＣｌ２とＯ２の混合ガス（Ｃｌ２：Ｏ２＝８：１（流量比））を用いた。
最後に、残存するレジストパターンを除去し、ハーフトーン型位相シフトマスク２０を作製した（図２（ｅ）参照）。
最後に、残存するレジストパターンを除去し、ハーフトーン型位相シフトマスク２０を作製した（図２（ｅ）参照）。
［遮光膜パターンの評価］
上記の光半透過膜２のエッチング工程（図２（ｄ）の工程）終了後の遮光膜パターンの断面形状を確認したところ、図３に示されるような断面形状であった。すなわち遮光膜の中間層部分ではパターンの壁面にエッチングの侵食による括れがあるものの、下層部分でパターン幅が回復するような形状でパターニングされていた。なお、この時点でハードマスク膜パターン４ａは除去されているため、図３ではその前の状態を破線で示している。
また、遮光膜３のパターニング工程（図２（ｃ）の工程）終了後に洗浄を行い、ラインアンドスペース４０ｎｍ（ＳＲＡＦパターンのパターン寸法に相当）のパターンの状態を確認したところ、遮光膜パターンに倒れは生じていなかった。これは、遮光膜下層と光半透過膜との接触面積が確保され、かつ、遮光膜下層と光半透過膜の界面での接合性が良好で、密着性が確保されたことによるものと考えられる。
上記の光半透過膜２のエッチング工程（図２（ｄ）の工程）終了後の遮光膜パターンの断面形状を確認したところ、図３に示されるような断面形状であった。すなわち遮光膜の中間層部分ではパターンの壁面にエッチングの侵食による括れがあるものの、下層部分でパターン幅が回復するような形状でパターニングされていた。なお、この時点でハードマスク膜パターン４ａは除去されているため、図３ではその前の状態を破線で示している。
また、遮光膜３のパターニング工程（図２（ｃ）の工程）終了後に洗浄を行い、ラインアンドスペース４０ｎｍ（ＳＲＡＦパターンのパターン寸法に相当）のパターンの状態を確認したところ、遮光膜パターンに倒れは生じていなかった。これは、遮光膜下層と光半透過膜との接触面積が確保され、かつ、遮光膜下層と光半透過膜の界面での接合性が良好で、密着性が確保されたことによるものと考えられる。
［光半透過膜パターンの評価］
上記遮光膜パターンをマスクとしたドライエッチングにより形成された光半透過膜パターンについて評価したところ、図３からも明らかなように、ラインアンドスペース４０ｎｍのような微細パターンであっても、ハードマスク膜パターンとの寸法の乖離も少ないパターン精度の優れた転写パターンを形成することができた。
上記遮光膜パターンをマスクとしたドライエッチングにより形成された光半透過膜パターンについて評価したところ、図３からも明らかなように、ラインアンドスペース４０ｎｍのような微細パターンであっても、ハードマスク膜パターンとの寸法の乖離も少ないパターン精度の優れた転写パターンを形成することができた。
（比較例）
光半透過膜とハードマスク膜は実施例１と同様の膜で、遮光膜の構成のみ異なるマスクブランクを作製した。すなわち、本比較例の遮光膜は、単層構造の遮光膜で、実施例１の遮光膜における中間層の組成と同じ組成で、光学濃度が３．０以上で、膜厚１００ｎｍの薄膜である。
この比較例のマスクブランクを用いて、実施例と同様の方法でハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
光半透過膜とハードマスク膜は実施例１と同様の膜で、遮光膜の構成のみ異なるマスクブランクを作製した。すなわち、本比較例の遮光膜は、単層構造の遮光膜で、実施例１の遮光膜における中間層の組成と同じ組成で、光学濃度が３．０以上で、膜厚１００ｎｍの薄膜である。
この比較例のマスクブランクを用いて、実施例と同様の方法でハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
［遮光膜パターンの評価］
遮光膜３のパターニング工程（図２（ｃ）の工程）終了後の遮光膜パターンの断面形状を確認したところ、図４に示されるような断面形状であった。すなわち遮光膜はパターンの壁面にエッチングの侵食によって大きくえぐれた形状になっていた。また、ハードマスク膜のパターンよりもライン幅が細くなっており、ハードマスク膜パターンとの寸法の乖離が大きい傾向となった。
また、実施例と同様に、遮光膜３のパターニング工程（図２（ｃ）の工程）終了後に洗浄を行い、ラインアンドスペース４０ｎｍ（ＳＲＡＦパターンのパターン寸法に相当）のパターンの状態を確認したところ、遮光膜パターンに倒れが生じていた。パターン寸法を１０ｎｍずつ増加させて同じく遮光膜パターンの状態を確認したところ、パターンに倒れが生じなくなったのは、ラインアンドスペース８０ｎｍであった。これは、遮光膜パターンの壁面の侵食が大きく、遮光膜と光半透過膜との接触面積が狭くなったことと、遮光膜と光半透過膜の界面で洗浄に耐える接合状態（密着状態）が確保できなかったことによるものと考えられる。
したがって、本比較例のマスクブランクを用いて、例えばラインアンドスペース４０ｎｍのような微細パターンを形成しようとしても、遮光膜パターンの倒れが生じてしまい、最終的な転写パターンとなる光半透過膜のパターニングは困難である。
遮光膜３のパターニング工程（図２（ｃ）の工程）終了後の遮光膜パターンの断面形状を確認したところ、図４に示されるような断面形状であった。すなわち遮光膜はパターンの壁面にエッチングの侵食によって大きくえぐれた形状になっていた。また、ハードマスク膜のパターンよりもライン幅が細くなっており、ハードマスク膜パターンとの寸法の乖離が大きい傾向となった。
また、実施例と同様に、遮光膜３のパターニング工程（図２（ｃ）の工程）終了後に洗浄を行い、ラインアンドスペース４０ｎｍ（ＳＲＡＦパターンのパターン寸法に相当）のパターンの状態を確認したところ、遮光膜パターンに倒れが生じていた。パターン寸法を１０ｎｍずつ増加させて同じく遮光膜パターンの状態を確認したところ、パターンに倒れが生じなくなったのは、ラインアンドスペース８０ｎｍであった。これは、遮光膜パターンの壁面の侵食が大きく、遮光膜と光半透過膜との接触面積が狭くなったことと、遮光膜と光半透過膜の界面で洗浄に耐える接合状態（密着状態）が確保できなかったことによるものと考えられる。
したがって、本比較例のマスクブランクを用いて、例えばラインアンドスペース４０ｎｍのような微細パターンを形成しようとしても、遮光膜パターンの倒れが生じてしまい、最終的な転写パターンとなる光半透過膜のパターニングは困難である。
以上、本発明の実施形態及び実施例について説明したが、これは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載した技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
１ 透光性基板
２ 光半透過膜
３ 遮光膜
３１ 遮光膜の下層
３２ 遮光膜の中間層
３３ 遮光膜の上層
４ ハードマスク膜
５ レジストパターン
１０ マスクブランク
２０ 転写用マスク
２ 光半透過膜
３ 遮光膜
３１ 遮光膜の下層
３２ 遮光膜の中間層
３３ 遮光膜の上層
４ ハードマスク膜
５ レジストパターン
１０ マスクブランク
２０ 転写用マスク
Claims (13)
- 透光性基板上に、光半透過膜、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層された構造を有するマスクブランクであって、
前記光半透過膜は、少なくともケイ素を含有しており、
前記ハードマスク膜は、少なくともケイ素とタンタルのいずれか一方または両方を含有しており、
前記遮光膜は、下層、中間層及び上層の積層構造であって、クロムを含有しており、
前記遮光膜における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層が最も遅く、次いで前記下層が遅い、ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記遮光膜において、前記クロムの含有量は、前記上層が最も多く、前記下層が次に多い、ことを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜にはさらに酸素が含まれており、酸素の含有量は、前記中間層よりも前記下層のほうが少ないことを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク。
- 前記上層は、前記クロムの含有量が６０原子％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記上層は、厚さが３ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記中間層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートの３倍以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記中間層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートの２倍以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記ハードマスク膜は、酸素を含有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記光半透過膜は、ケイ素と窒素を含有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記光半透過膜と前記遮光膜の積層構造におけるＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）に対する透過率が０．２％以下であり、かつ、８００〜９００ｎｍの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が５０％以下であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記ハードマスク膜および前記光半透過膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによってパターニングされることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のマスクブランク。
- 請求項１乃至１１のいずれかに記載のマスクブランクを用いる転写用マスクの製造方法であって、
前記ハードマスク膜上に形成された光半透過膜のパターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、
前記光半透過膜のパターンが形成されたハードマスク膜をマスクとし、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、
前記光半透過膜のパターンが形成された遮光膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記光半透過膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、
前記遮光膜上に形成された遮光パターンを有するレジスト膜をマスクとし、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に遮光パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 請求項１２に記載の転写用マスクの製造方法により製造された転写用マスクを用い、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014070685A JP6150299B2 (ja) | 2014-03-30 | 2014-03-30 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| US15/129,904 US9864268B2 (en) | 2014-03-30 | 2015-03-30 | Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| PCT/JP2015/059852 WO2015152123A1 (ja) | 2014-03-30 | 2015-03-30 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR1020167030032A KR102295453B1 (ko) | 2014-03-30 | 2015-03-30 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| TW104110324A TWI621906B (zh) | 2014-03-30 | 2015-03-30 | 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014070685A JP6150299B2 (ja) | 2014-03-30 | 2014-03-30 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017097967A Division JP6430585B2 (ja) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015191218A JP2015191218A (ja) | 2015-11-02 |
| JP2015191218A5 JP2015191218A5 (ja) | 2017-04-27 |
| JP6150299B2 true JP6150299B2 (ja) | 2017-06-21 |
Family
ID=54240446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014070685A Active JP6150299B2 (ja) | 2014-03-30 | 2014-03-30 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9864268B2 (ja) |
| JP (1) | JP6150299B2 (ja) |
| KR (1) | KR102295453B1 (ja) |
| TW (1) | TWI621906B (ja) |
| WO (1) | WO2015152123A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017161931A (ja) * | 2017-05-17 | 2017-09-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6292581B2 (ja) * | 2014-03-30 | 2018-03-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP6608613B2 (ja) * | 2015-05-12 | 2019-11-20 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR102416957B1 (ko) * | 2015-11-06 | 2022-07-05 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6744100B2 (ja) * | 2016-01-15 | 2020-08-19 | Hoya株式会社 | 転写用マスクの製造方法 |
| KR102313892B1 (ko) | 2016-03-29 | 2021-10-15 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6556673B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2019-08-07 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、描画装置、表示装置の製造方法、フォトマスク基板の検査方法、及びフォトマスク基板の検査装置 |
| WO2018037863A1 (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6780550B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2020-11-04 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| TWI778039B (zh) * | 2017-03-31 | 2022-09-21 | 日商凸版印刷股份有限公司 | 相位移空白遮罩、相位移遮罩及相位移遮罩之製造方法 |
| WO2018230233A1 (ja) * | 2017-06-14 | 2018-12-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6819546B2 (ja) | 2017-11-13 | 2021-01-27 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
| CN109917616B (zh) * | 2017-12-12 | 2022-07-05 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 用于双重图案化的掩模版的制作方法及双重图案化方法 |
| JP7219010B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2023-02-07 | 株式会社トッパンフォトマスク | 位相シフトマスクブランク |
| JP7280171B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2023-05-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| JP7350682B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2023-09-26 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| KR102402742B1 (ko) * | 2021-04-30 | 2022-05-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102475672B1 (ko) * | 2021-11-03 | 2022-12-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102535171B1 (ko) * | 2021-11-04 | 2023-05-26 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2909317B2 (ja) * | 1992-08-20 | 1999-06-23 | 三菱電機株式会社 | フォトマスク |
| KR101161450B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-07-20 | 호야 가부시키가이샤 | 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크 |
| JP4968740B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2012-07-04 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP4614877B2 (ja) | 2005-12-27 | 2011-01-19 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
| JP4509050B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP5702920B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2015-04-15 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
| JP5175932B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2013-04-03 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
| JP5123349B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2013-01-23 | Ｈｏｙａ株式会社 | 多階調マスクの製造方法 |
| WO2012086744A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 |
| JP6062195B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2017-01-18 | Hoya株式会社 | 転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP5739375B2 (ja) * | 2012-05-16 | 2015-06-24 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 |
| WO2014127383A2 (en) | 2013-02-17 | 2014-08-21 | Zeliff Zachary Joseph | Stylus for capacitive touchscreen |
| JP5779290B1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-09-16 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法 |
-
2014
- 2014-03-30 JP JP2014070685A patent/JP6150299B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-30 TW TW104110324A patent/TWI621906B/zh active
- 2015-03-30 US US15/129,904 patent/US9864268B2/en active Active
- 2015-03-30 WO PCT/JP2015/059852 patent/WO2015152123A1/ja active Application Filing
- 2015-03-30 KR KR1020167030032A patent/KR102295453B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017161931A (ja) * | 2017-05-17 | 2017-09-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015152123A1 (ja) | 2015-10-08 |
| US20170168384A1 (en) | 2017-06-15 |
| TW201600922A (zh) | 2016-01-01 |
| TWI621906B (zh) | 2018-04-21 |
| JP2015191218A (ja) | 2015-11-02 |
| KR102295453B1 (ko) | 2021-08-27 |
| KR20160138247A (ko) | 2016-12-02 |
| US9864268B2 (en) | 2018-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6150299B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6571224B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6266842B2 (ja) | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| US10527931B2 (en) | Mask blank, transfer mask, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP6389375B2 (ja) | マスクブランクおよび転写用マスク並びにそれらの製造方法 | |
| US20200150524A1 (en) | Mask blank, transfer mask, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP6084391B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6165871B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法 | |
| JP6545795B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| WO2020066591A1 (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| WO2020066590A1 (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6608613B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6430585B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6266919B2 (ja) | 転写用マスクの製造方法 | |
| WO2021059890A1 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170324 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170324 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170324 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170328 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170418 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170517 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6150299 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |