JP4595143B2 - 有機ｅｌデバイスとその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 45
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に有機化合物材料の薄膜が積層された有機エレクトロルミネッセンスデバイス（以下、有機ＥＬデバイスと略称する）とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４に示すように、有機ＥＬデバイス３１は、ガラス等の基板３２に対し、蛍光性有機化合物による発光層を含む薄膜からなる有機層３３を一対の電極である陽極３４と陰極３５との間に挟んで積層した構造をなしている。この有機ＥＬデバイス３１では、陽極３４と陰極３５との間に所定の電圧を印加して有機層３３に正孔及び電子を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して所望の表示を行っている。
【０００３】
ところで、上述した原理に基づいて表示が行われる有機ＥＬデバイス３１において、日文字、アルファーニューメリック文字、固定表示パターンの表示を行う場合、各文字や固定パターンを幾つかの群に分割し、この分割された群毎に電気的に接続されるように陰極の形成がなされている。
【０００４】
図５（ａ）は従来の有機ＥＬデバイスの陰極形成状態を示す断面図、図５（ｂ）は陰極形成時に使用される蒸着マスクの平面図である。
【０００５】
図５（ｂ）に示す蒸着マスク４１は、各文字や固定パターンの分割された群に対応して開口した３つのスリット４２（４２ａ，４２ｂ，４２ｃ）を有している。陰極３５を形成する場合には、図５（ａ）に示すように、既に基板３２の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜による陽極３４、有機化合物材料からなる有機層３３が積層形成されているので、有機層３３の上に上記蒸着マスク４１を位置合わせして真空蒸着を行う。これにより、有機層３３の上には、蒸着マスク４２のスリット４２ａ，４２ｂ，４２ｃの形状に陰極３５が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図５（ｂ）に示す蒸着マスク４１を用いて陰極３５を形成する従来構造の有機ＥＬデバイスでは、陰極３５の表示パターン部及び配線部が各々１本の長いスリット状に形成されることになる。そして、このようなスリット状の陰極３５をマスク蒸着法で形成すると、蒸着マスク４１が撓んだり、変形したりして電気的な絶縁不良を発生するおそれがあった。
【０００７】
使用される蒸着マスク４１は、各スリット４２間の幅が狭いと、エッチング母材の金属板が薄くなり、また、マスキング面積よりも蒸着面積（蒸着マスク４１のスリット４２の開口部）が大きいと、ぺらぺらでこしが無く、変形し易くなる。このため、蒸着時の蒸着マスク４１のハンドリング性が悪く、製造時の効率及び歩留りが悪いという問題を招く。しかも、既に陽極３４及び有機層３３が積層形成された基板３２に対して蒸着マスク４１を位置合わせする際、蒸着マスク４１が撓んで陽極３４上の有機層３３を傷つけてしまい、発光パターン不良が発生するという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、複数に分割された電極間の接続を絶縁不良や発光パターン不良を発生させることなくマスク蒸着により行え、しかも、マスク蒸着を行うにあたり、従来に比べて蒸着マスクのハンドリング性が良く、製造時の効率及び歩留りの向上が図れる有機ＥＬデバイスとその製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスにおいて、
前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置に導電性材料からなる配線用パッドが形成され、
共通接続対象となる前記第二電極の間が前記配線用パッドを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１の有機ＥＬデバイスにおいて、
前記発光表示部以外を覆うように有機絶縁層が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３の発明は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスの製造方法において、
前記第一電極を前記基板の上に成膜・パターニングする工程と、
前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置に導電性材料からなる配線用パッドを成膜・パターニングする工程と、
前記発光表示部のパターン形状に前記第一電極が露出するとともに、前記配線用パッドの少なくとも一部が露出するように有機絶縁層を成膜・パターニングする工程と、
前記有機絶縁層の上から前記有機層を成膜する工程と、
前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸着により成膜・パターニングする工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項４の発明は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスの製造方法において、
前記第一電極の成膜・パターニングと、前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置への導電性材料からなる配線用パッドの成膜・パターニングを同時に行う工程と、
前記発光表示部のパターン形状に前記第一電極が露出するとともに、前記配線用パッドの少なくとも一部が露出するように有機絶縁層を成膜・パターニングする工程と、
前記有機絶縁層の上から前記有機層を成膜する工程と、
前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸着により成膜・パターニングする工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項５の発明は、請求項３又は４の有機ＥＬデバイスの製造方法において、前記第二電極のマスク蒸着に使用する蒸着マスクが前記配線用パッドに相当する位置のスリットの部分にブリッジが形成されていることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１（ａ）は本発明による有機ＥＬデバイスの実施の形態を示す図であり、基板上に積層形成される各層の分解平面図、図１（ｂ）は各層を積層形成した状態での図１（ａ）の一点鎖線で囲まれる部分の拡大断面図、図２は図１の層構造において陰極形成時に使用される蒸着マスクの平面図である。
【００１５】
本例の有機ＥＬデバイスは、分割形成される複数の陰極の表示パターン以外の配線部に相当する位置の基板上に配線用パッドを形成しておき、この配線用パッドの位置に相当する部分にブリッジを設けた蒸着マスクに使用して陰極がマスク蒸着によりパターン成膜されたものである。
【００１６】
以下、本例の有機ＥＬデバイスの具体的な構成を図１及び図２を参照しながら製作工程の手順に沿って説明する。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、有機ＥＬデバイス１は、ガラス等の絶縁性及び透明性を有する基板２を基部としている。まず、基板２の上に第一電極となる陽極３を抵抗加熱蒸着法、分子線蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition ）法により、例えば膜厚数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの範囲で形成した後、フォトリソ法を用いて所定パターン形状に形成する。
【００１８】
本例では、アルファーニューメリック文字や固定表示パターンによる発光表示部の形状に合わせて図１（ａ）の（イ）に示すようなパターン形状に陽極３を形成する。この陽極３の形成時には、図１（ａ）の（イ）及び図１（ｂ）に示すように、後工程で形成される陰極７を各群毎に共通接続するための配線用パッド４（４Ａ〜４Ｃ）も一緒に形成する。
【００１９】
配線用パッド４（４Ａ〜４Ｃ）は、後工程で形成される各群の陰極７Ａ，７Ｂ，７Ｃの分割位置と対応する位置にそれぞれ形成される。図１（ａ）の（イ）の例では、後述する上段の陰極７Ａの３箇所の分割位置と対応して３つの配線用パッド４Ａ（４Ａａ，４Ａｂ，４Ａｃ）が形成される。また、後述する中段の陰極７Ｂの２箇所の分割位置と対応して２つの配線用パッド４Ｂ（４Ｂａ，４Ｂｂ）が形成される。さらに、後述する下段の陰極７Ｃの２箇所の分割位置と対応して２つの配線用パッド４Ｃ（４Ｃａ，４Ｃｂ）が形成される。
【００２０】
陽極３及び配線用パッド４の材料としては、後述する第二電極としての陰極７の材料よりも抵抗率の高い導電性材料（仕事関数の大きい材料）が用いられる。具体的には、ＩＴＯやＺｎＯ等からなる透明導電膜、非晶質透明導電膜であるＩＤＩＸＯ（商品名：出光透明導電材料Idemitsu Indium X-Metal Oxide 、出光興産株式会社製）等を用いることができる。
【００２１】
なお、配線用パッド４は、陽極３と同一工程で形成しない場合には、陽極３と異なる材料、すなわち、後工程で形成される陰極７と同じ材料を用いることも可能である。
【００２２】
次に、陽極３及び配線用パッド４が形成された基板２の上から絶縁層５を成膜する。絶縁層５は、図１（ａ）の（ロ）に示すように、アルファーニューメリック文字や固定表示パターンによる発光表示部以外を覆い、かつ配線用パッド４の外縁部分を覆うように陽極３と後述する有機層６の界面に形成する。絶縁層５は、有機材料からなり、例えばネガ型感光性ポリイミドの他、薄膜で蒸着可能な絶縁材料であるＳｉＮ、ＳｉＯ2 等で形成することができる。
【００２３】
さらに説明すると、ネガ型感光性ポリイミドを用いて絶縁層５を形成する場合には、陽極３及び配線用パッド４の上にスピンコート法やロールコート法により所定の塗膜厚となるようにネガ型感光性ポリイミド膜を成膜し、陽極３上の発光表示部以外を覆い、かつ配線用パッド４にスルーホール状の開口を有するように製作された露光マスクを用いて露光処理を行う。そして、現像完了後、所定のイミド化処理を行う。
【００２４】
これにより、図１（ａ）の（ロ）及び図１（ｂ）に示すように、アルファーニューメリック文字と固定表示パターンの発光表示部の形状に区画されて陽極３が露出し、かつ配線用パッド４の外縁部分が覆われて配線用パッド４にスルーホール状の開口を有した絶縁層５が形成される。
【００２５】
次に、絶縁層５の上から図１（ａ）の（ハ）に示すパターン形状の有機層６を形成する。
【００２６】
上記有機層６を形成するにあたって、低分子タイプの有機層を用いる場合には、抵抗加熱蒸着法により、まず、正孔注入層としてのＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）有機膜を絶縁層５の上から例えば膜厚７０ｎｍで成膜する。続いて、正孔輸送層としてのα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）有機膜をＣｕＰｃ有機膜の上に例えば膜厚２０ｎｍで成膜する。さらに、発光層兼電子輸送層としてのＡｌｑ3 （トリス（８−キノリノラト）アルミニウム(III) ）有機膜をα−ＮＰＤ有機膜の上に例えば膜厚５０ｎｍで成膜する。
【００２７】
なお、高分子タイプの有機層を用いる場合には、蒸着法の代わりにスピンコート法、アプリケーターコート法、グラビアオフセット印刷法等の手法を採用することができる。また、有機層６は、上述した３層構造に限らず、表示素子として機能する層構造であればよい。
【００２８】
次に、有機層６の上から所定パターン形状の陰極７を形成する。本例では、図２に示す蒸着マスク８を用い、図１（ａ）の（ニ）に示すパターン形状の陰極７を有機層６の上から蒸着形成する。
【００２９】
陰極７は、複数の群に分けられ、更に各群が複数に分割されている。図１（ａ）の（二）の例における陰極７は、上から３つの群７Ａ，７Ｂ，７Ｃに分けられている。そして、上段の群の陰極７Ａが４つの部分７Ａａ，７Ａｂ，７Ａｃ，７Ａｄに分割され、中段の群の陰極７Ｂが３つの部分７Ｂａ，７Ｂｂ，７Ｂｃに分割され、下段の群の陰極７Ｃが３つの部分７Ｃａ，７Ｃｂ，７Ｃｃに分割されている。
【００３０】
使用される蒸着マスク８は、図２に示すように、陰極７が形成される位置に相当する部分が開口したスリット８ａを有している。また、蒸着マスク８には、配線用パッド４の位置に相当する部分にスリット固定用のブリッジ８ｂが形成されている。これにより、蒸着マスク８を基板２と位置合わせする際の撓みや変形が無くなり、電気的な絶縁不良や発光パターン不良の発生を防ぐことができる。
【００３１】
陰極７の材料としては、前述した第一電極としての陽極３の材料よりも抵抗率の低い導電性材料（仕事関数の小さい材料）が用いられる。具体的には、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ等の金属単体、及びその化合物、或いはＭｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｍｇ−Ｉｎ等の各種合金を用いることができる。
【００３２】
上記のようにして、基板２の上には、積層形成により構成された陽極３、絶縁層５、有機層６、陰極７からなる素子９が形成される。そして、陽極３と陰極７との間に挟まれて絶縁層５によって区画された有機層６の部分は、アルファーニューメリック文字と固定表示パターンの発光表示部１０を構成している。
【００３３】
そして、基板２上に素子９を形成した後、封止処理を行う。この封止処理では、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2 ガス等のドライ雰囲気に置換したグローブボックス内において、ガラス、金属、樹脂等からなる不図示の封止部材を基板２との外周部分を例えばエポキシ系接着剤により封着する。これにより、本例の有機ＥＬデバイス１が完成する。
【００３４】
このように、本例における有機ＥＬデバイス１では、陽極３の成膜及びパターニング時に、発光表示部１０以外の位置の基板２上に配線用パッド４を形成し、陽極３の上から成膜される絶縁層５もスルーホール状に配線用パッド４が露出するように形成しておく。そして、配線用パッド４の位置に相当する部分にスリット固定用のブリッジ８ｂが形成された蒸着マスク８を用いて陰極７を有機層６の上から形成する。
【００３５】
これにより、各群の陰極７（７Ａ，７Ｂ，７Ｃ）は、配線用パッド４を介して各群７Ａ，７Ｂ，７Ｃ毎に電気的に共通接続される。この時、蒸着マスク８上のブリッジ８ｂの部分では陰極７は成膜されないが、このブリッジ８ｂの部分に相当する位置には配線用パッド４が形成されているので、各群７Ａ，７Ｂ，７Ｃ毎の陰極７間は電気的に接続される。
【００３６】
すなわち、図１（ａ）に示す例では、上段の陰極７Ａの各部分７Ａａ，７Ａｂ，７Ａｃ，７Ａｄが配線用パッド４Ａａ，４Ａｂ，４Ａｃを介して共通接続され、中段の陰極７Ｂの各部分７Ｂａ，７Ｂｂ，７Ｂｃが配線用パッド４Ｂａ，４Ｂｂを介して共通接続され、下段の陰極７Ｃの各部分７Ｃａ，７Ｃｂ，７Ｃｃが配線用パッド４Ｃａ，４Ｃｂを介して共通接続される。
【００３７】
このように、本例の有機ＥＬデバイス１によれば、有機層６の上に形成される電極（第二電極：陰極７）をマスク蒸着で簡単に形成することができる。しかも、蒸着時に蒸着マスクの撓みや変形も無くなり、電気的な絶縁不良の発生を防ぐことができるとともに、下地となる有機層を傷つけることなく、発光パターン不良の発生を防ぐことができる。
【００３８】
ところで、上述した実施の形態における絶縁層５は、図１（ｂ）に示すように、配線用パッド４の外縁部分を覆うように形成しているが、他の実施の形態として、図３（ａ），（ｂ）に示すような層構造としてもよい。なお、図１（ｂ）と同一の構成要素には同一番号を付している。
【００３９】
図３（ａ）の例では、配線用パッド４が完全に露出し、配線用パッド４の外周部分との間に所定のギャップをおいて絶縁層５が陽極３の上から形成される。
【００４０】
図３（ｂ）の例では、配線用パッド４が完全に露出するように、配線用パッド４と略同一の膜厚で絶縁層５が陽極３の上から形成される。
【００４１】
また、上述した実施の形態では、第一電極を陽極３とし、第二電極を陰極７とした構成について説明したが、陽極３を蒸着マスクを用いて形成する場合には、第一電極を陰極７とし、第二電極を陽極３として構成する。その場合、陽極３を複数の群に分けて各群毎に分割し、基板２の上の配線用パッド４を介して各群毎に陽極３が共通接続されることになる。
【００４２】
さらに、本発明による構成は、図１に示すアルファーニューメリック文字、固定表示パターンに限らず、これらアルファーニューメリック文字、各種固定表示パターン、日文字を組み合わせて発光表示部を形成する有機ＥＬデバイスに適用することができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、有機層の上に形成される電極をマスク蒸着で簡単に形成することができる。しかも、蒸着時に蒸着マスクの撓みや変形も無くなり、電気的な絶縁不良の発生を防ぐことができるとともに、下地となる有機層を傷つけることなく、発光パターン不良の発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明による有機ＥＬデバイスの実施の形態を示す図であり、基板上に積層形成される各層の分解平面図
（ｂ）各層を積層形成した状態での（ａ）の一点鎖線で囲まれる部分の拡大断面図
【図２】図１の層構造において陰極形成時に使用される蒸着マスクの平面図
【図３】（ａ），（ｂ）本発明による有機デバイスの他の構成例を示す拡大断面図
【図４】有機ＥＬデバイスの層構造を示す図
【図５】（ａ）従来の有機ＥＬデバイスの陰極形成状態を示す断面図
（ｂ）（ａ）の陰極形成時に使用される蒸着マスクの平面図
【符号の説明】
１…有機ＥＬデバイス、２…基板、３…陽極（第一電極）、４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）…配線用パッド、５…絶縁層、６…有機層、７…陰極（第二電極）、８…蒸着マスク、９…素子、１０…発光表示部。
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に有機化合物材料の薄膜が積層された有機エレクトロルミネッセンスデバイス（以下、有機ＥＬデバイスと略称する）とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４に示すように、有機ＥＬデバイス３１は、ガラス等の基板３２に対し、蛍光性有機化合物による発光層を含む薄膜からなる有機層３３を一対の電極である陽極３４と陰極３５との間に挟んで積層した構造をなしている。この有機ＥＬデバイス３１では、陽極３４と陰極３５との間に所定の電圧を印加して有機層３３に正孔及び電子を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して所望の表示を行っている。
【０００３】
ところで、上述した原理に基づいて表示が行われる有機ＥＬデバイス３１において、日文字、アルファーニューメリック文字、固定表示パターンの表示を行う場合、各文字や固定パターンを幾つかの群に分割し、この分割された群毎に電気的に接続されるように陰極の形成がなされている。
【０００４】
図５（ａ）は従来の有機ＥＬデバイスの陰極形成状態を示す断面図、図５（ｂ）は陰極形成時に使用される蒸着マスクの平面図である。
【０００５】
図５（ｂ）に示す蒸着マスク４１は、各文字や固定パターンの分割された群に対応して開口した３つのスリット４２（４２ａ，４２ｂ，４２ｃ）を有している。陰極３５を形成する場合には、図５（ａ）に示すように、既に基板３２の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜による陽極３４、有機化合物材料からなる有機層３３が積層形成されているので、有機層３３の上に上記蒸着マスク４１を位置合わせして真空蒸着を行う。これにより、有機層３３の上には、蒸着マスク４２のスリット４２ａ，４２ｂ，４２ｃの形状に陰極３５が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図５（ｂ）に示す蒸着マスク４１を用いて陰極３５を形成する従来構造の有機ＥＬデバイスでは、陰極３５の表示パターン部及び配線部が各々１本の長いスリット状に形成されることになる。そして、このようなスリット状の陰極３５をマスク蒸着法で形成すると、蒸着マスク４１が撓んだり、変形したりして電気的な絶縁不良を発生するおそれがあった。
【０００７】
使用される蒸着マスク４１は、各スリット４２間の幅が狭いと、エッチング母材の金属板が薄くなり、また、マスキング面積よりも蒸着面積（蒸着マスク４１のスリット４２の開口部）が大きいと、ぺらぺらでこしが無く、変形し易くなる。このため、蒸着時の蒸着マスク４１のハンドリング性が悪く、製造時の効率及び歩留りが悪いという問題を招く。しかも、既に陽極３４及び有機層３３が積層形成された基板３２に対して蒸着マスク４１を位置合わせする際、蒸着マスク４１が撓んで陽極３４上の有機層３３を傷つけてしまい、発光パターン不良が発生するという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、複数に分割された電極間の接続を絶縁不良や発光パターン不良を発生させることなくマスク蒸着により行え、しかも、マスク蒸着を行うにあたり、従来に比べて蒸着マスクのハンドリング性が良く、製造時の効率及び歩留りの向上が図れる有機ＥＬデバイスとその製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスにおいて、
前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置に導電性材料からなる配線用パッドが形成され、
共通接続対象となる前記第二電極の間が前記配線用パッドを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１の有機ＥＬデバイスにおいて、
前記発光表示部以外を覆うように有機絶縁層が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３の発明は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスの製造方法において、
前記第一電極を前記基板の上に成膜・パターニングする工程と、
前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置に導電性材料からなる配線用パッドを成膜・パターニングする工程と、
前記発光表示部のパターン形状に前記第一電極が露出するとともに、前記配線用パッドの少なくとも一部が露出するように有機絶縁層を成膜・パターニングする工程と、
前記有機絶縁層の上から前記有機層を成膜する工程と、
前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸着により成膜・パターニングする工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項４の発明は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスの製造方法において、
前記第一電極の成膜・パターニングと、前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置への導電性材料からなる配線用パッドの成膜・パターニングを同時に行う工程と、
前記発光表示部のパターン形状に前記第一電極が露出するとともに、前記配線用パッドの少なくとも一部が露出するように有機絶縁層を成膜・パターニングする工程と、
前記有機絶縁層の上から前記有機層を成膜する工程と、
前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸着により成膜・パターニングする工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項５の発明は、請求項３又は４の有機ＥＬデバイスの製造方法において、前記第二電極のマスク蒸着に使用する蒸着マスクが前記配線用パッドに相当する位置のスリットの部分にブリッジが形成されていることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１（ａ）は本発明による有機ＥＬデバイスの実施の形態を示す図であり、基板上に積層形成される各層の分解平面図、図１（ｂ）は各層を積層形成した状態での図１（ａ）の一点鎖線で囲まれる部分の拡大断面図、図２は図１の層構造において陰極形成時に使用される蒸着マスクの平面図である。
【００１５】
本例の有機ＥＬデバイスは、分割形成される複数の陰極の表示パターン以外の配線部に相当する位置の基板上に配線用パッドを形成しておき、この配線用パッドの位置に相当する部分にブリッジを設けた蒸着マスクに使用して陰極がマスク蒸着によりパターン成膜されたものである。
【００１６】
以下、本例の有機ＥＬデバイスの具体的な構成を図１及び図２を参照しながら製作工程の手順に沿って説明する。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、有機ＥＬデバイス１は、ガラス等の絶縁性及び透明性を有する基板２を基部としている。まず、基板２の上に第一電極となる陽極３を抵抗加熱蒸着法、分子線蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition ）法により、例えば膜厚数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの範囲で形成した後、フォトリソ法を用いて所定パターン形状に形成する。
【００１８】
本例では、アルファーニューメリック文字や固定表示パターンによる発光表示部の形状に合わせて図１（ａ）の（イ）に示すようなパターン形状に陽極３を形成する。この陽極３の形成時には、図１（ａ）の（イ）及び図１（ｂ）に示すように、後工程で形成される陰極７を各群毎に共通接続するための配線用パッド４（４Ａ〜４Ｃ）も一緒に形成する。
【００１９】
配線用パッド４（４Ａ〜４Ｃ）は、後工程で形成される各群の陰極７Ａ，７Ｂ，７Ｃの分割位置と対応する位置にそれぞれ形成される。図１（ａ）の（イ）の例では、後述する上段の陰極７Ａの３箇所の分割位置と対応して３つの配線用パッド４Ａ（４Ａａ，４Ａｂ，４Ａｃ）が形成される。また、後述する中段の陰極７Ｂの２箇所の分割位置と対応して２つの配線用パッド４Ｂ（４Ｂａ，４Ｂｂ）が形成される。さらに、後述する下段の陰極７Ｃの２箇所の分割位置と対応して２つの配線用パッド４Ｃ（４Ｃａ，４Ｃｂ）が形成される。
【００２０】
陽極３及び配線用パッド４の材料としては、後述する第二電極としての陰極７の材料よりも抵抗率の高い導電性材料（仕事関数の大きい材料）が用いられる。具体的には、ＩＴＯやＺｎＯ等からなる透明導電膜、非晶質透明導電膜であるＩＤＩＸＯ（商品名：出光透明導電材料Idemitsu Indium X-Metal Oxide 、出光興産株式会社製）等を用いることができる。
【００２１】
なお、配線用パッド４は、陽極３と同一工程で形成しない場合には、陽極３と異なる材料、すなわち、後工程で形成される陰極７と同じ材料を用いることも可能である。
【００２２】
次に、陽極３及び配線用パッド４が形成された基板２の上から絶縁層５を成膜する。絶縁層５は、図１（ａ）の（ロ）に示すように、アルファーニューメリック文字や固定表示パターンによる発光表示部以外を覆い、かつ配線用パッド４の外縁部分を覆うように陽極３と後述する有機層６の界面に形成する。絶縁層５は、有機材料からなり、例えばネガ型感光性ポリイミドの他、薄膜で蒸着可能な絶縁材料であるＳｉＮ、ＳｉＯ2 等で形成することができる。
【００２３】
さらに説明すると、ネガ型感光性ポリイミドを用いて絶縁層５を形成する場合には、陽極３及び配線用パッド４の上にスピンコート法やロールコート法により所定の塗膜厚となるようにネガ型感光性ポリイミド膜を成膜し、陽極３上の発光表示部以外を覆い、かつ配線用パッド４にスルーホール状の開口を有するように製作された露光マスクを用いて露光処理を行う。そして、現像完了後、所定のイミド化処理を行う。
【００２４】
これにより、図１（ａ）の（ロ）及び図１（ｂ）に示すように、アルファーニューメリック文字と固定表示パターンの発光表示部の形状に区画されて陽極３が露出し、かつ配線用パッド４の外縁部分が覆われて配線用パッド４にスルーホール状の開口を有した絶縁層５が形成される。
【００２５】
次に、絶縁層５の上から図１（ａ）の（ハ）に示すパターン形状の有機層６を形成する。
【００２６】
上記有機層６を形成するにあたって、低分子タイプの有機層を用いる場合には、抵抗加熱蒸着法により、まず、正孔注入層としてのＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）有機膜を絶縁層５の上から例えば膜厚７０ｎｍで成膜する。続いて、正孔輸送層としてのα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）有機膜をＣｕＰｃ有機膜の上に例えば膜厚２０ｎｍで成膜する。さらに、発光層兼電子輸送層としてのＡｌｑ3 （トリス（８−キノリノラト）アルミニウム(III) ）有機膜をα−ＮＰＤ有機膜の上に例えば膜厚５０ｎｍで成膜する。
【００２７】
なお、高分子タイプの有機層を用いる場合には、蒸着法の代わりにスピンコート法、アプリケーターコート法、グラビアオフセット印刷法等の手法を採用することができる。また、有機層６は、上述した３層構造に限らず、表示素子として機能する層構造であればよい。
【００２８】
次に、有機層６の上から所定パターン形状の陰極７を形成する。本例では、図２に示す蒸着マスク８を用い、図１（ａ）の（ニ）に示すパターン形状の陰極７を有機層６の上から蒸着形成する。
【００２９】
陰極７は、複数の群に分けられ、更に各群が複数に分割されている。図１（ａ）の（二）の例における陰極７は、上から３つの群７Ａ，７Ｂ，７Ｃに分けられている。そして、上段の群の陰極７Ａが４つの部分７Ａａ，７Ａｂ，７Ａｃ，７Ａｄに分割され、中段の群の陰極７Ｂが３つの部分７Ｂａ，７Ｂｂ，７Ｂｃに分割され、下段の群の陰極７Ｃが３つの部分７Ｃａ，７Ｃｂ，７Ｃｃに分割されている。
【００３０】
使用される蒸着マスク８は、図２に示すように、陰極７が形成される位置に相当する部分が開口したスリット８ａを有している。また、蒸着マスク８には、配線用パッド４の位置に相当する部分にスリット固定用のブリッジ８ｂが形成されている。これにより、蒸着マスク８を基板２と位置合わせする際の撓みや変形が無くなり、電気的な絶縁不良や発光パターン不良の発生を防ぐことができる。
【００３１】
陰極７の材料としては、前述した第一電極としての陽極３の材料よりも抵抗率の低い導電性材料（仕事関数の小さい材料）が用いられる。具体的には、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ等の金属単体、及びその化合物、或いはＭｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｍｇ−Ｉｎ等の各種合金を用いることができる。
【００３２】
上記のようにして、基板２の上には、積層形成により構成された陽極３、絶縁層５、有機層６、陰極７からなる素子９が形成される。そして、陽極３と陰極７との間に挟まれて絶縁層５によって区画された有機層６の部分は、アルファーニューメリック文字と固定表示パターンの発光表示部１０を構成している。
【００３３】
そして、基板２上に素子９を形成した後、封止処理を行う。この封止処理では、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2 ガス等のドライ雰囲気に置換したグローブボックス内において、ガラス、金属、樹脂等からなる不図示の封止部材を基板２との外周部分を例えばエポキシ系接着剤により封着する。これにより、本例の有機ＥＬデバイス１が完成する。
【００３４】
このように、本例における有機ＥＬデバイス１では、陽極３の成膜及びパターニング時に、発光表示部１０以外の位置の基板２上に配線用パッド４を形成し、陽極３の上から成膜される絶縁層５もスルーホール状に配線用パッド４が露出するように形成しておく。そして、配線用パッド４の位置に相当する部分にスリット固定用のブリッジ８ｂが形成された蒸着マスク８を用いて陰極７を有機層６の上から形成する。
【００３５】
これにより、各群の陰極７（７Ａ，７Ｂ，７Ｃ）は、配線用パッド４を介して各群７Ａ，７Ｂ，７Ｃ毎に電気的に共通接続される。この時、蒸着マスク８上のブリッジ８ｂの部分では陰極７は成膜されないが、このブリッジ８ｂの部分に相当する位置には配線用パッド４が形成されているので、各群７Ａ，７Ｂ，７Ｃ毎の陰極７間は電気的に接続される。
【００３６】
すなわち、図１（ａ）に示す例では、上段の陰極７Ａの各部分７Ａａ，７Ａｂ，７Ａｃ，７Ａｄが配線用パッド４Ａａ，４Ａｂ，４Ａｃを介して共通接続され、中段の陰極７Ｂの各部分７Ｂａ，７Ｂｂ，７Ｂｃが配線用パッド４Ｂａ，４Ｂｂを介して共通接続され、下段の陰極７Ｃの各部分７Ｃａ，７Ｃｂ，７Ｃｃが配線用パッド４Ｃａ，４Ｃｂを介して共通接続される。
【００３７】
このように、本例の有機ＥＬデバイス１によれば、有機層６の上に形成される電極（第二電極：陰極７）をマスク蒸着で簡単に形成することができる。しかも、蒸着時に蒸着マスクの撓みや変形も無くなり、電気的な絶縁不良の発生を防ぐことができるとともに、下地となる有機層を傷つけることなく、発光パターン不良の発生を防ぐことができる。
【００３８】
ところで、上述した実施の形態における絶縁層５は、図１（ｂ）に示すように、配線用パッド４の外縁部分を覆うように形成しているが、他の実施の形態として、図３（ａ），（ｂ）に示すような層構造としてもよい。なお、図１（ｂ）と同一の構成要素には同一番号を付している。
【００３９】
図３（ａ）の例では、配線用パッド４が完全に露出し、配線用パッド４の外周部分との間に所定のギャップをおいて絶縁層５が陽極３の上から形成される。
【００４０】
図３（ｂ）の例では、配線用パッド４が完全に露出するように、配線用パッド４と略同一の膜厚で絶縁層５が陽極３の上から形成される。
【００４１】
また、上述した実施の形態では、第一電極を陽極３とし、第二電極を陰極７とした構成について説明したが、陽極３を蒸着マスクを用いて形成する場合には、第一電極を陰極７とし、第二電極を陽極３として構成する。その場合、陽極３を複数の群に分けて各群毎に分割し、基板２の上の配線用パッド４を介して各群毎に陽極３が共通接続されることになる。
【００４２】
さらに、本発明による構成は、図１に示すアルファーニューメリック文字、固定表示パターンに限らず、これらアルファーニューメリック文字、各種固定表示パターン、日文字を組み合わせて発光表示部を形成する有機ＥＬデバイスに適用することができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、有機層の上に形成される電極をマスク蒸着で簡単に形成することができる。しかも、蒸着時に蒸着マスクの撓みや変形も無くなり、電気的な絶縁不良の発生を防ぐことができるとともに、下地となる有機層を傷つけることなく、発光パターン不良の発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明による有機ＥＬデバイスの実施の形態を示す図であり、基板上に積層形成される各層の分解平面図
（ｂ）各層を積層形成した状態での（ａ）の一点鎖線で囲まれる部分の拡大断面図
【図２】図１の層構造において陰極形成時に使用される蒸着マスクの平面図
【図３】（ａ），（ｂ）本発明による有機デバイスの他の構成例を示す拡大断面図
【図４】有機ＥＬデバイスの層構造を示す図
【図５】（ａ）従来の有機ＥＬデバイスの陰極形成状態を示す断面図
（ｂ）（ａ）の陰極形成時に使用される蒸着マスクの平面図
【符号の説明】
１…有機ＥＬデバイス、２…基板、３…陽極（第一電極）、４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）…配線用パッド、５…絶縁層、６…有機層、７…陰極（第二電極）、８…蒸着マスク、９…素子、１０…発光表示部。
Claims (5)
- 少なくとも一方が透明電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスにおいて、
前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置に導電性材料からなる配線用パッドが形成され、
共通接続対象となる前記第二電極の間が前記配線用パッドを介して電気的に接続されていることを特徴とする有機ＥＬデバイス。 - 前記発光表示部以外を覆うように有機絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬデバイス。
- 少なくとも一方が透明電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスの製造方法において、
前記第一電極を前記基板の上に成膜・パターニングする工程と、
前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置に導電性材料からなる配線用パッドを成膜・パターニングする工程と、
前記発光表示部のパターン形状に前記第一電極が露出するとともに、前記配線用パッドの少なくとも一部が露出するように有機絶縁層を成膜・パターニングする工程と、
前記有機絶縁層の上から前記有機層を成膜する工程と、
前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸着により成膜・パターニングする工程とを含むことを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。 - 少なくとも一方が透明電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスの製造方法において、
前記第一電極の成膜・パターニングと、前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置への導電性材料からなる配線用パッドの成膜・パターニングを同時に行う工程と、
前記発光表示部のパターン形状に前記第一電極が露出するとともに、前記配線用パッドの少なくとも一部が露出するように有機絶縁層を成膜・パターニングする工程と、
前記有機絶縁層の上から前記有機層を成膜する工程と、
前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸着により成膜・パターニングする工程とを含むことを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。 - 前記第二電極のマスク蒸着に使用する蒸着マスクが前記配線用パッドに相当する位置のスリットの部分にブリッジが形成されていることを特徴とする請求項３又は４記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25189399A JP4595143B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 有機ｅｌデバイスとその製造方法 |
| US09/654,430 US6686693B1 (en) | 1999-09-06 | 2000-09-01 | Organic electroluminescent device with disjointed electrodes arranged in groups |
| KR1020000051944A KR100356141B1 (ko) | 1999-09-06 | 2000-09-04 | 유기 전계 발광 장치와 그 제조 방법 |
| TW089118145A TW474112B (en) | 1999-09-06 | 2000-09-05 | Organic electroluminescent device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25189399A JP4595143B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 有機ｅｌデバイスとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001076869A JP2001076869A (ja) | 2001-03-23 |
| JP4595143B2 true JP4595143B2 (ja) | 2010-12-08 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6686693B1 (ja) |
| JP (1) | JP4595143B2 (ja) |
| KR (1) | KR100356141B1 (ja) |
| TW (1) | TW474112B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6686693B1 (en) | 2004-02-03 |
| TW474112B (en) | 2002-01-21 |
| JP2001076869A (ja) | 2001-03-23 |
| KR100356141B1 (ko) | 2002-10-19 |
| KR20010050324A (ko) | 2001-06-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060901 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090817 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100906 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |