JP2001093665A - 有機ｅｌデバイスとその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌデバイスとその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外光の反射の多くを正反射成分にし、偏光フ
ィルタを併用して外光反射をほとんど除去し、表示パタ
ーンのコントラストを改善する。 【解決手段】 絶縁性及び透明性を有する基板の外側面
２ａには偏光フィルタ１５が設けられる。基板２の内面
には、透明電極からなる陽極３が成膜される。陽極３の
上には、表示パターンの各セグメントを区画するように
絶縁層４が成膜される。絶縁層４により区画されて露出
した陽極３の上から発光層を含む有機層６が成膜され
る。有機層６の上には、金属電極からなる陰極７が表示
パターンの各セグメント形状に成膜される。また同時
に、陰極７の発光領域及び配線７ａを除く領域には、電
気的に絶縁された金属薄膜８が成膜される。基板２上の
素子９を保護するように、封止部材１０が基板２に対し
て外周部分で封止される。素子９と対面して封止部材１
０の内面には捕水剤１１が設けられる。
ィルタを併用して外光反射をほとんど除去し、表示パタ
ーンのコントラストを改善する。 【解決手段】 絶縁性及び透明性を有する基板の外側面
２ａには偏光フィルタ１５が設けられる。基板２の内面
には、透明電極からなる陽極３が成膜される。陽極３の
上には、表示パターンの各セグメントを区画するように
絶縁層４が成膜される。絶縁層４により区画されて露出
した陽極３の上から発光層を含む有機層６が成膜され
る。有機層６の上には、金属電極からなる陰極７が表示
パターンの各セグメント形状に成膜される。また同時
に、陰極７の発光領域及び配線７ａを除く領域には、電
気的に絶縁された金属薄膜８が成膜される。基板２上の
素子９を保護するように、封止部材１０が基板２に対し
て外周部分で封止される。素子９と対面して封止部材１
０の内面には捕水剤１１が設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一方が
透明電極からなる一対の電極間に有機化合物材料の薄膜
が積層された有機エレクトロルミネッセンスデバイス
（以下、有機ＥＬデバイスと略称する）とその製造方法
に関する。
透明電極からなる一対の電極間に有機化合物材料の薄膜
が積層された有機エレクトロルミネッセンスデバイス
（以下、有機ＥＬデバイスと略称する）とその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に示すように、自発光素子である有
機ＥＬデバイス５１は、ガラス等の基板５２に対し、蛍
光性有機化合物による発光層を含む薄膜からなる有機層
５３を一対の電極である陽極５４と陰極５５との間に挟
んで積層した構造をなしている。この有機ＥＬデバイス
５１では、陽極５４と陰極５５との間に所定の電圧を印
加して有機層５３に正孔及び電子を注入して再結合させ
ることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励
起子が失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して
所望の表示を行っている。
機ＥＬデバイス５１は、ガラス等の基板５２に対し、蛍
光性有機化合物による発光層を含む薄膜からなる有機層
５３を一対の電極である陽極５４と陰極５５との間に挟
んで積層した構造をなしている。この有機ＥＬデバイス
５１では、陽極５４と陰極５５との間に所定の電圧を印
加して有機層５３に正孔及び電子を注入して再結合させ
ることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励
起子が失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して
所望の表示を行っている。
【０００３】従来、この種の有機ＥＬデバイス５１とし
て、図４に示すような日文字の固定表示パターンによる
デバイスを構成する場合には、以下の手順に従ってその
製作がなされていた。まず、基板５２の上に一つの桁の
日文字パターンの外形よりも一回り大きい口形状にＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜による陽極５
４を成膜してパターン形成する。続いて、陽極５４と後
工程で形成される陰極５５との間に挟まれるように口形
状に有機層５３を成膜する。その後、日文字パターンの
各セグメントの形状に開口６１ａを有する蒸着マスク６
１を用い、図３に示すように、有機層５３の上に蒸着マ
スク６１を位置決めセットし、蒸着マスク６１の開口６
１ａから真空蒸着法により陰極５５を日文字パターンの
各セグメント形状にパターン形成する。そして、陽極５
４と陰極５５との間に挟まれた有機層５３の部分が日文
字パターン形状の発光表示部（表示パターン）５６を構
成する。
て、図４に示すような日文字の固定表示パターンによる
デバイスを構成する場合には、以下の手順に従ってその
製作がなされていた。まず、基板５２の上に一つの桁の
日文字パターンの外形よりも一回り大きい口形状にＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜による陽極５
４を成膜してパターン形成する。続いて、陽極５４と後
工程で形成される陰極５５との間に挟まれるように口形
状に有機層５３を成膜する。その後、日文字パターンの
各セグメントの形状に開口６１ａを有する蒸着マスク６
１を用い、図３に示すように、有機層５３の上に蒸着マ
スク６１を位置決めセットし、蒸着マスク６１の開口６
１ａから真空蒸着法により陰極５５を日文字パターンの
各セグメント形状にパターン形成する。そして、陽極５
４と陰極５５との間に挟まれた有機層５３の部分が日文
字パターン形状の発光表示部（表示パターン）５６を構
成する。
【０００４】ところで、この種の有機ＥＬデバイス５１
では、表示のコントラストを上げるため、図５に示すよ
うな偏光フィルタ１５が基板５２の外側面５２ａに設け
られている。
では、表示のコントラストを上げるため、図５に示すよ
うな偏光フィルタ１５が基板５２の外側面５２ａに設け
られている。
【０００５】偏光フィルタ１５は、図５に示すように、
偏光板１５ａと１／４波長板１５ｂとを貼り合わせた円
偏光板で構成される。図３及び図４の有機ＥＬデバイス
５１に採用する場合には、基板５２の外側面５２ａに取
り付けられる。
偏光板１５ａと１／４波長板１５ｂとを貼り合わせた円
偏光板で構成される。図３及び図４の有機ＥＬデバイス
５１に採用する場合には、基板５２の外側面５２ａに取
り付けられる。
【０００６】そして、図５に示す偏光フィルタ１５を有
機ＥＬデバイス５１に採用した場合、自然光は偏光板１
５ａを通過することで１方向に偏光面を持つ直線偏光
（縦振動直線偏光）となる。この直線偏光は、偏光面に
対して４５°傾いた方向に配された１／４波長板１５ｂ
を通過し、偏光面の回転する円偏光（右回り円偏光）と
なる。この円偏光は、ミラーとなる陰極５５に反射する
ことで位相がπ与えられ、回転方向は変わり（左回り円
偏光）、さらに１／４波長板１５ｂにより直線偏光（横
振動直線偏光）となる。この光は、入射光に対し、偏光
面が９０°傾くことから偏光板１５ａで遮られ、外には
出射しなくなる。これにより、入射した外光をカットし
てコントラストの改善が図られる。
機ＥＬデバイス５１に採用した場合、自然光は偏光板１
５ａを通過することで１方向に偏光面を持つ直線偏光
（縦振動直線偏光）となる。この直線偏光は、偏光面に
対して４５°傾いた方向に配された１／４波長板１５ｂ
を通過し、偏光面の回転する円偏光（右回り円偏光）と
なる。この円偏光は、ミラーとなる陰極５５に反射する
ことで位相がπ与えられ、回転方向は変わり（左回り円
偏光）、さらに１／４波長板１５ｂにより直線偏光（横
振動直線偏光）となる。この光は、入射光に対し、偏光
面が９０°傾くことから偏光板１５ａで遮られ、外には
出射しなくなる。これにより、入射した外光をカットし
てコントラストの改善が図られる。
【０００７】また、この種の有機ＥＬデバイスでは、ダ
ークスポット（非発光部）の発生及び成長を抑制して保
存安定性を改善するため、デバイス内の基板５２と対向
する位置（封止部材の内面）には捕水剤が設けられる。
ークスポット（非発光部）の発生及び成長を抑制して保
存安定性を改善するため、デバイス内の基板５２と対向
する位置（封止部材の内面）には捕水剤が設けられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図３及び図４に示す従
来構造の有機ＥＬデバイス５１の場合、日文字パターン
の発光表示部の領域には金属薄膜による陰極５５が形成
され、不透明になっている。これに対し、発光表示部以
外の領域には金属薄膜がなく、概略透明である。
来構造の有機ＥＬデバイス５１の場合、日文字パターン
の発光表示部の領域には金属薄膜による陰極５５が形成
され、不透明になっている。これに対し、発光表示部以
外の領域には金属薄膜がなく、概略透明である。
【０００９】そして、従来使用される多くの捕水剤は白
色のパウダーであるため、発光表示部以外の透明な部分
から入射した外部光は、捕水剤の白色パウダー上で散乱
しながら再び発光表示部の間を通って基板５２の外に抜
ける。
色のパウダーであるため、発光表示部以外の透明な部分
から入射した外部光は、捕水剤の白色パウダー上で散乱
しながら再び発光表示部の間を通って基板５２の外に抜
ける。
【００１０】したがって、有機ＥＬデバイス５１を表示
面（基板５２の外側面５２ａ）から見た場合、発光表示
部は外部光の正反射光成分だけでなので、その光は偏光
されて完全に偏光フィルタ１５で吸収される。
面（基板５２の外側面５２ａ）から見た場合、発光表示
部は外部光の正反射光成分だけでなので、その光は偏光
されて完全に偏光フィルタ１５で吸収される。
【００１１】しかしながら、上記発光表示部以外の部分
では、外部光が捕水剤の白色パウダーで散乱されて反射
してくるため、偏光面がそろわず偏光フィルタ１５で吸
収されるのは極一部となる。
では、外部光が捕水剤の白色パウダーで散乱されて反射
してくるため、偏光面がそろわず偏光フィルタ１５で吸
収されるのは極一部となる。
【００１２】その結果、本来偏光フィルタ１５でカット
できるはずの外部光の反射成分を除去できず、発光表示
部以外の部分から抜けてしまい、コントラストを著しく
低下させてしまうという問題があった。
できるはずの外部光の反射成分を除去できず、発光表示
部以外の部分から抜けてしまい、コントラストを著しく
低下させてしまうという問題があった。
【００１３】また、体色が白色の捕水剤は、発光表示部
以外の部分から表示面を通して外から見えてしまうの
で、見栄えが悪いという問題があった。
以外の部分から表示面を通して外から見えてしまうの
で、見栄えが悪いという問題があった。
【００１４】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであり、外光の反射の多くを正反射成分にす
ることができる有機ＥＬデバイスとその製造方法を提供
することを第１の目的とし、加えて、偏光フィルタを併
用することで外光反射をほとんど除去して表示パターン
のコントラストを改善できる有機ＥＬデバイスとその製
造方法を提供し、さらには、外囲器内の発光表示部と対
向する位置に捕水剤を設けても表示面から見えにくい有
機ＥＬデバイスとその製造方法を提供することにある。
されたものであり、外光の反射の多くを正反射成分にす
ることができる有機ＥＬデバイスとその製造方法を提供
することを第１の目的とし、加えて、偏光フィルタを併
用することで外光反射をほとんど除去して表示パターン
のコントラストを改善できる有機ＥＬデバイスとその製
造方法を提供し、さらには、外囲器内の発光表示部と対
向する位置に捕水剤を設けても表示面から見えにくい有
機ＥＬデバイスとその製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、少なくとも一方が透明電極から
なる第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が
挟まれるように、絶縁性を有する基板の上に前記第一電
極、有機層、第二電極の順に積層形成されて素子が構成
された有機ＥＬデバイスにおいて、前記第一電極と第二
電極の少なくとも一方の電極の発光領域及び配線を除く
領域には、電気的に絶縁された金属薄膜が形成されてい
ることを特徴とする。
め、請求項１の発明は、少なくとも一方が透明電極から
なる第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が
挟まれるように、絶縁性を有する基板の上に前記第一電
極、有機層、第二電極の順に積層形成されて素子が構成
された有機ＥＬデバイスにおいて、前記第一電極と第二
電極の少なくとも一方の電極の発光領域及び配線を除く
領域には、電気的に絶縁された金属薄膜が形成されてい
ることを特徴とする。
【００１６】請求項２の発明は、透明電極からなる第一
電極と金属電極からなる第二電極との間に発光層を含む
有機層が挟まれるように、絶縁性及び透明性を有する基
板の上に前記第一電極、有機層、第二電極の順に積層形
成されて素子が構成され、前記素子を保護するように前
記基板の外周部分に封止部材が封止され、前記素子と対
面する前記封止部材の内面に捕水剤が設けられた有機Ｅ
Ｌデバイスにおいて、前記第二電極の発光領域及び配線
を除く領域には、電気的に絶縁された金属薄膜が形成さ
れていることを特徴とする。
電極と金属電極からなる第二電極との間に発光層を含む
有機層が挟まれるように、絶縁性及び透明性を有する基
板の上に前記第一電極、有機層、第二電極の順に積層形
成されて素子が構成され、前記素子を保護するように前
記基板の外周部分に封止部材が封止され、前記素子と対
面する前記封止部材の内面に捕水剤が設けられた有機Ｅ
Ｌデバイスにおいて、前記第二電極の発光領域及び配線
を除く領域には、電気的に絶縁された金属薄膜が形成さ
れていることを特徴とする。
【００１７】請求項３の発明は、請求項１又は２の有機
ＥＬデバイスにおいて、前記素子の発光を観察する面の
外側に偏光フィルタが設けられたことを特徴とする。
ＥＬデバイスにおいて、前記素子の発光を観察する面の
外側に偏光フィルタが設けられたことを特徴とする。
【００１８】請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれ
かの有機ＥＬデバイスにおいて、前記第二電極及び前記
金属薄膜が同一材料からなることを特徴とする。
かの有機ＥＬデバイスにおいて、前記第二電極及び前記
金属薄膜が同一材料からなることを特徴とする。
【００１９】請求項５の発明は、少なくとも一方が透明
電極からなる第一電極と第二電極との間に発光層を含む
有機層が挟まれるように、絶縁性を有する基板の上に前
記第一電極、有機層、第二電極の順に積層形成されて素
子が構成された有機ＥＬデバイスの製造方法において、
前記第一電極と第二電極の少なくとも一方の電極の発光
領域及び配線を除く領域に電気的に絶縁された金属薄膜
を形成する工程を含むことを特徴とする。
電極からなる第一電極と第二電極との間に発光層を含む
有機層が挟まれるように、絶縁性を有する基板の上に前
記第一電極、有機層、第二電極の順に積層形成されて素
子が構成された有機ＥＬデバイスの製造方法において、
前記第一電極と第二電極の少なくとも一方の電極の発光
領域及び配線を除く領域に電気的に絶縁された金属薄膜
を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２０】請求項６の発明は、透明電極からなる第一
電極と金属電極からなる第二電極との間に発光層を含む
有機層が挟まれるように、絶縁性及び透明性を有する基
板の上に前記第一電極、有機層、第二電極の順に積層形
成されて素子が構成され、前記素子を保護するように前
記基板の外周部分に封止部材が封止され、前記素子と対
面する前記封止部材の内面に捕水剤が設けられた有機Ｅ
Ｌデバイスの製造方法において、前記第二電極の発光領
域及び配線を除く領域に電気的に絶縁された金属薄膜を
形成する工程を含むことを特徴とする。
電極と金属電極からなる第二電極との間に発光層を含む
有機層が挟まれるように、絶縁性及び透明性を有する基
板の上に前記第一電極、有機層、第二電極の順に積層形
成されて素子が構成され、前記素子を保護するように前
記基板の外周部分に封止部材が封止され、前記素子と対
面する前記封止部材の内面に捕水剤が設けられた有機Ｅ
Ｌデバイスの製造方法において、前記第二電極の発光領
域及び配線を除く領域に電気的に絶縁された金属薄膜を
形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２１】請求項７の発明は、請求項５又は６の有機
ＥＬデバイスの製造方法において、前記金属薄膜を前記
第二電極と同時に形成することを特徴とする。
ＥＬデバイスの製造方法において、前記金属薄膜を前記
第二電極と同時に形成することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は本発明による有機ＥＬデバ
イスの実施の形態を示す図、図２は本発明による有機Ｅ
Ｌデバイスの第二電極（配線を含む）と金属薄膜のパタ
ーンの一例を示す平面図である。
イスの実施の形態を示す図、図２は本発明による有機Ｅ
Ｌデバイスの第二電極（配線を含む）と金属薄膜のパタ
ーンの一例を示す平面図である。
【００２３】本例の有機ＥＬデバイスは、第二電極であ
る陰極をマスク蒸着によりパターン成膜する際、表示パ
ターン以外にも電気的な機能を持たない金属薄膜を形成
し、表示面の透明部分を減らした構造となっている。
る陰極をマスク蒸着によりパターン成膜する際、表示パ
ターン以外にも電気的な機能を持たない金属薄膜を形成
し、表示面の透明部分を減らした構造となっている。
【００２４】以下、本例の有機ＥＬデバイスの具体的な
構成を図１及び図２を参照しながら製作工程の手順に沿
って説明する。
構成を図１及び図２を参照しながら製作工程の手順に沿
って説明する。
【００２５】図１に示すように、有機ＥＬデバイス１
は、ガラス等の絶縁性及び透明性を有する基板２を基部
としている。まず、基板２の上に第一電極となる陽極３
（信号供給用の配線３ａを含む）を抵抗加熱蒸着法、電
子線蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ（Physical Vapor D
eposition ）法により、例えば膜厚数１０ｎｍ〜数１０
０ｎｍの範囲で形成した後、フォトリソ法によるエッチ
ング処理により所定パターン形状に形成する。
は、ガラス等の絶縁性及び透明性を有する基板２を基部
としている。まず、基板２の上に第一電極となる陽極３
（信号供給用の配線３ａを含む）を抵抗加熱蒸着法、電
子線蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ（Physical Vapor D
eposition ）法により、例えば膜厚数１０ｎｍ〜数１０
０ｎｍの範囲で形成した後、フォトリソ法によるエッチ
ング処理により所定パターン形状に形成する。
【００２６】陽極３の材料としては、後述する第二電極
としての陰極７の材料より抵抗率の高い導電性材料（仕
事関数の大きい材料）が用いられる。具体的には、ＩＴ
ＯやＺｎＯ等からなる透明導電膜、非晶質透明導電膜で
あるＩＤＩＸＯ（商品名：出光透明導電材料Idemitsu I
ndium X-Metal Oxide 、出光興産株式会社製）等を用い
ることができる。
としての陰極７の材料より抵抗率の高い導電性材料（仕
事関数の大きい材料）が用いられる。具体的には、ＩＴ
ＯやＺｎＯ等からなる透明導電膜、非晶質透明導電膜で
あるＩＤＩＸＯ（商品名：出光透明導電材料Idemitsu I
ndium X-Metal Oxide 、出光興産株式会社製）等を用い
ることができる。
【００２７】次に、陽極３が形成された基板２の上から
絶縁層４を成膜する。絶縁層４は、日文字パターンによ
る発光表示部（表示パターン）５以外を覆うように陽極
３と後述する有機層６の界面に形成する。絶縁層４は、
有機材料からなり、例えばネガ型感光性ポリイミドの
他、薄膜で蒸着可能な絶縁材料であるＳｉＮ、ＳｉＯ2
等で形成することができる。
絶縁層４を成膜する。絶縁層４は、日文字パターンによ
る発光表示部（表示パターン）５以外を覆うように陽極
３と後述する有機層６の界面に形成する。絶縁層４は、
有機材料からなり、例えばネガ型感光性ポリイミドの
他、薄膜で蒸着可能な絶縁材料であるＳｉＮ、ＳｉＯ2
等で形成することができる。
【００２８】さらに説明すると、ネガ型感光性ポリイミ
ドを用いて絶縁層４を形成する場合には、陽極３の上に
スピンコート法やロールコート法により所定の塗膜厚
（例えば約１μｍ）となるようにネガ型感光性ポリイミ
ド膜を成膜し、陽極３上の発光表示部５以外を覆うよう
に製作された露光マスクを用い、紫外線を選択的に照射
して露光処理を行う。そして、現像完了後、所定のイミ
ド化処理を行う。
ドを用いて絶縁層４を形成する場合には、陽極３の上に
スピンコート法やロールコート法により所定の塗膜厚
（例えば約１μｍ）となるようにネガ型感光性ポリイミ
ド膜を成膜し、陽極３上の発光表示部５以外を覆うよう
に製作された露光マスクを用い、紫外線を選択的に照射
して露光処理を行う。そして、現像完了後、所定のイミ
ド化処理を行う。
【００２９】これにより、日文字パターンの発光表示部
５の形状に区画されて陽極３が露出した絶縁層４が形成
される。そして、この絶縁層４により、陽極３と後工程
で形成される陰極７と金属薄膜８との間の電気的短絡が
防止される。
５の形状に区画されて陽極３が露出した絶縁層４が形成
される。そして、この絶縁層４により、陽極３と後工程
で形成される陰極７と金属薄膜８との間の電気的短絡が
防止される。
【００３０】次に、絶縁層４の上から有機層６を形成す
る。有機層６を形成するにあたって、低分子タイプの有
機層を用いる場合には、抵抗加熱蒸着法により、まず、
正孔注入層としてのＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）有機
膜を絶縁層の上から例えば膜厚７０ｎｍで成膜する。続
いて、正孔輸送層としてのα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス
−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジ
ン）有機膜をＣｕＰｃ有機膜の上に例えば膜厚２０ｎｍ
で成膜する。さらに、発光層兼電子輸送層としてのＡｌ
ｑ3 （トリス（８−キノリノラト）アルミニウム(III)
）有機膜をα−ＮＰＤ有機膜の上に例えば膜厚５０ｎ
ｍで成膜する。
る。有機層６を形成するにあたって、低分子タイプの有
機層を用いる場合には、抵抗加熱蒸着法により、まず、
正孔注入層としてのＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）有機
膜を絶縁層の上から例えば膜厚７０ｎｍで成膜する。続
いて、正孔輸送層としてのα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス
−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジ
ン）有機膜をＣｕＰｃ有機膜の上に例えば膜厚２０ｎｍ
で成膜する。さらに、発光層兼電子輸送層としてのＡｌ
ｑ3 （トリス（８−キノリノラト）アルミニウム(III)
）有機膜をα−ＮＰＤ有機膜の上に例えば膜厚５０ｎ
ｍで成膜する。
【００３１】なお、高分子タイプの有機層を用いる場合
には、蒸着法の代わりにスピンコート法、アプリケータ
ーコート法、グラビアオフセット印刷法等の手法を採用
することができる。また、有機層６は、上述した３層構
造に限らず、表示素子として機能する層構造であればよ
い。
には、蒸着法の代わりにスピンコート法、アプリケータ
ーコート法、グラビアオフセット印刷法等の手法を採用
することができる。また、有機層６は、上述した３層構
造に限らず、表示素子として機能する層構造であればよ
い。
【００３２】次に、有機層６の上から第二電極である陰
極７（信号供給用の配線７ａを含む）を所定パターン形
状に形成する。本例では、図２に示す日文字パターンの
発光表示部５の陰極７及び日文字パターンの各セグメン
トから基板２の一端部に引き出される配線７ａをマスク
蒸着法により形成する。また、日文字パターンの発光表
示部５の発光領域、陰極７及び配線７ａを除く所定領域
（好ましくは、基板２と封止部材１０の封止部分を除く
基板２上のほぼ全域）には、陰極７の形成と同時に、有
機層６の上から光学的な金属薄膜８がマスク蒸着法によ
り形成される。図２の例では、日文字パターンの発光表
示部５の各セグメントで囲まれた領域で各セグメントか
ら所定ギャップ離れた位置に（口形状の光学的な金属薄
膜８が形成されている。
極７（信号供給用の配線７ａを含む）を所定パターン形
状に形成する。本例では、図２に示す日文字パターンの
発光表示部５の陰極７及び日文字パターンの各セグメン
トから基板２の一端部に引き出される配線７ａをマスク
蒸着法により形成する。また、日文字パターンの発光表
示部５の発光領域、陰極７及び配線７ａを除く所定領域
（好ましくは、基板２と封止部材１０の封止部分を除く
基板２上のほぼ全域）には、陰極７の形成と同時に、有
機層６の上から光学的な金属薄膜８がマスク蒸着法によ
り形成される。図２の例では、日文字パターンの発光表
示部５の各セグメントで囲まれた領域で各セグメントか
ら所定ギャップ離れた位置に（口形状の光学的な金属薄
膜８が形成されている。
【００３３】金属薄膜８は、陰極７（配線７ａを含む）
と電気的絶縁が保たれる程度のギャップを有していれば
よく、その形状は問わない。例えば固定表示パターンの
形状によっては、光学的な金属薄膜８をドット状に分割
形成しても良い。
と電気的絶縁が保たれる程度のギャップを有していれば
よく、その形状は問わない。例えば固定表示パターンの
形状によっては、光学的な金属薄膜８をドット状に分割
形成しても良い。
【００３４】陰極７及び光学的な金属薄膜８の材料とし
ては、前述した第一電極としての陽極３の材料よりも抵
抗率の低い導電性材料（仕事関数の小さい材料）が用い
られる。具体的には、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ等
の金属単体、及びその化合物、或いはＭｇ−Ａｇ、Ａｌ
−Ｌｉ、Ｍｇ−Ｉｎ等の各種合金を用いることができ
る。
ては、前述した第一電極としての陽極３の材料よりも抵
抗率の低い導電性材料（仕事関数の小さい材料）が用い
られる。具体的には、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ等
の金属単体、及びその化合物、或いはＭｇ−Ａｇ、Ａｌ
−Ｌｉ、Ｍｇ−Ｉｎ等の各種合金を用いることができ
る。
【００３５】なお、陰極７及び光学的な金属薄膜８の形
成には、上述したマスク蒸着法に限らず、絶縁リブ法、
レーザートリミング法等の手法を用いることができる。
成には、上述したマスク蒸着法に限らず、絶縁リブ法、
レーザートリミング法等の手法を用いることができる。
【００３６】上記のようにして、基板２の上には、積層
形成により構成された陽極３、絶縁層４、有機層６、陰
極７からなる素子９が形成される。そして、陽極３と陰
極７との間に挟まれて絶縁層４によって区画された有機
層６の部分は、日文字パターンの発光表示部５を構成し
ている。
形成により構成された陽極３、絶縁層４、有機層６、陰
極７からなる素子９が形成される。そして、陽極３と陰
極７との間に挟まれて絶縁層４によって区画された有機
層６の部分は、日文字パターンの発光表示部５を構成し
ている。
【００３７】次に、ガラス、金属、セラミックス、樹
脂、ほうろう等からなる封止部材１０の内面に捕水剤１
１を設ける。図１の例では、まず、封止部材１０の内面
に形成された凹部１０ａの表面に粘着性樹脂膜１２を成
膜する。粘着性樹脂膜１２は、０．０１〜１０μｍ（好
ましくは０．１〜数μｍ）の硬化膜厚で成膜される。
脂、ほうろう等からなる封止部材１０の内面に捕水剤１
１を設ける。図１の例では、まず、封止部材１０の内面
に形成された凹部１０ａの表面に粘着性樹脂膜１２を成
膜する。粘着性樹脂膜１２は、０．０１〜１０μｍ（好
ましくは０．１〜数μｍ）の硬化膜厚で成膜される。
【００３８】粘着性樹脂膜１２の成膜には、例えばディ
スペンス法、刷毛塗り法、スクリーン印刷法、転写法、
スピンコート法等の手法が採用される。粘着性樹脂膜１
２は、熱可塑性あるいは熱硬化性樹脂を溶剤（例えばト
ルエン、石油系溶剤等の非水系溶剤）に溶解したもの、
無溶剤タイプの紫外線硬化性接着剤等からなる。
スペンス法、刷毛塗り法、スクリーン印刷法、転写法、
スピンコート法等の手法が採用される。粘着性樹脂膜１
２は、熱可塑性あるいは熱硬化性樹脂を溶剤（例えばト
ルエン、石油系溶剤等の非水系溶剤）に溶解したもの、
無溶剤タイプの紫外線硬化性接着剤等からなる。
【００３９】続いて、素子９に対して直接露出した状態
で所定量の捕水剤１１を粘着性樹脂膜１２に固着する。
捕水剤１１は、例えばＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ等からな
り、外囲器１３内の残留水分や外部からの水分等を化学
的に吸着して保持する役目を担っている。
で所定量の捕水剤１１を粘着性樹脂膜１２に固着する。
捕水剤１１は、例えばＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ等からな
り、外囲器１３内の残留水分や外部からの水分等を化学
的に吸着して保持する役目を担っている。
【００４０】そして、基板２上に素子９を形成した後、
封止処理を行う。この封止処理では、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2
ガス等のドライ雰囲気に置換したグローブボックス内に
おいて、封止部材１０の捕水剤１１が設けられた面と、
基板２の素子９が形成された面とを対面させた状態で封
止部材１０と基板２との外周部分を封止用接着剤（例え
ばエポキシ系接着剤）により封着する。これにより、内
部がドライ雰囲気に保たれた外囲器１３が構成され、内
部の素子９が保護される。
封止処理を行う。この封止処理では、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2
ガス等のドライ雰囲気に置換したグローブボックス内に
おいて、封止部材１０の捕水剤１１が設けられた面と、
基板２の素子９が形成された面とを対面させた状態で封
止部材１０と基板２との外周部分を封止用接着剤（例え
ばエポキシ系接着剤）により封着する。これにより、内
部がドライ雰囲気に保たれた外囲器１３が構成され、内
部の素子９が保護される。
【００４１】そして、表示の観測側となる基板２の外側
面２ａに図５に示す偏光フィルタ１５を取り付ける。な
お、偏光フィルタ１５の構成及び原理は、前述した通り
なので、その説明を省略する。以上の工程を経て本例の
有機ＥＬデバイス１が完成する。
面２ａに図５に示す偏光フィルタ１５を取り付ける。な
お、偏光フィルタ１５の構成及び原理は、前述した通り
なので、その説明を省略する。以上の工程を経て本例の
有機ＥＬデバイス１が完成する。
【００４２】このように、本例の有機ＥＬデバイス１で
は、第二電極である陰極７と同時に形成される光学的な
金属薄膜８が発光表示部５（表示パターン）及び陰極７
（配線７ａを含む）以外の領域にも形成されるので、外
囲器１３の外から入射する外光の反射の多くを正反射成
分にすることができる。
は、第二電極である陰極７と同時に形成される光学的な
金属薄膜８が発光表示部５（表示パターン）及び陰極７
（配線７ａを含む）以外の領域にも形成されるので、外
囲器１３の外から入射する外光の反射の多くを正反射成
分にすることができる。
【００４３】なお、発光表示部５及び陰極７（配線７ａ
を含む）以外の領域で、封止部材１０との封止部分を除
く基板２上のほぼ全域に渡って有機層６の上から金属薄
膜８を形成すれば、より効果的に外光の反射を正反射成
分にすることができる。
を含む）以外の領域で、封止部材１０との封止部分を除
く基板２上のほぼ全域に渡って有機層６の上から金属薄
膜８を形成すれば、より効果的に外光の反射を正反射成
分にすることができる。
【００４４】そして、偏光フィルタ１５を基板２の外側
面２ａに設けることにより、外光反射を偏光フィルタ１
５でほとんどカットすることができ、表示パターンのコ
ントラストを改善することができる。
面２ａに設けることにより、外光反射を偏光フィルタ１
５でほとんどカットすることができ、表示パターンのコ
ントラストを改善することができる。
【００４５】また、図１の例では、発光表示部５と対面
して封止部材１０の凹部１０ａに捕水剤１１が設けられ
ているが、捕水剤１１の体色が表示の観測側から目立た
ないように金属薄膜８によって目隠しすることができ
る。
して封止部材１０の凹部１０ａに捕水剤１１が設けられ
ているが、捕水剤１１の体色が表示の観測側から目立た
ないように金属薄膜８によって目隠しすることができ
る。
【００４６】ところで、図１の例では、基板２の上に成
膜される第一電極を陽極３とし、有機層６の上に成膜さ
れる第二電極を陰極７としているが、陽極３と陰極７を
逆転した構成としてもよい。すなわち、基板２の上に第
二電極としての陰極７を成膜し、有機層６の上に第一電
極としての陽極３を成膜する。この場合、光学的な金属
薄膜８は陰極７と同時に基板２上に成膜される。また、
表示が封止部材１０の外側から観察される構成となるの
で、基板２は透明性を有する必要はなく、封止部材１０
が透明性を有する部材で構成される。また、捕水剤１
は、例えば基板２と封止部材１０との間を封止する接着
剤に混入する等、外囲器１３内における表示の妨げにな
らない位置に設けられる。
膜される第一電極を陽極３とし、有機層６の上に成膜さ
れる第二電極を陰極７としているが、陽極３と陰極７を
逆転した構成としてもよい。すなわち、基板２の上に第
二電極としての陰極７を成膜し、有機層６の上に第一電
極としての陽極３を成膜する。この場合、光学的な金属
薄膜８は陰極７と同時に基板２上に成膜される。また、
表示が封止部材１０の外側から観察される構成となるの
で、基板２は透明性を有する必要はなく、封止部材１０
が透明性を有する部材で構成される。また、捕水剤１
は、例えば基板２と封止部材１０との間を封止する接着
剤に混入する等、外囲器１３内における表示の妨げにな
らない位置に設けられる。
【００４７】また、図１の例では、陽極３と有機層６の
界面に絶縁層４を設けた構成としているが、隣接する電
極間の絶縁がある程度保たれていれば、絶縁層４を省い
た構成であってもよい。このことは、陽極３と陰極７を
逆転した構成でも同様である。
界面に絶縁層４を設けた構成としているが、隣接する電
極間の絶縁がある程度保たれていれば、絶縁層４を省い
た構成であってもよい。このことは、陽極３と陰極７を
逆転した構成でも同様である。
【００４８】さらに、本発明による構成は、図２に示す
日文字の表示パターンに限らず、日文字、アルファーニ
ューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせ
による表示パターンからなる有機ＥＬデバイスに適用す
ることができる。
日文字の表示パターンに限らず、日文字、アルファーニ
ューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わせ
による表示パターンからなる有機ＥＬデバイスに適用す
ることができる。
【００４９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、第二電極と同時に形成される光学的な金属薄膜
が発光表示部及び陰極以外の領域にも形成されるので、
デバイスの外から入射する外光の反射の多くを正反射成
分にすることができる。
よれば、第二電極と同時に形成される光学的な金属薄膜
が発光表示部及び陰極以外の領域にも形成されるので、
デバイスの外から入射する外光の反射の多くを正反射成
分にすることができる。
【００５０】そして、素子の発光を観察する面の外側に
偏光フィルタを設けることにより、外光反射を偏光フィ
ルタでほとんどカットすることができ、表示パターンの
コントラストを改善することができる。
偏光フィルタを設けることにより、外光反射を偏光フィ
ルタでほとんどカットすることができ、表示パターンの
コントラストを改善することができる。
【００５１】また、素子の発光部分と対面して封止部材
の内面に捕水剤を設けても、捕水剤の体色が表示の観測
側から目立たないように金属薄膜で目隠しすることがで
きる。
の内面に捕水剤を設けても、捕水剤の体色が表示の観測
側から目立たないように金属薄膜で目隠しすることがで
きる。
【図１】本発明による有機ＥＬデバイスの実施の形態を
示す断面図
示す断面図
【図２】本発明による有機ＥＬデバイスの陰極及び光学
的な金属薄膜のパターンの一例を示す平面図
的な金属薄膜のパターンの一例を示す平面図
【図３】有機ＥＬデバイスの概略構成を示す図
【図４】マスク蒸着によって形成される陰極のパターン
の一例を示す図
の一例を示す図
【図５】偏光フィルタの原理図
１…有機ＥＬデバイス、２…基板、３…陽極（第一電
極）、５…発光表示部（表示パターン）、６…有機層、
７…陰極（第二電極）、８…光学的な金属薄膜、９…素
子、１０…封止部材、１１…捕水剤、１５…偏光フィル
タ。
極）、５…発光表示部（表示パターン）、６…有機層、
７…陰極（第二電極）、８…光学的な金属薄膜、９…素
子、１０…封止部材、１１…捕水剤、１５…偏光フィル
タ。
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透明電極からなる第一
電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれる
ように、絶縁性を有する基板の上に前記第一電極、有機
層、第二電極の順に積層形成されて素子が構成された有
機ＥＬデバイスにおいて、 前記第一電極と第二電極の少なくとも一方の電極の発光
領域及び配線を除く領域には、電気的に絶縁された金属
薄膜が形成されていることを特徴とする有機ＥＬデバイ
ス。 - 【請求項２】 透明電極からなる第一電極と金属電極か
らなる第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれる
ように、絶縁性及び透明性を有する基板の上に前記第一
電極、有機層、第二電極の順に積層形成されて素子が構
成され、前記素子を保護するように前記基板の外周部分
に封止部材が封止され、前記素子と対面する前記封止部
材の内面に捕水剤が設けられた有機ＥＬデバイスにおい
て、 前記第二電極の発光領域及び配線を除く領域には、電気
的に絶縁された金属薄膜が形成されていることを特徴と
する有機ＥＬデバイス。 - 【請求項３】 前記素子の発光を観察する面の外側に偏
光フィルタが設けられたことを特徴とする請求項１又は
２記載の有機ＥＬデバイス。 - 【請求項４】 前記第二電極及び前記金属薄膜が同一材
料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
記載の有機ＥＬデバイス。 - 【請求項５】 少なくとも一方が透明電極からなる第一
電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれる
ように、絶縁性を有する基板の上に前記第一電極、有機
層、第二電極の順に積層形成されて素子が構成された有
機ＥＬデバイスの製造方法において、 前記第一電極と第二電極の少なくとも一方の電極の発光
領域及び配線を除く領域に電気的に絶縁された金属薄膜
を形成する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬデバイ
スの製造方法。 - 【請求項６】 透明電極からなる第一電極と金属電極か
らなる第二電極との間に発光層を含む有機層が挟まれる
ように、絶縁性及び透明性を有する基板の上に前記第一
電極、有機層、第二電極の順に積層形成されて素子が構
成され、前記素子を保護するように前記基板の外周部分
に封止部材が封止され、前記素子と対面する前記封止部
材の内面に捕水剤が設けられた有機ＥＬデバイスの製造
方法において、 前記第二電極の発光領域及び配線を除く領域に電気的に
絶縁された金属薄膜を形成する工程を含むことを特徴と
する有機ＥＬデバイスの製造方法。 - 【請求項７】 前記金属薄膜を前記第二電極と同時に形
成することを特徴とする請求項５又は６記載の有機ＥＬ
デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26885999A JP2001093665A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 有機ｅｌデバイスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26885999A JP2001093665A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 有機ｅｌデバイスとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005216752A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Seiko Epson Corp | 吸湿ブロック、電気光学装置、電子機器、画像形成装置及び電気光学装置の製造方法 |
| JP2006228675A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR100627954B1 (ko) * | 2002-03-07 | 2006-09-22 | 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ소자 |
| KR100992141B1 (ko) | 2003-11-19 | 2010-11-04 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
| JP2012134312A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Denso Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2016122501A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機発光デバイスおよび有機表示装置 |
| US10559782B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-02-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus |
-
1999
- 1999-09-22 JP JP26885999A patent/JP2001093665A/ja active Pending
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