JP2001076869A - 有機ｅｌデバイスとその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌデバイスとその製造方法Info
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数に分割された電極間の接続を絶縁不良や
発光パターン不良を発生させることなく行う。 【解決手段】 ガラス等の基板２の上には、透明電極か
らなる陽極３が成膜・パターニングされる。発光表示部
１０以外の陰極７の配線部に相当する基板２上の位置に
は、陽極３と同一材料の配線用パッド４が成膜・パター
ニングされる。陽極３の上からは、発光表示部１０の発
光領域を区画するように有機材料からなる絶縁層５が成
膜される。絶縁層５の上からは、発光層を含む有機層６
が成膜される。有機層６の上からは、金属材料からなる
陰極７が成膜・パターニングされ、共通接続対象となる
陰極７Ａａ〜７Ａｄ間が配線用パッド４Ａａ〜４Ａｃを
介して電気的に接続され、陰極７Ｂａ〜７Ｂｃ間が配線
用パッド４Ｂａ，４Ｂｂを介して電気的に接続され、陰
極７Ｃａ〜７Ｃｃ間が配線用パッド４Ｃａ，４Ｃｂを介
して電気的に接続される。
発光パターン不良を発生させることなく行う。 【解決手段】 ガラス等の基板２の上には、透明電極か
らなる陽極３が成膜・パターニングされる。発光表示部
１０以外の陰極７の配線部に相当する基板２上の位置に
は、陽極３と同一材料の配線用パッド４が成膜・パター
ニングされる。陽極３の上からは、発光表示部１０の発
光領域を区画するように有機材料からなる絶縁層５が成
膜される。絶縁層５の上からは、発光層を含む有機層６
が成膜される。有機層６の上からは、金属材料からなる
陰極７が成膜・パターニングされ、共通接続対象となる
陰極７Ａａ〜７Ａｄ間が配線用パッド４Ａａ〜４Ａｃを
介して電気的に接続され、陰極７Ｂａ〜７Ｂｃ間が配線
用パッド４Ｂａ，４Ｂｂを介して電気的に接続され、陰
極７Ｃａ〜７Ｃｃ間が配線用パッド４Ｃａ，４Ｃｂを介
して電気的に接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一方が
透明電極からなる一対の電極間に有機化合物材料の薄膜
が積層された有機エレクトロルミネッセンスデバイス
（以下、有機ＥＬデバイスと略称する）とその製造方法
に関する。
透明電極からなる一対の電極間に有機化合物材料の薄膜
が積層された有機エレクトロルミネッセンスデバイス
（以下、有機ＥＬデバイスと略称する）とその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すように、有機ＥＬデバイス３
１は、ガラス等の基板３２に対し、蛍光性有機化合物に
よる発光層を含む薄膜からなる有機層３３を一対の電極
である陽極３４と陰極３５との間に挟んで積層した構造
をなしている。この有機ＥＬデバイス３１では、陽極３
４と陰極３５との間に所定の電圧を印加して有機層３３
に正孔及び電子を注入して再結合させることにより励起
子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する際
の光の放出（蛍光・燐光）を利用して所望の表示を行っ
ている。
１は、ガラス等の基板３２に対し、蛍光性有機化合物に
よる発光層を含む薄膜からなる有機層３３を一対の電極
である陽極３４と陰極３５との間に挟んで積層した構造
をなしている。この有機ＥＬデバイス３１では、陽極３
４と陰極３５との間に所定の電圧を印加して有機層３３
に正孔及び電子を注入して再結合させることにより励起
子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する際
の光の放出（蛍光・燐光）を利用して所望の表示を行っ
ている。
【０００３】ところで、上述した原理に基づいて表示が
行われる有機ＥＬデバイス３１において、日文字、アル
ファーニューメリック文字、固定表示パターンの表示を
行う場合、各文字や固定パターンを幾つかの群に分割
し、この分割された群毎に電気的に接続されるように陰
極の形成がなされている。
行われる有機ＥＬデバイス３１において、日文字、アル
ファーニューメリック文字、固定表示パターンの表示を
行う場合、各文字や固定パターンを幾つかの群に分割
し、この分割された群毎に電気的に接続されるように陰
極の形成がなされている。
【０００４】図５（ａ）は従来の有機ＥＬデバイスの陰
極形成状態を示す断面図、図５（ｂ）は陰極形成時に使
用される蒸着マスクの平面図である。
極形成状態を示す断面図、図５（ｂ）は陰極形成時に使
用される蒸着マスクの平面図である。
【０００５】図５（ｂ）に示す蒸着マスク４１は、各文
字や固定パターンの分割された群に対応して開口した３
つのスリット４２（４２ａ，４２ｂ，４２ｃ）を有して
いる。陰極３５を形成する場合には、図５（ａ）に示す
ように、既に基板３２の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）などの透明導電膜による陽極３４、有機化合物材料
からなる有機層３３が積層形成されているので、有機層
３３の上に上記蒸着マスク４１を位置合わせして真空蒸
着を行う。これにより、有機層３３の上には、蒸着マス
ク４２のスリット４２ａ，４２ｂ，４２ｃの形状に陰極
３５が形成される。
字や固定パターンの分割された群に対応して開口した３
つのスリット４２（４２ａ，４２ｂ，４２ｃ）を有して
いる。陰極３５を形成する場合には、図５（ａ）に示す
ように、既に基板３２の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）などの透明導電膜による陽極３４、有機化合物材料
からなる有機層３３が積層形成されているので、有機層
３３の上に上記蒸着マスク４１を位置合わせして真空蒸
着を行う。これにより、有機層３３の上には、蒸着マス
ク４２のスリット４２ａ，４２ｂ，４２ｃの形状に陰極
３５が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５（ｂ）に示す蒸着
マスク４１を用いて陰極３５を形成する従来構造の有機
ＥＬデバイスでは、陰極３５の表示パターン部及び配線
部が各々１本の長いスリット状に形成されることにな
る。そして、このようなスリット状の陰極３５をマスク
蒸着法で形成すると、蒸着マスク４１が撓んだり、変形
したりして電気的な絶縁不良を発生するおそれがあっ
た。
マスク４１を用いて陰極３５を形成する従来構造の有機
ＥＬデバイスでは、陰極３５の表示パターン部及び配線
部が各々１本の長いスリット状に形成されることにな
る。そして、このようなスリット状の陰極３５をマスク
蒸着法で形成すると、蒸着マスク４１が撓んだり、変形
したりして電気的な絶縁不良を発生するおそれがあっ
た。
【０００７】使用される蒸着マスク４１は、各スリット
４２間の幅が狭いと、エッチング母材の金属板が薄くな
り、また、マスキング面積よりも蒸着面積（蒸着マスク
４１のスリット４２の開口部）が大きいと、ぺらぺらで
こしが無く、変形し易くなる。このため、蒸着時の蒸着
マスク４１のハンドリング性が悪く、製造時の効率及び
歩留りが悪いという問題を招く。しかも、既に陽極３４
及び有機層３３が積層形成された基板３２に対して蒸着
マスク４１を位置合わせする際、蒸着マスク４１が撓ん
で陽極３４上の有機層３３を傷つけてしまい、発光パタ
ーン不良が発生するという問題があった。
４２間の幅が狭いと、エッチング母材の金属板が薄くな
り、また、マスキング面積よりも蒸着面積（蒸着マスク
４１のスリット４２の開口部）が大きいと、ぺらぺらで
こしが無く、変形し易くなる。このため、蒸着時の蒸着
マスク４１のハンドリング性が悪く、製造時の効率及び
歩留りが悪いという問題を招く。しかも、既に陽極３４
及び有機層３３が積層形成された基板３２に対して蒸着
マスク４１を位置合わせする際、蒸着マスク４１が撓ん
で陽極３４上の有機層３３を傷つけてしまい、発光パタ
ーン不良が発生するという問題があった。
【０００８】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであり、複数に分割された電極間の接続を絶
縁不良や発光パターン不良を発生させることなくマスク
蒸着により行え、しかも、マスク蒸着を行うにあたり、
従来に比べて蒸着マスクのハンドリング性が良く、製造
時の効率及び歩留りの向上が図れる有機ＥＬデバイスと
その製造方法を提供することを目的としている。
されたものであり、複数に分割された電極間の接続を絶
縁不良や発光パターン不良を発生させることなくマスク
蒸着により行え、しかも、マスク蒸着を行うにあたり、
従来に比べて蒸着マスクのハンドリング性が良く、製造
時の効率及び歩留りの向上が図れる有機ＥＬデバイスと
その製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、少なくとも一方が透明電極から
なる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有
機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が
絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電
極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファー
ニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わ
せからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスにお
いて、前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相
当する前記基板上の位置に導電性材料からなる配線用パ
ッドが形成され、共通接続対象となる前記第二電極の間
が前記配線用パッドを介して電気的に接続されているこ
とを特徴とする。
め、請求項１の発明は、少なくとも一方が透明電極から
なる一対の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有
機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記有機層が
絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記一対の電
極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、アルファー
ニューメリック文字、各種固定表示パターンの組み合わ
せからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスにお
いて、前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相
当する前記基板上の位置に導電性材料からなる配線用パ
ッドが形成され、共通接続対象となる前記第二電極の間
が前記配線用パッドを介して電気的に接続されているこ
とを特徴とする。
【００１０】請求項２の発明は、請求項１の有機ＥＬデ
バイスにおいて、前記第一電極と前記有機層の界面に有
機絶縁層が形成されていることを特徴とする。
バイスにおいて、前記第一電極と前記有機層の界面に有
機絶縁層が形成されていることを特徴とする。
【００１１】請求項３の発明は、少なくとも一方が透明
電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層
を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記
有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記
一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、ア
ルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの
組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバ
イスの製造方法において、前記第一電極を前記基板の上
に成膜・パターニングする工程と、前記発光表示部以外
の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置に
導電性材料からなる配線用パッドを成膜・パターニング
する工程と、前記第一電極の上から前記有機層を成膜す
る工程と、前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸
着により成膜・パターニングする工程とを含むことを特
徴とする。
電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層
を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記
有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記
一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、ア
ルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの
組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバ
イスの製造方法において、前記第一電極を前記基板の上
に成膜・パターニングする工程と、前記発光表示部以外
の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位置に
導電性材料からなる配線用パッドを成膜・パターニング
する工程と、前記第一電極の上から前記有機層を成膜す
る工程と、前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸
着により成膜・パターニングする工程とを含むことを特
徴とする。
【００１２】請求項４の発明は、少なくとも一方が透明
電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層
を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記
有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記
一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、ア
ルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの
組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバ
イスの製造方法において、前記第一電極の成膜・パター
ニングと、前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部
に相当する前記基板上の位置への導電性材料からなる配
線用パッドの成膜・パターニングを同時に行う工程と、
前記発光表示部のパターン形状に前記第一電極が露出す
るとともに、前記配線用パッドの少なくとも一部が露出
するように有機絶縁層を成膜・パターニングする工程
と、前記有機絶縁層の上から前記有機層を成膜する工程
と、前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸着によ
り成膜・パターニングする工程とを含むことを特徴とす
る。
電極からなる一対の第一電極と第二電極との間に発光層
を含む有機層が挟まれるように前記一対の電極及び前記
有機層が絶縁性を有する基板の上に積層形成され、前記
一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が日文字、ア
ルファーニューメリック文字、各種固定表示パターンの
組み合わせからなる発光表示部を構成する有機ＥＬデバ
イスの製造方法において、前記第一電極の成膜・パター
ニングと、前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部
に相当する前記基板上の位置への導電性材料からなる配
線用パッドの成膜・パターニングを同時に行う工程と、
前記発光表示部のパターン形状に前記第一電極が露出す
るとともに、前記配線用パッドの少なくとも一部が露出
するように有機絶縁層を成膜・パターニングする工程
と、前記有機絶縁層の上から前記有機層を成膜する工程
と、前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸着によ
り成膜・パターニングする工程とを含むことを特徴とす
る。
【００１３】請求項５の発明は、請求項３又は４の有機
ＥＬデバイスの製造方法において、前記第二電極のマス
ク蒸着に使用する蒸着マスクが前記配線用パッドに相当
する位置のスリットの部分にブリッジが形成されている
ことを特徴とする。
ＥＬデバイスの製造方法において、前記第二電極のマス
ク蒸着に使用する蒸着マスクが前記配線用パッドに相当
する位置のスリットの部分にブリッジが形成されている
ことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は本発明による有機Ｅ
Ｌデバイスの実施の形態を示す図であり、基板上に積層
形成される各層の分解平面図、図１（ｂ）は各層を積層
形成した状態での図１（ａ）の一点鎖線で囲まれる部分
の拡大断面図、図２は図１の層構造において陰極形成時
に使用される蒸着マスクの平面図である。
Ｌデバイスの実施の形態を示す図であり、基板上に積層
形成される各層の分解平面図、図１（ｂ）は各層を積層
形成した状態での図１（ａ）の一点鎖線で囲まれる部分
の拡大断面図、図２は図１の層構造において陰極形成時
に使用される蒸着マスクの平面図である。
【００１５】本例の有機ＥＬデバイスは、分割形成され
る複数の陰極の表示パターン以外の配線部に相当する位
置の基板上に配線用パッドを形成しておき、この配線用
パッドの位置に相当する部分にブリッジを設けた蒸着マ
スクに使用して陰極がマスク蒸着によりパターン成膜さ
れたものである。
る複数の陰極の表示パターン以外の配線部に相当する位
置の基板上に配線用パッドを形成しておき、この配線用
パッドの位置に相当する部分にブリッジを設けた蒸着マ
スクに使用して陰極がマスク蒸着によりパターン成膜さ
れたものである。
【００１６】以下、本例の有機ＥＬデバイスの具体的な
構成を図１及び図２を参照しながら製作工程の手順に沿
って説明する。
構成を図１及び図２を参照しながら製作工程の手順に沿
って説明する。
【００１７】図１（ｂ）に示すように、有機ＥＬデバイ
ス１は、ガラス等の絶縁性及び透明性を有する基板２を
基部としている。まず、基板２の上に第一電極となる陽
極３を抵抗加熱蒸着法、分子線蒸着法、スパッタ法等の
ＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition ）法により、例
えば膜厚数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの範囲で形成した
後、フォトリソ法を用いて所定パターン形状に形成す
る。
ス１は、ガラス等の絶縁性及び透明性を有する基板２を
基部としている。まず、基板２の上に第一電極となる陽
極３を抵抗加熱蒸着法、分子線蒸着法、スパッタ法等の
ＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition ）法により、例
えば膜厚数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの範囲で形成した
後、フォトリソ法を用いて所定パターン形状に形成す
る。
【００１８】本例では、アルファーニューメリック文字
や固定表示パターンによる発光表示部の形状に合わせて
図１（ａ）の（イ）に示すようなパターン形状に陽極３
を形成する。この陽極３の形成時には、図１（ａ）の
（イ）及び図１（ｂ）に示すように、後工程で形成され
る陰極７を各群毎に共通接続するための配線用パッド４
（４Ａ〜４Ｃ）も一緒に形成する。
や固定表示パターンによる発光表示部の形状に合わせて
図１（ａ）の（イ）に示すようなパターン形状に陽極３
を形成する。この陽極３の形成時には、図１（ａ）の
（イ）及び図１（ｂ）に示すように、後工程で形成され
る陰極７を各群毎に共通接続するための配線用パッド４
（４Ａ〜４Ｃ）も一緒に形成する。
【００１９】配線用パッド４（４Ａ〜４Ｃ）は、後工程
で形成される各群の陰極７Ａ，７Ｂ，７Ｃの分割位置と
対応する位置にそれぞれ形成される。図１（ａ）の
（イ）の例では、後述する上段の陰極７Ａの３箇所の分
割位置と対応して３つの配線用パッド４Ａ（４Ａａ，４
Ａｂ，４Ａｃ）が形成される。また、後述する中段の陰
極７Ｂの２箇所の分割位置と対応して２つの配線用パッ
ド４Ｂ（４Ｂａ，４Ｂｂ）が形成される。さらに、後述
する下段の陰極７Ｃの２箇所の分割位置と対応して２つ
の配線用パッド４Ｃ（４Ｃａ，４Ｃｂ）が形成される。
で形成される各群の陰極７Ａ，７Ｂ，７Ｃの分割位置と
対応する位置にそれぞれ形成される。図１（ａ）の
（イ）の例では、後述する上段の陰極７Ａの３箇所の分
割位置と対応して３つの配線用パッド４Ａ（４Ａａ，４
Ａｂ，４Ａｃ）が形成される。また、後述する中段の陰
極７Ｂの２箇所の分割位置と対応して２つの配線用パッ
ド４Ｂ（４Ｂａ，４Ｂｂ）が形成される。さらに、後述
する下段の陰極７Ｃの２箇所の分割位置と対応して２つ
の配線用パッド４Ｃ（４Ｃａ，４Ｃｂ）が形成される。
【００２０】陽極３及び配線用パッド４の材料として
は、後述する第二電極としての陰極７の材料よりも抵抗
率の高い導電性材料（仕事関数の大きい材料）が用いら
れる。具体的には、ＩＴＯやＺｎＯ等からなる透明導電
膜、非晶質透明導電膜であるＩＤＩＸＯ（商品名：出光
透明導電材料Idemitsu Indium X-Metal Oxide 、出光興
産株式会社製）等を用いることができる。
は、後述する第二電極としての陰極７の材料よりも抵抗
率の高い導電性材料（仕事関数の大きい材料）が用いら
れる。具体的には、ＩＴＯやＺｎＯ等からなる透明導電
膜、非晶質透明導電膜であるＩＤＩＸＯ（商品名：出光
透明導電材料Idemitsu Indium X-Metal Oxide 、出光興
産株式会社製）等を用いることができる。
【００２１】なお、配線用パッド４は、陽極３と同一工
程で形成しない場合には、陽極３と異なる材料、すなわ
ち、後工程で形成される陰極７と同じ材料を用いること
も可能である。
程で形成しない場合には、陽極３と異なる材料、すなわ
ち、後工程で形成される陰極７と同じ材料を用いること
も可能である。
【００２２】次に、陽極３及び配線用パッド４が形成さ
れた基板２の上から絶縁層５を成膜する。絶縁層５は、
図１（ａ）の（ロ）に示すように、アルファーニューメ
リック文字や固定表示パターンによる発光表示部以外を
覆い、かつ配線用パッド４の外縁部分を覆うように陽極
３と後述する有機層６の界面に形成する。絶縁層５は、
有機材料からなり、例えばネガ型感光性ポリイミドの
他、薄膜で蒸着可能な絶縁材料であるＳｉＮ、ＳｉＯ2
等で形成することができる。
れた基板２の上から絶縁層５を成膜する。絶縁層５は、
図１（ａ）の（ロ）に示すように、アルファーニューメ
リック文字や固定表示パターンによる発光表示部以外を
覆い、かつ配線用パッド４の外縁部分を覆うように陽極
３と後述する有機層６の界面に形成する。絶縁層５は、
有機材料からなり、例えばネガ型感光性ポリイミドの
他、薄膜で蒸着可能な絶縁材料であるＳｉＮ、ＳｉＯ2
等で形成することができる。
【００２３】さらに説明すると、ネガ型感光性ポリイミ
ドを用いて絶縁層５を形成する場合には、陽極３及び配
線用パッド４の上にスピンコート法やロールコート法に
より所定の塗膜厚となるようにネガ型感光性ポリイミド
膜を成膜し、陽極３上の発光表示部以外を覆い、かつ配
線用パッド４にスルーホール状の開口を有するように製
作された露光マスクを用いて露光処理を行う。そして、
現像完了後、所定のイミド化処理を行う。
ドを用いて絶縁層５を形成する場合には、陽極３及び配
線用パッド４の上にスピンコート法やロールコート法に
より所定の塗膜厚となるようにネガ型感光性ポリイミド
膜を成膜し、陽極３上の発光表示部以外を覆い、かつ配
線用パッド４にスルーホール状の開口を有するように製
作された露光マスクを用いて露光処理を行う。そして、
現像完了後、所定のイミド化処理を行う。
【００２４】これにより、図１（ａ）の（ロ）及び図１
（ｂ）に示すように、アルファーニューメリック文字と
固定表示パターンの発光表示部の形状に区画されて陽極
３が露出し、かつ配線用パッド４の外縁部分が覆われて
配線用パッド４にスルーホール状の開口を有した絶縁層
５が形成される。
（ｂ）に示すように、アルファーニューメリック文字と
固定表示パターンの発光表示部の形状に区画されて陽極
３が露出し、かつ配線用パッド４の外縁部分が覆われて
配線用パッド４にスルーホール状の開口を有した絶縁層
５が形成される。
【００２５】次に、絶縁層５の上から図１（ａ）の
（ハ）に示すパターン形状の有機層６を形成する。
（ハ）に示すパターン形状の有機層６を形成する。
【００２６】上記有機層６を形成するにあたって、低分
子タイプの有機層を用いる場合には、抵抗加熱蒸着法に
より、まず、正孔注入層としてのＣｕＰｃ（銅フタロシ
アニン）有機膜を絶縁層５の上から例えば膜厚７０ｎｍ
で成膜する。続いて、正孔輸送層としてのα−ＮＰＤ
（Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニルベンジジン）有機膜をＣｕＰｃ有機膜の上に例え
ば膜厚２０ｎｍで成膜する。さらに、発光層兼電子輸送
層としてのＡｌｑ3 （トリス（８−キノリノラト）アル
ミニウム(III) ）有機膜をα−ＮＰＤ有機膜の上に例え
ば膜厚５０ｎｍで成膜する。
子タイプの有機層を用いる場合には、抵抗加熱蒸着法に
より、まず、正孔注入層としてのＣｕＰｃ（銅フタロシ
アニン）有機膜を絶縁層５の上から例えば膜厚７０ｎｍ
で成膜する。続いて、正孔輸送層としてのα−ＮＰＤ
（Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニルベンジジン）有機膜をＣｕＰｃ有機膜の上に例え
ば膜厚２０ｎｍで成膜する。さらに、発光層兼電子輸送
層としてのＡｌｑ3 （トリス（８−キノリノラト）アル
ミニウム(III) ）有機膜をα−ＮＰＤ有機膜の上に例え
ば膜厚５０ｎｍで成膜する。
【００２７】なお、高分子タイプの有機層を用いる場合
には、蒸着法の代わりにスピンコート法、アプリケータ
ーコート法、グラビアオフセット印刷法等の手法を採用
することができる。また、有機層６は、上述した３層構
造に限らず、表示素子として機能する層構造であればよ
い。
には、蒸着法の代わりにスピンコート法、アプリケータ
ーコート法、グラビアオフセット印刷法等の手法を採用
することができる。また、有機層６は、上述した３層構
造に限らず、表示素子として機能する層構造であればよ
い。
【００２８】次に、有機層６の上から所定パターン形状
の陰極７を形成する。本例では、図２に示す蒸着マスク
８を用い、図１（ａ）の（ニ）に示すパターン形状の陰
極７を有機層６の上から蒸着形成する。
の陰極７を形成する。本例では、図２に示す蒸着マスク
８を用い、図１（ａ）の（ニ）に示すパターン形状の陰
極７を有機層６の上から蒸着形成する。
【００２９】陰極７は、複数の群に分けられ、更に各群
が複数に分割されている。図１（ａ）の（二）の例にお
ける陰極７は、上から３つの群７Ａ，７Ｂ，７Ｃに分け
られている。そして、上段の群の陰極７Ａが４つの部分
７Ａａ，７Ａｂ，７Ａｃ，７Ａｄに分割され、中段の群
の陰極７Ｂが３つの部分７Ｂａ，７Ｂｂ，７Ｂｃに分割
され、下段の群の陰極７Ｃが３つの部分７Ｃａ，７Ｃ
ｂ，７Ｃｃに分割されている。
が複数に分割されている。図１（ａ）の（二）の例にお
ける陰極７は、上から３つの群７Ａ，７Ｂ，７Ｃに分け
られている。そして、上段の群の陰極７Ａが４つの部分
７Ａａ，７Ａｂ，７Ａｃ，７Ａｄに分割され、中段の群
の陰極７Ｂが３つの部分７Ｂａ，７Ｂｂ，７Ｂｃに分割
され、下段の群の陰極７Ｃが３つの部分７Ｃａ，７Ｃ
ｂ，７Ｃｃに分割されている。
【００３０】使用される蒸着マスク８は、図２に示すよ
うに、陰極７が形成される位置に相当する部分が開口し
たスリット８ａを有している。また、蒸着マスク８に
は、配線用パッド４の位置に相当する部分にスリット固
定用のブリッジ８ｂが形成されている。これにより、蒸
着マスク８を基板２と位置合わせする際の撓みや変形が
無くなり、電気的な絶縁不良や発光パターン不良の発生
を防ぐことができる。
うに、陰極７が形成される位置に相当する部分が開口し
たスリット８ａを有している。また、蒸着マスク８に
は、配線用パッド４の位置に相当する部分にスリット固
定用のブリッジ８ｂが形成されている。これにより、蒸
着マスク８を基板２と位置合わせする際の撓みや変形が
無くなり、電気的な絶縁不良や発光パターン不良の発生
を防ぐことができる。
【００３１】陰極７の材料としては、前述した第一電極
としての陽極３の材料よりも抵抗率の低い導電性材料
（仕事関数の小さい材料）が用いられる。具体的には、
Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ等の金属単体、及びその
化合物、或いはＭｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｍｇ−Ｉｎ等
の各種合金を用いることができる。
としての陽極３の材料よりも抵抗率の低い導電性材料
（仕事関数の小さい材料）が用いられる。具体的には、
Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ等の金属単体、及びその
化合物、或いはＭｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｍｇ−Ｉｎ等
の各種合金を用いることができる。
【００３２】上記のようにして、基板２の上には、積層
形成により構成された陽極３、絶縁層５、有機層６、陰
極７からなる素子９が形成される。そして、陽極３と陰
極７との間に挟まれて絶縁層５によって区画された有機
層６の部分は、アルファーニューメリック文字と固定表
示パターンの発光表示部１０を構成している。
形成により構成された陽極３、絶縁層５、有機層６、陰
極７からなる素子９が形成される。そして、陽極３と陰
極７との間に挟まれて絶縁層５によって区画された有機
層６の部分は、アルファーニューメリック文字と固定表
示パターンの発光表示部１０を構成している。
【００３３】そして、基板２上に素子９を形成した後、
封止処理を行う。この封止処理では、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2
ガス等のドライ雰囲気に置換したグローブボックス内に
おいて、ガラス、金属、樹脂等からなる不図示の封止部
材を基板２との外周部分を例えばエポキシ系接着剤によ
り封着する。これにより、本例の有機ＥＬデバイス１が
完成する。
封止処理を行う。この封止処理では、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2
ガス等のドライ雰囲気に置換したグローブボックス内に
おいて、ガラス、金属、樹脂等からなる不図示の封止部
材を基板２との外周部分を例えばエポキシ系接着剤によ
り封着する。これにより、本例の有機ＥＬデバイス１が
完成する。
【００３４】このように、本例における有機ＥＬデバイ
ス１では、陽極３の成膜及びパターニング時に、発光表
示部１０以外の位置の基板２上に配線用パッド４を形成
し、陽極３の上から成膜される絶縁層５もスルーホール
状に配線用パッド４が露出するように形成しておく。そ
して、配線用パッド４の位置に相当する部分にスリット
固定用のブリッジ８ｂが形成された蒸着マスク８を用い
て陰極７を有機層６の上から形成する。
ス１では、陽極３の成膜及びパターニング時に、発光表
示部１０以外の位置の基板２上に配線用パッド４を形成
し、陽極３の上から成膜される絶縁層５もスルーホール
状に配線用パッド４が露出するように形成しておく。そ
して、配線用パッド４の位置に相当する部分にスリット
固定用のブリッジ８ｂが形成された蒸着マスク８を用い
て陰極７を有機層６の上から形成する。
【００３５】これにより、各群の陰極７（７Ａ，７Ｂ，
７Ｃ）は、配線用パッド４を介して各群７Ａ，７Ｂ，７
Ｃ毎に電気的に共通接続される。この時、蒸着マスク８
上のブリッジ８ｂの部分では陰極７は成膜されないが、
このブリッジ８ｂの部分に相当する位置には配線用パッ
ド４が形成されているので、各群７Ａ，７Ｂ，７Ｃ毎の
陰極７間は電気的に接続される。
７Ｃ）は、配線用パッド４を介して各群７Ａ，７Ｂ，７
Ｃ毎に電気的に共通接続される。この時、蒸着マスク８
上のブリッジ８ｂの部分では陰極７は成膜されないが、
このブリッジ８ｂの部分に相当する位置には配線用パッ
ド４が形成されているので、各群７Ａ，７Ｂ，７Ｃ毎の
陰極７間は電気的に接続される。
【００３６】すなわち、図１（ａ）に示す例では、上段
の陰極７Ａの各部分７Ａａ，７Ａｂ，７Ａｃ，７Ａｄが
配線用パッド４Ａａ，４Ａｂ，４Ａｃを介して共通接続
され、中段の陰極７Ｂの各部分７Ｂａ，７Ｂｂ，７Ｂｃ
が配線用パッド４Ｂａ，４Ｂｂを介して共通接続され、
下段の陰極７Ｃの各部分７Ｃａ，７Ｃｂ，７Ｃｃが配線
用パッド４Ｃａ，４Ｃｂを介して共通接続される。
の陰極７Ａの各部分７Ａａ，７Ａｂ，７Ａｃ，７Ａｄが
配線用パッド４Ａａ，４Ａｂ，４Ａｃを介して共通接続
され、中段の陰極７Ｂの各部分７Ｂａ，７Ｂｂ，７Ｂｃ
が配線用パッド４Ｂａ，４Ｂｂを介して共通接続され、
下段の陰極７Ｃの各部分７Ｃａ，７Ｃｂ，７Ｃｃが配線
用パッド４Ｃａ，４Ｃｂを介して共通接続される。
【００３７】このように、本例の有機ＥＬデバイス１に
よれば、有機層６の上に形成される電極（第二電極：陰
極７）をマスク蒸着で簡単に形成することができる。し
かも、蒸着時に蒸着マスクの撓みや変形も無くなり、電
気的な絶縁不良の発生を防ぐことができるとともに、下
地となる有機層を傷つけることなく、発光パターン不良
の発生を防ぐことができる。
よれば、有機層６の上に形成される電極（第二電極：陰
極７）をマスク蒸着で簡単に形成することができる。し
かも、蒸着時に蒸着マスクの撓みや変形も無くなり、電
気的な絶縁不良の発生を防ぐことができるとともに、下
地となる有機層を傷つけることなく、発光パターン不良
の発生を防ぐことができる。
【００３８】ところで、上述した実施の形態における絶
縁層５は、図１（ｂ）に示すように、配線用パッド４の
外縁部分を覆うように形成しているが、他の実施の形態
として、図３（ａ），（ｂ）に示すような層構造として
もよい。なお、図１（ｂ）と同一の構成要素には同一番
号を付している。
縁層５は、図１（ｂ）に示すように、配線用パッド４の
外縁部分を覆うように形成しているが、他の実施の形態
として、図３（ａ），（ｂ）に示すような層構造として
もよい。なお、図１（ｂ）と同一の構成要素には同一番
号を付している。
【００３９】図３（ａ）の例では、配線用パッド４が完
全に露出し、配線用パッド４の外周部分との間に所定の
ギャップをおいて絶縁層５が陽極３の上から形成され
る。
全に露出し、配線用パッド４の外周部分との間に所定の
ギャップをおいて絶縁層５が陽極３の上から形成され
る。
【００４０】図３（ｂ）の例では、配線用パッド４が完
全に露出するように、配線用パッド４と略同一の膜厚で
絶縁層５が陽極３の上から形成される。
全に露出するように、配線用パッド４と略同一の膜厚で
絶縁層５が陽極３の上から形成される。
【００４１】また、上述した実施の形態では、第一電極
を陽極３とし、第二電極を陰極７とした構成について説
明したが、陽極３を蒸着マスクを用いて形成する場合に
は、第一電極を陰極７とし、第二電極を陽極３として構
成する。その場合、陽極３を複数の群に分けて各群毎に
分割し、基板２の上の配線用パッド４を介して各群毎に
陽極３が共通接続されることになる。
を陽極３とし、第二電極を陰極７とした構成について説
明したが、陽極３を蒸着マスクを用いて形成する場合に
は、第一電極を陰極７とし、第二電極を陽極３として構
成する。その場合、陽極３を複数の群に分けて各群毎に
分割し、基板２の上の配線用パッド４を介して各群毎に
陽極３が共通接続されることになる。
【００４２】さらに、本発明による構成は、図１に示す
アルファーニューメリック文字、固定表示パターンに限
らず、これらアルファーニューメリック文字、各種固定
表示パターン、日文字を組み合わせて発光表示部を形成
する有機ＥＬデバイスに適用することができる。
アルファーニューメリック文字、固定表示パターンに限
らず、これらアルファーニューメリック文字、各種固定
表示パターン、日文字を組み合わせて発光表示部を形成
する有機ＥＬデバイスに適用することができる。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、有機層の上に形成される電極をマスク蒸着で簡
単に形成することができる。しかも、蒸着時に蒸着マス
クの撓みや変形も無くなり、電気的な絶縁不良の発生を
防ぐことができるとともに、下地となる有機層を傷つけ
ることなく、発光パターン不良の発生を防ぐことができ
る。
よれば、有機層の上に形成される電極をマスク蒸着で簡
単に形成することができる。しかも、蒸着時に蒸着マス
クの撓みや変形も無くなり、電気的な絶縁不良の発生を
防ぐことができるとともに、下地となる有機層を傷つけ
ることなく、発光パターン不良の発生を防ぐことができ
る。
【図１】（ａ）本発明による有機ＥＬデバイスの実施の
形態を示す図であり、基板上に積層形成される各層の分
解平面図 （ｂ）各層を積層形成した状態での（ａ）の一点鎖線で
囲まれる部分の拡大断面図
形態を示す図であり、基板上に積層形成される各層の分
解平面図 （ｂ）各層を積層形成した状態での（ａ）の一点鎖線で
囲まれる部分の拡大断面図
【図２】図１の層構造において陰極形成時に使用される
蒸着マスクの平面図
蒸着マスクの平面図
【図３】（ａ），（ｂ）本発明による有機デバイスの他
の構成例を示す拡大断面図
の構成例を示す拡大断面図
【図４】有機ＥＬデバイスの層構造を示す図
【図５】（ａ）従来の有機ＥＬデバイスの陰極形成状態
を示す断面図 （ｂ）（ａ）の陰極形成時に使用される蒸着マスクの平
面図
を示す断面図 （ｂ）（ａ）の陰極形成時に使用される蒸着マスクの平
面図
１…有機ＥＬデバイス、２…基板、３…陽極（第一電
極）、４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）…配線用パッド、５…絶
縁層、６…有機層、７…陰極（第二電極）、８…蒸着マ
スク、９…素子、１０…発光表示部。
極）、４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）…配線用パッド、５…絶
縁層、６…有機層、７…陰極（第二電極）、８…蒸着マ
スク、９…素子、１０…発光表示部。
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透明電極からなる一対
の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟
まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を
有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟
まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメ
リック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからな
る発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスにおいて、 前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する
前記基板上の位置に導電性材料からなる配線用パッドが
形成され、 共通接続対象となる前記第二電極の間が前記配線用パッ
ドを介して電気的に接続されていることを特徴とする有
機ＥＬデバイス。 - 【請求項２】 前記第一電極と前記有機層の界面に有機
絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１記載
の有機ＥＬデバイス。 - 【請求項３】 少なくとも一方が透明電極からなる一対
の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟
まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を
有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟
まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメ
リック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからな
る発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスの製造方法に
おいて、 前記第一電極を前記基板の上に成膜・パターニングする
工程と、 前記発光表示部以外の前記第二電極の配線部に相当する
前記基板上の位置に導電性材料からなる配線用パッドを
成膜・パターニングする工程と、 前記第一電極の上から前記有機層を成膜する工程と、 前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸着により成
膜・パターニングする工程とを含むことを特徴とする有
機ＥＬデバイスの製造方法。 - 【請求項４】 少なくとも一方が透明電極からなる一対
の第一電極と第二電極との間に発光層を含む有機層が挟
まれるように前記一対の電極及び前記有機層が絶縁性を
有する基板の上に積層形成され、前記一対の電極間に挟
まれる前記有機層の部分が日文字、アルファーニューメ
リック文字、各種固定表示パターンの組み合わせからな
る発光表示部を構成する有機ＥＬデバイスの製造方法に
おいて、 前記第一電極の成膜・パターニングと、前記発光表示部
以外の前記第二電極の配線部に相当する前記基板上の位
置への導電性材料からなる配線用パッドの成膜・パター
ニングを同時に行う工程と、 前記発光表示部のパターン形状に前記第一電極が露出す
るとともに、前記配線用パッドの少なくとも一部が露出
するように有機絶縁層を成膜・パターニングする工程
と、 前記有機絶縁層の上から前記有機層を成膜する工程と、 前記有機層の上から前記第二電極をマスク蒸着により成
膜・パターニングする工程とを含むことを特徴とする有
機ＥＬデバイスの製造方法。 - 【請求項５】 前記第二電極のマスク蒸着に使用する蒸
着マスクが前記配線用パッドに相当する位置のスリット
の部分にブリッジが形成されていることを特徴とする請
求項３又は４記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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