JP2001223079A - 有機ｅｌ表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 設計の自由度を向上させるとともに、配線抵
抗を下げて消費電力の低減を図る。 【解決手段】 透光性及び絶縁性を有する基板３の上に
は、表示セグメント２Ａ，２Ｂの形状に合わせ各セグメ
ントａ〜ｇ毎の一部に導出部分４ａを有した透明導電膜
の陽極４が形成される。陽極４の上には、表示セグメン
ト２Ａ，２Ｂを形作り導出部分４ａの一部に開口を有し
て絶縁層５が形成される。絶縁層５の上には、有機化合
物材料からなる有機層６が絶縁層５から露出する導出部
分４ａを除いて形成される。有機層６の上には、金属膜
の陰極７が有機層６から露出する導出部分４ａを除いて
形成される。絶縁性を有する基板１１の上には、表示セ
グメント２Ａ，２Ｂの共通するセグメントａ〜ｇ毎に配
線パターン１２が形成される。基板３と基板１１は、配
線パターン１２と陽極４の導出部分４ａとの間が導電性
材料からなる連結部１３を介して接続されるように外周
部分が封着材１４により封着されて封止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一方が
透明電極からなる一対の電極（陽極及び陰極）間に有機
化合物材料の薄膜を挟み込むように積層された有機エレ
クトロルミネッセンス表示素子（以下、有機ＥＬ表示素
子という）に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ表示素子は、一対の電極をなす
陽極と陰極との間に蛍光性有機化合物を含む薄膜を挟ん
だ積層構造を有し、前記薄膜に正孔及び電子を注入して
再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成さ
せ、この励起子が失活する際の光の放出（蛍光・燐光）
を利用して表示を行う表示素子である。

【０００３】図６（ａ）はこの種の従来の有機ＥＬ表示
素子における配線構造の一例を示す平面図、図６（ｂ）
は図６（ａ）の部分拡大断面図である。

【０００４】図６（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示素
子３１は、英数字を表示する２桁の日文字状の７セグメ
ントａ〜ｇからなる固定表示セグメント３２（３２Ａ，
３２Ｂ）を有している。

【０００５】図６（ａ），（ｂ）に示すように、有機Ｅ
Ｌ表示素子３１は、絶縁性及び透明性を有するガラス基
板３３を基部としている。このガラス基板３３の上に
は、酸化インジウムと錫の複合酸化物であるＩＴＯ(Ind
ium Tin Oxide)からなる透明導電膜が固定表示セグメン
ト３２Ａ，３２Ｂの各セグメントａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，
ｆ，ｇの形状に対応してガラス基板３３上に成膜され、
陽極３４を形成している。

【０００６】また、各陽極３４は、各桁の固定表示セグ
メント３２Ａ，３２Ｂの各セグメントａ〜ｇ毎に個別に
配線パターン３５が引き出され、例えばセグメントａと
ａ、セグメントｂとｂのように、同一のセグメント同士
が一まとめに接続された状態でガラス基板３３の端部
（図６（ａ）の右端部）の接続端子部３６まで引き出さ
れている。

【０００７】陽極３４の上には、各桁の固定表示セグメ
ント３２Ａ，３２Ｂの各セグメントａ〜ｇを形作るよう
に開口を有し、その他の部分を覆うように絶縁層３７が
形成されている。

【０００８】絶縁層３７の上には、有機化合物材料の薄
膜による発光層を含む有機層３８が積層されている。有
機層３７の上には、各桁の固定表示セグメント３２Ａ，
３２Ｂを覆うように例えばＡｌなどの金属薄膜が矩形状
に成膜され、陰極３９を形成している。

【０００９】上記のように構成される有機ＥＬ表示素子
３１では、陰極３９に選択信号を入力して固定表示セグ
メント３２の桁を選択した状態で、発光させたい陽極３
４のセグメントａ〜ｇに表示信号を入力する。例えば図
６（ａ）において、右の桁の固定表示セグメント３２Ｂ
に数字の１を表示する場合には、右の桁の固定表示セグ
メント３２Ｂの陰極３９に選択信号を入力した状態で、
陽極３４のセグメントａ，ｂに表示信号を入力する。こ
のときの発光は、透明導電膜からなる陽極３４を介して
ガラス基板３３の外側から観測される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このように、図６
（ａ），（ｂ）に示すような従来の配線構造では、直接
ガラス基板３３越しに表示の観測を行うため、各固定表
示セグメント３２Ａ，３２Ｂの陽極３４、配線パターン
３５及び接続端子部３６の材料としてＩＴＯからなる透
明導電膜を用い、固定表示セグメント３２Ａ，３２Ｂが
形成されるガラス基板３３と同一平面上に配線パターン
３５と接続端子部３６を薄膜形成していた。

【００１１】したがって、図６に示す従来の有機ＥＬ表
示素子３１では、陽極３４（陰極３９も含む）からガラ
ス基板３３の端部の接続端子部３６まで引き出される配
線パターン３５の接続を固定表示セグメント３２Ａ，３
２Ｂが形成されるガラス基板３３と同一平面上で行って
おり、一枚のガラス基板３３における同一平面上での配
線となるため、固定表示セグメント３２Ａ，３２Ｂの各
セグメントａ〜ｇを避けて配線パターン３５の引き回し
を行わなければならず、発光領域及び異なる配線パター
ン間を交差することができない。その結果、同一ガラス
基板３３上に形成される固定表示セグメント３２のセグ
メント数や桁数、配線の幅や長さなどが制限され、設計
の自由度がないという問題があった。

【００１２】また、図６に示す固定表示セグメント３２
は日文字セグメントで構成されているが、例えばアルフ
ァーニューメリックセグメントのようにセグメントが細
かくなり、その配線パターンが微細になった場合、図６
に示すような従来の配線構造では、配線パターン３５の
材料として比抵抗の大きいＩＴＯを用いているため、全
体の配線抵抗が大きくなり、電流駆動型である有機ＥＬ
の消費電力が増大するという問題があった。

【００１３】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであり、配線に対する設計の自由度が増し、
配線抵抗を下げて消費電力の低減を図ることができる有
機ＥＬ表示素子を提供することを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、透光性及び絶縁性を有する第１
基板と、表示セグメントの形状に合わせ、該表示セグメ
ントの各セグメント毎の一部に導出部分を有して前記第
１基板上に形成された透明電極からなる第１電極と、前
記表示セグメントを形作り、前記導出部分の一部に開口
を有して前記第１電極の上から形成された絶縁層と、前
記絶縁層から露出する前記導出部分を除いて前記絶縁層
の上から形成された発光層を含む有機化合物材料からな
る有機層と、前記有機層から露出する前記導出部分を除
いて前記有機層の上から形成された金属電極からなる第
２電極と、絶縁性を有する第２基板と、前記セグメント
のうちの共通するセグメント毎に前記第２基板上に形成
された配線パターンと、対応する前記配線パターンと前
記第１電極の前記導出部分との間を接続する導電性材料
からなる連結部とを備えたことを特徴とする。

【００１５】請求項２の発明は、絶縁性を有する第１基
板と、表示セグメントの形状に合わせ、該表示セグメン
トの各セグメント毎の一部に導出部分を有して前記第１
基板上に形成された金属電極からなる第１電極と、前記
表示セグメントを形作り、前記導出部分の一部に開口を
有して前記第１電極の上から形成された絶縁層と、前記
絶縁層から露出する前記導出部分を除いて前記絶縁層の
上から形成された発光層を含む有機化合物材料からなる
有機層と、前記有機層から露出する前記導出部分を除い
て前記有機層の上から形成された透明電極からなる第２
電極と、透光性及び絶縁性を有する第２基板と、前記セ
グメントのうちの共通するセグメント毎に前記第２基板
上に形成された透明導電膜からなる配線パターンと、対
応する前記配線パターンと前記第１電極の前記導出部分
との間を接続する導電性材料からなる連結部とを備えた
ことを特徴とする。

【００１６】請求項３の発明は、請求項１の有機ＥＬ表
示素子において、前記配線パターンが透明導電膜又は金
属膜からなることを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１（ａ）〜（ｅ）は本発明によ
る有機ＥＬ表示素子の第１実施の形態を示す図であり、
作製工程手順の説明図、図２は図１（ｅ）におけるＡ−
Ａ線拡大断面図である。

【００１８】本発明による有機ＥＬ表示素子は、表示セ
グメント（配線の一部を含む場合もある）が形成された
基板（第１基板）とは別に配線パターンが形成された基
板（第２基板）を作製し、各表示セグメントと配線パタ
ーンとの間を導電性材料からなる連結部を介して接続
し、両基板間の外周部分を封着材により封着封止して完
成されるものである。

【００１９】以下、第１実施の形態の有機ＥＬ表示素子
の具体的な構成を図１及び図２を参照しながら作製工程
の手順に沿って説明する。

【００２０】図１に示すように、有機ＥＬ表示素子１
（１Ａ）は、日文字状の２桁の固定表示セグメント２
（２Ａ，２Ｂ）を有している。各固定表示セグメント２
Ａ，２Ｂは、英数字を表示するための７つのセグメント
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇで構成される。

【００２１】図１及び図２に示すように、有機ＥＬ表示
素子１Ａは、ガラス等の透光性及び絶縁性を有する基板
（第１基板）３を基部としている。まず、基板３の上に
第１電極としての陽極４を抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着
法、スパッタ法等のＰＶＤ(Pysical Vapor Deposition
）法により、所定の膜厚で形成した後、フォトリソ法
によるエッチング処理により、固定表示セグメント２
Ａ，２Ｂの各セグメントａ〜ｇの形状に合わせてパター
ン形成する。

【００２２】すなわち、図１（ａ）に示すように、各桁
の固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの各セグメントａ〜ｇ
と、後述する基板（第２基板）１１に形成される各配線
１２（１２ａ）との間の接続を行うための導出部分（信
号供給用の配線）４ａ（４ａａ，４ａｂ，４ａｃ）を有
するように陽極４をパターン形成する。

【００２３】図１（ａ）の例では、セグメントａ，ｄ，
ｇの右側に導出部分４ａａを有し、セグメントｂ，ｃの
下方部分から右側に導出部分４ａｂを有し、セグメント
ｅ，ｆの上方部分から右側に導出部分４ａｃを有して、
各桁の固定表示セグメント２Ａ，２Ｂのセグメントａ〜
ｇの形状に対応した陽極４がパターン形成される。

【００２４】陽極４の材料としては、後述する第２電極
としての陰極７の材料より抵抗率の高い導電性材料（仕
事関数の大きい材料）が用いられる。具体的には、ＩＴ
ＯやＺｎＯ等からなる透明導電膜、非晶質透明導電膜で
あるＩＤＩＸＯ（商品名：出光透明透明導電材料、Idem
itsu Indium X-Metal Oxide 、酸化インジウムと酸化亜
鉛の複合酸化物）等を用いることができる。

【００２５】各固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの陽極４
及び導出部分４ａが形成されると、図１（ｂ）に示すよ
うに、固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの各セグメントａ
〜ｇを形作るように開口を有するとともに各導出部分４
ａａ〜４ａｃの一部に開口（図１（ｂ）の例では円形の
開口）を有し、その他の部分を覆うように絶縁層５を形
成する。絶縁層５は、例えば感光性ポリイミド，ＳｉＯ
₂ ，ＳｉＮ等の材料からなる。絶縁層５は、上記材料を
スピンコート法、蒸着法、スパッタ法等の手法を用いて
例えば１μｍ前後の膜厚で各陽極４及び導出部分４ａａ
〜４ａｃのエッジ部分を全て覆うように成膜される。

【００２６】その後、基板３を例えばＯ₂ プラズマ等に
より処理した後、絶縁層５から露出する導出部分４ａａ
〜４ａｃを除き、上記陽極４の露出部の上から薄膜の有
機層６を例えばマスク蒸着法により所定の膜厚で蒸着形
成する。この有機層６は、少なくとも発光層を含む単層
又は多層で形成される。有機層６を多層で構成する場
合、発光層と電荷輸送層（正孔輸送層、正孔注入輸送
層、電子注入層、電子注入輸送層等）との組み合わせが
ある。例えば陽極４の上に成膜される正孔注入輸送層と
してのＴＰＤ有機膜、ＴＰＤ有機膜の上に成膜される発
光層としてのＡｌｑ有機膜、Ａｌｑ有機膜の上に成膜さ
れる電子注入層としてのＬｉＦの３層構造がある。

【００２７】なお、上記有機層６は、少なくとも固定表
示セグメント２Ａ，２Ｂの各セグメントａ〜ｇをカバー
する領域に形成されていればよく、そのパターンを特に
セグメントａ〜ｇの形状にする必要はない。

【００２８】次に、図１（ｃ）の破線で示すように、固
定表示セグメント２Ａ，２Ｂの各セグメントａ〜ｇの導
出部分４ａａ〜４ａｃが露出する部分を除き、陽極４上
に積層した有機層６の上から第２電極としての陰極７を
各固定表示セグメント２Ａ，２Ｂ毎に形成する。図１
（ｃ）の例の陰極７は、各固定表示セグメント２Ａ，２
Ｂ毎に矩形状に形成される。陰極７は、仕事関数の小さ
い材料、例えばＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｃａ等の金属
単体、及びその化合物、或いはＡｌ：Ｌｉ，Ａｌ：Ａ
ｇ，Ａｇ：Ｍｇ等の各種合金が使用される。陰極７は、
有機層６の上に陽極４とにより有機層６を挟み込むよう
に形成される。これにより、基板３上に素子が形成さ
れ、陽極４と陰極７の一対の電極で挟まれた有機層６の
部分が各桁の固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの発光領域
となる。

【００２９】なお、陽極４と陰極７との間の電気的なア
イソレートは、通常のマスク蒸着法、予め形成する絶縁
リブ等のいずれの方法でも構わない。

【００３０】上記処理とは別に、ガラス、樹脂等の絶縁
性を有する基板（第２基板）１１上にマスク蒸着法、フ
ォトリソ法、印刷法等により配線パターン１２を形成す
る。この配線パターン１２の材料としては、ＩＴＯ等の
透明導電膜やＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ等の金属が
使用できる。例えば配線パターン１２をフォトリソ法に
より薄膜形成する場合にはＡｌを用いることができ、配
線パターン１２を印刷法により厚膜形成する場合にはＡ
ｇペーストを用いることができる。

【００３１】図１（ｄ）の例における配線パターン１２
は、基板３の固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの各セグメ
ントａ〜ｇの共通する陽極４と配線接続される７本の陽
極用配線１２ａと、基板３の各桁の固定表示セグメント
２Ａ，２Ｂの陰極７と配線接続される２本の陰極用配線
１２ｂと、各配線１２ａ，１２ｂの終端に接続されるよ
うに基板１１の端部に形成される７つの陽極用接続端子
部１２ｃ及び２つ陰極用接続端子部１２ｄの計９つの接
続端子部からなる。また、基板３の固定表示セグメント
２Ａ，２Ｂの各セグメントａ〜ｇの導出部分４ａと対応
する位置の陽極用配線１２ａの端子部１２ａａは、導出
部分４ａよりも若干大きい面積に形成される。図１
（ｄ）の例では、導出部分４ａよりも大径の円形に形成
される。

【００３２】次に、図２に示すように、印刷法等により
各陽極用配線１２ａの端子部１２ａａ上に柱状（例えば
円柱状）の連結部（バンプ）１３を形成する。連結部１
３は、例えばＡｇ，Ａｕ，Ｃ等の金属を有機材料に分散
した導電性材料からなり、高さ５μｍ〜１ｍｍ程度の高
さで形成される。

【００３３】以上の処理を終えた後、図２に示すよう
に、基板１１の各陽極用配線１２ａの端子部１２ａａ上
の連結部１３が基板３の固定表示セグメント２Ａ，２Ｂ
の各セグメントａ〜ｇの導出部分４ａａ〜４ａｃに位置
するように位置合わせした状態で、素子表面が大気に曝
されることを防ぐため、水分を十分に取り除いたドライ
雰囲気（例えばドライ窒素やドライエア）中で基板３と
基板１１の外周部分をエポシキ系樹脂等の封着材１４に
より封着封止し、素子が保護された外囲器１５を構成す
る。これにより、基板３の固定表示セグメント２Ａ，２
Ｂの各セグメントａ〜ｇの陽極４が連結部１３を介して
基板１１の対応する各陽極用配線１２ａと配線接続され
るとともに、各桁の固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの陰
極７が基板１１の各陰極用配線１２ｂと配線接続され
る。そして、図示はしないが、上記のように配線接続さ
れた基板１１の各接続端子部１２ｃ，１２ｄは、ドライ
バーＩＣ（定電流駆動回路等）に接続される。以上によ
り、有機ＥＬ表示素子１Ａの作製プロセスを完了する。

【００３４】次に、図３（ａ）〜（ｅ）は本発明による
有機ＥＬ表示素子の第２実施の形態を示す図であり、製
作工程手順の説明図、図４は図３（ｅ）におけるＢ−Ｂ
線拡大断面図である。

【００３５】以下、第２実施の形態の有機ＥＬ表示素子
の具体的な構成を図３及び図４を参照しながら製作工程
の手順に沿って説明する。なお、第１実施の形態の有機
ＥＬ表示素子と同一の構成要素には同一番号を付し、そ
の詳細な説明は省略する。

【００３６】図３（ａ）に示すように、まず、基板３の
上に第１電極としての陽極４をＰＶＤ法により、各桁の
固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの各セグメントａ〜ｇ
と、後述する基板（第２基板）１１に形成される各陽極
用配線１２ａとの間の接続を行うための導出部分４ａ
（４ａａ，４ａｂ，４ａｃ）を有するように陽極４をパ
ターン形成する。このとき、陽極４と同様の材料及び手
法により、配線パターン１２の陽極用接続端子部１２ｃ
も基板３の上に一緒に形成する。

【００３７】各固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの陽極
４、導出部分４ａａ〜４ａｃ及び配線パターン１２の接
続端子部１２ｃ，１２ｄが形成されると、図３（ｂ）に
示すように、固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの各セグメ
ントａ〜ｇを形作るように開口を有するとともに各導出
部分４ａａ〜４ａｃの一部に開口を有し、その他の部分
（接続端子部１２ｃ，１２ｄを除く）を覆うように絶縁
層５を形成する。

【００３８】その後、基板３を例えばＯ₂ プラズマ等に
より処理し、絶縁層５から露出する導出部分４ａａ〜４
ａｃ及び接続端子部１２ｃ，１２ｄを除き、上記陽極４
の露出部の上から薄膜の有機層６を例えばマスク蒸着法
により所定の膜厚で蒸着形成する。

【００３９】次に、図３（ｃ）の破線で示すように、固
定表示セグメント２Ａ，２Ｂの各セグメントａ〜ｇの導
出部分４ａａ〜４ａｃが露出する部分を除き、陽極４上
に積層した有機層６の上から第２電極としての陰極７を
各固定表示セグメント２Ａ，２Ｂ毎に形成する。このと
き、陰極７と同様の材料及び手法により、各陰極７、２
本の陰極用配線１２ｂ及び陰極用接続端子部１２ｄを一
緒に形成する。

【００４０】なお、前述した陽極用接続端子部１２ｃ
は、この陰極７の形成時に、陰極７と同様の材料及び手
法により形成することも可能である。

【００４１】上記処理とは別に、ガラス、樹脂等の絶縁
性を有する基板（第２基板）１１上にマスク蒸着法、フ
ォトリソ法、印刷法等により配線パターン１２を形成す
る。なお、基板１１上に形成される配線パターン１２
は、図３（ｄ）に示すように、基板３の固定表示セグメ
ント２Ａ，２Ｂの各セグメントａ〜ｇの共通する陽極４
と配線接続される７本の陽極用配線１２ａ（端子部１２
ａａを含む）のみである。そして、印刷法等により各陽
極用配線１２ａの端子部１２ａａ上に柱状の連結部（バ
ンプ）１３を形成する。

【００４２】以上の処理を終えた後、基板１１の各接続
端子部１２ｃ及び各陽極用配線１２ａ上の連結部１３が
基板３の固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの各セグメント
ａ〜ｇの導出部分４ａａ〜４ａｃに位置するように位置
合わせした状態で、素子表面が大気に曝されることを防
ぐため、水分を十分に取り除いたドライ雰囲気（例えば
ドライ窒素やドライエア）中で基板３と基板１１の外周
部分をエポシキ系樹脂等の封着材１４により封着封止
し、素子が保護された外囲器１５を構成する。これによ
り、基板３の固定表示セグメント２Ａ，２Ｂの各セグメ
ントａ〜ｇの陽極４が連結部１３を介して基板１１の対
応する各陽極用配線１２ａと配線接続される。そして、
図示はしないが、上記のように配線接続された基板１１
の各接続端子部１２ｃ，１２ｄは、ドライバーＩＣ（定
電流駆動回路等）に接続される。以上により、有機ＥＬ
表示素子１Ｂの作製プロセスを完了する。

【００４３】このように、本例の有機ＥＬ表示素子１
Ａ，１Ｂは、固定表示セグメント２（２Ａ，２Ｂ）を有
する素子（図３及び図４の構成では陰極用配線１２ｂを
含む）が形成される基板３と、配線パターン１２が形成
される基板１１とを分離して多層基板構造とし、各固定
表示セグメント２の電極（陽極４及び／又は陰極７）と
配線パターン１２との間の接続を導電性材料からなる連
結部１３を介して行う構成である。

【００４４】したがって、素子と配線パターンを別々の
基板に形成することができるので、微細パターン、連続
パターン、特殊パターンの配線にも対応でき、図６に示
す従来の配線構造に比べて設計の自由度が向上する。

【００４５】特に、従来の配線構造では実現困難であっ
た特殊パターンの配線にも容易に対応することができ
る。例えば枠付数字（又は枠付文字）の表示セグメント
において、枠部分と数字（又は文字）を別々に表示する
場合、枠部分の配線と数字（又は文字）の配線を容易に
行うことができる。

【００４６】本例では、固定表示セグメント２が形成さ
れた基板３の外側から表示の観測を行い、配線パターン
１２が形成された基板１１の外側から表示の観測を行う
ことがないので、配線パターン１２の材料としてＩＴＯ
等の透明導電膜に限定されず、Ａｌ等の金属材料を使用
することができる。

【００４７】素子を保護する外囲器１５を形成するにあ
たっては、配線パターン１２が形成される基板１１が外
囲器１５の一部を構成するので、封止用の部材（金属や
樹脂等による封止キャップ）を別途設ける必要がなく、
構成部品を削減して構成の簡略化を図ることができる。

【００４８】また、図５（ａ）に示すように、素子１の
みでなく、素子駆動用回路であるドライバーＩＣ２１や
スイッチ２２等の部品も１枚の基板３上に一緒に搭載す
ることができる。さらには、素子１を形成する基板３と
配線パターン１２を形成する基板１１が分離された構成
により、図５（ｂ）に示すように、基板３側に複数の素
子１を形成し、基板１１側に各素子１の配線パターンを
形成しておき、各素子と配線パターンとの間を導電性材
料からなる連結部により配線接続することも可能であ
る。これにより、ＣＩＧ（チップイングラス）やＣＯＧ
（チップオングラス）を容易に製作することができる。

【００４９】特に、図１及び図２に示す第１実施の形態
の有機ＥＬ表示素子１Ａによれば、素子が形成される基
板３とは別の基板１１に配線パターン１２（配線１２
ａ，１２ｂ及び接続端子部１２ｃ，１２ｄ）のみが形成
されるので、基板３に素子を薄膜印刷により形成し、基
板１１に配線パターン１２を厚膜印刷により形成するこ
とができる。

【００５０】ところで、上記実施の形態では、基板３側
に形成される陽極４を透明電極としているが、陽極４と
陰極７を逆転させた構成としてもよい。すなわち、絶縁
性の基板３側に形成される電極を金属電極からなる陰極
７とし、透光性及び絶縁性を有する第２基板１１側に形
成される電極を透明導電膜からなる陽極４とする。この
場合、基板１１の外側から表示の観測が行われ、配線パ
ターン１２がＩＴＯ等の透明導電膜で形成されることに
なるが、基板１１に対してＩＴＯ等の透明導電膜による
配線パターンの幅を太く形成することにより、配線抵抗
が低く、消費電力の低減を図ることができる。

【００５１】また、上記実施の形態では、各セグメント
ａ〜ｇ毎の導出部分４ａと配線パターン１２の端子部１
２ａとの間を導通接続する連結部１３が第２基板１１側
に形成された構成であるが、第１基板３と第２基板の両
側から印刷等により形成して所定の高さの連結部１３を
得るようにしてもよい。

【００５２】また、上記実施の形態では、固定表示セグ
メント２が形成される基板３と、配線パターン１２が形
成される基板１１とによる２枚の基板３，１１を重ねた
構造について説明したが、配線パターンが形成される基
板を更に複数枚重ねた多層基板構造としてもよい。この
場合、下に位置する基板からの配線パターンをスルーホ
ールや基板端面を介して上に位置する基板の表面に引き
出し、その後は、上述した各実施の形態と同様の構成に
より、連結部を介して上下に位置する基板間の配線パタ
ーンの接続を行うことができる。

【００５３】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
有機ＥＬ表示素子によれば、素子と配線パターンを別々
の基板に形成することができるので、微細パターン、連
続パターン、特殊パターンの配線にも対応でき、従来の
配線構造に比べて設計の自由度が向上する。特に、従来
の配線構造では実現困難であった特殊パターンの配線に
も容易に対応することができる。

【００５４】請求項１の有機ＥＬ表示素子によれば、表
示セグメントが形成された第１基板の外側から表示の観
測が行われ、配線パターンが形成された第２基板の外側
から表示の観測を行うことがないので、従来のようなＩ
ＴＯ等の透明導電膜に限定されず、Ａｌ等の金属材料を
配線パターンの材料として使用することができる。

【００５５】しかも、素子が形成される第１基板と配線
パターンが形成される第２基板が分離された構成なの
で、第１基板側に複数の素子を形成し、第２基板側に各
素子の配線パターンを形成し、各素子と配線パターンと
の間を導電性材料からなる連結部により配線接続する構
成とすれば、ＣＩＧ（チップイングラス）やＣＯＧ（チ
ップオングラス）の製作を容易に行うことが可能であ
る。

【００５６】請求項２の有機ＥＬ表示素子によれば、配
線パターンが形成される第２基板の外側から表示の観測
が行われ、配線パターンがＩＴＯ等の透明導電膜で形成
されるが、このＩＴＯ等の透明導電膜による配線パター
ンの幅を太く形成すれば、配線抵抗が低く、消費電力の
低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｅ）本発明による有機ＥＬ表示素子
の第１実施の形態を示す図であり、作製工程手順の説明
図

【図２】図１（ｅ）におけるＡ−Ａ線拡大断面図

【図３】（ａ）〜（ｅ）本発明による有機ＥＬ表示素子
の第２実施の形態を示す図であり、作製工程手順の説明
図

【図４】図３（ｅ）におけるＢ−Ｂ線拡大断面図

【図５】（ａ），（ｂ）本発明による有機ＥＬ表示素子
の応用例を示す簡略図

【図６】（ａ）従来の有機ＥＬ表示素子における配線構
造の一例を示す平面図 （ｂ）（ａ）の部分拡大断面図

【符号の説明】

１（１Ａ，１Ｂ）…有機ＥＬ表示素子、２（２Ａ，２
Ｂ）…固定表示セグメント（表示セグメント）、ａ〜ｇ
…セグメント、３…基板（第１基板）、４…陽極（第１
電極）、５…絶縁層、６…有機層、７…陰極（第２電
極）、１１…基板（第２基板）、１２…配線パターン、
１２ａ…陽極用配線、１２ａａ…端子部、１２ｂ…陰極
用配線、１２ｃ…陽極用接続端子部、１２ｄ…陰極用接
続端子部、１３…連結部、１４…封着材、１５…外囲
器。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光性及び絶縁性を有する第１基板と、 表示セグメントの形状に合わせ、該表示セグメントの各
   セグメント毎の一部に導出部分を有して前記第１基板上
   に形成された透明電極からなる第１電極と、 前記表示セグメントを形作り、前記導出部分の一部に開
   口を有して前記第１電極の上から形成された絶縁層と、 前記絶縁層から露出する前記導出部分を除いて前記絶縁
   層の上から形成された発光層を含む有機化合物材料から
   なる有機層と、 前記有機層から露出する前記導出部分を除いて前記有機
   層の上から形成された金属電極からなる第２電極と、 絶縁性を有する第２基板と、 前記セグメントのうちの共通するセグメント毎に前記第
   ２基板上に形成された配線パターンと、 対応する前記配線パターンと前記第１電極の前記導出部
   分との間を接続する導電性材料からなる連結部とを備え
   たことを特徴とする有機ＥＬ表示素子。
2. 【請求項２】 絶縁性を有する第１基板と、 表示セグメントの形状に合わせ、該表示セグメントの各
   セグメント毎の一部に導出部分を有して前記第１基板上
   に形成された金属電極からなる第１電極と、 前記表示セグメントを形作り、前記導出部分の一部に開
   口を有して前記第１電極の上から形成された絶縁層と、 前記絶縁層から露出する前記導出部分を除いて前記絶縁
   層の上から形成された発光層を含む有機化合物材料から
   なる有機層と、 前記有機層から露出する前記導出部分を除いて前記有機
   層の上から形成された透明電極からなる第２電極と、 透光性及び絶縁性を有する第２基板と、 前記セグメントのうちの共通するセグメント毎に前記第
   ２基板上に形成された透明導電膜からなる配線パターン
   と、 対応する前記配線パターンと前記第１電極の前記導出部
   分との間を接続する導電性材料からなる連結部とを備え
   たことを特徴とする有機ＥＬ表示素子。
3. 【請求項３】 前記配線パターンが透明導電膜又は金属
   膜からなることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表
   示素子。