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JPS6235498A - 薄膜elパネルの製造方法 - Google Patents

薄膜elパネルの製造方法

Info

Publication number
JPS6235498A
JPS6235498A JP60174660A JP17466085A JPS6235498A JP S6235498 A JPS6235498 A JP S6235498A JP 60174660 A JP60174660 A JP 60174660A JP 17466085 A JP17466085 A JP 17466085A JP S6235498 A JPS6235498 A JP S6235498A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
thin film
striped
metal mask
panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60174660A
Other languages
English (en)
Inventor
佐野 與志雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP60174660A priority Critical patent/JPS6235498A/ja
Publication of JPS6235498A publication Critical patent/JPS6235498A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は相互に直交する2組の縞状電極を有する薄膜B
L (エレクトロルミネッセント)パネルの製造方法に
関するものである。
〔従来の技術〕
従来交流動作の薄膜EL、やネルに用いられる薄膜EL
素子においては輝度と発光効率を改善し、長時間にわた
る動作の安定性を得るために、発光中心として0.5〜
3 mo 1 faのMnあるいはTbF、、SmF3
.PrF。
等を添加しfCZnS、Zn5e等の発光層を、Y2O
3あるいはAL20.、PbTi0.、BaTi0..
81.N4等の絶縁層で2両側よりはさんだいわゆる二
重絶縁構造の薄膜EL針が用いられている。
従来の二重絶縁型薄膜EL素子の基本構造の一例を第4
図に示す〔ニスアイディーインターナシ。
ナルシンポジウムダイジェストオプテクニカルペーパー
ズ(SID International Sympo
aium Digest ofTechnieal P
apers (1974)84) )。
第4図において、41はガラス基板、42は、In2O
3゜5n02yITOあるいは金属薄膜等からなる第1
の電極、43はその上に電子ビームあるいはスパッタ蒸
着法等により蒸着されたY2O,、At203.PbT
i0.、BaTi0.。
St、N4等の絶縁層、44はその上に蒸着されたMn
TbT s t SmF s t P r F s等の
発光中心を含むZnSからなる発光層である。この発光
層44も電子ビーム蒸着法あるいはスパッタ蒸着法等に
より製造される。45は発光層44の上に蒸着された絶
縁層であシ、その蒸着法及び材料は絶縁層43と同じで
ある。46は絶縁層45の上に蒸着されたA/、または
ITO等よシなる第2の電極であシ、47はEL素子を
駆動する交流電源であシ、電極42と電極46に接続さ
れている。
次に二重絶縁型薄膜EL素子の発光原理を第4図に示す
構造の素子について簡単に説明する。
発光層44は、その発光開始前は単純なコンデンサと考
えられる。従って電極42と46との間に電源47の交
流電圧を印加すると、発光層44及び絶縁層43.45
には各々の静電容量に応じた電圧が加えられる。発光層
44に加えられる電界が十分高くなると(約106V/
儒以上)発光層44の伝導帯に電子が励起される。この
電子は電界によって加速され、発光中心を励起するのに
十分なエネルギーを持って発光中心に衝突する。これに
より適当な励起状態にあがった発光中心の電子が基底状
態へ戻る際に、発光中心に固有のエネルギー値を持った
光が放出される。実際には結晶格子との相互作用等によ
り発光スイクトルはある程度の拡がりを持つ。
発光中心としてMn s TbF s t SmF 3
またはP r F sを用いた場合はそれぞれ黄橙色、
緑色、赤色、白色の発光が観測される。
以上二重絶縁型薄膜EL素子について述べたが上述した
ことは二重絶縁型薄膜EL素子の絶縁層43または45
のいずれか一方をとプ除いた構造を有するいわゆる片絶
縁型薄膜EL素子についても適用される。
以上の説明から明らかなように発光は電極42と46と
が相対する部分においてのみ生ずる。そこで電極42と
46とをどちらも縞状とし互層に直交するように配置す
ればドツトマトリックス表示が可能な薄膜EL I4ネ
ルが得られる。このようなパネルの断面斜視図を第5図
に示す。第5図において、48は縞状の第1の電極、4
は縞状の第2の電極である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来縞状の第2の電極を形成するにはメタルマスクを用
いる方法やフォトリソグラフィーによる方法が用いられ
てきたがこれらの方法は以下に述べるような欠点を有し
ていた。
まずメタルマスクを用いて縞状の第2の電極を形成する
場合を考える。第6図は発光層44または絶縁層45ま
で薄膜を形成したガラス基板1の上に固定具52を用い
てメタルマスク51を治具53にとシつけた状態の斜視
図である。縞状の第2の電極を形成するにはこのように
セットしたガラス基板1上に、電極を形成するAAやI
TOの蒸着が行われる。ところで一般に薄膜EL I4
ネルの電極間隔は0.05〜0.2 m程度であるから
、メタルマスクの細線部54の巾も0.05〜0.2■
となる。このような幅で電極の長さを長くするとメタル
マスクの細線部が完全カ直線を保つことは困難となシ、
作成した電極がゆがんでしまい薄膜ELパネルの画素位
置が不正確となったり、画素の寸法がまちまちとなった
シしてI4ネルの実用性が著しくそこなわれてしまう欠
点を有していた。このようなメタルマスクの細線部のゆ
がみをさける方法として特殊な形状のマスクを用いる方
法が提案されている〔ニス・アイ・ディー・インターナ
シ、ナル・シンポジウム会ダイジェスト・オブ・テクニ
カルーペーパーズ(SIDInternational
 Symposlum Digest of Tech
nical papers(1982) 122 ) 
]。このマスクの断面斜視図を第7図に示す。第7図に
おいて、このマスクはNiからなる基板61の上に細線
部をなす磁性体マスク62があシ、磁性体マスク62の
上にNiから々るブリッジを有する薄いメタルマスク6
3が積層され細線間の間隔を保つようになっている。ブ
リッジは十分細くかつ蒸着面からりいているので蒸着に
よってブリッジの影によりミ極が切れることはない。マ
グネットチャック上に蒸着面を上にしてガラス基板を置
き、ガラス基板上にこのマスクをマグネットチャックで
固定することにより正確に縞状の第2の電極を形成でき
る。しかしながらこの方法は非常に特殊々マスクを用い
なければならないため一般的に用いることは困難であり
、またマスクの製作費が高い欠点を有してい喪。
次にフォトリソグラフィーを用いて縞状の第2の電極を
形成する場合を考える。縞状の第2の電極は薄膜の絶縁
層の上に積層されるため、通常のフォトリソグラフィー
では第2の電極をなすAtやITOの薄膜とともに絶縁
層まで同時にエツチングされてしまうため、いわゆるリ
フトオフ法が通常用いられる。リフトオフ法には2回の
湿式エツチング工程が必要であるが、発光層であるZn
S等の■−■族化合物は吸湿しやすく、かつ吸湿した状
態で電圧を印加すると非常に早く劣化してしまうため、
湿式エツチングを行うには絶縁層に完全な耐湿性やピン
ホール・クラック等のない完全性が要求されることにな
シ、薄膜EL A/ネルの長寿命化及び低コスト化が困
難である欠点を有していた。
またフォ) IJソゲラフイーは工程数が多いため時間
及び費用がかかる欠点を有していた。
本発明の目的はこのような従来の欠点を除去し、発光層
に有害な湿式エツチング工程や、高価な特殊メタルマス
クを用いずに、縞状の第2の電極を発光層の信頼性を損
うことなく簡単かつ安価に人造する方法を提供すること
にある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は縞状に配置された第1の電極を一方に有する薄
膜ELの他方に、第1の電極と直交する方向に配置して
第2の電極を蒸着により縞状に形成する薄膜EL ノ4
ネルの製造方法において、前記第2の電極を長さ方向に
少くとも2以上の部分に分割し、メタルマスクを用い、
2回以上に分けて分割部分の蒸着を行い、隣接相互の各
蒸着部分の端縁を重ね合せて所定長さの第2の電極に形
成することを特徴とする薄膜EL 14ネルの製造方法
である。
〔作用〕
縞状の第2の電極をなす各々の線状電極を2以上の部分
すなわち、非常に長い電極をいくつかの短い長さの電極
に分割する。したがって各部分の形成に用いるメタルマ
スクの細線部の長さが短くなシ、細線がゆがむことがな
く人る。そこで各部分ごとにメタルマスクを用いて蒸着
をくシかえせば所望の電極パターンが得られる。
〔実施例〕
以下に本発明の実施例を図によって説明する。
第1図(a)〜(e)は本発明の第1の実施例を工程順
に示す図である。第1図(a)において、ガラス基板1
には第4図に示した発光層(44)又は絶縁層(45)
に至る各層が蒸着され、その蒸着面が上向きに置かれて
いる。このガラス基板1上に、メタルマスク6を用いて
、形成すべき縞状の第2の電極の一部(上半分の長さ)
2の蒸着を行う。次に、第1図(b)に示すようにメタ
ルマスク7に交換して残りの第2の電極の一部(下半分
の長さ)3の蒸着を行い、両電極部分2,3の端縁を一
定の幅で重ね、第1図(c)のように、重なシ部分5(
斜線にて示す)にて長さ方向に接続された所定長さの縞
状の第2の電極4を完成する。
このように各縞状電極を2つの部分に分割することによ
りメタルiスクの細線部の長さが半分近くに短縮される
ため細線部がゆがむことが少くなる。しかし薄膜ELパ
ネルが大面積化し、電極長がざらに長くなるとこれでも
対応できなくなる。このような場合は次のようにする。
第2図(a)〜(C)は縞状の第2の電極の製造法の第
2の実施例の工程図である。
本実施例は縞状電極を長さ方向に4分割した場合の例で
ある。第2図(a) s (b)において、本実施例で
は、第2図(、)に示す第1列目と第3列目の第2の電
極の一部11を形成する第1のメタルマスク13と、第
2列目と第4列目の第2の電極の一部12を形成する第
2のメタルマスク14とを順に用いてガラス基板1に蒸
着を行い、第1図(c)に示すようにガラス基板1上に
各列の電極一部を雷な多部分5にて長さ方向に接続した
縞状の第2の電極4を得る。このように各線状電極を多
数の部分に分割することにより各メタルマスクの細線部
の長さが大幅に短縮されるため電極間隔が非常に狭く、
従ってメタルマスク細線部の幅が非常に狭い場合や電極
の長さが長く、従ってメタルマスク細線部の長さが非常
に長い場合にも、メタルマスクを用いて2回の蒸着工程
により縞状の第2の電極が製造できる。
第3図(a)〜(c)は本発明の縞状の第2の電極の製
造方法の第3の実施例の工程図である。第3図(a)。
(b)に示す23及び24はメタルマスクである。第3
図(a)において、まず、メタルマスク23を用いて発
光部、すなわち縞状の第1の電極と相対するマトリック
ス状の方形部分21をガラス基板1に蒸着し、次に第3
図(b)においてメタルマスク24を用いてその間の線
状部分22を蒸着し第3図(c)に示したように長さ方
向に接続された縞状の第2の電極4を完成させる。この
方法では第3図(d)の25で示されるように(、)と
(b)の工程で作成される電極の重なシ部分の幅方向に
子桁25があるため2回目の蒸着時におけるメタルマス
クの目合わせ誤差の許容範囲が広くとれるため、電極作
成が容易になるという利点がある。
またメタルマスクに磁性体を用いて、メタルマスクの固
定にマグネットチャックを用いてもよい。
この場合は特にメタルマスクとガラス基板間の密着性が
良好となるので微細間隔の縞状電極の作成に有利である
〔発明の効果〕
以上述べた通シ本発明の製造方法を用いれば従来はメタ
ルマスクでは作成できなかった大面積パネルの縞状の第
2の電極をメタルマスクを用いて蒸着法のみで作成でき
るため、従来の大面積薄膜ELパネルで一般的に用いら
れてきたフォトリソグラフィー法を用いた湿式エツチン
グ工程がなくなシ、このため吸湿性の高い発光層に水分
を吸収させることなく第2の電極が作成できる。よく知
られているように発光層に水分が含まれていると、EL
素子動作時に発光特性、特に寿命が著しく短く一部なF
) EL /IPネルの信頼性が低下するが本発明の製
造方法を用いれば発光層に水分を吸収させる工程なしで
EL /譬ネルを完成させることができ高い信頼性を有
する薄膜EL /#ネルの製造が可能となる。また本発
明の製造方法は2回の蒸着工程で行えるためフォトリソ
グラフィー法よシも工程が非常に簡単かつ確実であシ、
縞状の第2の電極を高い信頼性と歩走シをもって安価に
製造することが可能である。また複雑な形状の特殊なメ
タルマスクを使用せずに通常用いられているメタルマス
クを用いて製造できるためメタルマスクにかかる費用を
少くできる。
また本発明は薄膜ELパネルに限らずマトリックス型の
電極を必要とする分散型EL /4’ネル等の縞状電極
を作成する場合にも用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜0)は本発明の縞状の第2の電極の作成
方法の第1の実施例の工程図、 第2図(a)〜(C)は本発明の縞状の第2の電極の作
成方法の第2の実施例の工程図、 第3図(a)〜(c)は本発明の縞状の第3の電極の作
成方法の第3の実施例の工程図、第3図(d)は接続部
分の拡大図、第4図は従来の薄膜EL素子の断面図、 第5図は従来の薄膜ELパネルの断面斜視図、第6図は
薄膜を蒸着したガラス基板上にメタルマスクを固定した
状態を示す斜視図、 第7図は特殊な積層構造をもつメタルマスクの断面斜視
図である。 1・・・発光層または絶縁層まで蒸着したガラス基板、
2,3,11,12,21,22・・・縞状の第2の電
極の一部、4・・・縞状の第2の電極、5・・・2回の
蒸着における重な〕部分、6,7,13,14,23,
24・・・メタルマスク、25・・・重なシ部分の子桁

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  (1)縞状に配置された第1の電極を一方に有する薄
    膜ELの他方に、第1の電極と直交する方向に配置して
    第2の電極を蒸着により縞状に形成する薄膜ELパネル
    の製造方法において、前記第2の電極を長さ方向に少く
    とも2以上の部分に分割し、メタルマスクを用い、2回
    以上に分けて分割部分の蒸着を行い、隣接相互の各蒸着
    部分の端縁を重ね合せて所定長さの第2の電極に形成す
    ることを特徴とする薄膜ELパネルの製造方法。
JP60174660A 1985-08-07 1985-08-07 薄膜elパネルの製造方法 Pending JPS6235498A (ja)

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JP60174660A JPS6235498A (ja) 1985-08-07 1985-08-07 薄膜elパネルの製造方法

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001076869A (ja) * 1999-09-06 2001-03-23 Futaba Corp 有機elデバイスとその製造方法
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