JP4373237B2 - 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型 - Google Patents
半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4373237B2 JP4373237B2 JP2004037179A JP2004037179A JP4373237B2 JP 4373237 B2 JP4373237 B2 JP 4373237B2 JP 2004037179 A JP2004037179 A JP 2004037179A JP 2004037179 A JP2004037179 A JP 2004037179A JP 4373237 B2 JP4373237 B2 JP 4373237B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin
- substrate
- cavity
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 279
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 279
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims description 206
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 182
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 315
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 76
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 44
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 55
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 31
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 19
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 230000003578 releasing effect Effects 0.000 description 9
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012260 resinous material Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007666 vacuum forming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
- H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
- B29C33/68—Release sheets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/36—Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/38—Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles with means to avoid flashes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
ここで、先行出願の金型構造の要部を拡大して示した概略断面図が、図14(1)および図14(2)になる。
即ち、図14(1)および図14(2)に示すように、上型101と下型102と中間プレート103とから成るトランスファーレス成形用の三型(上型101・下型102・中間プレート103)で構成された樹脂封止成形用金型100と、下型102と中間プレート103との間に供給する離型フィルム104とを用いて、下型102と中間プレート103とを型締めして、離型フィルム104を中間プレート103の下型102側金型面と下型用金型面105との間で緊張させ被覆させてキャビティ空間部106を形成した状態で、且つ、上型101と中間プレート103とを中間型締めして上型101に設けたシール部材107で外気遮断空間部108を形成しながら該空間部108の空気等を強制的に吸引排出した(真空引きした)状態で、基板109に装着された半導体チップ110・ワイヤ111(該チップ110部分)側を下方向に向けて上型101と中間プレート103とを徐々に型締めして前記キャビティ空間部106の溶融樹脂112に浸漬内包して封止成形するように構成されている(図14(1)参照。)。
このことから、離型フィルム成形と真空引き成形とを併用実施するために、中間プレート103の下型102側では、両型102・103を型締めすることにより、下型102の外周囲に設けたフィルム挟持部材113で離型フィルム104を確実に弾性支受し、さらに、下型102の傾斜部114を用いて下型用金型面105に離型フィルム104を緊張させ被覆させることができる、つまりは、離型フィルム104を挟持固定する挟持固定方式を採用する離型フィルム成形を実施するように構成されている。一方の当該プレート103の上型101側では、上型101の金型面の所定位置に基板固定手段115で基板109の該チップ110非装着面を装着固定(吸着固定)した状態で、上型101に設けたシール部材107が中間プレート103の上型101側金型面に当接することにより、外気遮断状態にして形成された外気遮断空間部108の空気等を上型101に設けたエア吸引排出孔116を介して真空引きすることができる、つまりは、当該空間部108の空気等を吸引排出する吸引方式を採用する真空引き成形を実施するように構成されている。
さらに、基板109が大型化・薄型化することによって、硬化樹脂117と基板109との密着性を強化して樹脂封止後の硬化樹脂117が基板109から剥離しないように、高密度の樹脂材料が使用されることが多くなっている。このことからも、キャビティ空間部106面と硬化樹脂117との密着性が強くなるので、前記した硬化樹脂117部分の欠け不良やクラック不良等の成形不良がより一層発生する。加えて、樹脂接触領域Aにおける当該空間部106面の側面部分から硬化樹脂117部分を離型することさえできなくなる致命的な成形不良が発生することになる。
以上のことから、先行出願のトランスファーレス成形用の樹脂封止成形用金型100の構造によれば、短冊状の基板109に加えて、近年の大型化・薄型化した基板109の半導体チップ110部分を樹脂封止成形する場合、離型フィルム成形方式と真空引き成形方式とを併用実施することは十分に実現可能となった。しかし、基板109と樹脂封止成形用金型100との離型時に発生する欠け不良やクラック不良等の成形不良を防止できないという問題が発生した。
図1(1)は、本発明に係わる半導体チップの樹脂封止成形用金型を搭載した樹脂封止成形装置にて樹脂封止成形する本実施例1で対象とする基板であって、左側には封止前基板の断面図、右側には封止済基板の側面図を示す。図1(2)は、前記した樹脂封止成形装置のレイアウトを平面図で示す。図2乃至図5、図7乃至図11は、本発明に係わる前記金型にて、前記基板を樹脂封止成形する実施方法を段階的に断面図で示す。図6は、図5に対応する上型の下面(上型面)側における前記基板の装着状態を平面図で示す。
さらに、インユニット74からローダユニット73へ封止前基板4を移送する間、或いは、ローダユニット73からアウトユニット76へ封止済基板11を移送する間にチップ2状態や硬化した封止成形部7を下方から、例えば、CCDカメラ等の適宜な検査手段(図示なし)で検査する基板検査機構ユニット(図示なし)を設ける構成でもよい。この場合、基板1(封止前基板4・封止済基板11)を、前記検査手段で検査することにより、封止前基板4においては、例えば、基板1の表裏(一方と他方の面)方向判別、或いは、装着されたチップ2の数量や不良(欠損)位置等のチップ2(実装)状況を把握するように構成される。つまり、このような検査工程を実施した後に、前記した移送手段から一体型の搬送手段78の上側部分に、封止前基板4を受け渡すように構成される。そして、前述した樹脂材料ユニット75の機能と連動することができるように構成される。また、封止前基板4をインユニット74からローダユニット73へ移送する間、および/または、ローダユニット73に供給セットされた封止前基板4を樹脂封止成形用金型12内に供給する間に、封止前基板4を予備加熱(プレヒータ)するような構成で実施してもよい。
従って、本実施例1の樹脂封止成形装置70にて封止前基板4を封止済基板11に樹脂封止成形する(検査、予備加熱を含む)一連の工程を実施することができるように構成される。
従って、図4に示すように、下型14・中間型15を上下方向へ嵌装し、且つ、下型14と中間型15との間にキャビティ部材52を嵌入させた状態で、少なくとも下型キャビティ面26とキャビティ部材52により構成されるキャビティ面54(キャビティ外周水平面54a・キャビティ側面54b)とを含むキャビティ16の全面、および、中間型15の下面側にフィルム17を張設すること、つまりは、キャビティ空間部20の形成時には、フィルム17を吸着固定方式と挟持固定方式とを組み合わせた構成によって、下型面19の所定位置(下型キャビティ面26)にフィルム機構28にてフィルム17を確実に装着固定することができるので、キャビティ16の全面に被覆されるフィルム17がキャビティ16内(キャビティ空間部20内)に移動する(浮き上がる)ことを効率良く防止することができる。
まず、図2に示す三型(上型13・下型14・中間型15)の型開き状態から中間型15が下動すると、下型側金型面25(平面位置C)の金型貫通孔44周縁とフィルム17とが当接し、次に、フィルム17を当接した状態で、中間型15がさらに下動すると、図3に示すように、金型貫通孔44周縁の下型側金型面25(平面位置C)とキャビティ16部分を嵌入させる略中央部分が開口した開口部48を形成した挟持部材49天面(平面位置D)とでフィルム17を挟持する。
挟持部材49の底面には、図2で示す垂直方向に付設された所要複数個の取付棒50と、挟持部材49・取付棒50を上下動に弾性的に摺動させるスプリング等からなる適宜な弾性部材51とを設けて構成される。つまり、図2に示す型開き状態では、挟持部材49天面(平面位置D)が上方に突出した状態で、且つ、弾性部材51が復元した(伸張した)状態で待機すると共に、下型14・中間型15を嵌装して型締めすると、挟持部材49・取付棒50が下動すると略同時に、弾性部材51も縮んだ状態になるように構成される。
次に、中間型15と挟持部材49とでフィルム17を挟持した状態で、さらに中間型15を下動すると、挟持されていない金型貫通孔44と開口部48とのフィルム17部分が、キャビティ部材52天面の基板当接部位53(平面位置E)に当接する。
キャビティ部材52には、図2に示すように、下型14に設けたキャビティ面26の外周囲となる下型14と中間型15との間に進退自在となるように構成し且つ凸所27部分を貫通して構成されると共に、当該部材52の断面形状は、L字型形状をしており、L字型の垂直部分と水平部分とで構成される。この当該部材52の垂直部分には、フィルム17を介して基板1の基板外周部8に当接する基板当接部位53(平面位置E)と、下型キャビティ面26の外周囲に配置され且つ下型キャビティ面26とキャビティ16の底面を形成するキャビティ外周水平面54a(平面位置F)と、キャビティ16の平面位置Eと平面位置Fとの間に形成されるキャビティ側面54bとで構成される。つまり、キャビティ外周水平面54aとキャビティ側面54bとでキャビティ面54(キャビティ外周水平面54a・キャビティ側面54b)を構成すると共に、このキャビティ面54(キャビティ外周水平面54a・キャビティ側面54b)と下型キャビティ面26とでキャビティ16の全面を構成する。そして、キャビティ部材52の水平部分には、挟持部材49を載置し且つ挟持部材49底面と当接する平面位置Hと、キャビティ部材52が下動すると平面位置Jと当接するキャビティ部材52底面(平面位置I)とを形成して構成されると共に、キャビティ部材52を上下方向に弾性的に摺動させるスプリング等の適宜な弾性部材55は、キャビティ部材52底面(平面位置I)と当接し且つ下型面19の平面位置Jよりも凹んだ部分に載置するように構成される。つまり、図2に示す型開き状態では、キャビティ部材52の基板当接部位53(平面位置E)とキャビティ外周水平面54a(平面位置F)とが、下型キャビティ面26(平面位置G)よりも上方に突出し且つ挟持部材49天面(平面位置D)よりも低い位置に待機し、且つ、弾性部材55が復元した状態で待機すると共に、図9に示す完全型締め状態になると、キャビティ部材52が、平面位置Fは平面位置Gと、および、平面位置Iは平面位置Jとで当接して、弾性部材55が縮んだ状態になるように構成される。
次に、中間型15と挟持部材49とでフィルム17を挟持した状態で、さらに中間型15を下動して挟持部材49も同様に一体で下動すると、図4に示すように、挟持部材49底面と、キャビティ部材52におけるL字型の水平部分(平面位置H)とが当接する。このとき、キャビティ16の全面にフィルム17を被覆して、フィルム機構28にて、少なくとも下型キャビティ面26にフィルム17を吸着固定するように構成される。つまり、図4に示す下型14・中間型15の嵌装時に、キャビティ空間部20を形成する。
従って、キャビティ空間部20の形成時には、挟持部材49天面(平面位置D)がキャビティ部材52の基板当接部位53(平面位置E)よりも低い位置になるまで、フィルム17を中間型15と挟持部材49とで挟持した状態で一体に下動することにより、下型14・中間型15で挟持されていない基板当接部位53内の緊張したフィルム17が、キャビティ16内を外気遮断した状態で、フィルム機構28にて緊張したフィルム17を下方に強制的に吸引すると、樹脂封止成形用金型12全体の加熱状態でフィルム17が伸張していることもあいまって、緊張し且つ伸張したフィルム17が、少なくとも、下型キャビティ面26(平面位置G)に吸引されて確実に吸着固定して、最終的に、フィルム17がキャビティ16の全面に装着固定することになる。
即ち、キャビティ16の全面を完全被覆して吸着固定する吸着固定方式に加えて、中間型15と挟持部材49とで確実に挟持する挟持固定方式を組み合わせているので、キャビティ16の全面に被覆されるフィルム17を上方に移動することなく、フィルム17を確実に装着固定することができると共に、先行出願のトランスファーレス成形用の金型構造で、短冊状の基板1に加えて、近年の大型化・薄型化した基板1のチップ2部分を樹脂封止成形する場合に発生した基板1と樹脂封止成形用金型12との離型時に発生する欠け不良やクラック不良等の成形不良を効率良く防止することができる。
また、前記した挟持固定部33については、大型化・薄型化した基板1を対象として、図6(1)に示すように、基板1の基板外周部8の外周囲全体をチャック部材37で挟持固定する構成にしているが、従来で用いる短冊状の基板1(リードフレームも含む)の場合、例えば、図6(2)に示すように、基板外周部8の所要複数箇所にチャック爪41(図例では六個)を設けて、基板外周部8を挟持固定する構成でもよい。さらに、上型面18の所定位置に基板1を確実に装着固定するために、図6(2)の黒丸部分に示す所要複数個の位置決め孔42(図例では三個)と、上型面19に形成された位置決め孔42を嵌装セットする位置決めピン等の適宜な位置決め部材(図示なし)とを設けて、基板1を嵌装セットするような構成にしてもよい。そして、基板1をチャック爪41で挟持固定する場合においては、前記したチャック部材37で設けた搬送手段78の断面形状はコの字形状であったが、例えば、長方形等の適宜な多角形状をした一体型の搬送手段78で基板1および樹脂材料5を各別に且つ略同時的に供給するような構成にしてもよい。また、位置決め孔42や位置決め部材については、チャック部材37を設けた挟持固定部33に併用実施した構成にしてもよい。
つまり、真空ユニットの構成要素としては、シール部材30、吸引排出孔31、真空引き機構を少なくとも設けて構成される。そして、本実施例1の樹脂封止成形用金型12にて真空引きする実施方法としては、シール部材30に、上型側金型面24(平面位置B)が上動して当接することにより、シール部材30がつぶれ状態となると共に、上型13と下型14・中間型15とがシール部材30を介して、少なくともキャビティ空間部20を外気遮断状態にして外気遮断空間部21を形成すると略同時に、外気遮断空間部21内を真空引き機構に連絡する所要複数個の吸引排出孔31より真空引きできるように構成される(図7参照。)。
ここまでの図1乃至図5に示す実施方法において、封止前基板4の上型面18への装着固定、キャビティ空間部20の形成、樹脂封止成形用金型12全体の予備加熱、或いは、キャビティ空間部20への樹脂材料5の供給、等における実施順序については、後述する図7に示す真空引き工程までに実施できれば、適宜に変更することができる。
従って、樹脂封止成形用金型12を弾性的に支受して水平状態を保持するので、樹脂封止成形用金型12を各プレス手段のみで上下動するための型締め時の各金型面18・19・24・25が合致する際の衝撃を和らげることができる。
従って、基板1の大型化・薄型化に伴って、従来のエジェクタピン等の突き出し部材を用いずに、圧送して離型することにより、硬化したチップ2部分(硬化樹脂10)を損傷しないように、キャビティ16の全面にフィルム17を被覆しているので、高密度な樹脂材料5を用いても型面に付着せずに効率良く離型することができる。
従って、本実施例1におけるチップ2の樹脂封止成形方法を図2乃至図11を用いて説明したが、以上のような一連の樹脂封止工程を経て、封止前基板4を封止済基板11に樹脂封止成形することができる。当然のことながら、この一連の樹脂封止工程を連続的、或いは、断続的に、稼動・停止させることを、前述した制御ユニット77で適宜に変更して実施できる。
なお、図12においては、基本的に、実施例1で参照した図面における構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付することとする。
本実施例2で対象とする基板を図12(1)に示すと共に、図12(1)に対応する基板を樹脂封止成形する実施方法において、実施例1と顕著に異なる部分について抜粋した前記金型の断面図を図12(2)および図12(3)に示す。一方、本実施例2にて説明を省略した内容においては、本実施例1の図1乃至図11を用いて説明した内容に準ずるものとする。
なお、フィルムユニット72においては、図示していないが、後述するように、第二フィルム57を、フィルム17とは別に樹脂封止成形用金型12に送出・巻取する必要があるので、少なくとも別の送出部・巻取部(図示なし)を適宜に配置構成することになる。
従って、基板機構29は、第二フィルム57を吸着固定する吸着固定部32と基板1を第二フィルム57を介して挟持固定する挟持固定部33とを組み合わせた構成で設けているので、近年における基板1の大型化・薄型化に対応して、確実に隙間なく第二フィルム57により一層密着させた状態で、基板1を上型面18の所定位置に装着固定することができる。
なお、図13においては、基本的に、実施例1で参照した図面における構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付することとする。
本実施例3で対象とする基板を図13(1)に示すと共に、図13(1)に対応する基板を樹脂封止成形する実施方法において、本実施例1、および/または、本実施例2と顕著に異なる部分について抜粋した前記金型の断面図を図13(2)および図13(3)に示す。一方、実施例3にて説明を省略した内容においては、本実施例1、および/または、本実施例2における図1乃至図12を用いて説明した内容に準ずるものとする。
また、本実施例においては、ワイヤボンデングされたチップ2を樹脂封止成形する構成にて説明してきたが、ワイヤ3の無いチップ2を装着されたフリップチップ基板や、或いは、ウェーハ基板等のウェーハレベルパッケージにおいても適応することは十分可能であると共に、ワイヤ3の無い基板1の場合においては、例えば、所要量のタブレット状の樹脂材料5を供給するような構成でもよい。
2 半導体チップ、チップ(半導体チップ)
3 ワイヤ
4 封止前基板
5 樹脂材料
6 溶融樹脂
7・59 封止成形部
8 基板外周部
9 チップ非装着面、非装着面
10・62 硬化樹脂
11 封止済基板
12 樹脂封止成形用金型
13 上型
14 下型
15 中間型
16 キャビティ
17 離型フィルム、フィルム
18 上型面
19 下型面
20 キャビティ空間部
21 外気遮断空間部
22 送出部
23 巻取部
24 上型側金型面
25 下型側金型面
26 下型キャビティ面
27 凸所
28 フィルム装着固定離型機構、フィルム機構(吸着機構)
29 基板装着固定機構、基板機構
30 シール部材
31・36・47 吸引排出孔
32 吸着固定部
33 挟持固定部
34・45 通気性部材
35・46 連通溝
37 チャック部材
38・50 取付棒
39 駆動部材
40・51・55 弾性部材
41 チャック爪
42 位置決め孔
43 収容部
44 金型貫通孔
48 開口部
49 挟持部材
52 キャビティ部材
53 基板当接部位
54 キャビティ面
54a キャビティ外周水平面
54b キャビティ側面
56・58 基板貫通孔
57 第二の離型フィルム、第二フィルム
60 上型キャビティ
61 キャビティ形成部材
70 樹脂封止成形装置
71 プレス機構ユニット、プレスユニット
72 フィルム供給機構ユニット、フィルムユニット(フィルム供給機構)
73 供給取出機構ユニット、ローダユニット
74 インマガジンユニット、インユニット
75 樹脂材料収納調整機構ユニット、樹脂材料ユニット
76 アウトマガジンユニット、アウトユニット
77 制御機構ユニット、制御ユニット
78 搬送手段
100 樹脂封止成形用金型
101 上型
102 下型
103 中間プレート
104 離型フィルム
105 下型用金型面
106 キャビティ空間部
107 シール部材
108 外気遮断空間部
109 基板
110 半導体チップ
111 ワイヤ
112 溶融樹脂
113 フィルム挟持部材
114 傾斜部
115 基板固定手段
116 エア吸引排出孔
117 硬化樹脂
118 封止済基板
119 欠け樹脂
A 樹脂接触領域
Claims (2)
- 上型と該上型に対向配置した下型と前記上型と前記下型との間に配置した中間型とを含む樹脂封止成形用金型を使用して、少なくとも前記下型側に設けられたキャビティが有するキャビティ面を含む成形金型面を離型フィルムによって被覆する工程と、前記キャビティを溶融樹脂または液状樹脂によって充填された状態にする工程と、前記上型と前記下型と前記中間型とを型締めする工程と、基板に装着された半導体チップを前記離型フィルムにて被覆された前記キャビティに収容することによって前記溶融樹脂または前記液状樹脂に浸漬する工程と、前記溶融樹脂または前記液状樹脂を硬化させて硬化樹脂を形成することによって前記半導体チップを樹脂封止する工程と、前記上型と前記下型と前記中間型とを型開きする工程とを備えた半導体チップの樹脂封止成形方法であって、
前記上型と前記下型と前記中間型とを型締めする過程において、前記キャビティにおける側面を含む成形金型面の全面を前記離型フィルムによって被覆するようにして前記離型フィルムを吸着する工程と、
前記上型と前記下型と前記中間型とを型締めする過程において、前記キャビティを囲むようにして設けられた挟持部材の上面と前記中間型の下面とによって前記離型フィルムを挟持する工程と、
前記キャビティを囲むようにして設けられたシール部材を変形させることによって前記キャビティを含む空間を外気遮断状態にして外気遮断空間部を形成する工程と、
前記外気遮断空間部における気体を吸引して排出する工程とを備えるとともに、
前記浸漬する工程においては前記離型フィルムを緊張し且つ伸張した状態に保っていることを特徴とする半導体チップの樹脂封止成形方法。 - 上型と該上型に対向配置された下型と前記上型と前記下型との間に配置された中間型とを含み、少なくとも前記下型側に設けられたキャビティが溶融樹脂または液状樹脂によって充填された状態において、前記上型と前記下型と前記中間型とが型締めすることによって、基板に装着された半導体チップが前記溶融樹脂または前記液状樹脂に浸漬された後に、前記溶融樹脂または前記液状樹脂が硬化することによって前記半導体チップを樹脂封止する際に使用される半導体チップの樹脂封止成形用金型であって、
前記中間型と前記下型との間において離型フィルムを張設するフィルム供給機構と、
前記キャビティを囲むようにして設けられた挟持部材と、
前記キャビティにおける成形金型面に向かって前記離型フィルムを吸着する吸着機構と、
前記キャビティを囲むようにして設けられたシール部材と、
前記上型と前記下型と前記中間型とが型締めする過程において前記シール部材が変形することによって形成され前記キャビティを含む外気遮断空間部と、
前記外気遮断空間部における気体を吸引して排出する吸引機構とを備えるとともに、
前記吸着機構は、前記キャビティにおける側面を含む前記成形金型面の全面が前記離型フィルムによって被覆されるようにして前記離型フィルムを吸着し、
前記挟持部材の上面と前記中間型の下面とによって前記離型フィルムが挟持され、
前記半導体チップが前記溶融樹脂または前記液状樹脂に浸漬される際には前記離型フィルムが緊張し且つ伸張した状態に保たれていることを特徴とする半導体チップの樹脂封止成形用金型。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004037179A JP4373237B2 (ja) | 2004-02-13 | 2004-02-13 | 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型 |
PCT/JP2004/019164 WO2005077633A1 (ja) | 2004-02-13 | 2004-12-22 | 電子部品の樹脂封止方法およびそれに用いられる金型 |
US10/562,356 US7618573B2 (en) | 2004-02-13 | 2004-12-22 | Resin sealing method for electronic part and mold used for the method |
KR1020067000842A KR100844668B1 (ko) | 2004-02-13 | 2004-12-22 | 전자 부품의 수지 밀봉 방법 및 그것에 이용되는 금형 |
CNB2004800222317A CN100469550C (zh) | 2004-02-13 | 2004-12-22 | 电子元器件的树脂密封方法以及用于该方法的模具 |
DE112004002705T DE112004002705T5 (de) | 2004-02-13 | 2004-12-22 | Harzvergießverfahren für eine elektronische Komponente sowie bei diesem Verfahren verwendetes Formwerkzeug |
KR1020077017118A KR20070087218A (ko) | 2004-02-13 | 2004-12-22 | 전자 부품의 수지 밀봉 방법 및 그것에 이용되는 금형 |
TW093140765A TWI250593B (en) | 2004-02-13 | 2004-12-27 | Resin sealing method for electronic part and mold used for the method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004037179A JP4373237B2 (ja) | 2004-02-13 | 2004-02-13 | 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005225133A JP2005225133A (ja) | 2005-08-25 |
JP4373237B2 true JP4373237B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=34857747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004037179A Expired - Lifetime JP4373237B2 (ja) | 2004-02-13 | 2004-02-13 | 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7618573B2 (ja) |
JP (1) | JP4373237B2 (ja) |
KR (2) | KR20070087218A (ja) |
CN (1) | CN100469550C (ja) |
DE (1) | DE112004002705T5 (ja) |
TW (1) | TWI250593B (ja) |
WO (1) | WO2005077633A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200026036A (ko) * | 2018-08-31 | 2020-03-10 | 토와 가부시기가이샤 | 수지 성형 장치, 이형 필름의 박리 방법 및 수지 성형품의 제조 방법 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5004410B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2012-08-22 | Towa株式会社 | 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置 |
JP5128047B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2013-01-23 | Towa株式会社 | 光デバイス及び光デバイスの生産方法 |
US7985357B2 (en) | 2005-07-12 | 2011-07-26 | Towa Corporation | Method of resin-sealing and molding an optical device |
JP2007109831A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法 |
JP4953619B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2012-06-13 | Towa株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
JP2007251094A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Towa Corp | 半導体チップの樹脂封止成形装置 |
JP4474381B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2010-06-02 | 住友重機械工業株式会社 | 被成形品の落下防止機構 |
JP4836661B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2011-12-14 | Towa株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び樹脂封止成形用金型 |
JP4858966B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2012-01-18 | Towa株式会社 | 電子部品の圧縮成形方法及び成形装置 |
KR100803679B1 (ko) * | 2006-11-15 | 2008-02-20 | 삼성전자주식회사 | 몰딩 구조물 제조 방법 및 기판 몰딩 방법 및 장치 |
JP4855329B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2012-01-18 | Towa株式会社 | 電子部品の圧縮成形方法及び装置 |
KR101245393B1 (ko) * | 2007-03-13 | 2013-03-19 | 토와 가부시기가이샤 | 전자 부품의 압축 성형 방법 및 그것에 사용되는 장치 |
JP4855307B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2012-01-18 | Towa株式会社 | 電子部品の圧縮成形方法 |
US7915089B2 (en) * | 2007-04-10 | 2011-03-29 | Infineon Technologies Ag | Encapsulation method |
CN101623914B (zh) * | 2008-07-11 | 2012-07-04 | 康准电子科技(昆山)有限公司 | 模内装饰的成型装置及成型方法 |
JP5036654B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2012-09-26 | Towa株式会社 | 半導体チップの圧縮成形方法 |
JP5140517B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2013-02-06 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド装置および樹脂モールド方法 |
KR101042692B1 (ko) * | 2008-12-18 | 2011-06-20 | 세크론 주식회사 | 에폭시 몰딩 컴파운드를 트레이에 공급하는 방법 |
KR101102912B1 (ko) * | 2009-11-05 | 2012-01-11 | 삼성전기주식회사 | 압축 몰딩 시스템 |
KR101101669B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2011-12-30 | 삼성전기주식회사 | 전자부품 제조장치 및 전자부품 제조방법 |
DE102010034923A1 (de) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Schichtverbunds aus einer Lumineszenzkonversionsschicht und einer Streuschicht |
DE102010047454A1 (de) * | 2010-10-04 | 2012-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Silikonfolie, Silikonfolie und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer Silikonfolie |
DE102010049312B4 (de) | 2010-10-22 | 2023-08-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Konversionsplättchens und Konversionsplättchen |
JP5468574B2 (ja) * | 2011-06-29 | 2014-04-09 | Towa株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
JP5658308B2 (ja) * | 2013-05-21 | 2015-01-21 | Towa株式会社 | 圧縮成形方法 |
JP5944866B2 (ja) * | 2013-06-20 | 2016-07-05 | Towa株式会社 | 電子部品の圧縮樹脂封止方法及び圧縮樹脂封止装置 |
JP5786918B2 (ja) * | 2013-10-23 | 2015-09-30 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止金型およびこれを用いた樹脂封止装置、樹脂封止方法 |
JP6270571B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-01-31 | Towa株式会社 | シート樹脂の供給方法と半導体封止方法及び半導体封止装置 |
TW201540854A (zh) * | 2014-04-23 | 2015-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 鍍膜方法 |
JP6017492B2 (ja) | 2014-04-24 | 2016-11-02 | Towa株式会社 | 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、及び樹脂封止電子部品 |
JP6310773B2 (ja) * | 2014-05-22 | 2018-04-11 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形方法 |
JP5944445B2 (ja) | 2014-07-18 | 2016-07-05 | Towa株式会社 | 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、樹脂封止電子部品、及び突起電極付き板状部材の製造方法 |
JP6307374B2 (ja) * | 2014-07-22 | 2018-04-04 | アピックヤマダ株式会社 | 成形金型、成形装置および成形品の製造方法 |
JP5975085B2 (ja) * | 2014-10-20 | 2016-08-23 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止用金型、樹脂封止装置および成形品の製造方法 |
JP6491508B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2019-03-27 | Towa株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂成形品の製造方法 |
CN106142800A (zh) * | 2015-04-20 | 2016-11-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 成膜装置及成膜方法 |
JP6193951B2 (ja) * | 2015-10-19 | 2017-09-06 | Towa株式会社 | 樹脂封止電子部品の製造方法及び樹脂封止電子部品の製造装置 |
JP6580519B2 (ja) | 2016-05-24 | 2019-09-25 | Towa株式会社 | 圧縮成形装置、樹脂封止品製造装置、圧縮成形方法、及び樹脂封止品の製造方法 |
JP6827283B2 (ja) * | 2016-08-03 | 2021-02-10 | Towa株式会社 | 成形型、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 |
JP6423399B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2018-11-14 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂成形方法、フィルム搬送装置および樹脂成形装置 |
JP6175592B1 (ja) * | 2016-11-11 | 2017-08-02 | 信越エンジニアリング株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
WO2018146755A1 (ja) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | 信越エンジニアリング株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
CN106672619A (zh) * | 2017-02-15 | 2017-05-17 | 苏州迈瑞微电子有限公司 | 塑封料转运设备及方法 |
KR102471274B1 (ko) * | 2018-02-13 | 2022-11-28 | 삼성전자주식회사 | 리플로우를 위한 스택 툴 및 이를 포함하는 리플로우 장치 |
JP7115160B2 (ja) * | 2018-09-05 | 2022-08-09 | 日立金属株式会社 | 固定部材 |
CN109942862B (zh) * | 2019-03-13 | 2020-12-18 | 浙江大学 | 一种基于油凝胶的深海耐高压柔性浮力材料及其应用、耐高压深海电子元器件及其制备方法 |
JP7134926B2 (ja) * | 2019-07-10 | 2022-09-12 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置、及び樹脂成形品の製造方法 |
CN112976666B (zh) * | 2019-12-12 | 2022-07-26 | 东莞市天贺电子科技有限公司 | 一种应用于压缩成形的模具上的动平衡缓冲机构 |
JP7444453B2 (ja) | 2020-11-25 | 2024-03-06 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
CN114005763A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-02-01 | 东莞市天贺电子科技有限公司 | 一种以压缩成形的设备上能配合模具结构 |
JP2024167782A (ja) * | 2023-05-22 | 2024-12-04 | Towa株式会社 | 搬送装置、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4618466A (en) * | 1982-10-21 | 1986-10-21 | Apsley Metals Limited | Moulding apparatus |
JP3282988B2 (ja) * | 1997-05-01 | 2002-05-20 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置 |
JP2971834B2 (ja) * | 1997-06-27 | 1999-11-08 | 松下電子工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP2995019B2 (ja) | 1997-07-08 | 1999-12-27 | 株式会社豊和化成 | 表皮付発泡成形体の成形装置および表皮付発泡成形体の成形法 |
JP3017485B2 (ja) * | 1998-01-23 | 2000-03-06 | アピックヤマダ株式会社 | 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
JP3680005B2 (ja) | 1998-07-10 | 2005-08-10 | アピックヤマダ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置 |
KR100611519B1 (ko) | 1998-07-10 | 2006-08-11 | 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조 방법 및 수지 몰딩 장치 |
SG92685A1 (en) | 1999-03-10 | 2002-11-19 | Towa Corp | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
US6306331B1 (en) * | 1999-03-24 | 2001-10-23 | International Business Machines Corporation | Ultra mold for encapsulating very thin packages |
JP3435092B2 (ja) | 1999-04-01 | 2003-08-11 | 株式会社サイネックス | 半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹脂封止方法 |
US6438826B2 (en) * | 2000-02-10 | 2002-08-27 | Towa Corporation | Electronic component, method of sealing electronic component with resin, and apparatus therefor |
JP3423912B2 (ja) | 2000-02-10 | 2003-07-07 | Towa株式会社 | 電子部品、電子部品の樹脂封止方法、及び樹脂封止装置 |
US6439869B1 (en) * | 2000-08-16 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for molding semiconductor components |
JP4268389B2 (ja) * | 2002-09-06 | 2009-05-27 | Towa株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
US7985357B2 (en) * | 2005-07-12 | 2011-07-26 | Towa Corporation | Method of resin-sealing and molding an optical device |
-
2004
- 2004-02-13 JP JP2004037179A patent/JP4373237B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-12-22 DE DE112004002705T patent/DE112004002705T5/de not_active Withdrawn
- 2004-12-22 US US10/562,356 patent/US7618573B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-22 CN CNB2004800222317A patent/CN100469550C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-12-22 WO PCT/JP2004/019164 patent/WO2005077633A1/ja active Application Filing
- 2004-12-22 KR KR1020077017118A patent/KR20070087218A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-12-22 KR KR1020067000842A patent/KR100844668B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 TW TW093140765A patent/TWI250593B/zh active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200026036A (ko) * | 2018-08-31 | 2020-03-10 | 토와 가부시기가이샤 | 수지 성형 장치, 이형 필름의 박리 방법 및 수지 성형품의 제조 방법 |
KR102205385B1 (ko) * | 2018-08-31 | 2021-01-19 | 토와 가부시기가이샤 | 수지 성형 장치, 이형 필름의 박리 방법 및 수지 성형품의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112004002705T5 (de) | 2007-09-13 |
TWI250593B (en) | 2006-03-01 |
US20060186576A1 (en) | 2006-08-24 |
KR20060052812A (ko) | 2006-05-19 |
CN1832839A (zh) | 2006-09-13 |
JP2005225133A (ja) | 2005-08-25 |
US7618573B2 (en) | 2009-11-17 |
WO2005077633A1 (ja) | 2005-08-25 |
TW200527555A (en) | 2005-08-16 |
CN100469550C (zh) | 2009-03-18 |
KR100844668B1 (ko) | 2008-07-07 |
KR20070087218A (ko) | 2007-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4373237B2 (ja) | 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型 | |
JP4836661B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び樹脂封止成形用金型 | |
JP4268389B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
KR101192547B1 (ko) | 수지 밀봉 성형 장치 | |
JP2007307766A5 (ja) | ||
JP2005305954A5 (ja) | ||
TWI667119B (zh) | Resin sealing method and resin sealing device | |
KR20160113973A (ko) | 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법 | |
JP2007109831A5 (ja) | ||
JP2007109831A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
JP5682033B2 (ja) | 樹脂封止装置 | |
WO2017081882A1 (ja) | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 | |
JP2020026088A (ja) | ワーク搬送装置、樹脂搬送装置及び樹脂モールド装置 | |
JP6307374B2 (ja) | 成形金型、成形装置および成形品の製造方法 | |
JP2001223229A (ja) | 樹脂モールド方法、モールド成形用金型及び配線基材 | |
JP2007237740A (ja) | 光電子部品および光電子部品の製造方法 | |
JP2010214595A (ja) | 樹脂封止装置 | |
JP7029342B2 (ja) | モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 | |
JP2005225067A (ja) | 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置 | |
JP5027451B2 (ja) | 半導体チップの樹脂封止成形方法 | |
JP2001168121A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
TWI862998B (zh) | 樹脂成形用成形模具、樹脂成形裝置以及樹脂成形品的製造方法 | |
JP2005236133A (ja) | 樹脂封止成形方法 | |
KR20240064011A (ko) | 수지 봉지 장치, 수지 봉지 방법 및 수지 성형 방법 | |
TW202438280A (zh) | 用於壓縮成形的密封樹脂以及其形成方法及形成裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090818 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090903 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4373237 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130911 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |