[go: up one dir, main page]

JP3435092B2 - 半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹脂封止方法 - Google Patents

半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹脂封止方法

Info

Publication number
JP3435092B2
JP3435092B2 JP9513999A JP9513999A JP3435092B2 JP 3435092 B2 JP3435092 B2 JP 3435092B2 JP 9513999 A JP9513999 A JP 9513999A JP 9513999 A JP9513999 A JP 9513999A JP 3435092 B2 JP3435092 B2 JP 3435092B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
resin
die
thin plate
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP9513999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000280298A (ja
Inventor
俊一 小野
Original Assignee
株式会社サイネックス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社サイネックス filed Critical 株式会社サイネックス
Priority to JP9513999A priority Critical patent/JP3435092B2/ja
Publication of JP2000280298A publication Critical patent/JP2000280298A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3435092B2 publication Critical patent/JP3435092B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を合成
樹脂で封止する半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素
子の樹脂封止方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、従来の半導体素子用樹脂封止金
型は、例えば図3(A)に示すように、金型1のキャビ
ティ17内に配置された半導体素子10が下金型2内の
インタポーザ4の上に載っており、ここに溶融した樹脂
を射出させる。図3(B)に示すように、溶融した樹脂
が硬化すると、半導体パッケージのモールド部分3が形
成される。
【0003】このモールド部3は、その特性上金型に密
着する性質を有するため、金型1からモールド3部を外
す離型機構を特別に設ける必要である。従来、離型機構
として、図3及び特開平7−214600号等に示すよ
うに上金型1に設けた複数のイジェクトピン5による方
式と図4及び特開平9−117931号等に示す離型用
フィルム6による方式が用いられてきた。図3を参照し
てイジェクトピン5による離型方式を説明する。まず、
キャビティ17の形成された上金型1に複数のイジェク
トピン5を配設する。イジェクトピン5は、図3(A)
(B)に示すように、樹脂の射出成形時には、キャビテ
ィ17から後退しており、樹脂硬化後に図3(C)に示
す様に金型内で成形されたモールド3部を、複数のイジ
ェクトピン5で下向きに押さえながら上金型1を矢印A
方向に上昇させると、モールド3部が上金型1から外
れ、離型が完了する(図3(D)参照)。
【0004】次に、図4を参照して離型用フィルム6を
使用した半導体素子の樹脂封止方法を説明する。キャビ
ティ17の形成された上金型1には、真空吸着穴9が形
成され図外の吸着装置に接続されている。また、金型の
一端には、フィルム供給リール7が、他端にはフィルム
巻取りリール8が配設されている。フィルム供給リール
7により供給された離型用フィルム6は、上金型1に設
けられている真空吸着穴9により上金型1のキャビティ
17に沿って吸い付けられ固定される(図3(A)参
照)。この状態で金型1,2を閉じた後、キャビティ1
7内に溶融樹脂を充填させる(図3B)。この方式で
は、離型用フィルム6が成形されたモールド3部と上金
型1の間に入り、モールド3部が上金型1に直接接触す
るのを防止する。離型用フィルム6は、その特性上、モ
ールド3部と密着しないため、金型が開く時にモールド
3部は離型用フィルム6から外れ、離型が完了する(図
3(C)参照)。一度使用された離型用フィルム6は、
フィルム巻取りリール8により巻き取られ、フィルム供
給リール7から順次新しい離型用フィルム6が供給され
る。また、下金型2と半導体素子10とは、インタポー
ザ4を介して配置されているので、密着する事はない。
また、特開平3−193427号に示すようにエアーの
みによって金型から離型する方式のものが提案されてい
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、上述のよ
うな従来の半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の
樹脂封止方法では、それぞれ以下の問題点を有してい
る。例えば、イジェクトピン5により離型する方式で
は、複数のイジェクトピン5を金型1内に内蔵するた
め、金型の構造が複雑になると云う欠点が存在する。ま
た、モールド3とイジェクトピン5の接触部分で応力が
集中するため、イジェクトピン付近にある半導体素子1
0にクラックが発生する場合があった。更に、複数の半
導体素子を一度に樹脂封止した後に、個々のチップに切
断する方式にあっては、モールド3にイジェクトピン5
が当接してピン痕が発生したチップとイジェクトピンが
当たらない部分のチップとの外形が異なり製造工程上で
問題となる。また、モールド3の表面にイジェクトピン
5の痕が残ると、ピン痕のない捺印可能な領域が少なく
なる問題があった。
【0006】一方、離型用フィルム6を使用する方式で
は、離型用フィルム6をその都度消費する為に、ランニ
ングコストが高くなる欠点が存在した。また、離型用フ
ィルム6にしわが発生し、このしわによりモールド3の
表面に外観不良が発生する。更に、離型用フィルム6を
供給、巻き取りする機構が必要となるため、装置が複雑
になると云う欠点が存在した。また、離型用フィルム6
を真空吸着で上金型1に貼り付けているため、金型内の
エアー圧力を制御する脱気成形等の封入方式を採用でき
なかった。
【0007】また、モールド部が薄く大型の場合、エア
ーのみによって金型から離型しようとすると、モールド
が変形しながら離型するため、封止した半導体素子にク
ラックが発生する欠点が存在した。更に、エアーの導入
口としてイジェクトピンが必要であり、エアーのみでは
効果的な離型が困難であった。
【0008】本発明の目的は、上記した従来技術の欠点
を改良し、複数のイジェクトピンを金型内に必要とする
事なく、また、イジェクトピンの痕やフィルムのしわが
残らない半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹
脂封止方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る半導体素子用樹脂封
止金型の第1の態様としては、金型内部に溶融樹脂を導
入して、前記金型内部に載置した半導体素子を樹脂封止
する半導体素子用樹脂封止金型において、前記金型内部
に圧縮エアーを導入する第2のエアー導入口を備えた上
金型と、前記第2のエアー導入口からの圧縮エアーを前
記金型内部に吐出せしめる前記上金型に設けた吐出口
と、前記金型内部に圧縮エアーを導入する第1のエアー
導入口を備え、前記上金型の下側に設けられた下金型
と、前記第1のエアー導入口からの圧縮エアーを前記金
型内部に吐出せしめる前記下金型に設けた吐出口と、前
記上金型と下金型との間に配設され、キャビティを有す
る中間型と、前記下金型の吐出口からの圧縮エアーを金
型内部に導く為に、前記中間型に設けた通路と、前記
からの圧縮エアーを前記金型内部に導入する前記中間
型に設けた隙間と、前記上金型と前記中間型との間に配
設された薄板と、前記第2のエアー導入口から導入され
た圧縮エアーを前記上金型と前記薄板で挟まれた領域に
閉じこめる為に、前記上金型と前記薄板との間に設けた
第1のシール部材と、前記第1のエアー導入口から導入
された圧縮エアーを前記中間型と前記薄板で挟まれた領
域に閉じこめる為に、前記中間型と前記薄板との間に設
けた第2のシール部材と、前記上金型と前記中間型との
間に配設され、前記上金型と前記中間型とを互いに離隔
する方向に付勢する付勢手段とを備えたことを特徴とす
るものであり、叉、第2態様は、前記付勢手段は、バネ
部材であることを特徴とするものであり、叉、第3態様
は、前記薄板は、弾性変形することを特徴とするもので
あり、叉、第4態様は、前記上金型にイジェクトピンを
設けたことを特徴とするものである。また、本発明に係
る半導体素子の樹脂封止方法の第1の態様としては、金
型内部に溶融樹脂を導入して、前記金型内部に載置した
半導体素子を樹脂封止する半導体素子の樹脂封止方法で
あって、前記金型内部に圧縮エアーを導入する第2のエ
アー導入口を備えた上金型と、前記第2のエアー導入口
からの圧縮エアーを前記金型内部に吐出せしめる前記上
金型に設けた吐出口と、前記金型内部に圧縮エアーを導
入する第1のエアー導入口を備え、前記上金型の下側に
設けられた下金型と、前記第1のエアー導入口からの圧
縮エアーを前記金型内部に吐出せしめる前記下金型に設
けた吐出口と、前記上金型と下金型との間に配設され、
キャビティを有する中間型と、前記下金型の吐出口から
の圧縮エアーを金型内部に導く為に、前記中間型に設け
通路と、前記通路からの圧縮エアーを前記金型内部に
導入する前記中間型に設けた隙間と、前記上金型と前記
中間型との間に配設された薄板と、前記第2のエアー導
入口から導入された圧縮エアーを前記上金型と前記薄板
で挟まれた領域に閉じこめる為に、前記上金型と前記薄
板との間に設けた第1のシール部材と、前記第1のエア
ー導入口から導入された圧縮エアーを前記中間型と前記
薄板で挟まれた領域に閉じこめる為に、前記中間型と前
記薄板との間に設けた第2のシール部材と、前記上金型
と前記中間型との間に配設され、前記上金型と前記中間
型とを互いに離隔する方向に付勢するバネ部材とを備え
た半導体素子の樹脂封止方法において、前記キャビティ
内のインタポーザの上に載置された半導体素子の周囲に
溶融樹脂を射出する射出工程と、前記溶融樹脂の硬化後
に上金型を僅かに上昇させ、前記薄板と上金型との間に
隙間を作る工程と、前記下金型の第1のエアー導入口
ら圧縮エアーを導入し、前記第1のエアー導入口と連通
した前記中間型の隙間から噴出する圧縮エアーにより前
記薄板と樹脂とを順次引き剥がす第1の剥離工程と、前
記上金型に形成された第2のエアー導入口から圧縮エア
ーを供給し、前記薄板を湾曲させて前記中間型から樹脂
を剥離せしめる第2の剥離工程とからなることを特徴と
するものであり、叉、第2態様は、前記薄板と上金型と
の間に隙間を作る工程は、前記バネ部材によって行われ
ることを特徴とするものであり、叉、第3態様は、前記
中間型から樹脂を剥離する第2の剥離工程では、エアー
圧をパルス状に複数回連続して付加することによって行
われるものであることを特徴とするものであり、叉、第
4態様は、離型機構を備えた上金型及び下金型と、上下
金型の間に配設され、キャビティを有する中間型と、上
金型と中間型の間に配設された薄板を備えた金型を使用
する半導体素子の樹脂封止方法であって、キャビティ内
でインタポーザの上に載った半導体素子の周囲に溶融樹
脂を射出する射出工程と、樹脂の硬化後に上金型を僅か
に上昇させ、薄板と上金型との間に隙間を作る工程と、
下金型の第1エアー導入口から圧縮エアーを導入し、該
第1エアー導入口と連通した中間型の隙間から噴出する
圧縮エアーによって前記薄板と樹脂とを順次引き剥がす
第1の剥離工程と、上金型に配設されたイジェクトピン
を突出する事により、薄板を湾曲させて中間型から樹脂
を剥離する第2の剥離工程とから成ることを特徴とする
ものである。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の半導体素子用樹脂封止金
型は、上記した様な従来技術における問題点を解決する
為に、圧縮エアーの吐出口を備えた上金型と、圧縮エア
ーの吐出口を備えた下金型と、上下金型の間に配設さ
れ、キャビティを有する中間型と、上金型と中間型の間
にシール部材を介して配設された薄板と、上金型と中間
型との間に配設され両者を離隔する方向に付勢する付勢
手段とを備えたので、モールド部分にイジェクトピン痕
やクラックを発生させる事なく金型から離型する事が出
来る。
【0011】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体素子用樹脂封止
金型の具体的構成を図面を用いながら説明する。図1
(A)〜(D)は、本発明の一実施例である半導体素子
用樹脂封止金型による半導体装置の製造順序を示す説明
図である。ここで半導体素子用樹脂封止金型は、圧縮エ
アーを供給する第2エア導入口14と吐出口18を備え
た上金型1と、圧縮エアーを供給する第1エア導入口1
2と吐出口19を備えた下金型2と、上下金型の間に配
設されキャビティ17と、隙間20を有する中間型2
1と、上金型1と中間型21の間にシール部材22a〜
dを介して配設された薄板16と、上金型1と中間型2
との間に配設され両者を離隔する方向に付勢するバネ部
材15とを備えている。
【0012】上金型1に形成された吐出口18は、或る
程度広い面積で薄板16に面している。また、バネ15
は、上金型1の両端に形成された凹部1b内に配設さ
れ、上金型1と下金型2を離隔する方向に付勢してい
る。
【0013】薄板16は、中間型21と共にキャビティ
17を形成し、モールド3の上面と接触する。バネ15
は、上金型1が上昇した時に中間型21を押し下げ、上
金型1との間に薄板16が動く隙間を作る。下金型2に
形成された第1エア導入口12は、吐出口19を通じて
中間型21の通路21aに連通し、薄板16の下側の隙
間20につながっている。そして、金型外部からこの隙
間へ高圧エアーを供給する事ができる。
【0014】第2エア導入口14は、薄板16の上側の
吐出口18につながっていて、金型外部からこの吐出口
18へ高圧エアーを供給する。シール部材11a〜11
は、薄板16上下の隙間のエアー圧13が低下するの
を防止する。
【0015】次に、図1,2を参照して、本発明の半導
体素子用樹脂封止金型を使用した樹脂封止方法について
説明する。上金型1、下金型2及び中間型21は、夫々
閉じられており、内部に形成されたキャビティ17に
は、半導体素子がインタポーザ4の上に載っている。図
1(A)は、半導体素子の周囲に溶融樹脂を射出し、硬
化したモールド3取り出す手順を示す。先ず、第1エア
導入口12から圧縮エアーを供給し、薄板16の一部に
エアー圧13を加えながら、図1(B)に示す様に、上
金型1を僅かに上昇させる。
【0016】上金型1を上昇させると、バネ15の付勢
力により薄板16と上金型1の間に隙間ができる。この
際、シール部材22a〜22dにより薄板16と上金型
1及び中間型21との密封性が保持されている。この状
態で、第1エア導入口12より圧縮エアーを注入する
と、図1(C)に示すように隙間20の在る図中右側よ
り、除々に薄板16が上向きの力を受け弾性変形する。
薄板16の弾性変形により生じた隙間に高圧エアが回り
込み、エアー圧13によってモールド3から剥離する。
図1(D)で薄板16は、完全にモールド3の上面から
剥離する。
【0017】次に、図2(F)に示すように上金型1の
第2エア導入口14から圧縮エアーを供給する。する
と、エアー圧13により薄板16は、下向きの力を受け
弾性変形する。弾性変形した薄板16は、モールド3の
上面を下向きに押圧する。
【0018】この状態で、上金型1を僅かに上昇させる
と、薄板16が弾性変形しながらモールド3とインタポ
ーザ4を中間型21の開口部から下へ押し付けるため、
モールド3側面が中間型21から外れ離型が完了する。
この時、エアー圧13をパルス状に付加すると、より効
果的に離型することができる。
【0019】尚、上金型1に剥離機構として、イジェク
トピンを配設した場合、上金型1を上昇させ、第1エア
導入口12より圧縮エアーを注入し、薄板16の弾性変
形によりモールド3から剥離した後、上金型1のイジェ
クトピンを突出する事により薄板16を第1の剥離工程
と逆方向に湾曲させる。薄板16を第1の剥離工程と逆
方向に湾曲する事により、モールド3の側面が中間型2
1から外れ離型が完了する。
【0020】次に、本発明の半導体素子の樹脂封止方法
について説明する。先ず、圧縮エアーの吐出口を備えた
上金型1及び下金型2と、上下金型の間に配設され、キ
ャビティを有する中間型21と、上金型1と中間型2の
間にシール部材22を介して配設された薄板16を備え
た金型を使用する半導体素子用樹脂封止方法であって、
射出工程において、キャビティ17内でインタポーザ4
の上に載った半導体素子の周囲に溶融した樹脂を射出す
る。
【0021】次に隙間を作る工程において、樹脂の硬化
後に上金型1を僅かに上昇させ、薄板16と上金型1と
の間に隙間を作る(図1(B)参照)。また、第1の剥
離工程で下金型2の第1エア導入口12から圧縮エアー
を導入し、該第1エア導入口12と連通した中間型21
の隙間20から噴出する圧縮エアーによって薄板16と
モールド3とを順次引き剥がす。特に、大きな半導体素
子については、片側より捲るように剥離するので、効果
的に剥離する事が出来る。
【0022】第2の剥離工程では、上金型1に形成され
た第2エア導入口14から圧縮エアーを供給し、薄板1
6を湾曲させて中間型21のキャビティ17部分からモ
ールド3を剥離する。この様に本発明の半導体素子の樹
脂封止方法のよれば、イジェクトピンを必要としないの
で、半導体素子を封止した樹脂にピン痕やピンの当たる
衝撃による亀裂等が生じる虞がない。
【0023】次に、上金型の離型機構としてイジェクト
ピンを備え、下金型に圧縮エアーによる離型機構と、上
下金型の間に配設され、キャビティを有する中間型と、
上金型と中間型の間に配設された薄板を備えた金型を使
用する半導体素子用樹脂封止方法について説明する。
【0024】先ず、射出工程によってキャビティ17内
でインタポーザ4の上に載った半導体素子の周囲に溶融
した樹脂を射出する。
【0025】次に隙間を作る工程において、樹脂の硬化
後に上金型1を僅かに上昇させ、薄板16と上金型1と
の間に隙間を作る。また、第1の剥離工程で下金型2の
第1エア導入口12から圧縮エアーを導入し、該第1エ
ア導入口12と連通した中間型21の隙間20から噴出
する圧縮エアーによって薄板16とモールド3とを順次
引き剥がす。特に、大きな半導体素子については、片側
より捲るように剥離するので、効果的に剥離する事が出
来る。
【0026】第2の剥離工程では、上金型1に配設した
イジェクトピンを突出させ、薄板16を第1の剥離工程
と逆方向に湾曲させて中間型21のキャビティ17部分
からモールド3を剥離する。この様に本発明の半導体素
子の樹脂封止方法では、イジェクトピンが薄板16介し
てモールドに当たるので、半導体素子を封止した樹脂に
ピン痕が生じる事がない。
【0027】尚、本発明は以上の実施例に限ることなく
本発明の技術思想に基づいて種々の設計変更が可能であ
る。
【0028】
【発明の効果】以上詳細に示したように、本発明によれ
ば、第1の効果は、吐出エアーの圧力と弾性体である薄
板の変形によりモールドを金型から外すため、複数のイ
ジェクトピンを金型に内臓する必要がなく、金型の構造
を簡単にする事が出来る。また、モールド内部の半導体
素子に近い部位にイジェクトピンを設ける必要が無いた
め、モールド内部の半導体素子にクラックが発生しな
い。更に、モールドの表面にイジェクトピンの痕が残ら
ないため、捺印エリアを拡大する事が出来る。
【0029】また、離型用フィルムを使用しないため、
ランニングコストの低減及び、装置の製造コストの低減
が図れる。更に、金型内のエアー圧力を制御する脱気成
形等の封入方式を採用する事が出来る。また、離型用フ
ィルムを使用しない為に、フィルムのしわによるモール
ドの表面の外観不良も発生しない。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)〜(D)は、本発明の一実施例であ
る半導体素子用樹脂封止金型による半導体装置の製造順
序を示す説明図である。
【図2】図2(E)〜(H)は、図1に示す半導体装置
の製造順序の続きを示す説明図である。
【図3】図3(A)〜(D)は、従来の半導体素子用樹
脂封止金型による半導体装置の製造順序を示す説明図で
ある。
【図4】図4(A)〜(C)は、従来の離型フィルムを
使用した半導体素子用樹脂封止金型による半導体装置の
製造順序を示す説明図である。
【符号の説明】
1 上金型 2 下金型 3 モールド 4 インタポーザ 5 イジェクトピン 6 離型用フィルム 7 フィルム供給リール 8 フィルム巻取りリール 9 真空吸着穴 10 半導体素子 11 シール 12 第1エア導入口 13 エアー圧 14 第2エア導入口 15 バネ 16 薄板 17 キャビティ 18,19 吐出口 20 隙間 21 中間型 21a 通路 22a〜d シール部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI B29L 31:34 B29L 31:34 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B29C 45/00 - 45/84 H01L 21/56

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金型内部に溶融樹脂を導入して、前記金
    型内部に載置した半導体素子を樹脂封止する半導体素子
    用樹脂封止金型において、 前記金型内部に圧縮エアーを導入する第2のエアー導入
    を備えた上金型と、前記第2のエアー導入口からの圧
    縮エアーを前記金型内部に吐出せしめる前記上金型に設
    けた吐出口と、前記金型内部に圧縮エアーを導入する
    1のエアー導入口を備え、前記上金型の下側に設けられ
    た下金型と、前記第1のエアー導入口からの圧縮エアー
    を前記金型内部に吐出せしめる前記下金型に設けた吐出
    口と、前記上金型と下金型との間に配設され、キャビテ
    ィを有する中間型と、前記下金型の吐出口からの圧縮エ
    アーを金型内部に導く為に、前記中間型に設けた通路
    と、前記通路からの圧縮エアーを前記金型内部に導入す
    る前記中間型に設けた隙間と、前記上金型と前記中間型
    との間に配設された薄板と、前記第2のエアー導入口
    ら導入された圧縮エアーを前記上金型と前記薄板で挟ま
    れた領域に閉じこめる為に、前記上金型と前記薄板との
    間に設けた第1のシール部材と、前記第1のエアー導入
    から導入された圧縮エアーを前記中間型と前記薄板で
    挟まれた領域に閉じこめる為に、前記中間型と前記薄板
    との間に設けた第2のシール部材と、前記上金型と前記
    中間型との間に配設され、前記上金型と前記中間型とを
    互いに離隔する方向に付勢する付勢手段とを備えたこと
    を特徴とする半導体素子用樹脂封止金型。
  2. 【請求項2】 前記付勢手段は、バネ部材であることを
    特徴とする請求項1記載の半導体素子用樹脂封止金型。
  3. 【請求項3】 前記薄板は、弾性変形することを特徴と
    する請求項1記載の半導体素子用樹脂封止金型。
  4. 【請求項4】 前記上金型にイジェクトピンを設けたこ
    とを特徴とする請求項1記載の半導体素子用樹脂封止金
    型。
  5. 【請求項5】 金型内部に溶融樹脂を導入して、前記金
    型内部に載置した半導体素子を樹脂封止する半導体素子
    の樹脂封止方法であって、 前記金型内部に圧縮エアーを導入する第2のエアー導入
    を備えた上金型と、前記第2のエアー導入口からの圧
    縮エアーを前記金型内部に吐出せしめる前記上金型に設
    けた吐出口と、前記金型内部に圧縮エアーを導入する
    1のエアー導入口を備え、前記上金型の下側に設けられ
    た下金型と、前記第1のエアー導入口からの圧縮エアー
    を前記金型内部に吐出せしめる前記下金型に設けた吐出
    口と、前記上金型と下金型との間に配設され、キャビテ
    ィを有する中間型と、前記下金型の吐出口からの圧縮エ
    アーを金型内部に導く為に、前記中間型に設けた通路
    と、前記通路からの圧縮エアーを前記金型内部に導入す
    る前記中間型に設けた隙間と、前記上金型と前記中間型
    との間に配設された薄板と、前記第2のエアー導入口
    ら導入された圧縮エアーを前記上金型と前記薄板で挟ま
    れた領域に閉じこめる為に、前記上金型と前記薄板との
    間に設けた第1のシール部材と、前記第1のエアー導入
    から導入された圧縮エアーを前記中間型と前記薄板で
    挟まれた領域に閉じこめる為に、前記中間型と前記薄板
    との間に設けた第2のシール部材と、前記上金型と前記
    中間型との間に配設され、前記上金型と前記中間型とを
    互いに離隔する方向に付勢するバネ部材とを備えた半導
    体素子の樹脂封止方法において、 前記キャビティ内のインタポーザの上に載置された半導
    体素子の周囲に溶融樹脂を射出する射出工程と、 前記溶融樹脂の硬化後に上金型を僅かに上昇させ、前記
    薄板と上金型との間に隙間を作る工程と、 前記下金型の第1のエアー導入口から圧縮エアーを導入
    し、前記第1のエアー導入口と連通した前記中間型の
    から噴出する圧縮エアーにより前記薄板と樹脂とを順
    次引き剥がす第1の剥離工程と、 前記上金型に形成された第2のエアー導入口から圧縮エ
    アーを供給し、前記薄板を湾曲させて前記中間型から樹
    脂を剥離せしめる第2の剥離工程とからなることを特徴
    とする半導体素子の樹脂封止方法。
  6. 【請求項6】 前記薄板と上金型との間に隙間を作る工
    程は、前記バネ部材によって行われることを特徴とする
    請求項5記載の半導体素子の樹脂封止方法。
  7. 【請求項7】 前記中間型から樹脂を剥離する第2の剥
    離工程では、エアー圧をパルス状に複数回連続して付加
    することによって行われるものであることを特徴とする
    請求項5記載の半導体素子の樹脂封止方法。
  8. 【請求項8】 離型機構を備えた上金型及び下金型と、
    上下金型の間に配設され、キャビティを有する中間型
    と、上金型と中間型の間に配設された薄板を備えた金型
    を使用する半導体素子の樹脂封止方法であって、キャビ
    ティ内でインタポーザの上に載った半導体素子の周囲に
    溶融樹脂を射出する射出工程と、樹脂の硬化後に上金型
    を僅かに上昇させ、薄板と上金型との間に隙間を作る工
    程と、下金型の第1エアー導入口から圧縮エアーを導入
    し、該第1エアー導入口と連通した中間型の隙間から噴
    出する圧縮エアーによって前記薄板と樹脂とを順次引き
    剥がす第1の剥離工程と、上金型に配設されたイジェク
    トピンを突出する事により、薄板を湾曲させて中間型か
    ら樹脂を剥離する第2の剥離工程とから成ることを特徴
    とする半導体素子の樹脂封止方法。
JP9513999A 1999-04-01 1999-04-01 半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹脂封止方法 Expired - Fee Related JP3435092B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9513999A JP3435092B2 (ja) 1999-04-01 1999-04-01 半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹脂封止方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9513999A JP3435092B2 (ja) 1999-04-01 1999-04-01 半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹脂封止方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000280298A JP2000280298A (ja) 2000-10-10
JP3435092B2 true JP3435092B2 (ja) 2003-08-11

Family

ID=14129486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9513999A Expired - Fee Related JP3435092B2 (ja) 1999-04-01 1999-04-01 半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹脂封止方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3435092B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002347088A (ja) * 2001-05-22 2002-12-04 Yoshida Industry Co Ltd アイオノマー樹脂を用いた金属部品インサート成形品
JP4731058B2 (ja) * 2001-07-03 2011-07-20 Towa株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP4373237B2 (ja) 2004-02-13 2009-11-25 Towa株式会社 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型
NL1026670C2 (nl) 2004-07-16 2006-01-17 Fico Bv Werkwijze en inrichting voor het met een conditioneringsgas omhullen van elektronische componenten.
JP5307521B2 (ja) * 2008-11-25 2013-10-02 株式会社脇坂エンジニアリング 樹脂シートの熱成形装置
JP5234971B2 (ja) * 2009-02-04 2013-07-10 住友重機械工業株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP6019471B2 (ja) * 2012-10-25 2016-11-02 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
JP5953602B2 (ja) * 2012-07-11 2016-07-20 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
TWI565105B (zh) * 2012-07-09 2017-01-01 山田尖端科技股份有限公司 樹脂模塑裝置以及樹脂模塑方法
JP6416996B1 (ja) * 2017-07-24 2018-10-31 アサヒ・エンジニアリング株式会社 樹脂封止装置用の封止型

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000280298A (ja) 2000-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103545224B (zh) 树脂模塑装置和树脂模塑方法
JP3435092B2 (ja) 半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹脂封止方法
EP0730937A1 (en) A resin molding machine with release film
KR100392264B1 (ko) 반도체집적회로장치의제조방법
JP3450223B2 (ja) 半導体装置封入用金型、及び、半導体装置封入方法
JP2004230707A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JPH09117931A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP2009152507A (ja) 樹脂封止金型および半導体パッケージの樹脂封止成形方法
WO2008041431A1 (fr) Procédé de moulage d'un joint en résine, et appareil de moulage d'un joint en resine pour utilisation dans le procédé
KR0158784B1 (ko) 반도체 장치의 수지 봉합 방법과 장치
JP2003145594A (ja) エジェクト機構及びエジェクト方法
JPH0948041A (ja) 樹脂モールド装置
JP3005552B1 (ja) ワークの樹脂封止方法
JP2778332B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH08294919A (ja) モールド方法およびモールド装置
JP3195840B2 (ja) 樹脂モールド装置及びその制御方法
JP3844195B2 (ja) ウェハーの樹脂封止装置
JP4104711B2 (ja) カード基材の成形用金型及びicカード製造方法
JPH06344389A (ja) モールド金型
JPH0574827A (ja) 半導体装置の製造装置
JPH09262876A (ja) 成型方法及び半導体集積回路装置用パッケージの成型方法並びに成型装置
JPH08108455A (ja) 半導体樹脂封止用金型
JPH05237864A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに用いる治具
JPH058253A (ja) 電子部品の樹脂封止成形装置
JPH0994834A (ja) 樹脂成形装置およびそれを用いて製造した半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 5

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080530

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080530

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 6

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090530

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees