JP5975085B2 - 樹脂封止用金型、樹脂封止装置および成形品の製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、DIP((Dual Inline Package)やQFP(Quad Flat Package)、PLCC(Plastic leaded chip carrier)などのリードフレームに半導体素子を搭載した半導体装置、BGA(Ball grid array)やLGA(Land grid array)などのサブストレート等の樹脂製基板に半導体素子を搭載した半導体装置は、半導体素子全体を封止用樹脂により封止される。
半導体素子は、封止用樹脂により電子部品全体を封止して覆われるが、発熱が大きい半導体素子は、半導体素子の一部を、または半導体素子に設けられたヒートシンクを、封止用樹脂から露出するように封止して、熱を放熱させることが採用されている。
このような電子部品の封止に関する技術として、特許文献1に記載にされたものが知られている。
このようなことから、電子部品を覆う実装体は、簡素な構造で、かつ様々な電子部品に対応できるのが望ましい。
また、第1の金型の第1凹凸部と、第2の金型の第2凹凸部とは、型締めする際の位置決めとしてそれぞれの金型に形成されている。そこで、実装体を第1の金型に搬送する実装体搬送装置に、第1凹凸部と嵌合する第3凹凸部を形成することで、第1の金型に対する実装体搬送装置の位置決めのための凹凸部を、第1の金型に新たに設け無くてもよい。
前記電子部品に封止用樹脂を介して実装される実装体を、実装体用搬送装置により前記第1の金型に搬送し、前記第1の金型に形成された第1凹凸部と前記実装体用搬送装置に形成された第3凹凸部とを嵌合する工程と、前記第1の金型に形成された吸引用孔からの吸引により、前記実装体を前記第1の金型に吸着させて、前記実装体と前記電子部品との間に、前記封止用樹脂が注入される空間を形成するために、前記実装体を前記基体に対して非接触状態で配置する工程と、前記電子部品が配置された前記第1の金型に形成された第1凹凸部と前記第2の金型に形成された第2凹凸部とを嵌合して型締めして、前記キャビティに封止用樹脂を注入する工程と、前記第1の金型と前記第2の金型とを型開きして、前記電子部品を樹脂封止した成形品を離型する工程とを含むことを特徴とする。
図1に示す樹脂封止装置1000は、図2に示すように、プリント配線基板110(基体)に搭載された半導体素子120(電子部品)と、プリント配線基板110と半導体素子120との間に配線されたワイヤ121と、この半導体素子120からの熱を放熱するヒートシンク130(実装体)とを、封止用樹脂140により、ヒートシンク130の放熱面を露出した状態で、一括して封止して、半導体装置150(成形品)を作製するものである。
基板供給部1011は、樹脂封止前の半導体素子120が搭載されたプリント配線基板110(以下、半導体素子120が搭載されたプリント配線基板110を、単にプリント配線基板110と称することがある。)を、基板整列部1012に供給する。基板整列部1012は、基板供給部1011から供給されたプリント配線基板110を整列させる。タブレット供給部1013は、後述するインローダーキャリア1023の基板搬送部1022に載置されている樹脂収納部内に封止用樹脂のタブレットを供給する。ヒートシンク分配部1014は、縦列および横列に配置されたヒートシンク130を、樹脂封止用金型40の配置に合わせて2列に並べる。
ヒートシンク搬送部1021は、ヒートシンク分配部1014に2列に並べられたヒートシンク130を受け取り、プレス部1024の金型部1025に搬送する。基板搬送部1022は、基板整列部1012に2列に並べられたプリント配線基板110を受け取り、プレス部1024の金型部1025に搬送する。プレス部1024は、上型および下型から成る樹脂封止用金型40を型締して、半導体素子を封止する。
製品搬送部1031は、半導体素子120が封止された成形品を引き取り、ディゲーター部1033まで搬送する。ディゲーター部1033は、半導体素子120を封止した成形品から不要な樹脂部分(例えば、カル部およびランナー部等の樹脂部分)を除去する。製品収納部1034は、図示していない製品搬送部でディゲーター部1033からの成形品を搬送して収納する。
図4に示すように、ヒートシンク搬送部1021は、装置本体1021aと、ヒートシンク130が載置されるステージ1021bとを備えている。また、ヒートシンク搬送部1021には、上型セットブロック240の嵌合凹部241に嵌合する嵌合凸部1021c(第3凹凸部)が形成されている。ヒートシンク搬送部1021は、図示しない昇降装置により、全体が上昇または下降、および水平移動すると共に、ステージ1021bが上昇または下降する。
吸着ブロック210と上型キャビティブロック220は一体に組み合わされ、下型30と型締めされることによりキャビティCVとなる凹部211が形成されている。
また、吸着ブロック210には、凹部211から反対側まで吸引用孔212が形成されている。この吸引用孔212は、図示しない排気装置に通じる配管が接続される。吸引用孔212は、ヒートシンク130と中心を合わせた円形状に複数配置されている。
凹部211には、凸部213が形成されている。この凸部213は、ヒートシンク130の外周部と対応する位置に、ヒートシンク130の輪郭形状に形成されている。凸部213は、実装体であるヒートシンク130の外周部に接触して、ヒートシンク130の吸着位置を規制する規制部として機能するものである。
上型セットブロック240は、上型チェスブロック230の下型30との嵌合面側に設けられている。上型セットブロック240には、下型30およびヒートシンク搬送部1021とのそれぞれに嵌る嵌合凹部241(第1凹凸部)が形成されている。
なお、樹脂封止装置1000の動作および使用状態を説明するにあたり、既にヒートシンク搬送部1021には、ヒートシンク分配部1014により並べられたヒートシンク130が、受け取られているものとする。また、プリント配線基板110を樹脂封止用金型40に配置するときには、基板整列部1012から基板搬送部1022に、プリント配線基板110が引き取られているものとする。
図5に示すように、昇降装置(図示せず)がヒートシンク搬送部1021を上昇させることで、ヒートシンク搬送部1021の嵌合凸部1021cが、下型チェスブロック320の嵌合凸部321と嵌合させるための上型セットブロック240の嵌合凹部241に嵌合する。
また、上型20と下型30との型締めの際の位置合わせで使用される上型セットブロック240の嵌合凹部241に嵌合する嵌合凸部1021cが、ヒートシンク搬送部1021に形成されているため、ヒートシンク搬送部1021の上型20に対する位置合わせのために、新たに嵌合凹部を上型20に設ける必要がない。
ステージ1021bが上昇して、ヒートシンク130が吸着ブロック210に接触した状態で、図示しない排気装置が作動して、吸引用孔212から脱気されることで、ヒートシンク130が吸着ブロック210に吸着される。
そうすることで、ステージ1021bが上昇したときに、ヒートシンク130の位置が、封止される位置から少しずれていても、ヒートシンク130が、凸部213に囲まれた範囲に位置を修正しながら吸着される。このように、凸部213がヒートシンク130の外周部に接触することで、ヒートシンク130の吸着位置が規制されるので、ヒートシンク130を、正確に吸着ブロック210と上型キャビティブロック220(図5参照)に形成された凹部211内に位置させることができる。
しかし、複数の吸引用孔212が吸着ブロック210に形成されていることで、ヒートシンク130を吸着させるための吸引力を複数の吸引用孔212に分散させることができる。従って、吸引用孔212の痕がヒートシンク130に付いてしまうことを防止することができる。
次に、図7に示すように、上型20にヒートシンク130を吸着させると、ヒートシンク搬送部1021は下降した後に、水平移動して、上型20の下方となる位置から退避する。
図9に示すように、基板搬送部1022が駆動装置(図示せず)により下降する。このとき、基板搬送部1022の嵌合凹部1022cが、下型チェスブロック320の嵌合凸部321と嵌合する。更に、基板搬送部1022の一対の支持アーム1022bが駆動装置(図示せず)により互いに離れる方向に移動することで、プリント配線基板110が、下型キャビティブロック310の平坦部311に配置される。
基板搬送部1022の嵌合凹部1022cを、下型チェスブロック320の嵌合凸部321に嵌合させることで、下型キャビティブロック310の所定の位置に、プリント配線基板110を配置することができる。下型30に図示しない位置決めピンを設け、プリント配線基板110に形成された図示しない位置決め用の穴と嵌め合わせることで、位置決め性を向上させることができる。
また、上型20と下型30との型締めの際の位置合わせで使用される下型チェスブロック320の嵌合凸部321に嵌合する嵌合凹部1022cが、基板搬送部1022に形成されているため、基板搬送部1022の下型30に対する位置合わせのために、新たに嵌合凸部を下型30に設ける必要がない。
上型20と下型30とが型締めされることで、吸着ブロック210と上型キャビティブロック220で形成される凹部211に吸着した状態のヒートシンク130は、半導体素子120およびワイヤ121は勿論のこと、プリント配線基板110に対して非接触状態で配置される。このように、本発明によれば、従来用いられているヒートシンク(例えば、特許文献1参照)のようにプリント配線基板と接触する脚部が無くても、ヒートシンク130が吸着ブロック210と上型キャビティブロック220で形成された凹部211に吸着した状態であるため、ヒートシンク130とプリント配線基板110および半導体素子120の間に、封止用樹脂が注入される空間S1が形成される。
これにより、キャビティCVへの封止用樹脂の注入が終わり、半導体素子120と、ワイヤ121とが封止用樹脂140に覆われ成形され、成形品である半導体装置150(図13参照)となる。
更に、図6に示すように、凸部213がヒートシンク130の段差部133に外側から接触しているため、封止用樹脂140がヒートシンク130の天面132まで浸入するための経路が長くなるため、封止用樹脂140の浸入を確実に防止することができる。
しかし、下型チェスブロック320に形成された第2凹凸部を嵌合凹部とすると、樹脂封止の際に発生する樹脂ばりなどの余剰の樹脂が、嵌合凹部の窪みに入り込み、溜まるおそれがある。そうなると、下型チェスブロック320と、上型セットブロック240、ヒートシンク搬送部1021または基板搬送部1022のそれぞれとの位置合わせの精度が低下する。そのため、下型チェスブロック320に形成された第2凹凸部は、嵌合凸部321とするのが望ましい。
また、本実施の形態では、樹脂封止装置1000の金型部1025として、第1の金型を上型20、第2の金型を下型30として説明したが、第1の金型を下型、第2の金型を下型として、全部が反転したものとしてもよい。
また、本実施の形態では、トランスファー成形法による樹脂封止装置1000を例に説明した。しかし、本発明は、第1の金型と第2の金型を型締めすることで形成されるキャビティ内に、基体に搭載された電子部品が配置され、前記キャビティに封止用樹脂が注入されて、前記電子部品を封止するものであれば、採用することが可能である。
更に、本実施の形態では、基体として、プリント配線基板を例に説明したが、例えば、基体は、金属板により形成されたリードフレームでもよい。
210 吸着ブロック
211 凹部
212 吸引用孔
213 凸部(規制部)
213a 内側面
213b 先端面
220 上型キャビティブロック
230 上型チェスブロック
240 上型セットブロック
241 嵌合凹部
30 下型
310 下型キャビティブロック
311 平坦部
320 下型チェスブロック
321 嵌合凸部
40 樹脂封止用金型
CV キャビティ
S1 空間
110 プリント配線基板
120 半導体素子
121 ワイヤ
130 ヒートシンク
131 ヒートシンク本体
132 天面
133 段差部
133a 立壁部
133b 平坦部
134 鍔部
140 封止用樹脂
150 半導体装置
1000 樹脂封止装置
1011 基板供給部
1012 基板整列部
1013 タブレット供給部
1014 ヒートシンク分配部
1021 ヒートシンク搬送部
1021a 装置本体
1021b ステージ
1021c 嵌合凸部
1021d 支持脚
1022 基板搬送部
1022a 装置本体
1022b 支持アーム
1022c 嵌合凹部
1023 インローダーキャリア
1024 プレス部
1025 金型部
1031 製品搬送部
1031a 装置本体
1031b 支持アーム
1032 アンローダーキャリア
1033 ディゲーター部
1034 製品収納部
Claims (13)
- 第1の金型と第2の金型を型締めすることで形成されるキャビティ内に、基体に搭載された電子部品が配置され、前記キャビティに封止用樹脂が注入されて、前記電子部品を封止する樹脂封止用金型において、
前記電子部品に実装される実装体を前記第1の金型に吸着させる吸引用孔が、前記第1の金型に形成され、
前記吸引用孔により前記実装体を吸着して、前記実装体を前記基体に対して非接触状態に配置し、前記実装体と前記電子部品との間に、前記封止用樹脂が注入される空間が形成され、
前記第1の金型には、前記実装体を前記第1の金型まで搬送する実装体用搬送装置に形成された第3凹凸部と嵌合する第1凹凸部が形成され、
前記第2の金型には、前記第1の金型と型締めされたときに前記第1凹凸部と嵌合する第2凹凸部が形成された樹脂封止用金型。 - 前記第1の金型には、前記実装体の外周部に接触して、前記実装体の吸着位置を規制する規制部が形成されている請求項1記載の樹脂封止用金型。
- 前記規制部は、前記実装体の輪郭形状に対応した凸部である請求項2記載の樹脂封止用金型。
- 前記凸部は、前記実装体の周縁に形成された前記実装体の被吸着面からの段差部に、外側から接触するものである請求項3記載の樹脂封止用金型。
- 前記第2凹凸部は、前記電子部品が電子部品用搬送装置により搬送されたときに、前記電子部品用搬送装置に形成された第4凹凸部と嵌合する請求項1記載の樹脂封止用金型。
- 前記吸引用孔は、複数形成されている請求項1記載の樹脂封止用金型。
- 第1の金型と第2の金型とが型締めされることで形成されるキャビティ内に、基体に搭載された電子部品を配置して、前記キャビティに封止用樹脂を注入して、前記電子部品を封止する樹脂封止装置において、
前記電子部品に実装される実装体を前記第1の金型に吸着させる吸引用孔が、前記第1の金型に形成され、
前記吸引用孔により前記実装体を吸着して、前記実装体を前記基体に対して非接触状態に配置し、前記実装体と前記電子部品との間に、前記封止用樹脂が注入される空間が形成され、
前記第1の金型には、第1凹凸部が形成され、
前記第2の金型には、前記第1の金型と型締めされたときに、前記第1凹凸部と嵌合する第2凹凸部が形成され、
前記実装体を前記第1の金型に搬送する際に、前記第1凹凸部と嵌合する第3凹凸部が形成された実装体用搬送装置を備えた樹脂封止装置。 - 前記第1の金型には、前記実装体の外周部に接触して、前記実装体の吸着位置を規制する規制部が形成されている請求項7記載の樹脂封止装置。
- 前記規制部は、前記実装体の輪郭形状に対応した凸部である請求項8記載の樹脂封止装置。
- 前記凸部は、前記実装体の周縁に形成された前記実装体の被吸着面からの段差部に、外側から接触するものである請求項9記載の樹脂封止装置。
- 前記電子部品を前記第2の金型に搬送する際に、前記第2凹凸部と嵌合する第4の凹凸部が形成された電子部品用搬送装置を備えた請求項7記載の樹脂封止装置。
- 前記吸引用孔は、複数形成されている請求項7記載の樹脂封止装置。
- 第1の金型と第2の金型とが型締めされることで形成されるキャビティ内に、基体に搭載された電子部品を配置して、前記キャビティに封止用樹脂を注入して、前記電子部品を封止して成形品を製造する成形品の製造方法において、
前記電子部品に封止用樹脂を介して実装される実装体を、実装体用搬送装置により前記第1の金型に搬送し、前記第1の金型に形成された第1凹凸部と前記実装体用搬送装置に形成された第3凹凸部とを嵌合する工程と、
前記第1の金型に形成された吸引用孔からの吸引により、前記実装体を前記第1の金型に吸着させて、前記実装体と前記電子部品との間に、前記封止用樹脂が注入される空間を形成するために、前記実装体を前記基体に対して非接触状態で配置する工程と、
前記電子部品が配置された前記第1の金型に形成された第1凹凸部と前記第2の金型に形成された第2凹凸部とを嵌合して型締めして、前記キャビティに封止用樹脂を注入する工程と、
前記第1の金型と前記第2の金型とを型開きして、前記電子部品を樹脂封止した成形品を離型する工程とを含む成形品の製造方法。
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