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KR101163606B1 - 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치 - Google Patents

반도체 몰딩장치의 하부 금형장치 Download PDF

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KR101163606B1
KR101163606B1 KR20100062742A KR20100062742A KR101163606B1 KR 101163606 B1 KR101163606 B1 KR 101163606B1 KR 20100062742 A KR20100062742 A KR 20100062742A KR 20100062742 A KR20100062742 A KR 20100062742A KR 101163606 B1 KR101163606 B1 KR 101163606B1
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세크론 주식회사
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Abstract

기판의 두께에 따라 빈번하게 발생되는 교체 작업의 횟수를 줄여 생산 효율을 향상시킬 수 있고, 틈 사이로 열경화성 수지가 흘러 내려 EMC 손실이 발생하며, 진공 손실이 발생하는 등, 다양한 형태의 원인에 대하여 내부 구조를 개선하기 위한 반도체 몰딩장치의 하부 금형 장치가 개시된다. 이를 위하여, 본 발명은 체이스 블럭(210); 상부면이 기울기를 갖고 상기 체이스 블럭(210)의 상부에 안착되어, 외부의 체결수단(265)에 의해 밀려 좌/우 이동되는 제1 이동 블럭(220); 상기 제1 이동 블럭(220)의 기울기에 접하는 하부면과 동일한 높이를 갖는 상부면을 갖고, 상기 제1 이동 블럭(220)의 이동에 따라 상/하 이동되는 제2 이동 블럭(230); 및 상기 제2 이동 블럭(230)의 상부에 안착되고, 반도체소자가 부착된 기판 중 소정의 크기를 갖는 어느 하나(201)를 상부면에 안착하여, 인접한 포트 블럭(250)의 높이만큼 상기 제2 이동 블럭(230)의 이동 작용에 의해 상/하 이동되는 캐비티 블럭(240)을 포함하여 제공된다.

Description

반도체 몰딩장치의 하부 금형장치{LOW DIE APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR MOLD APPARATUS}
본 발명은 반도체 몰딩장치의 하부 금형 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 기판의 두께에 따라 빈번하게 발생되는 교체 작업의 횟수를 줄여 생산 효율을 향상시킬 수 있고, 틈 사이로 열경화성 수지가 흘러 내려 EMC 손실이 발생하며, 진공 손실이 발생하는 등, 다양한 형태의 원인에 대하여 내부 구조를 개선하기 위한 반도체 몰딩장치의 하부 금형 장치에 관한 것이다.
일반적으로 도체와 부도체의 중간 상태를 띄는 성질을 이용하여 전기적 신호를 제어, 증폭 및 기억 등을 할 수 있도록 하는 반도체는 표면을 외부의 습기 및 불순물로부터 보호하고 접합부에서 발생하는 열을 효과적으로 발산시키기 위해 금속, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 용기에 COB(Chip On Board) 타입으로 내장하게 되는데, 이를 통상 반도체 패키지(package)라고 칭한다.
반도체 패키지는 리드 프레임, 인쇄회로기판(PCB) 및 회로 필름 등과 같은 다양한 부재를 이용하여 다양한 공정에 의해 제조되는데, 즉 본딩 공정, 와이어 공정 및 몰딩 공정 등에 의해 제조된다. 먼저, 본딩 공정에서 칩 탑재영역인 리드 프레임 등에 트랜지스터 및 커패시터 등과 같은 고집적회로가 형성된 반도체 칩을 실장한다. 와이어 공정에서는 반도체 칩의 본딩 패드와 부재의 본딩 영역 사이를 와이어로 결선하여 외부 접속단자가 전기적으로 통전되도록 한다.
마지막으로, 몰딩 공정에서는 반도체 칩과 와이어 등을 외부로부터 보호하기 위하여 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC) 등과 같은 열경화성 수지(EMC)를 이용하여 반도체 패키지의 외관에 몰딩 작업을 수행하게 된다. 여기서, 몰딩 공정을 수행하는 장치를 통상 반도체 몰딩 장치라 칭하며, 상기 반도체 몰딩 장치는 상,하부의 금형 장치로 이루어지는 구조를 갖는다.
이중에서 하부의 금형장치에 대하여 살펴보면 다음과 같다. 도 1은 종래의 반도체 몰딩장치의 하부 금형 장치를 나타낸 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 하부 금형 장치(100)는 중앙에 열경화성수지(EMC)를 공급하는 포트 블럭(110)이 형성되고, 상기 포트 블럭(110)의 양측에는 몰딩을 하기 위하여 반도체소자가 부착된 기판(130)을 안착하는 캐비티 블럭(120)을 형성한다. 이때, 상기 기판(130)은 0.10, 0.13, 0.18, 0.21, 0.22, 0.25M ... 등 다양한 두께의 크기를 가지고 있기 때문에 크기가 고정된 포트 블럭(110)과 캐비티 블럭(120)이 형성된 하나의 하부 금형 장치만으로 여러 형태의 기판(130)을 수용할 수 없는 실정이다. 다시 말해, 고정된 포트 블럭(110)의 'A' 높이 만큼 기판(130) 두께가 고정되어야 하나, 다양한 크기의 기판(130)을 캐비티 블럭(120)에 안착시켜 몰딩을 해야 때문에 하나의 하부 금형 장치만으로는 여러 형태의 기판(130)을 수용할 수 없게 되는 것이다.
이런 까닭으로, 종래에는 캐비티 블럭(120)에서 몰딩하고자 하는 기판(130)의 종류에 따라 하부 금형 장치(100)를 매번 교체해야 하므로, 교체 시간과 인력손실이 불가피하며, 하부 금형 장치(100)를 교체하기전 금형 예열 시간의 과정이 필수적으로 수행되어야 하는 문제점이 있었다.
이외에도, 종래에는 몰딩 작업시 열경화성 수지가 틈 사이, 예컨대 가이드 블럭과 캐비티 블럭(120) 사이로 열경화성 수지가 흘러 내려 EMC 손실이 발생하는 문제점이 있었으며, 도 2에서와 같이, 캐비티 블럭(120) 내에 위치한 이젝터(140)와 수직으로 만나는 진공 실(150)이 점 접촉(160)을 하게 되면, 진공 손실이 발생되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기존의 캐비티 블럭(120)에 대응하여 좌/우, 상/하로 이동 가능한 테이퍼(taper)진 블럭('이동 블럭'이라 칭함)과 일부의 캐비티 블럭으로 구조 변경하여, 조절 가능하게 함으로써 기판의 두께의 변화에도 교체없이 대응 가능한 몰딩장치의 하부 금형 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 상기와 같이 좌/우, 상/하로 이동 가능한 이동 블럭과 일부의 캐비티 블럭으로 구조 변경함에 따라, 가이드 블럭과 다층으로 이루어진 이동 블럭 및 일부의 캐비티 블럭 사이로 열경화성 수지가 흘러 내리는 것을 방지하여 EMC 손실을 크게 줄일 수 있는 몰딩장치의 하부 금형 장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한, 이젝터와 접하는 진공 실(vacuum seal)의 면적을 크게하는 구조 변경을 행하여 진공 실에서 발생하는 진공 손실을 크게 억제하는 몰딩장치의 하부 금형 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하고, 후술하는 본 발명의 특징적인 기능을 수행하기 위한, 본 발명의 특징은 다음과 같다.
본 발명에 따르면, 체이스 블럭; 상부면이 기울기를 갖고 상기 체이스 블럭의 상부에 안착되어, 외부의 체결수단에 의해 밀려 좌/우 이동되는 제1 이동 블럭; 상기 제1 이동 블럭의 기울기에 접하는 하부면과 동일한 높이를 갖는 상부면을 갖고, 상기 제1 이동 블럭의 이동에 따라 상/하 이동되는 제2 이동 블럭; 및 상기 제2 이동 블럭의 상부에 안착되고, 반도체소자가 부착된 기판 중 소정의 크기를 갖는 어느 하나를 상부면에 안착하여, 인접한 포트 블럭의 높이만큼 상기 제2 이동 블럭의 이동 작용에 의해 상/하 이동되는 캐비티 블럭을 포함하는 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치가 제공된다.
여기서, 상기 제1 및 제2 이동 블럭의 외주면을 감싸고, 상기 체이스 블럭의 가장자리에 안착되는 정면 가이드 블럭과 측면 가이드 블럭을 구비한 가이드 블럭을 더 포함할 경우, 상기 정면 가이드 블럭에는, 상기 제1 이동 블럭의 측면에 형성된 제1 이동구에 대향하여 관통된 상기 체결수단 중 제1 체결수단을 배치할 수 있게 되어, 제1 및 제2 이동 블럭의 좌/우 이동성과 캐비티 블럭의 상/하 이동을 가능하게 할 수 있다.
또한, 상기 제1 체결수단은, 렌치 홈을 구비한 볼트로 이루어지며, 상기 렌치 홈에 인입된 육각 렌치의 회전에 의해 상기 볼트가 상기 이동구의 내부로 밀려 들어가 상기 제1 이동 블럭을 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 기판의 크기별 상/하 이동되는 캐비티 블럭의 높이를 결정하는 심 블럭과, 상기 제1 이동 블럭의 측면에서 상기 제1 이동구와 나란하게 형성된 제2 이동구에 대향하여 상기 정면 가이드 블럭 내부를 관통하는 상기 체결수단 중 제2 체결수단을 더 포함할 경우, 상기 제2 체결수단은, 상기 심 블럭의 두께만큼 상기 심 블럭에 접촉하여 캐비티 블럭의 높이를 간편하게 결정할 수 있게 된다.
또한, 상기 제2 체결수단은, 스토퍼로 이루어지는 것이 바람직하며, 이로써 캐비티 블럭의 높이가 조절 가능하게 된다.
또한, 상기 심 블럭에는, 측면에 적용 가능한 기판 두께별 컬(qual)을 통과한 결과를 표시하는 컬 표지부재를 장착할 수 있어, 다양한 크기의 기판에 능동적인 작업을 수행할 수 있게 된다.
또한, 상기 체이스 블럭의 외주면에 일부가 형성되고, 나머지 일부는, 상기 체이스 블럭과 제1 이동 블럭 및 가이드 블럭이 만나는 경계면 사이에 마주보고 형성되어 고정 수단에 의해 상호 밀착되는 복수 개의 푸싱 장치를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 이동 블럭은, 상기 제2 이동 블럭과 접촉하는 상부면과 상기 체이스 블럭과 접촉하는 하부면에 각각 다른 패턴으로 이루어진 돌기부를 형성하고, 상기 각 돌기부 사이에는 각각 부조(relief) 형상을 갖고 있어, 좌/우 이동성을 증가시킬 수 있다.
또한, 단차진 하단부가 상기 체이스 블럭에 고정되고, 상단부가 캐비티 블럭 측으로 향하여 형성된 이젝터 핀을 더 포함할 경우, 상기 이젝터 핀의 측면에는 진공 실(vacuum seal)이 면접촉하여 형성될 수 있다.
또한, 하부에서 인입되어 상기 체이스 블럭, 제1 이동 블럭, 제2 이동 블럭 및 캐비티 블럭을 상호 고정시키는 고정수단을 더 포함할 경우, 상기 고정수단에는, 상기 기판을 안착한 캐비티 블럭이 상기 포트 블럭의 높이보다 낮게 형성되도록, 단차진 단차부재를 상기 체이스 블럭의 하단부에 장착하여 상기 고정수단의 이동을 제한하게 되어, 캐비티 블럭의 돌출을 방지하고, 기판 로딩시 안전성을 증대시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 체결 수단에 의한 밀린 제1 이동 블럭의 좌/우 이동과 테이퍼져 대응하고 있는 제2 이동 블럭의 좌/우 이동으로 캐비티 블럭을 상/하 이동하게 함으로써, 다양한 형태의 기판을 적용하더라도 포트 블럭의 높이만큼 자동적으로 맞출 수 있게 되어 하부 금형장치를 교체하지 않아도 되며, 이로써 교체 시간을 줄이고, 작업 인력을 줄여 비용과 관계한 생산 효율을 향상시키는 효과를 달성하게 된다.
또한, 본 발명은, 정면 및 측면 가이드 블럭에 배치된 복수 개의 푸싱 장치가 체이스 블럭과 제1 이동 블럭 및 가이드 블럭이 만나는 경계면 사이에 밀착되도록 하여, 그 사이로 열경화성 수지(EMC)가 흘러 내리는 것을 방지하여 EMC 손실 비용 및 하부 금형 장치의 고장에 따른 비용을 크게 절감하는 효과를 달성하게 된다.
또한, 본 발명은, 이젝터에 접하는 진공 실의 면적을 기존의 점 접촉하는 방식에서 면 접촉하는 방식의 변경에 의해 크게 함으로써, 진공 손실을 크게 줄여 사고를 미연에 방지하는 효과를 달성하게 된다.
도 1은 종래의 반도체 몰딩장치의 하부 금형 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 이젝터 핀(140) 및 진공 실(150)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치(200)을 예시적으로 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치(200)를 예시적으로 나타낸 측면도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치(100)를 예시적으로 나타낸 정면도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 제1 이동 블럭(220)의 상단부(220a)와 하단부(220b)를 예시적으로 나타낸 정면도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 상단부(220a) 및 하단부(220b)를 적용한 제1 이동 블럭(220)을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 하부 금형장치에 형성된 푸싱 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 푸싱장치의 부분 측면 확대도이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 푸싱장치의 부분 정면 확대도이다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 이젝터 핀(290) 및 진공 실(191)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 일실시에에 따른 체이스 블럭(210)의 하단부에서 인입되는 고정수단(295)을 설명하기 위한 부분 측면도이다.
도 13은 상단에서 바라본 본 발명의 고정수단(295) 일부를 나타낸 사시도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치(200)을 예시적으로 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치(200)를 예시적으로 나타낸 측면도이며, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치(100)를 예시적으로 나타낸 정면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치(200)는 체이스 블럭(210), 제1 이동 블럭(220), 제2 이동 블럭(230), 캐비티 블럭(240), 포트 블럭(250), 가이드 블럭(260), 체결수단(265) 및 심 블럭(270)을 포함하여 구성된다.
먼저, 본 발명의 체이스 블럭(chase block, 210)은 상부에 위치하는 구조물을 지지하기 위한 구조물로서, 특히 제1 이동 블럭(220)과 가이드 블럭(260)과 상부에서 접촉함으로써, 제1 이동 블럭(220)과 가이드 블럭(260)을 지지하며, 오른쪽 측면에는 측벽과 접하는 구조를 이룬다. 이러한 본 발명의 체이스 블럭(210) 내에는 상부층까지 관통되는 이젝터(도 9의 290로 표기함)와 기판(201)을 흡착하기 위해 기체를 외부로 배출하는 복수의 진공 실(도 9의 298로 표기함) 등을 형성하고 있다. 상기 이젝터 및 진공 실에 대해서는 추후에 설명하기로 한다.
본 발명의 제1 이동 블럭(moving block, 220)은 하단면이 체이스 블럭(210)의 상부에 안착되고, 상부면이 테이퍼(taper)진 형태의 구조를 이룬다. 즉, 상기 제1 이동 블럭(220)은 상부면이 일단이 타단보다 높은 형태의 테이퍼진 형태의 기울기를 갖는데, 예컨대 오른쪽에서 왼쪽으로 기울어진 형태로 이루어진다. 이러한 제1 이동 블럭(220)은 도 4에서와 같이 측면에 홀 형태의 제1 이동구(221)를 구비하고 있어, 상기 제1 이동구(221)로 외부에서 인입되는 체결수단(265)에 의해 밀려 좌/우 이동되는 역할을 수행하게 된다. 상기 체결수단(265)은 이후에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 제2 이동 블럭(moving block, 230)은 테이퍼진 제1 이동 블럭(220)과 역 대칭적으로 기울어진 형태를 이뤄, 하부면이 제1 이동 블럭(220)과 접촉하여 형성되며, 이와는 달리 동일한 높이를 갖는 상부면의 구조를 이룬다. 이러한 제2 이동 블럭(230)은 제1 이동 블럭(220)이 이동함에 따라 기울어진 제1 이동 블럭(220)의 형태에 의해 같이 좌/우로 밀리게 됨으로써, 상/하 이동되는 기능을 수행하게 된다.
본 발명의 캐비티 블럭(cavity block, 240)은 하단부가 제2 이동 블럭(230)의 상부에 안착되고, 반도체소자가 부착된 기판 중 소정의 크기를 갖는 어느 하나(201)를 상부면에 안착하는 구조를 이룬다. 여기서, 본 발명에서 목적하는 바인 다양한 크기를 갖는 기판(201)을 적용하고자, 본 발명의 캐비티 블럭(240)은 인접한 포트 블럭(250)의 높이만큼 제2 이동 블럭(230)의 이동 작용에 의해 상/하 이동되는 기능을 수행하게 되는 것이다.
이러한 본 발명의 캐비티 블럭(240)은 도 1에 도시된 캐비티 블럭(120)과 동일한 역할을 하나, 그에 더하여 이동성을 가지며, 앞서 설명된 제1 이동 블럭(220) 및 제2 이동 블럭(230)도 또한 기존의 캐비티 블럭(120)의 역할과 동일하면서도 그에 더하여 이동성을 갖고 있음을 충분히 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 제1 이동 블럭(220) 및 제2 이동 블럭(230) 및 캐비티 블럭(240)의 상호간, 각각의 이동 작용에 의해 다양한 크기의 기판(201)을 적용할 수 있게 되는 것이며, 이로써 몰딩 장치용 하부 금형장치(200)를 교체해야 하는 단점을 극복할 수 있게 되는 것이다.
다음으로, 본 발명의 포트 블럭(pot block, 250)은 도 3에서와 같이 하부 금형장치(200)의 중심부에 위치하여 양측에 제1 이동 블럭(220), 제2 이동 블럭(230) 및 캐비티 블럭(240) 등을 형성하는 구조를 이룬다. 이러한 본 발명의 포트 블럭(250)은 규격화된 높이를 갖고 있으며, 상부면에 열경화성수지(EMC)을 공급받는 복수 개의 홀(251)을 구비하고 있는데, 이는 플런저(미도시)로부터 열경화성 수지를 공급받아 고온 고압에 의해 응용되도록 하여, 상부 금형장치(미도시)에 구비된 런너를 이용하여 캐비티 블럭(240)의 내측으로 충진시킴으로써 캐비티 블럭(240)에 안착된 기판(201)을 몰딩하는데 유용하게 이용된다.
본 발명의 가이드 블럭(guide block, 260)은 도 4에서와 같이 제1 이동 블럭(220)과 제2 이동 블럭(230) 등의 외주면을 감싸고, 체이스 블럭(210)의 가장자리 상부면에 안착되는 구조를 이룬다. 이러한 가이드 블럭(260)에는 도 3 및 4에서와 같이 제1 이동 블럭(220)의 측면에 형성된 제1 이동구(221)에 대향하여 관통된 체결수단(265) 중 제1 체결수단(265a)을 배치하게 된다.
상기 제1 체결수단(265a)은 육각 렌치(미도시)가 삽입되는 렌치 홈(265a-1)을 일측에 구비한 볼트로 이루어지는 것이 바람직하며, 그러나 반드시 이에 한정되지 않는다. 따라서, 본 발명의 육각 렌치의 회전에 의해 볼트(265a)가 제1 이동 블럭(220)에 형성된 이동구(221)의 내부로 밀려 들어감으로써, 제1 이동 블럭(220)을 좌/우 이동시킬 수 있게 되는 것이다.
본 발명의 심 블럭(shim block, 270)은 도 3 및 도 5에서와 같이 가이드 블럭(260)의 측면 외측에 형성되는 구조를 이루며, 상하로 삽입되어 상기 가이드 블럭(260)의 외측 부근에서 기판(201)의 크기에 대응하여 장착하게 된다.
이러한 본 발명의 심 블럭(270)은 상/하 이동되는 캐비티 블럭(240)의 높이를 결정하는 기능을 수행하게 되는데, 제1 이동 블럭(220)의 측면에 형성된 제1 이동구(221)와 나란하게 형성된 제2 이동구(222, 도 7에 표기함)에 대향하여 가이드 블럭(260) 내부를 관통하는 체결수단(265) 중 제2 체결수단(265b)에 의해 가능하게 된다.
즉, 상기 제2 체결수단(265b)은 심 블럭(270)의 두께만큼 심 블럭(270)에 접촉하게 되고, 제2 체결수단(265b)이 상기 제2 이동구(222)에 삽입됨과 동시에 캐비티 블럭(240)의 결정된 높이에 상응하여 제2 이동구(222)로 밀려들어가게 됨으로써, 제1 이동 블럭(220), 제2 이동 블럭(230) 및 캐비티 블럭(240)을 좌/우 및 상/하로 이동시킬 수 있고, 이 결과로 조절된 캐비티 블럭(240)에 안착된 해당 기판(201)과 인접한 포트 블럭(250)간에는 높이가 같게 되어 적합한 몰딩을 수행할 수 있게 되는 것이다.
이와는 다르게, 상기 제2 체결수단(265b)이 제1 이동 블럭(220) 및 제2 이동 블럭(230)의 이동에 직접적으로 영향을 주지않고, 캐비티 블럭(240)의 높이를 결정하는 수단만으로 사용되어, 차후에 제1 체결수단(265a)에 의해 제1 이동 블럭(220) 및 제2 이동 블럭(230)의 이동 크기를 결정하는데 기준이 되는 역할을 할 수도 있다. 이상의 경우, 각 적용된 제2 체결수단(265b)은 스토퍼인 것이 바람직하나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.
또한, 상기 심 블럭(270)에는 도 5에서와 같이 측면에 컬(qual) 표지부재(297)를 장착하게 되는데, 이는 적용 가능한 기판 두께별 컬(qual)을 통과한 결과를 나타낸 것이며, 이로써 작업자는 컬 표지부재(297)만을 확인하여도 본 하부 금형장치(100)에 적용된 기판(201)을 확인할 수 있게 되는 것이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 제1 이동 블럭(220)의 상단부(220a)와 하단부(220b)를 예시적으로 나타낸 정면도이고, 도 7은 본 발명의 상단부(220a) 및 하단부(220b)를 적용한 제1 이동 블럭(220)을 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 이동 블럭(220)은 제2 이동 블럭(230)과 접촉하는 상부면(220a)과 체이스 블럭(210)과 접촉하는 하부면(220b)에 각각 다른 패턴으로 이루어진 돌기부(223, 224)를 형성하고, 상기 각 돌기부(223, 224) 사이에는 각각 부조(relief, 225, 226) 형상을 갖는다. 여기서, 돌기부(223, 224)를 형성하는 이유는 제1 이동 블럭(220)이 기울어진 상태에서 제2 이동 블럭(220)과 체이스 블럭(210)과 접촉하는 면적을 적게하여 제1 이동 블럭(220)의 좌/우 이동성을 증가시키기 위함이다. 한편, 도 6에서는 앞서 설명하였던 제1 이동 블럭의 제1 이동구(221)와 제2 이동구(222)를 나타내었다. 또한, 돌기부(223,224)와 부조(225,226)의 각 사이에는 중간 높이를 갖는 중간 돌기부(227,228)가 더 형성될 수 있으며, 참조부호 229 는 부품이 들어갈 수 있는 공간을 지칭한다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 하부 금형장치에 형성된 푸싱 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 본 발명의 푸싱장치를 설명하기 위한 부분 측면 확대도이며, 도 10은 본 발명의 푸싱장치를 설명하기 위한 부분 정면 확대도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 하부 금형장치에 형성된 푸싱 장치(280)는 체이스 블럭(210)의 외주면에 일부가 형성되고, 나머지 일부는, 체이스 블럭(210)과 제1 이동 블럭(220) 및 가이드 블럭(260)이 만나는 경계면 사이에 마주보고 형성되어 고정 수단(281)에 의해 상호 밀착되는 구조를 이룬다. 이때, 상기 고정 수단(281)은 푸싱 장치(280)와 체이스 블럭(210)을 상호 고정시키기 위한 수단으로서 볼트, 너트, 렌치 중 적어도 하나 이상을 구비하여 이루어지며, 푸싱 장치(280)의 외부에서 인입되어 상기 푸싱 장치(280)를 관통하여 체이스 블럭(210)에 일부가 인입되어 형성된다.
이로써, 본 발명은 제1 이동 블럭(220) 및 제2 이동 블럭(230) 등을 그 외주면에 형성된 가이드 블럭(260) 간에 몰딩시, 이물질 침투를 방지하여 하부 금형장치(100)의 수명과 고장을 방지할 수 있게 되는 것이다.
또한, 복수의 푸싱 장치(280)는 도 10에서와 같이 체이스 블럭(210)의 가장자리에 안착되는 정면 가이드 블럭(261)과 측면 가이드 블럭(262)에 각각 복수 개로 형성될 수 있다. 여기서의 정면 가이드 블럭(261)과 측면 가이드 블럭(262)은 앞서 도 3 내지 도 5에서 설명한 가이드 블럭(260)에 포함되는 구성요소이므로, 상기 정면 가이드 블럭(261) 내에는 제1 이동구(221) 및 제2 이동구(222)에 대향하여 은 제1 체결수단(265a) 및 제2 체결수단(265b)이 형성될 수 있음을 충분히 알 수 있는 것이다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 이젝터 핀(290) 및 진공 실(191)의 구조를 나타낸 도면으로서, 이젝터 핀(290)과 진공 실(191)은 제2 이동 블럭(230)에 형성된 구조만을 도시하였다.
도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 이젝터 핀(290)은 단차진 하단부가 체이스 블럭(210)에 고정되고, 중단부가 체이스 블럭(210), 제1 이동 블럭(220) 및 제2 이동 블럭(230)을 관통하여 수직으로 형성된 뒤, 상단부가 캐비티 블럭(260) 을 향하여 형성되는데, 이젝터 핀(290)의 측면에는 진공 실(vacuum seal, 291)이 면접촉(291a)하여 형성될 수 있다. 이때, 진공 실(291)은 설명을 위하여 확대한 크기를 나타낸다.
이로써, 본 실시예에서는 이젝터 핀(290)과 면접촉(291a)하는 진공 실(291)의 구조로 인하여 도 2에 도시된 점접촉(160)보다 진공 손실을 크게 줄여 사고를 미연에 방지할 수 있게 되는 것이다.
도 12는 본 발명의 일실시에에 따른 체이스 블럭(210)의 하단부에서 인입되는 고정수단(295)을 설명하기 위한 부분 측면 확대도이고, 도 13은 상단에서 바라본 본 발명의 고정수단(295) 일부를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 고정수단(295)는 하부에서 인입되어 체이스 블럭(210), 제1 이동 블럭(220), 제2 이동 블럭(230) 및 캐비티 블럭(240)을 상호 고정시키는 기능을 수행하며, 상기 고정수단(295)에는 기판(201)을 안착한 캐비티 블럭(240)을 포트 블럭(250)의 높이보다 낮게 형성될 수 있도록, 단차진 단차부재(296)를 체이스 블럭(210)의 하단부에 장착하여 고정수단(295)의 이동을 제한하는 구조를 이룬다.
따라서, 체이스 블럭(210), 제1 이동 블럭(220), 제2 이동 블럭(230) 및 캐비티 블럭(240)이 적용된 하부 금형장치(100)의 구조 상에서 캐비티 블럭(240)이 기준 이상으로 돌출되는 것을 방지하여 캐비티 블럭(240)이 포트 블럭(250)보다 동일 또는 낮게 형성됨으로써, 제1 이동 블럭(220), 제2 이동 블럭(230) 및 캐비티 블럭(240)의 이동이 안정적으로 진행될 수 있게 되는 것이다.
200 : 하부 금형장치 210 : 체이스 블럭
220 : 제1 이동 블럭 221 :제1 이동구
222 : 제2 이동구 230 : 제2 이동 블럭
240 : 캐비티 블럭 250 : 포트 블럭
260 : 가이드 블럭 261 : 정면 가이드 블럭
262 : 측면 가이드 블럭 265 : 체결수단
270 : 심 블럭 280 : 푸싱 장치
290 : 이젝터 핀 291 : 진공 실
295 : 고정수단 296 :단차부재
265a : 제1 체결수단 265b : 제2 체결수단

Claims (10)

  1. 체이스 블럭(210);
    상부면이 기울기를 갖고 상기 체이스 블럭(210)의 상부에 안착되어, 외부의 체결수단(265)에 의해 밀려 좌/우 이동되는 제1 이동 블럭(220);
    상기 제1 이동 블럭(220)의 기울기에 접하는 하부면과 동일한 높이를 갖는 상부면을 갖고, 상기 제1 이동 블럭(220)의 이동에 따라 상/하 이동되는 제2 이동 블럭(230);
    상기 제2 이동 블럭(230)의 상부에 안착되고, 반도체소자가 부착된 기판 중 소정의 크기를 갖는 어느 하나(201)를 상부면에 안착하여, 인접한 포트 블럭(250)의 높이만큼 상기 제2 이동 블럭(230)의 이동 작용에 의해 상/하 이동되는 캐비티 블럭(240); 및
    상기 제1 및 제2 이동 블럭(220, 230)의 외주면을 감싸고, 상기 체이스 블럭(210)의 가장자리에 안착되는 정면 가이드 블럭(261)과 측면 가이드 블럭(262)을 구비한 가이드 블럭(260);을 포함하되,
    상기 정면 가이드 블럭(261)에는, 상기 제1 이동 블럭(220)의 측면에 형성된 제1 이동구(221)에 대향하여 관통된 상기 체결수단(265) 중 제1 체결수단(265a)을 배치하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 체결수단(265a)은,
    렌치 홈(265a-1)을 구비한 볼트(265a)로 이루어지며, 상기 렌치 홈(265a-1)에 인입된 육각 렌치의 회전에 의해 상기 볼트(265a)가 상기 이동구(221)의 내부로 밀려 들어가 상기 제1 이동 블럭(220)을 이동시키는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판(201)의 크기별 상/하 이동되는 캐비티 블럭(240)의 높이를 결정하는 심 블럭(shim block, 270)과,
    상기 제1 이동 블럭(220)의 측면에서 상기 제1 이동구(221)와 나란하게 형성된 제2 이동구(222)에 대향하여 상기 정면 가이드 블럭(261) 내부를 관통하는 상기 체결수단(265) 중 제2 체결수단(265b)을 더 포함하고,
    상기 제2 체결수단(265b)은, 상기 심 블럭(270)의 두께만큼 상기 심 블럭(270)에 접촉하여 캐비티 블럭(240)의 높이를 결정하게 되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 체결수단(265b)은, 스토퍼인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 심 블럭(270)에는, 측면에 적용 가능한 기판 두께별 컬(qual)을 통과한 결과를 표시하는 컬 표지부재(297)를 장착하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 체이스 블럭(210)의 외주면에 일부가 형성되고, 나머지 일부는, 상기 체이스 블럭(210)과 제1 이동 블럭(220) 및 가이드 블럭(260)이 만나는 경계면 사이에 마주보고 형성되어 고정 수단(283)에 의해 상호 밀착되는 복수 개의 푸싱 장치(280)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 이동 블럭(220)은, 상기 제2 이동 블럭(230)과 접촉하는 상부면(220a)과 상기 체이스 블럭(210)과 접촉하는 하부면(220b)에 각각 다른 패턴으로 이루어진 돌기부(223, 224)를 형성하고, 상기 각 돌기부(223, 224) 사이에는 각각 부조(relief, 225, 226) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치.
  9. 제1항에 있어서,
    단차진 하단부가 상기 체이스 블럭(210)에 고정되고, 상단부가 캐비티 블럭(260) 측으로 향하여 형성된 이젝터 핀(290)을 더 포함하고,
    상기 이젝터 핀(290)의 측면에는 진공 실(vacuum seal, 291)이 면접촉(291a)하여 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치.
  10. 제1항에 있어서,
    하부에서 인입되어 상기 체이스 블럭(210), 제1 이동 블럭(220), 제2 이동 블럭(230) 및 캐비티 블럭(240)을 상호 고정시키는 고정수단(295)을 더 포함하고,
    상기 고정수단(295)에는, 상기 기판(201)을 안착한 캐비티 블럭(240)을 상기 포트 블럭(250)의 높이보다 낮게 형성되도록, 단차진 단차부재(296)를 상기 체이스 블럭(210)의 하단부에 장착하여 상기 고정수단(295)의 이동을 제한하는 것을 특징으로 하는 반도체 몰딩장치의 하부 금형장치.
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