JP3132648B2

JP3132648B2 - 電力変換器におけるゲート駆動回路

Info

Publication number: JP3132648B2
Application number: JP09032224A
Authority: JP
Inventors: 聡毅滝沢; 学武井
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1996-09-20
Filing date: 1997-02-17
Publication date: 2001-02-05
Anticipated expiration: 2017-02-17
Also published as: DE19741391A1; US5926012A; JPH10150764A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＦＥＴやＩＧＢ
Ｔ（絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ）等の電圧駆
動形スイッチングデバイスのゲート駆動回路の改良に関
する。

【０００２】

【従来の技術】図１６に電圧駆動形スイッチングデバイ
スとしてＩＧＢＴを用いた例を、また、図１７に電力変
換器としてのインバータ主回路例を示す。図１６の符号
１はメインデバイスとしてのＩＧＢＴ、３６はＩＧＢＴ
のターンオン時において、ゲート・エミッタ間に電圧を
印加するための正側のゲート駆動回路電源、同様に３７
はＩＧＢＴのターンオフ時にゲート・エミッタ間に電圧
を印加するための負側のゲート駆動回路電源、３８はイ
ンバータの制御回路で、ここでＩＧＢＴのオン，オフの
スイッチング指令が作成される。３９は弱電部から強電
部にＩＧＢＴのオン，オフ指令を伝達するフォトカプラ
（ＰＣ）等の絶縁器、４０はＩＧＢＴオン用のゲート抵
抗、４１はＩＧＢＴオフ用のゲート抵抗、４２，４３は
各ゲート抵抗をＩＧＢＴのゲートに接続させるためのス
イッチ用のトランジスタ、４４はトランジスタ４２，４
３を駆動するためのアンプである。絶縁器３９を介する
信号により、ＩＧＢＴのゲート・エミッタ間に電源３
６，３７からの正，負の電圧を印加し、ＩＧＢＴをオ
ン，オフするようにしている。

【０００３】図１７において、符号４５は交流を直流に
変換するダイオード整流器、４６は直流中間コンデン
サ、４７は直流から交流に変換するＩＧＢＴとダイオー
ド（ＦＷＤとも略記する）からなるインバータ、４９は
直流中間コンデンサ４６とインバータ４７との間に存在
するインダクタンス４８によって発生するスパイク電圧
から、インバータのデバイスを保護するスナバ回路であ
る。

【０００４】ところで、スイッチング特性に影響を及ぼ
すＩＧＢＴまたはゲート駆動回路における条件として、ゲート抵抗Ｒｇゲート駆動回路電源電圧Ｖｇゲート電流（ＩＧＢＴのゲートに流出入する電流）Ｉｇゲート駆動回路側からＩＧＢＴ側を見たゲート・エミッ
タ間の容量Ｃ_GE ゲート駆動回路側からＩＧＢＴ側を見たゲート・コレク
タ間の容量Ｃ_GC などがある。

【０００５】ＩＧＢＴまたはゲート駆動回路の各条件が
大きくなった場合の、ＩＧＢＴのスイッチング特性の変
化の方向を表１に示す。なお、上記各条件が小さくなっ
た場合は、ＩＧＢＴのスイッチング特性は表１とは反対
方向の変化となる。

【表１】

【０００６】一方、ＩＧＢＴ等の電圧駆動形スイッチン
グデバイスからなるインバータは、直流中間コンデンサ
とインバータ間に存在する配線インダクタンスにより、
ＩＧＢＴのスイッチングの際、ＩＧＢＴやＦＷＤ等のデ
バイスには下記（１）式に示すような高電圧が印加され
る。Ｖ_CE＝Ｅｄ＋Ｌ・ｄｉ／ｄｔ …（１）Ｖ_CE ：デバイスへの印加電圧Ｅｄ：直流中間コンデンサ電圧Ｌ：配線インダクタンスｄｉ／ｄｔ：スイッチング時の電流変化率そのため、ＩＧＢＴやＦＷＤ等を用いてインバータ装置
を構成するときは、上記（１）式に耐えうる電圧定格を
持つデバイスを使用するか、スナバ回路を付加する必要
がある。さらに、スイッチング時のｄｖ／ｄｔやｄｉ／
ｄｔが大きいと、装置から高レベルのノイズが発生する
という問題も指摘されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図１８にターンオフ時
の、また、図１９にターンオン時の電流，電圧の概略波
形を示す。これらの図から、ターンオフ時においては、
ＩＧＢＴのターンオフ電流のｄｉ／ｄｔの大きさが、
（１）式により直接的にＩＧＢＴに印加するスパイク電
圧の大きさに影響を及ぼす。また、ターンオン時におい
ては、ＩＧＢＴのターンオン電流のｄｉ／ｄｔの大きさ
が、ＩＧＢＴに流れるスパイク電流（＝対向アームのＦ
ＷＤに流れる逆回復電流）の大きさに影響を及ぼし、さ
らにそれが対向アームのＦＷＤの逆回復リカバリー時の
ｄｉ／ｄｔの大きさに影響を及ぼす。すなわち、ＩＧＢ
Ｔのターンオン時のｄｉ／ｄｔが大きいと、対向アーム
のＦＷＤの逆回復リカバリー時のｄｉ／ｄｔが大きくな
り、結局、ＦＷＤには急峻なｄｖ／ｄｔが印加され、さ
らに（１）式により印加されるスパイク電圧も大きくな
る。したがって、この発明の課題はスナバ回路を不要と
し、低ノイズ化を図ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決
すべく、請求項1の発明では、IGBTを含む電圧駆動形ス
イッチングデバイスのゲート駆動回路に、コレクタ電流
の時間微分相等値を検出する検出手段と、ゲート・エミ
ッタ間容量を変更する操作手段とを設け、スイッチング
デバイスのターンオン時に、前記検出手段の出力が所定
値以上になったときは、前記操作手段によりゲート・エ
ミッタ間容量を瞬時に大きくすることを特徴としてい
る。

【０００９】請求項２の発明では、IGBTを含む電圧駆
動形スイッチングデバイスのゲート駆動回路に、コレク
タ電流の時間微分相等値を検出する検出手段と、ゲート
・エミッタ間容量を変更する操作手段とを設け、スイッ
チングデバイスのターンオン時に、前記検出手段の出力
が所定値以上になったときは、前記操作手段によりゲー
ト・エミッタ間容量を一定時間だけ大きくすることを特
徴としている。

【００１０】請求項３の発明では、IGBTを含む電圧駆
動形スイッチングデバイスのゲート駆動回路に、コレク
タ電流の時間微分相等値を検出する検出手段と、ゲート
・エミッタ間容量を変更する操作手段とを設け、スイッ
チングデバイスのターンオフ時に、前記検出手段の出力
が所定値以上になったときは、前記操作手段によりゲー
ト・エミッタ間容量を瞬時に大きくすることを特徴とし
ている。

【００１１】また、請求項４の発明では、IGBTを含む
電圧駆動形スイッチングデバイスのゲート駆動回路に、
コレクタ電流の時間微分相等値を検出する検出手段と、
ゲート・エミッタ間容量を変更する操作手段とを設け、
スイッチングデバイスのターンオフ時に、前記検出手段
の出力が所定値以上になったときは、前記操作手段によ
りゲート・エミッタ間容量を一定時間だけ大きくするこ
とを特徴としている。

【００１２】

【発明の実施の形態】この発明は、スイッチング時にお
ける物理量を検出する検出回路と、ゲート条件を変更す
る操作手段とを設け、検出回路からの出力が所定値以上
または以下になったとき、操作手段からの出力にもとづ
きゲート条件を２通りに制御するもので、この発明にお
いて検出する物理量と、操作するゲート条件と、制御方
法との関係を表２に示す。

【表２】

【００１３】以下、検出回路の具体例について説明す
る。（１）図１はこの発明に用いる検出回路の或る実施の形
態を示す回路図で、ターンオン時のコレクタ電流ｉ_cの
ｄｉ／ｄｔ検出回路を示す。１はメインＩＧＢＴおよび
ＦＷＤ、２はＩＧＢＴモジュール内に内蔵しているＩＧ
ＢＴ電流検出用のセンス抵抗である。そして、センス抵
抗２の両端の電圧、すなわちＩＧＢＴの電流値相当を微
分回路３に入力すると、その出力がｄｉ／ｄｔ相当とな
る。この値とｄｉ／ｄｔの指令値（ｄｉ／ｄｔ）^*とを
コンパレータ４により比較し、その比較結果をゲート条
件変更のための制御信号とする。なお、コンパレータと
しては、例えばＦＥＴのしきい値電圧を利用するもの等
を含むものとし、以下同様とする。図２に図１の変形例
を示す。これはコレクタ電流ｉ_cの微分相当量を、イン
ダクタンスＬａ（積極的に挿入されたもの、または配線
のインダクタンス分を利用）の両端電圧から検出する例
である。

【００１４】（２）ターンオフ時のコレクタ電流ｉ_cの
ｄｉ／ｄｔは、ターンオン時のそれと極性が異なるのみ
であることから、図１または図２の回路はターンオフ時
のコレクタ電流ｉ_cのｄｉ／ｄｔ検出回路として、同様
に用いることができる。このとき、ｄｉ／ｄｔの指令値
（ｄｉ／ｄｔ）^*の極性が反転しているので、コンパレ
ータ４としてはこれと微分回路３の出力とを比較するも
のとなる。

【００１５】（３）図３は検出回路の他の実施の形態を
示す回路図で、ターンオン時のコレクタ電流ｉ_cの検出
回路を示す。１はメインＩＧＢＴおよびＦＷＤ、２はＩ
ＧＢＴモジュール内に内蔵しているＩＧＢＴ電流検出用
のセンス抵抗である。そして、センス抵抗２の両端の電
圧、すなわちＩＧＢＴの電流値相当と電流指令値（ｉ_c
^*）とをコンパレータ４にて比較し、その比較結果をゲ
ート条件の制御信号とする。

【００１６】（４）図４は検出回路のさらに他の実施の
形態を示す回路図で、ターンオン時のコレクタ・エミッ
タ間電圧Ｖ_CEのｄｖ／ｄｔ検出回路を示す。１はメイン
ＩＧＢＴおよびＦＷＤ、５はメインＩＧＢＴのコレクタ
・エミッタ間電圧Ｖ_CEの検出部（抵抗分圧回路などから
構成する）である。そして、検出部５からの出力Ｖ_CEを
微分回路３に入力すれば、その出力からはｄｖ／ｄｔ相
当を得ることができるので、これをコンパレータ４にて
指令値（ｄｖ／ｄｔ）^*と比較し、その比較結果をゲー
ト条件の制御信号とする。（５）ターンオフ時のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEの
ｄｖ／ｄｔは、ターンオン時のそれと極性が異なるのみ
であることから、図４の回路はターンオフ時のｄｖ／ｄ
ｔ検出回路として、同様に用いることができる。このと
き、ｄｖ／ｄｔの指令値（ｄｖ／ｄｔ）^*の極性が反転
しているので、コンパレータ４としてはこれと微分回路
３の出力とを比較するものとなる。

【００１７】（６）図５は検出回路の別の実施の形態を
示す回路図で、ターンオン時のコレクタ・エミッタ間電
圧Ｖ_CEの検出回路を示す。１はメインＩＧＢＴおよびＦ
ＷＤ、５はメインＩＧＢＴのコレクタ・エミッタ間電圧
Ｖ_CEの検出部（抵抗分圧回路などから構成する）であ
る。そして、検出部５からの出力Ｖ_CEを、コンパレータ
４にてその指令値Ｖ_CE ^*と比較し、その比較結果をゲー
ト条件の制御信号とする。

【００１８】次に、ゲート条件を変更する操作回路につ
いて説明する。（イ）図６は操作回路の或る実施の形態を示す回路図
で、ゲート抵抗値を変化させる例である。スイッチ回路
６，７（ＩＧＢＴのターンオン時には６を、また、ター
ンオフ時には７を動作させる）を図１〜図５の出力であ
るゲート条件制御信号によってオン，オフさせること
で、ゲート抵抗値Ｒｇを変化させる。図６では、スイッ
チ回路６，７がオンの状態が通常の状態で、ゲート抵抗
値ＲｇとしてはＲ１とＲ２（Ｒ３とＲ４）の並列抵抗値
となる。そして、ＩＧＢＴのスイッチング時に、検出す
る物理量が設定値以上となって図１〜図５のコンパレー
タが動作したときスイッチ回路６または７がオフし、ゲ
ート抵抗値はＲ２（Ｒ４）となり、増加することにな
る。このとき、ＩＧＢＴのスイッチング特性、例えばｄ
ｉ／ｄｔは、スイッチ回路６，７がオンしている時に比
べて低くなるように動作する。

【００１９】（ロ）図７は操作回路の他の実施の形態を
示す回路図で、ゲート回路の電源電圧値を変化させる例
である。スイッチ回路８，９（ＩＧＢＴのターンオン時
には８を、また、ターンオフ時には９を動作させる）を
図１〜図５の出力であるゲート条件制御信号によってオ
ン，オフさせることで、ゲート電源電圧値を変化させ
る。図７では、スイッチ回路８，９がオンの状態が通常
の状態であり、ゲート電源電圧値はＶｇ１（Ｖｇ３）で
ある。このとき、ダイオードＤ１，Ｄ２は、Ｖｇ１＞Ｖ
ｇ３（Ｖｇ２＞Ｖｇ４）であることから、接続されてい
る。ＩＧＢＴのスイッチング時に、検出する物理量が設
定値以上となって図１〜図５のコンパレータが動作した
とき、スイッチ回路８または９がオフし、ゲート電源電
圧値はＶｇ２（Ｖｇ４）と減少することになる。このと
き、ＩＧＢＴのスイッチング特性、例えばｄｉ／ｄｔ
は、スイッチ回路８，９がオンしている時に比べて低く
なるように動作する。

【００２０】（ハ）図８は操作回路の別の実施の形態を
示す回路図で、ゲート電流値を変化させる例である。ス
イッチ回路１０，１１（ＩＧＢＴのターンオン時には１
０を、また、ターンオフ時には１１を動作させる）を図
１〜図５の出力であるゲート条件制御信号によってオ
ン，オフさせることで、ゲート電流値を変化させる。図
８（ａ）では、スイッチ回路１０，１１がオンの状態が
通常の状態であり、ゲート電流値としてはＩｇ１＋Ｉｇ
２（Ｉｇ３＋Ｉｇ４）である。ＩＧＢＴのスイッチング
時に、検出する物理量が設定値以上となって図１〜図５
のコンパレータが動作したとき、スイッチ回路１０また
は１１がオフし、ゲート電流はＩｇ２（Ｉｇ４）とな
る。このとき、ＩＧＢＴのスイッチング特性、例えばｄ
ｉ／ｄｔは、スイッチ回路８，９がオンしている時に比
べて低くなるように動作する。ただし、実際は電流源回
路と直列のスイッチ回路１０，１１をオフさせることは
できないので、図８（ｂ）に示すように定電流源回路自
体にスイッチＳＷを入れて電流値を小さくする（図８
（ｂ）では、ＳＷオフで電流値を小）。

【００２１】（ニ）図９は操作回路のさらに他の実施の
形態を示す回路図で、ゲート・エミッタ間容量を変化さ
せる例である。図９（ａ）はスイッチ回路１２を図１〜
図５の出力であるゲート条件制御信号によってオン（ま
たはオフ）させることで、コンデンサ１３をＩＧＢＴの
ゲート・エミッタ間に接続し、強制的にゲートの電位を
変化させる。同様に、図９（ｂ）はスイッチ回路１５を
図１〜図５の出力であるゲート条件制御信号によってオ
ン（またはオフ）させることで、コンデンサ１６をＩＧ
ＢＴのゲート・エミッタ間に接続し、強制的にゲートの
電位を変化させる。これらの場合、スイッチ回路１２
（１５）がオフしている状態が通常の状態であるが、Ｉ
ＧＢＴがオフしているときは制御回路１４によりコンデ
ンサ電圧を０Ｖまたはその近傍とし、また、オンしてい
るときは同様に制御回路１７により或る所定の電圧（ゲ
ートのしきい値電圧付近またはそれ以上）まで、充電し
ておくこととする。

【００２２】そして、・ターンオン時検出する物理量が設定値以上となり、図１〜図５のコン
パレータが動作したとき、スイッチ回路１２をオンさせ
ることで、その瞬間図９（ａ）のＶｇの電位はコンデン
サ１３により低下することとなる。・ターンオフ時検出する物理量が設定値以上となり、図１〜図５のコン
パレータが動作したとき、スイッチ回路１５をオンさせ
ることで、その瞬間図９（ｂ）のＶｇの電位はコンデン
サ１６により上昇することとなる。このとき、ＩＧＢＴ
のスイッチング特性、例えばｄｉ／ｄｔは、スイッチ回
路１２（１５）がオフしているときに比べて低くなるよ
うに動作する。

【００２３】（ホ）図１０は操作回路の別の実施の形態
を示す回路図で、ゲート・コレクタ間容量を変化させる
例である。図１０（ａ）はスイッチ回路１８を図１〜図
５の出力であるゲート条件制御信号によってオン（また
はオフ）させることで、コンデンサ１９をＩＧＢＴのゲ
ート・コレクタ間に接続し、強制的にゲートの電位を変
化させる。同様に、図１０（ｂ）はスイッチ回路２１を
図１〜図５の出力であるゲート条件制御信号によってオ
ン（またはオフ）させることで、コンデンサ２２をＩＧ
ＢＴのゲート・コレクタ間に接続し、強制的にゲートの
電位を変化させる。これらの場合、スイッチ回路１８
（２１）がオフしている状態が通常の状態であるが、Ｉ
ＧＢＴがオフしているときは制御回路２０によりコンデ
ンサ電圧を０Ｖまたはその近傍とし、また、オンしてい
るときは同様に制御回路２３により或る所定の電圧（ゲ
ートのしきい値電圧付近またはそれ以上）まで、充電し
ておくこととする。

【００２４】そして、・ターンオン時検出する物理量が設定値以上となり、図１〜図５のコン
パレータが動作したとき、スイッチ回路１８をオンさせ
ることで、その瞬間図１０（ａ）のＶｇの電位はコンデ
ンサ１９により低下することとなる。・ターンオフ時検出する物理量が設定値以上となり、図１〜図５のコン
パレータが動作したとき、スイッチ回路２１をオンさせ
ることで、その瞬間図１０（ｂ）のＶｇの電位はコンデ
ンサ２２により上昇することとなる。このとき、ＩＧＢ
Ｔのスイッチング特性、例えばｄｉ／ｄｔは、スイッチ
回路１８（２１）がオフしているときに比べて低くなる
ように動作する。

【００２５】次に、制御方法について説明する。（ａ）図１１に瞬時値制御を実施する例を示す。この回
路の場合、コンパレータの動作に従ってゲート条件制御
信号を動作させる（図１〜図５はこの例を示すものであ
る）。これにより、ＩＧＢＴは検出する物理量がしきい
値を越える度にゲート条件が変更され、駆動されること
になる。追従性が良いが振動が発生し易い。（ｂ）図１２に一定時間動作させる例（ワンショット回
路）を示す。同図の符号２４は単安定マルチバイブレー
タ回路で、コンパレータの立ち上がりまたは立ち下がり
で、或る設定された一定時間だけワンショットパルスが
出力される。これにより、ＩＧＢＴは検出する物理量が
しきい値を越えた瞬間から或る一定時間だけ、ゲート条
件が変更され、駆動されることになる。追従性では劣る
が安定である。

【００２６】以上では、操作手段からの出力にもとづき
ゲート条件を２通り、つまりディジタル的に制御するも
のであったが、その制御をアナログ的に行なうことも可
能である。図１３にかかる場合の例を示す。これは、メ
インのＩＧＢＴおよびＦＷＤ１に対し、検出回路３１お
よび調整回路３２を設けたものである。

【００２７】まず、検出回路の例を図１４に示す。図１
４（ａ）において、３１Ａは微分回路、３１Ｂは増幅器
であり、ＩＧＢＴモジュール内に内蔵されているＩＧＢ
Ｔ電流センス用の抵抗２の両端の電圧、すなわちＩＧＢ
Ｔの電流値相当を微分回路３１Ａに入力することによ
り、その出力からＩＧＢＴのコレクタ電流の時間微分相
当値を得るものである。なお、増幅器３１Ｂはゲート駆
動部とのレベル合わせを行なうもので、その出力信号が
検出信号ＤＴとなる。また、図１４（ｂ）は上記のよう
な微分回路を用いず、ＩＧＢＴ１と直列に接続されてい
るインダクタンス（積極的に接続したインダクタまたは
配線のインダクタンス分を利用する）Ｌａの両端の電圧
から、コレクタ電流の時間微分相当値を直接得るもので
ある。

【００２８】図１４のようにして得られた検出信号ＤＴ
は調整回路３２に入力されるが、この調整回路３２に
は、検出信号ＤＴの大きさに応じてＩＧＢＴ１のゲート
・エミッタ間に印加する電圧の調整を行なう回路が内蔵
されている。調整回路の具体例を図１５に示す。ここで
は、ＦＥＴ３３，抵抗３４およびダイオード３５の直列
回路を、ゲート駆動部の正側電源の正極とＩＧＢＴ１の
ゲート端子間に接続して構成される。こうすれば、ＦＥ
Ｔ３３が可変抵抗として作用することになり、検出信号
ＤＴの大きさに応じて、ＩＧＢＴ１のゲート・エミッタ
間に印加する電圧の調整が行なわれることになる。な
お、抵抗３４は必ずしも設ける必要はない。

【００２９】

【発明の効果】この発明によれば、ＩＧＢＴのターンオ
ン時には、ＦＷＤに印加されるｄｖ／ｄｔおよびスパイ
ク電圧が低減され、また、ターンオフ時にはＩＧＢＴに
印加されるスパイク電圧が低減されることとなり、その
結果、インバータなどの装置を構成する場合、従来に比
べて定格の小さいデバイスの使用が可能で、スナバ回路
が不要となり、装置の小型化，低コスト化さらには低ノ
イズ化が可能となるなどの利点が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明で用いる検出回路の或る実施の形態を
示す回路図である。

【図２】図１の変形例を示す回路図である。

【図３】検出回路の他の実施の形態を示す回路図であ
る。

【図４】検出回路のさらに他の実施の形態を示す回路図
である。

【図５】検出回路の別の実施の形態を示す回路図であ
る。

【図６】ゲート条件操作回路の或る実施の形態を示す回
路図である。

【図７】ゲート条件操作回路の他の実施の形態を示す回
路図である。

【図８】ゲート条件操作回路のさらに他の実施の形態を
示す回路図である。

【図９】ゲート条件操作回路の別の実施の形態を示す回
路図である。

【図１０】ゲート条件操作回路のさらに別の実施の形態
を示す回路図である。

【図１１】瞬時値制御回路の１例を示す回路図である。

【図１２】ワンショット制御回路の１例を示す回路図で
ある。

【図１３】この発明の別の実施の形態を示す構成図であ
る。

【図１４】図１３で用いられる検出回路の具体例を示す
構成図である。

【図１５】図１３で用いられる調整回路の具体例を示す
構成図である。

【図１６】ゲート駆動回路の従来例を示す構成図であ
る。

【図１７】インバータ装置の従来例を示す構成図であ
る。

【図１８】ＩＧＢＴ素子のターンオフ時の動作説明図で
ある。

【図１９】ＩＧＢＴ素子のターンオン時の動作説明図で
ある。

【符号の説明】

１…メインＩＧＢＴおよびＦＷＤ、２…センス抵抗、
３，３１Ａ…微分回路、４…コンパレータ、５…Ｖ_CEの
検出部、６，７，８，９，１０，１１，１２，１５，１
８，２１…スイッチ回路、１３，１６，１９，２２…コ
ンデンサ、１４，１７，２０，２３…制御回路、Ｄ１，
Ｄ２，３５…ダイオード、２４…単安定マルチバイブレ
ータ回路、３１…検出回路、３２…調整回路、３１Ｂ…
増幅器、３３…ＦＥＴ、３４…抵抗、３６，３７…電
源、Ｌａ…インダクタンス、ＤＴ…検出信号。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平６−276073（ＪＰ，Ａ) 特開平４−79758（ＪＰ，Ａ) 特開平10−32976（ＪＰ，Ａ) 特開平５−218836（ＪＰ，Ａ) 実開平６−24393（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H02M 1/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】 IGBTを含む電圧駆動形スイッチングデバ
イスのゲート駆動回路に、コレクタ電流の時間微分相等
値を検出する検出手段と、ゲート・エミッタ間容量を変
更する操作手段とを設け、スイッチングデバイスのターンオン時に、前記検出手段
の出力が所定値以上になったときは、前記操作手段によ
りゲート・エミッタ間容量を瞬時に大きくすることを特
徴とするゲート駆動回路。
【請求項２】 IGBTを含む電圧駆動形スイッチングデバ
イスのゲート駆動回路に、コレクタ電流の時間微分相等
値を検出する検出手段と、ゲート・エミッタ間容量を変
更する操作手段とを設け、スイッチングデバイスのターンオン時に、前記検出手段
の出力が所定値以上になったときは、前記操作手段によ
りゲート・エミッタ間容量を一定時間だけ大きくするこ
とを特徴とするゲート駆動回路。
【請求項３】 IGBTを含む電圧駆動形スイッチングデバ
イスのゲート駆動回路に、コレクタ電流の時間微分相等
値を検出する検出手段と、ゲート・エミッタ間容量を変
更する操作手段とを設け、スイッチングデバイスのターンオフ時に、前記検出手段
の出力が所定値以上になったときは、前記操作手段によ
りゲート・エミッタ間容量を瞬時に大きくすることを特
徴とするゲート駆動回路。
【請求項４】 IGBTを含む電圧駆動形スイッチングデバ
イスのゲート駆動回路に、コレクタ電流の時間微分相等
値を検出する検出手段と、ゲート・エミッタ間容量を変
更する操作手段とを設け、スイッチングデバイスのターンオフ時に、前記検出手段
の出力が所定値以上になったときは、前記操作手段によ
りゲート・エミッタ間容量を一定時間だけ大きくするこ
とを特徴とするゲート駆動回路。