JP2014082132A

JP2014082132A - 発光装置及びその製造方法

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Publication number: JP2014082132A
Application number: JP2012230150A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Hatano; 薫波多野; Takashi Hamada; 崇浜田; Kikuo Miyata; 樹久夫宮田; Hiromitsu Katsui; 宏充勝井; Shoji Okazaki; 庄治岡崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; Sharp Corp
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; Sharp Corp
Priority date: 2012-10-17
Filing date: 2012-10-17
Publication date: 2014-05-08
Anticipated expiration: 2032-10-17
Also published as: CN103779470A; CN103779470B; US20140103385A1; JP6204012B2; US9728693B2

Abstract

【課題】タンデム素子を有する発光装置のクロストーク現象の発生を抑制する。
【解決手段】絶縁層上に形成された下部電極１１８ａ，１１８ｂと、前記下部電極の相互間上に形成され、前記下部電極それぞれの端部上に位置するオーバーハング部１５０ａを有する隔壁１５０と、前記下部電極及び前記隔壁それぞれの上に形成された第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極１２２と、を具備し、前記下部電極それぞれと前記オーバーハング部との距離は、前記下部電極上に位置する前記第１の発光ユニット及び前記中間層の合計厚さより大きい発光装置である。
【選択図】図２

Description

本発明は、タンデム素子を有する発光装置及びその製造方法に関する。

有機ＥＬディスプレイの商品化が加速している。屋外での使用にも耐えられるよう、ディスプレイに求められる輝度は年々増加している。
一方、有機ＥＬ素子の発光輝度は電流に比例して大きくなることが知られており、高い輝度で発光させることが可能である。

しかし、大きな電流を流すと有機ＥＬ素子の劣化を早めてしまう。このため、少ない電流で高い輝度を得ることができれば、発光素子の寿命を延ばすことが可能である。そこで、少ない電流で高い輝度が得られる発光素子として、複数の発光ユニットが積層されたタンデム素子が提案されている（例えば特許文献１参照）。

なお、本明細書において、発光ユニットとは、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層または積層体をいう。

電極間に一の構成の発光ユニットがｎ個積層されたタンデム素子は、発光ユニットに一つの発光素子（シングル素子）の１／ｎの密度の電流を流すことによって、同等の発光を得ることができる。また、該タンデム素子は、同じ電流密度で、該シングル素子のｎ倍の輝度を実現できる。

隣接してタンデム素子が設けられた発光パネルにおいては、クロストーク現象の発生という課題がある。クロストーク現象とは、隣接するタンデム素子に一の導電性の高い層が設けられている場合、当該導電性の高い層を介して隣接するタンデム素子に電流がリークして発光してしまう現象である。

タンデム素子では、導電性の高い中間層を介して複数の層を積層しており、構造上導電性の高い層と導電性の低い層とを有する。また、タンデム素子では、駆動電圧を低下させるために、有機化合物と金属酸化物との混合材料や導電性高分子等を含む導電性の高いキャリア注入層を用いることが多い。また、タンデム素子はシングル素子と比較して陽極と陰極間の電気抵抗が高く、導電性の高い層を経由して隣接画素へ電流が広がりやすい。

図１２は、導電性の高い中間層８６によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図である。白色を呈する光を発するタンデム素子が３本のストライプ状に設けられた発光パネル（白色パネル）において、第２のタンデム素子（Ｂライン、青ライン）のみ駆動させた様子を示す断面図である。

発光パネルは、互いに隣接して配置された第１〜第３のタンデム素子を有している。第１のタンデム素子（Ｒライン、赤ライン）は、上部電極８１と第１の下部電極８２との間に配置されている。第２のタンデム素子は、上部電極８１と第２の下部電極８３との間に配置されている。第３のタンデム素子（Ｇライン、緑ライン）は、上部電極８１と第３の下部電極８４との間に配置されている。

第１〜第３のタンデム素子それぞれは、第１の発光ユニット８５、中間層８６及び第２の発光ユニット８７が順に積層されている。例えば、第１の発光ユニット８５は青色を呈する光を発する発光層を有し、第２の発光ユニット８７は緑色を呈する光を発する発光層及び赤色を呈する光を発する発光層を有する構成とすれば、各タンデム素子から、白色を呈する発光を得ることができる。

図１２では、透光性を有する上部電極を用い、上部電極上には対向ガラス基板８８が配置されている。対向ガラス基板８８は図示されていない青色カラーフィルタ、赤色カラーフィルタ及び緑色カラーフィルタを有している。赤色カラーフィルタは第１の下部電極８２に重ねられ、青色カラーフィルタは第２の下部電極８３に重ねられ、緑色カラーフィルタは第３の下部電極８４に重ねられている。

上記の発光パネルにおいて第２の下部電極８３と上部電極８１に電圧を印加して青ラインのみを駆動する際に、導電性の高い中間層８６を介して隣接する第１のタンデム素子または第３のタンデム素子に電流がリークし、赤ラインまたは緑ラインが発光してクロストーク現象が発生することがある。

図１３は、導電性の高いキャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）８９によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図であり、発光パネル（白色パネル）において青ラインのみ駆動させた様子を示す断面図である。

第１〜第３のタンデム素子それぞれは、導電性の高いキャリア注入層８９を含む第１の発光ユニット８５と、中間層８６と、第２の発光ユニット８７と、が順に積層されている。キャリア注入層８９としては例えば有機化合物と金属酸化物との混合材料や導電性高分子等を用いた導電性の高い層が挙げられる。

特開２００８−２３４８８５号公報

本発明の一態様は、タンデム素子を有する発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することを課題とする。
また、本発明の一態様は、タンデム素子を有していてもクロストーク現象の発生を抑制できる発光装置をプロセスマージン（プロセス条件の許容幅）が広い手法で作製することを課題とする。

本発明の一態様は、絶縁層上に形成された第１の電極及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間の上に形成され、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部上に位置するオーバーハング部を有する隔壁と、前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極それぞれの上に形成された第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、前記第２の発光ユニット上に形成された第３の電極と、を具備し、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれと前記オーバーハング部との距離は、前記第１の電極上に位置する前記第１の発光ユニット及び前記中間層の合計厚さより大きいことを特徴とする発光装置である。

上記の本発明の一態様によれば、第１の電極及び第２の電極それぞれと隔壁のオーバーハング部との距離を、第１の電極上に位置する第１の発光ユニット及び中間層の合計厚さより大きくすることにより、オーバーハング部において中間層を段切れさせることができる。従って、クロストーク現象の発生を抑制することができる。

また、本発明の一態様において、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれと前記オーバーハング部との距離は、前記第１の電極上に位置する前記第１の発光ユニット、前記中間層、前記第２の発光ユニット及び前記第３の電極の合計厚さ以下であるとよい。

本発明の一態様は、絶縁層上に形成された第１の電極及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間の上に形成され、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部上に位置するオーバーハング部を有する隔壁と、前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極それぞれの上に形成された第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、前記第２の発光ユニット上に形成された第３の電極と、を具備し、前記オーバーハング部において、前記第１の発光ユニット及び前記中間層が切れていることを特徴とする発光装置である。

また、本発明の一態様において、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部上と前記オーバーハング部との間にスペーサが形成されているとよい。

また、本発明の一態様において、前記隔壁は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に形成され、且つ前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部に接するように形成され、前記第１の電極と前記第２の電極は、前記隔壁によって電気的に分離されているとよい。

また、本発明の一態様において、前記スペーサは、前記第１の電極と前記第２の電極との間に形成され、且つ前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部に接するように形成され、前記第１の電極と前記第２の電極は、前記スペーサによって電気的に分離されているとよい。

また、本発明の一態様において、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれと前記オーバーハング部との間に空間が形成されているとよい。

また、本発明の一態様において、前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有すると駆動電圧を低下させられるためよい。本発明の一態様の発光装置では、オーバーハング部においてキャリア注入層を段切れさせることができる。従って、駆動電圧低下のためにキャリア注入層を設ける場合でも、クロストーク現象の発生を抑制することができる。

また、本発明の一態様において、前記第１の電極及び前記第２の電極の上に配置されたカラーフィルタを有し、前記カラーフィルタは、前記第１の電極と重なる第１の色と、前記第２の電極と重なる第２の色を有するとよい。

本発明の一態様は、絶縁層上に第１の電極及び第２の電極を形成し、前記絶縁層、前記第１の電極及び前記第２の電極の上に犠牲層を形成し、前記犠牲層を加工することにより、前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記犠牲層を除去し、且つ前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上に位置する前記犠牲層を残し、前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記絶縁層上、及び前記犠牲層上に隔壁を形成し、前記犠牲層をエッチングにより除去し、前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極の上に第１の発光ユニットを形成し、前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、前記第２の発光ユニット上に第３の電極を形成し、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上に位置する前記犠牲層の厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記中間層の表面までの高さより高いことを特徴とする発光装置の製造方法である。

本発明の一態様は、絶縁層上に電極層を形成し、前記電極層上に犠牲層を形成し、前記犠牲層及び前記電極層を加工することにより、前記絶縁層上に前記電極層からなる第１の電極及び第２の電極を形成し、且つ前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上に前記犠牲層を残し、前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記絶縁層上、及び前記犠牲層上に隔壁を形成し、前記犠牲層をエッチングにより除去し、前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極の上に第１の発光ユニットを形成し、前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、前記第２の発光ユニット上に第３の電極を形成し、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上に位置する前記犠牲層の厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記中間層の表面までの高さより高いことを特徴とする発光装置の製造方法である。

また、本発明の一態様において、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上に位置する前記犠牲層の厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記第３の電極の表面までの高さ以下とするとよい。

また、本発明の一態様において、前記犠牲層をエッチングにより除去する工程は、前記隔壁をマスクとして前記犠牲層をエッチングにより除去することにより、前記隔壁と前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれとの間に位置する前記犠牲層からなるスペーサを形成するとよい。

本発明の一態様は、絶縁層上に第１の電極及び第２の電極を形成し、前記絶縁層、前記第１の電極及び前記第２の電極の上に絶縁性の犠牲層を形成し、前記犠牲層を加工することにより、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上面中央部に位置する前記犠牲層を除去し、且つ前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記犠牲層を残し、且つ前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部上に位置する前記犠牲層を残し、前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記犠牲層上に隔壁を形成し、前記隔壁をマスクとして前記犠牲層をエッチングにより除去することで、前記隔壁と前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれとの間に位置する前記犠牲層からなるスペーサを形成し、前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極の上に第１の発光ユニットを形成し、前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、前記第２の発光ユニット上に第３の電極を形成し、前記スペーサの厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記中間層の表面までの高さより高いことを特徴とする発光装置の製造方法である。

本発明の一態様は、絶縁層上に第１の電極及び第２の電極を形成し、前記絶縁層、前記第１の電極及び前記第２の電極の上に絶縁性の犠牲層を形成し、前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記犠牲層上に隔壁を形成し、前記隔壁をマスクとして前記犠牲層をエッチングにより除去することで、前記隔壁と前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれとの間に位置する前記犠牲層からなるスペーサを形成し、前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極の上に第１の発光ユニットを形成し、前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、前記第２の発光ユニット上に第３の電極を形成し、前記スペーサの厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記中間層の表面までの高さより高いことを特徴とする発光装置の製造方法である。

また、本発明の一態様において、前記スペーサの厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記第３の電極の表面までの高さ以下とするとよい。

なお、本明細書中における発光装置は、発光素子を画素（または副画素）に備える表示装置を含むものとする。また、発光パネルは、発光素子を備える画素が隣接して設けられる表示パネルを含むものとする。なお、発光モジュールは発光素子を含んで構成され、発光素子は発光層を含む発光ユニットを備える。

本発明の一態様を適用することで、クロストーク現象の発生を抑制することができる。
また、本発明の一態様を適用することで、タンデム素子を有していてもクロストーク現象の発生を抑制できる発光装置をプロセスマージンが広い手法で作製することができる。

（Ａ）は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図、（Ｂ）は（Ａ）の切断線Ａ−ＢおよびＣ−Ｄにおける断面を含む構造の側面図。（Ａ１）（Ａ２）は画素の上面図、（Ｂ）は（Ａ１）の破線Ｍ１−Ｎ１間の断面図、（Ｃ）は（Ａ２）の破線Ｍ２−Ｎ２間の断面図、（Ｄ）は（Ａ２）の変形例を示す画素の上面図、（Ｅ）は（Ａ２）の変形例を示す画素の上面図。（Ａ）は図２（Ｂ）に示す隔壁、スペーサ、発光素子を拡大した断面図、（Ｂ）は図２（Ｃ）に示す隔壁、スペーサ、発光素子を拡大した断面図。（Ａ）（Ｂ）は図３（Ａ）の変形例を示す断面図。（Ａ）（Ｂ）（Ｅ）（Ｆ）は画素の上面図、（Ｃ）は、（Ａ）（Ｂ）の破線Ｍ３−Ｎ３間の断面図、（Ｄ）は（Ｅ）（Ｆ）の破線Ｍ４−Ｎ４間の断面図。（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は画素の上面図。（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の一態様に係る隔壁の製造方法を説明するための断面図。（Ａ）〜（Ｅ），（Ｂ'）は本発明の一態様に係る隔壁の製造方法を説明するための断面図。（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の一態様に係る隔壁の製造方法を説明するための断面図。（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一態様に係る隔壁の製造方法を説明するための断面図。（Ａ）は発光ユニットが２つ積層されたタンデム型の発光素子の構成を説明するための図、（Ｂ）は発光ユニットの具体的な構成の一例を示す図、（Ｃ）は発光ユニットが複数積層されたタンデム型の発光素子の構成を示す図。導電性の高い中間層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図。導電性の高いキャリア注入層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図。

以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
＜表示パネルの構成＞
本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を図１に示す。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ａ−ＢおよびＣ−Ｄにおける断面を含む構造の側面図である。

本実施の形態で例示して説明する表示パネル４００は、第１の基板４１０上に表示部４０１を有し、表示部４０１には画素４０２が複数設けられている。また、画素４０２には複数（例えば３つ）の副画素が設けられている（図１（Ａ）参照）。また、第１の基板４１０上には表示部４０１と共に当該表示部４０１を駆動するソース側の駆動回路部４０３ｓ、ゲート側の駆動回路部４０３ｇが設けられている。なお、駆動回路部を第１の基板４１０上ではなく外部に形成することもできる。

表示パネル４００は外部入力端子を備え、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。

シール材４０５は、第１の基板４１０と第２の基板（以下、「対向基板」ともいう。）１７０を貼り合わせ、その間に形成された空間４３１に表示部４０１が封止されている（図１（Ｂ）参照）。

表示パネル４００の断面を含む構造を図１（Ｂ）参照して説明する。表示パネル４００は、ソース側の駆動回路部４０３ｓと、画素４０２に含まれる副画素４０２Ｇと、引き回し配線４０８を備える。なお、本実施の形態で例示する表示パネル４００の表示部４０１は、図中に示す矢印の方向に光を射出して、画像を表示する。

ソース側の駆動回路部４０３ｓはｎチャネル型トランジスタ４１３と、ｐチャネル型トランジスタ４１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を含む。なお、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路またはＮＭＯＳ回路で構成しても良い。

引き回し配線４０８は外部入力端子から入力される信号をソース側の駆動回路部４０３ｓおよびゲート側の駆動回路部４０３ｇに伝送する。

副画素４０２Ｇは、スイッチング用のトランジスタ４１１と電流制御用のトランジスタ４１２と発光モジュール４５０Ｇとを有する。なお、トランジスタ４１１等の上には、絶縁層４１６と隔壁１５０とが形成されている。発光モジュール４５０Ｇは、第１の電極１１８ａ（以下、「下部電極１１８ａ」ともいう。）と、第３の電極１２２（以下、「上部電極１２２」ともいう。）と、下部電極１１８ａ及び上部電極１２２の間に有機層１２０とを備える発光素子１３０ａを有し、発光素子１３０ａが発する光を射出する上部電極１２２側にカラーフィルタ１７１が設けられている。なお、表示部４０１が画像を表示する方向は、発光素子１３０ａが発する光が取り出される方向により決定される。

なお、発光素子１３０ａにおいて、下部電極１１８ａ又は上部電極１２２の少なくとも一方が有機層１２０の発光を透過すれば良い。例えば、図１（Ｂ）では、上部電極１２２が有機層１２０の発光を透過する構成を示す。

また、カラーフィルタ１７１を囲むように遮光性の膜（以下、「ブラックマトリクス」ともいう。）１７２が形成されている。ブラックマトリクス１７２は表示パネル４００が外光を反射する現象を防ぐ膜であり、表示部４０１が表示する画像のコントラストを高める効果を奏する。なお、カラーフィルタ１７１とブラックマトリクス１７２は、対向基板１７０に形成されている。

絶縁層４１６は、トランジスタ４１１等の構造に由来して生じる段差を平坦化、または、トランジスタ４１１等への不純物の拡散を抑制するための、絶縁性の層であり、単一の層であっても複数の層の積層体であってもよい。隔壁１５０は開口部を有する絶縁性の層であり、発光素子１３０ａは隔壁１５０の開口部に形成される。

＜トランジスタの構成＞
図１（Ａ）に例示する表示パネル４００には、トップゲート型のトランジスタが適用されているがこれに限られず、ボトムゲート型のトランジスタも適用することができる。ソース側の駆動回路部４０３ｓ、ゲート側の駆動回路部４０３ｇ並びに副画素にはさまざまな構造のトランジスタを適用できる。また、これらのトランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。酸化物半導体の一例としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体を挙げることができ、ＩｎとＺｎを含む酸化物半導体が好ましい。また、ガリウム（Ｇａ）またはスズ（Ｓｎ）から選ばれた一種または複数を含む酸化物半導体が特に好ましい。

トランジスタのチャネルが形成される領域に単結晶半導体を用いると、トランジスタサイズを微細化することが可能となるため、表示部において画素をさらに高精細化することができる。

半導体層を構成する単結晶半導体としては、単結晶シリコン基板などの半導体基板の他、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。

＜画素の構成＞
表示部４０１に設けられた画素４０２の構成について、図２（Ａ１），（Ｂ）及び図３（Ａ）を参照して説明する。

図２は、隔壁１５０、スペーサ１５５、発光部１６０Ｒ，１６０Ｇ，１６０Ｂの位置関係の一例について示している。図２（Ａ１）は画素４０２の上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ１）の破線Ｍ１−Ｎ１間の断面図の一例である。図３（Ａ）は図２（Ｂ）に示す隔壁、スペーサ、発光素子１３０ｂを拡大した断面図の一例である。なお、図２（Ａ１）では、有機層１２０、上部電極１２２、オーバーコート層１７３、カラーフィルタ１７１、ブラックマトリクス１７２、及び対向基板１７０の図示を省略している。

本実施の形態で例示する画素４０２は、赤色を呈する光Ｒを射出する副画素４０２Ｒ、緑色を呈する光Ｇを射出する副画素４０２Ｇ、青色を呈する光Ｂを射出する副画素４０２Ｂを有する。副画素４０２Ｒは赤色発光部１６０Ｒを有し、副画素４０２Ｇは緑色発光部１６０Ｇを有し、副画素４０２Ｂは青色発光部１６０Ｂを有する。赤色発光部１６０Ｒ、緑色発光部１６０Ｇ、及び青色発光部１６０Ｂそれぞれは隔壁１５０の開口部に位置している（図２（Ａ１）参照）。

各色の発光部１６０Ｒ，１６０Ｇ，１６０Ｂは、下部電極、有機層、上部電極からなる発光素子を含む。例えば、緑色発光部１６０Ｇは、下部電極１１８ａ、有機層１２０、上部電極１２２からなる発光素子１３０ａを含み、青色発光部１６０Ｂは、第２の電極１１８ｂ（以下、「下部電極１１８ｂ」ともいう。）、有機層１２０、上部電極１２２からなる発光素子１３０ｂを含む（図２（Ｂ）参照）。有機層１２０は第１の発光ユニット１４１、中間層１４２、及び第２の発光ユニット１４３を含む（図３（Ａ）参照）。また、対向基板１７０上には、発光部と重なる位置に設けられたカラーフィルタ１７１と、隔壁と重なる位置に設けられたブラックマトリクス１７２と、カラーフィルタ１７１及びブラックマトリクス１７２を覆うオーバーコート層１７３が形成されている（図２（Ｂ）参照）。オーバーコート層１７３は必要で無ければ設けなくても良い。

各色の発光部１６０Ｒ，１６０Ｇ，１６０Ｂは、下部電極と、上部電極１２２と、第１の発光ユニット１４１、中間層１４２、及び第２の発光ユニット１４３を含む有機層１２０と、を有する発光素子を備える。中間層１４２の導電性は第１の発光ユニット１４１よりも高い。

また、副画素４０２Ｇは、駆動用トランジスタと発光モジュール４５０Ｇとを備える。他の副画素４０２Ｒ，４０２Ｂも副画素４０２Ｇと同様の構成である。発光モジュールは、それぞれ下部電極と、上部電極１２２と、下部電極及び上部電極１２２の間に位置する有機層１２０と、を備える発光素子を有する（図１（Ｂ）参照）。

発光素子の構成としては、下部電極及び上部電極１２２の間に、第１の発光ユニット１４１と中間層１４２と第２の発光ユニット１４３を含む有機層１２０を備える。

なお、発光素子において、下部電極又は上部電極１２２の少なくとも一方が有機層１２０の発光を透過すれば良い。例えば、下部電極１１８ａ，１１８ｂに反射膜を用い、上部電極１２２に半透過・半反射膜を用いても良い。反射膜と半透過・半反射膜を重ねて微小共振器を構成し、その間に有機層１２０を設けると、半透過・半反射膜（上部電極１２２）側から特定の波長の光を効率良く取り出せる。取り出す光の波長は、反射膜と半透過・半反射膜の間の距離に依存し、その距離は、反射膜と半透過・半反射膜の間に光学調整層を形成して調整できる。

光学調整層に用いることができる材料としては、可視光に対して透光性を有する導電膜の他、発光性の有機化合物を含む層を適用できる。例えば、電荷発生領域の厚さを調整することにより、電荷発生領域が光学調整層を兼ねる構成としてもよい。または、正孔輸送性の高い物質と、該正孔輸送性の高い物質に対してアクセプター性の物質と、を含む領域（混合材料層）の厚さを調整することにより、当該混合材料層が光学調整層を兼ねる構成としても良く、この構成を用いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。

なお、発光素子の構成例については、実施の形態２で詳細に説明する。

本実施の形態で例示する発光モジュール４５０Ｇは、それぞれの発光モジュールに設けられた発光素子の上部電極１２２が、半透過・半反射膜を兼ねる構成となっている。詳細には、それぞれの発光素子に共通して設けられた上部電極１２２が、それぞれの発光モジュールの半透過・半反射膜を兼ねる。

また、それぞれの発光モジュールには、発光素子の下部電極が電気的に独立して設けられており、下部電極は、発光モジュールの反射膜を兼ねる構成となっている。

発光モジュールそれぞれの反射膜を兼ねる下部電極は、反射膜上に光学調整層が積層された構成を有する。光学調整層は可視光に対する透光性を有する導電膜で形成され、反射膜は可視光に対する反射率が高く、導電性を有する金属膜が好ましい。

光学調整層の厚さは、発光モジュールから取り出す光の波長の長さに応じて調整する。以下に詳細に説明する。

例えば、発光モジュール（青色）を、青色を呈する光を透過するカラーフィルタと、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長の光を強め合うように光学距離を調整された反射膜を兼ねる下部電極と半透過・半反射膜を兼ねる上部電極を備える構成とする。

また、発光モジュール４５０Ｇを、緑色を呈する光を透過するカラーフィルタと、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長の光を強め合うように光学距離を調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える構成とする。

また、発光モジュール（赤色）を、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタと、６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長の光を強め合うように光学距離を調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える構成とする。

このような構成の発光モジュールは、反射膜と半透過・半反射膜の間で発光素子が発する光が干渉し合い、４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光のうち特定の光が強め合い、さらにカラーフィルタが不要な光を吸収する。

なお、それぞれの発光モジュールは、いずれも第１の発光ユニット１４１と中間層１４２と第２の発光ユニット１４３を有する有機層１２０を含む。また、発光素子それぞれの一対の電極（下部電極と上部電極）の一方が反射膜を兼ね、他方が半透過・半反射膜を兼ねている。

このような構成の発光モジュールは、発光ユニットを同一の工程で形成できる。

＜隔壁の構成＞
隔壁１５０は、画素４０２の周囲、副画素４０２Ｂ,４０２Ｇ,４０２Ｒの周囲及び発光部１６０Ｒ，１６０Ｇ，１６０Ｂの周囲に形成されている（図２（Ａ１）参照）。

隔壁１５０は下部電極１１８ａ，１１８ｂの相互間及び下部電極１１８ａ，１１８ｂの端部上に形成されている。隔壁１５０は下部電極１１８ａ，１１８ｂの端部上に位置するオーバーハング部１５０ａを有しており、下部電極１１８ａ，１１８ｂの端部上と隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａとの間にスペーサ１５５が形成されている。スペーサ１５５は隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａを下部電極１１８ａ，１１８ｂの上面より高く位置させる役割を果たす。隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａはスペーサ１５５から迫り出した形状であるとよく、オーバーハング部１５０ａと下部電極１１８ａ，１１８ｂとの間には空間１５６が形成されることが好ましい。隔壁１５０の材料としては、ポジ型やネガ型の感光性樹脂を用いることができる（図２（Ｂ）参照）。スペーサ１５５は導電性材料でもよいし、絶縁性材料でもよい。

図３（Ａ）に示すように、スペーサ１５５の高さＬ１（即ち下部電極１１８ｂと隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａとの距離）は、第１の発光ユニット１４１及び中間層１４２の合計膜厚Ａ１より大きく、有機層１２０及び上部電極１２２の合計膜厚Ａ２以下である。これにより、隔壁のオーバーハング部１５０ａにおいて第１の発光ユニット１４１及び導電性の高い中間層１４２を段切れさせ、且つ上部電極１２２を段切れさせないようにすることができる。なお、スペーサ１５５の高さＬ１及び膜厚Ａ１，Ａ２は、各層の表面から、下部電極の被形成面又は基板の表面に対して引いた垂線上の値である。

ここで、スペーサ１５５を設けることで、上部電極１２２の膜厚が薄い領域が生じると、上部電極１２２の抵抗に起因した電位降下による発光不良から、表示の輝度ムラ等の不具合が生じる場合がある。したがって、図４（Ａ）に示すように、第２の発光ユニット１４３を段切れさせないことで、上部電極１２２が段切れしないだけでなく、上部電極１２２の薄膜化を抑制することが好ましい。

なお、図３（Ａ）や図４（Ａ）では、下部電極１１８ｂと隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａとの間にスペーサ１５５を配置しているが、図４（Ｂ）に示すように、スペーサ１５５を除去し、下部電極１１８ｂと隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａとの間に空間１５６を形成した構成としてもよい。

また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の例は、下記のとおりである。
第１の発光ユニット１４１の膜厚：約７５ｎｍ（３０ｎｍ〜２００ｎｍ）
中間層１４２の厚さ：約３０ｎｍ（１ｎｍ〜１００ｎｍ）
第２の発光ユニット１４３の膜厚：約９０ｎｍ（３０ｎｍ〜２００ｎｍ）
上部電極１２２の膜厚：約８５ｎｍ（５ｎｍ〜２００ｎｍ）

隔壁のオーバーハング部１５０ａの形状は、上部電極１２２の段切れを防ぐために順テーパ形状であることが好ましい。また、隔壁１５０の厚みが厚すぎると上部電極１２２の抵抗が高くなるので、１０μｍ以下であることが好ましい。

スペーサ１５５の形状は、図２（Ｂ）に示す形状に限定されるものではなく、図２（Ｃ）に示す形状にしてもよい。この場合の平面図を図２（Ａ２）に例示する。図２（Ｃ）に示すスペーサ１５５は下部電極１１８ａ，１１８ｂの相互間及び下部電極１１８ａ，１１８ｂの端部上に形成されており、スペーサ１５５上に隔壁１５０が形成されている。隔壁１５０は下部電極１１８ａ，１１８ｂの端部上に位置するオーバーハング部１５０ａを有しており、下部電極１１８ａ，１１８ｂの端部上と隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａとの間にスペーサ１５５が配置されている。スペーサ１５５の役割は図２（Ｂ）に示すスペーサ１５５と同様であり、隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａはスペーサ１５５から迫り出した形状であるとよい。図２（Ｃ）に示すスペーサ１５５は、絶縁性材料で形成され、隣接する発光部の下部電極１１８ａ，１１８ｂを電気的に分離している。

図３（Ｂ）に示すように、スペーサ１５５の高さＬ１（即ち下部電極１１８ｂと隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａとの間隔）と、第１の発光ユニット１４１及び中間層１４２の合計膜厚Ａ１と、有機層１２０及び上部電極１２２の合計膜厚Ａ２の関係は、図３（Ａ）に示すものと同様であり、同様の作用効果を奏する。また、図３（Ｂ）に示す第１の発光ユニット１４１の膜厚、中間層１４２の厚さ、第２の発光ユニット１４３の膜厚、上部電極１２２は、図３（Ａ）と同様のものを用いることができる。

スペーサ１５５の配置は、図２（Ａ１）（Ａ２）に示す配置に限定されるものではなく、図２（Ｄ）又は図２（Ｅ）に示す配置にしてもよい。図２（Ｄ）及び図２（Ｅ）におけるスペーサ１５５は図２（Ｃ）に示す形状であるが、図２（Ｂ）の形状を適用してもよい。図２（Ａ１），（Ｄ）に示すスペーサ１５５では、隣接し異なる色を呈する発光部間に設けられ、隣接し同じ色を呈する発光部間には設けられていない。また、図２（Ｅ）に示すスペーサ１５５では、隣接する全ての発光部間に設けられている。つまり、スペーサ１５５は、少なくとも隣接し異なる色を呈する発光部間に設けられていれば良い。これにより、隣接し異なる色を呈する発光部間に位置する隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａにおいて第１の発光ユニット１４１及び中間層１４２を段切れさせることができる。

図２（Ｅ）に示すスペーサ１５５の配置の利点は、下部電極１１８ａ，１１８ｂとスペーサ１５５を同一のマスクで形成することができ、発光装置の作製に要するマスク数が増えないことにある。

また、スペーサ１５５は、隣接し異なる色を呈する発光部全ての間に設けられている必要は無く、一部の隣接し異なる色を呈する発光部間にのみ設けても良い。図５（Ａ）では、青色を呈する光を射出する副画素４０２Ｂと、緑色を呈する光を射出する副画素４０２Ｇの間のみにスペーサ１５５が設けられている例を示す（図２（Ｂ）の断面図参照）。また、図５（Ｂ）では、さらに、青色を呈する光を射出する副画素４０２Ｂと、赤色を呈する光を射出する副画素４０２Ｒの間にもスペーサ１５５が設けられている例を示す（つまり、赤色を呈する光を射出する副画素４０２Ｒと、緑色を呈する光を射出する副画素４０２Ｇの間にはスペーサ１５５が設けられていない）。なお、図５（Ａ）（Ｂ）において、スペーサ１５５が設けられていない赤色を呈する光を射出する副画素４０２Ｒと、緑色を呈する光を射出する副画素４０２Ｇの間の断面図を図５（Ｃ）に示す。

また、図５（Ｅ）（Ｆ）に示すように、隣接し異なる色を呈する発光部間の、一方の下部電極（ここでは下部電極１１８ｂ）の端部上にのみスペーサ１５５が設けられていても良い（図５（Ｄ）の断面図参照）。

また、スペーサ１５５は、隣接し同じ色を呈する発光部間に設けられていても良い。図６（Ａ）（Ｃ）では、隣接し青色を呈する光を射出する副画素４０２Ｂ間にスペーサ１５５が設けられている例を示し、図６（Ｂ）（Ｄ）では、隣接し緑色を呈する光を射出する副画素４０２Ｇ間及び隣接し赤色を呈する光を射出する副画素４０２Ｒ間にスペーサ１５５が設けられている例を示す。また、隣接し同じ色を呈する発光部全ての間にスペーサ１５５を設けても良い。

スペーサ１５５が設けられることで、上部電極１２２は少なからず薄膜化する領域を有し、該領域は抵抗が高くなる。上部電極１２２全体の抵抗が高くなり、輝度ムラ等の不具合が生じる恐れがある。したがって、スペーサ１５５のレイアウトを適宜選択することで、クロストークの抑制及び上部電極の抵抗上昇の抑制のいずれも実現することができる。

例えば、最もクロストークが起こりやすい発光部間にのみスペーサ１５５を設けることが好ましい。例えば、青色発光部１６０Ｂから赤色発光部１６０Ｒ又は緑色発光部１６０Ｇにクロストークが起こりやすい場合は、青色発光部１６０Ｂと赤色発光部１６０Ｒの間や、青色発光部１６０Ｂと緑色発光部１６０Ｇの間にスペーサ１５５を設ければ良い。

なお、図２（Ｂ），（Ｃ）, 図５（Ｃ）では、隣接する発光部間の有機層１２０は切れており、上部電極１２２は切れていない場合を一例として示している。
また、図２（Ｄ），（Ｅ）では、有機層１２０、上部電極１２２、オーバーコート層１７３、カラーフィルタ１７１、ブラックマトリクス１７２、及び対向基板１７０の図示を省略しており、隔壁１５０の開口部が、発光部（赤色発光部１６０Ｒ、緑色発光部１６０Ｇ、又は青色発光部１６０Ｂ）に相当する。

本実施の形態によれば、隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａにおいて第１の発光ユニット１４１を段切れさせることにより、第１の発光ユニット１４１に含まれる導電性の高い層（例えばキャリア注入層等）についても段切れさせることができる。このため、その導電性の高い層は導電性が損なわれて流れる電流が抑制され、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制することができる。

また、隔壁１５０のオーバーハング部１５０ａにおいて中間層１４２を段切れさせることにより、中間層１４２は導電性が損なわれて流れる電流が抑制され、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制することができる。

また、上部電極１２２を段切れさせないようにすることにより、隣接する画素において、上部電極１２２の電位が等しくなり、上部電極１２２が面状に等電位、好ましくは上部電極１２２の全体が等電位となり、電圧降下を抑制できる等の効果がある。

また、隔壁１５０に可視光を吸収する材料を適用することが好ましい。発光素子中を導波する光が隔壁１５０を通過して隣接する画素から射出することによる色度の視野角依存や悪化等を抑制できる。

＜封止構造＞
本実施の形態で例示する表示パネル４００は、第１の基板４１０、第２の基板１７０、およびシール材４０５で囲まれた空間４３１に、発光素子を封止する構造を備える（図１参照）。

空間４３１は、不活性気体（窒素やアルゴン等）で充填される場合の他、樹脂で充填される場合もある。また、不純物（代表的には水および／または酸素）の吸着材（例えば、乾燥剤など）を空間４３１に導入しても良い。

シール材４０５および第２の基板１７０は、大気中の不純物（代表的には水および／または酸素）をできるだけ透過しない材料であることが望ましい。シール材４０５にはエポキシ系樹脂や、ガラスフリット等を用いることができる。

第２の基板１７０に用いることができる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板や、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）等をその例に挙げることができる。

＜隔壁の製造方法＞
［第１の製造方法：下部電極と異なるフォトマスクで犠牲層形成］
図７（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の一態様に係る隔壁の製造方法を説明するための断面図である。

まず、図７（Ａ）に示すように、ガラス基板１０１上に絶縁膜（図示せず）を形成し、この絶縁膜上に配線１０２及びＴＦＴ（図示せず）を形成する。次いで、配線１０２及びＴＦＴの上に平坦化膜としての絶縁層１０３を形成する。次に、絶縁層１０３をエッチング加工することにより、配線１０２上に位置する接続孔１０３ａを絶縁層１０３に形成する。次に、接続孔１０３ａ内及び絶縁層１０３の上に電極層を形成し、この電極層をエッチング加工することにより、接続孔１０３ａ内及び絶縁層１０３上に下部電極１１８ａ，１１８ｂを形成する。

次に、図７（Ｂ）に示すように、下部電極１１８ａ，１１８ｂ及び絶縁層１０３の上に犠牲層を形成し、この犠牲層上にフォトマスク膜（図示せず）を形成する。第１の製造方法で形成する犠牲層は、導電体であっても、絶縁体であっても、半導体であっても良い。次いで、このフォトマスク膜をマスクとして犠牲層をエッチング加工することにより、下部電極１１８ａ，１１８ｂの相互間に位置する犠牲層を除去し、且つ下部電極１１８ａ，１１８ｂ上に位置する犠牲層１５５ａを残す。この残された犠牲層１５５ａは、下部電極１１８ａ，１１８ｂの平面形状と略同一の平面形状を有する。次いで、上記のフォトマスク膜を剥離する。なお、フォトマスク膜は、フォトリソグラフィ技術によって作製されたマスク膜である。

なお、感光性の樹脂を用いて犠牲層を形成する場合は、フォトリソグラフィ技術によって図７（Ｂ）に示す犠牲層１５５ａ（パターニングされた犠牲層）を形成することができる。したがって、犠牲層上に別途フォトマスク膜を形成する必要がなく、工程数を削減でき好ましい。

次に、図７（Ｃ）に示すように、下部電極１１８ａ，１１８ｂの相互間に位置する絶縁層１０３上、及び犠牲層１５５ａ上に隔壁１５０を形成する。この隔壁１５０は、下部電極１１８ａ，１１８ｂ及び犠牲層１５５ａそれぞれのエッジをカバーし、且つ下部電極１１８ａ，１１８ｂ上に迫り出したオーバーハング形状を有している。隣り合う下部電極１１８ａ，１１８ｂは隔壁１５０によって電気的に分離されている。

次に、図７（Ｄ）に示すように、隔壁１５０をマスクとして犠牲層１５５ａをエッチングにより除去する。これにより、隔壁１５０のオーバーハング形状の部分の下には犠牲層１５５ａからなるスペーサ１５５が形成される。この際、エッチング時間によってエッチング量を制御することにより、隔壁１５０のオーバーハング形状の部分がスペーサ１５５から迫り出した形状となるように犠牲層１５５ａを後退させてもよいし（図７（Ｅ）参照）、犠牲層１５５ａをすべて除去してもよい。

スペーサ１５５を作製する際、隔壁１５０をマスクにエッチングすることにより、セルフアライメントが可能となり、本製造方法を高精細パネルに適用することができる。

なお、下部電極１１８ａ，１１８ｂ、導電性の犠牲層１５５ａ、エッチャント及び隔壁１５０それぞれに採用できる材料の組み合わせの例を以下に示す。

＜例１＞
下部電極：銀、銀−マグネシウム合金、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物；Indium Tin Oxide）またはインジウムに酸化亜鉛を混合した金属酸化物
導電性の犠牲層：ＡｌまたはＡｌ合金
エッチャント：フォトレジスト現像液（ＴＭＡＨ：Tetramethyl ammonium hydroxideなどのアルカリ金属）
隔壁：アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂、またはノボラック系樹脂など

＜例２＞
下部電極：ＩＴＯまたはＴｉ酸化物など
導電性の犠牲層：インジウム亜鉛酸化物
エッチャント：蓚酸エッチャント
隔壁：アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂、またはノボラック系樹脂など

＜例３＞
下部電極：ＩＴＯまたはＴｉ酸化物など
絶縁性の犠牲層：ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール樹脂など
エッチング：Ｏ_２アッシング
隔壁：シロキサン樹脂、ＳｉＯ_２等

この後、下部電極１１８ｂ及び隔壁１５０の上に蒸着法により第１の発光ユニット１４１を形成し、第１の発光ユニット１４１上に蒸着法により中間層１４２を形成する。次いで、中間層１４２上に蒸着法により第２の発光ユニット１４３を形成し、第２の発光ユニット１４３上に上部電極１２２を形成する。ここで、下部電極１１８ｂそれぞれの上に位置するスペーサ１５５の厚さは、下部電極１１８ｂそれぞれの表面から中間層１４２の表面までの高さより高く、且つ下部電極１１８ｂそれぞれの表面から上部電極１２２の表面までの高さ以下とする（図３（Ａ）参照）。

次に、隔壁１５０上に位置する上部電極１２２と近接または接するカラーフィルタ１７１を配置し、シール材（図示せず）によって発光素子を不活性気体または樹脂等によって封止する。カラーフィルタ１７１は、例えば、一方の下部電極１１８ｂと重なる青色のカラーフィルタと、他方の下部電極１１８ａと重なる緑色のカラーフィルタを有し、青色のカラーフィルタと緑色のカラーフィルタの間にはブラックマトリクス１７２が形成されている（図２（Ｂ）参照）。

図７に示す第１の製造方法では、隔壁１５０を形成する前に、犠牲層１５５ａをエッチングによりパターニングしているため、犠牲層１５５ａからなるスペーサ１５５を任意の場所に形成することができる。従って、例えば図２（Ａ１），（Ｄ）に示すように、スペーサ１５５を、隣接し異なる色を呈する発光部間に設け、隣接し同じ色を呈する発光部間には設けないようにすることができる。これにより、色の異なる方向に対しては、中間層１４２を切断し、色が同じ方向に対しては中間層１４２を切断しないストライプ構造を採ることで、上部電極１２２の段切れによる点灯不良の発生確率を下げることができる。

また、スペーサ１５５を任意の場所に形成する他の例としては、発光部のコーナー部のみスペーサ１５５を非形成とするなど、クロストーク防止をどの程度重視するかによって中間層の切断箇所は任意に選定できる。

［第２の製造方法：下部電極と同じフォトマスクで犠牲層形成］
図８（Ａ）〜（Ｅ），（Ｂ'）は、本発明の一態様に係る隔壁の製造方法を説明するための断面図である。

図８（Ａ）に示す配線１０２上に位置する接続孔１０３ａを絶縁層１０３に形成する工程までは図７に示す製造方法と同様である。次に、接続孔１０３ａ内及び絶縁層１０３の上に電極層１１８を形成し、この電極層１１８上に犠牲層１５５ａを形成する。第２の製造方法で形成する犠牲層１５５ａは、導電体であっても、絶縁体であっても、半導体であっても良い。

次いで、図８（Ｂ）に示すように、この犠牲層１５５ａ上にフォトマスク膜１４５を形成し、このフォトマスク膜１４５をマスクとして犠牲層１５５ａ及び電極層１１８をエッチング加工する。これにより、図８（Ｃ）に示すように、接続孔１０３ａ内及び絶縁層１０３上に下部電極（反射電極）１１８ａ，１１８ｂが形成され、下部電極１１８ａ，１１８ｂ上に犠牲層１５５ａが残される。次いで、上記のフォトマスク膜を剥離する。

なお、感光性の樹脂を用いて犠牲層を形成する場合は、フォトリソグラフィ技術によって図８（Ｂ'）に示す犠牲層１５５ａ（パターニングされた犠牲層）を形成し、犠牲層１５５ａをマスクとして電極層１１８をエッチング加工することができる。したがって、犠牲層上に別途フォトマスク膜を形成する必要がなく、工程数を削減でき好ましい。

次に、図８（Ｄ）に示すように、下部電極１１８ａ，１１８ｂの相互間に位置する絶縁層１０３上、及び犠牲層１５５ａ上に隔壁１５０を形成する。この隔壁１５０は、下部電極１１８ａ，１１８ｂ及び犠牲層１５５ａそれぞれのエッジをカバーし、且つ下部電極１１８ａ，１１８ｂ上に迫り出したオーバーハング形状を有している。隣り合う下部電極１１８ａ，１１８ｂは隔壁１５０によって電気的に分離されている。

次に、図８（Ｅ）に示すように、隔壁１５０をマスクとして犠牲層１５５ａをエッチングにより除去する。これにより、隔壁１５０のオーバーハング形状の部分の下には犠牲層１５５ａからなるスペーサ１５５が形成される。この際、エッチング時間によってエッチング量を制御することにより、隔壁１５０のオーバーハング形状の部分がスペーサ１５５から迫り出した形状となるように犠牲層１５５ａを後退させてもよいし、犠牲層１５５ａをすべて除去してもよい。

なお、第２の製造方法では、下部電極１１８ａ，１１８ｂ、犠牲層１５５ａ、エッチャント及び隔壁１５０それぞれに採用できる材料の組み合わせは、図７に示す第１の製造方法の例１及び例２と同様のものを用いることができる。

また、他の材料の組み合わせの例を以下に示す。

＜例４＞
下部電極：ＩＴＯまたはインジウム亜鉛酸化物
絶縁性の犠牲層：フォトレジスト・アクリル系樹脂などの比較的酸素プラズマに弱い樹脂
隔壁：ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂などの比較的酸素プラズマに強い樹脂
エッチング：酸素プラズマによるドライエッチング

例４のように、隔壁と犠牲層に感光性樹脂を用いた場合は、隔壁及び犠牲層を一括で露光し、隔壁及び犠牲層を現像し、隔壁をマスクとして酸素プラズマにより犠牲層を隔壁よりも後退させるとよい。

＜例５＞
下部電極：ＩＴＯまたはインジウム亜鉛酸化物
絶縁性の犠牲層：ＳｉＮｘまたはＳｉＯ_２など
エッチング：フッ素プラズマによるドライエッチング
隔壁：アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂、またはノボラック系樹脂など

例５のように、犠牲層に無機材料（ＣＶＤによるＳｉＮｘ）などを利用したとしても、エッチングガスのうち酸素を少なく、フッ素系ガスの比率を大きくするなど、ガス種の選定によっては、隔壁に対して犠牲層を選択的に後退させることが可能である。

この後の工程は、前述した図７（Ｅ）の工程の後の工程と同様であるので説明を省略する。

また、図８に示す第２の製造方法では、下部電極と同じフォトマスクで犠牲層を形成しているため、画素の上面図は、図２（Ｅ）に示す構成となる。したがって、隣接し異なる色を呈する発光部間だけでなく、隣接し同じ色を呈する発光部間でもクロストークが抑制できる。また、作製に要するマスク数を減らすことができる。

［第３の製造方法：下部電極と異なるフォトマスクで絶縁性の犠牲層形成］
図９（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の一態様に係る隔壁の製造方法を説明するための断面図である。

図９（Ａ）の工程は、図７（Ａ）の工程と同様であるので説明を省略する。

次に、図９（Ｂ）に示すように、下部電極１１８ａ，１１８ｂ及び絶縁層１０３の上に絶縁性の犠牲層を形成し、この犠牲層上にフォトマスク膜（図示せず）を形成する。次いで、このフォトマスク膜をマスクとして犠牲層をドライエッチングすることにより、下部電極１１８ａ，１１８ｂの上面中央部に位置する犠牲層を除去し、且つ下部電極１１８ａ，１１８ｂの相互間及び端部上に位置する犠牲層１５５ａを残す。次いで、上記のフォトマスク膜を剥離する。なお、図９（Ｂ）では、隣り合う下部電極１１８ａ，１１８ｂを跨ぐように犠牲層１５５ａを残しているが、隣り合う下部電極１１８ａ，１１８ｂの間を切り離すように犠牲層を残してもよい。

次に、図９（Ｃ）に示すように、犠牲層１５５ａ上に隔壁１５０を形成する。この隔壁１５０は、下部電極１１８ａ，１１８ｂ上に迫り出したオーバーハング形状を有している。隣り合う下部電極１１８ａ，１１８ｂは犠牲層１５５ａによって電気的に分離されている。

次に、図９（Ｄ）に示すように、隔壁１５０をマスクとして犠牲層１５５ａをドライエッチングにより除去する。これにより、隔壁１５０のオーバーハング形状の部分の下には犠牲層１５５ａからなるスペーサ１５５が形成される。この際、エッチング時間によってウエットエッチング量を制御することにより、隔壁１５０のオーバーハング形状の部分がスペーサ１５５から迫り出した形状となるように犠牲層１５５ａを後退させてもよい（図９（Ｅ）参照）。

なお、下部電極１１８ａ，１１８ｂ、絶縁性の犠牲層１５５ａ、エッチング及び隔壁１５０それぞれに採用できる材料の組み合わせは、図７に示す第１の製造方法の例３、図８に示す第２の製造方法の例４及び例５と同様のものを用いることができる。

また、図９に示す第３の製造方法においても、隔壁１５０を形成する前に、犠牲層１５５ａをエッチングによりパターニングしているため、犠牲層１５５ａからなるスペーサ１５５を任意の場所に形成することができる。これにより、図７に示す第１の製造方法と同様の作用効果を得ることができる。

［第４の製造方法：下部電極と異なるフォトマスクで絶縁性の犠牲層形成］
図１０（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一態様に係る隔壁の製造方法を説明するための断面図である。

図７（Ａ）と同様の工程を行った後に、下部電極１１８ａ，１１８ｂ及び絶縁層１０３の上に絶縁性の犠牲層１５５ａを形成する（図１０（Ａ）参照）。

次に、図１０（Ｂ）に示すように、犠牲層１５５ａ上に隔壁１５０を形成する。この隔壁１５０は、下部電極１１８ａ，１１８ｂ上に迫り出したオーバーハング形状を有している。隣り合う下部電極１１８ａ，１１８ｂは犠牲層１５５ａによって電気的に分離されている。

次に、図１０（Ｃ）に示すように、隔壁１５０をマスクとして犠牲層１５５ａをドライエッチングにより除去する。これにより、隔壁１５０のオーバーハング形状の部分の下には犠牲層１５５ａからなるスペーサ１５５が形成される。この際、エッチング時間によってウエットエッチング量を制御することにより、隔壁１５０のオーバーハング形状の部分がスペーサ１５５から迫り出した形状となるように犠牲層１５５ａを後退させてもよい。

なお、下部電極１１８ａ，１１８ｂ、絶縁性の犠牲層１５５ａ、エッチング及び隔壁１５０それぞれに採用できる材料の組み合わせは、図９に示す第３の製造方法と同様のものを用いることができる。

（実施の形態２）
本発明の一態様の発光モジュールに用いることができる発光素子の構成について図１１を参照しつつ説明する。

本実施の形態で例示する発光素子は、下部電極、上部電極、及び下部電極と上部電極の間に有機層を備える。下部電極または上部電極のいずれか一方は陽極、他方は陰極として機能する。有機層は下部電極と上部電極の間に設けられ、該有機層の構成は下部電極と上部電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。

＜発光素子の構成例＞
発光素子の構成の一例を図１１（Ａ）に示す。図１１（Ａ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に発光ユニット１１０３ａと発光ユニット１１０３ｂを含む遊機層が設けられている。さらに、発光ユニット１１０３ａと、発光ユニット１１０３ｂとの間には中間層１１０４が設けられている。

陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、有機層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。注入された電子と正孔は有機層において再結合し、有機層に含まれる発光物質が発光する。

陽極１１０１と陰極１１０２の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図１１（Ｃ）に例示する発光素子は、発光ユニット１１０３が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層の発光ユニット１１０３を設ける場合には、ｍ番目の発光ユニットと、（ｍ＋１）番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層１１０４を設ける構成とする。

発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。特に、陽極に接して設けられる正孔注入性の高い物質を含む層および陰極に接して設けられる電子注入性の高い物質を含む層は、電極から発光ユニットへのキャリアの注入に係る障壁を低減する。これらの層はキャリア注入層ということができる。

発光ユニット１１０３の具体的な構成の一例を図１１（Ｂ）に示す。図１１（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、電子輸送層１１１６、並びに電子注入層１１１７が陽極１１０１側からこの順に積層されている。

中間層１１０４の具体的な構成の一例を図１１（Ａ）に示す。中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第１の電荷発生領域１１０４ｃ、電子リレー層１１０４ｂ、及び電子注入バッファ層１１０４ａが陰極１１０２側から順次積層された構造を適用することができる。

中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光ユニット１１０３ｂへ移動し、電子は電子リレー層１１０４ｂへ移動する。

電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域１１０４ｃで生じた電子を電子注入バッファ層１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入バッファ層１１０４ａは発光ユニット１１０３ａに電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニット１１０３ａへの電子注入効率を高める。従って、第１の電荷発生領域１１０４ｃで発生した電子は、電子リレー層１１０４ｂと電子注入バッファ層１１０４ａを経て、発光ユニット１１０３ａの最低空軌道準位（以下、「ＬＵＭＯ準位」という。）に注入される。

また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子注入バッファ層１１０４ａを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしまう等の相互作用を防ぐことができる。

陰極側に設けられた発光ユニット１１０３ｂに注入された正孔は、陰極１１０２から注入された電子と再結合し、当該発光ユニット１１０３ｂに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニット１１０３ａに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニット１１０３ａに含まれる発光物質が発光する。よって、中間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。

なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。

なお、陰極とｎ番目の発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。

＜発光素子に用いることができる材料＞
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、有機層、電荷発生領域、電子リレー層並びに電子注入バッファ層の順に説明する。

＜陽極に用いることができる材料＞
陽極１１０１は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。

この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。

但し、陽極１１０１と接して第２の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができる。具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第２の電荷発生領域を構成する材料については、第１の電荷発生領域と共に後述する。

＜陰極に用いることができる材料＞
陰極１１０２は、仕事関数の小さい（具体的には４．０ｅＶ未満）材料が好ましいが、陰極１１０２に接して第１の電荷発生領域を、発光ユニット１１０３との間に設ける場合、陰極１１０２は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。

なお、陰極１１０２および陽極１１０１のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。

＜有機層に用いることができる材料＞
上述した発光ユニット１１０３を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。

＜正孔注入層＞
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

なお、正孔注入層の代わりに第２の電荷発生領域を用いてもよい。第２の電荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができるのは前述の通りである。第２の電荷発生領域を構成する材料については第１の電荷発生領域と共に後述する。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

＜発光層＞
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。

発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。

＜電子輸送層＞
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

＜電子注入層＞
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで陰極１１０２からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

電子注入性の高い物質としては、例えばリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの化合物が挙げられる。また電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることもできる。

＜電荷発生領域に用いることができる材料＞
第１の電荷発生領域１１０４ｃ、及び第２の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、陰極に接して設けられる第１の電荷発生領域が積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極１１０２と接する構造となる。陽極に接して設けられる第２の電荷発生領域が積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が陽極１１０１と接する構造となる。

なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。

電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物、特に元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物が好ましい。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。

また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマーを含む）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

＜電子リレー層に用いることができる材料＞
電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１１０４ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。

電子リレー層１１０４ｂに用いる物質としては、例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層１１０４ｂに用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフッ素などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層１１０４ｂにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。

＜電子注入バッファ層に用いることができる材料＞
電子注入バッファ層１１０４ａは、第１の電荷発生領域１１０４ｃから発光ユニット１１０３ａへの電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファ層１１０４ａを第１の電荷発生領域１１０４ｃと発光ユニット１１０３ａの間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。

電子注入バッファ層１１０４ａには、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファ層１１０４ａが、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した発光ユニット１１０３の一部に形成することができる電子輸送層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。

＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法の一態様について説明する。下部電極上にこれらの層を適宜組み合わせて有機層を形成する。有機層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を用いることができ、例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。有機層上に上部電極を形成し、発光素子を作製する。

以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製することができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は発光物質の種類を変えることにより選択できる。

また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも２つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈する光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。

さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるものが好ましく、例えば、一つの発光素子が青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

１１８ａ第１の電極（下部電極）
１１８ｂ第２の電極（下部電極）
１２０有機層
１２２第３の電極（上部電極）
１３０ａ発光素子
１３０ｂ発光素子
１４１第１の発光ユニット
１４２中間層
１４３第２の発光ユニット
１５０隔壁
１５０ａオーバーハング部
１５５スペーサ
１５５ａ犠牲層
１５６空間
１６０Ｒ赤色発光部
１６０Ｇ緑色発光部
１６０Ｂ青色発光部
１７０第２の基板（対向基板）
１７１カラーフィルタ
１７２ブラックマトリクス
１７３オーバーコート層
４００表示パネル
４０１表示部
４０２画素
４０２Ｂ青色を呈する光を射出する副画素
４０２Ｇ緑色を呈する光を射出する副画素
４０２Ｒ赤を呈する光を射出する副画素
４０３ｇゲート側の駆動回路部
４０３ｓソース側の駆動回路部
４０５シール材
４０８引き回し配線
４０９ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０第１の基板
４１１スイッチング用のトランジスタ
４１２電流制御用のトランジスタ
４１６絶縁層
４５０Ｇ発光モジュール

Claims

絶縁層上に形成された第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間の上に形成され、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部上に位置するオーバーハング部を有する隔壁と、
前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極それぞれの上に形成された第１の発光ユニットと、
前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、
前記第２の発光ユニット上に形成された第３の電極と、
を具備し、
前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれと前記オーバーハング部との距離は、前記第１の電極上に位置する前記第１の発光ユニット及び前記中間層の合計厚さより大きいことを特徴とする発光装置。
請求項１において、
前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれと前記オーバーハング部との距離は、前記第１の電極上に位置する前記第１の発光ユニット、前記中間層、前記第２の発光ユニット及び前記第３の電極の合計厚さ以下であることを特徴とする発光装置。
絶縁層上に形成された第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間の上に形成され、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部上に位置するオーバーハング部を有する隔壁と、
前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極それぞれの上に形成された第１の発光ユニットと、
前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、
前記第２の発光ユニット上に形成された第３の電極と、
を具備し、
前記オーバーハング部において、前記第１の発光ユニット及び前記中間層が切れていることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部上と前記オーバーハング部との間にスペーサが形成されていることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記隔壁は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に形成され、且つ前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部に接するように形成され、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記隔壁によって電気的に分離されていることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記スペーサは、前記第１の電極と前記第２の電極との間に形成され、且つ前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部に接するように形成され、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記スペーサによって電気的に分離されていることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれと前記オーバーハング部との間に空間が形成されていることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有することを特徴とする発光装置。
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第１の電極及び前記第２の電極の上に配置されたカラーフィルタを有し、
前記カラーフィルタは、前記第１の電極と重なる第１の色と、前記第２の電極と重なる第２の色を有することを特徴とする発光装置。
絶縁層上に第１の電極及び第２の電極を形成し、
前記絶縁層、前記第１の電極及び前記第２の電極の上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層を加工することにより、前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記犠牲層を除去し、且つ前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上に位置する前記犠牲層を残し、
前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記絶縁層上、及び前記犠牲層上に隔壁を形成し、
前記犠牲層をエッチングにより除去し、
前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極の上に第１の発光ユニットを形成し、
前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、
前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、
前記第２の発光ユニット上に第３の電極を形成し、
前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上に位置する前記犠牲層の厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記中間層の表面までの高さより高いことを特徴とする発光装置の製造方法。
絶縁層上に電極層を形成し、
前記電極層上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層及び前記電極層を加工することにより、前記絶縁層上に前記電極層からなる第１の電極及び第２の電極を形成し、且つ前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上に前記犠牲層を残し、
前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記絶縁層上、及び前記犠牲層上に隔壁を形成し、
前記犠牲層をエッチングにより除去し、
前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極の上に第１の発光ユニットを形成し、
前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、
前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、
前記第２の発光ユニット上に第３の電極を形成し、
前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上に位置する前記犠牲層の厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記中間層の表面までの高さより高いことを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項１０または１１において、
前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上に位置する前記犠牲層の厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記第３の電極の表面までの高さ以下とすることを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項１０乃至１２のいずれか一項において、
前記犠牲層をエッチングにより除去する工程は、前記隔壁をマスクとして前記犠牲層をエッチングにより除去することにより、前記隔壁と前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれとの間に位置する前記犠牲層からなるスペーサを形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
絶縁層上に第１の電極及び第２の電極を形成し、
前記絶縁層、前記第１の電極及び前記第２の電極の上に絶縁性の犠牲層を形成し、
前記犠牲層を加工することにより、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの上面中央部に位置する前記犠牲層を除去し、且つ前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記犠牲層を残し、且つ前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの端部上に位置する前記犠牲層を残し、
前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記犠牲層上に隔壁を形成し、
前記隔壁をマスクとして前記犠牲層をエッチングにより除去することで、前記隔壁と前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれとの間に位置する前記犠牲層からなるスペーサを形成し、
前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極の上に第１の発光ユニットを形成し、
前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、
前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、
前記第２の発光ユニット上に第３の電極を形成し、
前記スペーサの厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記中間層の表面までの高さより高いことを特徴とする発光装置の製造方法。
絶縁層上に第１の電極及び第２の電極を形成し、
前記絶縁層、前記第１の電極及び前記第２の電極の上に絶縁性の犠牲層を形成し、
前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置する前記犠牲層上に隔壁を形成し、
前記隔壁をマスクとして前記犠牲層をエッチングにより除去することで、前記隔壁と前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれとの間に位置する前記犠牲層からなるスペーサを形成し、
前記第１の電極、前記隔壁及び前記第２の電極の上に第１の発光ユニットを形成し、
前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、
前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、
前記第２の発光ユニット上に第３の電極を形成し、
前記スペーサの厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記中間層の表面までの高さより高いことを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項１４または１５において、
前記スペーサの厚さは、前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれの表面から前記第３の電極の表面までの高さ以下とすることを特徴とする発光装置の製造方法。