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CN107068718B - Woled显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种WOLED显示装置,包括基板、及多个WOLED器件;所述基板包括多个阵列排布的像素区域;所述多个WOLED器件包括阳极层、空穴注入层、及多层发光层,其中,相邻两层发光层之间设有一层电荷产生层;所述空穴注入层和/或至少一层电荷产生层对应所述多个像素区域设置,在对应相邻两像素区域之间的上方断开,本发明通过在WOLED显示装置的物理结构上做出改进,使得在像素间距小和驱动电压高时,空穴注入层与电荷产生层也不具有横向导通的特性,进而可有效避免漏光现象的发生。

Description

WOLED显示装置
技术领域
本发明涉及平面显示器领域,尤其涉及一种WOLED显示装置。
背景技术
主动矩阵平面显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。其中,有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示技术是一种极具发展前景的平板显示技术,它具有十分优异的显示性能,特别是自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性,被誉为“梦幻显示器”,再加上其生产设备投资远小于薄膜晶体管型液晶显示屏(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay,TFT-LCD),得到了各大显示器厂家的青睐,已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜,随着研究的进一步深入,新技术的不断涌现,OLED显示器件必将有一个突破性的发展。
为实现OLED显示器的全彩化,一种方式是通过红绿蓝(RGB)子像素分别发光的并列式(side-by-side)结构来实现,另一种方式是通过白色有机发光二极管(White OrganicLight Emitting Diode,WOLED)和彩色滤光(Color Filter,CF)层叠加的串联型(tandemWOLED+CF)结构来实现;在WOLED中,两个或多个发光层通过电荷产生层(chargegeneration layer,CGL)相连,发出白光,经过CF层过滤后得到RGB单色光,因发光层叠加,故称作串联型结构。由于WOLED与CF层叠加结构不需要精准的掩膜工艺,就可以实现OLED显示器的高分辨率,目前是应用较为广泛的一种。
近年来,显示技术不断向着高解析度的方向发展:从2K面板发展到现在的主流4K面板,将来继续向着8K面板的方向发展,为保证一定的开口率和亮度,这就要求显示面板中子像素的间距越来越小,单个像素的驱动电压逐渐升高。而像素间距减小和驱动电压的升高则导致WOLED显示面板会出现被驱动的发光子像素旁边未被驱动的子像素也微弱发光的现象,即漏光现象。而漏光现象的产生,会降低显示器的色域,并导致显示质量的下降。
在WOLED器件中,有两层材料可能导致漏光现象,一是空穴注入层(Holeinjection layer,HIL)材料,二是电荷产生层材料,如图1-2所示,现有的WOLED器件包括由下至上依次形成的阳极(Anode)层10、空穴注入层11、第一空穴传输层(Hole transportlayer,HTL)12、第一发光层(Emitting layer,EML)13、第一电子传输层(Electrontransport layer,ETL)14、电荷产生层15、第二空穴传输层16、第二发光层17、第二电子传输层18、及阴极(Cathode)层19;其中,阳极层10的图案对应显示面板的子像素设置,而其他层均为整面结构,并因为空穴注入层11与电荷产生层15的材料都具有一定的横向电荷传导的性能,这就为电荷的横向传导提供了可能性,从而在一定的条件下导致漏光的发生,如图1所示,对于像素间距比较大,驱动电压较低的情况,电荷基本上都是纵向传导的,不存在漏光;如图2所示,对于像素间距较小,驱动电压较高的情况,少量电荷在空穴注入层11与电荷产生层15中可能横向传导到相邻的子像素,使得其也被驱动而微弱发光。
发明内容
本发明的目的在于提供一种WOLED显示装置,在像素间距小和驱动电压高时,也能够有效避免漏光现象的发生。
为实现上述目的,本发明提供一种WOLED显示装置,包括基板、及设于所述基板上的多个WOLED器件;
所述基板包括多个阵列排布的像素区域;
所述多个WOLED器件包括阳极层、设于阳极层上的空穴注入层、及多层发光层,其中,相邻两层发光层之间设有一层电荷产生层,所述空穴注入层与所述阳极层相接触;
所述空穴注入层和/或至少一层电荷产生层对应所述多个像素区域设置,在对应相邻两像素区域之间的上方断开。
所述多个WOLED器件还包括多层空穴传输层、多层电子传输层、及阴极层。
所述空穴注入层、及电荷产生层均覆盖所述多个像素区域。
所述发光层、空穴传输层、电子传输层、及阴极层均为覆盖所述多个像素区域的整面结构。
所述空穴注入层和/或至少一层电荷产生层通过采用精细掩模板对应所述多个像素区域蒸镀形成,该精细掩模板具有与所述多个像素区域一一对应并具有相同形状的多个像素开口。
所述多个WOLED器件包括两层发光层,该两层发光层分别为第一发光层和第二发光层;
所述多个WOLED器件包括两层空穴传输层,该两层空穴传输层分别为第一空穴传输层和第二空穴传输层;
所述多个WOLED器件包括两层电子传输层,该两层电子传输层分别为第一电子传输层和第二电子传输层;
所述多个WOLED器件中,所述空穴注入层设于所述阳极层上,所述第一空穴传输层设于所述空穴注入层上,所述第一发光层设于所述第一空穴传输层上,所述第一电子传输层设于所述第一发光层上,所述电荷产生层设于所述第一电子传输层上,所述第二空穴传输层设于所述电荷产生层上,所述第二发光层设于所述第二空穴传输层上,所述第二电子传输层设于所述第二发光层上,所述阴极层设于所述第二电子传输层上。
所述空穴注入层和所述电荷产生层均对应所述多个像素区域设置,均在对应相邻两像素区域之间的上方断开。
所述空穴注入层对应所述多个像素区域设置,在对应相邻两像素区域之间的上方断开;
所述电荷产生层为整面结构。
所述电荷产生层对应所述多个像素区域设置,在对应相邻两像素区域之间的上方断开;
所述空穴注入层为整面结构。
本发明的有益效果:本发明提供的一种WOLED显示装置,包括基板、及多个WOLED器件;所述基板包括多个阵列排布的像素区域;所述多个WOLED器件包括阳极层、空穴注入层、及多层发光层,其中,相邻两层发光层之间设有一层电荷产生层;所述空穴注入层和/或至少一层电荷产生层对应所述多个像素区域设置,在对应相邻两像素区域之间的上方断开,本发明通过在WOLED显示装置的物理结构上做出改进,使得在像素间距小和驱动电压高时,空穴注入层与电荷产生层也不具有横向导通的特性,进而可有效避免漏光现象的发生。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中,
图1为现有技术中对于像素间距比较大、驱动电压较低的WOLED显示装置WOLED器件不产生漏光的示意图;
图2为现有技术中对于像素间距比较小、驱动电压较高的WOLED显示装置WOLED器件产生漏光的示意图;
图3为本发明的WOLED显示装置的第一实施例中WOLED器件的结构示意图;
图4为本发明的WOLED显示装置的第二实施例中WOLED器件的结构示意图;
图5为本发明的WOLED显示装置的第三实施例中WOLED器件的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3,为本发明的WOLED显示装置的第一实施例中WOLED器件的结构示意图,如图3所示,本发明的WOLED显示装置的第一实施例包括基板100、及设于所述基板100上的多个WOLED器件200;
所述基板100包括多个阵列排布的像素区域101;
所述多个WOLED器件200包括阳极层210、设于阳极层210上的空穴注入层220、及设于空穴注入层220上方的多层发光层250,其中,相邻两层发光层250之间设有一层电荷产生层260,即所述多个WOLED器件200中包括N+1个发光层250则其中设有N个电荷产生层260;
所述空穴注入层220与所述阳极层210相接触;
所述空穴注入层220和/或至少一层电荷产生层260对应所述多个像素区域101设置,在对应相邻两像素区域101之间的上方断开。
具体地,所述多个WOLED器件200还包括与发光层250对应的多层空穴传输层230和多层电子传输层270、及设于最顶层的阴极层290。
具体地,所述空穴注入层220、及电荷产生层260均覆盖所述多个像素区域101。
具体地,所述发光层250、空穴传输层230、电子传输层270、及阴极层290均为覆盖所述多个像素区域101的整面结构,从而均可以采用开放式掩模板(Open mask)经整面蒸镀形成。
具体地,所述空穴注入层220和/或至少一层电荷产生层260通过采用精细掩模板对应所述多个像素区域101蒸镀形成在对应相邻两像素区域101之间的上方断开,该精细掩模板具有与所述多个像素区域101一一对应并具有相同形状的多个像素开口。
具体地,在本实施例中,所述多个WOLED器件200包括两层发光层250、两层空穴传输层230、及两层电子传输层270,该两层发光层250分别为第一发光层251和第二发光层252,即所述多个WOLED器件200中设有一层电荷产生层260;该两层空穴传输层230分别为第一空穴传输层231和第二空穴传输层232;该两层电子传输层270分别为第一电子传输层271和第二电子传输层272。
具体地,所述多个WOLED器件200中,所述空穴注入层220设于所述阳极层210上,所述第一空穴传输层231设于所述空穴注入层220上,所述第一发光层251设于所述第一空穴传输层231上,所述第一电子传输层271设于所述第一发光层251上,所述电荷产生层260设于所述第一电子传输层271上,所述第二空穴传输层232设于所述电荷产生层260上,所述第二发光层252设于所述第二空穴传输层232上,所述第二电子传输层272设于所述第二发光层252上,所述阴极层290设于所述第二电子传输层272上。
具体地,所述空穴注入层220和所述电荷产生层260均对应所述多个像素区域101设置的,均在对应相邻两像素区域101之间的上方断开。当然,本发明中,当所述电荷产生层260为多层时,其可以均在对应相邻两像素区域101之间的上方断开,或其中的一层或几层在对应相邻两像素区域101之间的上方断开。
上述WOLED显示装置,在WOLED显示装置的物理结构上做出改进,通过将空穴注入层和/或至少一层电荷产生层在对应相邻两像素区域之间的上方断开,使得在像素间距小和驱动电压高时,空穴注入层与电荷产生层也不具有横向导通的特性,进而可有效避免漏光现象的发生,解决因漏光而产生的显示装置色域下降的问题,提升产品的显示品质。
请参阅图4,为本发明的WOLED显示装置的第二实施例中WOLED器件的结构示意图,本实施例与上述第一实施例相比,所述空穴注入层220对应所述多个像素区域101设置,在对应相邻两像素区域101之间的上方断开;而所述电荷产生层260为整面结构,其余均与第一实施例相同,在此不赘述。
请参阅图5,为本发明的WOLED显示装置的第三实施例中WOLED器件的结构示意图,本实施例与上述第一实施例相比,所述电荷产生层260对应所述多个像素区域101设置,在对应相邻两像素区域101之间的上方断开;而所述空穴注入层220为整面结构,其余均与第一实施例相同,在此不赘述。
综上所述,本发明提供的一种WOLED显示装置,包括基板、及多个WOLED器件;所述基板包括多个阵列排布的像素区域;所述多个WOLED器件包括阳极层、空穴注入层、及多层发光层,其中,相邻两层发光层之间设有一层电荷产生层;所述空穴注入层和/或至少一层电荷产生层对应所述多个像素区域设置,在对应相邻两像素区域之间的上方断开,本发明通过在WOLED显示装置的物理结构上做出改进,使得在像素间距小和驱动电压高时,空穴注入层与电荷产生层也不具有横向导通的特性,进而可有效避免漏光现象的发生。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种WOLED显示装置,其特征在于,包括基板(100)、及设于所述基板(100)上的多个WOLED器件(200);
所述基板(100)包括多个阵列排布的像素区域(101);
所述多个WOLED器件(200)包括阳极层(210)、设于阳极层(210)上的空穴注入层(220)、及多层发光层(250),其中,相邻两层发光层(250)之间设有一层电荷产生层(260),所述空穴注入层(220)与所述阳极层(210)相接触;
所述空穴注入层(220)和/或至少一层电荷产生层(260)对应所述多个像素区域(101)设置,在对应相邻两像素区域(101)之间的上方断开;
所述空穴注入层(220)和/或至少一层电荷产生层(260)通过采用精细掩模板对应所述多个像素区域(101)蒸镀形成,该精细掩模板具有与所述多个像素区域(101)一一对应并具有相同形状的多个像素开口;
所述发光层(250)为覆盖所述多个像素区域(101)的整面结构。
2.如权利要求1所述的WOLED显示装置,其特征在于,所述多个WOLED器件(200)还包括多层空穴传输层(230)、多层电子传输层(270)、及阴极层(290)。
3.如权利要求1所述的WOLED显示装置,其特征在于,所述空穴注入层(220)、及电荷产生层(260)均覆盖所述多个像素区域(101)。
4.如权利要求2所述的WOLED显示装置,其特征在于,所述空穴传输层(230)、电子传输层(270)、及阴极层(290)均为覆盖所述多个像素区域(101)的整面结构。
5.如权利要求2所述的WOLED显示装置,其特征在于,所述多个WOLED器件(200)包括两层发光层(250),该两层发光层(250)分别为第一发光层(251)和第二发光层(252);
所述多个WOLED器件(200)包括两层空穴传输层(230),该两层空穴传输层(230)分别为第一空穴传输层(231)和第二空穴传输层(232);
所述多个WOLED器件(200)包括两层电子传输层(270),该两层电子传输层(270)分别为第一电子传输层(271)和第二电子传输层(272);
所述第一空穴传输层(231)设于所述空穴注入层(220)上,所述第一发光层(251)设于所述空穴传输层(231)上,所述第一电子传输层(271)设于所述第一发光层(251)上,所述电荷产生层(260)设于所述第一电子传输层(271)上,所述第二空穴传输层(232)设于所述电荷产生层(260)上,所述第二发光层(252)设于所述第二空穴传输层(232)上,所述第二电子传输层(272)设于所述第二发光层(252)上,所述阴极层(290)设于所述第二电子传输层(272)上。
6.如权利要求5所述的WOLED显示装置,其特征在于,所述空穴注入层(220)和所述电荷产生层(260)均对应所述多个像素区域(101)设置,均在对应相邻两像素区域(101)之间的上方断开。
7.如权利要求5所述的WOLED显示装置,其特征在于,所述空穴注入层(220)对应所述多个像素区域(101)设置,在对应相邻两像素区域(101)之间的上方断开;
所述电荷产生层(260)为整面结构。
8.如权利要求5所述的WOLED显示装置,其特征在于,所述电荷产生层(260)对应所述多个像素区域(101)设置,在对应相邻两像素区域(101)之间的上方断开;
所述空穴注入层(220)为整面结构。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110164907A (zh) * 2018-03-15 2019-08-23 上海视涯信息科技有限公司 一种微型有机发光显示装置及其形成方法
TWI676311B (zh) 2018-05-17 2019-11-01 友達光電股份有限公司 電激發光元件及其形成方法
JP2020161577A (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111834552A (zh) * 2019-04-23 2020-10-27 上海和辉光电有限公司 显示面板、有机发光组件及其制作方法
CN113972256A (zh) * 2021-10-26 2022-01-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN114582946B (zh) * 2022-03-03 2025-06-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及电子设备
CN115915851A (zh) * 2022-10-26 2023-04-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
US20250098403A1 (en) * 2023-03-29 2025-03-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, preparation method thereof and display apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102723442A (zh) * 2011-03-30 2012-10-10 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
US9577221B2 (en) * 2012-09-26 2017-02-21 Universal Display Corporation Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime
JP6204012B2 (ja) * 2012-10-17 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN102931361A (zh) * 2012-11-19 2013-02-13 友达光电股份有限公司 一种用于提升有机发光二极管的色饱和度的方法
TWI527211B (zh) * 2012-12-28 2016-03-21 Lg顯示器股份有限公司 有機發光顯示裝置及其製造方法
CN103268921B (zh) * 2012-12-31 2016-04-20 上海天马微电子有限公司 制造woled的方法、woled及显示设备
KR20150141338A (ko) * 2014-06-10 2015-12-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106449701A (zh) * 2016-09-19 2017-02-22 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种oled面板及其制作方法
CN106449726B (zh) * 2016-12-27 2019-04-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种oled显示装置及其制作方法

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