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KR101308466B1 - 유기전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기전계발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR101308466B1
KR101308466B1 KR1020080087900A KR20080087900A KR101308466B1 KR 101308466 B1 KR101308466 B1 KR 101308466B1 KR 1020080087900 A KR1020080087900 A KR 1020080087900A KR 20080087900 A KR20080087900 A KR 20080087900A KR 101308466 B1 KR101308466 B1 KR 101308466B1
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thin film
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 발광층과 캐소드의 증착 공정에서 발생되는 자외선 및 구동 중에 발광층에서 방출된 빛 등으로부터 박막 트랜지스터를 보호하여 박막트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 유기전계발광소자는, 투명 기판 상에 형성된 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비한 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터를 덮도록 형성되며, 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 포함하는 평탄화막; 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되어 형성되는 애노드 전극; 상기 애노드 전극의 양끝단을 덮으며, 상기 박막트랜지스터와 상기 콘택홀을 완전히 덮도록 형성된 절연막; 상기 애노드 전극상에 형성되어 전자와 정공이 쌍을 이루어 소멸하여 빛을 내는 발광층; 그리고 상기 발광층위에 형성되는 캐소드 전극을 포함하여 구성된 것이다.
애노드 전극, 절연막, 유기전계발광소자

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same}
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로서, 특히 유기전계발광소자의 애노드 전극과 절연막의 구조에 관한 것이다.
멀티 미디어 시대의 도래와 함께 더 세밀하고, 더 크고, 더욱 자연색에 가까운 색을 표현해줄 수 있는 디스플레이 장치의 등장이 요구되고 있다. 그런데, 40인치 이상의 큰 화면을 구성하기에는 현재의 CRT(Cathode Ray Tube)는 한계가 있어서, 유기전계발광소자(Organic electroluminescence device)나 LCD(Liquid Crystal Display)나 PDP(Plasma Display Panel) 및 프로젝션 TV(Television) 등이 고화질 영상의 분야로 용도확대를 위해 급속도로 발전하고 있다.
유기전계발광소자는 음극과 양극 사이에 형성된 유기막에 전하를 주입하면, 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다. 따라서, 유기전계발광소자는 플라스틱과 같이 휠 수 있는 투명 기판 상에 소자를 형성할 수 있다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널이나 무기전계발광소자에 비하여 낮은 전압(약 10V 이하)에서 구동이 가능하다. 또한, 유기전계발광소자는 전력소모가 비교적 적고 색 감이 뛰어나다는 장점이 있어서, 차세대 디스플레이로 주목받고 있다. 그리고, 낮은 전압에서 구동하기 위하여 유기막의 총 두께는 100~200 나노미터 정도로 매우 얇고, 균일하면서도, 소자의 안정성을 유지하는 것이 중요하다.
유기전계발광소자는 서브픽셀을 구동하는 방식에 따라 전기신호의 스위치 컨트롤로 구동하는 방식인 패시브 매트릭스(Passive matrix)형 유기전계발광소자와 박막트랜지스터(TFT)를 이용하여 구동하는 방식인 액티브 매트릭스(Active matrix)형 유기전계발광소자로 나뉘어진다.
종래의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자를 설명하면 다음과 같다.
종래의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자는 투명 기판 상에 형성되는 박막트랜지스터, 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면에 형성되는 평탄화막, 그리고, 상기 평탄화막위에 형성되는 발광소자를 구비하여 구성된다.
여기서, 박막트랜지스터는 소오스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 구비한 활성층, 상기 활성층상에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상측에 형성형되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 형성되는 층간 절연막 및 상기 소오스 영역 및 드레인 영역에 전기적으로 연결되고 상기 층간 절연막위에 형성되는 소오스/드레인 전극를 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 평탄화막은 유기물로 형성되어 있다.
상기 발광소자는 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 애노드 전극, 상기 애노드 전극상에 형성되는 발광층 및 상기 발광층상에 형성되는 캐소드 전극을 포함하여 구성된다.
상기 발광층은 정공 수송층과 레드, 그린 및 블루 발광층 및 전자 수송층으로 이루어져 있다.
여기서, 정공 수송층은 정공 주입층과 정공 전달층으로 이루어져 있고, 전자 수송층은 전자 전달층과 전자 주입층으로 이루어져 있다.
그러나, 상술한 종래의 유기전계발광소자는 다음과 같은 문제점이 있다.
종래의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자에서, 박막 트랜지스터가 발광층과 캐소드의 증착 공정에서 발생되는 자외선 등에 노출되거나 구동 중 발광층에서 방출된 빛의 일부에 노출될 수 있으므로, 박막 트랜지스터의 성능 열화 등의 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 발광층과 캐소드의 증착 공정에서 발생되는 자외선 및 구동 중에 발광층에서 방출된 빛 등으로부터 박막 트랜지스터를 보호하여 박막트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기전계발광소자는, 투명 기판 상에 형성된 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비한 박막트랜지스터; 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되어 형성되는 애노드 전극; 상기 애노드 전극의 끝단을 덮도록 형성된 절연막; 상기 애노드 전극상에 형성되어 전자와 정공이 쌍을 이루어 소멸하여 빛을 내는 발광층; 그리고 상기 발광층위에 형성되는 캐소드 전극을 포함하여 구성됨에 그 특징이 있다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법은, 투명 기판 상에 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비한 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면에 평탄화막을 형성하고, 상기 드레인 전극이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 애노드 전극을 형성하는 단계; 상기 평탄화막위에 상기 애노드 전극 양끝단을 덮도록 절연막을 형성하는 단계; 그리고 상기 애노드 전극상에 발광층 및 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자 및 그 제조방법의 효과를 설명하면 다음과 같다.
탑 에미션 방식의 OLED에서, 캐소드 등의 증착 공정에서 방출된 자외선 및 구동 중 발광층에서 방출된 빛 등이 트랜지스터로 투사되는 것을 방지하여, 트랜지스터의 성능 열화 등을 방지할 수 있다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
첨부된 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타냈으며, 도면에 나타난 각 층간의 두께 비가 실제 두께 비를 나타내는 것은 아니다. 한편, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 형성 또는 위치한다고 할 때, 이는 다른 부분의 바로 위에 형성되어 직접 접촉하는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 존재하는 경우도 포함하는 것을 이해하여야 한다.
도 1는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 일실시예의 단면도이고, 도 2는 도 1의 애노드 전극 및 절연층의 단면을 나타낸 도면이다. 도 1 및 2를 참조하여 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 일실시예를 설명하면 다음과 같다.
본 실시예에서 액티브 매트릭스형의 탑-에미션 방식의 유기전계발광소자가 도시되어 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 투명 기판(100) 상에 복수 개의 박막 트랜지스터(110)와, 평탄화막(140) 및 발광소자(150, 160, 165, 170, 180, 185, 190)가 차례로 적층된 구조를 갖는다.
여기서, 상기 투명 기판(100)은 유리, 석영 또는 사파이어 등으로 이루어질 수 있다. 그리고, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 투명 기판(100)과 박막 트랜지스터(110)의 사이에는 절연층이 형성되어, 기판 내의 각종 불순물들이 상기 박막트랜지스터의 활성층으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(110)는, 소오스 영역(111), 드레인 영역(112) 및 채널 영역(113)을 구비하여 상기 투명 기판(100)상에 형성되는 활성층과, 상기 활성층을 포함한 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막(120)과, 상기 채널 영역 상측의 상기 게이트 절연막(120)위에 형성되는 게이트 전극(114)과, 상기 게이트 전극(114)을 포함한 기판 전면에 형성되는 층간 절연막(130)과, 상기 소오스 영역(111) 및 드레인 영역(112)상에 콘택홀이 형성되어 상기 소오스 영역(111) 및 드레인 영역(112)에 전기적으로 연결되도록 상기 층간 절연막(130)상에 형성되는 소오스 전극(115) 및 드레인 전극(116)를 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 평탄화막(140)은 아크릴(acryl)계 유기화합물, 폴리이미드(polyimide), BCB(Benzo Cyclo Butene) 또는 PFCB 등과 같은 유기 절연물질로 이루어질 수 있으며, 실리콘 질화물과 같은 무기 절연물질로 이루어질 수도 있다.
상기 발광소자는, 상기 드레인 전극(116)이 노출되도록 상기 평탄화막(140) 상에 콘택홀이 형성되어 상기 콘택 홀을 통해 상기 드레인 전극(116)에 전기적으로 연결되도록 상기 평탄화막(140)위에 형성되는 애노드 전극(150)과, 상기 박막트랜지스터 상측의 상기 평탄화막(140)위에 형성되는 절연막(158)과, 상기 애노드 전극(150) 및 절연막(158)에 걸쳐 형성되는 유기 발광층(160, 165, 170, 180, 185)과, 상기 유기 발광층상에 형성되는 캐소드 전극(190)을 구비하여 구성된다.
여기서, 상기 애노드 전극(150)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 IZO(Indium-Zinc-Oxide) 등과 같이 빛을 투과하는 투명 도전막으로 형성된다. 상기 절연막(158)은 상기 박막 트랜지스터(110)를 커버하도록 형성되고 상기 애노드 전극(150)의 양단과 중첩되도록 형성된다.
상기 절연막(158)이 상기 애노드 전극(150)의 끝단을 덮는 부분은, 상기 애노드 전극(150)의 폭의 3~10%에 해당된다. 즉, 절연막(158)이 애노드 전극(150)을 덮어도, 상기 애노드 전극(150)의 개구율은 80~95%가 되도록 한다. 구체적인 애노드 전극(150)의 크기와 절연막(158)의 중첩 폭은 유기전계발광소자의 화소 크기에 따라 상이할 것이다. 일 예로, 애노드 전극(150) 하나의 크기를 100 마이크로 미터라고 가정하면, 절연막은(158) 상기 애노드 전극의 끝단을 3~10 마이크로 미터만큼 덮게 된다. 그리고, 절연막(160)은 실리콘 질화막(Sinx) 또는 실리콘 산화막(SiO2) 등의 무기 절연물질로 이루어질 수 있다.
만일, 상기 절연막(158)이 애노드 전극(150)을 덮는 폭이 상술한 수치보다 크면 유기전계발광소자의 개구율이 지나치게 저하될 수 있다. 또한, 절연막(158)이 애노드 전극(150)을 덮는 폭이 상술한 수치보다 좁은 경우, 후술하는 바와 같이 제 조공정 상의 어려움이 있다.
상기 유기 발광층은 정공 주입층(hole injection layer, 160), 정공 수송층(hole transfer layer, 165), 발광층(emitting layer, 170), 전자 수송층(electron transfer layer, 180) 및 전자 주입층(electron injection layer, 185)이 차례로 적층되어 이루어진다.
여기서, 상기 전자 수송층(180)이 상기 발광층(170)과 캐소드 전극(190)의 사이에 구비되어, 상기 캐소드 전극(190)으로부터 발광층(170)으로 주입된 전자의 대부분은 정공과 재결합하기 위하여 애노드 전극(150) 쪽으로 이동하게 된다. 그리고, 정공 수송층(180)이 상기 애노드 전극(150)과 발광층(170) 사이에 구비되어, 발광층(170)에 주입된 전자는 상기 정공 수송층(180)과의 계면에 막혀 더 이상 애노드 전극(150) 쪽으로 이동하지 못하고 발광층(170)에만 존재하므로 재결합 효율이 향상될 수 있다.
상술한 유기전계발광소자는 절연층(158)이 애노드 전극의 끝단을 일정 부분덮고 있으므로, 구동 중 발광층에서 방출된 빛이 박막 트랜지스터에까지 투사되는 것을 방지하고, 상기 발광층 및 캐소드 전극을 형성할 때 발생되는 자외선으로부터 상기 박막트랜지스터를 보호하여, 박막 트랜지스터의 성능 열화를 방지할 수 있다.
상기와 같은 구조로 형성되는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 3f는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 공정 단면도이다.
도 3a에 도시한 바와 같이, 유리, 석영 또는 사파이어 등으로 이루어진 투명 기판(100)상에, 저압 화학 기상 증착법(low pressure chemical vapor deposition) 또는 플라즈마 화학 기상 증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition) 등으로 비정질 실리콘막을 약 200~800 옹스트롱(Å)의 두께로 형성한다. 그리고, 레이저 어닐링(laser annealing) 등의 방법으로 상기 비정질 실리콘층을 다결정실리콘으로 결정화시킨다. 물론 비정질 실리콘 대신에 다결정 실리콘을 상기 기판상에 바로 증착할 수도 있다.
상기 다결정 실리콘을 사진 석판술을 이용하여 선택적으로 제거하여 박막트랜지스터의 활성층(113a)을 형성한다.
상기 활성층(113a)를 포함한 기판 전면에 게이트 절연막(120)을 형성한다.
도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 기판 전면에 알룸미늄-네오디늄(AlNd) 등을 스퍼터링법으로 약 1500~5000 옹스트롱의 두께로 증착하고 선택적으로 제거하여 상기 활성층(113a) 상측의 게이트 절연막(120)위에 게이트 전극(114)을 형성한다.
상기 게이트 전극(114)을 마스크로 이용하여 상기 활성층(113a)에 불순물 이온을 주입하고, 불순물 이온이 주입된 영역을 활성화시키고 실리콘층의 손상을 회복시키기 위하여, 레이저 어닐링 또는 퍼니스 어닐링을 실시하여 상기 게이트 전극(114) 양측의 활성층(113a)에 소오스 영역(111) 및 드레인 영역(112)를 형성한다. 이 때 자동적으로 상기 소오스 영역(111)과 드레인 영역(112) 사이의 활성층에는 채널 영역(113)이 형성된다.
그리고 전면에 층간 절연막(130)을 형성한다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 소오스 영역(111) 및 드레인 영역(112)이 노출되도록 상기 게이트 절연막(120) 및 층간 절연막(130)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성한다.
그리고 상기 층간 절연막(130)위에 몰리텅스텐(MoW) 또는 알리미늅-네오디뮴 등을 3000~6000 옹스트롱의 두께로 증착하고, 상기 도전층을 사진식각 공정으로 패터닝하여 상기 소오스 영역(111) 및 드레인 영역(112)에 전기적으로 연결되도록 사기 층간 절연막(130)위에 소오스 전극(115) 및 드레인 전극(116)을 형성한다.
여기서, 소오스 전극(115)과 드레인 전극(116)은 스퍼터링법으로 증착하거나, 전자빔 증착법으로 형성할 수 있으며, Al(알루미늄) 등의 도전성 물질을 200~500 나노미터의 두께로 적층하여 형성할 수도 있다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 소오스 전극(115) 및 드레인 전극(116)을 포함한 기판 전면에 평탄화막(140)을 형성한다. 상기 평탄화막(140)은 이후 형성될 발광소자의 평탄화를 위한 것이며, 유기 또는 무기 절연물질을 약 1000~5000 옹스트롱의 두께로 증착되어 형성된다.
그리고, 사진식각 공정으로 상기 드레인 전극(116)이 노출되도록 상기 평탄화막(140)을 선택적으로 식각하여 컨택홀을 형성한 후, 상기 평탄화막(140)상에 ITO 또는 IZO 등의 투명 도전막을 증착한 후 사진식각 공정으로 패터닝하여, 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(116)에 전기적으로 연결되도록 애노드 전극(150)을 형성한다.
도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 애노드 전극(150)을 포함한 기판 전면에 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막 등으로 이루어진 절연물질(153)을 약 1000~2000 옹스트롱의 두께로 증착한다. 그리고, 상기 절연물질(153)을 패터닝하여 절연막(158)을 형성한다. 절연물질(153)의 패터닝 공정은 선택적 노광 및 현상으로 이루어진다.
즉, 도시된 바와 같이, 상기 절연물질(153) 상에 감광막(157)을 증착하고 상기 감광막위에 마스크(156)를 씌우고, 상기 감광막(157)을 선택적으로 노광하고 현상하여 감광막(157) 패턴을 형성한다. 상기 마스크(156)는 애노드 전극(150) 사이 뿐만아니라 상기 애노드 전극(150) 양 모서리 부분의 일부를 노출하도록 한다.
이와 같이 패터닝된 감광막(157)를 마스크로 이용하여 상기 절연물질(156)을 선택적으로 제거하여 절연막(158)을 형성한다.
상기 애노드 전극(150)이 100 마이크로 미터의 선폭을 갖는다면, 상기 마스크(156)는 상기 애노드 전극의 양 끝단을 각각 3~10 마이크로 미터 만큼 노출하도록 한다. 상기 마스크(156)가 상기 애노드 전극(150)의 양 끝단을 3 마이크로 미터 이하로 노출하게 되면, 노광 공정에서의 오차 등으로 인하여 절연막(158)이 상기 애노드 전극(150)을 덮지 않게 패터닝될 수도 있다.
상술한 마스크(156)를 통한 식각 공정 후에 형성된 절연막(158)은, 상기 애노드 전극(150)의 폭의 3~10%만큼 상기 애노드 전극(150)의 양 끝단을 덮는다. 즉, 상기 애노드 전극(150)의 개구율은 80~95%가 된다. 구체적인 애노드 전극(150)의 크기와 절연막(158)의 중첩 폭은 유기전계발광소자의 화소 크기에 따라 상이할 것이다. 일 예로, 애노드 전극(150) 하나의 크기를 100 마이크로 미터라고 가정하면, 절연막은(158) 상기 애노드 전극의 끝단을 3~10 마이크로 미터만큼 덮게 된다.
그리고, 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 감광막(157) 패턴을 제거하고, 상기 기판에 정공 주입층(160), 정공 수송층(165), 발광층(170), 전자 수송층(180) 및 전자 주입층(185)을 순차적으로 적층하여 유기 발광층을 형성한다. 이어서, 상기 결과물의 전체 상부면에 소정 두께의 유기전계발광소자의 캐소드 전극(190)을 형성한다.
여기서, 정공 주입층(160)은 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine(CuPC))을 10~30 나노미터의 두께로 증착하여 형성한다. 그리고, 정공 수송층(165)은 4,4'-qltm[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenthylamino]-biphenyl(NPB)을 30~60 나노미터의 두께로 증착하여 형성한다. 그리고, 발광층(170)은 적색과 녹색 및 청색 픽셀에 따라 유기 발광 물질을 사용하며, 필요에 따라 도펀트를 첨가하여 형성된다.
상기 유기 발광층 및 캐소드 전극(190) 형성 시 상기 기판에 자외선에 의해 노출될 수 있지만, 상기 애노드 전극(150) 사이에 절연막(158)이 형성되고 상기 절연막(158)이 상기 애노드 전극(150) 양측 모서리 일 부분을 커버하므로, 발광층과 캐소드 전극의 증착 공정에서 자외선 등을 절연막이 차단하여, 박막 트랜지스터의 성능 열화를 방지할 수 있고, 상기 발광층에서 발생된 광을 차단할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 첨부된 청구범위에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명이 속한 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 변형이 가능해도 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자 및 그 제조방법은, 제조공정 및 사용 중 자외선과 빛 등에 의한 트랜지스터의 열화를 방지하여, 유기전계발광소자의 수명을 연장할 수 있다.
도 1는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 단면도
도 2는 도 1의 애노드 전극 및 절연층의 단면도
도 3a 내지 3f는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 공정 단면도
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 투명 기판 110 : 박막 트랜지스터
111 : 소오스 영역 112 : 드레인 영역
113 : 채널 영역 114 : 게이트 전극
115 : 제 1 금속 전극 116 : 제 2 금속 전극
120 : 층간 절연층 130 : 게이트 절연층
140 : 평탄화막 150 : 애노드 전극
153 : 절연물질 156 : 마스크
157 : 감광막 158 : 절연막
160 : 정공 주입층 165 : 정공 수송층
170 : 발광층 180 : 전자 전달층
185 : 전자 수송층 190 : 캐소드 전극

Claims (8)

  1. 투명 기판 상에 형성된 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비한 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터를 덮도록 형성되며, 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 포함하는 평탄화막;
    상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되어 형성되는 애노드 전극;
    상기 애노드 전극의 양끝단을 덮으며, 상기 박막트랜지스터와 상기 콘택홀을 완전히 덮도록 형성된 절연막;
    상기 애노드 전극상에 형성되어 전자와 정공이 쌍을 이루어 소멸하여 빛을 내는 발광층; 그리고
    상기 발광층위에 형성되는 캐소드 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연막이 상기 애노드 전극의 양쪽 끝단을 덮는 부분은 상기 애노드 전극의 폭의 3~10%인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드 전극의 개구율이 80~95%가 되도록 상기 절연막이 상기 애노드의 양끝단을 덮는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연막은 SiNx 또는 SiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 투명 기판 상에 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비한 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면에 평탄화막을 형성하고, 상기 드레인 전극이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 애노드 전극을 형성하는 단계;
    상기 평탄화막위에 상기 애노드 전극 양끝단을 덮으며, 상기 박막트랜지스터와 상기 콘택홀을 완전히 덮도록 절연막을 형성하는 단계; 그리고
    상기 애노드 전극상에 발광층 및 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 애노드 전극의 폭의 3~10% 만큼 상기 애노드 전극의 양끝단을 덮도록 형성함을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연막은, 상기 애노드 전극의 개구율이 80~95%가 되도록 상기 애노드 전극의 양끝단을 덮도록 패터닝되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연막은 SiNx 또는 SiO2를 1000~2000 옹스트롱(Å)의 두께로 적층하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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