DE69524265T2 - Spannungspegelverschieber - Google Patents
SpannungspegelverschieberInfo
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- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Spannungspegelschieber.
- Eine Halbleitervorrichtung, die mehrere Spannungsquellen verwendet, benötigt einen Spannungspegelschieber zum Verschieben der Potentiale von Signalen auf Potentialpegel der entsprechenden Spannungsquellen.
- Ein Spannungspegelschieber nach dem Stand der Technik wird nachfolgend beschrieben.
- Fig. 5 zeigt einen Schaltungsaufbau eines im Stand der Technik konventionellen Spannungspegelschiebers, und Fig. 7 zeigt ein Betriebszeitdiagramm des konventionellen Spannungspegelschiebers. In diesen Zeichnungen bezeichnet I30 ein Eingangssignal, O30 ein Ausgangssignal, VCC eine erste Spannungsquelle, VPP eine zweite Spannungsquelle, VSS eine Erdspannungsquelle, 3001 einen Spannungspegelschieber, Qn3001 und Qn3002 sind N-Kanal-MOS-Transistoren, Qp3001 und Qp3002 sind P-Kanal-MOS-Transistoren, und N3001 bezeichnet einen Verbindungsknoten.
- Ein Schaltungsaufbau in Fig. 5 wird nachfolgend beschrieben. Das Eingangssignal I30 ist mit einer Source des N-Kanal-MOS-Transistors Qn3001 und einem Gate des N-Kanal-MOS-Transistors Qn3002 verbunden. Ein Gate des N-Kanal-MOS-Transistors Qn3001 ist mit der ersten Spannungsquelle VCC verbunden, und eine Source des N-Kanal-MOS-Transistors Qn3002 ist mit der Erdspannungsquelle VSS verbunden. Eine Sourceelektrode des P-Kanal-MOS-Transistors Qp3001 und eine Sourceelektrode des P-Kanal-MOS-Transistors Qp3002 sind mit der zweiten Spannungsquelle VPP verbunden. Ein Drain des N-Kanal-MOS-Transistors Qn3001, ein Drain des P-Kanal-MOS- Transistors Qp3001 und ein Gate des P-Kanal-MOS-Transistors Qp3002 sind zusammengeschaltet.
- Das Ausgangssignal O30 ist mit einem Drain des N-Kanal-MOS-Transistors Qn3002, einem Gate des P-Kanal-MOS-Transistors Qp3001 und einem Drain des P-Kanal-MOS- Transistors Qp3002 verbunden.
- Fig. 6 zeigt einen grundsätzlichen Aufbau des Spannungspegelschiebers in Fig. 5. Der Aufbau in Fig. 6 unterscheidet sich von dem in Fig. 5 dadurch, dass ein N-Kanal-MOS- Transistor Qn3001' an seinem Gate mit einem Signal versorgt wird, das durch Invertierung des Eingangssignals durch einen Inverter INV 32 gebildet wird, seine Source ist mit der Spannungsquelle VSS des Eingangssignals verbunden, und ein Drain ist mit dem P-Kanal-MOS-Transistor Qp3002 verbunden. Mit anderen Worten, der Aufbau in Fig. 6 eliminiert die Inverterschaltung INV32 durch Verwendung des geeigneten Verbindungsaufbaus des N-Kanal-MOS-Elements Qn3001, führt jedoch denselben Betrieb durch, wie der grundsätzliche Aufbau in Fig. 6. Dementsprechend wird der Betrieb nachfolgend nur in Verbindung mit dem Aufbau in Fig. 5 erläutert.
- Bezugnehmend auf ein Betriebszeitdiagramm von Fig. 7 wird nachfolgend der Betrieb beschrieben. Wenn das Eingangssignal 130 sich auf "L"-(niedrigem) Pegel befindet, ist der Knoten N3001 auf "L"-Pegel, der N-Kanal-MOS-Transistor Qn3002 ist ausgeschaltet, der P-Kanal-MOS-Transistor Qp3002 ist eingeschaltet, das Ausgangssignal O30 ist auf "H"-Pegel durch die zweite Spannungsquelle VPP gesetzt, und der P-Kanal-MOS- Transistor Qp3001 ist vollständig ausgeschaltet. Wenn das Eingangssignal I30 vom "L"- Pegel auf den "H"-Pegel übergeht, wird der N-Kanal-MOS-Transistor Qn3002 vollständig ausgeschaltet, der Knoten N3001 nimmt ein Potential (VCC-Vtn) an, das um eine Schwellenspannung (Vtn) des N-Kanal-MOS-Transistors Qn3001 niedriger als die erste Spannungsquelle VCC ist, und der P-Kanal-MOS-Transistor Qp3002 wird im Wesentlichen ausgeschaltet. Das Ausgangssignal O30 nimmt dann den "L"-Pegel an, der P-Kanal-MOS-Transistor Qp3001 wird vollständig ausgeschaltet, der Knoten N3001 erreicht das Potential der zweiten Spannungsquelle VPP und der P-Kanal-MOS-Transistor Qp3002 wird vollständig ausgeschaltet.
- Fig. 8 zeigt einen weiteren Spannungspegelschieber. Dieser Spannungspegelschieber verstärkt sowohl den Maximumwert als auch den Minimumwert einer Amplitude eines Eingangssignals, um ein Signal zu erzeugen, das eine große Amplitude hat. Der Spannungspegelschieber enthält eine Signalinverterschaltung 50, die das Eingangssignal invertiert, einen Positivpegelschieber 51, der das Eingangssignal und ein Ausgangssignal der Signalinverterschaltung 50 empfängt, um den Maximumwert der Amplitude des Eingangssignals zu verstärken, einen Negativpegelschieber 52, der das Eingangssignal und das Ausgangssignal der Signalinverterschaltung 50 empfängt, um den Minimumwert der Amplitude des Eingangssignals zu verstärken, und einen Positiv/Negativ- Pegelschalter 53, der den Ausgang der Positiv- und Negativpegelschieber 51 und 52 empfängt und sie zusammenfügt.
- Bei den Spannungspegelschiebern der konventionellen Konstruktionen, die in den Fig. 5 und 7 gezeigt sind, wird jedoch der N-Kanal-MOS-Transistor Qn3002 vollständig ausgeschaltet und der P-Kanal-MOS-Transistor Qp3002 im Wesentlichen ausgeschaltet, wie bereits beschrieben, wenn das Eingangssignal vom "L"-Pegel auf den "H"-Pegel übergeht. Im Einzelnen, wenn die erste Spannungsquelle VGC eine niedrige Spannung zuführt und/oder eine große Potentialdifferenz zwischen den ersten und zweiten Spannungsquellen VCC und VPP vorhanden ist, dann ist der P-Kanal-MOS-Transistor Qp3002 eingeschaltet. Daher fließt ein Durchgangsstrom von der zweiten Spannungsquelle VPP zur Erdspannungsquelle VSS über den N-Kanal-MOS-Transistor Qn3002 und den P-Kanal-MOS-Transistor Qp3002, was einen Nachteil hervorruft, dass der Spannungspegel des Ausgangssignals O30 nicht auf dem "L"-Pegel festgehalten werden kann.
- Der konventionelle Spannungspegelschieber nach Fig. 8 benötigt drei Pegelschieber und daher viele Transistoren, die ihn bilden, und ist so aufgebaut, dass er die geschobenen Ausgänge der Positiv- und Negativpegelschieber zusammenfügt, was zu einer Herabsetzung der Betriebsgeschwindigkeit führt.
- Es ist eine Aufgabe der Erfindung, einen Spannungspegelschieber anzugeben, der wie folgt arbeiten kann, wenn eine Spannungsquelle eines Eingangssignals eine niedrige Spannung zuführt und/oder eine große Potentialdifferenz zwischen einer Spannungsquelle eines Eingangssignals und einer Spannungsquelle eines Spannungspegelschiebers vorhanden ist. Wenn das Eingangssignal von einem "L"-Pegel auf den "H"-Pegel übergeht, wird ein auszuschaltender MOS-Transistor sicher so gesteuert, dass er ausgeschaltet wird, und ein Spannungspegel eines Ausgangssignals des Spannungspegelschiebers sicher auf dem "L"-Pegel festgehalten wird, während mit Sicherheit ein Durchgangsstromfluss verhindert wird.
- Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen von Anspruch 1 erfüllt. Bevorzugte Ausführungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Andere Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung derselben, die im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen gegeben wird, klarer hervor.
- In den begleitenden Zeichnungen sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung dargestellt.
- Fig. 1 zeigt einen Aufbau einer ersten Ausführungsform eines Spannungspegelschiebers gemäß der Erfindung;
- Fig. 2 zeigt ein Betriebszeitdiagramm der ersten Ausführungsform des Spannungspegelschiebers nach der Erfindung;
- Fig. 3 zeigt einen Aufbau einer zweiten Ausführungsform des Spannungspegelschiebers der Erfindung;
- Fig. 4 zeigt ein Betriebszeitdiagramm der zweiten Ausführungsform des Spannungspegelschiebers der Erfindung;
- Fig. 5 zeigt einen Aufbau eines Spannungspegelschiebers nach dem Stand der Technik;
- Fig. 6 zeigt einen Grundaufbau des Spannungspegelschiebers nach dem Stand der Technik;
- Fig. 7 zeigt ein Betriebszeitdiagramm des Spannungspegelschiebers nach dem Stand der Technik, und
- Fig. 8 zeigt einen Aufbau eines weiteren konventionellen Spannungspegelschiebers.
- Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.
- Ein Spannungspegelschieber einer ersten Ausführungsform der Erfindung wird nun erläutert.
- Fig. 1 zeigt einen Schaltungsaufbau und Fi. 2 zeigt ein Betriebszeitdiagramm. 112 ist ein Eingangssignal, O12 ist ein Ausgangssignal, VCC ist die erste Spannungsquelle, VPP ist die zweite Spannungsquelle und VSS ist die Erdspannungsquelle. 1201 ist der Spannungspegelschieber, Qn1201 und Qn1202 sind N-Kanal-MOS-Transistoren, Qn1203 ist ein N-Kanal-MOS-Transistor (fünfter N-Kanal-MOS-Transistor), Qn1204 ist ein N-Kanal-MOS-Transistor (sechster N-Kanal-MOS-Transistor), Qp1201 und Qp1202 sind P-Kanal-MOS-Transistoren, Qp1203 ist ein P-Kanal-MOS-Transistor (sechster P-Kanal-MOS-Transistor) und N1201-N1203 sind Knotennamen.
- Der Schaltungsaufbau in Fig. 1 wird im Folgenden beschrieben. Bei dem Spannungspegelschieber 1201 ist das Eingangssignal I12 mit einer Source des N-Kanal-MOS- Transistors Qn1201, einer Source des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1204 und einem Gate des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1202 verbunden. Sources der N-Kanal-MOS- Transistoren Qn1202 und Qn1203 sind mit der Erdspannungsquelle VSS verbunden. Sources der P-Kanal-MOS-Transistoren Qp1201 und Qp1202 sind mit der zweiten Spannungsquelle VPP verbunden. Sources der P-Kanal-MOS-Transistoren Qp1203 und Qp1204 sind mit der ersten Spannungsquelle VCC verbunden.
- Der Knoten 1202 ist mit einem Drain des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1201, einem Drain das N-Kanal-MOS-Transistors Qn1204, einem Drain des P-Kanal-MOS-Transistors Qp1201 und einem Gate des P-Kanal-MOS-Transistors Qp1202 verbunden. Das Ausgangssignal O12 ist mit einem Drain des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1202, einem Gate des P-Kanal-MOS-Transistors Qp1201, einem Drain des P-Kanal-MOS-Transistors Qp1202, einem Gate des P-Kanal-MOS-Transistors Qp1203 und einem Gate des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1203 verbunden. Der Knoten N1203 ist mit einem Drain des P-Kanal-MOS-Transistors Qp1203, einem Drain des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1203 und einem Gate des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1204 verbunden.
- Der fünfte und der sechste N-Kanal-MOS-Transistor Qn1203 und Qn1204 sowie der sechste P-Kanal-MOS-Transistor Qp1203 bilden eine Potentialsteuerschaltung (Schaltung zur Zufuhr elektrischer Ladung) 120.
- Ein Betrieb wird nun unter Bezugnahme auf das Betriebszeitdiagramm in Fig. 2 beschrieben. Wenn das Eingangssignal I12 auf "L"-Pegel ist, dann ist der Knoten in N1201 auf "L"-Pegel, der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1202 ist ausgeschaltet, und der P-Kanal- MOS-Transistor Qp1202 ist eingeschaltet. Dabei ist das Ausgangssignal O12 auf dem Potential der zweiten Spannungsquelle VPP und damit auf "H"-Pegel. Dabei ist der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1203 eingeschaltet, der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1203 ist ausgeschaltet und der Knoten N1203 ist auf "L"-Pegel. Der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1201 ist eingeschaltet, der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1204 ist ausgeschaltet, und der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1201 ist ausgeschaltet.
- Wenn das Eingangssignal I12 von dem "L"-Pegel auf den "H"-Pegel übergeht, nimmt der Knoten N1201 das niedrigere aus dem Potential (VCC-Vtn) und dem Potential der ersten Spannungsquelle VCC an, weil das Ausgangssignal O12 auf dem Potential der ersten Spannungsquelle VCC ist. Angenommen, VPP ist 3,0 V, VCC ist 1,5 V und Vtn ist 0,7 V, nimmt der Knoten N1201 das Potential der ersten Spannungsquelle VCC, d. h. 1,5 V, an.
- Anschließend wird der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1202 eingeschaltet und der P-Kanal- MOS-Transistor Qp1202 wird im Wesentlichen ausgeschaltet. Das Ausgangssignal O12 nimmt "L"-Pegel an, der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1203 ist ausgeschaltet, der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1203 ist eingeschaltet, und der Knoten 1203 wird auf das Potential der ersten Spannungsquelle VCC gesetzt. Der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1201 ist ausgeschaltet, der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1204 ist eingeschaltet und der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1201 ist eingeschaltet, so dass der Knoten auf das Potential der zweiten Spannungsquelle VPP gesetzt wird, und der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1202 ist vollständig ausgeschaltet.
- Der vorangehend beschriebenen Spannungspegelschieber hat die Eigenschaft, dass, wenn das Eingangssignal I12 vom "L"-Pegel auf den "H"-Pegel übergeht, das Potential des Knotens N1201 auf das Potential der ersten Spannungsquelle VCC gesetzt wird, wodurch der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1202 im Wesentlichen ausgeschaltet wird. Es ist daher möglich, einen Durchgangsstrom, der von der zweiten Spannungsquelle VPP zur Erdspannungsquelle VSS über den N-Kanal-MOS-Transistor Qn1202 und den P-Kanal-MOS-Transistor Qp1202 fließt, zu unterdrücken. Des Weiteren kann der Spannungspegel des Ausgangssignals O12 schnell auf den "L"-Pegel fixiert werden. Insbesondere, selbst wenn die erste Spannungsquelle VCC eine niedrige Spannung zuführt und/oder eine große Potentialdifferenz zwischen der ersten und der zweiten Spannungsquelle VCC und VPP vorhanden ist, kann der Spannungspegel des Ausgangssignals O12 schnell auf dem "L"-Pegel fixiert werden.
- Ein Spannungspegelschieber einer zweiten Ausführung der Erfindung wird im Folgenden beschrieben.
- Fig. 3 zeigt einen Schaltungsaufbau, und Fig. 4 zeigt ein Betriebszeitdiagramm. 112 ist ein Eingangssignal, O12 kennzeichnet ein Ausgangssignal, VCC ist die erste Spannungsquelle, VPP ist die zweite Spannungsquelle, und VSS ist die Erdspannungsquelle. 1201 ist ein Spannungspegelschieber, Qn1201 und Qn1202 sind N-Kanal-MOS-Transistoren, Qn1404 ist ein N-Kanal-MOS-Transistor (siebter N-Kanal-MOS-Transistor), Qp1201 und Qp1202 sind P-Kanal-MOS-Transistoren, und N1201 ist ein Knotenname.
- Der Schaltungsaufbau in Fig. 3 wird nun erläutert. Bei dem Spannungspegelschieber 1201 ist das Eingangssignal I12 mit einer Source des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1201, einer Source des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1404, einem Gate des N-Kanal- MOS-Transistors Qn1404 und einem Gate des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1202 verbunden. Eine Quelle des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1202 ist mit der Erdspannungsquelle VSS verbunden. Sources der P-Kanal-MOS-Transistoren Qp1201 und Qp1202 sind mit der zweiten Spannungsquelle VPP verbunden.
- Der Knoten 1201 ist mit einem Drain des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1201, einem Drain des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1404, einem Drain des P-Kanal-MOS- Transistors Qp1201 und einem Gate des P-Kanal-MOS-Transistors Qp1202 verbunden. Das Ausgangssignal O12 ist mit einem Drain des P-Kanal-MOS-Transistors Qp1202, einem Gate des P-Kanal-MOS-Transistors Qp1201, einem Drain des P-Kanal-MOS- Transistors Qp1202 und einem Gate des N-Kanal-MOS-Transistors Qn1201 verbunden. Der siebente N-Kanal-MOS-Transistor Qn1204 bildet eine Potentialsteuerschaltung (Schaltung zum Zuführen elektrischer Ladung) 140.
- Ein Betrieb wird nun unter Bezugnahme auf das Betriebszeitdiagramm in Fig. 4 beschrieben. Wenn sich das Eingangssignal I12 auf "L"-Pegel befindet, ist der Knoten N1201 auf "L"-Pegel, der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1202 ist ausgeschaltet, der N- Kanal-MOS-Transistor Qn1404 ist ausgeschaltet, und der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1202 ist eingeschaltet. Das Ausgangssignal O12 ist auf dem Potential der zweiten Spannungsquelle VPP und damit auf "H"-Pegel. Der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1202 ist ausgeschaltet, und der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1201 ist eingeschaltet. Wenn das Eingangssignal I12 anschließend von dem "L"-Pegel auf den "H"-Pegel übergeht, wird der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1202 eingeschaltet, und der Knoten N1201 nimmt das niedrigere aus dem Potential (VPP-Vtn) und dem Potential der ersten Spannungsquelle VCC an, da das Ausgangssignal O12 zunächst auf dem Potential der zweiten Spannungsquelle VPP ist. Angenommen, VPP ist 3,0 V, VCC ist 1,5 V und Vtn ist 0,7 V, nimmt der Knoten N1201 das Potential der ersten Spannungsquelle VCC von 1,5 V an.
- Anschließend wird der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1202 im Wesentlichen ausgeschaltet und das Ausgangssignal O12 nimmt den "L"-Pegel an. Des Weiteren ist der P-Kanal- MOS-Transistor Qp1201 eingeschaltet, der N-Kanal-MOS-Transistor Qn1202 ist ausgeschaltet, der Knoten 1201 nimmt das Potential der zweiten Spannungsquelle VPP an, und der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1202 ist vollständig ausgeschaltet.
- Der vorangehend beschriebene Spannungspegelschieber hat die Eigenschaft, dass, wenn das Eingangssignal I12 vom "L"-Pegel auf den "H"-Pegel übergeht, der Knoten N1201 auf das Potential der ersten Spannungsquelle VCC gesetzt wird, wodurch der P-Kanal-MOS-Transistor Qp1202 im Wesentlichen ausgeschaltet wird. Es ist dadurch möglich, einen Durchgangsstrom, der von der zweiten Spannungsquelle VPP zur Erdspannungsquelle VSS über den N-Kanal-MOS-Transistor Qn1202 und den P-Kanal- MOS-Transistor Qp1202 fließt, zu unterdrücken. Des Weiteren kann der Spannungspegel des Ausgangssignals O12 schnell auf dem "L"-Pegel fixiert werden. Im Einzelnen, selbst wenn die erste Spannungsquelle VCC eine niedrige Spannung liefert und/oder eine große Potentialdifferenz zwischen der ersten und der zweiten Spannungsquelle VCC und VPP vorhanden ist, kann der Spannungspegel des Ausgangssignal O12 schnell auf dem "L"-Pegel fixiert werden.
Claims (3)
1. Spannungspegelschieber, enthaltend:
eine Quelle hoher Versorgungsspannung (Vpp);
einen ersten und einen zweiten P-Kanal-MOS-Transistor (Qp1201, Qp1202); sowie
einen ersten N-Kanal-MOS-Transistor, (Qn1201), der enthält:
eine Source, die ein Eingangssignal (I12) empfängt;
einen Drain, der mit einem Drain des ersten P-Kanal-MOS-Transistors (Qp1201)
und einem Gate des zweiten P-Kanal-MOS-Transistors (Qp1202) verbunden ist;
und
einen zweiten N-Kanal-MOS-Transistor (Qn1202), der enthält:
ein Gate, das das Eingangssignal (I12) empfängt;
eine Source, die geerdet ist (Vss); und
einen Drain, dessen Potential als ein Ausgangssignal (O12) dient,
wobei die Quelle hoher Versorgungsspannung (Vpp) mit den Sourcen des ersten
und des zweiten P-Kanal-MOS-Transistors (Qp1201, Qp1202) verbunden ist, und
wobei ein Gate des ersten N-Kanal-MOS-Transistors das Ausgangssignal (O12)
empfängt,
wobei der Spannungspegelschieber des Weiteren enthält:
eine Potentialsteuerschaltung (120, 140), die einen dritten N-Kanal-MOS-Transistor
(Qn1204, Qn1404) aufweist, wobei eine Source desselben das Eingangssignal (112)
empfängt, und ein Drain desselben mit dem Drain des ersten N-Kanal-MOS-
Transistors (Qn1201) verbunden ist, wobei die Potentialsteuerschaltung ein
Potential des Gates des dritten N-Kanal-MOS-Transistors (Qn1204) so steuert, dass ein
Potential auf einen "H"-Pegel (Vcc) gesetzt wird, wenn sich das Eingangssignal auf
dem "H"-Pegel befindet, und das Potential des Gates des zweiten P-Kanal-MOS-
Transistors (Qp1202) auf das Erdpotential (Vss) steuert, wenn sich das
Eingangssignal auf dem "L"-Pegel befindet.
2. Spannungspegelschieber nach Anspruch 1, wobei:
die Potentialsteuerschaltung (120) einen sechsten P-Kanal-MOS-Transistor
(Qp1203) und einen fünften N-Kanal-MOS-Transistor (Qn1203), die in Reihe
geschaltet sind, sowie den dritten N-Kanal-MOS-Transistor (Qn1204) enthält;
wobei der sechste P-Kanal-MOS-Transistor (Qp1203) und der fünfte N-Kanal-MOS-
Transistor (Qn1203) an ihrem Gate jeweils das Ausgangssignal (O12) des
Pegelschiebers empfangen, wobei der sechste P-Kanal-MOS-Transistor (Qp1203) mit der
Spannungsquelle (Vcc) des Eingangssignals (112) verbunden ist und der fünfte
N-Kanal-MOS-Transistor (Qn1203) geerdet ist;
der dritte N-Kanal-MOS-Transistor (Qn1204) ein Gate aufweist, das mit einer
Verbindung zwischen dem sechsten P-Kanal-MOS-Transistor (Qp1203) und dem
fünften N-Kanal-MOS-Transistor (Qn1203) verbunden ist.
3. Spannungspegelschieber nach Anspruch 1, wobei der dritte N-Kanal-MOS-
Transistor (Qn1404) an seinem Gate das Eingangssignal (I12) empfängt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6077494 | 1994-03-30 | ||
JP06071695A JP3623004B2 (ja) | 1994-03-30 | 1995-03-20 | 電圧レベル変換回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69524265D1 DE69524265D1 (de) | 2002-01-10 |
DE69524265T2 true DE69524265T2 (de) | 2002-06-13 |
Family
ID=26401770
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69524265T Expired - Lifetime DE69524265T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelverschieber |
DE69522970T Expired - Lifetime DE69522970T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelverschieber |
DE69527155T Expired - Lifetime DE69527155T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelverschieber |
DE69523341T Expired - Lifetime DE69523341T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelverschieber |
DE69527656T Expired - Lifetime DE69527656T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelverschieber |
DE69513215T Expired - Lifetime DE69513215T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelumsetzer |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69522970T Expired - Lifetime DE69522970T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelverschieber |
DE69527155T Expired - Lifetime DE69527155T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelverschieber |
DE69523341T Expired - Lifetime DE69523341T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelverschieber |
DE69527656T Expired - Lifetime DE69527656T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelverschieber |
DE69513215T Expired - Lifetime DE69513215T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | Spannungspegelumsetzer |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5650742A (de) |
EP (7) | EP0884849B1 (de) |
JP (1) | JP3623004B2 (de) |
KR (1) | KR100186917B1 (de) |
DE (6) | DE69524265T2 (de) |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3369384B2 (ja) * | 1995-07-12 | 2003-01-20 | 三菱電機株式会社 | 出力バッファ回路 |
DE19536020C1 (de) * | 1995-09-27 | 1997-02-20 | Siemens Ag | Bidirektionale Treiberschaltung für PCI-Bussysteme |
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- 1995-03-27 KR KR1019950006534A patent/KR100186917B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-03-29 US US08/413,074 patent/US5650742A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 EP EP98111738A patent/EP0884849B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 EP EP97115844A patent/EP0817387B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 DE DE69524265T patent/DE69524265T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 DE DE69522970T patent/DE69522970T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 EP EP98111740A patent/EP0886379B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 DE DE69527155T patent/DE69527155T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 EP EP97115825A patent/EP0817385B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 EP EP95104726A patent/EP0675602B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 DE DE69523341T patent/DE69523341T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 EP EP98111739A patent/EP0880230A3/de not_active Withdrawn
- 1995-03-30 DE DE69527656T patent/DE69527656T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 EP EP97115826A patent/EP0817386B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 DE DE69513215T patent/DE69513215T2/de not_active Expired - Lifetime
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DE69523341D1 (de) | 2001-11-22 |
EP0884849A2 (de) | 1998-12-16 |
DE69522970D1 (de) | 2001-10-31 |
EP0886379B1 (de) | 2001-09-26 |
EP0817385B1 (de) | 2002-06-19 |
DE69522970T2 (de) | 2002-04-04 |
EP0817387A1 (de) | 1998-01-07 |
EP0817386B1 (de) | 2002-07-31 |
EP0675602A1 (de) | 1995-10-04 |
KR100186917B1 (ko) | 1999-04-15 |
DE69524265D1 (de) | 2002-01-10 |
EP0817387B1 (de) | 2001-10-17 |
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DE69513215D1 (de) | 1999-12-16 |
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EP0884849B1 (de) | 2001-11-28 |
DE69523341T2 (de) | 2002-05-02 |
EP0884849A3 (de) | 1998-12-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: PANASONIC CORP., KADOMA, OSAKA, JP |
|
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) |