DE69218746T2

DE69218746T2 - Einschalt-Rücksetzschaltung

Info

Publication number: DE69218746T2
Application number: DE69218746T
Authority: DE
Inventors: Takashi Fujii; Eiichi Sugahara
Original assignee: NEC Corp; Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Electronics Corp
Priority date: 1991-12-25
Filing date: 1992-12-29
Publication date: 1997-07-10
Anticipated expiration: 2012-12-30
Also published as: EP0549378A1; JPH05175811A; US5300822A; JP2748950B2; DE69218746D1; EP0549378B1

Description

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Einschalt-Rücksetzschaltung und insbesondere eine Einschalt-Rücksetzschaltung, die insbesondere in einer integrierten CMOS- Schaltung verwendet werden kann.

Beschreibung des Standes der Technik

Als Einschalt-Rücksetzschaltung des Standes der Technik ist z.B. die Schaltung sehr bekannt, die einen Aufbau hat, der in der japanischen offengelegten Patentveröffentlichung Nr. Sho 61-296817 beschrieben ist. Die Einschalt-Rücksetzschaltung, die in der japanischen offengelegten Patentveröffentlichung Nr. Sho 61-296817 gezeigt ist, ist so aufgebaut, daß eine integrierende Schaltung, die durch einen Widerstand und einen Kondensator aufgebaut ist, in Reihe zwischen einem Spannungsversorgungsanschluß und Erde verbunden ist, und eine Inverterschaltung ist an ihren Eingang mit einem Knotenpunkt zwischen dem Widerstand und dem Kondensator und an ihrem Ausgang mit einem Ausgangsanschluß verbunden.
Es soll nun die Betriebsweise der Einschalt-Rücksetzschaltung des Standes der Technik beschrieben werden.
Bevor eine Spannung an den Spannungsversorgungsanschluß angelegt wird, hat der Ausgang der Inverterschaltung niedrigen Pegel.
Wenn eine Spannung an den Spannungsversorgungsanschluß bei diesem Zustand angelegt wird, so wird die Spannung am Knotenpunkt zwischen dem Widerstand und dem Kondensator mit einer Geschwindigkeit anwachsen, die durch die Zeitkonstante bestimmt wird, die als das Produkt des Widerstandswertes und des Kapazitätswertes der integrierenden Schaltung ausgedrückt wird, die durch die integrierende Schaltung gebildet wird, die durch den Widerstand und den Kondensator gebildet wird. Wenn das Potential am Knotenpunkt einen Schwellenwert der Inverterschaltung überschreitet, so wird zusätzlich die Inverterschaltung eine umgekehrte Betriebsweise bewirken. Daher wird das Potential des Ausgangsanschlusses vom Moment des Einschaltens nur für eine Zeitdauer auf hohen Pegel gebracht, die durch die Zeitkonstante der integrierenden Schaltung bestimmt wird, und daher wird ein Rücksetzsignal nur während dieser Zeitdauer ausgegeben.
Wie oben erwähnt, gibt die konventionelle Einschalt-Rücksetzschaltung das Rücksetzsignal aus, das nur durch die Zeitkonstante der aus einem Widerstand und einem Kondensator aufgebauten integrierenden Schaltung bestimmt wird. Wenn die Ausgabezeitdauer des Rücksetzsignals verlängert werden soll, ist es daher notwendig, einen großen Widerstand mit einem hohen Widerstandswert und einen großen Kondensator mit einem hohen Kapazitätswert zu verwenden. Die hohe Integration der CMOS-Schaltung ist dann aber schwierig.
Außerdem kann die Anwachszeit der Versorgungsspannung größer als die Zeitkonstante der Integrationsschaltung sein. In diesem Falle ist das Potential am Knotenpunkt immer gleich der Versorgungsspannung. Daher ist das Ausgangssignal der Inverterschaltung immer auf niedrigem Pegel, und es wird auf diese Weise kein Rücksetzsignal am Ausgangsanschluß ausgegeben.
In EP-A 0 342 735 ist eine Einschalt-Rücksetzschaltung offenbart. In dieser Schaltung ist ein erster Transistor, der als eine Stromquelle angeordnet ist, mit dem Eingang einer Stromspiegelschaltung verbunden, deren Ausgang mit einem zweiten Transistor, der als Stromquelle angeordnet ist, und mit dem Ausgang der Schaltung verbunden ist. Im Falle eines zeitweiligen Absinkens der Versorgungsspannung wird diese Schaltung ein pulsförmiges Signal am Ausgang erzeugen, welches Signal als Rücksetzsignal in bistabilen Schaltungen verwendet werden kann.

Zusammenfassung der Erfindung

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Einschalt-Rücksetzschaltung zu schaffen, mit dem der oben genannte Fehler der konventionellen Schaltung überwunden wird.
Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung einer Einschalt-Rücksetzschaltung, durch die der lntegrationsgrad der Integrationsschaltung erhöht werden kann und eine Initialisierung einer internen Schaltung sichergestellt werden kann.
Die obigen Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden erfindungsgemäß durch eine Einschalt-Rücksetzschaltung gelöst, wie sie in Anspruch 1 definiert ist.
In einer ersten Ausführungsform der Einschalt-Rücksetzschaltung wird der wenigstens eine MOS-Transistor durch einen N-Kanal MOS-Transistor, der mit seinem Gate mit der ersten Spannungsversorgung und mit seinem Drain mit dem Eingangsanschluß der Stromspiegelschaltung verbunden ist, und einen P-Kanal MOS-Transistor gebildet, der mit seinem Gate mit der zweiten Spannungsversorgung, mit seiner Source mit der Source des N-Kanal MOS-Transistors verbunden ist und mit seinem Drain mit dem Drain des ersten Transistors vom Verarmungstyp verbunden ist.
In einer zweiten Ausführungsform der Einschalt-Rücksetzschaltung wird der wenigstens eine MOS-Transistor durch einen P-Kanal MOS-Transistor gebildet, der mit seinem Gate mit der zweiten Versorgungsspannung verbunden ist, mit seiner Source mit dem Eingangsanschluß der Stromspiegelschaltung verbunden ist und mit seinem Drain mit dem Drain des ersten Transistors vom Verarmungstyp verbunden ist.
Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlich werden.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 ist ein Schaltungsdiagramm, das eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Einschalt-Rücksetzschaltung zeigt;
Fig. 2 ist ein Schaltungsdiagramm, das eine zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen Einschalt-Rücksetzschaltung zeigt.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

In Fig. 1 ist ein Schaltungsdiagramm einer ersten Ausführungsform der erfindungsgemaßen Einschalt-Rücksetzschaltung gezeigt.
Die gezeigte Einschalt-Rücksetzschaltung weist einen Spannungsversorgungsanschluß 1, einen Erdungspunkt 2, einen Ausgangsanschluß 3 und erste bis vierte Knotenpunkte 4, 5, 6 und 7 auf. Diese Einschalt-Rücksetzschaltung weist eine Inverterschaltung 10, einen Kondensator 11, erste und zweite P-Kanal MOS-Transistoren 12 und 13, erste und zweite N-Kanal MOS-Transistoren 14 und 15 vom Verarmungstyp, einen N-Kanal MOS- Transistor 16 vom Anreicherungstyp und einen dritten P-Kanal MOS-Transistor 17 auf, die wie gezeigt verbunden sind.
Die Inverterschaltung 10 weist einen Eingang, der mit dem ersten Knotenpunkt 4 verbunden ist, und einen Ausgang auf, der mit dem Ausgangsanschluß 3 verbunden ist. Ein Ende des Kondensators 11 ist mit dem Spannungsversorgungsanschluß 1, und das andere Ende des Kondensators 11 ist mit dem zweiten Knotenpunkt 5 verbunden.
Der erste P-Kanal MOS-Transistor 12 ist mit seinem Gate mit dem zweiten Knotenpunkt 5, mit seinem Drain mit dem ersten Knotenpunkt 4 und mit seiner Source mit dem Spannungsversorgungsanschluß 1 verbunden. Der zweite P-Kanal MOS-Transistor 13 ist mit seinem Gate und seinem Drain mit dem zweiten Knotenpunkt 5 und mit seiner Source mit dem Spannungsversorgungsanschluß 1 verbunden. Es bilden also die ersten und zweiten P-Kanal Transistoren 12 und 13 eine Stromspiegelschaltung. In dieser Ausführungsform sind die ersten und zweiten P-Kanal Transistoren 12 und 13 so ausgebildet, daß sie ein Stromansteuerfähigkeitsverhältnis von 1:1 haben. Daher bildet der zweite Knotenpunkt 5 einen Eingangsanschluß der Stromspiegelschaltung und der erste Knotenpunkt 4 bildet einen Ausgangsanschluß der Stromspiegelschaltung.
Der erste N-Kanal MOS-Transistor 14 vom Verarmungstyp ist mit seiner Source und seinem Gate mit Erde und mit seinem Drain mit dem dritten Knotenpunkt 6 verbunden. Der zweite N-Kanal MOS-Transistor 15 vom Verarmungstyp ist mit seiner Source und seinem Gate mit Erde und mit seinem Drain mit dem ersten Knotenpunkt 4 verbunden. Diese Ausführungsform ist so konstruiert, daß die Stromansteuerfähigkeit des ersten N-Kanal MOS-Transistors 14 vom Verarmungstyp größer ist als die des zweiten N-Kanal MOS- Transistors 15 vom Verarmungstyp.
Der N-Kanal MOS-Transistor 16 vom Anreicherungstyp ist mit seiner Source mit dem vierten Knotenpunkt 7, mit seinem Drain mit dem zweiten Knotenpunkt 5 und mit seinem Gate mit dem Quellenversorgungsanschluß 1 verbunden. Der dritte P-Kanal MOS- Transistor 17 ist mit seiner Source mit dem vierten Knotenpunkt 7, mit seinem Drain mit dem dritten Knotenpunkt 6 und mit seinem Gate mit Erde verbunden.
Die Betriebsweise der Einschalt-Rücksetzschaltung der ersten Ausführungsform soll nun beschrieben werden.
Bevor eine Spannung an die Spannungsversorgung 1 angelegt wird, ist der Ausgangsanschluß auf niedrigem Pegel.
In diesem Zustand wird angenommen, daß eine Spannung an den Spannungsversorgungsanschluß 1 angelegt wird. In diesem Falle wächst das Potential am zweiten Knotenpunkt 5 auf die Spannungsversorgungsspannung durch den Kondensator 11 an, so daß die ersten und zweiten P-Kanal MOS-Transistoren 12 und 13 abgeschaltet werden, während der N-Kanal MOS-Transistor 16 vom Anreicherungstyp eingeschaltet wird. Außerdem arbeiten die ersten und zweiten N-Kanal MOS-Transistoren 14 und 15 vom Verarmungstyp als Stromquelle, da Source und Gate dieser Transistoren geerdet sind, so daß die ersten und dritten Knotenpunkte 4 und 6 auf niedrigen Pegel gebracht werden. Entsprechend wird der driffe P-Kanal MOS-Transistor 17 eingeschaltet, und das am Ausgangsanschluß 3 durch die Inverterschaltung 10 erscheinende Potential nimmt hohen Pegel an.
Nach dem Einschalten wird die elektrische Ladung des Kondensators 11 durch einen Strom entladen, der durch die Stromansteuerfähigkeit des ersten N-Kanal MOS- Transistors 14 vom Verarmungstyp bestimmt wird, da der N-Kanal MOS-Transistor 16 vom Anreicherungstyp und der dritte P-Kanal MOS-Transistor 17 eingeschaltet sind, und daher beginnt das Potential des zweiten Knotenpunktes 5 abzusinken. Wenn dieses Potential am zweiten Knotenpunkt 5 niedriger als ein Potential {(Versorgungsspannung) - (Schwellenspannung des P-Kanal MOS-Transistors)} wird, werden die ersten und zweiten P-Kanal MOS-Transitoren 12 und 13 eingeschaltet. Da die ersten und zweiten P-Kanal MOS-Transistoren 12 und 13 die Stromspiegelschaltung mit dem Stromansteuerfähigkeitsverhältnis von 1:1 bildenv so ist der durch den ersten P-Kanal MOS-Transistor 12 fließende Strom gleich einem Strom, der durch die Stromansteuerfähigkeit des ersten N- Kanal MOS-Transistors 14 vom Verarmungstyp bestimmt wird.
Da die Konstruktion so ausgebildet ist, daß der erste N-Kanal MOS-Transistor 14 vom Verarmungstyp eine Stromansteuerfähigkeit aufweist, die größer ist als diejenige des zweiten N-Kanal MOS-Transistors 15 vom Verarmungstypv so ändert sich das Potential des ersten Knotenpunkts 4 vom niedrigen Pegel zum hohen Pegel, und das am Ausgangsanschluß 3 durch die Inverterschaltung 10 erscheinende Potential ändert sich vom hohen Pegel zu einem niedrigen Pegel. Demgemäß gibt der Ausgangsanschluß 3 ein Rücksetzsignal mit hohem Pegel von der Zeit des Einschaltens an nur während einer Zeitdauer abv die durch die Kapazität des Kondensators 11, die Stromansteuerfähigkeit des ersten N-Kanal MOS-Transistors 14 vom Verarmungstyp und die Schwellenspannung des P-Kanal MOS-Transistors bestimmt wird.
Es soll nun die Betriebsweise der Schaltung in dem Fall erläutert werden, daß die Anstiegszeit der Versorgungsspannung größer als die Zeitkonstante der integrierenden Schaltung ist. In diesem Falle, falls die Spannungsversorgungsspannung den Wert {(Schwellenspannung des N-Kanal MOS-Transistors 16 vom Anreicherungstyp) + (Schwellenspannung des dritten P-Kanal MOS-Transistors 17)} überschreitet, werden die ersten und zweiten P-Kanal MOS-Transistoren 12 und 13, der N-Kanal MOS-Transistor 16 vom Anreicherungstyp und der dritte P-Kanal MOS-Transistor 17 eingeschaltet.
Da der erste N-Kanal MOS-Transistor 14 vom Verarmungstyp so ausgebildet ist, daß er eine größere Stromansteuerfähigkeit als diejenige des zweiten N-Kanal MOS-Transistors 15 vom Verarmungstyp hat, so ändert sich der erste Knotenpunkt 4 vom niedrigen Pegel zum hohen Pegel, und es wird daher ein Rücksetzsignal vom hohen Pegel von dem Ausgangsanschluß 3 durch die Inverterschaltung nur während einer Zeit nach Einschalten der Spannungsversorgung ausgeben, bis die Spannungsversorgungsspannung den Wert {(Schwellenspannung des N-Kanal MOS-Transistors 16 vom Anreicherungstyp) + (Schwellenspannung des dritten P-Kanal MOS-Transistors 17)} überschreitet.
Um die Ausgabezeitdauer der Rücksetzsignale zu verlängern, war es erforderlich, daß bei der Einschalt-Rücksetzschaltung des Standes der Technik der Widerstandswert des Widerstandes 20 und der Kapazitätswert des Kondensators 21 erhöht werden.
Im Gegensatz dazu ist es bei der Einschalt-Rücksetzschaltung der ersten Ausführungsform (Fig. 1) notwendig, entweder den Kapazitätswert des ersten Kondensators 11 zu erhöhen oder die Stromansteuerfähigkeit des N-Kanal MOS-Transistors vom Verarmungstyp zu verringern. Die Erfinder haben einen Entwurf einer Einschalt-Rücksetzschaltung des Standes der Technik (in der japanischen offengelegten Patentveröffentlichung Nr. Sho 61-296817) und eine Einschalt-Rücksetzschaltung der ersten Ausführungsform (Fig. 1) entworfen und sie tatsächlich auf derselben integrierten Schaltung hergestellt, so daß ihre Ausgabeperiode des Rücksetzsignales 1 µsec beträgt. Als Ergebnis wurde bestätigt, daß die Oberfläche, die durch die Einschalt-Rücksetzschaltung in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung (Fig. 1) eingenommen wird, auf ein Zehntel zu derjenigen der konventionellen Einschalt-Rücksetzschaltung reduziert ist.
Wenn die Anstiegszeit der Spannungsversorgungsspannung größer wird als die Zeitkonstante der integrierenden Schaltung, so wird darüber hinaus das Rücksetzsignal für eine Zeitdauer ausgegeben, bis die Summe der Schwellenspannung des N-Kanal MOS- Transistors und der Schwellenspannung des P-Kanal MOS-Transistors gleich der Spannungsversorgungsspannung werden, d. h., bis die CMOS-Schaltungen der internen Schaltung mit ihrem stabilen Betrieb beginnen. Es ist daher möglich, die interne Schaltung sicher zu initialisieren.
Es kann daher der Grad der Integration dadurch erhöht werden, daß eine integrierte Schaltung mit den N-Kanal MOS-Transistoren 14 und 15 vom Verarmungstyp anstelle eines Widerstandes gebildet wird, der in der konventionellen Einschalt-Rücksetzschaltung verwendet wird. Da die Spannungsversorgungsspannung mit der Summe der Schwellenspannung der Mehrzahl von MOS-Transistoren 16 und 17 verglichen wird, ist es möglich, die interne Schaltung sicher zu initialisieren, sogar wenn die Anstiegszeit der Spannungsversorgungsspannung größer wird als die Zeitkonstante der integrierenden Schaltung.
Es wird nun auf Fig. 2 bezug genommen. Die darin gezeigte Einschalt-Rücksetzschaltung in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführung der vorliegenden Erfindung hat denselben Aufbau wie die erste in Fig. 1 gezeigte Ausführungsform mit der Ausnahme, daß der N-Kanal MOS-Transistor 16 vom Anreicherungstyp weggelassen ist, und daß der dritte P- Kanal MOS-Transistor 17 durch einen dritten P-Kanal MOS-Transistor 18 ersetzt ist. In Fig. 2 sind daher denselben Bestandteilen wie sie in Fig. 1 gezeigt sind, dieselben Bezugsziffern gegeben worden, und ihre Beschreibung soll hier weggelassen werden.
Der dritte P-Kanal MOS-Transistor 18 ist mit seiner Source mit dem zweiten Knotenpunkt 5, mit seinem Drain mit dem dritten Knotenpunkt 6 und mit seinem Gate mit Erde verbunden.
Es soll nun die Betriebsweise der Einschalt-Rücksetzschaltung der zweiten Ausführungsform beschrieben werden.
Wenn die Anstiegszeit der Spannungsversorgungsspannung kleiner ist als die Zeitkonstante der integrierenden Schaltung, so bewirkt die einer Einschalt-Rücksetzschaltung der zweiten Ausführungsform dieselbe Betriebsweise wie diejenige der ersten Ausführungsform, wie sie oben beschrieben wurde.
Es soll nun die Betriebsweise in dem Fall erläutert werden, daß die Anstiegszeit der Spannungsversorgungsspannung größer wird als die Zeitkonstante der integrierenden Schaltung. In diesem Falle, wenn die Spannungsversorgungsspannung den Wert {(Schwellenspannung des zweiten P-Kanal MOS-Transistors 13) + (Schwellenspannung des dritten P-Kanal MOS-Transistors 18)} übersteigt, so werden die ersten bis dritten P- Kanal MOS-Transistoren 12, 13 und 18 eingeschaltet.
Da der erste N-Kanal MOS-Transistor 14 vom Verarmungstyp so ausgebildet ist, daß er eine größere Stromansteuerfähigkeit hat als diejenige des zweiten N-Kanal MOS- Transistors 15 vom Verarmungstyp, so ändert sich der erste Knotenpunkt 4 vom niedrigen Pegel zum hohen Pegel, so daß das Potential am Ausgangsanschluß 3 durch die Inverterschaltung 10 sich von einem hohen Pegel zu einem niedrigen Pegel ändert. Daher wird das Rücksetzsignal vom hohen Pegel von dem Ausgangsanschluß 3 nur für eine Zeitdauer nach dem Einschalten der Versorgungsspannung ausgegeben, bis die Spannungsversorgungsspannung den Wert {(Schwellenspannung des zweiten P-Kanal MOS- Transistors 13) + (Schwellenspannung des dritten P-Kanal MOS-Transistors 18)} übersteigt.
Die Einschalt-Rücksetzschaltung der zweiten Ausführungsform mach es daher wie bei der ersten Ausführungsform möglich, den lntegrationsgrad der integrierten Schaltung im Vergleich mit der Einschalt-Rücksetzschaltung des Standes der Technik, bei der ein Widerstand und ein Kondensator verwendet werden, zu erhöhen. Wenn die Anstiegszeit der Spannungsversorgungsspannung größer wird als die Zeitkonstante der integrierenden Schaltung, so wird darüber hinaus das Rücksetzsignal für eine Zeitdauer ausgegeben, bis die Spannungsversorgungsspannung gleich dem Doppelten der Schwellenspannung des P-Kanal MOS-Transistors wird, nämlich, bis die CMOS-Schaltungen der internen Schaltung ihren stabilen Betrieb beginnen. Es ist daher möglich, die interne Schaltung zuverlässig zu initialisieren, und zwar ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform.
Außerdem ist es bei den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung möglich, ähnliche Wirkungen mit einer Schaltungskonstruktion zu erhalten, bei der die Polarität der MOS-Transistoren umgekehrt ist und bei der der Spannungsversorgungsanschluß und der Erdanschluß miteinander vertauscht sind. Es ist auch sicher, daß dieselbe Betriebsweise erhalten werden kann, indem die Stromansteuerfähigkeit des ersten N-Kanal MOS- Transistors 14 vom Verarmungstyp gleich derjenigen des zweiten N-Kanal MOS- Transistors 15 vom Verarmungstyp wird, und in dem das Verhältnis des Ausgangsstroms zum Eingangsstrom der Stromspiegelschaltung erhöht wird.
Wie dies oben beschrieben wurde, hat die erfindungsgemäße Einschalt-Rücksetzschaltung eine Konstruktion, bei der eine Schaltung, die aus einer Vielzahl von Transistoren einschließlich eines MOS-Transistors und eines Transistors vom Verarmungstyp, die in Reihe verbunden sind, und einem Kondensator aufgebaut ist, der mit einem Ende mit dem Spannungsversorgungsanschluß verbunden ist, mit einem Eingangsanschluß der Stromspiegelschaltung verbunden ist, und daß ein Transistor vom Verarmungstyp und eine Inverterschaltung mit einem Ausgangsanschluß der Stromspiegelschaltung verbunden sind. Man erhält daher die Wirkung, es zu ermöglichen, den Integrationsgrad der integrierten Schaltung zu erhöhen. Zusätzlich erhält man den Vorteil, daß zuverlässig die Initialisierung der internen Schaltung bewirkt wird, und zwar sogar dann, wenn die Anstiegszeit der Spannungsversorgungsspannung größer wird als die Zeitkonstante der integrierenden Schaltung.
Die Einschalt-Rücksetzschaltung weist als eine Vielzahl von MOS-Transistoren und einen ersten N-Kanal MOS-Transistor vom Verarmungstyp auf, die in Reihe mit einem Eingangsanschluß der Stromspiegelschaltung verbunden sind. Ein Kondensator ist zwischen dem Eingangsanschluß und einem Versorgungsspannungsanschluß verbunden. Ein zweiter N-Kanal MOS-Transistor vom Verarmungstyp mit einer niedrigen Stromansteuerfähigkeit ist mit einem Ausgangsanschluß der Stromspiegelschaltung verbunden. Der Grad der Integration kann dadurch erhöht werden, daß eine integrierende Schaltung mit N-Kanal MOS-Transistoren vom Verarmungstyp anstelle eines Widerstandes gebildet wird. Außerdem wird die Spannungsversorgungsspannung mit der Summe der Schwellenspannung der Vielzahl von MOS-Transistoren verglichen. Dies ermöglicht es, die interne Schaltung zuverlässig zu initialisieren, sogar wenn die Anstiegszeit der Spannungsversorgungsspannung größer wird als die Zeitkonstante der integrierenden Schaltung.
Die Erfindung wurde also unter Bezugnahme auf die besonderen Ausführungsformen gezeigt und beschrieben. Es sollte jedoch bemerkt werden, daß die vorliegende Erfindung in keiner Weise auf die Details der dargestellten Konstruktionen begrenzt ist, sondern daß Änderungen und Abwandlungen innerhalb des Bereichs der beigefügten Ansprüche vorgenommen werden können.

Claims

1. Einschalt-Rücksetzschaltung, die aufweist;

eine Stromspiegelschaltung (12, 13), die mit einer ersten Spannungsversorgung (1) verbunden ist;

einen ersten MOS-Transistor (14) vom Verarmungstyp, der mit seiner Source mit einer zweiten Spannungsversorgung (2) verbunden ist und der als Konstantstromquelle arbeitet;

einen zweiten MOS-Transistor (15) vom Verarmungstyp, der mit seinem Drain mit einem Ausgangsanschluß (4) der Stromspiegelschaltung und mit seiner Source mit der zweiten Spannungsversorgung verbunden ist und der als Konstantstromquelle arbeitet, wobei die ersten und zweiten MOS-Transistoren vom Verarmungstyp denselben Leitfähigkeitskanaltyp aufweisen;

einen integrierenden Kondensator (11), der mit einem Ende mit einem Eingangsanschluß (5) der Stromspiegelschaltung und mit seinem anderen Ende mit der ersten Spannungsversorgung (1) verbunden ist;

die gekennzeichnet ist durch

wenigstens einen MOS-Transistors (17, 18) eines Leitfähigkeitskanaltyps, der demjenigen des ersten und zweiten MOS-Transistors vom Verarmungstyp entgegengesetzt ist, wobei der wenigstens eine MOS-Transistor mit seinem Gate mit der zweiten Spannungsversorgung (2), mit seiner Source direkt oder indirekt mit dem Eingangsanschluß (5) der Stromspiegelschaltung und mit seinem Drain mit einem Drain (6) des ersten Transistors (14) vom Verarmungstyp verbunden ist, und daß eine Spannung zwischen der ersten Spannungsversorgung und der zweiten Spannungsversorgung an das Gate des wenigstens einen MOS-Transistor (17, 18) angelegt wird; und

daß der Ausgangsstrom der Stromspiegelschaltung größer ist als der Treiberstrom des zweiten Transistors (15) vom Verarmungstyp.

2. Einschalt-Rücksetzschaltung nach Anspruch 1, bei der der wenigstens eine MOS- Transistor wenigstens einen P-Kanal MOS-Transistor (17, 18) aufweist.

3. Einschalt-Rücksetzschaltung nach Anspruch 2, bei der der wenigstens eine MOS- Transistor weiter einen N-Kanal MOS-Transistor (16) aufweist, der mit seinem Gate mit der ersten Spannungsversorgung (1) und mit seinem Drain mit dem Eingangsanschluß (5) der Stromspiegelschaltung und mit seiner Source (7) mit einer Source des wenigstens einen P-Kanal MOS-Transistor (17) verbunden ist.