DE19829487C1

DE19829487C1 - Ausgangstreiber eines integrierten Halbleiterchips

Info

Publication number: DE19829487C1
Application number: DE19829487A
Authority: DE
Inventors: Martin Buck
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Polaris Innovations Ltd
Priority date: 1998-07-01
Filing date: 1998-07-01
Publication date: 1999-09-23
Anticipated expiration: 2018-07-02
Also published as: US6130549A

Abstract

Ein schnell schaltender Ausgangstreiber verursacht Spannungsschwankungen an den Anschlüssen der Versorgungsspannung des Halbleiterchips. Zur Lösung dieses Problems wird ein Ausgangstreiber für einen integrierten Halbleiterchip vorgeschlagen, der eine Schaltstufe (St), die an der Versorgungsspannung anliegt und zwei Schalttransistoren (T11, T12) beinhaltet, und eine Regelschaltung (RS) zur spannungsabhängigen Regelung des Schaltverhaltens der Schaltstufe (St) umfaßt. Durch die Regelschaltung (RS) wird das Schaltverhalten wenigstens eines Transistors (T11, T12) der Schaltstufe (St) so geregelt, daß einer beim Schaltvorgang der Schaltstufe (St) auftretenden Spannungsschwankung an den Anschlüssen der Versorgungsspannung entgegengewirkt wird.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Ausgangstreiber ei nes integrierten Halbleiterchips mit einer Transistor- Schaltstufe, die an einer Versorgungsspannung anliegt, und einer Regelschaltung zur spannungsabhängigen Regelung des Schaltverhaltens der Schaltstufe.

Integrierte Halbleiterchips können mehrere Funktionsgruppen beinhalten, wie zum Beispiel Speicherzellenfelder, Decoder, Multiplexer oder Ausgangstreiber. Mit einem Ausgangstreiber wird ein Eingangssignal auf eine Ausgangssignalleitung mit einem Ausgangssignal ausgegeben. Für die Realisierung der da zu notwendigen digitalen Schaltfunktionen können als Schalt stufe zum Beispiel MOS-Inverterschaltungen bekannter Art ver wendet werden. Ein Grundgatter dieser Art ist zum Beispiel die CMOS-Inverterschaltung. Durch Verwendung einer solchen Schaltstufe erhält man nahezu ideale Pegel, die Verlustlei stung wird niedrig gehalten und die Schaltgeschwindigkeit ist im Vergleich zu anderen Inverterschaltungen (z. B. NMOS- Inverter) relativ hoch. Ein Nachteil dieser einfachen Grund schaltung ist, daß durch schnelles Schalten Spannungsschwan kungen an den Anschlüssen der Versorgungsspannung des Aus gangstreibers verursacht werden, die dessen Funktion beein trächtigen können. Auch können Spannungsschwankungen der Ver sorgungsspannung auf dem übrigen Teil des Chips hervorgerufen werden. Da auch andere Funktionsgruppen des Chips mit der Versorgungsspannung verbunden sind, kann je nach Empfindlich keit der jeweiligen Schaltungen gegen Unregelmäßigkeiten in der Versorgungsspannung die Funktion des Chips dabei gefähr det sein.

In der US 4,894,561 wird eine Treiberschaltung beschrieben, in der die Abhängigkeit der Ausgangsspannung von Veränderun gen der Temperatur und der Versorgungsspannung reduziert ist.

Dadurch wird verhindert, daß aufgrund eines Temperatur- oder Potentialanstiegs an der Versorgungsspannung die Schaltge schwindigkeiten der Transistoren der Treiberschaltung und da mit die Steilheiten des Ausgangssignals wesentlich zunehmen. Damit wird Signalrauschen am Ausgang und an der Versorgungs spannung der Treiberschaltung unterdrückt.

In der US 5,206,544 wird eine Schaltung für einen Ausgangs treiber beschrieben zur Unterdrückung von Rauschen an Aus gangssignal und Spannungsversorgung. Die Steilheit des Aus gangssignals wird bei einem Schaltvorgang über Regelschaltun gen fest eingestellt. Dadurch wird ein reduziertes Signalrau schen erzielt.

Immer höhere Datenraten bei digitalen Chips benötigen schnell schaltende Ausgangstreiber. Deren Schaltverhalten beziehungs weise die zu erzielenden Schaltflanken sind in hohem Maße von der verwendeten Last abhängig. Bisher wurde versucht Aus gangstreiber für eine definierte Last zu optimieren und so langsam schalten zu lassen, daß sie gerade noch vertretbare Spannungsschwankungen verursachen. Dazu ist Voraussetzung, daß man die maßgebenden Parameter wie Induktivitäten oder Ka pazitäten der Last kennt. Der Nachteil dieses Vorgehens ist, daß man sich durch diese Maßnahme auf eine definierte Anwen dung des Ausgangstreibers beschränkt. Oftmals sind jedoch die Einsatzfelder und deren Umgebungsbedingungen, wie zum Bei spiel die Ausgangskapazität der Ausgangssignalleitung, nicht bekannt. Zudem bestehen Unsicherheiten bei der Herstellung der Halbleiterschaltungen, die in den Bereich von fertigungs bedingten Toleranzen fallen, so daß selbst bei quantifizier ten Lastparametern die optimale Abstimmung des Ausgangstrei bers auf die definierte Last erschwert wird.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Spannungs schwankungen an den Anschlüssen der Versorgungsspannung, die durch Schaltvorgänge des Ausgangstreibers verursacht werden, so klein zu halten, daß die Funktion des Chips gewährleistet bleibt.

Die Aufgabe wird gelöst durch einen Ausgangstreiber nach den Merkmalen des Patentanspruchs 1.

Vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen sind in Unteransprüchen gekennzeichnet.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von den in der Zeich nung dargestellten Figuren näher erläutert. Die gezeigten Kurvenverläufe sind nicht maßstabsgetreu und sollen die prin zipielle Wirkungsweise verdeutlichen.

Es zeigen:

Fig. 1: eine Schaltstufe gemäß einer Inverterschaltung vom Typ CMOS,

Fig. 2: einen beispielhaften Spannungsverlauf des Ausgangs signals DQ (U_DQ) und Verlauf der Versorgungsspan nung V2 bei einem Schaltvorgang der Schaltstufe mit und ohne Regelung,

Fig. 3: eine beispielhafte Ausführung eines Ausgangstrei bers mit spannungsabhängig geregeltem Schaltverhal ten für den Schaltvorgang DQ = log. 1 nach DQ = log. 0 mit einem beispielhaften Spannungsverlauf nach Fig. 2,

Fig. 4: eine beispielhafte Ausführung eines Ausgangstrei bers mit spannungsabhängig geregeltem Schaltverhal ten für den Schaltvorgang DQ = log. 0 nach DQ = log. 1.

Fig. 1 zeigt eine Schaltstufe eines Ausgangstreibers gemäß einer Inverterschaltung vom Typ CMOS. Diese wird an den Gates der beiden Schalttransistoren mit dem Eingangssignal READ0 beaufschlagt. Das erste Versorgungspotential der Versorgungs spannung wird mit V1, das zweite Versorgungspotential der Versorgungsspannung mit V2 bezeichnet. Beide Potentiale sind mit je einem Anschluß der Schaltstufe verbunden. Die Aus gangssignalleitung mit dem Ausgangssignal DQ ist mit einer Leitungskapazität behaftet. Der zweite Anschluß V2 der Ver sorgungsspannung der Schaltstufe des Ausgangstreibers (entspricht in diesem Fall der Treiberbezugsspannung) wird üblicherweise aus dem Chip herausgeführt, um die Versorgungs spannung der Schaltstufe von der Versorgungsspannung des üb rigen Chips besser zu entkoppeln. Die herausgeführte Versor gungsspannungsleitung enthält Leitungsinduktivitäten (in Fig. 1 nicht dargestellt), die zusammen mit der Leitungskapa zität der Ausgangssignalleitung ein schwingfähiges System bilden.

Im folgenden wird anhand von Fig. 2 der prinzipielle Verlauf des Schaltvorgangs der Schaltstufe näher erläutert. Der Zu stand "log. 1" entspricht dabei einem höheren Potential der Versorgungsspannung (beispielsweise einem Versorgungspotenti al VCCQ = 5 V), der Zustand "log. 0" einem niedrigeren Potenti al der Versorgungsspannung (beispielsweise einem Bezugspoten tial VSSQ = 0 V). Den Ausgangspunkt bilden die Signale READ0 und DQ mit den Zuständen READ0 = log. 0 und DQ = log. 1. Es wird das Signal READ0 = log. 1 an der Eingangssignalleitung angelegt (bedeutet Ausgabe des Ausgangssignals DQ = log. 0). Durch diese Signaländerung fällt die Spannung an DQ (U_DQ), die Treiberbezugsspannung V2 steigt infolge des induktiven Spannungsabfalls ausgehend von ihrem stationären Wert V20 an (Kurve 1). Der Kurvenverlauf des schwingkreis-ähnlichen Ver haltens wird im wesentlichen festgelegt durch die Leitungsin duktivität der herausgeführten Versorgungsspannungsleitung, durch die Leitungskapazität der Ausgangssignalleitung sowie durch den Leitungs- und den Bahnwiderstand des Transistors. Bei unzureichender Entkoppelung der Treiberbezugsspannung von der übrigen Versorgungsspannung des Halbleiterchips kann die Funktion des ganzen Chips beeinträchtigt werden.

Fig. 3 zeigt einen Ausgangstreiber mit spannungsabhängig ge regeltem Schaltverhalten. Die Versorgungsspannung des Aus gangstreibers weist vier Versorgungspotentiale auf. Das zwei te Versorgungspotential V2 der Versorgungsspannung des Aus gangstreibers ist herausgeführt und ist auf dem Halbleiter chip von einem dritten Versorgungspotential V3 der Versor gungsspannung entkoppelt. Beide Potentiale sind im stationä ren Zustand gleich. Das Versorgungspotential V2 entspricht beispielsweise der Treiberbezugsspannung VSSQ, das Versor gungspotential V3 beispielsweise der Chipbezugsspannung VSS. Das erste Versorgungspotential V1 und das vierte Versorgungs potential V4 der Versorgungsspannung entsprechen einem im Vergleich zu V2 und V3 höheren Potential, wobei beispielswei se V1 = VCCQ und V4 = V1 betragen kann.

Der Ausgangstreiber nach Fig. 3 besteht aus einer Schaltstu fe St und zusätzlich einer Regelschaltung RS zur spannungsab hängigen Regelung des Schaltverhaltens der Schaltstufe St.

Er setzt sich zusammen aus einer Eingangssignalleitung mit einem Eingangssignal READ0 und einer Ausgangssignalleitung mit einem Ausgangssignal DQ. Die Schaltstufe besteht aus zwei Transistoren T11 und T12, die mit ihren Hauptstrompfaden in Reihe geschaltet sind und an einer Versorgungsspannung anlie gen. Der erste Transistor T11 und der zweite Transistor T12 der Schaltstufe St sind unterschiedlichen Kanal-Typs. An den Kopplungsknoten zwischen den zwei Transistoren T11, T12 der Schaltstufe St ist die Ausgangssignalleitung mit dem Aus gangssignal DQ angeschlossen. Die Schaltstufe St ist mit de ren ersten Transistor T11 an dem ersten Versorgungspotential V1 der Versorgungsspannung und mit deren zweiten Transistor T12 an dem zweiten Versorgungspotential V2 der Versorgungs spannung angeschlossen.

Im folgenden wird der Aufbau der Regelschaltung RS beschrie ben: Das Eingangssignal READ0 ist mit dem Gate eines ersten Transistors T1 verbunden, der vom p-Kanal-Typ ist. Ein zwei ter Transistor T2, der vom n-Kanal-Typ ist, bildet zusammen mit einem dritten Transistor T3, der vom n-Kanal-Typ ist, ei nen Stromspiegel S. Der Hauptstrompfad des Transistors T2 bildet einen Eingangspfad des Stromspiegels S, der Haupt strompfad des Transistors T3 einen Ausgangspfad des Strom spiegels S. Der Stromspiegel S liegt mit einem ersten An schluß des Eingangspfades an dem dritten Versorgungspotential V3 der Versorgungsspannung und mit einem ersten Anschluß des Ausgangspfades an dem zweiten Versorgungspotential V2 der Versorgungsspannung an. Der erste Transistor T1 ist mit einem ersten Anschluß des Hauptstrompfades an dem vierten Versor gungspotential V4 der Versorgungsspannung und mit einem zwei ten Anschluß des Hauptstrompfades an einem zweiten Anschluß des Eingangspfades des Stromspiegels S angeschlossen. Das Ga te des dritten Transistors T3 ist außerdem über einen ersten Widerstand R1 an das dritte Versorgungspotential V3 der Ver sorgungsspannung geschaltet. Ein zweiter Anschluß des Aus gangspfades des Stromspiegels S liegt über einen zweiten Wi derstand R2 an dem vierten Versorgungspotential V4 der Ver sorgungsspannung und ist an dem Gate eines vierten Transi stors T4, der vom p-Kanal-Typ ist, angeschlossen. Der vierte Transistor T4 ist mit einem ersten Anschluß des Hauptstrompf ades mit dem vierten Versorgungspotential V4 der Versorgungs spannung und mit einem zweiten Anschluß des Hauptstrompfades über einen dritten Widerstand R3 mit dem zweiten Versorgungs potential V2 der Versorgungsspannung verbunden. Der zweite Anschluß des Hauptstrompfades des vierten Transistors T4 führt das Ausgangssignal G der Regelschaltung RS.

Die Schaltstufe St ist folgendermaßen beschaltet: Das Gate des zweiten Transistors T12 der Schaltstufe St, der vom n- Kanal-Typ ist, ist mit dem Ausgangssignal G der Regelschal tung RS verbunden. Das Gate des ersten Transistors T11 der Schaltstufe St, der vom p-Kanal-Typ ist, ist mit dem zu dem Eingangssignal READ0 komplementären Signal READ0 verbunden.

Auch für die Schaltung nach Fig. 3 wird anhand Fig. 2 ein prinzipieller Spannungsablauf für die Signalfolge des Aus gangssignals DQ = log. 1 nach DQ = log. 0 gezeigt. Ausgangs punkt hier ist wiederum READ0 = log. 0 und DQ = log. 1, außer dem gilt zu Beginn des Schaltvorgangs beispielhaft nach den Bezeichnungen nach Fig. 3:

- V1 < 0 V, V2 = 0 V, V3 = 0 V, V4 = 2,5 V,
- K1 = V3 = 0 V, K2 = V4 = 2,5 V, G = V2 = 0 V.

Es wird das Signal READ0 = log. 1 angelegt, was einem Anlegen des Eingangssignals READ0 = log. 0 am Eingang entspricht (t1). Im folgenden wird das Zusammenwirken der Regelschaltung RS und der Schaltstufe St beim Schaltvorgang von DQ = 1 auf DQ = 0 beschrieben: READ0 geht auf 0 V (entspricht hier log. 0), der Transistor T1 wird leitend. K1 erhält das Poten tial der Durchlaßspannung des Transistors T2. Dieses Potenti al entspricht in etwa der Schwellspannung oder Einsatzspan nung des Transistors T3. Es öffnet sich der Transistor T3, das Potential an K2 fällt. Der Transistor T4 öffnet sich, das Potential an G steigt. Es öffnet sich der Transistor T12 der Schaltstufe St (wie im Betrieb ohne Regelung), die Spannung an der Ausgangsleitung DQ fällt und das Potential V2 steigt infolge des induktiven Spannungsabfalls an der herausgeführ ten Leitung der Versorgungsspannung. Durch diesen Poten tialanstieg wird der Transistor T3, der, wie oben beschrie ben, an der Schwellspannung betrieben wird, geschlossen. Da durch steigt das Potential an K2. Es schließt der Transistor T4 und das Potential an G fällt. Der Transistor T12 der Schaltstufe St schließt sich, dadurch fällt das Potential an der Versorgungsspannung V2. Der Transistor T3 wird wieder ge öffnet. Dadurch wird, wie eben beschrieben, auch der Transi stor T12 wieder geöffnet, das Potential an der Versorgungs spannung V2 steigt an. Der dargestellte Ablauf wiederholt sich solange, bis die Spannung an der Ausgangsleitung DQ auf das Potential V2, das wieder den Ausgangszustand aufweist, abgesunken ist (Fig. 2, Kurve 2, t2). Auf diese Weise wird einer beim Schaltvorgang der Schaltstufe St auftretenden Spannungsschwankung an der Versorgungsspannung entgegenge wirkt.

Die anhand von Fig. 3 erläuterte Regelschaltung RS ist zur spannungsabhängigen Regelung des Schaltverhaltens der Schalt stufe St nur für den Übergang READ0 = log. 1 nach READ0 = log. 0 wirksam. Für den Übergang READ0 = log. 0 nach READ0 = log. 1 ist eine zweite Regelschaltung mit einer analogen Wir kungsweise notwendig, wie im folgenden beschrieben.

Fig. 4 zeigt einen Ausgangstreiber mit spannungsabhängig ge regeltem Schaltverhalten für den oben genannten Übergang READ0 = log. 0 nach READ0 = log. 1. Die Versorgungsspannung des Ausgangstreibers weist wiederum vier Versorgungspotentia le auf.

Hierbei sind das zweite Versorgungspotential V2 und das drit te Versorgungspotential V3 der Versorgungsspannung höher als das erste Versorgungspotential V1 und das vierte Versorgungs potential V4 der Versorgungsspannung. Das erste Versorgungs potential V1 und das vierte Versorgungspotential V4 der Ver sorgungsspannung sind auf dem Halbleiterchip entkoppelt und im stationären Zustand (außerhalb eines Schaltvorgangs) gleich. Beispielhaft sind auch hier quantifizierte Werte ge nannt:

- V1 = 0 V, V2 < 0 V, V3 < 0 V und V4 = 0 V.

Die Transistoren in Fig. 4 sind im Vergleich zu den in Fig. 3 verwendeten Transistoren unterschiedlichen Kanal-Typs. Das heißt, der erste Transistor T1 ist vom n-Kanal-Typ, der zwei te Transistor T2 vom p-Kanal-Typ, der dritte Transistor T3 vom p-Kanal-Typ, der vierte Transistor T4 vom n-Kanal-Typ, der erste Transistor T11 der Schaltstufe St ist vom n-Kanal- Typ und der zweite Transistor T12 der Schaltstufe St vom p- Kanal-Typ.

Bei beiden Varianten des Ausgangstreibers bleiben die jeweils anderen Eingänge mit dem zu dem Eingangssignal READ0 komple mentären Signal READ0 beschaltet.

Es ist außerdem möglich, eine Schaltstufe für beide Schalt vorgänge (READ0 = log. 1 nach READ0 = log. 0, READ0 = log. 0 nach READ0 = log. 1) anzugeben. Dabei wird für die Ansteue rung des an dem niedrigeren Potential der Versorgungsspannung anliegenden Transistors der Schaltstufe St die Regelschaltung nach Fig. 3 verwendet. Diese regelt den Übergang READ0 = log. 1 nach READ0 = log. 0. Statt das Gate des anderen Transi stors der Schaltstufe St direkt mit dem Signal READ0 zu be schalten, wird eine zweite Regelschaltung für die Ansteuerung des an dem höheren Potential der Versorgungsspannung anlie genden Transistors verwendet. Diese regelt den Übergang READ0 = log. 0 nach READ0 = log. 1. Sie ist in Fig. 4 darge stellt und ergibt sich unmittelbar aus der Anweisung, die oben für den Schaltvorgang READ0 = log. 0 nach READ0 = log. 1 dargestellt wurde.

Die Einstellung der Schaltgeschwindigkeit und die Dämpfung der Spannungsschwankungen sind auch abhängig von den Parame tern der verwendeten Bauteile des Ausgangstreibers. Je nach verwendeten Typ der Transistoren oder Widerständen werden verschiedene Verläufe von Schaltvorgängen und Spannungsver läufen hervorgerufen.

Für die Realisierung der vorliegenden Regelschaltung RS und Schaltstufe St ist es vorteilhaft, als Transistortyp Feldef fekttransistoren zu verwenden, da deren günstige Eigenschaf ten wie hohe Schaltgeschwindigkeit und geringe Verlustlei stung vorteilhaft für den Betrieb der Regelschaltung RS sind. Die dargestellte prinzipielle Wirkungsweise ist jedoch auch durch einen Schaltungsaufbau mit Bipolartransistoren zu er zielen. Hierbei sind Feldeffekttransistoren vom n-Kanal-Typ durch Bipolartransistoren vom npn-Typ und Feldeffekttransi storen vom p-Kanal-Typ durch Bipolartransistoren vom pnp-Typ zu ersetzen.

Claims

1. Ausgangstreiber eines integrierten Halbleiterchips, der aus einem auf einer Eingangssignalleitung zugeführten Ein gangssignal (READ0) ein Ausgangssignal (DQ) erzeugt, das auf eine Ausgangssignalleitung ausgegeben wird, mit

1. einer Schaltstufe (St) mit zwei Transistoren (T11, T12), die mit ihren Hauptstrompfaden in Reihe geschaltet sind und an einer Versorgungsspannung mit einem ersten Versorgungspo tential (V1) und einem zweiten Versorgungspotential (V2) an liegen, und
2. einer Regelschaltung (RS) zur spannungsabhängigen Regelung des Schaltverhaltens der Schaltstufe (St), die folgende Merk male aufweist:
3. das Eingangssignal (READ0) ist mit dem Steueranschluß ei nes ersten Transistors (T1) verbunden,
4. ein zweiter Transistor (T2) bildet zusammen mit einem drit ten Transistor (T3) einen Stromspiegel (S), wobei der zwei te Transistor (T2) mit seinem Hauptstrompfad den Eingangs pfad und der dritte Transistor (T3) mit seinem Hauptstrom pfad den Ausgangspfad des Stromspiegels (S) bildet,
5. der Stromspiegel (S) liegt mit einem ersten Anschluß des Eingangspfades an einem dritten Versorgungspotential (V3) der Versorgungsspannung und mit einem ersten Anschluß des Ausgangspfades an dem zweiten Versorgungspotential (V2) der Versorgungsspannung an,
6. der erste Transistor (T1) ist mit einem ersten Anschluß des Hauptstrompfades an einem vierten Versorgungspotential (V4) der Versorgungsspannung und mit einem zweiten Anschluß des Hauptstrompfades an einem zweiten Anschluß des Eingangspfa des des Stromspiegels (S) angeschlossen,
7. der Steueranschluß des dritten Transistors (T3) ist über einen ersten Widerstand (R1) an das dritte Versorgungspo tential (V3) der Versorgungsspannung geschaltet,
8. ein zweiter Anschluß des Ausgangspfades des Stromspiegels (S) liegt über einen zweiten Widerstand (R2) an dem vierten Versorgungspotential (V4) der Versorgungsspannung und ist an dem Steueranschluß eines vierten Transistors (T4) ange schlossen,
9. der vierte Transistor (T4) ist mit einem ersten Anschluß des Hauptstrompfades mit dem vierten Versorgungspotential (V4) der Versorgungsspannung und mit einem zweiten Anschluß des Hauptstrompfades über einen dritten Widerstand (R3) mit dem zweiten Versorgungspotential (V2) der Versorgungsspan nung verbunden,
10. der zweite Anschluß des vierten Transistors (T4) führt das Ausgangssignal (G) der Regelschaltung (RS),
11. ein Anschluß für das Ausgangssignal (G) der Regelschaltung (RS) ist mit einem Steueranschluß eines Transistors (T11, T12) der Schaltstufe (St) verbunden.

2. Ausgangstreiber nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

1. ein erster Transistor (T11) der Schaltstufe (St) und ein zweiter Transistor (T12) der Schaltstufe (St) sind unter schiedlichen Leitungstyps,
2. an den Kopplungsknoten zwischen den zwei Transistoren (T11, T12) der Schaltstufe (St) ist die Ausgangssignalleitung mit dem Ausgangssignal (DQ) angeschlossen,
3. die Schaltstufe (St) ist mit deren ersten Transistor (T11) an dem ersten Versorgungspotential (V1) der Versorgungs spannung und mit deren zweiten Transistor (T12) an dem zweiten Versorgungspotential (V2) der Versorgungsspannung angeschlossen.

3. Ausgangstreiber nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

1. die Transistoren sind Feldeffekttransistoren,
2. innerhalb der Regelschaltung (RS) ist der erste Transistor (T1) vom p-Kanal-Typ, der zweite Transistor (T2) vom n- Kanal-Typ, der dritte Transistor (T3) vom n-Kanal-Typ, der vierte Transistor (T4) vom p-Kanal-Typ, innerhalb der Schaltstufe (St) ist der erste Transistor (T11) vom p- Kanal-Typ und der zweite Transistor (T12) vom n-Kanal-Typ,
3. das erste Versorgungspotential (V1) und das vierte Versor gungspotential (V4) der Versorgungsspannung sind höher als das zweite Versorgungspotential (V2) und das dritte Versor gungspotential (V3) der Versorgungsspannung,
4. das dritte Versorgungspotential (V3) und das zweite Versor gungspotential (V2) der Versorgungsspannung sind auf dem Halbleiterchip entkoppelt.

4. Ausgangstreiber nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

1. die Transistoren sind Feldeffekttransistoren,
2. innerhalb der Regelschaltung (RS) ist der erste Transistor (T1) vom n-Kanal-Typ, der zweite Transistor (T2) vom p- Kanal-Typ, der dritte Transistor (T3) vom p-Kanal-Typ, der vierte Transistor (T4) vom n-Kanal-Typ, innerhalb der Schaltstufe (St) ist der erste Transistor (T11) vom n- Kanal-Typ und der zweite Transistor (T12) vom p-Kanal-Typ,
3. das zweite Versorgungspotential (V2) und das dritte Versor gungspotential (V3) der Versorgungsspannung sind höher als das erste Versorgungspotential (V1) und das vierte Versor gungspotential (V4) der Versorgungsspannung,
4. das erste Versorgungspotential (V1) und das vierte Versor gungspotential (V4) der Versorgungsspannung sind auf dem Halbleiterchip entkoppelt.