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CN103220475B - 固态图像传感器和照相机 - Google Patents

固态图像传感器和照相机 Download PDF

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CN103220475B
CN103220475B CN201310018720.6A CN201310018720A CN103220475B CN 103220475 B CN103220475 B CN 103220475B CN 201310018720 A CN201310018720 A CN 201310018720A CN 103220475 B CN103220475 B CN 103220475B
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Abstract

本发明涉及固态图像传感器和照相机。一种固态图像传感器，包括其中多个像素被按矩阵排列的像素阵列，所述矩阵具有多个行和多个列，其中所述像素阵列包括第一布线层和布置在第一布线层之上的第二布线层，第一布线层包括布置在像素阵列的各列的第一列信号线，第二布线层包括布置在像素阵列的各列的第二列信号线。

Description

固态图像传感器和照相机
技术领域
本发明涉及固态图像传感器和照相机。
背景技术
在固态图像传感器中，可以在像素阵列的各列处布置多个列信号线，以便提高其中多个像素被按矩阵排列的像素阵列的读取速度，和单独读出来自单位像素中的两个光电转换部的信号。例如，为了防止其中来自列信号线的信号相互干扰的所谓串扰，可在这些列信号线之间插入屏蔽图案。
随着列信号线和屏蔽图案的数目增大，由于这些布线阻挡入射光，因此固态图像传感器的各像素的开口率会降低。
发明内容
本发明提供一种有利于抑制由布线数目的增大引起的开口率的降低的技术。
本发明的一个方面提供一种固态图像传感器，它包括其中多个像素被按矩阵排列的像素阵列，所述矩阵具有多个行和多个列，其中所述像素阵列包括第一布线层和布置在第一布线层之上的第二布线层，第一布线层包括布置在像素阵列的各列的第一列信号线，第二布线层包括布置在像素阵列的各列的第二列信号线。
参考附图，根据示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得明显。
附图说明
图1是解释按照第一实施例的固态图像传感器的布置的例子的框图；
图2是解释单位像素的布置的例子的电路图；
图3是解释按照第一实施例的像素阵列的布局的例子的平面图；
图4是解释固态图像传感器的布置的参考例子的视图；
图5A和5B是解释按照第一实施例的固态图像传感器的布置的例子的视图；
图6是解释像素阵列的拜耳布置的视图；
图7是解释按照第二实施例的固态图像传感器的布置的例子的框图；
图8是解释按照第二实施例的像素阵列的布局的例子的平面图；
图9是解释按照第三实施例的固态图像传感器的布置的例子的框图；
图10是解释按照第三实施例的像素阵列的布局的例子的平面图；
图11是解释固态图像传感器的布置的参考例子的视图；
图12A-12C是解释按照第三实施例的固态图像传感器的布置的例子的视图；
图13是解释按照第四实施例的固态图像传感器的布置的例子的框图；
图14是解释单位像素的布置的例子的电路图；
图15是解释按照第四实施例的像素阵列的布局的例子的平面图；
图16是解释利用相差检测方法的焦点检测操作的例子的视图；
图17A和17B是解释相差检测方法的示图；
图18A和18B是解释固态图像传感器的布置的再一个例子的视图；
图19是解释固态图像传感器的布置的又一个例子的视图；以及
图20是解释固态图像传感器的布置的另一个例子的视图。
具体实施方式
<第一实施例>
下面将参考图1-5B描述按照第一实施例的固态图像传感器11。图1是解释固态图像传感器11的布置的框图。固态图像传感器11包括其中多个像素3被按矩阵排列的像素阵列2，所述矩阵具有多行和多列。为了便于说明，例示的像素阵列2具有4×4的像素3。第一列信号线4A和第二 列信号线4B被布置成把从像素阵列2读出的像素信号分别传输给水平扫描电路8A和8B。像素阵列2中的奇数行(第一行和第三行)上的像素3的像素信号被输出给第一列信号线4A。偶数行(第二行和第四行)上的像素3的像素信号被输出给第二列信号线4B。在像素阵列2的每一列，布置电源布线5和电源布线6。定时控制电路9A能够向水平扫描电路8A输出控制信号，以控制像素信号的处理定时。类似地，定时控制电路9B能够向水平扫描电路8B输出控制信号。垂直扫描电路7能够向像素阵列2的各个像素3输出控制信号RES1、TX1、SEL1等，以读出像素信号。虽然省略了控制信号RES1、TX1、SEL1等到像素阵列2的连接，不过像素3是如下所述被控制的。每个水平扫描电路8A和8B可包括例如噪声抑制电路，放大器电路，和模拟-数字转换电路。借助这种布置，利用垂直扫描电路7从像素阵列2输出的每个信号能够经历水平扫描电路8A或8B的信号处理，并且可被读出。
图2例示像素3(单位像素)的电路的布置。像素3包括光电转换部10(例如，光电二极管)、传输晶体管11、浮置扩散电容器14、复位晶体管15、源极跟随器晶体管17以及选择晶体管18。在像素3中，VDD电源被提供给电源端子21(电源布线5连接到电源端子21)，地电位被提供给电源端子22(电源布线6连接到电源端子22)。控制信号TX1被提供给传输晶体管11的栅极端子12。当控制信号TX1被激活时，受光时生成的并累积在光电转换部10中的电荷通过传输晶体管11被传输给浮置扩散电容器14。流过源极跟随器晶体管17的电流量可依赖于在节点13处的电位波动而变化，所述电位波动是由传输给浮置扩散电容器14的电荷引起的。控制信号SEL1被提供给选择晶体管18的栅极端子19。当控制信号SEL1被激活时，选择晶体管18能够从像素信号输出部分20输出与源极跟随器晶体管17的电流量对应的像素信号。如图1中所例示的那样，像素信号输出部分20连接到第一或第二列信号线4A或4B。控制信号RES1被提供给复位晶体管15的栅极端子。当控制信号RES1被激活时，复位晶体管15能够复位节点13的电位。
图3是示意性地示出固态图像传感器11的像素阵列2中的2×3的像 素3的布局的平面图。为了便于图3的图解说明，省略了用于控制信号RES1、TX1、SEL1等的布线的例示。对于在第三列上的像素3，省略了第一和第二列信号线4A和4B、电源布线5以及电源布线6的例示。
作为参考例子，图4以沿着图3中的切割线A-B的截面结构示意性地示出了其中第一和第二列信号线4A和4B被布置在相同布线层中的典型结构。在图4的左侧，光电转换部10接收经由滤色器24进入微透镜25的光。像素阵列2包括第一布线层M1和布置在第一布线层M1之上的第二布线层M2。第一布线层M1可以是例如多个布线层中的最下层。在这个参考例子中，第一和第二列信号线4A和4B都被布置在第一布线层M1中。导电屏蔽图案(例如，电源布线5)被插入第一列信号线4A和第二列信号线4B之间。第一列信号线4A、电源布线5和第二列信号线4B彼此隔开布线间距离W1(例如，可由制造工艺决定的临界尺寸)。另一个屏蔽图案(例如，电源布线6)被布置在第二布线层M2中。用于VDD电源的电源布线5和用于地(GND)的电源布线6可用作这些屏蔽图案，如在本实施例中那样，或者也可以使用接收其它基准电位的布线。实线L1指示进入微透镜25的光的光路未被第一和第二列信号线4A和4B阻挡的范围。
图5A示意性地示出当应用第一实施例时沿着切割线A-B的截面结构。第一布线层M1包括布置在像素阵列2的每一列的第一列信号线4A。第二布线层M2包括布置在像素阵列2的每一列的第二列信号线4B。至少第一布线层M1和第二布线层M2当中的第一布线层M1优选还包括导电屏蔽图案。所述屏蔽图案(这种情况下，电源布线5)被布置为与第一布线层M1的第一列信号线4A相邻的。第二列信号线4B布置在从在第一列信号线4A正上方的位置偏离的位置处。第二布线层M2还包括另一个屏蔽图案(这种情况下，电源布线6)。该屏蔽图案被布置为与第二列信号线4B相邻的。图5A中所示的实线L2指示进入微透镜25的光的光路未被第二列信号线4B和屏蔽图案(电源布线6)阻挡的范围。图5A中所示的虚线L1和参考例子(图4)中的实线L1相同。L1和L2之间的比较揭示了：由于第一实施例中的布线布置，光电转换部10能够接收更大量的光。与 在中央区域中相比，在像素阵列2的周边区域中，这种现象更显著。
如上所述，按照第一实施例，多个列信号线被布置在不同的布线层中。这种布置能够减小其中光路被阻挡的区域，从而抑制固态图像传感器11的开口率的降低。作为第一实施例的另一种效果，通过使布置在第二布线层M2中的第二列信号线4B的位置偏离在布置在第一布线层M1中的第一列信号线正上方的位置，能够抑制列信号线之间的串扰噪声。作为串扰噪声抑制方法，可以在列信号线的上方和下方，以及在列信号线的左侧和右侧，布置屏蔽图案。不过，在第一实施例中，只在列信号线的一侧，或者在列信号线的上方或下方布置屏蔽图案。于是，第一实施例能够抑制由布线电容引起的图像信号传播延迟。
图5B示意性地示出其中相对于图5A的结构改变布线位置的应用例子。更具体地说，按大的距离W2布置第一布线层M1中的第一列信号线4A和屏蔽图案(电源布线5)，不过所述大的距离W2不会妨碍图5A中所示的光路的范围(实线L2)。在第一列信号线4A的布线电容和第二列信号线4B的布线电容之间的电容值差低于容许值的范围内，决定距离W2。这能够进一步减少例如布线形成工艺中的布线之间的短路的产生，从而提高成品率。
<第二实施例>
下面将参考图6-8描述按照第二实施例的固态图像传感器12。通过对第一实施例中的固态图像传感器11应用图6中例示的拜耳布置的滤色器，获得固态图像传感器12。在图6中所示的符号当中，RD代表检测红光的像素(红色像素)，BL代表检测蓝光的像素(蓝色像素)，GR和GB代表检测绿光的像素(绿色像素)，H代表列，L代表行。图7是类似于第一实施例解释固态图像传感器12的布置的框图。在像素阵列2中示出了检测红光的像素3RD、检测蓝光的像素3BL以及检测绿光的像素3GR和3GB。像素3GR和3GB的像素信号输出部分20连接到第一列信号线4A。像素3RD和3BL的像素信号输出部分20连接到第二列信号线4B。图8是类似于第一实施例示意性地示出固态图像传感器12的像素阵列2中的2×3的像素3RD、3BL、3GR和3GB的布局的平面图。
可包含在水平扫描电路8A中的噪声抑制电路能够在读出各个像素3RD、3BL、3GR和3GB的像素信号时，预先对当使节点13的电位复位时获得的输出箝位，作为噪声电平。然后，读出信号和噪声电平之间的差值能够被读出，以抑制噪声，所得到的信号可作为像素信号被处理。由于像素3GR和3GB的输出经历公用水平扫描电路8A的信号处理，因此能够使起因于水平扫描电路8A的噪声电平一致。除了第一实施例的效果之外，第二实施例还能够挑选出由水平扫描电路8A引起的噪声电平。
<第三实施例>
下面将参考图9-12C描述按照第三实施例的固态图像传感器13。图9是类似于第一和第二实施例用于解释固态图像传感器13的布置的框图。第三实施例与第一和第二实施例的不同之处在于在像素阵列2的每一列，布置4个列信号线4A-4D。此外，类似于第二实施例，应用拜耳布置的滤色器。在第一行和第一列上的像素3GR以及在第二行和第二列上的像素3GB的像素信号输出部分20连接到列信号线4A。在第一行和第二列上的像素3RD以及在第二行和第一列上的像素3BL的像素信号输出部分20连接到列信号线4B。在第三行和第一列上的像素3GR以及在第四行和第二列上的像素3GB的像素信号输出部分20连接到列信号线4C。在第三行和第二列上的像素3RD以及在第四行和第一列上的像素3BL的像素信号输出部分20连接到列信号线4D。这也适用于剩余的像素。图10是类似于第一和第二实施例，示意性地示出固态图像传感器13的像素阵列2中的4×3像素3RD、3BL、3GR和3GB的布局的平面图。
图11示意性地示出沿着图10中的切割线C-D的截面结构的参考例子。在这个参考例子中，第一布线层M1包括列信号线4A-4D。第二布线层M2包括屏蔽图案(例如，电源布线5和电源布线6)。在图11的右侧示出了可在相邻布线之间产生的寄生电容分量。注意，例示了在水平方向或垂直方向彼此相邻的布线之间的电容分量(包括边缘电容分量)。另一个电容分量(例如，沿对角线方向定位的布线，或者隔开两层或者更多层的布线之间的电容分量)小，从而未被例示。CL1是可在第一布线层M1的布线层和在其正上方的第二布线层M2的布线层之间产生的电容分量。此时，可在列信号线4A和4D中产生的各个电容分量为CL1。可在列信号线4B和4C中产生的各个电容分量为2×CL1+CH1。从而，列信号线可具有电容值差(CL1+CH1)。这种差异在列信号线4A-4D中导致信号传播延迟差异，并且后续信号处理的速率由具有大的延迟的列信号线确定。在该参考例子的结构中，相邻的列信号线会产生信号串扰。
图12A示意性地示出当应用本实施例时，沿着切割线C-D的截面结构。至少第一布线层M1和第二布线层M2当中的第一布线层M1还包括导电屏蔽图案(这种情况下，电源布线5)。第一布线层M1的第一列信号线包括至少两个列信号线(这种情况下，列信号线4A和4C)。在这两个列信号线4A和4C之间插入屏蔽图案(电源布线5)。第二布线层M2也包括两个列信号线(这种情况下，列信号线4B和4D)，在这两个列信号线4B和4D之间插入另一个屏蔽图案(这种情况下，电源布线6)。类似于图11，在图12A的右侧示意性地示出了可在相邻布线之间产生的寄生电容分量。CL2是在第一布线层M1中的彼此相邻的布线之间产生的电容分量。CL3是可在第二布线层M2中的彼此相邻的布线之间产生的电容分量。CH2是可在第一布线层M1的布线层和在其正上方的第二布线层M2的布线层之间产生的电容分量。此时，可在列信号线4A和4C之间产生的电容分量为CL2+CH2。在列信号线4B和4D之间产生的电容分量为CL3+CH2。这些电容值之间的差值为|CL2-CL3|。与上面描述的参考例子相比，能够抑制列信号线4A-4D中的信号传播延迟差。
如图12A中例示，用于传播相同颜色的像素信号的列信号线优选被布置成相对于相同布线层中的屏蔽图案对称(例如，列信号线4A和4C，或者列信号线4B和4D)。在这种结构中，不同布线层之间的电容分量CH2优选小于相同布线层中的相邻布线之间的电容分量CL2和CL3中的每一个。还可向正上方或下方的布线层添加屏蔽图案。
如上所述，按照第三实施例，在不同的布线层中布置多个列信号线。这种布置能够减小其中光路被阻挡的区域，抑制固态图像传感器13的开口率的降低。通常，层间电介质膜的厚度大于相同布线层中的彼此相邻的布线之间的距离(例如，可由制造工艺决定的临界尺寸)。从而，作为第三实施例的另一种效果，不同布线层中的布线之间的电容变得小于相同布线层中的相邻布线之间的电容，能够抑制列信号线之间的串扰噪声。作为串扰噪声抑制方法，可以在列信号线的上方和下方，以及在列信号线的左侧和右侧，布置屏蔽图案。不过，在本实施例中，只在列信号线的一侧，或者在列信号线的上方或下方布置屏蔽图案。第三实施例甚至能够抑制由布线电容引起的图像信号传播延迟。
图12B示意性地示出其中相对于图12A的结构改变布线位置的应用例子。即，按例如大于W3的距离W4布置第一布线层M1中的列信号线4A和4C以及屏蔽图案(电源布线5)。这能够进一步减少例如布线形成工艺中的布线之间的短路的产生，从而在确保光电转换部10的受光量的同时，提高成品率。类似地在图12B的右侧，示出了可在相邻布线之间产生的寄生电容分量。CL4是可在第一布线层M1中的彼此相邻的布线之间产生的电容分量。CL5是可在第二布线层M2中的彼此相邻的布线之间产生的电容分量。CH3是可在第一布线层M1的布线层和在其正上方的第二布线层M2的布线层之间产生的电容分量。在例如其中可在列信号线4A-4D中产生的电容值之间的差值|CL4-CL5|低于容许值的范围内，决定距离W4。
在图12C中，屏蔽图案(这种情况下，电源布线6)不是布置在第二布线层M2中，而是布置在另一个布线层(例如，第三布线层)中。类似地，在图12C的右侧，示意性地示出了可在相邻布线之间产生的寄生电容分量。CL6是可在第一布线层M1中的彼此相邻的布线之间产生的电容分量。CL7是可在第二布线层M2中的彼此相邻的布线之间产生的电容分量。CH4是可在第一布线层M1的布线层和在其正上方的第二布线层M2的布线层之间产生的电容分量。此时，如果CL7远远小于CH4，那么能够抑制相邻列信号线4B和4D之间的串扰。只要例如列信号线4A-4D的布线电容之间的电容值差在容许范围内，就能够实现这一点。按照这种方式，屏蔽图案(电源布线6)可被布置在另一个布线层(例如，第三布线层)中。
<第四实施例>
下面将参考图13-15描述按照第四实施例的固态图像传感器14。图13是类似于第三实施例解释固态图像传感器14的布置的框图。第四实施例和第三实施例的不同之处在于每个单位像素3包括两个光电转换部(光电二极管10A和10B)。更具体地说，光经由光电二极管10A和10B共用的微透镜进入光电二极管10A和10B。从光电二极管10A和10B读出的信号包含焦点检测信号，可用于后面描述的焦点检测操作。如在图14中例示的那样，每个光电二极管10A和10B连接到用于读出信号的各个晶体管，包括传输晶体管11。单位像素3将被称为分割像素3RD-A,3BL-A,3GR-A,3GB-A,3RD-B,3BL-B,3GR-B和3GB-B。虽然在图14中，采用了不包括选择晶体管18的电路布置，不过如在第一实施例(图2)中所述的那样，可以采用包括选择晶体管18的电路布置。
在第一行和第一列上的分割像素3GR-A以及在第二行和第二列上的分割像素3GB-A的像素信号输出部分20A连接到列信号线4A。在第一行和第二列上的分割像素3RD-A以及在第二行和第一列上的分割像素3BL-A的像素信号输出部分20A连接到列信号线4B。在第一行和第一列上的分割像素3GB-B以及在第二行和第二列上的分割像素3GR-B的像素信号输出部分20B连接到列信号线4C。在第一行和第二列上的分割像素3RD-B以及在第二行和第一列上的分割像素3BL-B的像素信号输出部分20B连接到列信号线4D。这也适用于剩余的像素。图15是类似于第一到第三实施例、示意性地示出固态图像传感器14的像素阵列2中的2×3的像素3的布局的平面图。
按照这种方式，当单位像素3包括两个光电二极管10A和10B，并且它们的信号被单独读出时，优选像第四实施例中那样布置列信号线4A-4D。因而，第四实施例能够获得与第一到第三实施例的效果相同的效果，同时保持像素阵列2的像素信号读取速度。
图18A和18B示出第四实施例的变形例1。和图13-15中的附图标记相同的附图标记表示具有相同功能的部分，并且将不重复其详细描述。图18A是类似于图15、示意性地示出固态图像传感器14的像素阵列2 中的2×3的像素3的布局的平面图。图18B示意性地示出包括列信号线和电源布线的部分的截面结构。在该变形例中，如图18B中所示，在第一列上，在第一布线层中读出分割像素3BL-A和3BL-B中的信号，在第二布线层中读出在分割像素3GR-A和3GR-B中的信号。在第二列上，在第一布线层中读出分割像素3RD-A和3RD-B中的信号，在第二布线层中读出在分割像素3GB-A和3GB-B中的信号。这种布局能够降低列信号线中的混色的影响。
图19类似于图18A和18B，示出变形例2。变形例2和变形例1的区别在于列信号线的布局。列信号线不是被插入分割像素之间，而是被插入相邻像素之间。此外，用于传输相同颜色的信号的列信号线被分布到不同的布线层，并被布置成彼此接近。这种布局能够降低列信号线中的混色的影响，因为接近的列信号线传输相同颜色的信号。
图20类似于图18A和18B，示出变形例3。变形例3和变形例2的区别在于列信号线的布局。在变形例3中，利用两层，把用于传输来自分割像素3GR-A,3GR-B,3GB-A和3GB-B的信号的列信号线布置成彼此接近。这种布局能够降低列信号线中的对于绿色像素的信号的混色的影响。
下面将参考图16、17A和17B描述焦点检测操作的例子。图16是示意性地示出其中从拍摄透镜900的出射光瞳902射出的光束进入固态图像传感器901的状态的视图。固态图像传感器901包括用于每个单位像素的微透镜202、滤色器301以及两个光电转换部PD1和PD2。已通过出射光瞳902的光进入利用光轴903作为中心的固态图像传感器901。附图标记906和907表示在通过出射光瞳902的部分区域904的光的最外缘的光线。附图标记908和909表示在通过出射光瞳902的另一部分区域905的光的最外缘的光线。在图16中，在通过出射光瞳902的光束当中，在光轴903上方示出的那些光束进入光电转换部PD1，在光轴903下方示出的那些光束进入光电转换部PD2。换句话说，光电转换部PD1和PD2接收通过拍摄透镜900的出射光瞳902的不同区域的光束。
例如，当在像素阵列的一列上的各个像素中受光时，从光电转换部 PD1输出的信号将被定义为第一行数据。类似地，从光电转换部PD2输出的信号将被定义为第二行数据。例如，根据第一行数据和第二行数据之间的差异(相差)，进行焦点检测操作的处理器(未示出)确定图像是否合焦。
图17A示出在当使点光源形成图像时的合焦状态下的行数据。图17B示出离焦状态下的行数据。横坐标代表各像素的位置，纵坐标代表各像素的输出值。在合焦状态下，第一行数据和第二行数据相互重叠。相反，在离焦状态下，第一行数据和第二行数据不相互重叠。此时，处理器可根据这些输出之间的偏移量1001，计算移动透镜位置以聚焦在图像上的距离。焦点检测操作可以由上述处理器进行。替代地，可根据需要，在固态图像传感器中包括配置成执行焦点检测操作的算术单元。与在中央区域中相比，在像素阵列的周边区域中，在各像素的光电转换部PD1和PD2之间可产生入射光量的较大的差异。从而，焦点检测像素优选被布置在像素阵列的周边区域中。
下面将描述这种像素布置中的图像数据的产生。如上所述，从两个光电转换部PD1和PD2输出的信号被分别读出，并用于焦点检测。将响应于入射到各像素3的光而从光电转换部PD1和PD2输出的信号相加，从而获得像素3的像素信号。例如，当在光电转换部PD1和PD2之一中产生和累积的电荷的数量达到饱和状态时，可以采用确定信号的可靠性差、从而不进行相位检测或者停止相位检测的序列。以此方式，可以根据光电转换部PD1和PD2的状态(电荷量和信号)，控制上述操作。
虽然描述了4个实施例，不过本发明并不局限于此。可适当地改变目的、状态、用途、功能和其它规范，当然能够以其他实施例实施本发明。例如，列信号线4A-4D的布置并不局限于这些实施例。列信号线4A和4C可被布置在第二布线层M2中，而列信号线4B和4D可被布置在第一布线层M1中。在上面的各个实施例中，对于导电屏蔽图案，使用了用于VDD电源的电源布线5和用于地(GND)的电源布线6，不过，可以使用用于另一种用途的布线。在上面的各个实施例中，使用了拜耳布置的滤色器，不过可以使用另一个阵列的滤色器，或者可以用单色传感 器实现滤色器。在上面的各个实施例中，像素阵列2被描述成CMOS图像传感器，但是像素阵列2可以是另一种传感器。上面的各个实施例中的每个功能块的全部或部分操作可由在计算机上运行的OS等连同计算机一起控制，或者代替计算机控制。
上面描述了包含在照相机中的固态图像传感器。不过，照相机的概念不仅包括主要用于拍摄的设备，而且包括附带具有拍摄功能的设备(例如，个人计算机或移动终端)。照相机可包括在各个实施例中例示的按照本发明的固态图像传感器，和处理从固态图像传感器输出的信号的处理器。所述处理器可包括例如A/D转换器，和处理从A/D转换器输出的数字数据的处理器。
虽然参照示例性实施例描述了本发明，不过应理解，本发明不局限于公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被给予最宽广的解释，以包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (10)

1.一种固态图像传感器，包括其中多个像素被按矩阵排列的像素阵列，所述矩阵具有多个行和多个列，该固态图像传感器包括：
第一光电转换部，设置在多个像素中的第一像素中；
第二光电转换部，设置在第一像素中；
第三光电转换部，设置在多个像素中的第二像素中，第二像素位于与第一像素所处的行不同的行中；
第四光电转换部，设置在第二像素中；
第一布线层，包括与像素阵列的各个列对应的第一列信号线；
布置在第一布线层之上的第二布线层，包括与像素阵列的各个列对应的第二列信号线；以及
第一微透镜，对应于第一光电转换部和第二光电转换部，被配置为把入射光引导到第一光电转换部和第二光电转换部；
第二微透镜，对应于第三光电转换部和第四光电转换部，被配置为把入射光引导到第三光电转换部和第四光电转换部，其中
第一列信号线包括用于分别输出来自一列中的第一像素中的第一光电转换部和第二光电转换部的信号中的每个信号的至少两个列信号线，以及
第二列信号线包括用于分别输出来自所述一列中的第二像素中的第三光电转换部和第四光电转换部的信号中的每个信号的至少两个列信号线，
所述第二列信号线中的所述至少两个列信号线进一步被用于分别输出来自与所述一列相邻的另一列中的第一像素中的第一光电转换部和第二光电转换部的信号中的每个信号，并且
所述第一列信号线中的所述至少两个列信号线进一步被用于分别输出来自所述另一列中的第二像素中的第三光电转换部和第四光电转换部的信号中的每个信号。
2.按照权利要求1所述的传感器，其中
第一布线层还包括导电屏蔽图案，
所述导电屏蔽图案被布置为与第一布线层的第一列信号线相邻，以及
第二列信号线被布置在从第一列信号线正上方的位置偏离的位置处。
3.按照权利要求1所述的传感器，其中
第一布线层还包括第一导电屏蔽图案，和
所述第一导电屏蔽图案被布置在第一布线层中的所述至少两个列信号线之间。
4.按照权利要求3所述的传感器，其中
第二布线层还包括第二导电屏蔽图案，和
第二导电屏蔽图案被布置在第二布线层中的所述至少两个列信号线之间。
5.按照权利要求1所述的传感器，其中
所述多个像素是按照拜耳布置排列的，
第一布线层的第一列信号线中的所述至少两个列信号线传播第一颜色的像素信号，以及
第二布线层的第二列信号线中的所述至少两个列信号线传播与第一颜色不同的第二颜色的像素信号。
6.按照权利要求1所述的传感器，其中
所述多个像素是按照拜耳布置排列的，以及
第一列信号线中的所述至少两个列信号线传播第一颜色的像素信号，以及
用于和与所述第一列信号线中的所述至少两个列信号线对应的列不 同的列的第二列信号线中的所述至少两个列信号线传播第一颜色的像素信号。
7.按照权利要求1所述的传感器，其中
所述多个像素是按照拜耳布置排列的，以及
第一列信号线中的所述至少两个列信号线之中的一个列信号线传播第一颜色的像素信号；以及
被布置在该一个列信号线正上方的第二列信号线中的所述至少两个列信号线之中的一个列信号线传播第一颜色的像素信号。
8.按照权利要求2所述的传感器，其中向所述导电屏蔽图案提供基准电位。
9.按照权利要求1所述的传感器，其中
在各个像素中布置按照拜耳布置的滤色器，
绿色像素的信号被读出到第一列信号线，以及
红色像素和蓝色像素的信号被读出到第二列信号线。
10.一种照相机，包括：
按照权利要求1-9中的任一项所定义的固态图像传感器；和
处理从所述固态图像传感器输出的信号的处理器。
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