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KR970072376A - 절연기판상의 반도체 장치 및 그 보호 회로 - Google Patents

절연기판상의 반도체 장치 및 그 보호 회로 Download PDF

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KR970072376A
KR970072376A KR1019970011997A KR19970011997A KR970072376A KR 970072376 A KR970072376 A KR 970072376A KR 1019970011997 A KR1019970011997 A KR 1019970011997A KR 19970011997 A KR19970011997 A KR 19970011997A KR 970072376 A KR970072376 A KR 970072376A
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제르미 씨. 스미스
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빈센트 비. 인그라시아
모토로라 인코포레이티드
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Abstract

절연기판상의 반도체 장치(20)의 보호 회로(10)에 의해, 디지털 회로에 사용되는 MOSFET와 같은 민감성 회로에 악영향을 미치지 않고 입/출력 패드(12)에서 정전기가 발생될 수 있다. 상기 보호 회로(10)에 의해, 상기 입/출력 패드(12)는 다른 두 공급 전위에 대해 그리고 칩상의 다른 입/출력 패드에 포지티브 및 네가티브로 바이어스될 수 있다. 본체결합 MOSFET(14)는 드레인 영역(38)이 MOSFET의 닫힌 게이트 전극(34)의 외부에 배치되어 있는 상기 보호 회로(10)에 사용된다.

Description

절연기판상의 반도체 장치 및 그 보호 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 SOI 장치의 입력 보호 회로의 일부분에 대한 회로도, 제2도는 패드-패드 보호를 나타낸 SOI 장치의 입력 보호 회로의 일부분에 대한 회로도, 제3도는 제1도에 도시된 회로를 포함하고 있는 SOI 장치의 보호 회로도, 제4도는 본 발명의 일실시예에 따른 제1도 및 제3도는 입력 보호 회로에 사용되는 본체결합 MOSFET의 평면도, 제5도는 본체결합 MOSFET의 결합 주파수가 변함에 따라 트랜지스터 드레인 다이오드의 순방향 바이어스 전압 대 전류를 나타낸 도면, 제6도는 본체결합 MOSFET의 결합 주파수가 변함에 따라 얻어진 게이트 접지 항복 전압 특성을 나타낸 도면.

Claims (5)

  1. 보호 회로에 있어서, 패드 노드; 제1전위(VSS)를 수신할 수 있도록 접속되어 있는 제1공급 노드; 제1전류 전극과 제2전류 전극을 가지고 있는 제1트랜지스터(14)로서, 이 제1트랜지스터(14)의 상기 제1전류 전극은 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 제1트랜지스터(14)의 상기 제2전류 전극은 상기 패드 노드에 접속되어 있는 제1트랜지스터(14); 제1전류 전극과 제2전류 전극을 가지고 있는 제2트랜지스터(16)로서, 이 제2트랜지스터(16)의 상기 제1전류 전극은 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 제2트랜지스터(16)의 상기 제2전류 전극은 상기 패드 노드에 접속되어 있는 제2트랜지스터(16); 상기 제1전위(VSS)보다 높은 제2전위(VDD)를 수신할 수 있도록 접속되어 있는 제2공급 노드; 및 제1단자와 제2단자를 가지고 있는 레일 클램프(18)로서, 이 레일 클램프(18)의 상기 제1단자는 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 레일 클램프(18)의 상기 제2단자는 상기 제2공급 노드에 접속되어 있는 레일 클램프(18)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 보호 회로.
  2. 보호회로에 있어서, 패드 노드; 제1전위(VSS)를 수신할 수 있도록 접속되어 있는 제1공급 노드; 채널, 제1전류 전극, 및 제2전류 전극을 가지고 있는 제1본체결합 트랜지스터(14)로서, 이 제1본체결합 트랜지스터(14)의 상기 채널과 상기 제1전류 전극은 서로 전기 접속되어 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 상기 제1본체결합 트랜지스터(14)의 제2전류 전극은 상기 패드 노드에 접속되어 있으며, 상기 제1본체결합 트랜지스터(14)의 상기 채널과 상기 제2전류 전극사이의 접합에는 pn 다이오드가 형성되어 있는 제1본체결합 트랜지스터(14); 제1전류 전극과 제2전류 전극을 가지고 있는 제2트랜지스터(16)로서, 이 제2트랜지스터(16)의 상기 제1전류 전극은 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 상기 제2트랜지스터(16)의 상기 제2전류 전극은 상기 패드 노드에 접속되어 있는 제2트랜지스터(16); 상기 제1전위(VSS)보다 높은 제2전위(VDD)를 수신할 수 있도록 접속되어 있는 제2공급 노드; 포지티브 단자와 네가티브 단자와 네가티브 단자를 가지고 있는 제1제너 다이오드(18)로서, 이 제1제너 다이오드(18)의 상기 포지티브 단자는 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 제1제너 다이오드(18)의 상기 네가티브 단자는 상기 제2공급 노드에 접속되어 있는 제1제너 다이오드(18); 및 포지티브 단자와 네가티브 단자를 가지고 있는 제2제너 다이오드(19)로서, 이 제2제너 다이오드(19)의 상기 포지티브 단자는 상기 패드 노드에 접속되어 있고, 제2제너 다이오드(19)의 상기 네가티브 단자는 상기 제2공급 노드에 접속되어 있는 제2제너 다이오드(19)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 보호 회로.
  3. 절연기판상의 반도체 장치에 있어서, 패드(12); 및 보호 회로를 구비하고 있고, 상기 보호 회로는 제1전위(VSS)를 수신할 수 있도록 접속되어 있는 제1공급노드; 제1전류 전극과 제2전류 전극을 가지고 있는 제1트랜지스터(14)로서, 이 제1트랜지스터(14)의 상기 제1전류 전극은 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 제1트랜지스터(14)의 상기 제2전류 전극은 상기 패드에 접속되어 있으며, 본체 결합 트랜지스터(14)인 제1트랜지스터(14); 제1전류 전극, 제2전류 전극 및 제어전극을 가지고 있는 제2트랜지스터로서, 이 제2트랜지스터(16)의 상기 제1전류 전극과 제어전극은 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 제2트랜지스터(16)의 상기 제2전류 전극은 상기 패드에 접속되어 있는 제2트랜지스터; 상기 제1전위(VSS)보다 높은 제2전위(VDD)를 수신할 수 있도록 접속되어 있는 제2공급 노드; 및 포지티브 단자와 네가타브 단자를 가지고 있는 제1제너 다이오드(18)로서, 이 제1제너 다이오드(18)의 상기 포지티브 단자는 제1공급 노드에 접속되어 있고, 상기 제1제너 다이오드(18)의 상기 네가티브 단자는 상기 제2공급 노드에 접속되어 있는 제1제너 다이오드(18)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 절연기판상의 반도체 장치.
  4. 절연기판상의 반도체 장치에 있어서, 패드(12); 및 보호 회로를 구비하고 있고, 상기 보호 회로는 제1전위(VSS)를 수신할 수 있도록 접속되어 있는 제1공급노드; 채널, 제1전류 전극과 제2전류 전극을 가지고 있는 제1본체 결합 트랜지스터(14)로서, 이 제1본체결합트랜지스터(14)의 상기 채널과 제1전류 전극은 서로 전기 접속되어 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 제1본체결합 트랜지스터(14)의 상기 제2전류 전극은 상기 패드 노드에 접속되어 있으며, 상기 제1본체결합 트랜지스터(14)의 상기 채널과 상기 제2전류 전극사이의 접합에는 pn 다이오드가 형성되어 있는 제1본체결합 트랜지스터(14); 제1전류 전극과 제2전류 전극을 가지고 있는 제2트랜지스터(16)로서, 이 제2 트랜지스터(16)의 제1전류 전극은 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 상기 제2 트랜지스터(16)의 제2전류 전극은 상기 패드 노드에 접속되어 있는 제2트랜지스터(16); 상기 제1전위(VSS)보다 높은 제2 전위(VDD)를 수신할 수 있도록 접속되어 있는 제2공급 노드; 포지티브 단자와 네가티브 단자를 가지고 있는 제1제너 다이오드(18)로서, 이 제1제너 다이오드(18)의 상기 포지티브 단자는 상기 제1공급 노드에 접속되어 있고, 제1제너 다이오드(18)의 상기 네가티브 단자는 상기 제2공급 노드에 접속되어 있는 제1제너 다이오드(18); 및 포지티브 단자와 네가티브 단자를 가지고 있는 제2제너 다이오드(19)로서, 이 제2제너 다이오드(19)의 상기 포지티브 단자는 상기 패드 노드에 접속되어 있고, 상기 제2제너 다이오드(19)의 네가티브 단자는 상기 제2공급 노드에 접속되어 있는 제2제너 다이오드(19)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 절연기판상의 반도체 장치.
  5. 절연기판상의 반도체 장치에 있어서, 제1노드에 접속된 제1패드(12); 제2노드에 접속된 제2패드(12); 및 보호 회로를 구비하고 있고, 상기 보호 회로는 제1전류 전극과 제2전류 전극을 가지고 있는 제1트랜지스터(14)로서, 이 제1트랜지스터(14)의 상기 제1전류 전극은 제3노드에 접속되어 있고, 상기 제2전류 전극은 상기 제1노드에 접속되어 있는 제1트랜지스터(14); 제1전류 전극과 제2전류 전극을 가지고 있는 제2트랜지스터(16)로서, 이 제2트랜지스터(16)의 상기 제1전류 전극은 상기 제3노드에 접속되어 있고, 제2트랜지스터(16)의 상기 제2전류 전극은 상기 제1노드에 접속되어 있는 제2트랜지스터(16); 제1단자와 제2단자를 가지고 있는 제1레일 클램프(18)로서, 이 제1레일 클램프(18)의 제1단자는 제3노드에 접속되어 있고, 제1레벨 클램프(18)의 상기 제2단자는 제4노드에 접속되어 있는 제1레일 클램프(18); 제1전류 전극과 제2전류 전극을 가지고 있는 제3트랜지스터(14′)로서, 이 제3트랜지스터(14′)의 상기 제1류 전극은 상기 제3노드에 접속되어 있고 제3트랜지스터(14′)의 상기 제2전류 전극은 제2노드에 접속되어 있는 제3트랜지스터(14′); 및 제1전류 전극과 제2전류 전극을 가지고 있는 제4트랜지스터(16′)로서, 이 제4트랜지스터(16′)의 상기 제1전류 전극은 상기 제3노드에 접속되어 있고, 제4트랜지스터(16')의 상기 제2전류 전극은 상기 제2노드에 접속되어 있는 제4트랜지스터(16')를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 절연기판상의 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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