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KR970030783A - 반도체 집적 회로를 보호하기 위한 정전 보호 디바이스 - Google Patents

반도체 집적 회로를 보호하기 위한 정전 보호 디바이스 Download PDF

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Publication number
KR970030783A
KR970030783A KR1019960053876A KR19960053876A KR970030783A KR 970030783 A KR970030783 A KR 970030783A KR 1019960053876 A KR1019960053876 A KR 1019960053876A KR 19960053876 A KR19960053876 A KR 19960053876A KR 970030783 A KR970030783 A KR 970030783A
Authority
KR
South Korea
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integrated circuit
localized
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region
power supply
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Application number
KR1019960053876A
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English (en)
Inventor
웅곽곽
Original Assignee
유진 이. 패처
에이티 앤드 티 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 유진 이. 패처, 에이티 앤드 티 코포레이션 filed Critical 유진 이. 패처
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
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    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/611—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using diodes as protective elements
    • H—ELECTRICITY
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

보호 디바이스 구조는 정전기 방전(ESD)에 대비하여 보호되는 집적 회로의 하나 이상의 보호된 노드들을 보호하는 것에 대해 기재되어 있다. 대개 집적 회로는 보호된 노드들에 접속되어 있는 단자들을 갖는 n채널 MOS트랜지스터를 포함한다. 특정 실시예에서, 상기 보호 디바이스 구조는 소스 및 드레인 영역과 적어도 한 쌍의 국한된 보조 영역을 갖는 MOS다이오드 구조를 포함한다. 각각의 국한된 보조 영역은 소스 및 드레인 영역의 전도성과는 반대인 전도성을 갖는다. 이들 국한된 보조 영역은 소스 및 드레인 영역과 접하여 위치하고 소스 및 드레인 영역 사이의 채널에 위치한다. 상기 보호 디바이스 구조는 집적 회로에 집적되고 상기 회로의 각기 하나 이상의 보호된 노드들의 단자에 접속되는 단자를 갖는다.

Description

반도체 집적 회로를 보호하기 위한 정전 보호 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 3은 피보호 회로에 접속된 보호 디바이스 구조를 도시하는 개략적 회로도.

Claims (22)

  1. 집적 회로에 있어서, (a) 상기 집적 회로의 제 1 및 제 2노드를 보호하기 위한 것으로서, 상기 노드들중 적어도 하나의 노드는 국한된 소스 및 드레인 영역을 갖는 보호된 MOS트랜지스터의 단자에 전류가 흐르게 연결되고, 제 1형 전도성의 국한된 소스 영역과 국한된 드레인 영역 및 상기 제 1형 전도성과는 반대인 제 2형 전도성의 제 1 및 제 2국한된 보조 영역을 갖는 반도체 다이오드 구조를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2국한된 보조 영역은 각각 상기 국한된 소스 영역 및 국한된 드레인 영역 사이에서 접하여 위치하게 되는 보호 디바이스 구조, (b) 상기 집적 회로의 상기 제 1노드에 상기 보호 디바이스 구조의 상기 국한된 소스 영역을 전기적으로 접속시키는 제 1배선, (c) 상기 집적 회로의 제 1전원공급단자, (d) 상기 집적 회로의 제 2전원공급단자, (e) 상기 집적 회로의 입·출력 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 국한된 드레인 영역을 상기 집적 회로의 상기 제 2노드에 전기적으로 접속시키는 제 2배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제 2노드는 상기 집적 회로의 상기 제 2전원 공급 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 국한된 드레인 영역을 상기 집적 회로의 상기 제 2노드에 전기적으로 접속시키는 제 2배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제 1노드는 상기 집적 회로의 입·출력 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 국한된 드레인 영역을 상기 집적 회로의 상기 제 2노드에 전기적으로 접속시키는 제 2배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 보호 디바이스 구조의 상기 국한된 소스 영역과, 상기 국한된 드레인 영역과, 상기 제 1 및 제2 국한된 보조 영역은 상기 보호 디바이스 구조의 상기 제1 및 제2 국한된 보조 영역의 전도도보다 더 낮은 전도도를 갖는 텁 영역내에 모두 위치하고, 상기 텁 영역은 상기 제 2형 전도성을 갖고 단결정 실리콘 기판에 위치하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 제 1형 전도성은n형인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 보호 디바이스 구조는 (a) 상기 제 2형 전도성을 갖고, 상기 제 2형 전도성의 상기 텁 영역내에 위치하고, 상기 국한된 드레인 영역으로부터 상기 국한된 소스 영역의 반대편에 있는 상기 국한된 소스 영역과 간격을 두고 떨어져 위치하는 제 3국한된 보조 영역, (b) 상기 제 1형 전도성을 갖고, 상기 제 2형 전도성을 갖는 제 4국한된 보조영역 및 상기 제 1형 전도성을 갖는 제 5국한된 보조 영역이 위치하는 또다른 텁 영역, (c) 상기 제 4국한된 보조 영역을 상기 제 2노드에 접속시키는 제 2배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 제 5국한된 보조 영역을 상기, 집적 회로의 상기 제 1전원 공급 단자에 접속시키는 제 3배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 제 3국한된 보조 영역을 상기 집적 회로의 상기 제 2전원 공급 단자에 접속시키는 제 4배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 제 2노드는 상기 집적 회로의 상기 제 2전원 공급 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 제 1노드는 상기 집적 회로의 입·출력 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  14. 제 9항에 있어서, 상기 제 3국한된 보조 영역을 상기 집적 회로의 상기 제 2전원 공급 단자에 접속시키는 제 3배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 제 2노드는 상기 집적회로의 상기 제 2전원 공급 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 제 1노드는 상기 집적 회로의 입·출력 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 제 3국한된 보조 영역을 상기 집적 회로의 상기 제 2전원 공급 단자에 접속시키는 제 3배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 제 2노드는 상기 집적회로의 상기 제 2전원 공급 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 제 1노드는 상기 집적 회로의 입·출력 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  20. 제 9항에 있어서, 상기 제 2노드는 상기 집적 회로의 상기 제 2전원 공급 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 제 1노드는 상기 집적 회로의 입·출력 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  22. 제 9항에 있어서, 상기 제 1노드는 상기 집적 회로의 입·출력 단자인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960053876A 1995-11-20 1996-11-14 반도체 집적 회로를 보호하기 위한 정전 보호 디바이스 KR970030783A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/560,671 US5744840A (en) 1995-11-20 1995-11-20 Electrostatic protection devices for protecting semiconductor integrated circuitry
US560,671 1995-11-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970030783A true KR970030783A (ko) 1997-06-26

Family

ID=24238823

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KR1019960053876A KR970030783A (ko) 1995-11-20 1996-11-14 반도체 집적 회로를 보호하기 위한 정전 보호 디바이스

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EP (1) EP0774785A3 (ko)
JP (1) JPH09167829A (ko)
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EP0774785A2 (en) 1997-05-21
JPH09167829A (ja) 1997-06-24
CA2190416A1 (en) 1997-05-21
US5744840A (en) 1998-04-28
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Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19961114

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid