[go: up one dir, main page]

KR920001552A - 반도체 메모리 장치의 다중 비트 병렬 테스트방법 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 다중 비트 병렬 테스트방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920001552A
KR920001552A KR1019900008924A KR900008924A KR920001552A KR 920001552 A KR920001552 A KR 920001552A KR 1019900008924 A KR1019900008924 A KR 1019900008924A KR 900008924 A KR900008924 A KR 900008924A KR 920001552 A KR920001552 A KR 920001552A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data
pairs
pair
input
comparator
Prior art date
Application number
KR1019900008924A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930008417B1 (ko
Inventor
안계호
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019900008924A priority Critical patent/KR930008417B1/ko
Priority to FR9009152A priority patent/FR2663450B1/fr
Priority to DE4023015A priority patent/DE4023015C1/de
Priority to US07/559,697 priority patent/US5077689A/en
Priority to GB9016763A priority patent/GB2245393B/en
Priority to JP02201562A priority patent/JP3025519B2/ja
Priority to IT48190A priority patent/IT1241525B/it
Priority to CN90106619A priority patent/CN1025077C/zh
Publication of KR920001552A publication Critical patent/KR920001552A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930008417B1 publication Critical patent/KR930008417B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1048Data bus control circuits, e.g. precharging, presetting, equalising
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/26Accessing multiple arrays
    • G11C29/28Dependent multiple arrays, e.g. multi-bit arrays
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/30Accessing single arrays
    • G11C29/34Accessing multiple bits simultaneously
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/38Response verification devices

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 메모리 장치의 다중 비트 병렬 테스트방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 방법을 보여주는 회로구성도.
제 2 도는 본 발명에 따른 방법을 보여주는 회로구성도.
제 3 도는 메모리셀블럭과 입출력선간의 연결을 보여주는 회로도.
제 4 도는 입출력선프리차아지회로도.

Claims (4)

  1. 데이타출력버퍼와 소정갯수의 데이타버스쌍 및 메모리셀군을 구비하는 반도체메모리장치의 다중비트병렬테스트방법에 있어서, 상기 메로리셀군으로부터 공급되는 데이터쌍을 감지하는 데이터감지부와, 상기 데이터감지부와 상기 소정갯수의 데이터버스쌍들의 사이에 연결된 구동부와, 상기 데이터감지부와 하나의 데이터버스쌍사이에 연결되어 상기 데이터 감지부로부터 출력되는 데이터쌍들의 일군을 입력하여 상기 하나의 데이터버스쌍으로 단일의 데이터쌍을 출력하는 하나의 제 1 비교기와, 상기 데이타감지부와 다른하나의 데이터쌍 사이에 연결되어 데이터감지부로부터 출력되는 데이터쌍들의 타군을 입력하는 상기 다른하나의 데이터쌍으로 단일의 데이터쌍을 출력하는 다른하나의 제 1 비교기와, 상기 데이터버스쌍들에 입력이 연결되고 상기 데이타출력버퍼에 출력이 연결되어 상기 데이타버스쌍들에 있는 소정갯수의 데이터쌍을 입력하여 단일의 데이터쌍을 출력하는 제 2 비교기와, 상기 데이터버스쌍들에 입력이 연결되어 상기 데이터출력버퍼에 출력이 연결되어 상기 데이터버스쌍들에 있는 소정갯수의 데이터쌍을 입력하여 단일의 데이터쌍을 출력하는 데이터선택회로를 구비하여, 상기 데이터감지부가 상기 메모리셀군으로부터 공급되는 복수개의 데이터쌍을 노멀모드에서는 상기 구동부를 통하여 상기 데이터버스쌍들로 보내고 테스트모드에서는 상기 제 1 비교기로 보냄을 특징으로 하는 반도체메모리장치의 다중비트병렬테스트방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 비교기가 노멀모드에서는 동작하지 않음을 특징으로 하는 반도체메모리장치의 다중비트병렬테스트방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 비교기가 입력단을 소정레벨로 프리차아지하는 회로를 구비하여, 노멀모드에서 상기 피리차아지회로에 의해 입력이 프리차아지됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치의 다중비트병렬테스트방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 비교기가 출력단에 스위칭회로를 구비하여, 상기 스위칭회로가 노멀모드에서 턴오프됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 다중비트병렬 테스트방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900008924A 1990-01-18 1990-06-18 반도체 메모리 장치의 다중 비트 병렬 테스트방법 KR930008417B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900008924A KR930008417B1 (ko) 1990-06-18 1990-06-18 반도체 메모리 장치의 다중 비트 병렬 테스트방법
FR9009152A FR2663450B1 (fr) 1990-06-18 1990-07-18 Procede de test en parallele de bits multiples dans un dispositif memoire a semiconducteur.
DE4023015A DE4023015C1 (ko) 1990-06-18 1990-07-19
US07/559,697 US5077689A (en) 1990-01-18 1990-07-30 Method for multi-bit parallel test in semiconductor memory device
GB9016763A GB2245393B (en) 1990-06-18 1990-07-31 Multi-bit parallel testing
JP02201562A JP3025519B2 (ja) 1990-06-18 1990-07-31 半導体記憶素子におけるマルチビツトパラレルテストの方法及びその半導体記憶素子
IT48190A IT1241525B (it) 1990-06-18 1990-07-31 "metodo per collaudo in parallelo su piu' bit in un dispositivo di memoria a semiconduttori".
CN90106619A CN1025077C (zh) 1990-06-18 1990-07-31 半导体存储器件及其多位并行测试方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900008924A KR930008417B1 (ko) 1990-06-18 1990-06-18 반도체 메모리 장치의 다중 비트 병렬 테스트방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920001552A true KR920001552A (ko) 1992-01-30
KR930008417B1 KR930008417B1 (ko) 1993-08-31

Family

ID=19300202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900008924A KR930008417B1 (ko) 1990-01-18 1990-06-18 반도체 메모리 장치의 다중 비트 병렬 테스트방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5077689A (ko)
JP (1) JP3025519B2 (ko)
KR (1) KR930008417B1 (ko)
CN (1) CN1025077C (ko)
DE (1) DE4023015C1 (ko)
FR (1) FR2663450B1 (ko)
GB (1) GB2245393B (ko)
IT (1) IT1241525B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100295691B1 (ko) * 1999-06-04 2001-07-12 김영환 디램의 오픈 테스트용 테스트모드회로

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5675544A (en) * 1990-06-25 1997-10-07 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for parallel testing of memory circuits
KR950001293B1 (ko) * 1992-04-22 1995-02-15 삼성전자주식회사 반도체 메모리칩의 병렬테스트 회로
JPH06295599A (ja) * 1993-04-09 1994-10-21 Nec Corp 半導体記憶装置
KR960008824B1 (en) * 1993-11-17 1996-07-05 Samsung Electronics Co Ltd Multi bit test circuit and method of semiconductor memory device
KR0137846B1 (ko) * 1994-03-24 1998-06-15 문정환 반도체 기억장치의 멀티비트 테스트회로
KR0172533B1 (ko) * 1995-10-18 1999-03-30 김주용 플래쉬 메모리 장치
US5592425A (en) * 1995-12-20 1997-01-07 Intel Corporation Method and apparatus for testing a memory where data is passed through the memory for comparison with data read from the memory
US5905744A (en) * 1997-09-30 1999-05-18 Lsi Logic Corporation Test mode for multifunction PCI device
JP3322303B2 (ja) * 1998-10-28 2002-09-09 日本電気株式会社 半導体記憶装置
KR100339502B1 (ko) 1999-06-02 2002-05-31 윤종용 다수개의 데이터 라인을 구분되게 테스트하는 통합 데이터 라인 테스트 회로 및 이를 이용하는 테스트 방법
JP3484388B2 (ja) * 2000-02-08 2004-01-06 日本電気株式会社 半導体記憶装置
KR100346447B1 (ko) * 2000-06-30 2002-07-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 병렬 테스트 장치
KR100546308B1 (ko) * 2002-12-13 2006-01-26 삼성전자주식회사 데이터 독출 능력이 향상된 반도체 메모리 장치.
KR100699827B1 (ko) * 2004-03-23 2007-03-27 삼성전자주식회사 메모리 모듈
US7480195B2 (en) * 2005-05-11 2009-01-20 Micron Technology, Inc. Internal data comparison for memory testing
KR100809070B1 (ko) * 2006-06-08 2008-03-03 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 병렬 비트 테스트 회로 및 그 방법
BRPI0915366B1 (pt) 2008-07-02 2020-10-06 Bühler AG Processo para produção de farinha e/ou sêmola e emprego de um moinho de rolos de leito de material
CN101770967A (zh) * 2009-01-03 2010-07-07 上海芯豪微电子有限公司 一种共用基底集成电路测试方法、装置和系统
KR20150033374A (ko) * 2013-09-24 2015-04-01 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 시스템 및 반도체 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60115099A (ja) * 1983-11-25 1985-06-21 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4686456A (en) * 1985-06-18 1987-08-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory test circuit
JP2523586B2 (ja) * 1987-02-27 1996-08-14 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JPH01286200A (ja) * 1988-05-12 1989-11-17 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
JPH0713858B2 (ja) * 1988-08-30 1995-02-15 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
KR910005306B1 (ko) * 1988-12-31 1991-07-24 삼성전자 주식회사 고밀도 메모리의 테스트를 위한 병렬리드회로

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100295691B1 (ko) * 1999-06-04 2001-07-12 김영환 디램의 오픈 테스트용 테스트모드회로

Also Published As

Publication number Publication date
JP3025519B2 (ja) 2000-03-27
IT9048190A1 (it) 1992-01-31
FR2663450B1 (fr) 1993-10-15
GB2245393B (en) 1994-02-23
IT1241525B (it) 1994-01-17
KR930008417B1 (ko) 1993-08-31
IT9048190A0 (it) 1990-07-31
GB2245393A (en) 1992-01-02
GB9016763D0 (en) 1990-09-12
DE4023015C1 (ko) 1991-12-19
JPH0448500A (ja) 1992-02-18
CN1057720A (zh) 1992-01-08
CN1025077C (zh) 1994-06-15
FR2663450A1 (fr) 1991-12-20
US5077689A (en) 1991-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920001552A (ko) 반도체 메모리 장치의 다중 비트 병렬 테스트방법
KR920008768A (ko) 반도체기억장치
KR850004684A (ko) 반도체 기억 장치
KR970051455A (ko) 리던던트셀 테스트 제어회로를 구비하는 반도체 메모리장치
KR870010551A (ko) 다이나믹 ram
KR900010417A (ko) 고밀도 메모리의 테스트를 위한 병렬 리드 회로
KR880011803A (ko) 메모리 장치
KR860003603A (ko) 반도체 메모리
KR950015399A (ko) 비트 단위 데이타의 입력 및 출력용 반도체 메모리 장치
KR870009384A (ko) 반도체 기억 장치
KR950009279A (ko) 메모리 시험을 실시하는 반도체 메모리 장치
KR920010622A (ko) 반도체집적회로장치
KR910013285A (ko) 불휘발성 반도체메모리
KR970076884A (ko) 반도체 메모리 장치의 멀티비트 테스트 회로 및 그 테스트 방법
KR960035657A (ko) 데이타 압축 시험기능을 갖는 반도체 기억장치 및 그 시험방법
KR960025777A (ko) 프리챠지 회로를 갖는 반도체 메모리 디바이스
KR920003314A (ko) 반도체 메모리장치
KR900002305A (ko) 반도체 기억장치
KR960009174A (ko) 고속테스트 기능을 갖는 메모리 소자
KR950015394A (ko) 스태틱 랜덤 억세스 메모리
KR970049243A (ko) 반도체 메모리 디바이스의 구분방법
KR970003244A (ko) 반도체 메모리 장치
KR950006876A (ko) 롤콜 회로
KR910006852A (ko) 메모리 제어 시스템 및 방법
KR960006008A (ko) 병렬 테스트 회로를 포함한 메모리 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19900618

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19900618

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

Comment text: Decision on Publication of Application

Patent event code: PG16051S01I

Patent event date: 19930806

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19931201

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19940110

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19940110

End annual number: 3

Start annual number: 1

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19960730

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19970731

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19980721

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19990721

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20000714

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20010706

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20020708

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030707

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040329

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050708

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060728

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070801

Start annual number: 15

End annual number: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080729

Start annual number: 16

End annual number: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090814

Year of fee payment: 17

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090814

Start annual number: 17

End annual number: 17

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term