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KR102223666B1 - 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법 - Google Patents

위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법 Download PDF

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KR102223666B1
KR102223666B1 KR1020160036735A KR20160036735A KR102223666B1 KR 102223666 B1 KR102223666 B1 KR 102223666B1 KR 1020160036735 A KR1020160036735 A KR 1020160036735A KR 20160036735 A KR20160036735 A KR 20160036735A KR 102223666 B1 KR102223666 B1 KR 102223666B1
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film
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atomic
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유키오 이나즈키
다쿠로 고사카
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 투명 기판 상에, 파장 200nm 이하의 광에서 위상 시프트양이 150 내지 200°이고, 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료의 층을 적어도 1층 포함하고, 막 두께가 70nm 이하이고, 또한 위상 시프트막을 형성하기 전과 위상 시프트막이 존재하는 상태의 사이에서, 투명 기판 표면 중앙부의 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량이 절댓값으로 0.2㎛ 이하인 위상 시프트막이 형성되어 있는 위상 시프트 마스크 블랭크를 제공한다.
포토마스크 패턴의 가공에 있어서 유리한 보다 얇은 위상 시프트막이고, 또한 위상 시프트막을 패턴 형성하여 위상 시프트 마스크를 제작할 때의 패턴 위치의 어긋남이나 치수 정밀도의 저하가 적은, 치수 제어성이 우수한 고품위의 위상 시프트 마스크 블랭크를 제공하는 위상 시프트막이며, 위상 시프트막으로서 필요한 위상차가 확보된 위상 시프트막을 구비한 위상 시프트 마스크 블랭크를 제공할 수 있다.

Description

위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법{PHASE SHIFT MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND BLANK PREPARING METHOD}
본 발명은 반도체 집적 회로 등의 제조 등에 이용되는 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 기술의 분야에서는, 패턴의 가일층의 미세화를 위한 연구 개발이 진행되고 있다. 특히 최근에는, 대규모 집적 회로의 고집적화에 수반하여, 회로 패턴의 미세화나 배선 패턴의 세선화, 셀을 구성하는 층간 배선을 위한 콘택트 홀 패턴의 미세화 등이 진행되어, 미세 가공 기술에 대한 요구는 점점 높아지고 있다. 이에 따라, 미세 가공 시의 포토리소그래피 공정에서 사용되는 포토마스크의 제조 기술의 분야에 있어서도, 보다 미세하고, 또한 정확한 회로 패턴(마스크 패턴)을 형성하는 기술의 개발이 요구되고 있다.
일반적으로, 포토리소그래피 기술에 의하여 반도체 기판 상에 패턴을 형성할 때는 축소 투영이 행해진다. 이 때문에, 포토마스크에 형성되는 패턴의 크기는, 반도체 기판 상에 형성되는 패턴의 크기의 4배 정도가 된다. 요즘의 포토리소그래피 기술 분야에 있어서는, 묘화되는 회로 패턴의 크기는, 노광에서 사용되는 광의 파장을 상당히 하회하는 것으로 되어 있다. 이 때문에, 회로 패턴의 크기를 단순히 4배로 하여 포토마스크 패턴을 형성했을 경우에는, 노광 시에 발생하는 광의 간섭 등의 영향에 의하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 본래의 형상이 전사되지 않는 결과가 되어 버린다.
따라서, 포토마스크에 형성하는 패턴을 실제의 회로 패턴보다도 복잡한 형상으로 함으로써, 상술한 광의 간섭 등의 영향을 경감시키는 경우도 있다. 이러한 패턴 형상으로서는, 예를 들어 실제의 회로 패턴에 광학 근접 효과 보정(OPC: Optical Proximity Correction)을 실시한 형상이 있다. 또한, 패턴의 미세화와 고정밀도화에 부응하기 위하여, 변형 조명, 액침 기술, 해상도 향상 기술(RET: Resolution Enhancement Technology), 2중 노광(더블 패터닝 리소그래피) 등의 기술도 응용되고 있다.
RET의 하나로서 위상 시프트법이 사용되고 있다. 위상 시프트법은 포토마스크 상에, 위상을 대략 180° 반전시키는 막의 패턴을 형성하고, 광의 간섭을 이용하여 콘트라스트를 향상시키는 방법이다. 이를 응용한 포토마스크의 하나로서 하프톤 위상 시프트 마스크가 있다. 하프톤 위상 시프트 마스크는, 석영 등의 노광 광에 대하여 투명한 기판 상에, 위상을 대략 180° 반전시키고, 패턴 형성에 기여하지 않을 정도의 투과율을 갖는 하프톤 위상 시프트막의 마스크 패턴을 형성한 것이다. 하프톤 위상 시프트 마스크로서는, 몰리브덴실리사이드 산화물(MoSiO), 몰리브덴실리사이드 산화질화물(MoSiON)을 포함하는 하프톤 위상 시프트막을 갖는 것 등이 제안되어 있다(일본 특허 공개 (평)7-140635호 공보(특허문헌 1)).
또한 포토리소그래피 기술에 의하여, 보다 미세한 상을 얻기 위하여, 노광 광원에 보다 단파장의 것이 사용되게 되었으며, 현재의 최첨단의 실용 가공 공정에서는, 노광 광원은 KrF 엑시머 레이저 광(248㎚)으로부터 ArF 엑시머 레이저 광(193㎚)으로 이행하고 있다. 그러나, 보다 고에너지의 ArF 엑시머 레이저 광을 사용함으로써, KrF 엑시머 레이저 광에서는 보이지 않았던 마스크 손상이 발생하는 것이 판명되었다. 그 중 하나가, 포토마스크를 연속 사용하면, 포토마스크 상에 이물상의 성장 결함이 발생하는 문제이다. 이 성장 결함은 헤이즈라 불리며, 원인은, 당초에는 마스크 패턴 표면에 있어서의 황산암모늄 결정의 성장인 것으로 생각되었지만, 현재로서는 유기물이 관여하는 것도 생각하게 되었다.
헤이즈 문제의 대책으로서, 예를 들어 일본 특허 공개 제2008-276002호 공보(특허문헌 2)에는, 포토마스크에 대하여 ArF 엑시머 레이저 광을 장시간 조사했을 때 발생하는 성장 결함에 대하여, 소정의 단계에서 포토마스크를 세정함으로써, 포토마스크의 계속 사용이 가능한 것이 나타나 있다.
또한 패턴 전사에 있어서의 ArF 엑시머 레이저 광의 노광 조사량의 증가에 수반하여, 헤이즈와는 상이한 손상이 포토마스크에 발생하고, 누적된 조사 에너지양에 따라 마스크의 패턴 치수가 변화하는 것이 보고되어 있다(문헌 [Thomas Faure et al., "Characterization of binary mask and attenuated phase shift mask blanks for 32㎚ mask fabrication", Proc. Of SPIE, vol. 7122, pp712209-1 내지 712209-12](비특허문헌 1)). 이는, ArF 엑시머 레이저 광을 장시간 조사하면, 누적 조사 에너지양이 커지고, 패턴 재질의 산화물인 것으로 생각되는 물질에 의한 층이 막 패턴의 외측에 성장하여, 패턴 폭이 변화되는 문제이다. 또한 이 손상을 받은 마스크는, 상술한 헤이즈의 제거에 사용하는 암모니아수/과산화수소수에 의한 세정이나, 황산/과산화수소수에 의한 세정으로는 회복되지 않는 것이 나타나 있으며, 원인을 전적으로 달리 하는 것으로 생각된다.
또한, 상기 Thomas Faure 등의 보고(비특허문헌 1)에 따르면, 회로의 패턴 노광에 있어서, 초점 심도를 신장하기 위하여 유용한 마스크 기술인 하프톤 위상 시프트 마스크에서는, 특히 상기 ArF 엑시머 레이저 광의 조사에 의한 MoSi계 재료막 등의 전이 금속 규소계 재료막의 변질을 수반하는 패턴 치수 변동에 의한 열화(이하, 패턴 치수 변동 열화라 칭함)가 큰 것이 지적되어 있다. 따라서, 고가의 포토마스크를 장시간 사용하기 위해서는, ArF 엑시머 레이저 광의 조사에 의한 패턴 치수 변동 열화에 대한 대처가 필요해진다.
ArF 엑시머 레이저 광 등의 단파장 광의 조사에 의한 패턴 치수 변동 열화는, 상기 Thomas Faure 등의 보고(비특허문헌 1)에서 밝혀져 있는 바와 같이, 드라이 에어 분위기에서 광을 조사했을 경우에는 발생하기 어려운 것이며, 패턴 치수 변동 열화를 방지하기 위한 새로운 대처로서, 드라이 에어 중에서 노광을 행하는 방법이 생각된다. 그러나, 드라이 에어 분위기에 의한 제어는, 부가 장치를 필요로 하는 것 외에, 정전기 대책 등이 새로이 필요해지기 때문에, 비용 상승으로 이어진다. 따라서, 습도의 완전 제거를 행하지 않고, 상용의 분위기(예를 들어 습도 50% 정도)에 있어서 장시간의 노광을 가능하게 할 필요가 있다.
또한, ArF 엑시머 레이저 광을 광원으로 하는 리소그래피에 사용하는 포토마스크에서는, 하프톤 위상 시프트막에 있어서는, 종래, 전이 금속 규소계 재료가 사용되며, 통상, 몰리브덴을 함유하는 규소계 재료가 사용되고 있다. 이 전이 금속 규소계 재료의 주된 구성 원소는 전이 금속과 규소이며, 또한 경원소로서 질소 및/또는 산소를 함유하는 것(예를 들어 일본 특허 공개 (평)7-140635호 공보(특허문헌 1))이 있다. 전이 금속으로서는, 몰리브덴, 지르코늄, 탄탈륨, 텅스텐, 티타늄 등이 사용되며, 특히 몰리브덴이 일반적으로 사용되지만(예를 들어 일본 특허 공개 (평)7-140635호 공보(특허문헌 1)), 제2 전이 금속이 더 추가되는 경우도 있다(일본 특허 공개 제2004-133029호 공보(특허문헌 3)). 또한, 차광막에 있어서도 전이 금속 규소계 재료가 사용되며, 통상, 몰리브덴을 함유하는 규소계 재료가 사용된다. 그러나 이와 같은 전이 금속 규소계 재료를 사용한 포토마스크에 고에너지 광을 다량으로 조사했을 경우, 고에너지 광의 조사에 의한 패턴 치수 변동 열화가 커, 포토마스크의 사용 수명이, 요구되는 것보다 짧아진다.
ArF 엑시머 레이저 광 등의 단파장 광이 하프톤 위상 시프트 마스크의 포토마스크 패턴에 조사됨으로써, 노광에 사용하는 포토마스크 패턴의 선 폭이 변화되는 패턴 치수 변동 열화는 중대한 문제이다. 패턴 폭의 허용 한계는 포토마스크 패턴의 종류, 특히 적용되는 패턴 룰에 따라 상이하다. 또한, 다소의 변동이면, 노광 조건을 보정하고, 노광 장치의 조사 조건을 재설정하여 사용할 수 있는 경우도 있는데, 예를 들어 22㎚의 패턴 룰에 의한 반도체 회로를 형성하기 위한 노광에서는, 포토마스크 패턴 선 폭의 변동은 대략 ±5㎚ 이하로 할 필요가 있다. 그러나 패턴 폭의 변화량이 큰 경우에는, 그 변화량이 포토마스크의 면 내에서 분포를 가질 가능성이 있다. 또한, 가일층의 미세화에 의하여, 마스크 상에서 100㎚ 이하의 극히 미세한 보조 패턴도 형성된다. 그 때문에, 이들 마스크 상에서의 패턴 미세화와, 마스크 패턴의 복잡화에 의한 마스크 가공 비용의 증가로부터도, 패턴 치수 변동 열화가 극히 작아, 반복 노광할 수 있는 하프톤 위상 시프트 마스크 막이 필요해진다.
또한, 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크를 하프톤 위상 시프트 마스크의 제조 프로세스에서 사용할 때, 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 상에 이물이 존재하면, 이물이 패턴 결함의 원인이 되기 때문에, 이러한 이물을 제거하기 위하여, 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크는 하프톤 위상 시프트 마스크 제조 과정에 있어서 몇 번이고 세정된다. 또한, 하프톤 위상 시프트 마스크를 포토리소그래피 공정에서 사용할 때, 제조된 하프톤 위상 시프트 마스크 그 자체에 패턴 결함이 없더라도, 포토리소그래피 공정 중에 하프톤 위상 시프트 마스크에 이물이 부착되면, 이를 사용하여 패터닝된 반도체 기판에는 패턴 전사 불량이 발생하기 때문에, 하프톤 위상 시프트 마스크도 또한 반복 세정된다.
하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크나 하프톤 위상 시프트 마스크의 이물 제거를 위해서는, 대부분의 경우, 황산과수나 오존수, 암모니아과수 등에 의한 화학적인 세정이 실시된다. 여기서, 황산과수는, 황산과 과산화수소수를 혼합하여 얻어지는 강력한 산화 작용을 갖는 세정제이며, 오존수는 오존을 물에 용해시킨 것이고, 황산과수의 대체로서 사용된다. 특히, 암모니아과수는, 암모니아수와 과산화수소수를 혼합하여 얻어지는 세정제이며, 표면에 부착된 유기계 이물이 암모니아과수에 침지되면, 암모니아의 용해 작용과 과산화수소의 산화 작용에 의하여, 표면으로부터 유기계 이물이 이탈하여 분리됨으로써 세정된다.
이러한 약액에 의한 화학적 세정은, 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크나 하프톤 위상 시프트 마스크에 부착된 파티클이나 오염물과 같은 이물을 제거하기 위해 필요한 한편, 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크나 하프톤 위상 시프트 마스크가 구비하는 하프톤 위상 시프트막에 손상을 끼칠 우려가 있다. 예를 들어, 상술한 바와 같은 화학적 세정에 의하여 하프톤 위상 시프트막의 표면이 변질되어, 원래 구비하고 있어야 할 광학 특성이 변화될 가능성이 있으며, 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크나 하프톤 위상 시프트 마스크의 화학적 세정은 반복 실시되는 것이기 때문에, 각 세정 공정에서 발생하는 하프톤 위상 시프트막의 특성 변화(예를 들어 위상차 변화)는 가능한 한 낮게 억제되는 것이 필요하다.
일본 특허 공개 (평)7-140635호 공보 일본 특허 공개 제2008-276002호 공보 일본 특허 공개 제2004-133029호 공보 일본 특허 공개 제2007-33469호 공보 일본 특허 공개 제2007-233179호 공보 일본 특허 공개 제2007-241065호 공보
Thomas Faure et al., "Characterization of binary mask and attenuated phase shift mask blanks for 32nm mask fabrication", Proc. Of SPIE, vol.7122, pp712209-1 내지 712209-12
위상 시프트막은, 얇은 편이 패턴 형성에 유리할 뿐만 아니라, 3차원 효과를 저감시킬 수 있기 때문에 유리하다. 그 때문에, 포토리소그래피에 있어서, 보다 미세한 패턴을 형성하기 위해서는 더 얇은 막이 요구된다.
상술한 바와 같이, 위상 시프트막으로서는 몰리브덴 및 규소를 포함하는 막이 주로 이용되고 있었(일본 특허 공개 (평)7-140635호 공보(특허문헌 1))지만, 전이 금속을 포함하는 막에서는 파장 193nm의 ArF 엑시머 레이저 광의 조사에 의해 패턴 치수 변동 열화가 크고, 또한 마스크 제작 공정이나 마스크 사용 중에 있어서 반복 세정됨으로써, 전이 금속을 포함하는 막에서는 세정에 의한 광학 특성의 변화가 크다. 이들 문제는 위상 시프트막을 전이 금속을 포함하지 않는 규소계 재료로 형성함으로써 억제되지만, 전이 금속을 포함하지 않는 규소계 재료, 특히 질소를 포함하는 규소계 재료로 위상 시프트막을 형성하면, 막의 응력이 크고, 위상 시프트 마스크 블랭크로부터 위상 시프트막을 패턴 형성하여 위상 시프트 마스크를 제작하면, 위상 시프트막의 패턴의 형성 전후에서 평탄도가 변화함으로써 위상 시프트 마스크 상에서의 패턴 위치가 어긋나고, 치수의 정밀도가 낮아진다는 문제가 있다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 패턴의 미세화에 대응할 수 있는 위상 시프트막으로서, 필요한 위상차를 확보한 상태에서 패턴 형성이나 삼차원 효과의 저감 등에 있어서 유리한, 막 두께가 얇은 위상 시프트막이고, 또한 위상 시프트막을 패턴 형성하여 위상 시프트 마스크를 제작할 때의 패턴 위치의 어긋남이나 치수 정밀도의 저하가 적은 치수 제어성이 우수한 고품위의 위상 시프트 마스크 블랭크를 제공하는 위상 시프트막을 갖는 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서, 위상 시프트막으로서 필요한 위상차를 확보한 상태에서, 막 두께가 얇고, 위상 시프트막을 패턴 형성하여 위상 시프트 마스크를 제작할 때의 패턴 위치의 어긋남이나 치수 정밀도의 저하가 적은 위상 시프트막의 개발을 목표로 하여, 전이 금속을 포함하지 않는 위상 시프트막에 대하여 예의 검토를 거듭한 결과, 위상 시프트막을 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료의 층을 적어도 1층 포함하도록 스퍼터링에 의해 형성하고, 형성한 위상 시프트막을 400℃ 이상에서 5분간 이상 열처리함으로써, 막 두께를 70nm 이하로 하여 파장 200nm 이하의 광에 대하여 위상차가 150 내지 200°이고, 투명 기판 상에 위상 시프트막을 형성하기 전과 투명 기판 상에 위상 시프트막이 존재하는 상태의 사이에서, 투명 기판 표면 중앙부의 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)이 절댓값으로 0.2㎛ 이하인 위상 시프트막을, 또한 투명 기판 상에 위상 시프트막이 존재하는 상태와 투명 기판 상에 존재하는 위상 시프트막 전체를 에칭에 의해 박리한 후의 사이에서, 투명 기판 표면 중앙부의 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)이 절댓값으로 0.2㎛ 이하인 위상 시프트막을 형성할 수 있음을 알아냈다.
그리고, 위상 시프트막을 이와 같이 구성함으로써, 위상 시프트막의 패턴을 갖는 위상 시프트 마스크를 이용하고, 실리콘 웨이퍼 등의 피가공 기판 상에, 파장 200nm 이하의 노광 광으로 하프 피치 50nm 이하의 피전사 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피에 있어서 필요한, 폭이 100 내지 200nm 정도인 메인 포토마스크 패턴을 갖는 위상 시프트막 패턴을 갖는 위상 시프트 마스크에 있어서, 위상 시프트 마스크 상에서의 패턴의 위치 어긋남이 적고, 치수의 정밀도가 양호한 포토마스크를 제공하는 위상 시프트 마스크 블랭크가 얻어지는 것을 알아내어, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은 이하의 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법을 제공한다.
청구항 1: 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 투명 기판 상에, 파장 200nm 이하의 광에서 위상 시프트양이 150 내지 200°인 위상 시프트막을 갖는 위상 시프트 마스크 블랭크이며,
상기 위상 시프트막으로서, 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료의 층을 적어도 1층 포함하고, 막 두께가 70nm 이하이고, 또한 투명 기판 상에 위상 시프트막을 형성하기 전과 투명 기판 상에 위상 시프트막이 존재하는 상태의 사이에서, 투명 기판 표면 중앙부의 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)이 절댓값으로 0.2㎛ 이하인 위상 시프트막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 2: 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 투명 기판 상에, 파장 200nm 이하의 광에서 위상 시프트양이 150 내지 200°인 위상 시프트막을 갖는 위상 시프트 마스크 블랭크이며,
상기 위상 시프트막으로서, 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료의 층을 적어도 1층 포함하고, 막 두께가 70nm 이하이고, 또한 투명 기판 상에 위상 시프트막이 존재하는 상태와 투명 기판 상에 존재하는 위상 시프트막 전체를 에칭에 의해 박리한 후의 사이에서, 투명 기판 표면 중앙부의 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)이 절댓값으로 0.2㎛ 이하인 위상 시프트막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 3: 상기 위상 시프트막이 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료로 구성되고, 상기 파장 200nm 이하의 광에서 투과율이 3% 이상 20% 미만인 하프톤 위상 시프트막인 것을 특징으로 하는 청구항 1 또는 2에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 4: 상기 위상 시프트막이 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료로 구성되고, 상기 파장 200nm 이하의 광에서 투과율이 20% 이상인 하프톤 위상 시프트막인 것을 특징으로 하는 청구항 1 또는 2에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 5: 상기 위상 시프트막 상에, 크롬을 포함하는 재료로 구성된 단층 또는 복수층을 포함하는 제2 층을 더 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 6: 상기 제2 층이 차광막, 차광막과 반사 방지막의 조합, 또는 상기 위상 시프트막의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막인 것을 특징으로 하는 청구항 5에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 7: 상기 제2 층 상에, 규소를 포함하는 재료로 구성된 단층 또는 복수층을 포함하는 제3 층을 더 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 5에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 8: 상기 제2 층이 차광막 또는 차광막과 반사 방지막의 조합이고, 상기 제3 층이 상기 제2 층의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막인 것을 특징으로 하는 청구항 7에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 9: 상기 제2 층이 상기 위상 시프트막의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하고, 또한 상기 제3 층의 패턴 형성에 있어서 에칭 스토퍼로서 기능하는 가공 보조막이고, 상기 제3 층이 차광막 또는 차광막과 반사 방지막의 조합인 것을 특징으로 하는 청구항 7에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 10: 상기 제3 층 상에, 크롬을 포함하는 재료로 구성된 단층 또는 복수층을 포함하는 제4 층을 더 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 7에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 11: 상기 제2 층이 상기 위상 시프트막의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하고, 또한 상기 제3 층의 패턴 형성에 있어서 에칭 스토퍼로서 기능하는 가공 보조막이고, 상기 제3 층이 차광막 또는 차광막과 반사 방지막의 조합이고, 상기 제4 층이 상기 제3 층의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막인 것을 특징으로 하는 청구항 10에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 12: 상기 위상 시프트막이 스퍼터링에 의해 성막된 후, 400℃ 이상에서 5분간 이상 열처리된 막인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크.
청구항 13: 청구항 1 내지 12 중 어느 한 항에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크를 이용하여 형성된 위상 시프트 마스크.
청구항 14: 투명 기판 상에 위상 시프트막을 스퍼터링에 의해 성막하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법이며,
상기 위상 시프트막을 성막하는 공정이
(A) 투명 기판 상에, 스퍼터 장치를 이용하여, 적어도 하나의 실리콘 타겟을 이용하고, 아르곤 가스와 질소 가스를 스퍼터 챔버 내에 도입하여 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 층을 형성하는 공정, 및
(B) 투명 기판 상에, 스퍼터 장치를 이용하여, 적어도 하나의 실리콘 타겟을 이용하고, 아르곤 가스와, 질소 가스, 산소 가스 및 산화질소 가스로부터 선택되는 적어도 하나의 가스를 스퍼터 챔버 내에 도입하여 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 층을 형성하는 공정
중 한쪽 또는 양쪽의 공정을 포함하고,
상기 제조 방법이, 투명 기판 상에 성막된 위상 시프트막을 400℃ 이상에서 5분간 이상 열처리하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 포토마스크 패턴의 가공에 있어서 유리한, 보다 얇은 위상 시프트막이고, 또한 위상 시프트막을 패턴 형성하여 위상 시프트 마스크를 제작할 때의 패턴 위치의 어긋남이나 치수 정밀도의 저하가 적은 치수 제어성이 우수한 고품위의 위상 시프트 마스크 블랭크를 제공하는 위상 시프트막이며, 위상 시프트막으로서 필요한 위상차가 확보된 위상 시프트막을 구비한 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크를 제공할 수 있다. 본 발명의 위상 시프트 마스크에 의하면, 포토리소그래피에 있어서의 가일층의 패턴의 미세화와 고정밀도화의 요구에 적합한 노광이 가능하다.
도 1은 본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크(위상 시프트형 포토마스크 블랭크)는 석영 기판 등의 투명 기판 상에, 형성된 단층 또는 다층(즉, 2층 이상)을 포함하는 위상 시프트막을 갖는다. 본 발명에 있어서, 투명 기판은 SEMI 규격에 있어서 규정되어 있는 한변 6인치(정사각형), 두께 25밀리인치의 6025 기판이라고 불리는 투명 기판이 대상으로 되고, SI 단위계를 이용한 경우, 통상 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 투명 기판이라고 표기된다. 또한, 본 발명의 위상 시프트 마스크(위상 시프트형 포토마스크)는 위상 시프트막의 마스크 패턴(포토마스크 패턴)을 갖는다. 본 발명의 위상 시프트막에는 하프톤 위상 시프트막이 포함된다. 따라서, 본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크에는 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크가 포함되고, 본 발명의 위상 시프트 마스크에는 하프톤 위상 시프트 마스크가 포함된다.
도 1의 (A)는, 본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크의 일례를 도시하는 단면도이며, 이 위상 시프트 마스크 블랭크(100)는, 투명 기판(10)과, 투명 기판(10) 상에 형성된 위상 시프트막(1)을 구비한다. 또한 도 1의 (B)는, 본 발명의 위상 시프트 마스크의 일례를 도시하는 단면도이며, 이 위상 시프트 마스크(101)는, 투명 기판(10)과, 투명 기판(10) 상에 형성된 하프톤 위상 시프트막 패턴(11)을 구비한다.
위상 시프트막은, 위상 시프트막으로서 필요한 위상차 및 투과율을 만족시키도록 단층으로 구성할 수도 있지만, 예를 들어 소정의 표면 반사율을 만족시키도록 하기 위하여, 반사 방지 기능성을 갖는 층을 포함하도록 하여, 전체적으로 위상 시프트막으로서 필요한 위상차 및 투과율을 만족시키도록 다층으로 구성하는 것도 적합하다.
단층 및 다층 중 어느 경우에 있어서도, 각각의 층은, 조성이 두께 방향으로 연속적으로 변화하도록 형성할 수도 있다. 또한, 위상 시프트막을 다층으로 구성하는 경우, 구성 원소가 상이한 층, 및 구성 원소가 동일하고 조성비가 상이한 층으로부터 선택되는 2층 이상의 조합일 수도 있고, 다층을 3층 이상으로 구성하는 경우에는, 인접하는 층으로 하지 않는다면, 동일한 층을 조합할 수도 있다.
본 발명의 위상 시프트막은, 소정의 막 두께에 있어서, 파장 200㎚ 이하의 광, 특히 위상 시프트 마스크를 사용한 포토리소그래피에 있어서 사용되는 ArF 엑시머 레이저 광(파장 193㎚)의 노광 광에 대하여, 소정의 위상 시프트양(위상차)과 소정의 투과율을 부여하는 막이다.
본 발명의 위상 시프트막의 전체 두께는, 얇을수록 미세한 패턴을 형성하기 쉽기 때문에 70㎚ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 62㎚ 이하이다. 한편, 위상 시프트막의 막 두께의 하한은, 노광 파장인 파장 200㎚ 이하의 광에 대하여, 필요한 광학 특성이 얻어지는 범위에서 설정되며, 특별히 제약은 없지만 일반적으로는 40㎚ 이상이 된다.
본 발명의 위상 시프트막의 노광 광에 대한 위상차는, 위상 시프트막이 존재하는 부분(위상 시프트부)과, 위상 시프트막이 존재하지 않는 부분의 경계부에 있어서, 각각을 통과하는 노광 광의 위상차에 의하여 노광 광이 간섭하여 콘트라스트를 증대시킬 수 있는 위상차이면 되며, 위상차는 150 내지 200°이면 된다. 일반적인 위상 시프트막에서는, 위상차를 대략 180°로 설정하지만, 상술한 콘트라스트 증대의 관점에서는, 위상차는 대략 180°로 한정되지 않으며, 위상차를 180°보다 작게 또는 크게 할 수 있다. 예를 들어 위상차를 180°보다 작게 하면 박막화에 유효하다. 또한 보다 높은 콘트라스트가 얻어지는 점에서, 위상차는 180°에 가까운 편이 효과적인 것은 물론이며, 160 내지 190°, 특히 175 내지 185°, 특히나 약 180°인 것이 바람직하다.
본 발명의 위상 시프트막은, 투명 기판 상에 위상 시프트막이 존재하는 상태와의 사이에서, 투명 기판 표면 중앙부의 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)이 절댓값으로 0.2㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 위상 시프트막은, 투명 기판 상에 위상 시프트막이 존재하는 상태와 투명 기판 상에 존재하는 위상 시프트막 전체를 에칭에 의해 박리한 후의 사이에서, 투명 기판 표면 중앙부의 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)이 절댓값으로 0.2㎛ 이하인 것이 바람직하다. 위상 시프트막을 이와 같이 휨의 변화량이 적은 것으로 함으로써, 위상 시프트막을 패턴 형성하여 위상 시프트 마스크를 제작할 때의 패턴 위치의 어긋남이나 치수 정밀도의 저하가 적은 위상 시프트막을 갖는 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크로 할 수 있다.
여기서, 투명 기판 표면 중앙부의 한변이 142mm인 정사각형 내는, 한변 152mm(정사각형)의 투명 기판의 위상 시프트막이 성막되는 표면의 주연으로부터 5mm보다 내측의 범위로 설정된다. 이 범위는, 위상 시프트 마스크에 있어서 위상 시프트 마스크를 이용한 노광에 이용되는 포토마스크 패턴이 형성되는 영역이다. 투명 기판 및 위상 시프트막이 성막된 투명 기판의 휨은 플랫니스 측정기로 표면의 형상을 측정하였을 때의 TIR(토탈 인디케이터 리딩; Total Indicator Reading)로 규정되는 평탄도이고, 그의 변화량으로서의 ΔTIR은 기판의 표면 형상을 측정하였을 때의 기판의 중심의 높이를 높이 방향의 원점으로 하고, 동일 기판에서 기판 상에 막이 존재하는 경우와 존재하지 않는 경우의 사이의 기판 평면 내 각 좌표에 있어서의 변화량의 최댓값 또는 최솟값이라고 정의된다. 이 휨 및 그의 변화량은 플랫니스 테스터(예를 들어 코닝(CORNING) 제조 트로펠(Tropel)R 울트라 플랫(Ultra Flat)TM 200마스크(Mask) 등)의 시판의 측정 장치에 의해 측정, 산출할 수 있다.
본 발명의 위상 시프트막이 하프톤 위상 시프트막인 경우, 그 노광 광에 대한 투과율은 3% 이상, 특히 5% 이상인 것이 바람직하고, 또한 40% 이하, 특히 30% 이하인 것이 바람직하다.
특히, 위상 시프트막이 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료로 구성되어 있는 경우, 위상 시프트막 중의 규소와 질소의 양을 조정함으로써, 파장 200nm 이하의 광에서 투과율이 3% 이상 20% 미만인 하프톤 위상 시프트막으로 할 수 있다. 또한, 위상 시프트막이 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료로 구성되어 있는 경우, 위상 시프트막 중의 규소와 질소와 산소의 양을 조정함으로써, 파장 200nm 이하의 광에서 투과율이 20% 이상인 하프톤 위상 시프트막으로 할 수 있다.
본 발명의 위상 시프트막에 있어서는, 단층으로 구성하는 경우에는 단층 전체에 있어서, 또한 다층으로 구성하는 경우에는 다층을 구성하는 층의 1층 이상, 특히 후술하는 표면 산화층을 형성하는 경우에는 이 표면 산화층을 제외하고, 다층 전체에 있어서, 노광 광에 대한 굴절률 n이 2.4 이상, 특히 2.5 이상, 특히나 2.6 이상인 것이 바람직하다. 위상 시프트막의 산소 함유율을 낮게 함으로써, 바람직하게는 산소를 함유시키지 않음으로써, 또는 전이 금속을 함유시키지 않음으로써, 소정의 투과율에서 막의 굴절률 n을 높게 할 수 있고, 또한 위상 시프트막으로서 필요한 위상차를 확보한 데다, 막의 두께를 보다 얇게 할 수 있다. 굴절률 n은, 산소의 함유율이 낮을수록 높아지고, 굴절률 n이 높을수록, 얇은 막에서 필요한 위상차를 얻을 수 있다.
본 발명의 위상 시프트막에 있어서는, 단층으로 구성하는 경우에는 단층 전체에 있어서, 또한 다층으로 구성하는 경우에는 다층을 구성하는 층의 1층 이상, 특히 후술하는 표면 산화층을 형성하는 경우에는 이 표면 산화층을 제외하고, 다층 전체에 있어서, 노광 광에 대한 소쇠 계수 k가 0.1 이상, 특히 0.2 이상이고, 0.7 이하, 특히 0.65 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 위상 시프트막은 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료의 층을 적어도 1층 포함한다. 규소계 재료는 규소 및 질소를 함유하고, 산소를 함유하고 있어도 된다. 이들 이외의 원소의 함유는 불순물량이라면 허용되지만, 특히 전이 금속(예를 들어 몰리브덴, 지르코늄, 텅스텐, 티타늄, 하프늄, 크롬, 탄탈륨 등)은 함유하고 있지 않은 것이 바람직하다. 전이 금속을 포함하는 규소계 재료에 있어서의 패턴 치수 변동 열화의 문제는 이러한 규소계 재료를 이용함으로써 개선할 수 있고, 또한 이러한 규소계 재료를 이용함으로써 화학적 세정에 대한 내약품성이 향상된다.
위상 시프트막을 다층으로 구성하는 경우, 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 층의 두께(해당 층이 2층 이상인 경우에는 그들의 합계의 두께)가 위상 시프트막 전체의 두께의 60% 이상, 특히 80% 이상인 것이 바람직하고, 특히 후술하는 표면 산화층을 형성하는 경우에는 이 표면 산화층을 제외하고, 다층 전체가 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 층인 것이 바람직하다. 또한, 위상 시프트막을 다층으로 구성하는 경우, 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 층을 투명 기판측, 투명 기판측으로부터 이격하는 측, 두께 방향의 중앙부 중 어느 곳에 형성하여도 된다
본 발명의 위상 시프트막은, 단층으로 구성하는 경우에는 단층 전체의 규소계 재료에 있어서, 또한 다층으로 구성하는 경우에는 다층을 구성하는 층의 1층 이상의 규소계 재료, 특히 후술하는 표면 산화층을 형성하는 경우에는 이 표면 산화층을 제외하고, 다층 전체의 규소계 재료에 있어서, 규소계 재료에 포함되는 규소의 함유율이 30원자% 이상, 특히 40원자% 이상, 특히나 44원자% 이상이고, 55원자% 이하, 특히 50원자% 이하인 것이 바람직하다. 특히, 위상 시프트막이 저투과율(예를 들어 3% 이상 20% 미만, 특히 3% 이상 12% 이하, 특히나 3% 이상 10% 미만)의 하프톤 위상 시프트막인 경우에는, 규소계 재료에 포함되는 규소의 함유율이 40원자% 이상, 특히 44 원자% 이상이고, 55원자% 이하, 특히 50원자% 이하인 것이 바람직하고, 또한 위상 시프트막이 고투과율(예를 들어 20% 이상 30% 이하)의 하프톤 위상 시프트막인 경우에는, 규소계 재료에 포함되는 규소의 함유율이 30원자% 이상, 특히 40원자% 이상이고, 55원자% 이하, 특히 45원자% 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 위상 시프트막은, 단층으로 구성하는 경우에는 단층 전체의 규소계 재료에 있어서, 또한 다층으로 구성하는 경우에는 다층을 구성하는 층의 1층 이상의 규소계 재료, 특히 후술하는 표면 산화층을 형성하는 경우에는 이 표면 산화층을 제외하고, 다층 전체의 규소계 재료에 있어서, 규소계 재료에 포함되는 질소의 함유율이 10원자% 이상, 특히 40원자% 이상, 특히 50원자% 이상이고, 60원자% 이하, 특히 55원자% 이하인 것이 바람직하다. 특히, 위상 시프트막이 저투과율(예를 들어, 3% 이상 20% 미만, 특히 3% 이상 12% 이하, 특히 3% 이상 10% 미만)의 하프톤 위상 시프트막의 경우에는, 규소계 재료에 포함되는 질소의 함유율이 44원자% 이상이고, 60원자% 이하, 특히 56원자% 이하인 것이 바람직하고, 또한 위상 시프트막이 고투과율(예를 들어 20% 이상 30% 이하)의 하프톤 위상 시프트막인 경우에는, 규소계 재료에 포함되는 질소의 함유율이 10원자% 이상, 특히 40원자% 이상이고, 60원자% 이하, 특히 55원자% 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 위상 시프트막은, 단층으로 구성하는 경우에는 단층 전체의 규소계 재료에 있어서, 또한 다층으로 구성하는 경우에는 다층을 구성하는 층의 1층 이상의 규소계 재료, 특히 후술하는 표면 산화층을 형성하는 경우에는 이 표면 산화층을 제외하고, 다층 전체의 규소계 재료에 있어서, 규소계 재료에 포함되는 산소의 함유율이 50원자% 이하, 특히 20원자% 이하, 특히나 6원자% 이하인 것이 바람직하다. 특히, 하프톤 위상 시프트막이 저투과율(예를 들어 3% 이상 20% 미만, 특히 3% 이상 12% 이하, 특히 3% 이상 10% 미만)인 경우에는, 규소계 재료에 포함되는 산소의 함유율이 0원자% 이상이고, 6원자% 이하, 특히 3.5원자% 이하, 특히나 1원자% 이하인 것이 바람직하고, 또한 하프톤 위상 시프트막이 고투과율(예를 들어 20% 이상 30% 이하)인 경우에는, 규소계 재료에 포함되는 산소의 함유율이 50원자% 이하, 특히 20원자% 이하인 것이 바람직하고, 특히 규소계 재료에 포함되는 산소의 함유율이 0원자% 이상, 특히 1원자% 이상의 층이 1층 이상 포함되는 것이 바람직하다.
규소계 재료로서 구체적으로는, 규소 및 질소만을 포함하는 규소계 재료(즉, 규소질화물(SiN)), 규소, 질소 및 산소만을 포함하는 규소계 재료(즉, 규소산화질화물(SiON))를 들 수 있다.
또한, 위상 시프트막의 박막화를 위해서는, 산소의 함유율이 낮은 편이 바람직하며, 산소를 포함하지 않는 것이 보다 바람직하다. 이 관점에서, 위상 시프트막을, 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 층을 포함하도록 하는 것이 바람직하다. 그러기 위해서는, 위상 시프트막을, 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 단층으로 형성하는 것이 유효하며, 또한 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 층을 1층 이상 포함하는 다층, 특히 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 층 1층 이상과, 규소, 질소 및 산소를 포함하는 층 1층 이상을 포함하는 다층으로 형성하는 것도 유효하다.
본 발명의 위상 시프트막은, 공지된 성막 방법을 적용하여 성막할 수 있지만, 균질성이 우수한 막이 용이하게 얻어지는 스퍼터법에 의하여 성막하는 것이 바람직하며, DC 스퍼터, RF 스퍼터 중 어느 방법도 사용할 수 있다. 타겟과 스퍼터 가스는 층 구성이나 조성에 따라 적절히 선택된다. 타겟으로서는, 규소 타겟, 질화규소 타겟, 규소와 질화규소 양쪽을 포함하는 타겟 등을 사용하면 된다. 질소와 산소의 함유량은, 스퍼터 가스에, 반응성 가스로서, 질소를 포함하는 가스, 산소를 포함하는 가스, 질소 및 산소를 포함하는 가스, 필요에 따라 탄소를 포함하는 가스 등을 사용하고, 도입량을 적절히 조정하여 반응성 스퍼터함으로써, 조정할 수 있다. 반응성 가스로서, 구체적으로는 질소 가스(N2 가스), 산소 가스(O2 가스), 질소산화물 가스(N2O 가스, NO 가스, NO2 가스) 등을 사용할 수 있다. 또한 스퍼터 가스로는, 희가스로서 헬륨 가스, 네온 가스, 아르곤 가스 등을 이용하는 것이 휨의 변화량(ΔTIR)의 저감의 관점에서 유리하다.
본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크는, 투명 기판 상에, 위상 시프트막을 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료의 층을 적어도 1층 포함하도록 스퍼터링에 의해 형성하고, 형성한 위상 시프트막을 400℃ 이상에서 5분간 이상 열처리함으로써 형성하는 것이 바람직하다.
투명 기판 상에 위상 시프트막을 스퍼터링에 의해 성막하는 공정은, (A) 투명 기판 상에, 스퍼터 장치를 이용하여, 적어도 하나의 실리콘 타겟을 이용하고, 아르곤 가스와 질소 가스를 스퍼터 챔버 내에 도입하여, 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 층을 형성하는 공정, 및 (B) 투명 기판 상에, 스퍼터 장치를 이용하여, 적어도 하나의 실리콘 타겟을 이용하고, 아르곤 가스와, 질소 가스, 산소 가스 및 산화질소 가스로부터 선택되는 적어도 하나의 가스를 스퍼터 챔버 내에 도입하여, 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료로 구성된 층을 형성하는 공정 중 한쪽 또는 양쪽의 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 스퍼터링시에는, 얻어지는 위상 시프트막이 위상 시프트 마스크 블랭크에 있어서 휨의 변화량(ΔTIR)이 적어지도록 위상 시프트막의 성막시의 스퍼터 가스의 도입량을 조절하는 것이 바람직하다.
위상 시프트막의 성막 후의 열처리는, 위상 시프트막을 투명 기판 상에, 성막한 상태에서 400℃ 이상, 특히 450℃ 이상에서 5분간 이상, 특히 30분간 이상 가열하는 것이 바람직하다. 종래, 위상 시프트막으로서 이용되고 있는 전이 금속을 포함하는 막에서는, 이러한 고온에서 열처리를 행하면, 표면에 석출물이 형성되어 결함이 되기 때문에, 이러한 고온을 적용할 수 없지만, 본 발명의 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료의 층을 적어도 1층 포함하는 위상 시프트막은, 이러한 고온을 적용하여도 전이 금속을 포함하는 막과 같은 문제는 발생하지 않는다. 열 처리 온도는 900℃ 이하, 특히 700℃ 이하가 바람직하고, 열처리 시간은 24시간 이하, 특히 12시간 이하가 바람직하다. 열처리는 스퍼터 챔버 내에서 실시하여도 되고, 또한 스퍼터 챔버와는 상이한 열처리 로에 옮겨서 실시하여도 된다. 열처리의 분위기는 헬륨 가스, 아르곤 가스 등의 불활성 가스 분위기, 진공하에서도, 후술하는 표면 산화층이 최표면에 형성되지만, 산소 가스 분위기 등의 산소 존재 분위기이어도 된다.
위상 시프트막을 다층으로 한 경우, 위상 시프트막의 막질 변화를 억제하기 위하여, 그의 표면측(투명 기판과 이격되는 측)의 최표면부의 층으로서, 표면 산화층을 형성할 수 있다. 이 표면 산화층의 산소 함유율은 20원자% 이상일 수도 있고, 나아가 50원자% 이상일 수도 있다. 표면 산화층을 형성하는 방법으로서, 구체적으로는 대기 산화(자연 산화)에 의한 산화 외에, 강제적으로 산화 처리하는 방법으로서는, 규소계 재료의 막을 오존 가스나 오존수에 의하여 처리하는 방법이나, 산소 가스 분위기 등의 산소 존재 분위기 중에서 오븐 가열, 램프 어닐링, 레이저 가열 등에 의하여 300℃ 이상으로 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 이 표면 산화층의 두께는 10㎚ 이하, 특히 5㎚ 이하, 특히나 3㎚ 이하인 것이 바람직하며, 통상 1㎚ 이상에서 산화층으로서의 효과가 얻어진다. 표면 산화층은, 스퍼터 공정에서 산소량을 증가시켜 형성할 수도 있지만, 결함이 보다 적은 층으로 하기 위해서는, 상술한 대기 산화나 산화 처리에 의하여 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크의 위상 시프트막 상에는 단층 또는 다층을 포함하는 제2 층을 형성할 수 있다. 제2 층은, 통상 위상 시프트막에 인접하여 형성된다. 이 제2 층으로서, 구체적으로는 차광막, 차광막과 반사 방지막의 조합, 위상 시프트막의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막 등을 들 수 있다. 또한, 후술하는 제3 층을 형성하는 경우, 이 제2 층을, 제3 층의 패턴 형성에 있어서 에칭 스토퍼로서 기능하는 가공 보조막(에칭 스토퍼막)으로서 이용할 수도 있다. 제2 층의 재료로서는 크롬을 포함하는 재료가 적합하다.
이러한 위상 시프트 마스크 블랭크로서 구체적으로는, 도 2의 (A)에 도시한 것을 들 수 있다. 도 2의 (A)는, 본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크의 일례를 도시하는 단면도이고, 이 위상 시프트 마스크 블랭크(100)는 투명 기판(10)과, 투명 기판(10) 상에 형성된 위상 시프트막(1)과, 위상 시프트막(1) 상에 형성된 제2 층(2)을 구비한다.
본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크에는, 위상 시프트막 상에 제2 층으로서 차광막을 형성할 수 있다. 또한 제2 층으로서, 차광막과 반사 방지막을 조합하여 형성할 수도 있다. 차광막을 포함하는 제2 층을 형성함으로써, 위상 시프트 마스크에, 노광 광을 완전히 차광하는 영역을 형성할 수 있다. 이 차광막 및 반사 방지막은, 에칭에 있어서의 가공 보조막으로서도 이용 가능하다. 차광막 및 반사 방지막의 막 구성 및 재료에 대해서는, 다수의 보고(예를 들어 일본 특허 공개 제2007-33469호 공보(특허문헌 4), 일본 특허 공개 제2007-233179호 공보(특허문헌 5) 등)가 있지만, 바람직한 차광막과 반사 방지막의 조합의 막 구성으로서는, 예를 들어 크롬을 포함하는 재료의 차광막을 형성하고, 또한 차광막으로부터의 반사를 저감시키는 크롬을 포함하는 재료의 반사 방지막을 형성한 것 등을 들 수 있다. 차광막 및 반사 방지막은 모두 단층으로 구성할 수도, 다층으로 구성할 수도 있다. 차광막이나 반사 방지막의 크롬을 포함하는 재료로서는, 크롬 단체, 크롬산화물(CrO), 크롬질화물(CrN), 크롬탄화물(CrC), 크롬산화질화물(CrON), 크롬산화탄화물(CrOC), 크롬질화탄화물(CrNC), 크롬산화질화탄화물(CrONC) 등의 크롬 화합물 등을 들 수 있다.
제2 층이 차광막, 또는 차광막과 반사 방지막의 조합인 경우, 차광막의 크롬 화합물 중의 크롬의 함유율은 40원자% 이상, 특히 60원자% 이상이고, 100원자% 미만, 특히 99원자% 이하, 특히나 90원자% 이하인 것이 바람직하다. 산소의 함유율은 0원자% 이상이고, 60원자% 이하, 특히 40원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 질소의 함유율은 0원자% 이상이고, 50원자% 이하, 특히 40원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 탄소의 함유율은 0원자% 이상이고, 20원자% 이하, 특히 10원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 크롬, 산소, 질소 및 탄소의 합계의 함유율은 95원자% 이상, 특히 99원자% 이상, 특히나 100원자%인 것이 바람직하다.
또한, 제2 층이 차광막과 반사 방지막의 조합인 경우, 반사 방지막은 크롬 화합물인 것이 바람직하고, 크롬 화합물 중의 크롬의 함유율은 30원자% 이상, 특히 35원자% 이상이고, 70원자% 이하, 특히 50원자% 이하인 것이 바람직하다. 산소의 함유율은 60원자% 이하인 것이 바람직하고, 1원자% 이상, 특히 20원자% 이상인 것이 보다 바람직하다. 질소의 함유율은 50원자% 이하, 특히 30원자% 이하인 것이 바람직하고, 1원자% 이상, 특히 3원자% 이상인 것이 보다 바람직하다. 탄소의 함유율은 0원자% 이상이고, 20원자% 이하, 특히 5원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 크롬, 산소, 질소 및 탄소의 합계의 함유율은 95원자% 이상, 특히 99원자% 이상, 특히나 100원자%인 것이 바람직하다.
제2 층이 차광막, 또는 차광막과 반사 방지막의 조합인 경우, 제2 층의 막 두께는 통상 20 내지 100㎚, 바람직하게는 40 내지 70㎚이다. 또한, 파장 200㎚ 이하의 노광 광에 대한 위상 시프트막과 제2 층의 합계의 광학 농도가 2.0 이상, 특히 2.5 이상, 특히나 3.0 이상이 되도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크의 제2 층 상에는, 단층 또는 다층을 포함하는 제3 층을 형성할 수 있다. 제3 층은, 통상 제2 층에 인접하여 형성된다. 이 제3 층으로서, 구체적으로는 제2 층의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막, 차광막, 차광막과 반사 방지막의 조합 등을 들 수 있다. 제3 층의 재료로서는, 규소를 포함하는 재료가 적합하며, 특히 크롬을 포함하지 않는 것이 바람직하다.
이러한 위상 시프트 마스크 블랭크로서 구체적으로는, 도 2의 (B)에 도시한 것을 들 수 있다. 도 2의 (B)는, 본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크의 일례를 도시하는 단면도이고, 이 위상 시프트 마스크 블랭크(100)는 투명 기판(10)과, 투명 기판(10) 상에 형성된 위상 시프트막(1)과, 위상 시프트막(1) 상에 형성된 제2 층(2)과, 제2 층(2) 상에 형성된 제3 층(3)을 구비한다.
제2 층이 차광막, 또는 차광막과 반사 방지막의 조합인 경우, 제3 층으로서, 제2 층의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막(에칭 마스크 막)을 형성할 수 있다. 또한, 후술하는 제4 층을 형성하는 경우, 이 제3 층을, 제4 층의 패턴 형성에 있어서 에칭 스토퍼로서 기능하는 가공 보조막(에칭 스토퍼막)으로서 이용할 수도 있다. 이 가공 보조막은, 제2 층과 에칭 특성이 상이한 재료, 예를 들어 크롬을 포함하는 재료의 에칭에 적용되는 염소계 드라이 에칭에 내성을 갖는 재료, 구체적으로는 SF6이나 CF4 등의 불소계 가스로 에칭할 수 있는 규소를 포함하는 재료로 하는 것이 바람직하다. 규소를 포함하는 재료로서, 구체적으로는 규소 단체, 규소와, 질소 및 산소 중 한쪽 또는 양쪽을 포함하는 재료, 규소와 전이 금속을 포함하는 재료, 규소와, 질소 및 산소 중 한쪽 또는 양쪽과, 전이 금속을 포함하는 재료 등의 규소 화합물 등을 들 수 있으며, 전이 금속으로서는 몰리브덴, 탄탈륨, 지르코늄 등을 들 수 있다.
제3 층이 가공 보조막인 경우, 가공 보조막은 규소 화합물인 것이 바람직하고, 규소 화합물 중의 규소의 함유율은 20원자% 이상, 특히 33원자% 이상이고, 95원자% 이하, 특히 80원자% 이하인 것이 바람직하다. 질소의 함유율은 0원자% 이상이고, 50원자% 이하, 특히 30원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 산소의 함유율은 0원자% 이상, 특히 20원자% 이상이고, 70원자% 이하, 특히나 66원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 전이 금속의 함유율은 0원자% 이상 35원자% 이하, 특히 20원자% 이하인 것이 바람직하며, 전이 금속을 함유하는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 규소, 산소, 질소 및 전이 금속의 합계의 함유율은 95원자% 이상, 특히 99원자% 이상, 특히나 100원자%인 것이 바람직하다.
제2 층이 차광막, 또는 차광막과 반사 방지막의 조합, 제3 층이 가공 보조막인 경우, 제2 층의 막 두께는 통상 20 내지 100㎚, 바람직하게는 40 내지 70㎚이고, 제3 층의 막 두께는 통상 1 내지 30㎚, 바람직하게는 2 내지 15㎚이다. 또한, 파장 200㎚ 이하의 노광 광에 대한 위상 시프트막과 제2 층의 합계의 광학 농도가 2.0 이상, 특히 2.5 이상, 특히나 3.0 이상이 되도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 제2 층이 가공 보조막인 경우, 제3 층으로서 차광막을 형성할 수 있다. 또한 제3 층으로서, 차광막과 반사 방지막을 조합하여 형성할 수도 있다. 이 경우, 제2 층은, 위상 시프트막의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막(에칭 마스크 막)이며, 제3 층의 패턴 형성에 있어서 에칭 스토퍼로서 기능하는 가공 보조막(에칭 스토퍼막)으로서 이용할 수도 있다. 가공 보조막의 예로서는, 일본 특허 공개 제2007-241065호 공보(특허문헌 6)에 나타나 있는 바와 같은 크롬을 포함하는 재료로 구성된 막을 들 수 있다. 가공 보조막은 단층으로 구성할 수도, 다층으로 구성할 수도 있다. 가공 보조막의 크롬을 포함하는 재료로서는, 크롬 단체, 크롬산화물(CrO), 크롬질화물(CrN), 크롬탄화물(CrC), 크롬산화질화물(CrON), 크롬산화탄화물(CrOC), 크롬질화탄화물(CrNC), 크롬산화질화탄화물(CrONC) 등의 크롬 화합물 등을 들 수 있다.
제2 층이 가공 보조막인 경우, 제2 층 중의 크롬의 함유율은 40원자% 이상, 특히 50원자% 이상이고, 100원자% 이하, 특히 99원자% 이하, 특히나 90원자% 이하인 것이 바람직하다. 산소의 함유율은 0원자% 이상이고, 60원자% 이하, 특히 55원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 질소의 함유율은 0원자% 이상이고, 50원자% 이하, 특히 40원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 탄소의 함유율은 0원자% 이상이고, 20원자% 이하, 특히 10원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 크롬, 산소, 질소 및 탄소의 합계의 함유율은 95원자% 이상, 특히 99원자% 이상, 특히나 100원자%인 것이 바람직하다.
한편, 제3 층의 차광막 및 반사 방지막은, 제2 층과 에칭 특성이 상이한 재료, 예를 들어 크롬을 포함하는 재료의 에칭에 적용되는 염소계 드라이 에칭에 내성을 갖는 재료, 구체적으로는 SF6나 CF4 등의 불소계 가스로 에칭할 수 있는 규소를 포함하는 재료로 하는 것이 바람직하다. 규소를 포함하는 재료로서, 구체적으로는 규소 단체, 규소와, 질소 및 산소 중 한쪽 또는 양쪽을 포함하는 재료, 규소와 전이 금속을 포함하는 재료, 규소와, 질소 및 산소 중 한쪽 또는 양쪽과, 전이 금속을 포함하는 재료 등의 규소 화합물 등을 들 수 있으며, 전이 금속으로서는 몰리브덴, 탄탈륨, 지르코늄 등을 들 수 있다.
제3 층이 차광막, 또는 차광막과 반사 방지막의 조합인 경우, 차광막 및 반사 방지막은 규소 화합물인 것이 바람직하고, 규소 화합물 중의 규소의 함유율은 10원자% 이상, 특히 30원자% 이상이고, 100원자% 미만, 특히 95원자% 이하인 것이 바람직하다. 질소의 함유율은 0원자% 이상이고, 50원자% 이하, 특히 40원자% 이하, 특히나 20원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 산소의 함유율은 0원자% 이상이고, 60원자% 이하, 특히 30원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 전이 금속의 함유율은 0원자% 이상이고, 35원자% 이하, 특히 20원자% 이하인 것이 바람직하며, 전이 금속을 함유하는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 규소, 산소, 질소 및 전이 금속의 합계의 함유율은 95원자% 이상, 특히 99원자% 이상, 특히나 100원자%인 것이 바람직하다.
제2 층이 가공 보조막, 제3 층이 차광막, 또는 차광막과 반사 방지막의 조합인 경우, 제2 층의 막 두께는 통상 1 내지 20㎚, 바람직하게는 2 내지 10㎚이고, 제3 층의 막 두께는 통상 20 내지 100㎚, 바람직하게는 30 내지 70㎚이다. 또한, 파장 200㎚ 이하의 노광 광에 대한 위상 시프트막과 제2 층과 제3 층의 합계의 광학 농도가 2.0 이상, 특히 2.5 이상, 특히나 3.0 이상이 되도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크의 제3 층 상에는, 단층 또는 다층을 포함하는 제4 층을 형성할 수 있다. 제4 층은, 통상 제3 층에 인접하여 형성된다. 이 제4 층으로서, 구체적으로는 제3 층의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막 등을 들 수 있다. 제4 층의 재료로서는, 크롬을 포함하는 재료가 적합하다.
이러한 위상 시프트 마스크 블랭크로서 구체적으로는, 도 2의 (C)에 도시한 것을 들 수 있다. 도 2의 (C)는, 본 발명의 위상 시프트 마스크 블랭크의 일례를 도시하는 단면도이고, 이 위상 시프트 마스크 블랭크(100)는 투명 기판(10)과, 투명 기판(10) 상에 형성된 위상 시프트막(1)과, 위상 시프트막(1) 상에 형성된 제2 층(2)과, 제2 층(2) 상에 형성된 제3 층(3)과, 제3 층(3) 상에 형성된 제4 층(4)을 구비한다.
제3 층이 차광막, 또는 차광막과 반사 방지막의 조합인 경우, 제4 층으로서, 제3 층의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막(에칭 마스크 막)을 형성할 수 있다. 이 가공 보조막은, 제3 층과 에칭 특성이 상이한 재료, 예를 들어 규소를 포함하는 재료의 에칭에 적용되는 불소계 드라이 에칭에 내성을 갖는 재료, 구체적으로는 산소를 함유하는 염소계 가스로 에칭할 수 있는 크롬을 포함하는 재료로 하는 것이 바람직하다. 크롬을 포함하는 재료로서, 구체적으로는 크롬 단체, 크롬산화물(CrO), 크롬질화물(CrN), 크롬탄화물(CrC), 크롬산화질화물(CrON), 크롬산화탄화물(CrOC), 크롬질화탄화물(CrNC), 크롬산화질화탄화물(CrONC) 등의 크롬 화합물 등을 들 수 있다.
제4 층이 가공 보조막인 경우, 제4 층 중의 크롬의 함유율은 40원자% 이상, 특히 50원자% 이상이고, 100원자% 이하, 특히 99원자% 이하, 특히나 90원자% 이하인 것이 바람직하다. 산소의 함유율은 0원자% 이상이고, 60원자% 이하, 특히 40원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 질소의 함유율은 0원자% 이상이고, 50원자% 이하, 특히 40원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 탄소의 함유율은 0원자% 이상이고, 20원자% 이하, 특히 10원자% 이하인 것이 바람직하며, 에칭 속도를 조정할 필요가 있는 경우에는 1원자% 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 크롬, 산소, 질소 및 탄소의 합계의 함유율은 95원자% 이상, 특히 99원자% 이상, 특히나 100원자%인 것이 바람직하다.
제2 층이 가공 보조막, 제3 층이 차광막, 또는 차광막과 반사 방지막의 조합, 제4 층이 가공 보조막인 경우, 제2 층의 막 두께는 통상 1 내지 20㎚, 바람직하게는 2 내지 10㎚이고, 제3 층의 막 두께는 통상 20 내지 100㎚, 바람직하게는 30 내지 70㎚이며, 제4 층의 막 두께는 통상 1 내지 30㎚, 바람직하게는 2 내지 20㎚이다. 또한, 파장 200㎚ 이하의 노광 광에 대한 위상 시프트막과 제2 층과 제3 층의 합계의 광학 농도가 2.0 이상, 특히 2.5 이상, 특히나 3.0 이상이 되도록 하는 것이 바람직하다.
제2 층 및 제4 층의 크롬을 포함하는 재료로 구성된 막은, 크롬 타겟, 크롬에, 산소, 질소 및 탄소로부터 선택되는 임의의 1종 또는 2종 이상을 첨가한 타겟 등을 사용하고, Ar, He, Ne 등의 희가스에, 성막하는 막의 조성에 따라, 산소 함유 가스, 질소 함유 가스, 탄소 함유 가스 등으로부터 선택되는 반응성 가스를 적절히 첨가한 스퍼터 가스를 사용한 반응성 스퍼터에 의하여 성막할 수 있다.
한편, 제3 층의 규소를 포함하는 재료로 구성된 막은, 규소 타겟, 질화규소 타겟, 규소와 질화규소 양쪽을 포함하는 타겟, 전이 금속 타겟, 규소와 전이 금속의 복합 타겟 등을 사용하고, Ar, He, Ne 등의 희가스에, 성막하는 막의 조성에 따라, 산소 함유 가스, 질소 함유 가스, 탄소 함유 가스 등으로부터 선택되는 반응성 가스를 적절히 첨가한 스퍼터 가스를 사용한 반응성 스퍼터에 의하여 성막할 수 있다.
본 발명의 위상 시프트 마스크는 위상 시프트 마스크 블랭크로부터 통상의 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들어, 위상 시프트막 상에, 제2 층으로서 크롬을 포함하는 재료의 막이 형성되어 있는 위상 시프트 마스크 블랭크에서는 예를 들어 하기 공정으로 위상 시프트 마스크를 제조할 수 있다.
먼저, 위상 시프트 마스크 블랭크의 제2 층 상에 전자선 레지스트막을 성막하고, 전자선에 의한 패턴 묘화를 행한 후, 소정의 현상 조작에 의하여 레지스트 패턴을 얻는다. 다음으로, 얻어진 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하고, 산소를 함유하는 염소계 드라이 에칭에 의하여 제2 층에 레지스트 패턴을 전사하여, 제2 층의 패턴을 얻는다. 다음으로, 얻어진 제2 층의 패턴을 에칭 마스크로 하고, 불소계 드라이 에칭에 의하여, 위상 시프트막에 제2 층의 패턴을 전사하여, 위상 시프트막 패턴을 얻는다. 여기서, 제2 층의 일부를 남길 필요가 있는 경우에는, 그 부분을 보호하는 레지스트 패턴을 제2 층 상에 형성한 후, 산소를 함유하는 염소계 드라이 에칭에 의하여, 레지스트 패턴으로 보호되어 있지 않은 부분의 제2 층을 제거한다. 그리고, 레지스트 패턴을 통상의 방법에 의하여 제거하여, 하프톤 위상 시프트 마스크를 얻을 수 있다.
또한, 위상 시프트막 상에, 제2 층으로서 크롬을 포함하는 재료의 차광막 또는 차광막과 반사 방지막의 조합이 형성되고, 제2 층 상에, 제3 층으로서 규소를 포함하는 재료의 가공 보조막이 형성되어 있는 위상 시프트 마스크 블랭크에서는 예를 들어 하기 공정으로 위상 시프트 마스크를 제조할 수 있다.
먼저, 위상 시프트 마스크 블랭크의 제3 층 상에 전자선 레지스트막을 성막하고, 전자선에 의한 패턴 묘화를 행한 후, 소정의 현상 조작에 의하여 레지스트 패턴을 얻는다. 다음으로, 얻어진 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하고, 불소계 드라이 에칭에 의하여 제3 층에 레지스트 패턴을 전사하여, 제3 층의 패턴을 얻는다. 다음으로, 얻어진 제3 층의 패턴을 에칭 마스크로 하고, 산소를 함유하는 염소계 드라이 에칭에 의하여 제2 층에 제3 층의 패턴을 전사하여, 제2 층의 패턴을 얻는다. 다음으로, 레지스트 패턴을 제거한 후, 얻어진 제2 층의 패턴을 에칭 마스크로 하고, 불소계 드라이 에칭에 의하여 위상 시프트막에 제2 층의 패턴을 전사하여, 위상 시프트막 패턴을 얻는 것과 동시에, 제3 층의 패턴을 제거한다. 다음으로, 제2 층을 남기는 부분을 보호하는 레지스트 패턴을 제2 층 상에 형성한 후, 산소를 함유하는 염소계 드라이 에칭에 의하여, 레지스트 패턴으로 보호되어 있지 않은 부분의 제2 층을 제거한다. 그리고, 레지스트 패턴을 통상의 방법에 의하여 제거하여, 위상 시프트 마스크를 얻을 수 있다.
한편, 위상 시프트막 상에, 제2 층으로서 크롬을 포함하는 재료의 가공 보조막이 형성되고, 제2 층 상에, 제3 층으로서 규소를 포함하는 재료의 차광막 또는 차광막과 반사 방지막의 조합이 형성되어 있는 위상 시프트 마스크 블랭크에서는 예를 들어 하기 공정으로 위상 시프트 마스크를 제조할 수 있다.
먼저, 위상 시프트 마스크 블랭크의 제3 층 상에 전자선 레지스트막을 성막하고, 전자선에 의한 패턴 묘화를 행한 후, 소정의 현상 조작에 의하여 레지스트 패턴을 얻는다. 다음으로, 얻어진 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하고, 불소계 드라이 에칭에 의하여 제3 층에 레지스트 패턴을 전사하여, 제3 층의 패턴을 얻는다. 다음으로, 얻어진 제3 층의 패턴을 에칭 마스크로 하고, 산소를 함유하는 염소계 드라이 에칭에 의하여 제2 층에 제3 층의 패턴을 전사하여, 위상 시프트막을 제거하는 부분의 제2 층이 제거된 제2 층의 패턴을 얻는다. 다음으로, 레지스트 패턴을 제거하고, 제3 층을 남기는 부분을 보호하는 레지스트 패턴을 제3 층 상에 형성한 후, 얻어진 제2 층의 패턴을 에칭 마스크로 하고, 불소계 드라이 에칭에 의하여 위상 시프트막에 제2 층의 패턴을 전사하여, 위상 시프트막 패턴을 얻는 것과 동시에, 레지스트 패턴으로 보호되어 있지 않은 부분의 제3 층을 제거한다. 다음으로, 레지스트 패턴을 통상의 방법에 의하여 제거한다. 그리고, 산소를 함유하는 염소계 드라이 에칭에 의하여, 제3 층이 제거된 부분의 제2 층을 제거하여, 위상 시프트 마스크를 얻을 수 있다.
또한, 위상 시프트막 상에 제2 층으로서, 크롬을 포함하는 재료의 가공 보조막이 형성되고, 제2 층 상에 제3 층으로서, 규소를 포함하는 재료의 차광막, 또는 차광막과 반사 방지막의 조합이 형성되며, 또한 제3 층 상에 제4 층으로서, 크롬을 포함하는 재료의 가공 보조막이 형성되어 있는 위상 시프트 마스크 블랭크에서는, 예를 들어 하기의 공정으로 위상 시프트 마스크를 제조할 수 있다.
먼저, 위상 시프트 마스크 블랭크의 제4 층 상에 전자선 레지스트막을 성막하고, 전자선에 의한 패턴 묘화를 행한 후, 소정의 현상 조작에 의하여 레지스트 패턴을 얻는다. 다음으로, 얻어진 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하고, 산소를 함유하는 염소계 드라이 에칭에 의하여 제4 층에 레지스트 패턴을 전사하여, 제4 층의 패턴을 얻는다. 다음으로, 얻어진 제4 층의 패턴을 에칭 마스크로 하고, 불소계 드라이 에칭에 의하여 제3 층에 제4 층의 패턴을 전사하여, 제3 층의 패턴을 얻는다. 다음으로, 레지스트 패턴을 제거하고, 제3 층을 남기는 부분을 보호하는 레지스트 패턴을 제4 층 상에 형성한 후, 얻어진 제3 층의 패턴을 에칭 마스크로 하고, 산소를 함유하는 염소계 드라이 에칭에 의하여 제2 층에 제3 층의 패턴을 전사하여, 제2 층의 패턴을 얻는 것과 동시에, 레지스트 패턴으로 보호되어 있지 않은 부분의 제4 층을 제거한다. 다음으로, 제2 층의 패턴을 에칭 마스크로 하고, 불소계 드라이 에칭에 의하여 위상 시프트막에 제2 층의 패턴을 전사하여, 위상 시프트막 패턴을 얻는 것과 동시에, 레지스트 패턴에서 보호되어 있지 않은 부분의 제3 층을 제거한다. 다음으로, 레지스트 패턴을 통상의 방법에 의하여 제거한다. 그리고, 산소를 함유하는 염소계 드라이 에칭에 의하여, 제3 층이 제거된 부분의 제2 층과, 레지스트 패턴이 제거된 부분의 제4 층을 제거하여, 위상 시프트 마스크를 얻을 수 있다.
본 발명의 위상 마스크는, 피가공 기판에 하프 피치 50㎚ 이하, 특히 30㎚ 이하, 특히나 20㎚ 이하의 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피에 있어서, 피가공 기판 상에 형성한 포토레지스트막에 ArF 엑시머 레이저 광(파장 193㎚), F2 레이저 광(파장 157㎚) 등의 파장 200㎚ 이하의 노광 광으로 패턴을 전사하는 노광에 있어서 특히 유효하다.
본 발명의 패턴 노광 방법에서는, 위상 시프트 마스크 블랭크로부터 제조된 위상 시프트 마스크를 사용하고, 위상 시프트막의 패턴을 포함하는 포토마스크 패턴에 노광 광을 조사하여, 피가공 기판 상에 형성된 포토마스크 패턴의 노광 대상인 포토레지스트막에 포토마스크 패턴을 전사한다. 노광 광의 조사는 드라이 조건에 의한 노광일 수도, 액침 노광일 수도 있지만, 본 발명의 패턴 노광 방법은, 실제 생산에 있어서 비교적 단시간에 누적 조사 에너지양이 높아지는 액침 노광에 의하여, 특히 300㎜ 이상의 웨이퍼를 피가공 기판으로 하고 액침 노광에 의하여 포토마스크 패턴을 노광할 때, 특히 유효하다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
스퍼터 장치의 챔버 내에, 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 6025 석영 기판을 설치하고, 스퍼터 타겟으로서 규소 타겟, 스퍼터 가스로서 아르곤 가스 및 질소 가스를 이용하고, 타겟에 인가하는 전력을 1,900W, 아르곤 가스의 유량을 17sccm, 질소 가스의 유량을 40sccm으로 하여, SiN을 포함하는 하프톤 위상 시프트막을 성막하였다. 이 하프톤 위상 시프트막을 성막하기 전과 성막한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)을 코닝 제조 플랫니스 테스터 트로펠R 울트라 플랫TM 200마스크로 측정(이하의 휨의 변화량의 측정에 있어서 동일함)한 결과, 그의 절댓값은 0.22㎛였다. 그 후, 열처리 로에서 질소 가스 및 산소 가스를 대기 분압과 동일 정도로 한 분위기 중, 500℃에서 6시간의 열처리를 행하여, 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크를 얻었다. 하프톤 위상 시프트막을 성막하기 전과 열처리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.10㎛였다. 이 열처리 후의 하프톤 위상 시프트막의 위상차는 177°, 투과율은 19%, 막 두께는 60nm였다. 또한, 이 막의 조성을 XPS(X선 광전자 분광 분석법, 이하 동일함)로 측정한 결과, 원자비로 Si:N=46:53이었다.
이어서, 얻어진 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크의 석영 기판 상의 하프톤 위상 시프트막 전체를 불소계 드라이 에칭으로 박리하였다. 하프톤 위상 시프트막을 박리하기 전과 박리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.07㎛였다.
또한, 동일한 조건에서 성막한 SiN을 포함하는 하프톤 위상 시프트막 상에, Cr을 포함하는 제2 층을 형성한 위상 시프트 마스크 블랭크의 제2 층 상에, 전자선 레지스트막을 성막하고, 전자선에 의한 패턴 묘화를 행한 후, 소정의 현상 조작에 의해 레지스트 패턴을 얻은 후, 얻어진 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하여 산소를 함유하는 염소계 드라이 에칭에 의해 제2 층에 레지스트 패턴을 전사하여 제2 층의 패턴을 형성하고, 얻어진 제2 층의 패턴을 에칭 마스크로 하여 불소계 드라이 에칭에 의해 위상 시프트막에 제2 층의 패턴을 전사하여 위상 시프트막 패턴을 얻고, 레지스트 패턴 및 제2 층을 통상의 방법에 의해 제거하여 위상 시프트 마스크를 얻을 수 있었다. 또한, 얻어진 위상 시프트 마스크는 전자선을 이용하는 수정 장치에 의한 수정이 가능하였다.
[실시예 2]
스퍼터 장치의 챔버 내에, 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 6025 석영 기판을 설치하고, 스퍼터 타겟으로서 규소 타겟, 스퍼터 가스로서 아르곤 가스, 질소 가스 및 산소 가스를 이용하고, 타겟에 인가하는 전력을 1,900W, 아르곤 가스의 유량을 15sccm, 질소 가스의 유량을 40sccm, 산소 가스의 유량을 2sccm으로 하여 SiON을 포함하는 하프톤 위상 시프트막을 성막하였다. 그 후, 열처리 로에서 질소 가스 및 산소 가스를 대기 분압과 동일 정도로 한 분위기 중, 500℃에서 6시간의 열처리를 행하여 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크를 얻었다. 하프톤 위상 시프트막을 성막하기 전과 열처리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.15㎛였다. 이 열처리 후의 하프톤 위상 시프트막의 위상차는 175°, 투과율은 24%, 막 두께는 63nm였다. 또한, 이 막의 조성을 XPS로 측정한 결과, 원자비로 Si:N:O=43:48:8이었다.
이어서, 얻어진 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크의 석영 기판 상의 하프톤 위상 시프트막 전체를 불소계 드라이 에칭으로 박리하였다. 하프톤 위상 시프트막을 박리하기 전과 박리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.18㎛였다.
[실시예 3]
스퍼터 장치의 챔버 내에, 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 6025 석영 기판을 설치하고, 스퍼터 타겟으로서 규소 타겟, 스퍼터 가스로서 아르곤 가스, 질소 가스 및 산소 가스를 이용하고, 타겟에 인가하는 전력을 1,900W, 아르곤 가스의 유량을 15sccm, 질소 가스의 유량을 40sccm으로 하여 SiN을 포함하는 층을 형성한 후, 계속해서 타겟에 인가하는 전력을 1,900W, 아르곤 가스의 유량을 10sccm, 질소 가스의 유량을 40sccm, 산소 가스의 유량을 10sccm으로 하여 SiON을 포함하는 층을 형성하여, SiN을 포함하는 층과 SiON을 포함하는 층을 적층한 하프톤 위상 시프트막을 성막하였다. 그 후, 열처리 로에서, 질소 가스 및 산소 가스를 대기 분압과 동일 정도로 한 분위기 중, 500℃에서 6시간의 열처리를 행하여 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크를 얻었다. 하프톤 위상 시프트막을 성막하기 전과 열처리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.17㎛였다. 이 열처리 후의 하프톤 위상 시프트막의 위상차는 177°, 투과율은 29%, 막 두께는 66nm였다. 또한, 이 막의 조성을 XPS로 측정한 결과, SiN을 포함하는 층은 원자비로 Si:N=45:54, SiON을 포함하는 층은 원자비로 Si:N:O=38:20:41이었다.
이어서, 얻어진 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크의 석영 기판 상의 하프톤 위상 시프트막 전체를 불소계 드라이 에칭으로 박리하였다. 하프톤 위상 시프트막을 박리하기 전과 박리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.19㎛였다.
[실시예 4]
스퍼터 장치의 챔버 내에, 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 6025 석영 기판을 설치하고, 스퍼터 타겟으로서 규소 타겟, 스퍼터 가스로서 아르곤 가스 및 질소 가스를 이용하고, 타겟에 인가하는 전력을 1,900W, 아르곤 가스의 유량을 17sccm, 질소 가스의 유량을 30sccm으로 하여, SiN을 포함하는 하프톤 위상 시프트막을 성막하였다. 이 하프톤 위상 시프트막을 성막하기 전과 성막한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.41㎛였다. 그 후, 열처리 로에서, 질소 가스 및 산소 가스를 대기 분압과 동일 정도로 한 분위기 중, 500℃에서 6시간의 열처리를 행하여 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크를 얻었다. 하프톤 위상 시프트막을 성막하기 전과 열처리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.06㎛였다. 이 열처리 후의 하프톤 위상 시프트막의 위상차는 179°, 투과율은 7%, 막 두께는 61nm였다. 또한, 이 막의 조성을 XPS로 측정한 결과, 원자비로 Si:N=47:52였다.
이어서, 얻어진 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크의 석영 기판 상의 하프톤 위상 시프트막 전체를 불소계 드라이 에칭으로 박리하였다. 하프톤 위상 시프트막을 박리하기 전과 박리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.08㎛였다.
[비교예 1]
스퍼터 장치의 챔버 내에, 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 6025 석영 기판을 설치하고, 스퍼터 타겟으로서 규소 타겟, 스퍼터 가스로서 질소 가스를 이용하고, 타겟에 인가하는 전력을 1,900W, 질소 가스의 유량을 50sccm으로 하여, SiN을 포함하는 하프톤 위상 시프트막을 성막하였다. 그 후, 열처리 로에서, 질소 가스 및 산소 가스를 대기 분압과 동일 정도로 한 분위기 중, 500℃에서 6시간의 열처리를 행하여 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크를 얻었다. 하프톤 위상 시프트막을 성막하기 전과 열처리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.44㎛였다. 이 열처리 후의 하프톤 위상 시프트막의 위상차는 175°, 투과율은 18%, 막 두께는 60nm였다. 또한, 이 막의 조성을 XPS로 측정한 결과, 원자비로 Si:N=45:54였다.
이어서, 얻어진 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크의 석영 기판 상의 하프톤 위상 시프트막 전체를 불소계 드라이 에칭으로 박리하였다. 하프톤 위상 시프트막을 박리하기 전과 박리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.45㎛였다.
[비교예 2]
스퍼터 장치의 챔버 내에, 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 6025 석영 기판을 설치하고, 스퍼터 타겟으로 하여 규소 타겟, 스퍼터 가스로서 아르곤 가스 및 질소 가스를 이용하고, 타겟에 인가하는 전력을 1,900W, 아르곤 가스의 유량을 17sccm, 질소 가스의 유량을 30sccm으로 하여, SiN을 포함하는 하프톤 위상 시프트막을 성막하였다. 이 하프톤 위상 시프트막을 성막하기 전과 성막한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.41㎛였다. 그 후, 열처리 로에서, 질소 가스 및 산소 가스를 대기 분압과 동일 정도로 한 분위기 중, 300℃에서 6시간의 열처리를 행하여 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크를 얻었다. 하프톤 위상 시프트막을 성막하기 전과 열처리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.24㎛였다. 이 열처리 후의 하프톤 위상 시프트막의 위상차는 179°, 투과율은 7%, 막 두께는 61nm였다. 또한, 이 막의 조성을 XPS로 측정한 결과, 원자비로 Si:N=47:52였다.
이어서, 얻어진 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크의 석영 기판 상의 하프톤 위상 시프트막 전체를 불소계 드라이 에칭으로 박리하였다. 하프톤 위상 시프트막을 박리하기 전과 박리한 후의, 기판 표면 중앙부 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)의 절댓값은 0.27㎛였다.
1 위상 시프트막
2 제2 층
3 제3 층
4 제4 층
10 투명 기판
11 위상 시프트막 패턴
100 위상 시프트 마스크 블랭크
101 위상 시프트 마스크

Claims (14)

  1. 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 투명 기판(10) 상에, 파장 193nm의 광에서 위상 시프트양이 175 내지 185°인 위상 시프트막(1)을 갖는 위상 시프트 마스크 블랭크(100)이며,
    상기 위상 시프트막(1)으로서, 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료의 층을 적어도 1층 포함하고, 막 두께가 40nm 이상 62nm 이하이고, 또한 투명 기판(10) 상에 위상 시프트막(1)을 형성하기 전과 투명 기판(10) 상에 위상 시프트막(1)이 존재하는 상태의 사이에서, 투명 기판(10) 표면 중앙부의 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)이 절댓값으로 0.2㎛ 이하인 위상 시프트막(1)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
  2. 한변 152mm(정사각형), 두께 6.35mm의 투명 기판(10) 상에, 파장 193nm의 광에서 위상 시프트양이 175 내지 185°인 위상 시프트막(1)을 갖는 위상 시프트 마스크 블랭크(100)이며,
    상기 위상 시프트막(1)으로서, 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료 또는 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료의 층을 적어도 1층 포함하고, 막 두께가 40nm 이상 62nm 이하이고, 또한 투명 기판(10) 상에 위상 시프트막(1)이 존재하는 상태와 투명 기판(10) 상에 존재하는 위상 시프트막(1) 전체를 에칭에 의해 박리한 후의 사이에서, 투명 기판(10) 표면 중앙부의 한변이 142mm인 정사각형 내의 휨의 변화량(ΔTIR)이 절댓값으로 0.2㎛ 이하인 위상 시프트막(1)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위상 시프트막(1)이 규소 및 질소를 포함하는 규소계 재료로 구성되고, 상기 파장 193nm의 광에서 투과율이 3% 이상 20% 미만인 하프톤 위상 시프트막인 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위상 시프트막(1)이 규소, 질소 및 산소를 포함하는 규소계 재료로 구성되고, 상기 파장 193nm의 광에서 투과율이 20% 이상 40% 이하인 하프톤 위상 시프트막인 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위상 시프트막(1) 상에, 크롬을 포함하는 재료로 구성된 단층 또는 복수층을 포함하는 제2 층(2)을 더 갖는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 층(2)이 차광막, 차광막과 반사 방지막의 조합, 또는 상기 위상 시프트막(1)의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막인 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2 층(2) 상에, 규소를 포함하는 재료로 구성된 단층 또는 복수층을 포함하는 제3 층(3)을 더 갖는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 층(2)이 차광막 또는 차광막과 반사 방지막의 조합이고, 상기 제3 층(3)이 상기 제2 층(2)의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막인 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
  9. 제7항에 있어서, 상기 제2 층(2)이 상기 위상 시프트막(1)의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하고, 또한 상기 제3 층(3)의 패턴 형성에 있어서 에칭 스토퍼로서 기능하는 가공 보조막이고, 상기 제3 층(3)이 차광막 또는 차광막과 반사 방지막의 조합인 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
  10. 제7항에 있어서, 상기 제3 층(3) 상에, 크롬을 포함하는 재료로 구성된 단층 또는 복수층을 포함하는 제4 층(4)을 더 갖는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2 층(2)이 상기 위상 시프트막(1)의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하고, 또한 상기 제3 층(3)의 패턴 형성에 있어서 에칭 스토퍼로서 기능하는 가공 보조막이고, 상기 제3 층(3)이 차광막 또는 차광막과 반사 방지막의 조합이고, 상기 제4 층(4)이 상기 제3 층(3)의 패턴 형성에 있어서 하드 마스크로서 기능하는 가공 보조막인 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크(100).
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6418035B2 (ja) * 2015-03-31 2018-11-07 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク
JP6743679B2 (ja) 2016-03-02 2020-08-19 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法
US10678125B2 (en) * 2016-03-02 2020-06-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and method for preparing photomask
JP6900872B2 (ja) * 2016-12-26 2021-07-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びその製造方法
CN110383167B (zh) 2017-02-27 2022-08-23 Hoya株式会社 掩模坯料、转印用掩模的制造方法、以及半导体器件的制造方法
JP6432636B2 (ja) * 2017-04-03 2018-12-05 凸版印刷株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP6808566B2 (ja) 2017-04-08 2021-01-06 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP6716629B2 (ja) * 2017-05-18 2020-07-01 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 位相反転ブランクマスク及びその製造方法
JP6753375B2 (ja) * 2017-07-28 2020-09-09 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
CN111133379B (zh) * 2017-09-21 2024-03-22 Hoya株式会社 掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法
JP7037919B2 (ja) * 2017-11-14 2022-03-17 アルバック成膜株式会社 マスクブランク、ハーフトーンマスクおよびその製造方法
CN111902772A (zh) * 2018-03-26 2020-11-06 Hoya株式会社 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
JP6938428B2 (ja) * 2018-05-30 2021-09-22 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
KR20200007623A (ko) * 2018-07-13 2020-01-22 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법
JP2020013100A (ja) 2018-07-13 2020-01-23 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法
TWI816568B (zh) * 2018-11-30 2023-09-21 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
JP7255512B2 (ja) * 2019-03-29 2023-04-11 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク
JP7192731B2 (ja) * 2019-09-27 2022-12-20 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、その製造方法、及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク
TWI707195B (zh) * 2020-02-14 2020-10-11 力晶積成電子製造股份有限公司 相位轉移光罩的製造方法
JP7354032B2 (ja) * 2020-03-19 2023-10-02 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法
JPWO2022004456A1 (ko) 2020-06-30 2022-01-06
CN112666789B (zh) * 2020-12-02 2024-05-24 湖南普照信息材料有限公司 一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料及其制备方法
CN112981316A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 上海传芯半导体有限公司 相移反位膜掩模基版的制作方法
CN113488378B (zh) * 2021-07-21 2025-04-01 湖南普照信息材料有限公司 一种光掩模坯料及其制备方法
US12276906B2 (en) * 2021-11-16 2025-04-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for cleaning lithography mask

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002162726A (ja) * 2000-09-12 2002-06-07 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法
JP2007241137A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
JP2010237502A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法、高エネルギー線の照射エネルギー量の決定方法、及びフォトマスクブランクの製造方法
WO2015025922A1 (ja) 2013-08-21 2015-02-26 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3064769B2 (ja) 1992-11-21 2000-07-12 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
US6045954A (en) * 1998-06-12 2000-04-04 Industrial Technology Research Institute Formation of silicon nitride film for a phase shift mask at 193 nm
US6150286A (en) * 2000-01-03 2000-11-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making an ultra thin silicon nitride film
JP4686006B2 (ja) * 2000-04-27 2011-05-18 大日本印刷株式会社 ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法
JP2002169265A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Hoya Corp フォトマスクブランクス及びフォトマスクブランクスの製造方法
JP2002258458A (ja) * 2000-12-26 2002-09-11 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク
WO2003046659A1 (en) * 2001-11-27 2003-06-05 Hoya Corporation Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and manufacturing method thereof
JP3988041B2 (ja) 2002-10-08 2007-10-10 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びその製造方法
JP4258631B2 (ja) * 2002-12-03 2009-04-30 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
KR100617389B1 (ko) * 2005-05-16 2006-08-31 주식회사 피케이엘 헤이즈 방지를 위한 위상편이 마스크
EP1746460B1 (en) 2005-07-21 2011-04-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank, photomask and fabrication method thereof
JP4933753B2 (ja) 2005-07-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
JP4551344B2 (ja) 2006-03-02 2010-09-29 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスク
JP4509050B2 (ja) 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
US20070243491A1 (en) * 2006-04-18 2007-10-18 Wu Wei E Method of making a semiconductor with a high transmission CVD silicon nitride phase shift mask
JP4714180B2 (ja) 2007-05-01 2011-06-29 株式会社東芝 フォトマスク管理方法、フォトマスク洗浄可能回数生成方法、及びフォトマスク管理システム
US8187187B2 (en) * 2008-07-16 2012-05-29 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Shear wave imaging
JP5497288B2 (ja) * 2008-12-29 2014-05-21 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP4853685B2 (ja) * 2009-03-31 2012-01-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法及び良否判定方法
KR102064643B1 (ko) * 2012-03-30 2020-01-08 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 투과형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 투과형 마스크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5739375B2 (ja) * 2012-05-16 2015-06-24 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
US9470971B2 (en) * 2012-05-16 2016-10-18 Hoya Corporation Mask blank, transfer mask, and methods of manufacturing the same
JP6371221B2 (ja) * 2012-11-08 2018-08-08 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法
JP6036590B2 (ja) * 2013-07-25 2016-11-30 富士ゼロックス株式会社 ベルト片寄抑制構造、転写装置、及び画像形成装置
JP2015049282A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 Hoya株式会社 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP6264238B2 (ja) * 2013-11-06 2018-01-24 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法
JP2016035559A (ja) * 2014-08-04 2016-03-17 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法
JP6418035B2 (ja) * 2015-03-31 2018-11-07 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002162726A (ja) * 2000-09-12 2002-06-07 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法
JP2007241137A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
JP2010237502A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法、高エネルギー線の照射エネルギー量の決定方法、及びフォトマスクブランクの製造方法
WO2015025922A1 (ja) 2013-08-21 2015-02-26 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法

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