JP3988041B2 - ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用カラーフィルター又は磁気ヘッド等の微細加工に用いられるハーフトーン位相シフトマスクの製造に用いるハーフトーン位相シフトマスクブランク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体の微細加工用に使用されるフォトマスクとして、Ｃｒ膜を石英基板上に遮光膜として形成したバイナリーマスクと共に、ＭｏＳｉの酸化物、窒化物、酸化窒化物等を位相シフター膜として石英基板上に形成したハーフトーン位相シフトマスクが代表的なマスクとして提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−１４０６３５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＭｏＳｉの酸化物や窒化物等を位相シフター膜とするハーフトーン型の位相シフトマスクブランクには、一般に、ＭｏＳｉ系の位相シフター膜の耐薬品性、特に、アンモニア−過酸化水素水のようなアルカリ薬品に対する洗浄耐性が悪く、位相シフトマスクブランクから位相シフトマスクを製造する際や、マスク使用時の洗浄により、位相シフター膜の位相差や透過率が変化しやすいという問題がある。
【０００５】
また、Ｍｏ以外の金属シリサイド化合物とし、例えば、ＺｒＳｉの酸化物や窒化物を位相シフター膜とするハーフトーン型の位相シフトマスクブランクもあるが、これらの位相シフター膜は、耐薬品性、特にアンモニア−過酸化水素水のようなアルカリ薬品に対する洗浄耐性には優れているものの、膜の面内均一性が悪く、パターン形成時のエッチング、特にドライエッチング時の加工性に劣るという問題があり、加工性に優れると共に、耐薬品性にも優れたハーフトーン位相シフトマスクブランクは得られていなかった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、加工性に優れると共に、耐薬品性、特にアルカリ薬品に対する耐性にも優れたハーフトーン位相シフトマスクブランク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、第１の金属成分としてモリブデンと、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属と、更に酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素とを含有する金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を有するハーフトーン位相シフトマスクブランクが、位相シフター膜の面内均一性が高くエッチング、特にドライエッチングの加工性に優れたものであると共に、薬品、特にアルカリ薬品よる洗浄によっても透過率や位相差の変化が生じない耐薬品性に優れたハーフトーン位相シフトマスクブランクであることを見出し、このようなハーフトーン位相シフトマスクブランクが、透明基板上に、第１のターゲットとしてモリブデンシリサイド、第２のターゲットとしてタンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド及びタングステンシリサイドから選ばれる１種以上の金属シリサイドをターゲットとして用い、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む１種以上の反応性ガスの存在下で、これらのターゲットに同時に電力を印加する反応性スパッタリングにより、金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を形成すること、特に、透明基板の位相シフター膜を形成する面に対し、ターゲットの透明基板と対向する面を、各々３０〜６０度の角度に傾斜させると共に、透明基板を自転させながらスパッタリングすることにより製造できることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、下記の位相シフトマスクブランク及びその製造方法を提供する。
請求項１：
透明基板上に、第１の金属成分としてモリブデンと、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属と、更に酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素とを含有する金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を有することを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランク。
請求項２：
上記金属シリサイド化合物が、第１の金属成分としてモリブデンと、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属とを含有するシリサイド酸化物、シリサイド窒化物、シリサイド酸化窒化物、シリサイド酸化炭化物、シリサイド窒化炭化物又はシリサイド酸化窒化炭化物であることを特徴とする請求項１記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。
請求項３：
上記金属シリサイド化合物中の、第１の金属成分と第２の金属成分との比が、第１の金属成分：第２の金属成分＝１００：１〜２：１（原子比）であることを特徴とする請求項１又は２記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。
請求項４：
透明基板上に、第１のターゲットとしてモリブデンシリサイド、第２のターゲットとしてタンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド及びタングステンシリサイドから選ばれる１種以上の金属シリサイドを用い、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む１種以上の反応性ガスの存在下で、上記第１のターゲット及び第２のターゲットに同時に電力を印加する反応性スパッタリングにより、金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を形成することを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項５：
上記透明基板の位相シフター膜を形成する面に対し、上記第１のターゲット及び第２のターゲットの透明基板と対向する面を、各々３０〜６０度の角度に傾斜させると共に、透明基板を自転させながらスパッタリングすることを特徴とする請求項４記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項６：
上記第１のターゲットであるモリブデンシリサイド中のモリブデンに対するケイ素の比が４（モル比）以下、かつ上記第２のターゲットである金属シリサイド中の金属に対するケイ素の比が１８（モル比）以上であることを特徴とする請求項４又は５記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項７：
上記金属シリサイド化合物が、モリブデンと、タンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる金属とを含有するシリサイド酸化物、シリサイド窒化物、シリサイド酸化窒化物、シリサイド酸化炭化物、シリサイド窒化炭化物又はシリサイド酸化窒化炭化物であることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項８：
ターゲットに電力を印加する電源が、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源又はＲＦ電源であることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
【０００９】
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクは、透明基板上に、第１の金属成分としてモリブデン、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属、更に酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を有するものである。
【００１０】
このような金属シリサイド化合物としては、例えば、ＭｏＭＳｉＯ（Ｍは上記第２の金属成分、即ち、Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｒ又はＷから選ばれる１種以上の金属を示す、以下同じ。）、ＭｏＭＳｉＮ、ＭｏＭＳｉＯＮ、ＭｏＭＳｉＯＣ、ＭｏＭＳｉＮＣ又はＭｏＭＳｉＯＮＣで表される第１の金属成分としてモリブデン、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属を含有するシリサイド酸化物、シリサイド窒化物、シリサイド酸化窒化物、シリサイド酸化炭化物、シリサイド窒化炭化物又はシリサイド酸化窒化炭化物が好ましく挙げられるが、特に、モリブデンタンタルシリサイド酸化窒化物（ＭｏＴａＳｉＯＮ）、モリブデンジルコニウムシリサイド酸化窒化物（ＭｏＺｒＳｉＯＮ）、モリブデンクロムシリサイド酸化窒化物（ＭｏＣｒＳｉＯＮ）、モリブデンタングステンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＷＳｉＯＮ）、モリブデンタンタルシリサイド酸化窒化炭化物（ＭｏＴａＳｉＯＮＣ）、モリブデンジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化物（ＭｏＺｒＳｉＯＮＣ）、モリブデンクロムシリサイド酸化窒化炭化物（ＭｏＣｒＳｉＯＮＣ）又はモリブデンタングステンシリサイド酸化窒化炭化物（ＭｏＷＳｉＯＮＣ）が好ましい。
【００１１】
また、上記金属シリサイド化合物中の、第１の金属成分（モリブデン）と第２の金属成分（タンタル、ジルコニウム、クロム又はタングステン）との比は、第１の金属成分：第２の金属成分（２種以上含む場合はその総量）＝１００：１〜２：１（原子比）、特に２０：１〜４：１（原子比）であることが好ましい。第１の金属成分が第２の金属成分より多すぎると、位相シフター膜の耐薬品性が不十分となるおそれがあり、少なすぎると、位相シフター膜の面内均一性が悪くなってエッチング時の加工性が低下するおそれがある。
【００１２】
更に、上記金属シリサイド化合物中の第１及び第２の金属成分の含有量は、その合計として１〜２０原子％、特に３〜１５原子％であることが好ましく、ケイ素の含有量は、２０〜７０原子％、特に３０〜６０原子％であることが好ましい。
【００１３】
一方、上記金属シリサイド化合物に含まれる酸素、窒素及び炭素の含有量は、特に制限されないが、これら成分のうち、特に、酸素及び窒素を含む場合、即ち、金属シリサイド酸化窒化物の場合は、酸素の含有量が３〜３０原子％、特に５〜１５原子％、窒素の含有量が１０〜６０原子％、特に２０〜５０原子％であることが好ましく、酸素、窒素及び炭素を含む場合、即ち、金属シリサイド酸化窒化炭化物の場合は、酸素の含有量が３〜３０原子％、特に５〜１５原子％、窒素の含有量が１０〜６０原子％、特に２０〜６０原子％、炭素の含有量が１〜１０原子％、特に１〜５原子％であることが好ましい。
【００１４】
なお、上記位相シフター膜の厚さは、ハーフトーン位相シフター膜使用時の露光波長や位相シフター膜の透過率や位相シフト量等によっても異なるが、通常５００〜１７００Å（５０〜１７０ｎｍ）、特に６００〜１３００Å（６０〜１３０ｎｍ）であることが好ましく、位相シフター膜の透過率は、３〜３０％、特に５〜２０％であることが好ましい。
【００１５】
次に、本発明のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法について説明する。
本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法は、石英、ＣａＦ2等の露光光が透過する透明基板上に、第１のターゲットとしてモリブデンシリサイド、第２のターゲットとしてタンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド及びタングステンシリサイドから選ばれる１種以上の金属シリサイドを用い、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む１種以上の反応性ガスの存在下で、上記第１及び第２のターゲットに同時に電力を印加する反応性スパッタリングにより、金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を形成するものである。
【００１６】
このような２種以上の金属を含むシリサイド化合物の位相シフター膜を形成する方法としては、例えば、第１及び第２の金属を共に含むシリサイドターゲットを用いて形成することも考えられるが、加工性（面内均一性）が高い位相シフター膜を形成するためには、均一性が高いシリサイドターゲットを用いなければならない。しかしながら、このように２種以上の金属を含む場合、ターゲットを均一性の高いものとすることは困難である。これに対して、本発明は、上記のような２種以上の金属を含むシリサイドターゲットを用いなくとも、金属が単一のシリサイドターゲットを２つ以上用いることにより加工性（面内均一性）が高い２種以上の金属を含むシリサイド化合物の位相シフター膜を形成することができるものである。
【００１７】
本発明の製造方法においては、第１のターゲットとしてモリブデンシリサイド、第２のターゲットとしてタンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド及びタングステンシリサイドから選ばれる１種以上の金属シリサイドを用いる。
【００１８】
この場合、第１のターゲットであるモリブデンシリサイド中のモリブデンに対するケイ素の比は４（モル比）以下、好ましくは３（モル比）以下、特に好ましくは約２（モル比）であることが好ましく、かつ上記第２のターゲットである上記金属シリサイド中の金属、即ち、タンタル、ジルコニウム、クロム又はタングステンに対するケイ素の比は１８（モル比）以上、好ましくは１９（モル比）以上、特に好ましくは２０（モル比）以上であることが好ましい。このように、第１のターゲットであるモリブデンシリサイド中のモリブデンに対するケイ素の比と、第２のターゲットである上記金属シリサイド中の金属に対するケイ素の比を上記範囲とすることにより、得られる金属シリサイド化合物中にモリブデンをタンタル、ジルコニウム、クロム又はタングステンに対して多く含有させることができ、これにより位相シフター膜の面内均一性及び耐薬品性を最適化することができる。
【００１９】
一方、本発明の製造方法においては、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む１種以上の反応性ガスを用いるが、これらの反応性ガスとしては、例えば、酸素ガス、窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、亜酸化窒素ガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガスなどから選ばれるガスを用いることができ、これらのガスの１種又は２種以上を適宜選択して用いることにより、上記した２種の金属を含むシリサイド酸化物、シリサイド窒化物、シリサイド酸化窒化物、シリサイド酸化炭化物、シリサイド窒化炭化物又はシリサイド酸化窒化炭化物を形成することができる。なお、上記反応性ガスは、反応性ガス単独で用いても、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスと共に用いてもよい。
【００２０】
また、本発明の製造方法において、ターゲットに電力を印可する電源は、特に限定されず、スパッタリングの電源として公知のものを用いることができるが、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源又はＲＦ電源により電力を印加することが好ましい。この場合、第１のターゲットと第２のターゲットの電源は同一であっても異なっていてもよいが、特に、第１のターゲットにＤＣ電源、第２のターゲットにパルスＤＣ電源を用いると、第２のターゲットのケイ素含有率が高い場合でも、チャージアップの影響や膜の欠陥の発生を抑えることができるため好ましい。
【００２１】
更に、本発明の製造方法においては、図１に示されるように、透明基板１の位相シフター膜２を形成する面に対し、第１のターゲット（モリブデンシリサイド）３及び第２のターゲット（タンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド又はタングステンシリサイド）４の透明基板１と対向する面３１，４１を、各々３０〜６０度の角度に傾斜させると共に、透明基板を、その位相シフター膜を形成する面を通る垂線を軸として自転させながらスパッタリングすることが好ましい。なお、図１中、５はカソード電極、６はアノード電極（基板回転台）、７はチャンバー、８は電源を表す。ターゲットをこのように斜めに配置（いわゆる斜入射）し、透明基板を自転させてスパッタリングすることにより、得られる金属シリサイド化合物の位相シフター膜の面内均一性、特に膜組成の面内均一性を向上させることができ、加工性に極めて優れたハーフトーン位相シフトマスクブランクを得ることができる。
【００２２】
なお、図１中では、第１ターゲット及び第２ターゲットを各々１つずつ用いる場合を示したが、これに限定されるものではなく、第２ターゲットとして２種以上の金属シリサイドを用いる場合は、第２ターゲットが複数個配置され、また同一種のターゲットを複数個配置してもよい。なお、これらのターゲットは、基板の自転周方向に等間隔に配置することが好ましい。
【００２３】
また更に、上記位相シフター膜上には、遮光膜、更には遮光膜からの反射を低減させる反射防止膜を上記遮光膜上に形成することもできる。
【００２４】
この場合、遮光膜又は反射防止膜としてはクロム酸化窒化物（ＣｒＯＮ）、クロム酸化炭化物（ＣｒＯＣ）、クロム酸化窒化炭化物（ＣｒＯＮＣ）等のクロム系の膜又はこれらを積層したものを用いることができる。
【００２５】
このようなＣｒ系遮光膜又はＣｒ系反射防止膜は、例えば、クロム単体又はクロムに酸素、窒素、炭素のいずれか又はこれらを組み合わせて添加したクロム化合物をターゲットとして用い、アルゴン、クリプトン等の不活性ガスに、必要に応じて酸素源、炭素源、窒素源となるガス、例えば、酸素ガス、窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、亜酸化窒素ガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス又はメタン等の炭化水素ガスなどを添加したスパッタリングガスを用いた反応性スパッタリングにより成膜することができる。
【００２６】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【００２７】
［実施例１］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１２０℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１ターゲットとしてＭｏＳｉ（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）、第２ターゲットとしてＺｒＳｉ（Ｚｒ：Ｓｉ＝１：２０ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を２ｓｃｃｍ流し、第１ターゲットには２５０ＷのＤＣ、第２ターゲットには２００ＷのパルスＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら６分間プラズマスパッタリングすることにより、基板上に膜厚７８０ÅのＭｏＺｒＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００２８】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を以下の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００２９】
耐薬品性
アンモニア水：過酸化水素水：純水＝１：１：４０（体積比）の比率で混合した薬液（ＳＣ１（アンモニア過水）薬液）中に、得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクを室温（２５℃）で１時間浸漬し、浸漬前後の位相シフター膜の透過率及び位相差の変化量を評価する。
【００３０】
面内均一性
得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの位相シフター膜の上に、ＥＢレジストＺＥＰ−７０００（日本ゼオン製）を３５００Åの厚さで塗布し、２００℃でソフトベークした後、ＥＢ露光機ＥＬＳ−３７００（エリオニクス製）でパターンを描画し、ＡＤ１０現像液（多摩化学製）で現像して幅０．５０μｍのラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）レジストパターンを形成する。次に、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチャーＲＩＥ−１０ＮＲ（ＳＡＭＣＯ製）を用い、ＣＦ4／Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより位相シフター膜のＬ＆Ｓパターンを形成し、更にレジストパターンを除去してパターンサンプルとする。このパターンサンプルの基板中央部の１２０ｍｍ角内の、１０ｍｍ角毎に区切った１２×１２、計１４４のエリヤ内で、夫々の位相シフター膜のＬ＆Ｓパターンについて、ＣＤ寸法を測定し、平均値及びレンジ（ライン幅の最大値と最小値との差）を求めて面内均一性を評価する。
【００３１】
［比較例１］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１２０℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１，第２ターゲット共にＭｏＳｉ（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：８ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を２ｓｃｃｍ流し、第１，第２ターゲット共に２００ＷのＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら７分間プラズマスパッタリングすることにより、基板上に膜厚７３０ÅのＭｏＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００３２】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を上記の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００３３】
［比較例２］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１２０℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１，第２ターゲット共にＺｒＳｉ（Ｚｒ：Ｓｉ＝１：８ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を３ｓｃｃｍ流し、第１，第２ターゲット共に２２０ＷのＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら８分間プラズマスパッタリングすることにより、基板上に膜厚８３０ÅのＺｒＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００３４】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を上記の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００３５】
［実施例２］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１００℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１ターゲットとしてＭｏＳｉ（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）、第２ターゲットとしてＴａＳｉ（Ｔａ：Ｓｉ＝１：２２ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を１．５ｓｃｃｍ流し、第１ターゲットには２５０ＷのＤＣ、第２ターゲットには２２０ＷのパルスＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら７分間プラズママスパッタリングすることにより、基板上に膜厚７５０ÅのＭｏＴａＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００３６】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を上記の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００３７】
［実施例３］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１００℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１ターゲットとしてＭｏＳｉ（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）、第２ターゲットとしてＣｒＳｉ（Ｃｒ：Ｓｉ＝１：１９ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を３ｓｃｃｍ流し、第１ターゲットには２５０ＷのＤＣ、第２ターゲットには２２０ＷのパルスＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら７分間プラズマスパッタリングすることにより、基板上に膜厚８８０ÅのＭｏＣｒＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００３８】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を上記の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００３９】
［実施例４］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１００℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１ターゲットとしてＭｏＳｉ（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）、第２ターゲットとしてＷＳｉ（Ｗ：Ｓｉ＝１：２０ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を２ｓｃｃｍ流し、第１ターゲットには２５０ＷのＤＣ、第２ターゲットには２２０ＷのパルスＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら６分間プラズマスパッタリングすることにより、基板上に膜厚８１０ÅのＭｏＷＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００４０】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を上記の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【表２】
【００４３】
【表３】
【００４４】
【表４】
【００４５】
上記結果によれば、本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクは、耐薬品性に優れ、かつ面内均一性も高く加工性に優れたものであるのに対し、比較例の位相シフター膜は、耐薬品性、加工性のいずれかに劣るものであることがわかる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、加工性に優れ、かつ耐薬品性、特に耐アルカリ薬品性に優れた、高品質なハーフトーン位相シフトマスクブランクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法を適用したスパッタリング装置の概略図である。
【符号の説明】
１ 透明基板
２ 位相シフター膜
３ 第１のターゲット
４ 第２のターゲット
５ カソード電極
６ アノード電極（基板回転台）
７ チャンバー
８ 電源
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用カラーフィルター又は磁気ヘッド等の微細加工に用いられるハーフトーン位相シフトマスクの製造に用いるハーフトーン位相シフトマスクブランク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体の微細加工用に使用されるフォトマスクとして、Ｃｒ膜を石英基板上に遮光膜として形成したバイナリーマスクと共に、ＭｏＳｉの酸化物、窒化物、酸化窒化物等を位相シフター膜として石英基板上に形成したハーフトーン位相シフトマスクが代表的なマスクとして提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−１４０６３５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＭｏＳｉの酸化物や窒化物等を位相シフター膜とするハーフトーン型の位相シフトマスクブランクには、一般に、ＭｏＳｉ系の位相シフター膜の耐薬品性、特に、アンモニア−過酸化水素水のようなアルカリ薬品に対する洗浄耐性が悪く、位相シフトマスクブランクから位相シフトマスクを製造する際や、マスク使用時の洗浄により、位相シフター膜の位相差や透過率が変化しやすいという問題がある。
【０００５】
また、Ｍｏ以外の金属シリサイド化合物とし、例えば、ＺｒＳｉの酸化物や窒化物を位相シフター膜とするハーフトーン型の位相シフトマスクブランクもあるが、これらの位相シフター膜は、耐薬品性、特にアンモニア−過酸化水素水のようなアルカリ薬品に対する洗浄耐性には優れているものの、膜の面内均一性が悪く、パターン形成時のエッチング、特にドライエッチング時の加工性に劣るという問題があり、加工性に優れると共に、耐薬品性にも優れたハーフトーン位相シフトマスクブランクは得られていなかった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、加工性に優れると共に、耐薬品性、特にアルカリ薬品に対する耐性にも優れたハーフトーン位相シフトマスクブランク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、第１の金属成分としてモリブデンと、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属と、更に酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素とを含有する金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を有するハーフトーン位相シフトマスクブランクが、位相シフター膜の面内均一性が高くエッチング、特にドライエッチングの加工性に優れたものであると共に、薬品、特にアルカリ薬品よる洗浄によっても透過率や位相差の変化が生じない耐薬品性に優れたハーフトーン位相シフトマスクブランクであることを見出し、このようなハーフトーン位相シフトマスクブランクが、透明基板上に、第１のターゲットとしてモリブデンシリサイド、第２のターゲットとしてタンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド及びタングステンシリサイドから選ばれる１種以上の金属シリサイドをターゲットとして用い、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む１種以上の反応性ガスの存在下で、これらのターゲットに同時に電力を印加する反応性スパッタリングにより、金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を形成すること、特に、透明基板の位相シフター膜を形成する面に対し、ターゲットの透明基板と対向する面を、各々３０〜６０度の角度に傾斜させると共に、透明基板を自転させながらスパッタリングすることにより製造できることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、下記の位相シフトマスクブランク及びその製造方法を提供する。
請求項１：
透明基板上に、第１の金属成分としてモリブデンと、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属と、更に酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素とを含有する金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を有することを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランク。
請求項２：
上記金属シリサイド化合物が、第１の金属成分としてモリブデンと、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属とを含有するシリサイド酸化物、シリサイド窒化物、シリサイド酸化窒化物、シリサイド酸化炭化物、シリサイド窒化炭化物又はシリサイド酸化窒化炭化物であることを特徴とする請求項１記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。
請求項３：
上記金属シリサイド化合物中の、第１の金属成分と第２の金属成分との比が、第１の金属成分：第２の金属成分＝１００：１〜２：１（原子比）であることを特徴とする請求項１又は２記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。
請求項４：
透明基板上に、第１のターゲットとしてモリブデンシリサイド、第２のターゲットとしてタンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド及びタングステンシリサイドから選ばれる１種以上の金属シリサイドを用い、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む１種以上の反応性ガスの存在下で、上記第１のターゲット及び第２のターゲットに同時に電力を印加する反応性スパッタリングにより、金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を形成することを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項５：
上記透明基板の位相シフター膜を形成する面に対し、上記第１のターゲット及び第２のターゲットの透明基板と対向する面を、各々３０〜６０度の角度に傾斜させると共に、透明基板を自転させながらスパッタリングすることを特徴とする請求項４記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項６：
上記第１のターゲットであるモリブデンシリサイド中のモリブデンに対するケイ素の比が４（モル比）以下、かつ上記第２のターゲットである金属シリサイド中の金属に対するケイ素の比が１８（モル比）以上であることを特徴とする請求項４又は５記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項７：
上記金属シリサイド化合物が、モリブデンと、タンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる金属とを含有するシリサイド酸化物、シリサイド窒化物、シリサイド酸化窒化物、シリサイド酸化炭化物、シリサイド窒化炭化物又はシリサイド酸化窒化炭化物であることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項８：
ターゲットに電力を印加する電源が、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源又はＲＦ電源であることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
【０００９】
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクは、透明基板上に、第１の金属成分としてモリブデン、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属、更に酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を有するものである。
【００１０】
このような金属シリサイド化合物としては、例えば、ＭｏＭＳｉＯ（Ｍは上記第２の金属成分、即ち、Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｒ又はＷから選ばれる１種以上の金属を示す、以下同じ。）、ＭｏＭＳｉＮ、ＭｏＭＳｉＯＮ、ＭｏＭＳｉＯＣ、ＭｏＭＳｉＮＣ又はＭｏＭＳｉＯＮＣで表される第１の金属成分としてモリブデン、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属を含有するシリサイド酸化物、シリサイド窒化物、シリサイド酸化窒化物、シリサイド酸化炭化物、シリサイド窒化炭化物又はシリサイド酸化窒化炭化物が好ましく挙げられるが、特に、モリブデンタンタルシリサイド酸化窒化物（ＭｏＴａＳｉＯＮ）、モリブデンジルコニウムシリサイド酸化窒化物（ＭｏＺｒＳｉＯＮ）、モリブデンクロムシリサイド酸化窒化物（ＭｏＣｒＳｉＯＮ）、モリブデンタングステンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＷＳｉＯＮ）、モリブデンタンタルシリサイド酸化窒化炭化物（ＭｏＴａＳｉＯＮＣ）、モリブデンジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化物（ＭｏＺｒＳｉＯＮＣ）、モリブデンクロムシリサイド酸化窒化炭化物（ＭｏＣｒＳｉＯＮＣ）又はモリブデンタングステンシリサイド酸化窒化炭化物（ＭｏＷＳｉＯＮＣ）が好ましい。
【００１１】
また、上記金属シリサイド化合物中の、第１の金属成分（モリブデン）と第２の金属成分（タンタル、ジルコニウム、クロム又はタングステン）との比は、第１の金属成分：第２の金属成分（２種以上含む場合はその総量）＝１００：１〜２：１（原子比）、特に２０：１〜４：１（原子比）であることが好ましい。第１の金属成分が第２の金属成分より多すぎると、位相シフター膜の耐薬品性が不十分となるおそれがあり、少なすぎると、位相シフター膜の面内均一性が悪くなってエッチング時の加工性が低下するおそれがある。
【００１２】
更に、上記金属シリサイド化合物中の第１及び第２の金属成分の含有量は、その合計として１〜２０原子％、特に３〜１５原子％であることが好ましく、ケイ素の含有量は、２０〜７０原子％、特に３０〜６０原子％であることが好ましい。
【００１３】
一方、上記金属シリサイド化合物に含まれる酸素、窒素及び炭素の含有量は、特に制限されないが、これら成分のうち、特に、酸素及び窒素を含む場合、即ち、金属シリサイド酸化窒化物の場合は、酸素の含有量が３〜３０原子％、特に５〜１５原子％、窒素の含有量が１０〜６０原子％、特に２０〜５０原子％であることが好ましく、酸素、窒素及び炭素を含む場合、即ち、金属シリサイド酸化窒化炭化物の場合は、酸素の含有量が３〜３０原子％、特に５〜１５原子％、窒素の含有量が１０〜６０原子％、特に２０〜６０原子％、炭素の含有量が１〜１０原子％、特に１〜５原子％であることが好ましい。
【００１４】
なお、上記位相シフター膜の厚さは、ハーフトーン位相シフター膜使用時の露光波長や位相シフター膜の透過率や位相シフト量等によっても異なるが、通常５００〜１７００Å（５０〜１７０ｎｍ）、特に６００〜１３００Å（６０〜１３０ｎｍ）であることが好ましく、位相シフター膜の透過率は、３〜３０％、特に５〜２０％であることが好ましい。
【００１５】
次に、本発明のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法について説明する。
本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法は、石英、ＣａＦ2等の露光光が透過する透明基板上に、第１のターゲットとしてモリブデンシリサイド、第２のターゲットとしてタンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド及びタングステンシリサイドから選ばれる１種以上の金属シリサイドを用い、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む１種以上の反応性ガスの存在下で、上記第１及び第２のターゲットに同時に電力を印加する反応性スパッタリングにより、金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を形成するものである。
【００１６】
このような２種以上の金属を含むシリサイド化合物の位相シフター膜を形成する方法としては、例えば、第１及び第２の金属を共に含むシリサイドターゲットを用いて形成することも考えられるが、加工性（面内均一性）が高い位相シフター膜を形成するためには、均一性が高いシリサイドターゲットを用いなければならない。しかしながら、このように２種以上の金属を含む場合、ターゲットを均一性の高いものとすることは困難である。これに対して、本発明は、上記のような２種以上の金属を含むシリサイドターゲットを用いなくとも、金属が単一のシリサイドターゲットを２つ以上用いることにより加工性（面内均一性）が高い２種以上の金属を含むシリサイド化合物の位相シフター膜を形成することができるものである。
【００１７】
本発明の製造方法においては、第１のターゲットとしてモリブデンシリサイド、第２のターゲットとしてタンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド及びタングステンシリサイドから選ばれる１種以上の金属シリサイドを用いる。
【００１８】
この場合、第１のターゲットであるモリブデンシリサイド中のモリブデンに対するケイ素の比は４（モル比）以下、好ましくは３（モル比）以下、特に好ましくは約２（モル比）であることが好ましく、かつ上記第２のターゲットである上記金属シリサイド中の金属、即ち、タンタル、ジルコニウム、クロム又はタングステンに対するケイ素の比は１８（モル比）以上、好ましくは１９（モル比）以上、特に好ましくは２０（モル比）以上であることが好ましい。このように、第１のターゲットであるモリブデンシリサイド中のモリブデンに対するケイ素の比と、第２のターゲットである上記金属シリサイド中の金属に対するケイ素の比を上記範囲とすることにより、得られる金属シリサイド化合物中にモリブデンをタンタル、ジルコニウム、クロム又はタングステンに対して多く含有させることができ、これにより位相シフター膜の面内均一性及び耐薬品性を最適化することができる。
【００１９】
一方、本発明の製造方法においては、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む１種以上の反応性ガスを用いるが、これらの反応性ガスとしては、例えば、酸素ガス、窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、亜酸化窒素ガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガスなどから選ばれるガスを用いることができ、これらのガスの１種又は２種以上を適宜選択して用いることにより、上記した２種の金属を含むシリサイド酸化物、シリサイド窒化物、シリサイド酸化窒化物、シリサイド酸化炭化物、シリサイド窒化炭化物又はシリサイド酸化窒化炭化物を形成することができる。なお、上記反応性ガスは、反応性ガス単独で用いても、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスと共に用いてもよい。
【００２０】
また、本発明の製造方法において、ターゲットに電力を印可する電源は、特に限定されず、スパッタリングの電源として公知のものを用いることができるが、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源又はＲＦ電源により電力を印加することが好ましい。この場合、第１のターゲットと第２のターゲットの電源は同一であっても異なっていてもよいが、特に、第１のターゲットにＤＣ電源、第２のターゲットにパルスＤＣ電源を用いると、第２のターゲットのケイ素含有率が高い場合でも、チャージアップの影響や膜の欠陥の発生を抑えることができるため好ましい。
【００２１】
更に、本発明の製造方法においては、図１に示されるように、透明基板１の位相シフター膜２を形成する面に対し、第１のターゲット（モリブデンシリサイド）３及び第２のターゲット（タンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド又はタングステンシリサイド）４の透明基板１と対向する面３１，４１を、各々３０〜６０度の角度に傾斜させると共に、透明基板を、その位相シフター膜を形成する面を通る垂線を軸として自転させながらスパッタリングすることが好ましい。なお、図１中、５はカソード電極、６はアノード電極（基板回転台）、７はチャンバー、８は電源を表す。ターゲットをこのように斜めに配置（いわゆる斜入射）し、透明基板を自転させてスパッタリングすることにより、得られる金属シリサイド化合物の位相シフター膜の面内均一性、特に膜組成の面内均一性を向上させることができ、加工性に極めて優れたハーフトーン位相シフトマスクブランクを得ることができる。
【００２２】
なお、図１中では、第１ターゲット及び第２ターゲットを各々１つずつ用いる場合を示したが、これに限定されるものではなく、第２ターゲットとして２種以上の金属シリサイドを用いる場合は、第２ターゲットが複数個配置され、また同一種のターゲットを複数個配置してもよい。なお、これらのターゲットは、基板の自転周方向に等間隔に配置することが好ましい。
【００２３】
また更に、上記位相シフター膜上には、遮光膜、更には遮光膜からの反射を低減させる反射防止膜を上記遮光膜上に形成することもできる。
【００２４】
この場合、遮光膜又は反射防止膜としてはクロム酸化窒化物（ＣｒＯＮ）、クロム酸化炭化物（ＣｒＯＣ）、クロム酸化窒化炭化物（ＣｒＯＮＣ）等のクロム系の膜又はこれらを積層したものを用いることができる。
【００２５】
このようなＣｒ系遮光膜又はＣｒ系反射防止膜は、例えば、クロム単体又はクロムに酸素、窒素、炭素のいずれか又はこれらを組み合わせて添加したクロム化合物をターゲットとして用い、アルゴン、クリプトン等の不活性ガスに、必要に応じて酸素源、炭素源、窒素源となるガス、例えば、酸素ガス、窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、亜酸化窒素ガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス又はメタン等の炭化水素ガスなどを添加したスパッタリングガスを用いた反応性スパッタリングにより成膜することができる。
【００２６】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【００２７】
［実施例１］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１２０℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１ターゲットとしてＭｏＳｉ（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）、第２ターゲットとしてＺｒＳｉ（Ｚｒ：Ｓｉ＝１：２０ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を２ｓｃｃｍ流し、第１ターゲットには２５０ＷのＤＣ、第２ターゲットには２００ＷのパルスＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら６分間プラズマスパッタリングすることにより、基板上に膜厚７８０ÅのＭｏＺｒＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００２８】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を以下の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００２９】
耐薬品性
アンモニア水：過酸化水素水：純水＝１：１：４０（体積比）の比率で混合した薬液（ＳＣ１（アンモニア過水）薬液）中に、得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクを室温（２５℃）で１時間浸漬し、浸漬前後の位相シフター膜の透過率及び位相差の変化量を評価する。
【００３０】
面内均一性
得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの位相シフター膜の上に、ＥＢレジストＺＥＰ−７０００（日本ゼオン製）を３５００Åの厚さで塗布し、２００℃でソフトベークした後、ＥＢ露光機ＥＬＳ−３７００（エリオニクス製）でパターンを描画し、ＡＤ１０現像液（多摩化学製）で現像して幅０．５０μｍのラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）レジストパターンを形成する。次に、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチャーＲＩＥ−１０ＮＲ（ＳＡＭＣＯ製）を用い、ＣＦ4／Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより位相シフター膜のＬ＆Ｓパターンを形成し、更にレジストパターンを除去してパターンサンプルとする。このパターンサンプルの基板中央部の１２０ｍｍ角内の、１０ｍｍ角毎に区切った１２×１２、計１４４のエリヤ内で、夫々の位相シフター膜のＬ＆Ｓパターンについて、ＣＤ寸法を測定し、平均値及びレンジ（ライン幅の最大値と最小値との差）を求めて面内均一性を評価する。
【００３１】
［比較例１］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１２０℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１，第２ターゲット共にＭｏＳｉ（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：８ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を２ｓｃｃｍ流し、第１，第２ターゲット共に２００ＷのＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら７分間プラズマスパッタリングすることにより、基板上に膜厚７３０ÅのＭｏＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００３２】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を上記の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００３３】
［比較例２］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１２０℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１，第２ターゲット共にＺｒＳｉ（Ｚｒ：Ｓｉ＝１：８ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を３ｓｃｃｍ流し、第１，第２ターゲット共に２２０ＷのＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら８分間プラズマスパッタリングすることにより、基板上に膜厚８３０ÅのＺｒＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００３４】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を上記の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００３５】
［実施例２］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１００℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１ターゲットとしてＭｏＳｉ（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）、第２ターゲットとしてＴａＳｉ（Ｔａ：Ｓｉ＝１：２２ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を１．５ｓｃｃｍ流し、第１ターゲットには２５０ＷのＤＣ、第２ターゲットには２２０ＷのパルスＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら７分間プラズママスパッタリングすることにより、基板上に膜厚７５０ÅのＭｏＴａＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００３６】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を上記の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００３７】
［実施例３］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１００℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１ターゲットとしてＭｏＳｉ（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）、第２ターゲットとしてＣｒＳｉ（Ｃｒ：Ｓｉ＝１：１９ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を３ｓｃｃｍ流し、第１ターゲットには２５０ＷのＤＣ、第２ターゲットには２２０ＷのパルスＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら７分間プラズマスパッタリングすることにより、基板上に膜厚８８０ÅのＭｏＣｒＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００３８】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を上記の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００３９】
［実施例４］
図１に示されるような斜入射ダブルカソードスパッター装置を用い、予備加熱室にて予め１００℃に加熱した６”の角形石英基板上に、第１ターゲットとしてＭｏＳｉ（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）、第２ターゲットとしてＷＳｉ（Ｗ：Ｓｉ＝１：２０ ８．５”φ×５ｍｍ 傾斜角４０度）を用い、スパッタガスとしてチャンバー内に、Ａｒを５０ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ、Ｏ2を２ｓｃｃｍ流し、第１ターゲットには２５０ＷのＤＣ、第２ターゲットには２２０ＷのパルスＤＣを同時に投入し、基板を２０ｒｐｍで自転させながら６分間プラズマスパッタリングすることにより、基板上に膜厚８１０ÅのＭｏＷＳｉＯＮ膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを得た。表１に得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果を、表２に膜の特性を示す。
【００４０】
更に、位相シフター膜の耐薬品性及び面内均一性を上記の方法で評価した。耐薬品性評価の結果を表３に、面内均一性評価の結果を表４に示す。
【００４１】
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
上記結果によれば、本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクは、耐薬品性に優れ、かつ面内均一性も高く加工性に優れたものであるのに対し、比較例の位相シフター膜は、耐薬品性、加工性のいずれかに劣るものであることがわかる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、加工性に優れ、かつ耐薬品性、特に耐アルカリ薬品性に優れた、高品質なハーフトーン位相シフトマスクブランクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法を適用したスパッタリング装置の概略図である。
【符号の説明】
１ 透明基板
２ 位相シフター膜
３ 第１のターゲット
４ 第２のターゲット
５ カソード電極
６ アノード電極（基板回転台）
７ チャンバー
８ 電源
Claims (8)
- 透明基板上に、第１の金属成分としてモリブデンと、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属と、更に酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素とを含有する金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を有することを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランク。
- 上記金属シリサイド化合物が、第１の金属成分としてモリブデンと、第２の金属成分としてタンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる１種以上の金属とを含有するシリサイド酸化物、シリサイド窒化物、シリサイド酸化窒化物、シリサイド酸化炭化物、シリサイド窒化炭化物又はシリサイド酸化窒化炭化物であることを特徴とする請求項１記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。
- 上記金属シリサイド化合物中の、第１の金属成分と第２の金属成分との比が、第１の金属成分：第２の金属成分＝１００：１〜２：１（原子比）であることを特徴とする請求項１又は２記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。
- 透明基板上に、第１のターゲットとしてモリブデンシリサイド、第２のターゲットとしてタンタルシリサイド、ジルコニウムシリサイド、クロムシリサイド及びタングステンシリサイドから選ばれる１種以上の金属シリサイドを用い、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の元素を含む１種以上の反応性ガスの存在下で、上記第１のターゲット及び第２のターゲットに同時に電力を印加する反応性スパッタリングにより、金属シリサイド化合物からなる位相シフター膜を形成することを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
- 上記透明基板の位相シフター膜を形成する面に対し、上記第１のターゲット及び第２のターゲットの透明基板と対向する面を、各々３０〜６０度の角度に傾斜させると共に、透明基板を自転させながらスパッタリングすることを特徴とする請求項４記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
- 上記第１のターゲットであるモリブデンシリサイド中のモリブデンに対するケイ素の比が４（モル比）以下、かつ上記第２のターゲットである金属シリサイド中の金属に対するケイ素の比が１８（モル比）以上であることを特徴とする請求項４又は５記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
- 上記金属シリサイド化合物が、モリブデンと、タンタル、ジルコニウム、クロム及びタングステンから選ばれる金属とを含有するシリサイド酸化物、シリサイド窒化物、シリサイド酸化窒化物、シリサイド酸化炭化物、シリサイド窒化炭化物又はシリサイド酸化窒化炭化物であることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
- ターゲットに電力を印加する電源が、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源又はＲＦ電源であることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
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