JPH08104993A - 銀めっき浴及びその銀めっき方法 - Google Patents
銀めっき浴及びその銀めっき方法Info
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- JPH08104993A JPH08104993A JP6240288A JP24028894A JPH08104993A JP H08104993 A JPH08104993 A JP H08104993A JP 6240288 A JP6240288 A JP 6240288A JP 24028894 A JP24028894 A JP 24028894A JP H08104993 A JPH08104993 A JP H08104993A
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/46—Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有毒なシアンを用いなくてもシアン浴と同程
度の性能を持つ実用的な銀めっき技術、高速銀めっき技
術、及び銀ストライクめっき技術を提供することを目的
とする。 【構成】 錯形成剤として、 一般式 【化５】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ5 はそれぞれ水素、又は１〜５
個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール基、又は
アルコールを表す〕などで表されるヒダントイン化合物
を含有する。
度の性能を持つ実用的な銀めっき技術、高速銀めっき技
術、及び銀ストライクめっき技術を提供することを目的
とする。 【構成】 錯形成剤として、 一般式 【化５】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ5 はそれぞれ水素、又は１〜５
個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール基、又は
アルコールを表す〕などで表されるヒダントイン化合物
を含有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銀めっき技術、高速銀
めっき技術、及び銀ストライクめっき技術に関し、特
に、有毒なシアンを用いない銀めっき技術に関する。
めっき技術、及び銀ストライクめっき技術に関し、特
に、有毒なシアンを用いない銀めっき技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】銀めっきは、古くから装飾用、洋食器器
具等に用いられ、そしてまたその優れた電気的特性のた
めにスイッチやコネクタなどの材料として電子工業分野
においても広く利用されている。
具等に用いられ、そしてまたその優れた電気的特性のた
めにスイッチやコネクタなどの材料として電子工業分野
においても広く利用されている。
【０００３】現在用いられている実用的な銀めっき浴
は、毒性の強いシアン化合物を用いるものがほとんどで
あり、作業安全上又は排水処理上等、多くの問題があっ
た。このため、シアン化合物を含まない銀めっき浴とし
て、例えば硝酸銀−チオ尿素浴、ヨウ化銀−有機酸浴な
どが試みられてきた。更にその他の浴として、チオシア
ン酸銀にトリエタノールアミンを添加した浴（特開昭５
４−１５５１３２号公報）や、無機酸銀又は有機酸銀に
スルファニル酸誘導体及びヨウ化カリウムを添加した浴
（特開平２−２９０９９３号公報）が提案されている。
は、毒性の強いシアン化合物を用いるものがほとんどで
あり、作業安全上又は排水処理上等、多くの問題があっ
た。このため、シアン化合物を含まない銀めっき浴とし
て、例えば硝酸銀−チオ尿素浴、ヨウ化銀−有機酸浴な
どが試みられてきた。更にその他の浴として、チオシア
ン酸銀にトリエタノールアミンを添加した浴（特開昭５
４−１５５１３２号公報）や、無機酸銀又は有機酸銀に
スルファニル酸誘導体及びヨウ化カリウムを添加した浴
（特開平２−２９０９９３号公報）が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たようなシアン化合物を用いない銀めっき浴は、シアン
化合物を用いた銀めっき浴に比べると毒性や排水処理等
の問題は少ないものの、実用的な銀めっき液として工業
的に用いるには、浴の安定性、均一電着性、限界電流密
度、析出物の物性ならびに外観等において満足度の点で
改良の余地があるものが多く、特に、高速めっきやスト
ライクめっきとして用いるには実用的でなかった。例え
ば、銅やニッケルまたはこれらの合金のような卑金属の
素地に銀ストライクめっきを行う場合、上記したような
従来の非シアンめっき浴だと、めっき皮膜と素地との密
着力があまり良好でなく、しかも使用中に液が分解し銀
が還元されやすく浴の寿命が短くなるという傾向があっ
た。
たようなシアン化合物を用いない銀めっき浴は、シアン
化合物を用いた銀めっき浴に比べると毒性や排水処理等
の問題は少ないものの、実用的な銀めっき液として工業
的に用いるには、浴の安定性、均一電着性、限界電流密
度、析出物の物性ならびに外観等において満足度の点で
改良の余地があるものが多く、特に、高速めっきやスト
ライクめっきとして用いるには実用的でなかった。例え
ば、銅やニッケルまたはこれらの合金のような卑金属の
素地に銀ストライクめっきを行う場合、上記したような
従来の非シアンめっき浴だと、めっき皮膜と素地との密
着力があまり良好でなく、しかも使用中に液が分解し銀
が還元されやすく浴の寿命が短くなるという傾向があっ
た。
【０００５】本発明はこのような従来の技術に着目して
なされたものであり、有毒なシアンを用いなくてもシア
ン浴と同程度の性能を持つ実用的な銀めっき技術、高速
銀めっき技術、及び銀ストライクめっき技術を提供する
ことを目的とする。
なされたものであり、有毒なシアンを用いなくてもシア
ン浴と同程度の性能を持つ実用的な銀めっき技術、高速
銀めっき技術、及び銀ストライクめっき技術を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、銀化合物として無機酸銀を含有し、錯形
成剤として、 一般式
成するために、銀化合物として無機酸銀を含有し、錯形
成剤として、 一般式
【化３】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ5 はそれぞれ水素、又は１〜５
個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール基、又は
アルコールを表す〕または 一般式
個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール基、又は
アルコールを表す〕または 一般式
【化４】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ5 、Ｒ5 ′はそれぞれ水素、又
は１〜５個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール
基、又はアルコールを表す〕で表されるヒダントイン化
合物の少なくともいずれかを含有するとともに、電導塩
として少なくとも無機酸塩又はカルボン酸塩のいずれか
を含有する銀めっき浴としている。さらにこの銀めっき
浴に、光沢度調整剤として、ＳＨ基やカルボキシル基を
有する有機硫黄化合物、Ｓを有するアミノ酸、又は亜硫
酸イオンの少なくともいずれかを添加してもよい。そし
てこの浴組成の銀めっき浴は、銀を金属濃度で１〜１０
０ｇ／ｌ含有するとともに、錯形成剤を浴中の銀イオン
濃度が１０-15 〜１０-2ｍｏｌ／ｌとなる量含有し、さ
らに電導塩を１〜１００ｇ／ｌ含有するものとしてい
る。そしてまた、この銀めっき浴は、ｐＨ８〜１３、液
温３０〜９０℃、電流密度１〜２０Ａ／ｄｍ2 の操作条
件で用いられるものとしている。
は１〜５個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール
基、又はアルコールを表す〕で表されるヒダントイン化
合物の少なくともいずれかを含有するとともに、電導塩
として少なくとも無機酸塩又はカルボン酸塩のいずれか
を含有する銀めっき浴としている。さらにこの銀めっき
浴に、光沢度調整剤として、ＳＨ基やカルボキシル基を
有する有機硫黄化合物、Ｓを有するアミノ酸、又は亜硫
酸イオンの少なくともいずれかを添加してもよい。そし
てこの浴組成の銀めっき浴は、銀を金属濃度で１〜１０
０ｇ／ｌ含有するとともに、錯形成剤を浴中の銀イオン
濃度が１０-15 〜１０-2ｍｏｌ／ｌとなる量含有し、さ
らに電導塩を１〜１００ｇ／ｌ含有するものとしてい
る。そしてまた、この銀めっき浴は、ｐＨ８〜１３、液
温３０〜９０℃、電流密度１〜２０Ａ／ｄｍ2 の操作条
件で用いられるものとしている。
【０００７】また、本発明は、上記の浴組成からなる高
速銀めっき浴とし、銀を金属濃度で１〜１５０ｇ／ｌ含
有するとともに、錯形成剤を浴中の銀イオン濃度が１０
-15〜１０-2ｍｏｌ／ｌとなる量含有し、さらに電導塩
を１〜１００ｇ／ｌ含有する高速銀めっき浴としてい
る。そしてこの高速銀めっき浴を、ｐＨ８〜１３、液温
３０〜９０℃、電流密度１０〜１５０Ａ／ｄｍ2 の操作
条件で用いるようにしている。
速銀めっき浴とし、銀を金属濃度で１〜１５０ｇ／ｌ含
有するとともに、錯形成剤を浴中の銀イオン濃度が１０
-15〜１０-2ｍｏｌ／ｌとなる量含有し、さらに電導塩
を１〜１００ｇ／ｌ含有する高速銀めっき浴としてい
る。そしてこの高速銀めっき浴を、ｐＨ８〜１３、液温
３０〜９０℃、電流密度１０〜１５０Ａ／ｄｍ2 の操作
条件で用いるようにしている。
【０００８】さらにまた、本発明は、上記の浴組成から
なる銀ストライクめっき浴とし、銀を金属濃度で０．１
〜５ｇ／ｌ含有するとともに、錯形成剤を浴中の銀イオ
ン濃度が１０-15 〜１０-2ｍｏｌ／ｌとなる量含有し、
さらに電導塩を１〜１００ｇ／ｌ含有する銀ストライク
めっき浴としている。そして、この銀ストライクめっき
浴を、ｐＨ７〜１３、液温２０〜９０℃、電流密度１〜
２０Ａ／ｄｍ2 または電圧１〜２０Ｖの操作条件で用い
るようにしている。
なる銀ストライクめっき浴とし、銀を金属濃度で０．１
〜５ｇ／ｌ含有するとともに、錯形成剤を浴中の銀イオ
ン濃度が１０-15 〜１０-2ｍｏｌ／ｌとなる量含有し、
さらに電導塩を１〜１００ｇ／ｌ含有する銀ストライク
めっき浴としている。そして、この銀ストライクめっき
浴を、ｐＨ７〜１３、液温２０〜９０℃、電流密度１〜
２０Ａ／ｄｍ2 または電圧１〜２０Ｖの操作条件で用い
るようにしている。
【０００９】以下、上記の銀めっき浴、高速めっき浴、
ストライクめっき浴についてさらに詳細に説明する。な
お、以上及び以下の説明において「高速」とは、少なく
とも電流密度１０Ａ／ｄｍ2 以上が可能で、めっき速度
が３３０μｍ／ｈ以上であり、且つその条件において得
られた析出物にクラックの発生が認められないことを意
味するものとして使用する。
ストライクめっき浴についてさらに詳細に説明する。な
お、以上及び以下の説明において「高速」とは、少なく
とも電流密度１０Ａ／ｄｍ2 以上が可能で、めっき速度
が３３０μｍ／ｈ以上であり、且つその条件において得
られた析出物にクラックの発生が認められないことを意
味するものとして使用する。
【００１０】銀化合物としての無機酸銀は、硝酸銀、酸
化銀等を採用でき、錯形成剤としては１−メチルヒダン
トイン、１，３−ジメチルヒダントイン、５，５−ジメ
チルヒダントイン、１−メタノール−５，５−ジメチル
ヒダントイン、５，５−ジフェニルヒダントイン等を採
用できる。電導塩としては塩化カリウム、ギ酸カリウム
等の無機酸塩やカルボン酸塩を採用できる。
化銀等を採用でき、錯形成剤としては１−メチルヒダン
トイン、１，３−ジメチルヒダントイン、５，５−ジメ
チルヒダントイン、１−メタノール−５，５−ジメチル
ヒダントイン、５，５−ジフェニルヒダントイン等を採
用できる。電導塩としては塩化カリウム、ギ酸カリウム
等の無機酸塩やカルボン酸塩を採用できる。
【００１１】なお、この銀めっき浴には、光沢度調整剤
として、ＳＨ基やカルボキシル基を有する有機硫黄化合
物、Ｓを有するアミノ酸、又は亜硫酸イオンの少なくと
もいずれかを添加することができる。このような光沢度
調整剤としては例えばチオサリチル酸、チアミン塩酸
塩、チアミン硝酸塩、亜硫酸カリウム等を採用でき、添
加量としては０．１〜１００ｇ／ｌ、好ましくは０．１
〜５０ｇ／ｌ、さらに好ましくは０．５〜１０ｇ／ｌ加
えるようにする。添加量を０．１〜１００ｇ／ｌとした
のは、０．１ｇ／ｌより少ないと光沢度調整剤の効果が
なく、１００ｇ／ｌより多いと析出に悪影響を与えるか
らである。
として、ＳＨ基やカルボキシル基を有する有機硫黄化合
物、Ｓを有するアミノ酸、又は亜硫酸イオンの少なくと
もいずれかを添加することができる。このような光沢度
調整剤としては例えばチオサリチル酸、チアミン塩酸
塩、チアミン硝酸塩、亜硫酸カリウム等を採用でき、添
加量としては０．１〜１００ｇ／ｌ、好ましくは０．１
〜５０ｇ／ｌ、さらに好ましくは０．５〜１０ｇ／ｌ加
えるようにする。添加量を０．１〜１００ｇ／ｌとした
のは、０．１ｇ／ｌより少ないと光沢度調整剤の効果が
なく、１００ｇ／ｌより多いと析出に悪影響を与えるか
らである。
【００１２】銀めっき浴、高速めっき浴、銀ストライク
めっき浴の各々における銀濃度については、上記したよ
うな濃度範囲としているが、より好ましくは、以下の量
とすることができる。すなわち、銀めっき浴にあって
は、好ましくは５〜５０ｇ／ｌ、さらに好ましくは８〜
３０ｇ／ｌを、高速めっき浴にあっては、好ましくは３
０〜１００ｇ／ｌ、さらに好ましくは４０〜８０ｇ／ｌ
を、そして銀ストライクめっき浴にあっては、好ましく
は０．３〜３ｇ／ｌ、さらに好ましくは０．５〜１．５
ｇ／ｌを浴中に存在させることができる。
めっき浴の各々における銀濃度については、上記したよ
うな濃度範囲としているが、より好ましくは、以下の量
とすることができる。すなわち、銀めっき浴にあって
は、好ましくは５〜５０ｇ／ｌ、さらに好ましくは８〜
３０ｇ／ｌを、高速めっき浴にあっては、好ましくは３
０〜１００ｇ／ｌ、さらに好ましくは４０〜８０ｇ／ｌ
を、そして銀ストライクめっき浴にあっては、好ましく
は０．３〜３ｇ／ｌ、さらに好ましくは０．５〜１．５
ｇ／ｌを浴中に存在させることができる。
【００１３】上記の各めっき浴について、銀濃度が上記
したような各々の下限値より少ない場合、析出物の外観
に悪影響が出るとともに電流密度の上限が小さくなって
実用に供することが難しくなる。また、上記の各めっき
浴の銀濃度が上記した上限値より多い場合、銀の量に応
じて錯形成剤の量も多くする必要があるため、錯形成剤
が飽和の状態になりやすくなって溶解しにくくなるとと
もに、コストが高価となり実用上不適となる。
したような各々の下限値より少ない場合、析出物の外観
に悪影響が出るとともに電流密度の上限が小さくなって
実用に供することが難しくなる。また、上記の各めっき
浴の銀濃度が上記した上限値より多い場合、銀の量に応
じて錯形成剤の量も多くする必要があるため、錯形成剤
が飽和の状態になりやすくなって溶解しにくくなるとと
もに、コストが高価となり実用上不適となる。
【００１４】また、本発明の銀めっき浴、高速めっき
浴、ストライクめっき浴の各々における錯形成剤の量と
電導塩の量を前述の範囲とした理由は、以下の通りであ
る。すなわち、銀イオン濃度が１０-15 ｍｏｌ／ｌより
少ないと銀の析出が起こらず、１０-2ｍｏｌ／ｌより多
いと析出物の量が極端に少なくなるからであり、伝導塩
が１ｇ／ｌより少ないか１００ｇ／ｌより多い場合、良
好な外観が得にくくなるとともに浴のｐＨを安定させ且
つ浴に電導性を与える役割を果たしづらくなるからであ
る。
浴、ストライクめっき浴の各々における錯形成剤の量と
電導塩の量を前述の範囲とした理由は、以下の通りであ
る。すなわち、銀イオン濃度が１０-15 ｍｏｌ／ｌより
少ないと銀の析出が起こらず、１０-2ｍｏｌ／ｌより多
いと析出物の量が極端に少なくなるからであり、伝導塩
が１ｇ／ｌより少ないか１００ｇ／ｌより多い場合、良
好な外観が得にくくなるとともに浴のｐＨを安定させ且
つ浴に電導性を与える役割を果たしづらくなるからであ
る。
【００１５】以下、本発明の銀めっき浴、高速めっき
浴、銀ストライクめっき浴における操作条件について説
明する。
浴、銀ストライクめっき浴における操作条件について説
明する。
【００１６】本発明で、銀めっき浴、及び高速銀めっき
浴のｐＨを８〜１３、銀ストライクめっきのｐＨを７〜
１３としたのは、ｐＨが８または７より低いと浴中に銀
塩が沈殿する可能性があるとともに析出効率が極端に低
下し、ｐＨが１３より高いと析出物の良好な外観が得に
くくなるためである。なお、ｐＨの調整は、水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウム又は硫酸を用いて行なうように
している。
浴のｐＨを８〜１３、銀ストライクめっきのｐＨを７〜
１３としたのは、ｐＨが８または７より低いと浴中に銀
塩が沈殿する可能性があるとともに析出効率が極端に低
下し、ｐＨが１３より高いと析出物の良好な外観が得に
くくなるためである。なお、ｐＨの調整は、水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウム又は硫酸を用いて行なうように
している。
【００１７】また、銀めっき浴、及び高速銀めっき浴の
液温を３０〜９０℃、銀ストライクめっきの液温を２０
〜９０℃としたのは、３０℃または２０℃より低いと析
出物が良好な外観を示さなくなり、９０℃より高い場合
は、浴が不安定となるからである。
液温を３０〜９０℃、銀ストライクめっきの液温を２０
〜９０℃としたのは、３０℃または２０℃より低いと析
出物が良好な外観を示さなくなり、９０℃より高い場合
は、浴が不安定となるからである。
【００１８】さらにまた、銀めっき浴、銀ストライクめ
っき浴の電流密度を１〜２０Ａ／ｄｍ2 、高速銀めっき
浴の電流密度を１０〜１５０Ａ／ｄｍ2 としたのは、電
流密度が１Ａ／ｄｍ2 または１０Ａ／ｄｍ2 より低い場
合は、析出速度が遅くなって十分な膜厚の析出物を得る
ことが難しくなり、２０Ａ／ｄｍ2 または１５０Ａ／ｄ
ｍ2 より高い場合は、良好な外観が得られなくなるとと
もに水素の発生が起こって析出物の量が極端に減少して
しまう。
っき浴の電流密度を１〜２０Ａ／ｄｍ2 、高速銀めっき
浴の電流密度を１０〜１５０Ａ／ｄｍ2 としたのは、電
流密度が１Ａ／ｄｍ2 または１０Ａ／ｄｍ2 より低い場
合は、析出速度が遅くなって十分な膜厚の析出物を得る
ことが難しくなり、２０Ａ／ｄｍ2 または１５０Ａ／ｄ
ｍ2 より高い場合は、良好な外観が得られなくなるとと
もに水素の発生が起こって析出物の量が極端に減少して
しまう。
【００１９】なお、本発明の銀ストライクめっき浴は電
圧でも操作するようにしており、その範囲を１〜２０Ｖ
としたのは、電流密度を１〜２０Ａ／ｄｍ2 としたのと
同じ理由による。そして、電圧をこの範囲内で変化させ
ながらストライクめっきを行うと均一電着性や表面の平
滑度において優れた皮膜を得ることができる。なお、本
発明による各々のめっき浴では、液温及び銀濃度に比例
して電流密度を大きくすることができる。
圧でも操作するようにしており、その範囲を１〜２０Ｖ
としたのは、電流密度を１〜２０Ａ／ｄｍ2 としたのと
同じ理由による。そして、電圧をこの範囲内で変化させ
ながらストライクめっきを行うと均一電着性や表面の平
滑度において優れた皮膜を得ることができる。なお、本
発明による各々のめっき浴では、液温及び銀濃度に比例
して電流密度を大きくすることができる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例によってこの発明をさらに詳細
に説明する。
に説明する。
【００２１】実施例１ 硝酸銀 １６ｇ／ｌ ヒダントイン ４０ｇ／ｌ 塩化カリウム ８ｇ／ｌ ｐＨ ９．５ 液温 ４０℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 銅の試験片に、上記の組成及び操作条件で銀めっきを行
なったところ、膜厚が３．５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可
能であった。
なったところ、膜厚が３．５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可
能であった。
【００２２】実施例２ 酸化銀 １１ｇ／ｌ ヒダントイン ４０ｇ／ｌ 塩化カリウム ８ｇ／ｌ ｐＨ ９．０ 液温 ４５℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 銅の試験片に、上記の組成及び操作条件で銀めっきを行
なったところ、膜厚が３．５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可
能であった。
なったところ、膜厚が３．５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可
能であった。
【００２３】実施例３ 硝酸銀 １６ｇ／ｌ ジメチルヒダントイン ５０ｇ／ｌ 塩化ナトリウム １０ｇ／ｌ ｐＨ ９．５ 液温 ５０℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 銅の試験片に、上記の組成及び操作条件で銀めっきを行
なったところ、膜厚が３．５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可
能であった。
なったところ、膜厚が３．５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可
能であった。
【００２４】実施例４ 硝酸銀 １６ｇ／ｌ 1-メタノール-5,5-シ゛メチルヒタ゛ントイン ６０ｇ／ｌ 塩化カリウム ８ｇ／ｌ ｐＨ １０ 液温 ５５℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 銅の試験片に、上記の組成及び操作条件で銀めっきを行
なったところ、膜厚が３．５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可
能であった。
なったところ、膜厚が３．５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可
能であった。
【００２５】実施例５ 硝酸銀 １６ｇ／ｌ ジメチルヒダントイン ５０ｇ／ｌ 塩化カリウム ８ｇ／ｌ チオサリチル酸 １ｇ／ｌ ｐＨ ９．５ 液温 ５０℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 銅の試験片に、上記の組成及び操作条件で銀めっきを行
なったところ、膜厚が３．５μｍで光沢外観を有する析
出物が得られた。また電流効率は１００％であり、めっ
き速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可能
であった。
なったところ、膜厚が３．５μｍで光沢外観を有する析
出物が得られた。また電流効率は１００％であり、めっ
き速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可能
であった。
【００２６】実施例６ 硝酸銀 １６ｇ／ｌ ジメチルヒダントイン ５０ｇ／ｌ 塩化ナトリウム １０ｇ／ｌ チアミン塩酸塩 ０．５ｇ／ｌ ｐＨ ９．５ 液温 ５０℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 銅の試験片に、上記の組成及び操作条件で銀めっきを行
なったところ、膜厚が３．５μｍで光沢外観を有する析
出物が得られた。また電流効率は１００％であり、めっ
き速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可能
であった。
なったところ、膜厚が３．５μｍで光沢外観を有する析
出物が得られた。また電流効率は１００％であり、めっ
き速度は３８μｍ／ｈであった。浴は３ターン使用可能
であった。
【００２７】実施例７ 硝酸銀 ６４ｇ／ｌ ヒダントイン １３０ｇ／ｌ 塩化カリウム ３０ｇ／ｌ ｐＨ ９．５ 液温 ７０℃ 電流密度 ３０Ａ／ｄｍ2 銅の試験片に、上記の組成及び操作条件で高速銀めっき
を行なったところ、膜厚が５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は１８．５ｓｅｃ／５μｍであった。
を行なったところ、膜厚が５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は１８．５ｓｅｃ／５μｍであった。
【００２８】実施例８ 硝酸銀 ９５ｇ／ｌ ジメチルヒダントイン ２３０ｇ／ｌ 塩化ナトリウム ５０ｇ／ｌ ｐＨ １０ 液温 ７０℃ 電流密度 ６０Ａ／ｄｍ2 銅の試験片に、上記の組成及び操作条件で高速銀めっき
を行なったところ、膜厚が５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は９．５ｓｅｃ／５μｍであった。
を行なったところ、膜厚が５μｍで無光沢外観を有する
析出物が得られた。また電流効率は１００％であり、め
っき速度は９．５ｓｅｃ／５μｍであった。
【００２９】実施例９ 硝酸銀 ９５ｇ／ｌ ジメチルヒダントイン ２３０ｇ／ｌ 塩化カリウム ４０ｇ／ｌ チオサリチル酸 ２ｇ／ｌ ｐＨ １０ 液温 ７０℃ 電流密度 ４０Ａ／ｄｍ2 銅の試験片に、上記の組成及び操作条件で高速銀めっき
を行なったところ、膜厚が５μｍで半光沢〜光沢外観を
有する析出物が得られた。また電流効率は１００％であ
り、めっき速度は１３．８ｓｅｃ／５μｍであった。
を行なったところ、膜厚が５μｍで半光沢〜光沢外観を
有する析出物が得られた。また電流効率は１００％であ
り、めっき速度は１３．８ｓｅｃ／５μｍであった。
【００３０】実施例１０ 硝酸銀 １．６ｇ／ｌ ジメチルヒダントイン ７０ｇ／ｌ 塩化カリウム ７ｇ／ｌ ｐＨ ９．５ 液温 ３０℃ 電流密度 ７Ａ／ｄｍ2 （電圧６Ｖ） 時間 ２０ｓｅｃ 銅の試験片に、上記の組成及び操作条件で銀ストライク
めっきを行なったところ、大変密着性の良好な析出物が
得られた。また、銀ストライクめっき後、実施例３の組
成及び操作条件にて、銀めっきを行ったところ密着性が
良好な析出物が得られた。
めっきを行なったところ、大変密着性の良好な析出物が
得られた。また、銀ストライクめっき後、実施例３の組
成及び操作条件にて、銀めっきを行ったところ密着性が
良好な析出物が得られた。
【００３１】なお、上記実施例１〜実施例１０の析出物
は、硬度、密着性、均一電着性、耐熱性、電導性等につ
いて、シアン浴で得られた析出物と同程度の実用上十分
な特性を備えていることが確認できた。
は、硬度、密着性、均一電着性、耐熱性、電導性等につ
いて、シアン浴で得られた析出物と同程度の実用上十分
な特性を備えていることが確認できた。
【００３２】
【発明の効果】本発明の銀めっき浴、高速銀めっき浴及
び銀ストライクめっき浴並びにそれらを用いた銀めっき
方法は、以下のような共通した効果がある。すなわち、
有毒のシアン化合物を使用しないため安全衛生上有利で
あり、また、シアン化合物を使用しなくても５０μｍ以
上の厚付めっきが可能である。さらにまた、錯形成剤と
してヒダントイン化合物を用いているため、ヨウ化銀−
有機酸浴等と比較してコスト面で有利である。加えて、
浴の安定性、均一電着性、限界電流密度、析出物の物性
ならびに外観等の品質において、シアン浴を用いた場合
と同程度のめっき製品が、浴温に依存することなく１０
０％の析出効率で得られるという効果があるとともに、
めっき浴も３ターン以上安定して使用できるという効果
がある。
び銀ストライクめっき浴並びにそれらを用いた銀めっき
方法は、以下のような共通した効果がある。すなわち、
有毒のシアン化合物を使用しないため安全衛生上有利で
あり、また、シアン化合物を使用しなくても５０μｍ以
上の厚付めっきが可能である。さらにまた、錯形成剤と
してヒダントイン化合物を用いているため、ヨウ化銀−
有機酸浴等と比較してコスト面で有利である。加えて、
浴の安定性、均一電着性、限界電流密度、析出物の物性
ならびに外観等の品質において、シアン浴を用いた場合
と同程度のめっき製品が、浴温に依存することなく１０
０％の析出効率で得られるという効果があるとともに、
めっき浴も３ターン以上安定して使用できるという効果
がある。
【００３３】以上のような共通の効果に加え、本発明の
銀めっき浴、高速銀めっき浴及び銀ストライクめっき浴
並びにそれらを用いた銀めっき方法は、各々について以
下のような特有な効果がある。すなわち、本発明による
銀めっき浴では、光沢度調整剤の使用により、装飾用と
しても使用できる良好な外観が安定して得られる。ま
た、本発明の高速銀めっき浴は、めっき速度が大幅に向
上するため、特に電子産業を始めとする、より広い分野
での応用が可能になるという効果がある。また、本発明
の銀ストライクめっき浴により、より密着性の高い銀め
っきを行うことが可能になる。
銀めっき浴、高速銀めっき浴及び銀ストライクめっき浴
並びにそれらを用いた銀めっき方法は、各々について以
下のような特有な効果がある。すなわち、本発明による
銀めっき浴では、光沢度調整剤の使用により、装飾用と
しても使用できる良好な外観が安定して得られる。ま
た、本発明の高速銀めっき浴は、めっき速度が大幅に向
上するため、特に電子産業を始めとする、より広い分野
での応用が可能になるという効果がある。また、本発明
の銀ストライクめっき浴により、より密着性の高い銀め
っきを行うことが可能になる。
Claims (10)
- 【請求項１】 銀化合物として無機酸銀を含有し、錯形
成剤として、 一般式 【化１】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ5 はそれぞれ水素、又は１〜５
個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール基、又は
アルコールを表す〕または 一般式 【化２】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ5 、Ｒ5 ′はそれぞれ水素、又
は１〜５個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール
基、又はアルコールを表す〕で表されるヒダントイン化
合物の少なくともいずれかを含有するとともに、電導塩
として少なくとも無機酸塩又はカルボン酸塩のいずれか
を含有する銀めっき浴。 - 【請求項２】 光沢度調整剤として、ＳＨ基やカルボキ
シル基を有する有機硫黄化合物、Ｓを有するアミノ酸、
又は亜硫酸イオンの少なくともいずれかを添加する請求
項１記載の銀めっき浴。 - 【請求項３】 銀を金属濃度で１〜１００ｇ／ｌ含有す
るとともに、錯形成剤を浴中の銀イオン濃度が１０-15
〜１０-2ｍｏｌ／ｌとなる量含有し、さらに電導塩を１
〜１００ｇ／ｌ含有する請求項１又は請求項２記載の銀
めっき浴。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の銀
めっき浴を、ｐＨ８〜１３、液温３０〜９０℃、電流密
度１〜２０Ａ／ｄｍ2 の操作条件で用いる銀めっき方
法。 - 【請求項５】 請求項１又は請求項２記載の浴組成から
なる高速銀めっき浴。 - 【請求項６】 銀を金属濃度で１〜１５０ｇ／ｌ含有す
るとともに、錯形成剤を浴中の銀イオン濃度が１０-15
〜１０-2ｍｏｌ／ｌとなる量含有し、さらに電導塩を１
〜１００ｇ／ｌ含有する請求項５記載の高速銀めっき
浴。 - 【請求項７】 請求項５又は請求項６記載の高速銀めっ
き浴を、ｐＨ８〜１３、液温３０〜９０℃、電流密度１
０〜１５０Ａ／ｄｍ2 の操作条件で用いる高速銀めっき
方法。 - 【請求項８】 請求項１又は請求項２記載の浴組成から
なる銀ストライクめっき浴。 - 【請求項９】 銀を金属濃度で０．１〜５ｇ／ｌ含有す
るとともに、錯形成剤を浴中の銀イオン濃度が１０-15
〜１０-2ｍｏｌ／ｌとなる量含有し、さらに電導塩を１
〜１００ｇ／ｌ含有する請求項８記載の銀ストライクめ
っき浴。 - 【請求項１０】 請求項８又は請求項９記載の銀ストラ
イクめっき浴を、ｐＨ７〜１３、液温２０〜９０℃、電
流密度１〜２０Ａ／ｄｍ2 または電圧１〜２０Ｖの操作
条件で用いる銀ストライクめっき方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6240288A JPH08104993A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 銀めっき浴及びその銀めっき方法 |
| EP95306769A EP0705919A1 (en) | 1994-10-04 | 1995-09-26 | Silver plating baths and silver plating method using the same |
| KR1019950033029A KR0180792B1 (ko) | 1994-10-04 | 1995-09-29 | 은도금 욕 및 그를 이용한 은도금 방법 |
| US08/538,602 US5601696A (en) | 1994-10-04 | 1995-10-03 | Silver plating baths and silver plating method using the same |
| CN95109554A CN1084396C (zh) | 1994-10-04 | 1995-10-04 | 镀银液及使用该镀银液的镀银方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6240288A JPH08104993A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 銀めっき浴及びその銀めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08104993A true JPH08104993A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17057256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6240288A Pending JPH08104993A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 銀めっき浴及びその銀めっき方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5601696A (ja) |
| EP (1) | EP0705919A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08104993A (ja) |
| KR (1) | KR0180792B1 (ja) |
| CN (1) | CN1084396C (ja) |
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| WO2014020981A1 (ja) | 2012-07-31 | 2014-02-06 | 株式会社大和化成研究所 | 電気銀めっき液 |
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