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JPH02290993A - 非シアン銀めっき浴 - Google Patents

非シアン銀めっき浴

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Publication number
JPH02290993A
JPH02290993A JP1233094A JP23309489A JPH02290993A JP H02290993 A JPH02290993 A JP H02290993A JP 1233094 A JP1233094 A JP 1233094A JP 23309489 A JP23309489 A JP 23309489A JP H02290993 A JPH02290993 A JP H02290993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silver
group
plating
alkyl
sulfonic acid
Prior art date
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Granted
Application number
JP1233094A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0575837B2 (ja
Inventor
Seiji Masaki
征史 正木
Tetsuya Kondo
哲也 近藤
Koji Yamakawa
山川 宏二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Original Assignee
Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daiwa Kasei Kenkyusho KK filed Critical Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Priority to JP1233094A priority Critical patent/JPH02290993A/ja
Publication of JPH02290993A publication Critical patent/JPH02290993A/ja
Publication of JPH0575837B2 publication Critical patent/JPH0575837B2/ja
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  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、銀塩、ヨウ化カリウム及び水酸化カリウムを
含有する水溶液に添加剤としてスルファニル酸誘導体を
添加してなる非シアン銀めっき浴に関する. [従来技術とその問題点] 銀めっきは、古くから装飾用として、近年では航空機部
品、電子工業部品などにも広く用いられている. 従来、実用化されている銀めっき浴のほとんどはシアン
イオンを含むいわゆるシアン塩を主成分とする系統のも
のであった.このめっき浴からは外観や均一電着性が良
好な微細結晶の優れためつき皮膜が形成される.しかし
周知の通り、シアンイオンは強い毒性があり、安全な作
業環境の維持、排水の処理など多くの難点がある.そこ
でシアンイオンを含まない銀めっき浴の開発が強く望ま
れている. シアンイオンを含まない銀めっき浴の例として、硝酸銀
浴、スルファミン酸銀浴、塩化銀浴及びチオシアン酸銀
浴があげられる.しかし、これらの浴について比較した
が、いずれもシアンイオンを含む浴から得られるめっき
皮膜よりも著しく性能の落ちるものであることが判った
。すなわち、めっき膜がもろかったり、表面が樹脂状な
いし凹凸状を呈して一様性を欠くなどの欠点があり、こ
れまで工業的な規模で利用されたものではない. 最近
、チ才シアン酸イオンを主成分とし、これにトリエタノ
ールアミンを含有しためっき浴が特開昭54−1551
3.2号に記載されている.この浴から得られためっき
外観は、シアン浴に比べると粒子が粗く、つき回り性も
劣っている.また、ヨウ化銀にゼラチンを添加した浴(
Batashev & κitaichik)が報告さ
れているが、外観は淡黄色系となり、シアン浴に比べて
粒子が粗く、低電流密度部のつき回り性がきわめて悪い
.[問題を解決するための手段] 本発明は、上述の問題点に鑑み発明されたもので、シア
ン浴に代えて環境及び公害対策上問題の少ない銀−ヨウ
化カリウム浴を用いることによって、上述した問題を生
じることなしに、粒子が微細で密着性及び均一電着性良
好なめっきが得られる非シアン銀めっき浴を提供するこ
とを目的とする. 以下、本発明の構成について述べる. 本発明において使用するめつき浴は、有機又は無機の銀
塩、ヨウ化カリウム及び水酸化カリウムを含有する水溶
液に添加剤として下記の一般式[ここでRはC+−aの
アルキル基を表し、R1は水酸基、アリール基、アルキ
ルアリール基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し
、そしてアルキル基の任意の位置にあってよく、nは0
〜3の整数を表わす] で示される脂肪族有機スルホン酸. [ここでR,は水素、C1〜4のアルキル基又はフェニ
ル基、R.は水素又は01〜4のアルキル基、Rcは水
素又は水酸基、Aは単結合又はフエニレン基を表わす] のスルファニル酸誘導体を添加してなるものである. 有機の銀塩としては、酢酸銀、安息香酸銀、クエン酸銀
、乳酸銀又は下記の一般式(b)及び(c)からなる群
より選ばれた有機スルホン酸の銀塩があげられる. (b)   (R. )。−R SOs H[ここでR
2は水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリー
ル基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、mは0
〜3の整数を表わす]で示される芳香族スルホン酸. 無機の銀塩としては、硝酸銀、硫酸銀、炭酸銀、酸化銀
、塩化銀及びヨウ化銀があげられる.本発明の非シアン
めっき浴に用いられる上記(b)及び(c)の有機スル
ホン酸の中でも、特に重要なものは2−ヒト口キシエタ
ンスルホン酸、2−ヒドロキシブロバンスルホン酸、メ
タンスルホン酸、2−カルボキシエタンスルホン酸、ス
ルホコハク酸、ベンゼンスルホン酸及びp−フェノール
スルホン酸である.銀塩の濃度は金属イオンに換算して
2〜2 0 0 g/β、好ましくは5〜i o o 
g7ptである. 錯化剤として用いるヨウ化カリウムの濃度は、200〜
600g/I2、好ましくは300〜4 5 0 g/
βである. 水酸化カリウムは液のpH調整剤として用いられ、pH
範囲としては1〜11,好ましくは3〜6である. 以上の浴からでも、ある程度銀白色のめっき皮膜は得ら
れるが、結晶粒子が粗く密着性や均一電着性が著しく悪
い.今回、上記一般式(al で示されたスルファニル
酸誘導体を添加することによって、極めて良好な性能を
有するめっき皮膜が得られ、特許出願に至ったものであ
る.スルファニル酸誘導体の中でも、特に重要なものは
N− (3−ヒドロキシブチリデン)一p−スルファニ
ル酸、N−プチリデンスルファニル酸、N−シンナモイ
リデンスルファニル酸である.添加濃度は0.5〜3 
0 g/12.好ましくは3〜10g/I2である.さ
らに、浴温は常温から約80℃までの広い温度範囲でめ
っきが可能であり、高速度めっきにも適している.通常
のシアン浴では150μm程度まで厚付けすると表面が
粗くなってくるが、本発明の浴からは200μmでも良
好な外観を呈した.また、このめっき浴の電流効率はほ
とんど100%であり、また銀めっきの析出速度は同温
度のシアン浴を用いる場合と同じかもしくはそれ以上で
ある. 本発明によって得られるめっき膜の硬さは、シアン浴か
ら得られるめっき膜とほぼ同程度の硬さを有している.
また、シアン浴と比べて、本発明の浴の特徴的かつ有利
な点は、銅及び銅合金表面を有する品物にめっきする際
に銀の置換反応がほとんど起こらないことである.この
置換反応が起こると、密着不良の原因となる6したがっ
て、シアン浴でも置換反応が起こるため、予めストライ
クめっきを施しているが、本発明のめっき浴ではストラ
イクめっきの必要性が全くいらないため、経済的にも大
変有利である. [実施例] 次に、本発明を実施例について説明するが,本発明はこ
れら数例によって限定されるものではない. 本発明の浴を用いた場合のめっき工程は次のごとくであ
る. 銅板一バフ研磨一ベンジン脱脂一電解脱脂一水洗−5%
メタンスルホン酸→水洗一銀めっき一水洗−5%第三リ
ン酸ナトリウム(室温、30秒)一水洗一乾燥 本発明の浴は多量のヨウ化カリウムを使用しているため
、めっき後表面にヨウ化銀が付着し空気中で酸化されて
やや黄色を帯びることがあるが、約20%のヨウ化カリ
ウム液で後処理することによって酸化皮膜を除去するこ
とが可能となった.K立■ユ 下記組成を有する非シアン銀めっき浴を調整した. 銀イオン(メタンスルホン酸銀の 水溶液として添加)     10g/gヨウ化カリウ
ム          330g/εN− (3−ヒド
ロキシブチリデン)一p−スルファニル酸      
         5 g/I2pH(水酸化カリウム
で調整)5.0 得られためっき浴を用いてハルセル試験を行った.ハル
セル試験条件は総電流0.5A、時間10分、温度50
℃でスターラー攪拌を行った.アノードには銀板を、カ
ソードには0. 3 X 7 0 x100mmの銅板
を用いた.以下、各実施例及び比較例浴からの外観観察
、裏面のつき回り性、均一電着性について評価した. K立■ユ 下記組成を有する非シアン銀めっき浴を調整した. 銀イオン(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸銀の水溶
液として添加)    10g/βヨウ化カリウム  
        3 3 0 g/βN− (3−ヒド
ロキシブチリデン)一p−スルファニル酸      
       Log/βpH(水酸化カリウムで調整
)5.0 塞Jul旦 下記組成を有する非シアン怨めつき浴を調整した. 銀イオン(スルホコハク酸銀の水溶液として添加)  
         1 0 g/flヨウ化カリウム 
         3 3 0 g712N一(3−ヒ
ドロキシブチリデン)一p−スルファニル酸     
         3g/βpH(水酸化カリウムで調
整)5,O K嵐五A 下記組成を有する非シアン銀めっき浴を調整した. 銀イオン(p−フェノールスルホン酸銀の水溶液として
添加)       7.5g/flヨウ化カリウム 
        3 0 0 g712N−プチリデン
スルファニル酸    5 g/I2pH(水酸化カリ
ウムで調整)4,5 X血旦} 下記組成を有する非シアン銀めっき浴を調整した. 銀イオン(ベンゼンスルホン酸銀の水溶液として添加)
           5g/I2ヨウ化カリウム  
       3 0 0 g/12N−シンナモイリ
デンスルファニル酸 3.5g/I2 pH(水酸化カリウムで調整)5,5 K血旦亙 下記組成を有する非シアン銀めっき浴を調整した. 銀イオン(2−カルボキシエタンスルホン酸銀の水溶液
として添加)     1 2 g,1ヨウ化カリウム
         400g/βN−(3−ヒドリキシ
ブチリデン)一p−スルファニル酸         
     5.sg/εpH(水酸化カリウムで調整)
50 K族盟l 下記組成を有する非シアン銀めっき浴を調整した. 銀イオン(2−ヒドロキシエタンスルホン酸銀の水溶液
として添加)    20g/βヨウ化カリウム   
      450g/I2N−プチリデンスルファニ
ル酸    5g/βpH(水酸化カリウムで調整)4
,8 K血五1 下記組成を有する非シアン銀めっき浴を調整した. 銀イオン(硝酸銀の水溶液として添加)3 0 g/1
2 ヨウ化カリウム         500g/I2N−
(3−ヒドロキシブチリデン)一p−スルファニル酸 
      5g/J2pH(水酸化カリウムで調整)
3.0 夫施旦ユ 下記組成を有する非シアン銀めっき浴を調整した. 銀イオン(塩化銀の水溶液として添加)20g/β ヨウ化カリウム         3 3 0 g71
N−(3−ヒト口キシブチリデン)一p−スルフ7ニル
酸       5 g/12pH(水酸化カリウムで
調整)5.0 之較■ユ 下記組成を有する非シアン銀めっき浴を調整した. 銀イオン(メタンスルホン酸銀の水溶液として添加) 
          1 0 g/Ilヨウ化カリウム
         330g/I2pH(水酸化カリウ
ムで調整)5.0 比較■ユ 下記組成を有するシアン化銀めっき浴を調整した. シアン化銀(AgCN)        36g/I2
シアン化カリウム(KCN)      60g/β炭
酸カリウム(K友COs)      45g/β以上
の各めっき浴から得られたハルセル試験結果を表1にま
とめた. ハルセル外観は高電流部(3^/dm”l、中電流部(
1^/dm”)、低電流部(0. 5A/dm’lにわ
けてシアン浴よりも微細な結晶粒子は0、シアン浴と同
程度をQ、シアン浴よりもやや大きい粒子な△、かなり
粗大なものを×として電子顕微鏡にて観察し評価した.
裏面のつき回り性は全面銀で覆われたものをA、約50
%覆われたものをB、約lO%覆われたものをC、無電
着部のあるものをDとした.また均一電着性はハルセル
板の高電流部及び低電流部の4カ所を蛍光X線膜厚計に
より膜厚を測定し、測定点に対する電流密度を式(1)
により求め、各測定点の間で膜厚比、電流密度比を算出
し式(2)のFieldの式により均一電着性を求めた
.0.−IX (5.447−5、596LogL)・
・・(1)l;総電流(A).L:高電流部からの距離
(cm)、D.:L部分の電流密度 T=t.−M/ (L+M−2)・・・・・・・・・・
・・・  (2)T,均一電着性、L二一時電流密度比
、M:厚さ比尚、比較例2のシアン浴は銅板に予めスト
ライク銀めっきを施した.また実施例1〜3及び比較例
1〜2の浴の電流効率、密着性及び硬度測定結果を表2
に示す. 表 電流効率の測定は、試料にφ2mmの銅棒を用い、80
mmだけめっきし、めっき前後の重量差から求めた. 密着性は0.3X30X30mmの銅板を用い、平均膜
厚10μmの銀めっきを施し、試験片の角を90”、2
回折曲げ拡大鏡にて剥離の状態を観察し、Oは剥離なし
、△は僅かに剥離、Xは完全剥離として評価した. 硬度測定は0.3X15X15mmの銅板を用い、約2
00μmの厚めつきを行ってビッヵース硬度計にて測定
した. また、実施例1、比較例1及び比較例2のめっき浴から
得られた皮膜表面の走査型電子顕微鏡写真をそれぞれ第
1図、第2図及び第3図に示した.この結果から明らか
なように、本発明の浴からのものはシアン浴よりもむし
ろ微細結晶である. [発明の効果] 以上、説明したように、この発明はシアンイオンを全く
含まないので作業環境並びに排水処理の面から大きなメ
リットがあり、シアン浴からのものよりむしろ結晶が微
細であり、かつ密着性、均一電着性及び硬度においてシ
アン浴と遜色ない銀皮膜が得られたので、電子部品や航
空機部品に充分使用できる効果が得られる. 4.    の   t  ロ 第1図は、本発明の実施例1のめっき浴から得られため
っき皮膜の金属組繊を示す走査型顕微鏡写真である. 第2図は、スルファニル酸銹導体添加剤を含有しない比
較例1のめっき浴から得られためっき皮膜の金属組織を
示す走査型電子顕微鏡写真である. 第3図は、比較例2のシアン浴から得られためっき皮膜
の金属組織を示す走査型電子顕微鏡写真である.

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)有機又は無機の銀塩、ヨウ化カリウム及び水酸化
    カリウムを含有する水溶液に添加剤として下記の一般式
    (a) (a)▲数式、化学式、表等があります▼ [ここでR_bは水素、C_1_〜_4のアルキル基又
    はフェニル基、R_aは水素又はC_1_〜_4のアル
    キル基、R_cは水素又は水酸基、Aは単結合又はフェ
    ニレン基を表わす] を有するスルファニル酸誘導体を添加してなる非シアン
    銀めっき浴。
  2. (2)有機の銀塩が、酢酸銀、安息香酸銀、クエン酸銀
    、乳酸銀又は下記の一般式(b)及び(c)からなる群
    より選ばれた有機スルホン酸の銀塩であることを特徴と
    する請求項1記載の銀めっき浴。 (b)(R_1)_n−R−SO_3H [ここでRはC_1〜_5のアルキル基を表し、R_1
    は水酸基、アリール基、アルキルアリール基、カルボキ
    シル基又はスルホン酸基を表し、そしてアルキル基の任
    意の位置にあってよく、nは0〜3の整数を表わす] で示される脂肪族有機スルホン酸。 (c)▲数式、化学式、表等があります▼ [ここでR_2は水酸基、アルキル基、アリール基、ア
    ルキルアリール基、カルボキシル基又はスルホン酸基を
    表し、mは0〜3の整数を表わす]で示される芳香族ス
    ルホン酸。
  3. (3)無機の銀塩が、硝酸銀、硫酸銀、炭酸銀、酸化銀
    、塩化銀又はヨウ化銀であることを特徴とする請求項1
    記載の銀めっき浴。
JP1233094A 1988-12-16 1989-09-11 非シアン銀めっき浴 Granted JPH02290993A (ja)

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