JPS59150095A - 銀めつき方法 - Google Patents
銀めつき方法Info
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- JPS59150095A JPS59150095A JP2349383A JP2349383A JPS59150095A JP S59150095 A JPS59150095 A JP S59150095A JP 2349383 A JP2349383 A JP 2349383A JP 2349383 A JP2349383 A JP 2349383A JP S59150095 A JPS59150095 A JP S59150095A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ジアジ化合物を含まない無毒性の水溶液を使
用する銀めつき方法であり、めっき効率が良く、スデシ
レス鋼などに対しても直接良好な光沢と密着性を有する
めっき面が得られることを特徴とする。
用する銀めつき方法であり、めっき効率が良く、スデシ
レス鋼などに対しても直接良好な光沢と密着性を有する
めっき面が得られることを特徴とする。
従来銀めっき法に2いては、めっき液の安定性、銀の析
出速度、析出度膜の均一性、光沢などにおいて“ジアジ
系のめつき液がもつとも優れ一般に広く用いられていた
。しかしジアジ系めっき液は猛毒性のジアジ化合物を含
み、めっき作業を行なう場合には、作業環境、めっき液
の廃液処理等において非常にきびしい作業管理が必要で
あった。これに対してジアジよりはかなり毒性が少なく
なるチオジアジ系のめつき液が提案され、更にはジアジ
、チオジアジを全く含まない銀ア、:/七ニウム錯塩と
リシ酸1水素ないしリシ酸2水素イ:tシを含む液でめ
っきする方法も提案されている。
出速度、析出度膜の均一性、光沢などにおいて“ジアジ
系のめつき液がもつとも優れ一般に広く用いられていた
。しかしジアジ系めっき液は猛毒性のジアジ化合物を含
み、めっき作業を行なう場合には、作業環境、めっき液
の廃液処理等において非常にきびしい作業管理が必要で
あった。これに対してジアジよりはかなり毒性が少なく
なるチオジアジ系のめつき液が提案され、更にはジアジ
、チオジアジを全く含まない銀ア、:/七ニウム錯塩と
リシ酸1水素ないしリシ酸2水素イ:tシを含む液でめ
っきする方法も提案されている。
特にジアジ、チオジアジを全く含まない上述の方法は作
業管理の点で非常に好ましいが良好なめっきをつるため
にはり″−/酸1或は2水素イオシを必要とし、低濃度
浴で低電流密度で電解する必要があった。
業管理の点で非常に好ましいが良好なめっきをつるため
にはり″−/酸1或は2水素イオシを必要とし、低濃度
浴で低電流密度で電解する必要があった。
本発明渚等は銀アシ上ニウム錯塩の電析挙動につき糧々
検討した結果、銀アシ七ニウム錯塩の濃度を胃くとり、
リシ酸1或は2水素イオシを除去した液を用いた場合に
は荷に高電流密度電解の領域において、めっきの光沢、
均一性、密着性において優れたものかえられることを見
い出した。
検討した結果、銀アシ七ニウム錯塩の濃度を胃くとり、
リシ酸1或は2水素イオシを除去した液を用いた場合に
は荷に高電流密度電解の領域において、めっきの光沢、
均一性、密着性において優れたものかえられることを見
い出した。
即ち本発明は、銀濃度として20〜20 o ftを含
む銀・アシ七ニウム錯塩水溶液をめっき浴として液温1
5〜40℃、電流密度1〜5 oA/dm2の主として
静止浴で電解するめつき方法と更に好ましくは銀濃度と
して50〜2001’tを含む銀・ア′J七ニウム錯坦
水溶液をめつき浴として、めっき浴を強制的に流動させ
て、液温15〜40℃、電流密度2〜1. OOA/d
鼾の流動浴で′出、解することを特徴とするめつき方法
である。
む銀・アシ七ニウム錯塩水溶液をめっき浴として液温1
5〜40℃、電流密度1〜5 oA/dm2の主として
静止浴で電解するめつき方法と更に好ましくは銀濃度と
して50〜2001’tを含む銀・ア′J七ニウム錯坦
水溶液をめつき浴として、めっき浴を強制的に流動させ
て、液温15〜40℃、電流密度2〜1. OOA/d
鼾の流動浴で′出、解することを特徴とするめつき方法
である。
本発明の方法においては、欽・ア、17fニウム錯塩を
含むぎわめて単純な浴であるので、めっき浴管理が容易
であり、めっき析出物の性状のバラッ+も小さい。また
通常の釧めっき法に比較し、きわめて高電流密度で電解
できるので生産性も大巾に向上する。特に近年多量に生
産されている電子部品への銀めっきなどは生産性の向上
が重要な課題となっており、この方法はきわめて実用性
の高いものである。
含むぎわめて単純な浴であるので、めっき浴管理が容易
であり、めっき析出物の性状のバラッ+も小さい。また
通常の釧めっき法に比較し、きわめて高電流密度で電解
できるので生産性も大巾に向上する。特に近年多量に生
産されている電子部品への銀めっきなどは生産性の向上
が重要な課題となっており、この方法はきわめて実用性
の高いものである。
めっき浴は硝酸銀の水溶液に濃アシtニア水を加え一旦
生じた沈澱が再び消滅するまで添加して原液とする。こ
の原液を水で・適当に稀釈してめっき浴とする。陽極に
は可溶性の銀又は不溶性の白金ないしTiなどの耐食性
金属に白金めつきした拐料を用いることができる。特に
流動浴で高電流、密度で電解する場合には不溶性陽極を
用いた方が有利である。
生じた沈澱が再び消滅するまで添加して原液とする。こ
の原液を水で・適当に稀釈してめっき浴とする。陽極に
は可溶性の銀又は不溶性の白金ないしTiなどの耐食性
金属に白金めつきした拐料を用いることができる。特に
流動浴で高電流、密度で電解する場合には不溶性陽極を
用いた方が有利である。
銀より屯気化掌的に卑な金属にめっきするにあたっては
既に紙圧をかけた状態で被めっき材料を陰極として装入
する力が望ましい。
既に紙圧をかけた状態で被めっき材料を陰極として装入
する力が望ましい。
また本発明においては通常直接銀めっきしにくいといわ
れている銅、ステルしスあるいは銅などの表面にも光沢
密着性ともに勝れた銀めっきが可能であり、ニッケルめ
っきを下地にすれば一層光沢が改善されるものである。
れている銅、ステルしスあるいは銅などの表面にも光沢
密着性ともに勝れた銀めっきが可能であり、ニッケルめ
っきを下地にすれば一層光沢が改善されるものである。
本発明のめつき条件として静止浴で電解する場合には浴
濃度が銀濃度として20〜200 t/lを含む銀・ア
シ七ニウム錯塩水溶液がよく銀濃度が20 Pi以下で
は電流密度が高くとれず光沢のよい密着性の優れためつ
きかえられない。
濃度が銀濃度として20〜200 t/lを含む銀・ア
シ七ニウム錯塩水溶液がよく銀濃度が20 Pi以下で
は電流密度が高くとれず光沢のよい密着性の優れためつ
きかえられない。
また銀濃度が200の以上では密着性の点で劣ってくる
。電流密度は1〜50 A/dm2がよ(l A7dm
”以下では光沢のよいめっきがえられず5 ’ OA/
dm2以上ではめつきにやげを生じ、外観を損ないまた
密着性も劣る。強制的にめっき浴を流動させつつ電解す
る場合には、銀濃度として50〜200 ?/Lを含む
銀・アシ七ニウム錯塩水溶液がよ(、銀濃度が50 t
/を以下では電流密度が高(とれず、光ν文に問題があ
り、銀濃度として200 gI/z以上含む液では液の
安定性かわる(なり、ややもすれば沈澱を生Uて好まし
くない。また得られためつきの均一性、摺着性において
問題がある。′氏流密問においては2〜100A/dm
2がよ<’ 2 A/dm2以下では光沢のよいめっき
かえられず、100A7/dm2以上ではめつきにやけ
を生じ、外観を損ない、また密着性も劣る。
。電流密度は1〜50 A/dm2がよ(l A7dm
”以下では光沢のよいめっきがえられず5 ’ OA/
dm2以上ではめつきにやげを生じ、外観を損ないまた
密着性も劣る。強制的にめっき浴を流動させつつ電解す
る場合には、銀濃度として50〜200 ?/Lを含む
銀・アシ七ニウム錯塩水溶液がよ(、銀濃度が50 t
/を以下では電流密度が高(とれず、光ν文に問題があ
り、銀濃度として200 gI/z以上含む液では液の
安定性かわる(なり、ややもすれば沈澱を生Uて好まし
くない。また得られためつきの均一性、摺着性において
問題がある。′氏流密問においては2〜100A/dm
2がよ<’ 2 A/dm2以下では光沢のよいめっき
かえられず、100A7/dm2以上ではめつきにやけ
を生じ、外観を損ない、また密着性も劣る。
めっき浴の温度は15〜40℃が好ましく15℃以下で
は冷却が必要となり高い電流密度かえられず、40℃以
上ではアシ七ニアの蒸発がはげしくおこりめっき浴の安
定性を損ない沈澱が生じやすくなる。
は冷却が必要となり高い電流密度かえられず、40℃以
上ではアシ七ニアの蒸発がはげしくおこりめっき浴の安
定性を損ない沈澱が生じやすくなる。
本発明の処理法は一般の装飾銀めつき、電子部品の接触
部分への機能性付与銀めっき、特にICリードフレーム
の半導体接触部分への銀めっき等に用いることができる
。
部分への機能性付与銀めっき、特にICリードフレーム
の半導体接触部分への銀めっき等に用いることができる
。
以下に本発明の実施例につき述べる。
実施例1
硝酸銀250?を含む蓋部水溶液にア′J′f:ニア水
を一旦析出した沈澱が再び溶解するまで添加した。蓋部
水で1tに調整したところpHは約13であった。この
時の液の銀濃度はほぼ1601μである。銀陽極を使用
し、液を5US304ステシレス陰極上に噴流し30℃
50A7’dm2で電解した。電解時間12秒で約5μ
の釧めつき皮膜かえられた。えられた皮膜は光沢がよ(
、0T折り曲げによってもはくりしない密着性を示した
。
を一旦析出した沈澱が再び溶解するまで添加した。蓋部
水で1tに調整したところpHは約13であった。この
時の液の銀濃度はほぼ1601μである。銀陽極を使用
し、液を5US304ステシレス陰極上に噴流し30℃
50A7’dm2で電解した。電解時間12秒で約5μ
の釧めつき皮膜かえられた。えられた皮膜は光沢がよ(
、0T折り曲げによってもはくりしない密着性を示した
。
実施例2
実施例1の液を5倍に稀釈したらpHは約12.6とな
った。陽極には白金を使用し20℃でIA/dm2で電
解し、銅30多−ニッケル70裂合金板陰極表面に実施
例1と同様に光σく、密着性の優れた皮膜かえられた。
った。陽極には白金を使用し20℃でIA/dm2で電
解し、銅30多−ニッケル70裂合金板陰極表面に実施
例1と同様に光σく、密着性の優れた皮膜かえられた。
二=
代理人 谷 山 輝 と]。
:、一
本 多 小 憬1,2
L′−一一一一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 銀蘭度として20〜2 ’o (l v7tを含む
銀・アシ上ニウム錯塩水溶液をめっき浴として液温15
〜40℃、電流’a度1〜50 h、ldr& Kて′
電解することを特徴とする銀めっき方法。 2 銀濃度として50〜200グ/lを含む鱗・ア、:
/′f:ニウム錯塩水欝液をめっき浴として、めっき浴
を強制的に流動させっつ液温15〜40℃、電流密度2
〜100A/dr&にて電解することを特徴とする銀め
っき方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2349383A JPS59150095A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 銀めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2349383A JPS59150095A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 銀めつき方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59150095A true JPS59150095A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=12112026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2349383A Pending JPS59150095A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 銀めつき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59150095A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5601696A (en) * | 1994-10-04 | 1997-02-11 | Electroplating Engineers Of Japan Limited | Silver plating baths and silver plating method using the same |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP2349383A patent/JPS59150095A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5601696A (en) * | 1994-10-04 | 1997-02-11 | Electroplating Engineers Of Japan Limited | Silver plating baths and silver plating method using the same |
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