JP7124987B2 - 高周波パッケージの製造方法 - Google Patents
高周波パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7124987B2 JP7124987B2 JP2022502116A JP2022502116A JP7124987B2 JP 7124987 B2 JP7124987 B2 JP 7124987B2 JP 2022502116 A JP2022502116 A JP 2022502116A JP 2022502116 A JP2022502116 A JP 2022502116A JP 7124987 B2 JP7124987 B2 JP 7124987B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- frame
- frequency package
- manufacturing
- signal pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 35
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 24
- WABPQHHGFIMREM-RKEGKUSMSA-N lead-214 Chemical compound [214Pb] WABPQHHGFIMREM-RKEGKUSMSA-N 0.000 description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
- H01P11/003—Manufacturing lines with conductors on a substrate, e.g. strip lines, slot lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/026—Coplanar striplines [CPS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
- H01P5/022—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions
- H01P5/028—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions between strip lines
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4274—Electrical aspects
- G02B6/4279—Radio frequency signal propagation aspects of the electrical connection, high frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6638—Differential pair signal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49537—Plurality of lead frames mounted in one device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
- H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
本発明は、差動コプレーナ線路を備える高周波パッケージの製造方法に関する。
デジタルコヒーレント光伝送をはじめとする、高速差動信号を処理するデバイスにおいて、2つの接地線を互いに隣り合う2つの信号線を挟んで配置した差動コプレーナ線路を備えた、高周波信号デバイス用パッケージが用いられている。差動コプレーナ線路においては、プリント基板から半導体チップに至るまで、接地線と信号線との間や隣り合う2つの信号線の間におけるインピーダンス整合などを、適切に高周波設計することが重要となる。
Implementation Agreement for Integrated Dual Polarization Intradyne Coherent Receivers, IA # OIF-DPC-RX-01.2, November 14, 2013.
Chang Fei Yee, "Key high-speed connector layout techniques",[令和02年7月10日検索]、(https://www.edn.com/key-high-speed-connector-layout-techniques/)。
しかしながら、「Optical Internetworking Forum」などをはじめとする標準化団体により、半導体チップを保持し、プリント基板に実装される高周波信号デバイス用パッケージが満たすべき、はんだ実装されるリードピンのサイズや位置は決められており、自由に、各リードピンの間隔や形状を決定することができない。非特許文献1に示されているように、高周波リードピンの形状が規定されており(図5参照)、高周波特性を向上させるために必要となるシグナル(+),(-)リード間のピッチ変更を許していない。このように、高速信号の伝送における高周波設計の自由度は低いため、2つの信号線の間の差動伝送路としての電磁的結合が、適切に設定できないという問題があった。
例えば、特許文献1には、図6に示すように、2つの入力ポート402a,402bから入力された光信号に対して光信号処理を行う光回路401を搭載し、DC端子403,出力端子404を備える光受信モジュール400が示されているが、この技術では、高周波リードピンを複数本備える光受信モジュールにおいて、高周波特性を左右する高周波リードピンの構造の詳細は開示されていない。また、非特許文献2では、リードピンの3次元形状が示されているが(図7参照)、プリント基板上のメタルパッドのピッチ間隔と、リードピンの間隔が当接面から全て同等になっていると想定される。空気に露出した箇所ではハイインピーダンスになるため、2本のシグナルリードピンを途中からでもできるだけ近接させたいが、このような構造が具体的に示されておらず、何ら言及されていない。
このため、高周波パッケージでは、2つの信号線に接続する2つの信号リードピンの間隔を、信号線との接続端から、実装基板との接続端にかけて、徐々に広がる状態とすることが、良好な高周波設計につながる。しかしながら、このようなリードピンの構成を実現する効率的なパッケージ製造方法が明らかになっていないという問題がある。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、リードピンの間隔を変更する、効率的な高周波パッケージの製造方法の提供を目的とする。
本発明に係る高周波パッケージの製造方法は、絶縁層と導体層とを交互に積層した基板と、基板の表面に形成された第1差動コプレーナ線路と、基板の実装面の側の裏面に形成され、第1差動コプレーナ線路に接続する第2差動コプレーナ線路と、基板の裏面の側に配置され、第2差動コプレーナ線路の第1信号線に接続する第1信号パッドと、基板の裏面の側に配置され、第2差動コプレーナ線路の第2信号線に接続する第2信号パッドと、基板の裏面の側に配置され、第2差動コプレーナ線路の2つの接地線に接続された2つの接地パッドとを備えるパッケージ本体を用意する第1工程と、板状の第1フレームと第1リードおよび第2リードを備え、第1リードおよび第2リードの各々は、第1フレームの面が含まれる平面上で延在する直線部分と、第1フレームの面が含まれる平面から離れる方向に屈曲する屈曲部と、屈曲部の先の先端部とを有し、第1リードの先端部と第2リードの先端部との間隔が、第1信号パッドと第2信号パッドとの間隔とされた第1リードフレームを用意する第2工程と、第2フレームと2つの第3リードを備え、2つの第3リードの各々は、第2フレームの面が含まれる平面上で延在する直線部分と、第2フレームの面が含まれる平面から離れる方向に屈曲する屈曲部と、屈曲部の先の先端部とを有し、2つの第3リードの先端部の各々の間隔が、2つの接地パッドの間隔とされた第2リードフレームを用意する第3工程と、第1リードフレームの第1リードの先端部を第1信号パッドに接続し、第2リードの先端部を第2信号パッドに接続し、第2リードフレームの第3リードの先端部を接地パッドに接続する第4工程と、第4工程の後で、第1リードおよび第2リードより第1フレームを分離し、第3リードより第2フレームを分離する第5工程と、第5工程の後で、第1リードの直線部分と第2リードの直線部分との間隔を調整する第6工程と、第6工程の後で、第1リード、第2リード、および第3リードの長さを揃える第7工程とを備える。
以上説明したように、本発明によれば、第1リードフレームの第1リードの先端部を第1信号パッドに接続し、第2リードの先端部を第2信号パッドに接続した後で、第1リードの直線部分と第2リードの直線部分との間隔を調整するので、リードピンの間隔を変更する、効率的な高周波パッケージの製造方法が提供できる。
以下、本発明の実施の形態に係る高周波パッケージの製造方法について説明する。
[実施の形態1]
はじめに、本発明の実施の形態1に係る高周波パッケージの製造方法について、図1A~図1Pを参照して説明する。
はじめに、本発明の実施の形態1に係る高周波パッケージの製造方法について、図1A~図1Pを参照して説明する。
まず、図1A、図1Bに示すように、パッケージ本体100を用意する(第1工程)。パッケージ本体100は、絶縁層と導体層とを交互に積層した基板101と、基板101の表面に形成された第1差動コプレーナ線路102と、基板101の実装面の側の裏面に形成され、第1差動コプレーナ線路102に接続する第2差動コプレーナ線路103とを備える。なお、図1Bは、パッケージ本体100(基板101)の実装面の側を示している。また、パッケージ本体100(基板101)には、パッケージ本体100の一部と、これらが実装される実装基板との間の距離を一定とするための、スペーサ107が設けられている。
また、パッケージ本体100は、第1信号パッド104、第2信号パッド105、および2つの接地パッド106を備える。第1信号パッド104は、基板101の裏面(実装面)の側に配置され、第2差動コプレーナ線路103の第1信号線に接続する。第2信号パッド105は、基板101の裏面の側に配置され、第2差動コプレーナ線路103の第2信号線に接続する。また、第1信号パッド104と第2信号パッド105とは、パッケージ本体100の中心側から端部側にかけて、間隔が徐々に広がっている。2つの接地パッド106の各々は、基板101の裏面の側に配置され、第2差動コプレーナ線路103の2つの接地線に接続する。
次に、図1C,図1D,図1Eに示すように、第1リードフレーム110を用意し(第2工程)、第2リードフレーム112を用意する(第3工程)。
第1リードフレーム110は、板状の第1フレーム111と第1リード114および第2リード115を備える。第1リード114および第2リード115の各々は、第1フレーム111の面が含まれる平面上で延在する直線部分と、第1フレーム111の面が含まれる平面から離れる方向に屈曲する屈曲部114a,屈曲部115aと、屈曲部114a,屈曲部115aの先の先端部114b,先端部115bとを有する。また、第1リード114の先端部114bと第2リード115の先端部115bとの間隔は、第1信号パッド104と第2信号パッド105との間隔とされている。なお、第1信号パッド104と第2信号パッド105との間隔は、互いに隣り合う第1信号パッド104と接地パッド106との間隔、および互いに隣り合う第2信号パッド105と接地パッド106との間隔より狭くされている。
また、実施の形態1では、第1リードフレーム110は、第1リード114と第2リード115との間隔が、各々の先端部114b,先端部115bの側から第1フレーム111の側にかけて広くなる形状とされている。また、第1リード114および第2リード115の各々は、後工程で行う切断作業を容易にするため、直線部分の途中に厚さの薄い肉薄部114cおよび肉薄部115cを設けている。
第2リードフレーム112は、第2フレーム113と2つの第3リード116を備える。2つの第3リード116の各々は、第2フレーム113の面が含まれる平面上で延在する直線部分と、第2フレーム113の面が含まれる平面から離れる方向に屈曲する屈曲部116aと、屈曲部116aの先の先端部116bとを有する。また、2つの第3リード116の先端部116bの各々の間隔は、2つの接地パッド106の間隔とされている。なお、実施の形態1において、第2リードフレーム112は、2つの第3リード116の間隔が、各々の先端部116bの側から第2フレーム113の側にかけて同一の間隔の形状とされている。また、第3リード116は、後工程で行う切断作業を容易にするため、直線部分の途中に厚さの薄い肉薄部116cを設けている。
また、第1リードフレーム110と第2リードフレーム112とを、所定の位置に配置して重ねる。この際、屈曲部から所定の長さの直線部分の領域117において、各リードの底面の位置を一致させる。領域117は、後工程における基準面として用いることができる。
次に、図1F、図1Gに示すように、第1リードフレーム110の第1リード114の先端部114bを第1信号パッド104に接続し、第2リード115の先端部115bを第2信号パッド105に接続し、第2リードフレーム112の第3リード116の先端部116bを接地パッド106に接続する(第4工程)。例えば、銀ろうなどを用いたろう付けにより、上述した接続を実施することができる。なお、実施の形態1において、パッケージ本体100の端部から中心側にかけて、間隔が徐々に狭くなっている。この状態と同様に、第1リード114と第2リード115との間隔が、各々の先端部114b,先端部115bにかけて、間隔が徐々に狭くなっている。
上述した第4工程の後で、第1リード114および第2リード115より第1フレーム111を分離し、第3リード116より第2フレーム113を分離する(第5工程)。例えば、図1Hに示すように、各リードの直線部分の途中の厚さの薄い肉薄部を、切断刃118を用いて一度に切断し、各リードを所定の長さにする。切断の後において、図1Iに示すように、第1リード114および第2リード115の仕上がり形状と、第3リード116の仕上がり形状とは、異なっている。第1リード114と第2リード115との間隔は、図1I中に点線の楕円で示す切断端から、各々の屈曲部にかけて徐々に変化して狭くなっている。
次に、第5工程の後で、第1リード114の直線部分と第2リード115の直線部分との間隔を調整する(第6工程)。まず、図1Jに示すように、パッケージ本体100の実装面の側に、保持治具121を固定する。次に、図1K,図1L,図1Mに示すように、リード形状変更治具122を用い、第1リード114の直線部分と第2リード115の直線部分との間隔を調整する。
リード形状変更治具122は、基部122aと、基部122aの上に設けられた突起部122b,突起部122cとを備える。突起部122bおよび突起部122cの各々は、平面視で各リードと同様の方向に延在する短冊状の形状とされている。また、突起部122bおよび突起部122cの各々は、上部から下部(基部122aの側)にかけて、幅が徐々に広がる断面形状を有している。突起部122bおよび突起部122cの各々は、互いの間隔が徐々に狭くなるように、上部から下部にかけて幅が徐々に広がっている。また突起部122bと突起部122cとの間隔は、基部122aの側の所定の部分は、均一とされている。
第1リード114および第2リード115を、突起部122bおよび突起部122cの間に配置し、保持治具121を固定したパッケージ本体100をリード形状変更治具122の基部122aの側に鉛直方向にスライドさせる。これにより、第1リード114および第2リード115が、徐々に狭くなる突起部122bおよび突起部122cの間隔に沿って変形し、第1リード114および第2リード115の間隔が、徐々に変化する(狭くなる)。
全てのリードが、基部122aの上面に到達すると、第1リード114の直線部分と第2リード115の直線部分との間隔が、全域にわたって等しくなる(ピッチが揃う)。また、全てのリードが、基部122aの上面に到達したら、この状態を保持し、この状態で、上部から押し当て治具123を押し付ける。この後、全ての治具を取り外す。これによって、図1Nに示すように、第1リード114および第2リード115の、基板101の平面方向の高さ位置を揃えることができる。
次に、第1リード114、第2リード115、および第3リード116の長さを揃える(第7工程)。例えば、図1Oに示すように、切断刃118を用いて各リードを一度に切断し、図1Pに示すように、第1リード114、第2リード115、および第3リード116の長さを揃える。
完成すると、グランドリードピンとなる第3リード116、シグナルリードピンとなる第1リード114、第2リード115のピッチが揃った、高周波パッケージが得られる。パッケージ本体内の差動信号線路のピッチが狭いにもかかわらず、上述した実施の形態1に係る製造方法によって差動シグナルリードピンのピッチ幅をそれより広くすることを可能にしている。これによって、全てのリードピンのピッチが揃い、パッケージのボード実装時における生産性の向上に寄与することを可能にしている。
[実施の形態2]
次に、本発明の実施の形態2に係る高周波パッケージの製造方法について、図2A~図2Dを参照して説明する。
次に、本発明の実施の形態2に係る高周波パッケージの製造方法について、図2A~図2Dを参照して説明する。
まず、実施の形態1と同様に、図1A、図1Bを用いて説明したように、パッケージ本体100を用意する(第1工程)。次に、図1C,図1D,図1Eを用いて説明したように、第1リードフレーム110を用意し(第2工程)、第2リードフレーム112を用意する(第3工程)。
次に、図1F、図1Gを用いて説明したように、第1リードフレーム110の第1リード114の先端部114bを第1信号パッド104に接続し、第2リード115の先端部115bを第2信号パッド105に接続し、第2リードフレーム112の第3リード116の先端部116bを接地パッド106に接続する(第4工程)。
上述した第4工程の後で、前述した実施の形態1と同様にすることで、第1リード114および第2リード115より第1フレーム111を分離し、第3リード116より第2フレーム113を分離する(第5工程)。
次に、第5工程の後で、第1リード114の直線部分と第2リード115の直線部分との間隔を調整する(第6工程)。まず、図2Aに示すように、リード形状変更治具131を用意する。実施の形態2では、パッケージ本体100を、リード形状変更治具131の表面上で、所定の方向にスライドさせることで、第1リード114の直線部分と第2リード115の直線部分との間隔を調整する。
リード形状変更治具131は、基部131aと、基部131aの上面の両端に設けられたガイド131bと、基部131aの上面に、整列して設けられた複数の突起131cとを備える。2つのガイド131bの間隔は、外側に配置されている2つの第3リード116の各々の外側の間の幅と同一にされている。
また、複数の突起131cは、平面視の形状が、パッケージ本体100をスライドさせる方向(スライド方向)を長辺とする長方形とされている。また、隣り合う突起131cの間隔は、各リードの幅と同じ寸法とされている。また、複数の突起131cの配列方向の幅は、各リードの屈曲部が配置されている間隔と等しくされている。
まず、図2Bに示すように、複数の突起131cが設けられている基部131aの上面に、パッケージ本体100を搭載する。このとき、基板101の実装面に設けられている各パッドの配列方向を、スライド方向に対して垂直な状態とする。また、複数の突起131cの一端側において、隣り合う突起131cの間に、各リードの屈曲部を嵌合させる。
上述したように、基部131aの上面に、パッケージ本体100を搭載したら、パッケージ本体100をスライド方向にスライドさせる(図2C)。このスライドにより、第1リード114および第2リード115の間隔が、徐々に変化する(狭くなる)。各リードの切断端を、複数の突起131cの中央部にまで移動させ、この後、リード形状変更治具131を取り外すと、図2Dに示すように、第1リード114の直線部分と第2リード115の直線部分との間隔が、全域にわたって等しくなる(ピッチが揃う)。
この後、前述した実施の形態1と同様に、第1リード114、第2リード115、および第3リード116の長さを揃える(第7工程)。完成すると、グランドリードピンとなる第3リード116、シグナルリードピンとなる第1リード114、第2リード115のピッチが揃った、高周波パッケージが得られる。実施の形態2では、スライド型のリード形状変更治具を用いて、差動シグナルリードピンのピッチを修正加工するところに特徴がある。
パッケージ本体内の差動信号線路のピッチが狭いにもかかわらず、上述した実施の形態2に係る製造方法によって差動シグナルリードピンのピッチ幅をそれより広くすることを可能にしている。これによって、全てのリードピンのピッチが揃い、パッケージのボード実装時における生産性の向上に寄与することを可能にしている。
[実施の形態3]
次に、本発明の実施の形態3に係る高周波パッケージの製造方法について、図3A~図3Cを参照して説明する。
次に、本発明の実施の形態3に係る高周波パッケージの製造方法について、図3A~図3Cを参照して説明する。
まず、実施の形態1と同様に、図1A、図1Bを用いて説明したように、パッケージ本体100を用意する(第1工程)。次に、図1C,図1D,図1Eを用いて説明したように、第1リードフレーム110を用意し(第2工程)、第2リードフレーム112を用意する(第3工程)。
次に、図1F、図1Gを用いて説明したように、第1リードフレーム110の第1リード114の先端部114bを第1信号パッド104に接続し、第2リード115の先端部115bを第2信号パッド105に接続し、第2リードフレーム112の第3リード116の先端部116bを接地パッド106に接続する(第4工程)。
上述した第4工程の後で、前述した実施の形態1と同様にすることで、第1リード114および第2リード115より第1フレーム111を分離し、第3リード116より第2フレーム113を分離する(第5工程)。
次に、第5工程の後で、第1リード114の直線部分と第2リード115の直線部分との間隔を調整する(第6工程)。まず、図3Aに示すように、回転型のリード形状変更治具141を用意する。実施の形態3では、パッケージ本体100を、円柱形状のリード形状変更治具141を軸中心に回転させることで、相対的にリード形状変更治具141の外周面上で回転方向にパッケージ本体100をスライドさせ、第1リード114の直線部分と第2リード115の直線部分との間隔を調整する。
リード形状変更治具141は、円柱形状の本体141aと、本体141aの外周面に形成された複数の溝141bとを備える。複数の溝141bは、周方向に延在し、溝幅が、各リードの幅と同じ寸法とされている。また、隣り合う溝141bの間隔が、各リードの屈曲部が配置されている間隔と等しくされている。
まず、図3Aに示すように、リード形状変更治具141の、複数の溝141bが形成されている周面に、パッケージ本体100を搭載する。このとき、基板101の実装面に設けられている各パッドの配列方向を、周面の周方向(スライド方向)に対して垂直な状態とする。また、対応する溝141bに、各リードの屈曲部を嵌合させる。
上述したように、基部131aの上面に、リード形状変更治具141の周面に、パッケージ本体100を搭載したら、リード形状変更治具141(本体141a)を軸中心に回転させる。この回転により、各リードの溝141bに嵌合している箇所を、各リードの屈曲部から切断端の方向に移動させる。この回転による嵌合箇所の移動により、第1リード114および第2リード115の間隔が、徐々に変化する(狭くなる)。図3Bに示すように、各リードの切断端を、対応する溝141bに嵌合する状態とし、この後、リード形状変更治具141を取り外すと、図3Cに示すように、第1リード114の直線部分と第2リード115の直線部分との間隔が、全域にわたって等しくなる(ピッチが揃う)。
この後、前述した実施の形態1と同様に、第1リード114、第2リード115、および第3リード116の長さを揃える(第7工程)。完成すると、グランドリードピンとなる第3リード116、シグナルリードピンとなる第1リード114、第2リード115のピッチが揃った、高周波パッケージが得られる。実施の形態3では、スライド型のリード形状変更治具を用いて、差動シグナルリードピンのピッチを修正加工するところに特徴がある。
パッケージ本体内の差動信号線路のピッチが狭いにもかかわらず、上述した実施の形態3に係る製造方法によって差動シグナルリードピンのピッチ幅をそれより広くすることを可能にしている。これによって、全てのリードピンのピッチが揃い、パッケージのボード実装時における生産性の向上に寄与することを可能にしている。
[実施の形態4]
次に、本発明の実施の形態4に係る高周波パッケージの製造方法について、図4A~図4Kを参照して説明する。
次に、本発明の実施の形態4に係る高周波パッケージの製造方法について、図4A~図4Kを参照して説明する。
まず、図4Aに示すように、パッケージ本体100aを用意する(第1工程)。パッケージ本体100aは、絶縁体から構成された基板101と、基板101の表面に形成された第1差動コプレーナ線路102と、基板101の実装面の側の裏面に形成され、第1差動コプレーナ線路102に接続する第2差動コプレーナ線路103とを備える。なお、図1Bは、パッケージ本体100a(基板101)の実装面の側を示している。また、パッケージ本体100a(基板101)には、パッケージ本体100の一部と、これらが実装される実装基板との間の距離を一定とするための、スペーサ107が設けられている。
また、パッケージ本体100aは、第1信号パッド204、第2信号パッド205、および2つの接地パッド106を備える。第1信号パッド204は、基板101の裏面(実装面)の側に配置され、第2差動コプレーナ線路103の第1信号線に接続する。第2信号パッド205は、基板101の裏面の側に配置され、第2差動コプレーナ線路103の第2信号線に接続する。また、第1信号パッド204と第2信号パッド205とは、パッケージ本体100aの中心側から端部側にかけて、同一の間隔とされている。2つの接地パッド106の各々は、基板101の裏面の側に配置され、第2差動コプレーナ線路103の2つの接地線に接続する。
次に、図4B,図4Cに示すように、第1リードフレーム210を用意し(第2工程)、第2リードフレーム112を用意する(第3工程)。第2リードフレーム112は、前述した実施の形態1と同様であり、詳細な説明を省略する。
第1リードフレーム210は、板状の第1フレーム211と第1リード214および第2リード215を備える。第1リード214および第2リード215の各々は、第1フレーム211の面が含まれる平面上で延在する直線部分と、第1フレーム211の面が含まれる平面から離れる方向に屈曲する屈曲部214a,屈曲部215aと、屈曲部214a,屈曲部215aの先の先端部214b,先端部215bとを有する。また、第1リード214の先端部214bと第2リード215の先端部215bとの間隔は、第1信号パッド204と第2信号パッド205との間隔とされている。なお、第1信号パッド204と第2信号パッド205との間隔は、互いに隣り合う第1信号パッド204と接地パッド106との間隔、および互いに隣り合う第2信号パッド205と接地パッド106との間隔より狭くされている。
また、実施の形態4では、第1リードフレーム210は、第1リード214と第2リード215との間隔が、各々の先端部214b,先端部215bの側から第1フレーム211の側にかけて同一の間隔の形状とされている。また、第1リード214および第2リード215の各々は、後工程で行う切断作業を容易にするため、直線部分の途中に厚さの薄い肉薄部214cおよび肉薄部215cを設けている。
また、第1リードフレーム210と第2リードフレーム112とを、所定の位置に配置して重ねる。なお、実施の形態4においても、屈曲部から所定の長さの直線部分の領域において、各リードの底面の位置を一致させる。この領域は、後工程における基準面として用いることができる。
次に、第1リードフレーム210の第1リード214の先端部214bを第1信号パッド204に接続し、第2リード215の先端部215bを第2信号パッド205に接続し、第2リードフレーム112の第3リード116の先端部116bを接地パッド106に接続する(第4工程)。例えば、銀ろうなどを用いたろう付けにより、上述した接続を実施することができる。図4Dに、各リードフレームを接続した状態を示す。
上述した第4工程の後で、第1リード214および第2リード215より第1フレーム211を分離し、第3リード116より第2フレーム113を分離する(第5工程)。例えば、図4Eに示すように、各リードの直線部分の途中に厚さの薄い肉薄部を、切断刃118を用いて一度に切断し、各リードを所定の長さにする。切断の後において、実施の形態4では、第1リード214および第2リード215の仕上がり形状と、第3リード116の仕上がり形状とは、同様となっている。
次に、第5工程の後で、第1リード214の直線部分と第2リード215の直線部分との間隔を調整する(第6工程)。この調整では、図4Fに示すベース治具201と修正治具202とを用いる。ベース治具201は、修正治具202をスライドさせるためのガイド溝201aと、ガイド溝201aが形成されている領域を挟むように形成された第1ガイドレール201bと第2ガイドレール201cとを備える。また、第2ガイドレール201cには、第3リード116が嵌合される溝201dが設けられている。
一方、修正治具202は、ガイド溝201aに嵌合するスライド突起202aと、第1リード214と第2リード215との間隔を広げるための凸部202bを備える。凸部202bは、先端202cの側に行くほど幅が狭くなっている。
まず、図4Gに示すように、パッケージ本体100aの実装面の側に、ベース治具201を配置し、第1ガイドレール201bと第2ガイドレール201cとの間に、第1リード214および第2リード215を配置する。また、第1ガイドレール201bを挾むように、第1リード214と外側の第3リード116とを配置する。また、中央の第3リード116を、溝201dに嵌合する。
次いで、修正治具202のスライド突起202aをガイド溝201aに嵌合する。また、第1ガイドレール201bと第2ガイドレール201cとの間で、凸部202bの先端202cを、第1リード214と第2リード215との間に差し込む。この状態で、ガイド溝201aにスライド突起202aが嵌合している状態を維持し、修正治具202を各リードの切断端側から屈曲部の側にスライドさせる(図4H)。
上述した修正治具202のスライドにより、第1リード214と第2リード215との間に差し込まれた凸部202bが、第1リード214と第2リード215との間隔を拡張(調整)する。スライドさせた修正治具202が、パッケージ本体100aに到達すると、第1リード214の直線部分と第2リード215の直線部分との間隔が、全域にわたって広げられ、各リードの間隔が等しくなる(ピッチが揃う)。
実施の形態4では、上述したことにより各リードの間隔が等しくなると、第1リード214と第2リード215との直線部分の間隔が、第1信号パッド204と第2信号パッド205との間隔より広い状態となる(図4I)。
次に、第1リード214、第2リード215、および第3リード116の長さを揃える(第7工程)。例えば、図4Jに示すように、切断刃118を用いて各リードを一度に切断し、図4Kに示すように、第1リード214、第2リード215、および第3リード116の長さを揃える。
完成すると、グランドリードピンとなる第3リード116、シグナルリードピンとなる第1リード214、第2リード215のピッチが揃った、高周波パッケージが得られる。パッケージ本体内の差動信号線路のピッチが狭いにもかかわらず、上述した実施の形態4に係る製造方法によって差動シグナルリードピンのピッチ幅をそれより広くすることを可能にしている。これによって、全てのリードピンのピッチが揃い、パッケージのボード実装時における生産性の向上に寄与することを可能にしている。
以上に説明したように、本発明によれば、第1リードフレームの第1リードの先端部を第1信号パッドに接続し、第2リードの先端部を第2信号パッドに接続した後で、第1リードの直線部分と第2リードの直線部分との間隔を調整するので、リードピンの間隔を変更する、効率的な高周波パッケージの製造方法が提供できるようになる。
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
100…パッケージ本体、101…基板、102…第1差動コプレーナ線路、103…第2差動コプレーナ線路、104…第1信号パッド、105…第2信号パッド、106…接地パッド、107…スペーサ、110…第1リードフレーム、111…第1フレーム、113…第2フレーム、114…第1リード、114a…屈曲部、114b…先端部、114c…肉薄部、115…第2リード、115a…屈曲部、115b…先端部、115c…肉薄部、116…第3リード、116a…屈曲部、116b…先端部、116c…肉薄部、117…領域、118…切断刃、121…保持治具、122…リード形状変更治具、122a…基部、122b…突起部、122c…突起部、123…押し当て治具。
Claims (6)
- 絶縁層と導体層とを交互に積層した基板と、
前記基板の表面に形成された第1差動コプレーナ線路と、
前記基板の実装面の側の裏面に形成され、前記第1差動コプレーナ線路に接続する第2差動コプレーナ線路と、
前記基板の裏面の側に配置され、前記第2差動コプレーナ線路の第1信号線に接続する第1信号パッドと、
前記基板の裏面の側に配置され、前記第2差動コプレーナ線路の第2信号線に接続する第2信号パッドと、
前記基板の裏面の側に配置され、前記第2差動コプレーナ線路の2つの接地線に接続された2つの接地パッドと
を備えるパッケージ本体を用意する第1工程と、
板状の第1フレームと第1リードおよび第2リードを備え、前記第1リードおよび前記第2リードの各々は、前記第1フレームの面が含まれる平面上で延在する直線部分と、前記第1フレームの面が含まれる平面から離れる方向に屈曲する屈曲部と、屈曲部の先の先端部とを有し、前記第1リードの先端部と前記第2リードの先端部との間隔が、前記第1信号パッドと前記第2信号パッドとの間隔とされた第1リードフレームを用意する第2工程と、
第2フレームと2つの第3リードを備え、2つの前記第3リードの各々は、前記第2フレームの面が含まれる平面上で延在する直線部分と、前記第2フレームの面が含まれる平面から離れる方向に屈曲する屈曲部と、屈曲部の先の先端部とを有し、2つの前記第3リードの先端部の各々の間隔が、2つの前記接地パッドの間隔とされた第2リードフレームを用意する第3工程と、
前記第1リードフレームの前記第1リードの先端部を前記第1信号パッドに接続し、前記第2リードの先端部を前記第2信号パッドに接続し、前記第2リードフレームの前記第3リードの先端部を前記接地パッドに接続する第4工程と、
前記第4工程の後で、前記第1リードおよび前記第2リードより前記第1フレームを分離し、前記第3リードより前記第2フレームを分離する第5工程と、
前記第5工程の後で、前記第1リードの直線部分と前記第2リードの直線部分との間隔を調整する第6工程と、
前記第6工程の後で、前記第1リード、前記第2リード、および前記第3リードの長さを揃える第7工程と
を備える高周波パッケージの製造方法。 - 請求項1記載の高周波パッケージの製造方法において、
前記第1リードフレームは、前記第1リードと前記第2リードとの間隔が、各々の先端部の側から前記第1フレームの側にかけて広くなる形状とされ、
前記第2リードフレームは、2つの前記第3リードの間隔が、各々の先端部の側から前記第2フレームの側にかけて同一の間隔の形状とされ
ていることを特徴とする高周波パッケージの製造方法。 - 請求項2記載の高周波パッケージの製造方法において、
前記第6工程は、前記第1リードの直線部分と前記第2リードの直線部分との間隔を狭め、前記第1リードの直線部分、前記第2リードの直線部分、前記第3リードの直線部分の各々の間隔を等しくすることを特徴とする高周波パッケージの製造方法。 - 請求項1記載の高周波パッケージの製造方法において、
前記第1リードフレームは、前記第1リードと前記第2リードとの間隔が、各々の先端部の側から前記第1フレームの側にかけて同一の間隔の形状とされ、
前記第2リードフレームは、2つの前記第3リードの間隔が、各々の先端部の側から前記第2フレームの側にかけて同一の間隔の形状とされ
ていることを特徴とする高周波パッケージの製造方法。 - 請求項4記載の高周波パッケージの製造方法において、
前記第6工程は、前記第1リードの直線部分と前記第2リードの直線部分との間隔を広げ、前記第1リードの直線部分、前記第2リードの直線部分、および前記第3リードの直線部分の各々の間隔を等しくすることを特徴とする高周波パッケージの製造方法。 - 請求項1~5のいずれか1項に記載の高周波パッケージの製造方法において、
前記第1信号パッドと前記第2信号パッドとの間隔は、互いに隣り合う前記第1信号パッドと前記接地パッドとの間隔、および互いに隣り合う前記第2信号パッドと前記接地パッドとの間隔より狭くされている
ことを特徴とする高周波パッケージの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/029206 WO2022024289A1 (ja) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | 高周波パッケージの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2022024289A1 JPWO2022024289A1 (ja) | 2022-02-03 |
JP7124987B2 true JP7124987B2 (ja) | 2022-08-24 |
Family
ID=80037836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022502116A Active JP7124987B2 (ja) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | 高周波パッケージの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220375766A1 (ja) |
EP (1) | EP4191659A4 (ja) |
JP (1) | JP7124987B2 (ja) |
CN (1) | CN114450775A (ja) |
WO (1) | WO2022024289A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023148278A (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-13 | 住友大阪セメント株式会社 | 光デバイスとそれを用いた光送信装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270942A (ja) | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高周波信号入力端子付光送信モジュール |
WO2014192687A1 (ja) | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 京セラ株式会社 | 素子収納用パッケージおよび実装構造体 |
WO2018003332A1 (ja) | 2016-06-27 | 2018-01-04 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 高周波用セラミックス基板および高周波用半導体素子収納パッケージ |
JP2020112745A (ja) | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 半導体マッハツェンダ光変調器 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES362566A1 (es) | 1968-07-25 | 1971-02-01 | Sandoz Ag | Procedimiento para la obtencion de compuestos azoicos. |
US4680613A (en) * | 1983-12-01 | 1987-07-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Low impedance package for integrated circuit die |
JPH0425036A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体装置 |
JPH04354358A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層リードフレームおよびその製造方法 |
US5484959A (en) * | 1992-12-11 | 1996-01-16 | Staktek Corporation | High density lead-on-package fabrication method and apparatus |
EP0867939A3 (en) * | 1997-03-26 | 1999-08-18 | Matsushita Electronics Corporation | Wiring substrate for semiconductor device with externally wired leads |
US6061251A (en) * | 1997-09-08 | 2000-05-09 | Hewlett-Packard Company | Lead-frame based vertical interconnect package |
CN1449583A (zh) * | 2000-07-25 | 2003-10-15 | Ssi株式会社 | 塑料封装基底、气腔型封装及其制造方法 |
JP2003204027A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JP2004095572A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
TWI229422B (en) * | 2003-12-05 | 2005-03-11 | Via Tech Inc | A bonding-wire structure having desirable high-frequency characteristics for using in metal frame package |
KR20060021744A (ko) * | 2004-09-04 | 2006-03-08 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 및 그 제조방법 |
EP1746648A3 (en) * | 2005-07-22 | 2008-09-03 | Marvell World Trade Ltd. | Packaging for high speed integrated circuits |
JP4970924B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-07-11 | 三菱電機株式会社 | 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置 |
JP2011134789A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、及びプリント配線板 |
JP2011155184A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Renesas Electronics Corp | 配線構造 |
JP5242605B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2013-07-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 配線構造 |
US8592960B2 (en) * | 2010-08-31 | 2013-11-26 | Viasat, Inc. | Leadframe package with integrated partial waveguide interface |
TWI453831B (zh) * | 2010-09-09 | 2014-09-21 | 台灣捷康綜合有限公司 | 半導體封裝結構及其製造方法 |
TWI449475B (zh) * | 2012-01-09 | 2014-08-11 | Novatek Microelectronics Corp | 電路板 |
US9269653B2 (en) * | 2012-06-27 | 2016-02-23 | Mediatek Inc. | SGS or GSGSG pattern for signal transmitting channel, and PCB assembly, chip package using such SGS or GSGSG pattern |
US9171788B1 (en) * | 2014-09-30 | 2015-10-27 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Semiconductor package with small gate clip and assembly method |
CN104795379B (zh) * | 2015-04-30 | 2017-06-27 | 南通大学 | 差分共面传输线封装引脚内外级联结构 |
US9972587B2 (en) * | 2016-03-02 | 2018-05-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Signal transmission device using electromagnetic resonance coupler |
CN107369667A (zh) * | 2016-05-13 | 2017-11-21 | 松下电器产业株式会社 | 信号传送装置 |
TWM540453U (zh) * | 2016-11-16 | 2017-04-21 | Luxnet Corp | 軟式印刷電路板與硬式印刷電路板焊接結構 |
-
2020
- 2020-07-30 WO PCT/JP2020/029206 patent/WO2022024289A1/ja active Application Filing
- 2020-07-30 CN CN202080068403.3A patent/CN114450775A/zh active Pending
- 2020-07-30 US US17/765,475 patent/US20220375766A1/en active Pending
- 2020-07-30 EP EP20947171.3A patent/EP4191659A4/en active Pending
- 2020-07-30 JP JP2022502116A patent/JP7124987B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270942A (ja) | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高周波信号入力端子付光送信モジュール |
WO2014192687A1 (ja) | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 京セラ株式会社 | 素子収納用パッケージおよび実装構造体 |
WO2018003332A1 (ja) | 2016-06-27 | 2018-01-04 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 高周波用セラミックス基板および高周波用半導体素子収納パッケージ |
JP2020112745A (ja) | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 半導体マッハツェンダ光変調器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4191659A4 (en) | 2024-05-15 |
JPWO2022024289A1 (ja) | 2022-02-03 |
WO2022024289A1 (ja) | 2022-02-03 |
US20220375766A1 (en) | 2022-11-24 |
EP4191659A1 (en) | 2023-06-07 |
CN114450775A (zh) | 2022-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4717020B2 (ja) | 中継基板および光通信モジュール | |
US8491316B2 (en) | Connection terminal and transmission line | |
US8063715B2 (en) | Directional coupler | |
US20210184383A1 (en) | Connector for high-speed transmission and method for fixing solder to fork portion of connector for high-speed transmission | |
US10806033B2 (en) | Interposer and electronic device | |
JPH11133059A (ja) | 高周波プローブ | |
US9173292B1 (en) | Edge launch transition for a printed circuit board | |
JP7124987B2 (ja) | 高周波パッケージの製造方法 | |
JP2009004460A (ja) | 光通信モジュールおよび配線パタンの形成方法 | |
US20180182535A1 (en) | Multilayer electronic component manufacturing method and multilayer electronic component | |
JP6437886B2 (ja) | 高周波接続線路 | |
US10869395B2 (en) | Flexible substrate, flexible substrate-attached component, and manufacturing method of flexible substrate-attached component | |
KR102302499B1 (ko) | 전원 전송 라인을 포함하는 연성회로기판 | |
JP2001356136A (ja) | 集積化マイクロコンタクトピン及びその製造方法 | |
JP6711862B2 (ja) | 高周波線路接続構造 | |
US20220238447A1 (en) | Semiconductor device | |
EP4293832A1 (en) | High-frequency signal transmission device and electrical connection method for wiring board and connector | |
JP2020145403A (ja) | 半導体装置 | |
CN219979788U (zh) | 多层基板和电子设备 | |
JP7255705B2 (ja) | 高周波線路構造、サブアセンブリ、ラインカード、および高周波線路構造の製造方法 | |
JP6735029B2 (ja) | 移相器及びアンテナ装置 | |
US9844151B2 (en) | Method for manufacturing combined wiring board | |
JP5510190B2 (ja) | フラットケーブルの接続構造 | |
CN115561494A (zh) | 探针卡 | |
JPWO2004080136A1 (ja) | プリント配線板接続構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220725 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7124987 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |