JP5209123B2 - 表示パネル装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 91
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 171
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 168
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 86
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 410
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 72
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 34
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 27
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 25
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 246
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 122
- 238000000034 method Methods 0.000 description 104
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 6
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
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Description
以下、本発明の実施の形態1に係る表示パネル装置について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施の形態1に係る表示パネル装置1の構造の一例を示す平面図である。
以下、図4〜図7を用いて、本発明の実施の形態1に係る表示パネル装置1の詳細な構造について説明する。
発明者らは、相異なる形状の孔部を有する複数の電極板の電気抵抗を比較することにより、図2に示されるような孔部50の形状が、電極板33内での駆動電流の流れを妨げにくい点で優れていることを見出した。以下、この検討の内容について説明する。
次に、本発明の実施の形態1に係る表示パネル装置1の製造方法について説明する。
まず、ガラスまたはプラスチックからなる基板10の主面に、半導体膜、絶縁膜、金属膜を成膜およびパターニングすることで、駆動素子25および給電部28を含むTFT層20を形成する(S10:第1工程)。
次に、ポリイミド樹脂などの絶縁性の有機材料をスピンコート、ノズルコートなどの方法で全面塗布し、ベークすることで、平坦化膜30を形成する。駆動素子25のソース・ドレイン電極24の上部に形成された層間絶縁膜26および平坦化膜30、並びに、給電部28の上部に形成された平坦化膜30を、フォトエッチングにより除去する(S11:第2工程)。
次に、スパッタリングにより平坦化膜30上に金属膜を成膜し、フォトエッチングすることで、金属膜を図5に示されるような形状の下部電極31、補助電極32、および電極板33にパターニングする。このとき、平坦化膜30の表面の一部を開放するように、電極板33に下層の平坦化膜30に達する孔部50が形成される。さらに、下部電極31、補助電極32、および電極板33をアニールする(S12:第3工程)。
次に、SiO2、SiN、SiON、Al2O3、AlNなどの絶縁性の無機材料からなる無機化合物の膜、またはポリイミド樹脂などの絶縁性の有機材料からなる膜を下部電極31上に成膜し、フォトエッチングすることで、画素規制層35を形成する(S13:第8工程)。
次に、W、Ti、Mo、V、Gaなどの無機材料を表示部52の内外に蒸着し、アニールすることで、無機材料層を形成する(S14:第4工程)。
次に、感光性のポリイミド樹脂をスピンコート、ノズルコートなどの方法で全面塗布し、フォトリソグラフィーにてパターニングし、アニールすることで、図2および図3に示されるような形状の、画素を区画する隔壁36を形成する(S15:第5工程)。
次に、Alq3(アルミキノリノール錯体)などの電界発光機能を有する有機材料を含む機能液を、インクジェット法により隣接する隔壁36で仕切られた帯状の領域に配置し、乾燥させることで、有機EL層37を形成する(S16:第6工程)。
次に、オキサジアゾール誘導体などからなる有機材料を真空蒸着することで、電子輸送層38を形成する(S17:第9工程)。
次に、インジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物などの透明導電材料を真空蒸着することで、上部電極39を形成する(S18:第7工程)。
最後に、封止膜40、樹脂層60、シール部材61、およびガラス基板70を設けて表示パネル装置1が完成する(S19:第10工程)。なお、ガラス基板70に代えて、例えば、カラーフィルター基板等を設けてもよい。
次に、本発明の実施の形態2に係る表示パネル装置2について図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態1に係る表示パネル装置1と同じ機能の構成については、同じ符号を付しており、その説明は簡略化又は省略している。
次に、本発明の実施の形態2に係る表示パネル装置2の製造方法について説明する。
まず、ガラスまたはプラスチックからなる基板10の主面に、半導体膜、絶縁膜、金属膜を成膜およびパターニングすることで、駆動素子25および給電部28を含むTFT層20を形成する(S20:第1工程)。
次に、ポリイミド樹脂などの絶縁性の有機材料をスピンコート、ノズルコートなどの方法で全面塗布し、ベークすることで、平坦化膜30を形成する。駆動素子25のソース・ドレイン電極24の上部に形成された層間絶縁膜26および平坦化膜30、並びに、給電部28の上部に形成された平坦化膜30を、フォトエッチングにより除去する(S21:第2工程)。
次に、スパッタリングにより平坦化膜30上に金属膜を成膜し、フォトエッチングすることで、金属膜を図15に示されるような形状の下部電極31、補助電極32、および電極板33にパターニングする。このとき、平坦化膜の表面の一部を開放するように電極板33に孔部50が形成される。さらに、下部電極31、補助電極32、および電極板33をアニールする(S22:第3工程)。
次に、SiO2、SiN、SiON、TiO2、TiN、Al2O3、AlNなどの絶縁性の無機材料からなる無機化合物の膜、またはSi(シリコン),Cr(クロム),Ti(チタン)などの金属からなる膜を下部電極31上に成膜し、フォトエッチングすることで、無機材料層を形成する(S23:第4工程)。
次に、W、Ti、Mo、V、Gaなどの無機材料からなる正孔注入層34を表示部52の内に蒸着し、アニールすることで、正孔注入層34を形成する(S24:第8工程)。
次に、感光性のポリイミド樹脂をスピンコート、ノズルコートなどの方法で全面塗布し、フォトリソグラフィーにてパターニングし、アニールすることで、図12に示されるような形状の、画素を区画する隔壁36を形成する(S25:第5工程)。
次に、Alq3(アルミキノリノール錯体)などの電界発光機能を有する有機材料を含む機能液を、インクジェット法により隣接する隔壁36で仕切られた帯状の領域に配置し、乾燥させることで、有機EL層37を形成する(S26:第6工程)。
次に、オキサジアゾール誘導体などからなる有機材料を真空蒸着することで、電子輸送層38を形成する(S27:第9工程)。
次に、インジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物などの透明導電材料を真空蒸着することで、上部電極39を形成する(S28:第7工程)。
最後に、封止膜40、樹脂層60、シール部材61、およびガラス基板70を設けて表示パネル装置1が完成する(S29:第10工程)。
次に、本発明の実施の形態3に係る表示パネル装置3について図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態1,2に係る表示パネル装置1,2と同じ機能の構成については、同じ符号を付しており、その説明は簡略化又は省略している。
次に、本発明の実施の形態3に係る表示パネル装置3の製造方法について説明する。
まず、ガラスまたはプラスチックからなる基板10の主面に、半導体膜、絶縁膜、金属膜を成膜およびパターニングすることで、駆動素子25および給電部28を含むTFT層20を形成する(S30:第1工程)。
次に、ポリイミド樹脂などの絶縁性の有機材料をスピンコート、ノズルコートなどの方法で全面塗布し、ベークすることで、平坦化膜30を形成する。駆動素子25のソース・ドレイン電極24の上部に形成された層間絶縁膜26および平坦化膜30、並びに、給電部28の上部に形成された平坦化膜30を、フォトエッチングにより除去する(S31:第2工程)。
次に、スパッタリングにより平坦化膜30上に金属膜を成膜し、フォトエッチングすることで、金属膜を所定の形状の下部電極31、補助電極32、および電極板33にパターニングする。このとき、平坦化膜の表面の一部を開放するように電極板33に孔部50が形成される。さらに、下部電極31、補助電極32、および電極板33をアニールする(S32:第3工程)。
次に、SiO2、SiN、SiON、TiO2、TiN、Al2O3、AlNなどの絶縁性の無機材料からなる無機化合物の膜、またはSi(シリコン),Cr(クロム),Ti(チタン)などの金属からなる膜を下部電極31上に成膜し、フォトエッチングすることで、第1の無機材料層を形成する(S33:第4工程)。
次に、W、Ti、Mo、V、Gaなどの無機材料を表示部52の内外に蒸着し、アニールすることで、第2の無機材料層を形成する(S34:第4’工程)。
次に、感光性のポリイミド樹脂をスピンコート、ノズルコートなどの方法で全面塗布し、フォトリソグラフィーにてパターニングし、アニールすることで、図12に示されるような形状の、画素を区画する隔壁36を形成する(S35:第5工程)。
次に、Alq3(アルミキノリノール錯体)などの電界発光機能を有する有機材料を含む機能液を、インクジェット法により隣接する隔壁36で仕切られた帯状の領域に配置し、乾燥させることで、有機EL層37を形成する(S36:第6工程)。
次に、オキサジアゾール誘導体などからなる有機材料を真空蒸着することで、電子輸送層38を形成する(S37:第8工程)。
次に、インジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物などの透明導電材料を真空蒸着することで、上部電極39を形成する(S38:第7工程)。
最後に、封止膜40、樹脂層60、シール部材61、およびガラス基板70を設けて表示パネル装置1が完成する(S39:第9工程)。
以上、説明した表示パネル装置1,2,3は、例えばテレビジョンセットなどの表示装置に利用される。
以上、本発明に係る表示パネル装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものも本発明の範囲内に含まれる。
10 基板
20 TFT層
22 ゲート絶縁膜
24 ソース・ドレイン電極
25 駆動素子
26 層間絶縁膜
27 ITO膜
28 給電部
30 平坦化膜
31 下部電極
32 補助電極
33 電極板
34 正孔注入層
34a 正孔注入層の第1の部分
34b 正孔注入層の第2の部分
35 画素規制層
35a 画素規制層の第1の部分
35b 画素規制層の第2の部分
36 隔壁
37 有機EL層
38 電子輸送層
39 上部電極
40 封止膜
41 絶縁膜
50 孔部
51 画素部
52 表示部
60 樹脂層
61 シール部材
70 ガラス基板
Claims (19)
- 下部電極と、前記下部電極に対向して設けられる上部電極と、前記下部電極と前記上部電極の間に設けられ、有機材料を有する有機層とを含む画素部と、
前記画素部の下方に形成され、前記画素部を駆動する駆動素子を有するTFT層と、
前記TFT層の上方を平坦化する平坦化膜と、
前記下部電極と分離形成されるとともに、前記上部電極と電気的に接続される補助電極と、
前記画素部を複数含む表示部と、
前記補助電極と電気的に接続されるとともに、前記表示部外において前記平坦化膜を覆うように設けられ、前記平坦化膜の表面の一部を開放する孔部を有する電極板と、
前記電極板の上方に接触し且つ前記上部電極の下方に位置し、前記電極板の形成後であって且つ前記有機層の形成前に形成される、前記孔部を覆う無機材料からなる無機材料層と、を具備する、
表示パネル装置。 - 前記無機材料層は、
前記画素部内に位置し、前記下部電極と前記有機層の間に設けられる機能層としての第1の部分と、
前記第1の部分から延出して前記画素部外に設けられ、その少なくとも一部により前記孔部を覆う第2の部分と、
を有する、
請求項1記載の表示パネル装置。 - 前記無機材料層は、
前記下部電極から前記有機層に正孔を注入する正孔注入層、又は、画素部を規制するための画素規制層の少なくとも一方を含む、
請求項2記載の表示パネル装置。 - 前記無機材料が絶縁性を有する、
請求項1記載の表示パネル装置。 - 前記無機材料が、金属酸化物、金属窒化物、又は金属酸窒化物のいずれかである、
請求項1記載の表示パネル装置。 - 前記無機材料が、Si,W,Cr,Ti,Mo,V,Gaの中の少なくともいずれか1つである、
請求項1記載の表示パネル装置。 - 前記無機材料層は2層以上で構成される、
請求項1記載の表示パネル装置。 - 前記孔部は、前記平坦化膜の内部において発生したガスを前記平坦化膜の外部に排出するものである、
請求項1記載の表示パネル装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の表示パネル装置を備え、
前記表示パネル装置の複数の画素部がマトリクス状に配置されている
表示装置。 - 下部電極と、前記下部電極に対向して設けられる上部電極と、前記下部電極と前記上部電極の間に設けられ、有機材料を有する有機層とを含む画素部と、
前記画素部の下方に形成され、前記画素部を駆動する駆動素子を有するTFT層と、
前記TFT層の上方を平坦化する平坦化膜と、
前記下部電極と分離形成されるとともに、前記上部電極と電気的に接続される補助電極と、
前記画素部を複数含む表示部と、
前記下部電極と同層で形成され、前記補助電極と電気的に接続されるとともに、前記表示部外において前記平坦化膜を覆うように設けられ、前記平坦化膜の表面の一部を開放する孔部を有する電極板と、
前記電極板の上方に位置し、前記画素部内における前記下部電極と前記有機層との間に設けられる層の一部であり、前記孔部を覆う無機材料からなる無機材料層と、を具備する、
表示パネル装置。 - 前記無機材料層は、
前記画素部内に位置し、前記下部電極と前記有機層の間に設けられる機能層としての第1の部分と、
前記第1の部分から延出して前記画素部外に設けられ、その少なくとも一部により前記孔部を覆う第2の部分と、
を有する、
請求項10記載の表示パネル装置。 - 前記無機材料層は、
前記下部電極から前記有機層に正孔を注入する正孔注入層、又は、画素部を規制するための画素規制層の少なくとも一方を含む、
請求項11記載の表示パネル装置。 - 前記孔部は、前記平坦化膜の内部において発生したガスを前記平坦化膜の外部に排出するものである、
請求項10記載の表示パネル装置。 - 請求項10〜13のいずれか1項に記載の表示パネル装置を備え、
前記表示パネル装置の複数の画素部がマトリクス状に配置されている
表示装置。 - 有機EL層を発光させるための駆動素子を有するTFT層を形成する第1工程と、
前記TFT層の上方を平坦化する平坦化膜を形成する第2工程と、
前記平坦化膜の上方の表示パネルの表示部内に下部電極を形成し、前記平坦化膜の上方の表示パネルの表示部外に孔部を有する電極板を形成し、前記平坦化膜の上方の表示パネルの表示部内における前記下部電極の形成領域外に前記下部電極と分離形成され前記電極板と電気的に接続された補助電極を形成する第3工程と、
前記電極板より上方に、無機材料からなる無機材料層を形成する第4工程と、
前記下部電極より上方に、画素を区画する隔壁を形成する第5工程と、
前記隔壁で仕切られた領域に前記有機EL層を形成する第6工程と、
前記有機EL層の上方に、前記下部電極との間の電流供給により前記有機EL層を発光させ前記補助電極と電気的に接続される上部電極を形成する第7工程と、を含み、
前記第3工程において、前記電極板は、前記平坦化膜の表面の一部を開放させるように形成され、
前記第4工程において、前記無機材料層は、前記電極板の前記孔部を覆うように形成される、
表示パネル装置の製造方法。 - 前記第4工程において、前記無機材料層を、前記下部電極の上方であって前記表示パネルの表示部内に形成するとともに、その一部を前記表示パネルの表示部外に延出し、前記電極板の前記孔部を覆うように形成する、
請求項15記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記無機材料層は、
前記下部電極から前記有機層に正孔を注入する正孔注入層、又は、画素部を規制するための画素規制層の少なくとも一方である、
請求項15記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記第3工程において、前記電極板の前記孔部を介し、前記平坦化膜の内部において発生したガスを排出させ、
前記第4工程において、前記孔部を覆い、前記孔部を介して外部から異物が侵入することを抑制する、
請求項15記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記第3工程は、熱処理を含む工程である、
請求項15記載の表示パネル装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011539264A JP5209123B2 (ja) | 2009-11-04 | 2010-10-19 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009253537 | 2009-11-04 | ||
JP2009253537 | 2009-11-04 | ||
JP2011539264A JP5209123B2 (ja) | 2009-11-04 | 2010-10-19 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
PCT/JP2010/006175 WO2011055496A1 (ja) | 2009-11-04 | 2010-10-19 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011055496A1 JPWO2011055496A1 (ja) | 2013-03-21 |
JP5209123B2 true JP5209123B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=43969740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011539264A Active JP5209123B2 (ja) | 2009-11-04 | 2010-10-19 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8796701B2 (ja) |
JP (1) | JP5209123B2 (ja) |
KR (1) | KR101276433B1 (ja) |
CN (1) | CN102474939B (ja) |
WO (1) | WO2011055496A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5690280B2 (ja) | 2009-10-15 | 2015-03-25 | パナソニック株式会社 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
CN103026791B (zh) | 2011-06-08 | 2016-03-02 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 发光面板、发光面板的制造方法以及成膜系统 |
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JPWO2009133680A1 (ja) | 2008-04-28 | 2011-08-25 | パナソニック株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
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JP4495781B2 (ja) | 2008-06-06 | 2010-07-07 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 |
WO2010023839A1 (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-04 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2010118509A (ja) | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Panasonic Corp | 発光素子 |
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JP5302915B2 (ja) | 2009-03-18 | 2013-10-02 | パナソニック株式会社 | 有機el表示装置及び制御方法 |
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JP2011009017A (ja) | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Panasonic Corp | 有機elディスプレイパネル |
JP5173985B2 (ja) | 2009-11-05 | 2013-04-03 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
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WO2011077477A1 (ja) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | パナソニック株式会社 | 表示装置とその製造方法 |
CN102334384B (zh) | 2010-02-22 | 2015-01-28 | 松下电器产业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
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CN102388674B (zh) | 2010-06-28 | 2016-01-20 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机发光元件及其制造方法、有机显示面板、有机显示装置 |
JP5624047B2 (ja) | 2010-06-30 | 2014-11-12 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法 |
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JP5677290B2 (ja) | 2010-07-27 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法 |
JP5462251B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-04-02 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル、表示装置、及び有機el表示パネルの製造方法 |
-
2010
- 2010-10-19 JP JP2011539264A patent/JP5209123B2/ja active Active
- 2010-10-19 CN CN201080026007.0A patent/CN102474939B/zh active Active
- 2010-10-19 KR KR1020117029076A patent/KR101276433B1/ko active IP Right Grant
- 2010-10-19 WO PCT/JP2010/006175 patent/WO2011055496A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-01-24 US US13/356,666 patent/US8796701B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8796701B2 (en) | 2014-08-05 |
WO2011055496A1 (ja) | 2011-05-12 |
JPWO2011055496A1 (ja) | 2013-03-21 |
US20120119235A1 (en) | 2012-05-17 |
KR101276433B1 (ko) | 2013-06-19 |
CN102474939A (zh) | 2012-05-23 |
CN102474939B (zh) | 2015-03-04 |
KR20120025505A (ko) | 2012-03-15 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5209123 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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