JP2010135212A - 発光素子、それを用いた表示装置および照明装置、ならびに発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電極12と、発光層13と、電極14と、屈折率分布レンズ17とが積層されてなる積層構造を有し、屈折率分布レンズ17は、同心円状の輪帯部31,32をそれぞれ複数備えている。
屈折率分布レンズ17において、同心円の中心から半径方向外側に向かって1つの輪帯部31および1つの輪帯部32毎に区分した領域を1つのゾーン30としている。各ゾーン30では、屈折率の異なる透明材料A,Bが用いられていて、各ゾーン30内の輪帯部31が高屈折率透明材料Bで形成され、輪帯部32が低屈折率透明材料Aで形成されている。各ゾーン30の幅cは、発光層13からの光の波長以下であって、同心円の中心から半径方向外側に向かうにつれてゾーン30での有効屈折率が小さくなるように、1つのゾーン内の輪帯部31および輪帯部32の各幅の比率を設定している。
【選択図】図1
Description
また、ここでの「所定数」とは、各ゾーンを構成する輪帯部の数であり、ゾーン毎の輪帯部の数を全て同じ設定とする所定数はもちろんのこと、ゾーン毎の輪帯部の数が異なるように設定した所定数も含むものとする。
また、上記構成の屈折率分布レンズの作製では、加熱リフロー処理に比べて高精度に加工可能な処理、例えばリソグラフィを採用することができる。したがって、複数の発光素子におけるレンズ形状のバラツキを抑えて、複数の発光素子における光取り出し効率にバラツキが生じるのを抑制することができる。
(実施の形態1)
<発光素子の全体構成>
図1は、本発明の実施の形態1に係る発光素子としてトップエミッション型発光素子10の構成を示す模式断面図である。この発光素子10は、基板11と、陽極である電極12(第1電極層)と、発光層13と、陰極である透明電極14(第2電極層)と、レンズ層15とをこの順で備え、さらに、各層12〜15の形成領域を規定する、基板11上に形成された複数のバンク21と、レンズ層15および各バンク21の上に形成された封止層23およびガラス板24とを有している。
封止層23は、ガラス板24とレンズ層15とを接着固定して、発光素子10の各層12〜15に、外気中の水分や酸素などが浸入するのを防止している。
<詳細構成:レンズ>
次に、レンズ層15について説明する。
低屈折率透明材料Aは、SiO2であり、高屈折率透明材料Bは、TiO2である。SiO2の屈折率は1.46、TiO2の屈折率は2.53である。
<屈折率分布>
次に、屈折率分布レンズ17の屈折率分布の設計思想について説明する。
各ゾーン30において、その有効屈折率neffは、高屈折率輪帯部31の屈折率をnhigh、低屈折率輪帯部32の屈折率をnlowとして、次の(2)式で求められる。
これらより、ゾーン30毎の有効屈折率neffを、目的とする屈折率n(r)に一致させるためには、当該ゾーン30の内周半径を距離rとして、線幅aを、次の(4)式で求められる値にすればよい。
<屈折率分布の例示>
図3は、屈折率分布レンズの屈折率分布を示す図である。図3において、縦軸は有効屈折率neffを、横軸は、中心OCからの距離rを示している。この距離rは、中心OCからの任意の方向をプラス(+)とし、その逆方向をマイナス(−)として表わされている。
図4は、図3の屈折率分布を実現するための各ゾーンでの線幅aをプロットした図である。図4において、縦軸は高屈折率輪帯部31の線幅aの大きさ、横軸は、中心OCからの距離rを示している。
<レンズの原理説明>
図5は、屈折率分布レンズ17の原理を説明する模式断面図である。
なお、本実施の形態において、低屈折率透明材料AにSiO2、高屈折率透明材料BにTiO2を用いた構成を示したが、低屈折率および高屈折率透明材料として、例えば、ZrO2などの酸化ジルコニウム系、Nb2O5などの酸化ニオブ系、Si3N4などの窒化シリコン系およびSi2N3などの酸化珪素系の材料を用いることができる。
<詳細構成:基板、電極、発光層>
以下に、この発光素子10を構成する基板11、電極12、発光層13および透明電極14に用いられる材料について説明する。
《基板》
基板11には、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスなどのガラス板、石英板、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂などのプラスチック板およびプラスチックフィルム、アルミナなどの金属板および金属ホイル等を用いることができる。
《電極》
電極12としては、例えばナトリウム、リチウムなどのアルカリ金属単体、又はその合金を用いることが出来る。また、カルシウム、マグネシウムなどのアルカリ土類金属、またはその合金を用いることが出来る。合金はアルミニウム、銀、インジウムなどとなされる。また、ガリウム、インジウムなど一部の第3族金属を用いることも出来る。
《発光層》
発光層13としては、一層の場合に限られず多層構造であってもよい。また、発光層は、有機発光体を含む有機EL層を含んでもよい。さらに、有機EL層を挟持する電子輸送層と正孔輸送層をさらに含んでもよい。またさらに、電子注入層、及び/又は、正孔注入層を備えてもよい。電子注入層及び正孔注入層は、蒸着法、スピンコート法、キャスト法などにより形成できる。
・有機EL層
このうち有機EL層の具体例としては、特開平5−163488号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、2,2’−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とIII族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体などの蛍光物質を使用することができる。有機EL層は蒸着法、スピンコート法、キャスト法などにより形成できる。
・電子輸送層
また、電子輸送能を有する電子輸送層の具体例としては、特開平5−163488号公報のニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体などの化合物を使用することができる。
・正孔輸送層
正孔輸送層の具体例としては、特願平3−333517号に記載のトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体などを使用することができるが、特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物である。
<製造方法>
次に、屈折率分布レンズ17の製造方法について具体的に説明する。
《レジスト塗布、パターニング》
先ず、図6(a)に示すように、透明電極14の上に、スパッタ装置を用いて低屈折率透明材料A(SiO2)からなる低屈折率材の膜44を形成し、低屈折率材の膜44の上に、レジストを塗布しレジスト膜45を形成する。これら低屈折率材の膜44およびレジスト膜45の厚みは、それぞれ1[μm]である。
《領域の判定手順》
以下、電子線描画装置による領域の判定手順について説明する。
〔1〕先ず、電子線描画装置に、作製するレンズにおける設計上の次の基本情報を入力する(S01)。
{基本情報}
焦点距離f[μm]、屈折率分布レンズの厚みL[μm]、屈折率分布レンズの光入射面側に隣接する層の屈折率ni、高屈折率輪帯部の屈折率nhigh、低屈折率輪帯部の屈折率nlow、中心OCを含むゾーンの有効屈折率n0、屈折率分布レンズのサイズなど。
〔2〕レジスト膜45の上面において、光軸となるべき位置を基準位置(x0,y0)として設定する(S02)。
〔3〕レジスト膜45の上面のうち領域の判定が行われていない任意の位置を選択し、選択位置(x,y)とする(S03)。
〔4〕選択位置(x,y)の基準位置(x0,y0)からの距離rを、次の(5)式で算出する(S04)。
〔6〕算出された距離rおよびゾーン30の順番kを用いて、当該ゾーン30における高屈折率輪帯部31の線幅aを、次の(7)式で算出する(S06)。
〔7〕算出された線幅aより求められる高屈折率輪帯部31の内周半径と、ステップS04で算出された距離rとを次の(8)式で比較する(S07)。
〔8〕ステップS08において、低屈折率輪帯部32を形成する領域に属すると判定した場合には、電子線を照射することなくステップS10に進み、高屈折率輪帯部31を形成する領域に属すると判定した場合には、選択位置(x,y)に電子線を照射する(S09)。
〔9〕レジスト膜45の上面の全ての位置に対して上記領域の判定が行われたかどうかをチェックする(S10)。未判定の位置があれば、S03〜S09の一連のステップを繰り返す。
《現像、エッチング、レジスト除去》
図6に戻って、図6(b)に示すように、上記の判定手順により電子線が照射されたレジスト膜45を現像して、低屈折率材の膜44にエッチング47を施してレンズの微細パターンを形成する。この微細パターンが、屈折率分布レンズ17における低屈折率輪帯部32である。本実施の形態では、透明電極14と屈折率分布レンズ17との間に低屈折率層16を設けるため、エッチング47によって低屈折率材の膜44に貫通孔が形成されないように設定されている。なお、透明電極14と屈折率分布レンズ17との間に低屈折率層16など他の層を設けない場合には、エッチング47によって低屈折率材の膜44を貫通させて、透明電極14の上に屈折率分布レンズ17を形成するように設定することになる。
《プラズマCVD、ポストベーク》
この後、プラズマCVDを用いて、図6(d)に示すように、複数の低屈折率輪帯部32の各間に高屈折率透明材料B(TiO2)を堆積させる。このとき、各低屈折率輪帯部32の上にも、さらに高屈折率透明材料B(TiO2)を堆積させる。これによって、複数の高屈折率輪帯部31および高屈折率層18を形成することができる。
以上の構成からなる屈折率分布レンズ17の製造方法によれば、フォトリソグラフィ技術を用いているので、屈折率分布レンズ17の各輪帯部31,32を、30[nm]程度の線幅までならバラツキなく精度よく加工することができる。そのため、ゾーン30毎の輪帯部31,32の各線幅a,bの調整を細かく行うことができるので、有効屈折率neffを、当該ゾーン30の内周半径を距離rとして上記(1)式により決定された屈折率n(r)に精度よく一致させることができる。これにより、屈折率分布レンズ17による発光層13から出射される光の発散角を抑制する効果を高めることができる。その結果、発光素子10において、屈折率分布レンズ17、高屈折率層18、封止層23およびガラス板24の各界面における光の全反射成分を抑制することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
(実施の形態2)
<発光素子の全体構成2>
図8は、本発明の実施の形態2に係る発光素子60の構成を示す模式断面図である。
発光素子60の有するレンズ層65は、透明電極14側から順に、低屈折率層66、回折レンズ67および高屈折率層68の3層で構成されている。
<詳細構成2:レンズ>
図9は、回折レンズ67を説明するための図であって、図9(a)は、回折レンズ67の模式断面図であり、図9(b)は、回折レンズ67の模式平面図である。
本実施の形態において、低屈折率層66および低屈折率輪帯部72が、SiO2からなる低屈折率透明材料Aで形成され、高屈折率層68および高屈折率輪帯部71が、TiO2からなる高屈折率透明材料Bで形成されている。
<屈折率分布2>
次に、回折レンズ67の屈折率分布の設計思想について説明する。
当該ゾーン70の線幅aを、次の(11)式で求められる値にすればよい。
なお、上記(10)式では、中心OCから距離rの位置が含まれた鋸歯状の周期の順番mが求まるだけでなく、鋸歯状部分の現れる周期間隔が決定されている。
<屈折率分布の例示2>
図10は、回折レンズの屈折率分布を示す図である。
<屈折率の高次式>
本実施の形態において、屈折率n(r)の計算精度をさらに高めるために、上記(9)式に3次以上の高次の項を追加した次の(12)式を用いることができる。
なお、本実施の形態における高屈折率輪帯部71の線幅aおよび低屈折率輪帯部72の線幅bの大きさは、特に限定するものではないが、回折レンズ67を作製し易くするための範囲を限定するのが好ましい。
ゾーン70毎の有効屈折率neffは、輪帯部71,72の線幅a,bを互いに調整することで設定できること、各ゾーン70のうち中心OCを含む1つ目のゾーン70において輪帯部71の線幅aが最も大きいことから、有効屈折率n0および回折レンズ67の厚みLを用いて、間接的に、各ゾーン70の輪帯部71,72の線幅a,bの範囲を限定することができる。すなわち、有効屈折率n0および厚みLを、次の(14)〜(16)式を満たすように、それぞれ設定するのが好適である。
この図11には、有効屈折率n0および厚みLの組み合わせとなる、次のケース81〜85が示されている。
ケース82:n0=0.9 nhigh ,L=1.5[μm]
ケース83:n0=0.9 nhigh ,L=0.9[μm]
ケース84:n0=0.875nhigh ,L=1.2[μm]
ケース85:n0=0.85 nhigh ,L=0.9[μm]
ケース81〜84が、限定範囲80以内であり、ケース85が、限定範囲80の外側とされている。
図12(a)の線幅a:最大値=129.0[nm],最小値=63.2[nm]
図12(b)の線幅a:最大値=152.7[nm],最小値=86.9[nm]
図12(c)の線幅a:最大値=152.7[nm],最小値=43.0[nm]
図12(d)の線幅a:最大値=140.8[nm],最小値=58.6[nm]
図12(e)の線幅a:最大値=129.0[nm],最小値=19.4[nm]
以上のように、図12(a)〜(d)に示す、ケース81〜84における高屈折率輪帯部の線幅aは、40〜160[nm]の範囲内であり、したがって、低屈折率輪帯部の線幅bも40〜160[nm]の範囲内となる。このように、線幅a,bの最小値をそれぞれ40[nm]以上に設定することができるので、輪帯部の形成が容易であり、回折レンズの作製が容易となる。
<製造方法2>
次に、回折レンズ67の製造方法について説明する。
この回折レンズ67の製造方法においては、回折レンズ67の有効屈折率neffが周期的に鋸歯状に変化するように、ゾーン70毎の高屈折率輪帯部の線幅aおよび低屈折率輪帯部の線幅bを設定している点が、屈折率分布レンズ17の製造方法と異なっている。その他の点については、図6および図7に示す屈折率分布レンズ17の作製手順と同じであり、簡単のため、その説明を省略する。
異なる点は以上である。
以上の構成からなる回折レンズ67の製造方法によれば、屈折率分布レンズ17の製造方法と同様に、フォトリソグラフィ技術を用いているので、回折レンズ67の各輪帯部71,72を、30[nm]程度の線幅までならバラツキなく精度よく加工することができる。したがって、発光素子60においても、上記実施の形態1の発光素子10が得られる効果と同等の効果が得られる。
(実施の形態3)
<表示装置の全体構成3>
図13は、本発明の実施の形態3に係る表示装置の一例として、有機ELディスプレイ100の要部を示す模式断面図である。
本実施の形態において、発光素子110が画素Rを、発光素子120が画素Gを、発光素子130が画素Bを構成している。
また、各発光素子110,120,130は、バンク101によって規定されており、図示しないが、マトリックス状に配列されている。各発光素子110,120,130および各バンク101の上には、封止層103およびガラス層104が形成されている。
<詳細構成3>
発光素子110は、赤色の光を出射する発光層113と、当該赤色の光の波長に応じた有効屈折率を有する屈折率分布レンズ117とを備えている。発光素子120は、出緑色の光を出射する発光層123と、当該緑色の光の波長に応じた有効屈折率を有する屈折率分布レンズ127とを備えている。発光素子130は、青色の光を出射する発光層133と、当該青色の光の波長に応じた有効屈折率を有する屈折率分布レンズ127とを備えている。
各屈折率分布レンズ117,127,137における有効屈折率は、上記実施の形態1と同様に、上記(1)式により決定された屈折率(r)に一致するように設定されている。上記(1)式における屈折率niは、対象となる光の波長によって変動するので、屈折率分布レンズ117,127,137における有効屈折率の分布の仕方が互いに異なる。したがって、同心円の中心から半径方向外側に向かうにつれて小さくなる高屈折率輪帯部の線幅の変化が、屈折率分布レンズ117,127,137間において互いに異なっており、図14に示すように、画素Rを構成する屈折率分布レンズ117において当該変化の度合いが最も大きく、画素Bを構成する屈折率分布レンズ137が当該変化の度合いが最も小さくなる。なお、図14では、分かり易くするため、高屈折率輪帯部の線幅の変化が誇張されて示されている。
<製造方法3>
次に、上記構成の屈折率分布レンズ117,127,137の製造方法について説明する。
〔1〕ステップS01の基本情報の入力では、RGBの画素毎のレンズの設計上の基本情報を入力する。また、本実施の形態において、各画素の屈折率分布レンズのサイズはxL,yLとする。
〔2〕ステップS02の基準位置の設定では、レジスト膜の上面において、画素毎の光軸となるべき位置をそれぞれ基準位置(xi,yj)として設定する。
〔3〕ステップS03は、上記実施の形態1と同様である。
〔4〕ここで、ステップS04に進む前に、選択位置(x,y)の属する画素領域(i,j)を、次の(18),(19)式より求める(S20)。
〔7〕ステップS06の高屈折率輪帯部の線幅aの算出では、上記(7)式において、RGBの各画素に応じた屈折率niを用いる。
〔8〕以降のステップS07〜S10は、上記実施の形態1と同様である。
以上の構成からなる屈折率分布レンズ117,127,137の製造方法によれば、屈折率分布レンズ17の製造方法と同様に、フォトリソグラフィ技術を用いているので、複数の画素における屈折率分布レンズの各輪帯部を、30[nm]程度の線幅までならバラツキなく精度よく加工することができる。したがって、有機ELディスプレイ100の有するRGBの画素毎の発光素子においても、上記実施の形態1の発光素子10が得られる効果と同等の効果が得られる。
(実施の形態4)
<照明装置の全体構成4>
図16(a)および(b)は、本発明の実施の形態4に係る照明装置の一例として、上記実施の形態1に係る発光素子10を備えた照明装置150の概略構成を示している。図16(a)は、照明装置150のY−Z断面を示す模式図であり、図16(b)は、照明装置150のX−Z断面を示す模式図である。
<変形例>
以上、本発明に係る発光素子、それを用いた表示装置および照明装置、ならびに発光素子の製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限られない。例えば、以下のような変形例が考えられる。
(1)上記実施の形態では、低屈折率層と、屈折率分布レンズ(回折レンズ)と、高屈折率層とからなるレンズ層を備えた発光素子の構成を示したが、レンズ層が屈折率分布レンズ(回折レンズ)のみからなる構成であってもよい。例えば、図17に示すように、発光素子160は、例えば、基板11上に、電極12と、発光層13と、透明電極14と、屈折率分布レンズ167とがこの順で積層されてなる積層構造を有する構成とすることができる。もっとも、この場合には、上記各式で用いられている屈折率niには、透明電極14の屈折率が適用される。
(2)上記実施の形態では、透明電極の上に、低屈折率層と、屈折率分布レンズ(回折レンズ)と、高屈折率層とがこの順で積層されたレンズ層の構成を示したが、高屈折率層と低屈折率層との順序を変えて、透明電極の上に、高屈折率層と、屈折率分布レンズ(回折レンズ)と、高屈折率層とがこの順で積層されたレンズ層の構成としてもよい。
(3)上記実施の形態では、基板と反対側から光を取り出すトップエミッション構造としたが、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造としてもよい。この場合には、透明基板を用いて、この透明基板と発光層との間に、屈折率分布レンズ(回折レンズ)を配置することでトップエミッションの場合と同等の効果が得られる。
(4)上記実施の形態では、各ゾーンが、1つの高屈折率輪帯部と1つの低屈折率輪帯部とからなる構成を示したが、各ゾーンが、低屈折率輪帯部および高屈折率輪帯部をそれぞれ複数備える構成にすることもできる。この場合には、上記各式のうちの一部の式で用いられている線幅aのパラメータaおよび線幅bのパラメータbには、ゾーン毎の各高屈折率輪帯部の線幅aの合算値、および各低屈折率輪帯部の線幅bの合算値が用いられることになる。
(5)上記実施の形態では、低屈折率透明材料Aからなる低屈折率輪帯部と、高屈折率透明材料Bからなる高屈折率輪帯部で構成されたゾーンを説明したが、屈折率の異なる3つ以上の透明材料のうち、1つの透明材料で形成された輪帯部と、他の透明材料で形成された輪帯部と、さらに他の透明材料で形成された輪帯部とを有するゾーンの構成とすることができる。各ゾーンの幅が発光層から出射される光の波長以下である限り、ゾーンを構成する輪帯部の数および透明材料の種類を適宜変更することができる。
(6)上記実施の形態では、低屈折率透明材料AとしてSiO2、高屈折率透明材料BとしてTiO2を用いた構成を示したが、低屈折率透明材料Aおよび高屈折率透明材料Bを、TiO2,ZrO2,Nb2O5,Si3N4,Si2N3およびSiO2の中から選択することができる。さらに、低屈折率透明材料Aとして空気を用いた構成としてもよい。もっともこの場合には、レンズ層において、透明電極側に高屈折率層を配置させた構成とするのが良い。
(7)上記実施の形態における製造方法では、パターニングの工程において、レジスト上に直接電子線描画を行う構成を示したが、フォトマスクに電子線描画による同心円状パターンを形成し、このフォトマスクを用いた露光によってレジストに同心円状パターンを転写する構成としてもよい。
(8)上記実施の形態において、各ゾーンの有効屈折率neffが、当該ゾーンの内周半径を距離rとして算出される構成を示したが、当該ゾーンの外周半径を距離rとして算出してもよく、また、当該ゾーンの内周および外周の中間の位置における同心円の中心からの距離をrとして算出してもよい。
11 基板
12 電極
13 発光層
14 電極
14 透明電極
15 レンズ層
16 低屈折率層
17 屈折率分布レンズ
18 高屈折率層
21,22 バンク
23 封止層
24 ガラス板
30 ゾーン
31 高屈折率輪帯部
32 低屈折率輪帯部
40 屈折率分布曲線
42 屈折率分布曲線
44 低屈折率材の膜
45 レジスト膜
46 電子線描画
47 エッチング
50 光軸
51 点光源
52 光線
53 入射波面
60 発光素子
66 低屈折率層
67 回折レンズ
68 高屈折率層
70 ゾーン
71 高屈折率輪帯部
72 低屈折率輪帯部
80 限定範囲
81〜85 ケース
100 有機ELディスプレイ
101 バンク
103 封止層
104 ガラス層
110,120,130 発光素子
113,123,133 発光層
117,127,137 屈折率分布レンズ
150 照明装置
151 ベース
152 反射部材
160 発光素子
167 屈折率分布レンズ
Claims (22)
- 第1電極層と、発光層と、第2電極層と、屈折率分布レンズとがこの順で積層されてなる積層構造を有し、
前記屈折率分布レンズは、同心円状の輪帯部を複数有し、
前記同心円の中心から半径方向外側に向かって所定数の輪帯部毎に1ゾーンとして区分され、各ゾーンでは、少なくとも1つの輪帯部の屈折率は他の輪帯部の屈折率と異なり、
各ゾーンの幅は、前記発光層から出射される光の波長以下であり、
前記同心円の中心から半径方向外側に向かうにつれてゾーンの有効屈折率が小さくなるように、1つのゾーンに含まれる所定数の輪帯部の各幅の比率が設定されている
ことを特徴とする発光素子。 - 前記所定数は2であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記屈折率分布レンズと前記第2電極層との間に、透明層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明層の屈折率が、前記複数の輪帯部の屈折率のうち最も低い屈折率と同じ値であることを特徴とする請求項4に記載の発光素子。
- 第1電極層と、発光層と、第2電極層と、回折レンズとがこの順で積層されてなる積層構造を有し、
前記回折レンズは、同心円状の輪帯部を複数有し、
前記同心円の中心から半径方向外側に向かって所定数の輪帯部毎に1ゾーンとして区分され、各ゾーンでは、少なくとも1つの輪帯部の屈折率は他の輪帯部の屈折率と異なり、 各ゾーンの幅は、前記発光層から出射される光の波長以下であり、
前記同心円の中心から半径方向外側に向かってゾーンの有効屈折率が周期的に鋸歯状に変化するように、1つのゾーンに含まれる所定数の輪帯部の各幅の比率が設定されている
ことを特徴とする発光素子。 - 前記所定数は2であることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
- 前記回折レンズと前記第2電極層との間に、透明層が設けられていることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
- 前記透明層の屈折率が、前記複数の輪帯部のうち最も低い屈折率と同じ値であることを特徴とする請求項11に記載の発光素子。
- 前記各ゾーンの幅が、一定値に設定されていることを特徴とする請求項1または6に記載の発光素子。
- 前記各輪帯部の幅が、40nm以上に設定されていることを特徴とする請求項1または6に記載の発光素子。
- 前記複数の輪帯部が、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、窒化シリコン、酸化珪素、および空気のうちのいずれかで透明材料で形成されている
ことを特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載の発光素子。 - 複数の画素を有し、各画素は請求項1〜17のいずれか1項に記載された発光素子で構成されたことを特徴とする表示装置。
- 前記発光素子において、前記発光層から出射される赤(R)、緑(G)または青(B)の光に応じて、前記各ゾーンに含まれる所定数の輪帯部のそれぞれの幅の比率が設定されている
ことを特徴とする請求項18に記載の表示装置。 - 請求項1〜17のいずれか1項に記載された発光素子を備えたことを特徴とする照明装置。
- 第1電極層と、発光層と、第2電極層と、屈折率分布レンズとがこの順で積層されてなる積層構造を有し、
前記屈折率分布レンズは、同心円状の輪帯部を複数有し、低屈折率と高屈折率の2種類の輪帯部が同心円の中心から半径方向外側に向かって交互に繰り返し配列され、同心円の中心から2個の輪帯部毎に1ゾーンとしたとき各ゾーンの幅は一定である発光素子の製造方法であって、
前記屈折率分布レンズに含まれる2種類の輪帯部の一方に対応するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記屈折率分布レンズを形成する工程とを含み、
前記レジストパターンを形成する工程は、
レジスト膜を形成するサブ工程と、
レジスト膜上面の任意の位置(x,y)を選択するサブ工程と、
レジスト膜の前記同心円の中心に相当する基準位置(x0,y0)と前記選択位置(x,y)との距離rを算出するサブ工程と、
算出された距離rおよびゾーンの幅cを用いて、前記選択位置(x,y)を含むゾーンの中心からの順番kを算出するサブ工程と、
ゾーンの順番k、ゾーンの幅c[nm]、低屈折率nlow、高屈折率nhigh、屈折率分布レンズの光入射面側に隣接する層の屈折率ni、屈折率分布レンズの焦点距離をf[μm]、屈折率分布レンズの厚みをL[μm]、同心円の中心から1番目のゾーンの有効屈折率をn0としたとき、各ゾーンにおける高屈折率の輪帯部の幅aを次の式を用いて算出するサブ工程と、
- 第1電極層と、発光層と、第2電極層と、回折レンズとがこの順で積層されてなる積層構造を有し、
前記回折レンズは、同心円状の輪帯部を複数有し、低屈折率と高屈折率の2種類の輪帯部が同心円の中心から半径方向外側に向かって交互に繰り返し配列され、同心円の中心から2個の輪帯部毎に1ゾーンとしたとき各ゾーンの幅は一定である発光素子の製造方法であって、
前記回折レンズに含まれる2種類の輪帯部の一方に対応するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記回折レンズを形成する工程とを含み、
前記レジストパターンを形成する工程は、
レジスト膜を形成するサブ工程と、
レジスト膜上面の任意の位置(x,y)を選択するサブ工程と、
レジスト膜の前記同心円の中心に相当する基準位置(x0,y0)と前記選択位置(x,y)との距離rを算出するサブ工程と、
算出された距離rおよびゾーンの幅cを用いて、前記選択位置(x,y)を含むゾーンの中心からの順番kを算出するサブ工程と、
ゾーンの順番k、ゾーンの幅c[nm]、低屈折率nlow、高屈折率nhigh、回折レンズの光入射面側に隣接する層の屈折率ni、回折レンズの焦点距離をf[μm]、回折レンズの厚みをL[μm]、同心円の中心から1番目のゾーンの有効屈折率をn0としたとき、各ゾーンにおける高屈折率の輪帯部の幅aを次の式を用いて算出するサブ工程と、
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