JP2005011792A5 - - Google Patents

Claims (30)

1. 基板に、下地層を介して、第１電極、発光層を含む層および第２電極が順に積層され、前記発光層で発生した光を前記第２電極の側から取り出す発光素子であって、
   前記第１電極は、前記下地層に接して設けられた密着層と、前記発光層で発生した光を反射させる反射層と、前記反射層を保護するバリア層とが前記基板の側から順に積層された構成を有する
   ことを特徴とする発光素子。
2. 前記密着層は、クロム（Ｃｒ），インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも１種を含む金属、導電性酸化物または金属化合物により構成されている
   ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
3. 前記反射層は、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された
   ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
4. 前記反射層は、ネオジウム（Ｎｄ），サマリウム（Ｓｍ），イットリウム（Ｙ），セリウム（Ｃｅ），ユウロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），エルビウム（Ｅｒ），イッテルビウム（Ｙｂ），スカンジウム（Ｓｃ），ルテニウム（Ｒｕ），銅（Ｃｕ）および金（Ａｕ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素と、銀（Ａｇ）とを含む合金により構成された
   ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
5. 前記反射層は、銀（Ａｇ）と、サマリウム（Ｓｍ）と、銅（Ｃｕ）とを含む合金により構成された
   ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
6. 前記反射層は、銀（Ａｇ）を主成分とし、０．０３質量％以上０．５質量％以下のサマリウム（Ｓｍ）と、０．２質量％以上１．０質量％以下の銅（Ｃｕ）とを含む合金により構成された
   ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
7. 前記バリア層は、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），ガリウム（Ｇａ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも一種を含む金属、酸化物または金属化合物により構成された光透過性膜である
   ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
8. 前記バリア層は、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ），酸化インジウム（Ｉｎ₂ Ｏ₃ ），酸化スズ（ＳｎＯ₂ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ），酸化チタン（ＴｉＯ₂ ），酸化クロム（ＣｒＯ₂ ），窒化ガリウム（ＧａＮ），酸化ガリウム（Ｇａ₂ Ｏ₃ ）および酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されている
   ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
9. 前記バリア層の膜厚が、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
10. 前記下地層は、平坦化層である
    ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
11. 前記発光層を含む層は、有機層である
    ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
12. 前記密着層は、前記発光層で発生し前記反射層を透過した光を反射させる反射補助膜を兼ねる
    ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
13. 前記反射補助膜は、クロム（Ｃｒ），インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも１種を含む金属、導電性酸化物または金属化合物により構成されている
    ことを特徴とする請求項１２記載の発光素子。
14. 前記反射補助膜は、５０％以上の反射率を有する
    ことを特徴とする請求項１２記載の発光素子。
15. 基板に、下地層を介して、第１電極、発光層を含む層および第２電極が順に積層された発光素子の製造方法であって、
    前記下地層の上に密着層を形成する工程と、
    前記密着層の上に、前記発光層で発生した光を反射させる反射層を形成する工程と、
    前記反射層の上に、前記反射層を保護するバリア層を形成する工程と、
    前記バリア層、前記反射層および前記密着層を前記バリア層側から順にパターニングすることにより前記第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極の上に、発光層を含む層を形成する工程と、
    前記発光層を含む層の上に、第２電極を形成する工程と
    を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
16. 前記バリア層、前記反射層および前記密着層をウェットエッチングによりパターニングする
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
17. 前記第１電極を形成する工程において、前記バリア層および前記反射層をパターニングしたのち、前記密着層をパターニングする
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
18. 前記第１電極を形成する工程において、前記バリア層をパターニングしたのち、前記反射層および前記密着層をパターニングする
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
19. 前記第１電極を形成する工程において、前記バリア層、前記反射層および前記密着層を、前記バリア層側から順に一層ずつパターニングする
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
20. 前記密着層を、クロム（Ｃｒ），インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも１種を含む金属、導電性酸化物または金属化合物により構成する
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
21. 前記反射層を、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成する
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
22. 前記反射層を、ネオジウム（Ｎｄ），サマリウム（Ｓｍ），イットリウム（Ｙ），セリウム（Ｃｅ），ユウロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），エルビウム（Ｅｒ），イッテルビウム（Ｙｂ），スカンジウム（Ｓｃ），ルテニウム（Ｒｕ），銅（Ｃｕ）および金（Ａｕ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素と、銀（Ａｇ）とを含む合金により構成する
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
23. 前記反射層を、銀（Ａｇ）と、サマリウム（Ｓｍ）と、銅（Ｃｕ）とを含む合金により構成する
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
24. 前記反射層を、銀（Ａｇ）を主成分とし、０．０３質量％以上０．５質量％以下のサマリウム（Ｓｍ）と、０．２質量％以上１．０質量％以下の銅（Ｃｕ）とを含む合金により構成する
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
25. 前記バリア層は、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），ガリウム（Ｇａ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも一種を含む金属、酸化物または金属化合物により構成された光透過性膜である
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
26. 前記バリア層を、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ），酸化インジウム（Ｉｎ₂ Ｏ₃ ），酸化スズ（ＳｎＯ₂ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ），酸化チタン（ＴｉＯ₂ ），酸化クロム（ＣｒＯ₂ ），窒化ガリウム（ＧａＮ），酸化ガリウム（Ｇａ₂ Ｏ₃ ）および酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成する
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
27. 前記バリア層の膜厚を、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
28. 前記発光層を含む層として、有機層を形成する
    ことを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
29. 基板に、下地層を介して、第１電極、発光層を含む層および第２電極が順に積層され、前記発光層で発生した光を前記第２電極の側から取り出す発光素子を有する表示装置であって、
    前記第１電極は、前記下地層に接して設けられた密着層と、前記発光層で発生した光を反射させる反射層と、前記反射層を保護するバリア層とが前記基板の側から順に積層された構成を有する
    ことを特徴とする表示装置。
30. 前記発光層を含む層は、有機層である
    ことを特徴とする請求項２９記載の表示装置。