JP2002334792A

JP2002334792A - 有機エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number: JP2002334792A
Application number: JP2001138189A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Mori; 竜雄森
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2001-05-09
Filing date: 2001-05-09
Publication date: 2002-11-22

Abstract

(57)【要約】【課題】低コストで有機エレクトロルミネッセンスディ
スプレイのシースルー化および大面積化を実現しうる有
機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】透明基板１と透明陽極電極２と発光層（有
機物層）３と透明陰極電極４とを有する有機エレクトロ
ルミネッセンス素子である。そして、上記透明陽極電極
２および透明陰極電極４が金属薄膜と金属酸化物薄膜と
からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略す）に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】自発光，広視野角性，薄型・軽量，動画
再現性の観点から将来有望な有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイは、窓等に貼り付けて使用するシース
ルーディスプレイや、壁等に貼り付けて使用する大面積
のポスター型ディスプレイとしての応用が期待されてい
る。

【０００３】ところで、このような有機エレクトロルミ
ネッセンスディスプレイに用いられる有機ＥＬ素子は、
一般に、透明基板上に陽極電極を成膜し、その表面に発
光層を含む有機物層を成膜し、さらにその表面に陰極電
極を成膜して構成されている。そして、上記陽極電極と
しては、発光を取り出すため、通常、透明で導電性を有
する酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜が用いられている。
また、上記陰極電極としては、電子の注入のしやすさか
ら、エネルギー準位の低い金属、例えば、マグネシウ
ム、リチウム、アルミニウム、銀等からなる金属合金電
極が用いられている。さらに、特開平５−４１２８６号
公報には、陰極電極を透明にして陰極電極側からも発光
を取り出せるよう、酸化亜鉛にアルミニウムを添加した
ものを陰極電極とした有機ＥＬ素子が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機エ
レクトロルミネッセンスディスプレイの大面積化を実現
するには、有機ＥＬ素子における陽極電極・陰極電極双
方の低抵抗化（５Ω／□以下）を実現する必要があり、
陽極電極をＩＴＯのみで形成すると、低抵抗化のために
膜厚を厚くしなければならないため、コストが非常に高
くなるという難点がある。すなわち、厚膜化によって、
希少金属であるインジウムの使用量増大、成膜処理時間
およびパターン形成（エッチング）時間の増大等が生じ
るためである。さらに、上記厚膜化によって、表面凹凸
の増大や、エッジ部での電界集中による有機ＥＬ素子の
発光機能の低下（ダークスポットの発生）が生じやすく
なるという難点もある。一方、シースルー化を実現すべ
く、上述のように酸化亜鉛にアルミニウムを添加したも
ので透明陰極電極を形成すると、ＩＴＯのみで形成した
陽極電極と同様に、低抵抗化のために膜厚を厚くしなけ
ればならないため、コストが高くなるという難点があ
る。したがって、低コストで有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイのシースルー化および大面積化を実現
しうる有機ＥＬ素子は、未だ得られていないのが現状で
ある。

【０００５】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、低コストで有機エレクトロルミネッセンスディ
スプレイのシースルー化および大面積化を実現しうる有
機ＥＬ素子の提供をその目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の有機ＥＬ素子は、透明基板と陽極電極と有
機物層と陰極電極とを有する有機ＥＬ素子であって、上
記陽極電極および陰極電極が、金属薄膜と高屈折率薄膜
とを積層してなる透明電極であるという構成をとる。

【０００７】すなわち、本発明者は、前記課題を解決す
べく鋭意研究を重ねた。その結果、陽極電極・陰極電極
双方を、金属薄膜と高屈折率薄膜とを積層して構成する
と、双方の電極の膜厚が薄くなるため透明性に優れ、両
面から発光を取り出すことができ、しかも双方の電極の
膜厚を薄くしても、電極の低抵抗化を実現でき、コスト
を抑制することができることを見出し、本発明に到達し
た。

【０００８】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を説
明する。

【０００９】本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、図１に
示すように、透明基板１上に透明陽極電極２が形成さ
れ、その表面に発光層３が形成され、さらにその表面に
透明陰極電極４が形成されて構成されている。

【００１０】上記透明基板１としては、透明性に優れた
ものであれば特に限定はなく、例えば、ガラス基板等が
あげられる。

【００１１】上記透明基板１の厚みは、通常、０．００
３〜１０ｍｍであり、好ましくは０．０２５〜５ｍｍで
ある。

【００１２】上記透明基板１上に形成される透明陽極電
極２は、金属薄膜と高屈折率薄膜とを積層してなる透明
電極であり、可視光透過率が３０％以上に設定されてい
る。そして、上記金属薄膜と高屈折率薄膜との積層構造
としては、例えば、金属薄膜と高屈折率薄膜との２層構
造、金属薄膜を高屈折率薄膜でサンドイッチした３層構
造のもの（高屈折率薄膜／金属薄膜／高屈折率薄膜）等
があげられる。

【００１３】上記透明陽極電極２の総厚み（金属薄膜＋
高屈折率薄膜）は、通常、５〜５００ｎｍであり、好ま
しくは１０〜４００ｎｍである。

【００１４】上記高屈折率薄膜とは、金属薄膜表面での
反射を低減させる目的で積層形成される薄膜であり、そ
の屈折率は、光の波長６３３ｎｍにおいて１．８以上で
あると、金属薄膜表面での反射低減効果が有効に作用す
るため、好ましい。

【００１５】そして、上記高屈折率薄膜用材料として
は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ₂），酸化ジルコニウ
ム（ＺｒＯ₂），酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃），酸化
インジウム錫（ＩＴＯ），酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ
₃），酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ ₅），酸化錫（Ｓｎ
Ｏ₂），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）等の金属酸化物、窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄），窒
化硼素（ＢＮ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），窒化ク
ロム（ＣｒＮ），窒化タンタル（ＴａＮ），窒化チタン
（ＴｉＮ），窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）等の金属窒化
物、硫化亜鉛（ＺｎＳ），硫化カドミウム（ＣｄＳ）等
の金属硫化物、酸化窒化シリコン（ＳｉＯ_xＮ _y）等の
金属酸化窒化物、炭化シリコン（ＳｉＣ）等の金属炭化
物があげられる。

【００１６】上記高屈折率薄膜の厚みは、屈折率に応じ
て適宜設定されるが、通常、５〜３５０ｎｍであり、好
ましくは１０〜２００ｎｍである。

【００１７】上記金属薄膜用材料としては、可視光領域
の光吸収が小さく、かつ電気抵抗の小さい金属が好まし
く、例えば、銀、金、銅、白金、パラジウム、アルミニ
ウムもしくはこれらの合金等があげられる。これらのな
かでも、低抵抗、高透明性、耐久性、エネルギー準位等
を考慮して、銀系合金が好適に用いられる。

【００１８】上記金属薄膜の厚みは、透明性および電気
抵抗性を考慮すると、１〜５０ｎｍであり、好ましくは
５〜３０ｎｍである。

【００１９】上記透明陽極電極２上に形成される発光層
３用材料としては、特に限定はなく、例えば、ベンゾチ
アゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾー
ル系等の蛍光増白剤、スチリルベンゼン系化合物、１２
−フタロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタ
ジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブ
タジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン
誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘
導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、国際
公開公報ＷＯ９０／１３１４８やAppl.Phys.Lett.,vol
58,18,P1982(1991) に記載されているような高分子化合
物、芳香族ジメチリディン化合物、下記の一般式（１）
で表される化合物等の有機発光材料があげられる。これ
らは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

【００２０】

【化１】（Ｒ−Ｑ）₂−Ａｌ−Ｏ−Ｌ …（１）〔式中、Ｒはアルミニウム原子に置換８−キノリラート
配位子が２個を上回って結合するのを立体的に妨害する
ように選ばれた８−キノリノラート環置換基、Ｑは置換
キノリノラート配位子、Ｌはフェニル部分を含んでなる
炭素数６〜２４の炭化水素基、Ｏ−Ｌはフェノラート配
位子をそれぞれ示す。〕

【００２１】上記発光層３の厚みは、通常、５〜２００
ｎｍであり、好ましくは１０〜１００ｎｍである。

【００２２】上記発光層３上に形成される透明陰極電極
４は、上記透明陽極電極２と同様、金属薄膜と高屈折率
薄膜とを積層してなる透明電極であり、可視光透過率が
３０％以上に設定されている。そして、上記透明陰極電
極４は、金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる多層構造で
あり、金属薄膜と高屈折率薄膜との２層構造、金属薄膜
を高屈折率薄膜でサンドイッチした３層構造のもの（高
屈折率薄膜／金属薄膜／高屈折率薄膜）が好ましい。な
お、発光層３上に、金属薄膜と高屈折率薄膜とを成膜し
て２層構造の透明陰極電極４を形成する場合、透明性、
発光性の観点から、発光層３上に金属薄膜を成膜し、そ
の表面に高屈折率薄膜を成膜することが好ましい。

【００２３】また、上記透明陰極電極４における金属薄
膜用材料、高屈折率薄膜用材料およびこれら薄膜の厚み
（透明陰極電極４の総厚みも含む）は、上記透明陽極電
極２に準じる。

【００２４】ここで、本発明の有機ＥＬ素子は、発光効
率向上のために、透明陽極電極２の正孔注入性および透
明陰極電極４の電子注入性を向上させる必要がある。そ
のためには、上記透明陽極電極２を構成している薄膜の
うち、発光層３に隣接している薄膜（有機物層隣接層）
の仕事関数が４ｅＶ以上に設定され、かつ上記透明陰極
電極４における有機物層隣接層の仕事関数が４ｅＶ未満
に設定されていると好ましい。

【００２５】上記透明陽極電極２における有機物層隣接
層の形成材料としては、ＩＴＯ，Ｉｎ₂Ｏ₃，Ｓｎ
Ｏ₂，ＺｎＯ，ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂，酸化アンチモン，
炭素，アルミニウム，銅，銀，金，白金およびこれらを
含有する上記高屈折率薄膜用材料との混合材料があげら
れる。

【００２６】上記透明陰極電極４における有機物層隣接
層の形成材料としては、マグネシウム，カルシウム，マ
ンガン，リチウム，セシウム等を含有する合金、および
これらを含有する上記高屈折率薄膜用材料との混合材料
薄膜があげられる。

【００２７】そして、本発明の有機ＥＬ素子は、例え
ば、つぎのようにして作製することができる。すなわ
ち、まず、透明基板１の表面にマグネトロンスパッタ蒸
着装置を用いて先に述べた高屈折率薄膜用材料を蒸着し
高屈折率薄膜を成膜した後、この高屈折率薄膜の表面に
マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて金属を蒸着し金
属薄膜を成膜し、さらにこの金属薄膜の表面にマグネト
ロンスパッタ蒸着装置を用いて高屈折率薄膜用材料（透
明陽極電極２における有機物層隣接層用材料）を蒸着し
高屈折率薄膜を成膜して、高屈折率薄膜と金属薄膜と高
屈折率薄膜とからなる３層構造の透明陽極電極２を形成
する。つぎに、この透明陽極電極２の有機金属酸化物薄
膜の表面に発光層３を真空蒸着等により成膜する。続い
て、上記発光層３の表面にマグネトロンスパッタ蒸着装
置を用いて高屈折率薄膜用材料（透明陰極電極４におけ
る有機物層隣接層用材料）を蒸着し高屈折率薄膜を成膜
した後、この高屈折率薄膜の表面にマグネトロンスパッ
タ蒸着装置を用いて金属を蒸着し金属薄膜を成膜し、さ
らにこの金属薄膜の表面にマグネトロンスパッタ蒸着装
置を用いて高屈折率薄膜用材料を蒸着し高屈折率薄膜を
成膜して、高屈折率薄膜と金属薄膜と高屈折率薄膜とか
らなる３層構造の透明陰極電極４を形成する。このよう
にして、有機ＥＬ素子を得ることができる（図１参
照）。

【００２８】なお、本発明の有機ＥＬ素子において、高
屈折率薄膜および金属薄膜の形成処理は、上述のように
マグネトロンスパッタ蒸着による以外にも、例えば、真
空蒸着、イオンプレーディング、メッキ処理等によって
も、なし得る。

【００２９】また、本発明の有機ＥＬ素子において、透
明陽極電極２と透明陰極電極４との間に設けられる有機
物層は、図１に示したような、発光層３のみの単層構造
に限定されるものではなく、例えば、正孔注入層と発光
層との２層構造、発光層と電子注入層との２層構造、正
孔注入層と発光層と電子注入層の３層構造等があげられ
る。

【００３０】上記正孔注入層用材料としては、特に限定
はなく、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン
誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニ
レンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置
換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアン
トラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導
体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン、
アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（好まし
くはチオフェンオリゴマー）、ポリフィリン化合物、芳
香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、有機
発光材料としても用いることができる芳香族ジメチリデ
ィン系化合物、ｐ型−Ｓｉやｐ型−ＳｉＣ等の無機半導
体等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併
せて用いられる。

【００３１】上記正孔注入層の厚みは、通常、１〜１０
０ｎｍであり、好ましくは１０〜５０ｎｍである。

【００３２】また、上記電子注入層用材料としては、特
に限定はなく、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導
体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘
導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレ
ン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミ
ド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導
体、オキサジアゾール誘導体、特開昭５９−１９４３９
３号公報において発光層の材料として開示されている一
連の電子伝達性化合物、オキサジアゾール環の酸素原子
を硫黄原子に置換したチアゾール誘導体、電子吸引基と
して知られているキノキサリン環を有したキノキサリン
誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフ
リーもしくはメタルフタロシアニンまたはこれらの末端
がアルキル基，スルホン基等で置換されているもの、ジ
スチリルピラジン誘導体、ｎ型−Ｓｉやｎ型−ＳｉＣ等
の無機半導体等があげられる。これらは単独でもしくは
２種以上併せて用いられる。

【００３３】上記電子注入層の厚みは、通常、１〜１０
０ｎｍであり、好ましくは１０〜５０ｎｍである。

【００３４】なお、本発明の有機ＥＬ素子において、透
明基板１上に積層形成する順序は、図１に示したものと
逆であってもよい。すなわち、透明基板１上に透明陰極
電極４が形成され、その表面に発光層３が形成され、さ
らにその表面に透明陽極電極２が形成されて構成されて
いてもよい。

【００３５】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。

【００３６】

【実施例１】透明ガラス（１０ｍｍ×２０ｍｍ、厚み
０．５ｍｍ）を準備し、この表面に、マグネトロンスパ
ッタ蒸着装置を用いてＺｎＯを蒸着し高屈折率薄膜〔厚
み５０ｎｍ、屈折率２．３（測定時の光の波長６３３ｎ
ｍ）〕を成膜した。つぎに、この高屈折率薄膜の表面
に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて銀を蒸着し
金属薄膜（厚み２０ｎｍ）を成膜した。さらに、この金
属薄膜の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用い
てＺｎＯを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み１０ｎｍ、屈折率
２．３（測定時の光の波長６３３ｎｍ）、仕事関数４．
５ｅＶ〕を成膜した。このようにして、透明ガラス表面
に、高屈折率薄膜と金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる
３層構造の透明陽極電極を形成した。つぎに、この透明
陽極電極の表面に、アルミキノリーム錯体（Ａｌｑ₃）
を真空蒸着機を用いて蒸着し、発光層（厚み５０ｎｍ）
を成膜した。そして、この発光層の表面に、マグネトロ
ンスパッタ蒸着装置を用いてマグネシウム−銀系合金
（マグネシウムの原子数の割合が９０ａｔｍ％）を蒸着
し金属薄膜（厚み２０ｎｍ、仕事関数３．２ｅＶ）を成
膜した後、この表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を
用いてＺｎＯを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み５０ｎｍ、屈
折率２．３（測定時の光の波長６３３ｎｍ）〕を成膜
し、金属薄膜と高屈折率薄膜との２層構造からなる透明
陰極電極を形成した。このようにして、透明ガラスと透
明陽極電極と発光層と透明陰極電極とをこの順に積層し
てなる有機ＥＬ素子を作製した。

【００３７】

【実施例２】透明ガラス（１０ｍｍ×２０ｍｍ、厚み
０．５ｍｍ）を準備し、この表面に、マグネトロンスパ
ッタ蒸着装置を用いてＺｎＯを蒸着し高屈折率薄膜〔厚
み５０ｎｍ、屈折率２．３（測定時の光の波長６３３ｎ
ｍ）〕を成膜した。つぎに、この高屈折率薄膜の表面
に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてマグネシウ
ム−銀系合金（マグネシウムの原子数の割合が９０ａｔ
ｍ％）を蒸着し金属薄膜（厚み２０ｎｍ、仕事関数３．
２ｅＶ）を成膜した。このようにして、透明ガラス表面
に、高屈折率薄膜と金属薄膜との２層構造からなる透明
陰極電極を形成した。つぎに、この透明陽極電極の表面
に、アルミキノリーム錯体（Ａｌｑ₃）を真空蒸着機を
用いて蒸着し、発光層（厚み５０ｎｍ）を成膜した。そ
して、この発光層の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着
装置を用いてＺｎＯを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み１０ｎ
ｍ、屈折率２．３（測定時の光の波長６３３ｎｍ）、仕
事関数４．５ｅＶ〕を成膜した後、この表面にマグネト
ロンスパッタ蒸着装置を用いて銀を蒸着し金属薄膜（厚
み２０ｎｍ）を成膜し、さらに、この金属薄膜の表面
に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてＺｎＯを蒸
着し高屈折率薄膜〔厚み５０ｎｍ、屈折率２．３（測定
時の光の波長６３３ｎｍ）〕を成膜して、高屈折率薄膜
と金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる３層構造の透明陽
極電極を形成した。このようにして、透明ガラスと透明
陰極電極と発光層と透明陽極電極とをこの順に積層して
なる有機ＥＬ素子を作製した。

【００３８】

【実施例３】透明ガラス（１０ｍｍ×２０ｍｍ、厚み
０．５ｍｍ）を準備し、この表面に、マグネトロンスパ
ッタ蒸着装置を用いてＴｉＮを蒸着し高屈折率薄膜〔厚
み５０ｎｍ、屈折率２．８（測定時の光の波長６３３ｎ
ｍ）〕を成膜した。つぎに、この高屈折率薄膜の表面
に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて銀を蒸着し
金属薄膜（厚み２０ｎｍ）を成膜した。さらに、この金
属薄膜の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用い
てＴｉＮを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み１０ｎｍ、屈折率
２．８（測定時の光の波長６３３ｎｍ）、仕事関数４．
８ｅＶ〕を成膜した。このようにして、透明ガラス表面
に、高屈折率薄膜と金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる
３層構造の透明陽極電極を形成した。つぎに、この透明
陽極電極の表面に、アルミキノリーム錯体（Ａｌｑ₃）
を真空蒸着機を用いて蒸着し、発光層（厚み５０ｎｍ）
を成膜した。そして、この発光層の表面に、マグネトロ
ンスパッタ蒸着装置を用いてマグネシウム−銀系合金
（マグネシウムの原子数の割合が９０ａｔｍ％）を蒸着
し金属薄膜（厚み２０ｎｍ、仕事関数３．２ｅＶ）を成
膜した後、この表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を
用いてＴｉＮを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み５０ｎｍ、屈
折率２．８（測定時の光の波長６３３ｎｍ）〕を成膜
し、金属薄膜と高屈折率薄膜との２層構造からなる透明
陰極電極を形成した。このようにして、透明ガラスと透
明陽極電極と発光層と透明陰極電極とをこの順に積層し
てなる有機ＥＬ素子を作製した。

【００３９】

【実施例４】透明ガラス（１０ｍｍ×２０ｍｍ、厚み
０．５ｍｍ）を準備し、この表面に、マグネトロンスパ
ッタ蒸着装置を用いてＺｎＳを蒸着し高屈折率薄膜〔厚
み５０ｎｍ、屈折率２．３（測定時の光の波長６３３ｎ
ｍ）〕を成膜した。つぎに、この高屈折率薄膜の表面
に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてマグネシウ
ム−銀系合金（マグネシウムの原子数の割合が９０ａｔ
ｍ％）を蒸着し金属薄膜（厚み２０ｎｍ、仕事関数３．
２ｅＶ）を成膜した。このようにして、透明ガラス表面
に、高屈折率薄膜と金属薄膜との２層構造からなる透明
陰極電極を形成した。つぎに、この透明陽極電極の表面
に、アルミキノリーム錯体（Ａｌｑ₃）を真空蒸着機を
用いて蒸着し、発光層（厚み５０ｎｍ）を成膜した。そ
して、この発光層の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着
装置を用いてＺｎＳを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み１０ｎ
ｍ、屈折率２．３（測定時の光の波長６３３ｎｍ）、仕
事関数４．２ｅＶ〕を成膜した後、この表面にマグネト
ロンスパッタ蒸着装置を用いて銀を蒸着し金属薄膜（厚
み２０ｎｍ）を成膜し、さらに、この金属薄膜の表面
に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてＺｎＳを蒸
着し高屈折率薄膜〔厚み５０ｎｍ、屈折率２．３（測定
時の光の波長６３３ｎｍ）〕を成膜して、高屈折率薄膜
と金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる３層構造の透明陽
極電極を形成した。このようにして、透明ガラスと透明
陰極電極と発光層と透明陽極電極とをこの順に積層して
なる有機ＥＬ素子を作製した。

【００４０】

【比較例】透明ガラス（１０ｍｍ×２０ｍｍ、厚み０．
５ｍｍ）を準備し、この表面に、マグネトロンスパッタ
蒸着装置を用いてＩＴＯを蒸着しＩＴＯ膜（厚み４００
ｎｍ）を成膜し、これを透明陽極電極とした。つぎに、
このＩＴＯ膜の表面にアルミキノリーム錯体（Ａｌ
ｑ₃）を真空蒸着機を用いて蒸着して発光層（厚み５０
ｎｍ）を成膜した。この発光層の表面にアルミニウム−
リチウム系合金を真空蒸着機を用いて蒸着して陰極電極
（厚み５０ｎｍ）を成膜した。このようにして、透明ガ
ラスと透明陽極電極と発光層と陰極電極とをこの順に積
層してなる有機ＥＬ素子を作製した。

【００４１】このようにして得られた実施例品および比
較例品の有機ＥＬ素子を用いて、有機ＥＬ素子全体の可
視光透過率、発光効率および電極コスト（陽極電極コス
ト＋陰極電極コスト）について比較評価を行った。これ
らの結果を、下記の表１に示した。

【００４２】

【表１】

【００４３】上記表１の結果から、実施例品はいずれ
も、有機ＥＬ素子全体の可視光透過率がきわめて高く
（市販の熱線反射ガラスの可視光透過率でも２０％程
度）、シースルーであり、両面からの発光を確認するこ
とができ、しかも比較例品に比べて、電極コストも低く
抑えることができることがわかる。

【００４４】これに対して、比較例品は、アルミニウム
−リチウム系合金を用いて陰極電極を形成しているた
め、電極として使用に耐え得る表面抵抗を得るためには
厚膜とせざるを得ず、不透明であるため、可視光透過率
が０％であることがわかる。

【００４５】

【発明の効果】以上のように、本発明の有機ＥＬ素子
は、透明基板と陽極電極と有機物層と陰極電極とを有す
る有機ＥＬ素子であって、上記陽極電極および陰極電極
が、金属薄膜と高屈折率薄膜とからなるものである。こ
のように、上記金属薄膜と高屈折率薄膜とを用いて陽極
電極および陰極電極を構成しているため、双方の電極の
膜厚が薄く透明性に優れ、両面から発光を取り出すこと
ができる。しかも、双方の電極の膜厚を薄くしても、電
極の低抵抗化を実現できるため、低コストで有機エレク
トロルミネッセンスディスプレイのシースルー化および
大面積化を実現しうるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す断面図であ
る。

【符号の簡単な説明】

１透明基板２透明陽極電極３発光層４透明陰極電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板と陽極電極と有機物層と陰極電
極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であっ
て、上記陽極電極および陰極電極が、金属薄膜と高屈折
率薄膜とを積層してなる透明電極であることを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】上記陽極電極および陰極電極における高
屈折率薄膜の屈折率が、光の波長６３３ｎｍにおいて
１．８以上である請求項１記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。
【請求項３】上記陽極電極における有機物層隣接層の
仕事関数が４ｅＶ以上であり、上記陰極電極における有
機物層隣接層の仕事関数が４ｅＶ未満である請求項１ま
たは２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】上記陽極電極および陰極電極における金
属薄膜が、銀、金、銅、白金、パラジウムおよびアルミ
ニウムからなる群から選ばれた少なくとも一つを含有し
ている請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
【請求項５】上記陽極電極および陰極電極の可視光透
過率が３０％以上である請求項１〜４のいずれか一項に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。