JP4453316B2 - 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 - Google Patents
有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4453316B2 JP4453316B2 JP2003329108A JP2003329108A JP4453316B2 JP 4453316 B2 JP4453316 B2 JP 4453316B2 JP 2003329108 A JP2003329108 A JP 2003329108A JP 2003329108 A JP2003329108 A JP 2003329108A JP 4453316 B2 JP4453316 B2 JP 4453316B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- organic light
- emitting device
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 1158
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 153
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 19
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N chromium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Cr+4] IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 3
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 159
- 230000008569 process Effects 0.000 description 53
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DFFZTRDJQPSNGD-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Sm].[Ag] Chemical compound [Cu].[Sm].[Ag] DFFZTRDJQPSNGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- -1 metal nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
まず、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る表示装置としての有機ELディスプレイの構成について説明する。図1は、有機ELディスプレイの断面構成を表している。
(2LR)/λ+Φ/(2π)=mR
(式中、LR,λ,Φ,mRは、LRが反射層162R(反射層162のうちのバリア層163Rに隣接する第1の端面としての端面(共振端面)PR1)と上部電極層19(上部電極層19のうちの発光層を含む層18に隣接する第2の端面としての端面PR2)との間の光学的距離、λが放出したい光のスペクトルのピーク波長、Φが反射層(端面PR1)および上部電極層(端面PR2)で生じる反射光の位相シフト、mRが0または整数(例えばmR=0)をそれぞれ表している。)
(2LG)/λ+Φ/(2π)=mG
(式中、LG,Φ,mGは、LGが反射層162G(反射層162Gのうちのバリア層163Gに隣接する第1の端面としての端面(共振端面)PG1)と上部電極層19(上部電極層19のうちの発光層を含む層18に隣接する第2の端面としての端面PG2)との間の光学的距離、Φが反射層162G(端面PG1)および上部電極層19(端面PG2)で生じる反射光の位相シフト、mGが0または整数(例えばmG=0)をそれぞれ表している。)
(2LB)/λ+Φ/(2π)=mB
(式中、LB,Φ,mBは、LBが反射層162B(反射層162Bのうちのバリア層163Bに隣接する第1の端面としての端面(共振端面)PB1)と上部電極層19(上部電極層19のうちの発光層を含む層18に隣接する第2の端面としての端面PB2)との間の光学的距離、Φが反射層162B(端面PB1)および上部電極層19(端面PB2)で生じる反射光の位相シフト、mBが0または整数(例えばmB=0)をそれぞれ表している。)
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。
Claims (31)
- 下部電極層と上部電極層との間に発光層を含む層が挟まれた構成を有する赤色有機発光素子、緑色有機発光素子および青色有機発光素子を備え、
前記下部電極層は、前記発光層を含む層から遠い側から順に反射層およびバリア層が積層された積層単位を有すると共に、その積層単位が1または2以上繰り返された積層構造を含み、
前記発光層は、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子の間において互いに等しい色の光を発生し、
前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子は、前記発光層において発生した光を前記反射層のうちの最上層の共振端面と前記上部電極層との間において共振させたのち、その上部電極層を経由してそれぞれ赤色の光、緑色の光および青色の光を放出し、
前記反射層および前記バリア層の積層方向における前記共振端面の位置、ならびに前記下部電極層における前記積層単位の数は、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子のうちの少なくとも2つの間において互いに異なっており、
前記バリア層のうちの最上層の厚さは、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子の間において互いに異なっている
有機発光装置。 - 前記下部電極層は、前記赤色有機発光素子および前記緑色有機発光素子において第1反射層、第1バリア層、第2反射層および第2バリア層を含むと共に、前記青色有発光素子において第1反射層および第2バリア層を含み、
前記赤色有機発光素子および前記緑色有機発光素子は、前記第2反射層と前記上部電極層との間において光を共振させると共に、前記青色有機発光素子は、前記第1反射層と前記上部電極層との間において光を共振させ、
前記共振端面の位置は、前記赤色有機発光素子と前記緑色有機発光素子との間において互いに一致していると共に、前記赤色有機発光素子および前記緑色有機発光素子と前記青色有機発光素子との間において互いに異なっており、
前記赤色有機発光素子における前記第2バリア層の厚さ、前記緑色有機発光素子における前記第2バリア層の厚さ、および前記青色有機発光素子における前記第1バリア層の厚さは、この順に薄くなっている、請求項1記載の有機発光装置。 - 前記下部電極層は、前記赤色有機発光素子において第1反射層、第1バリア層、第2反射層、第2バリア層、第3反射層および第3バリア層を含み、前記緑色有機発光素子において第1反射層、第1バリア層、第2反射層および第2バリア層を含み、前記青色有機発光素子において第1反射層および第1バリア層を含み、
前記赤色有機発光素子は、前記第3反射層と前記上部電極層との間において光を共振させ、前記緑色有機発光素子は、前記第2反射層と前記上部電極層との間において光を共振させ、前記青色有機発光素子は、前記第1反射層と前記上部電極層との間において光を共振させ、
前記共振端面の位置は、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子の間において互いに異なっており、
前記赤色有機発光素子における前記第3バリア層の厚さ、前記緑色有機発光素子における前記第2バリア層の厚さ、前記青色有機発光素子における前記第1バリア層の厚さは、この順に厚くなっている、請求項1記載の有機発光装置。 - 前記発光層を含む層の厚さは、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子の間において互いに等しくなっている、請求項1記載の有機発光装置。
- 前記発光層を含む層は、有機層である、請求項1記載の有機発光装置。
- 前記発光層は、前記下部電極層に近い側から順に、赤色の光を発生させる赤色発光層と、緑色の光を発生させる緑色発光層と、青色の光を発生させる青色発光層とが積層された構成を有している、請求項1記載の有機発光装置。
- さらに、前記下部電極層と電気的に接続され、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子の間の抵抗差を緩和するための補助配線を備え、この補助配線は、前記赤色有機発光素子における前記下部電極層と同一の積層構造を含んでいる、請求項1記載の有機発光装置。
- 前記バリア層の厚さは、1nm以上200nm以下の範囲内である、請求項1記載の有機発光装置。
- 前記バリア層は、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、ガリウム(Ga)およびアルミニウム(Al)を含む群のうちの少なくとも1種の金属、その金属の合金、その金属酸化物、またはその金属窒化物を含む光透過性材料により構成されている、請求項1記載の有機発光装置。
- 前記バリア層は、酸化インジウム錫(ITO;Indium Tin Oxide)、酸化インジウム亜鉛(IZO;Indium Zinc Oxide )、酸化インジウム(In2 O3 )、酸化錫(SnO2 )、酸化亜鉛(ZnO)、酸化カドミウム(CdO)、酸化チタン(TiO2 )および酸化クロム(CrO2 )を含む群のうちの少なくとも1種の金属酸化物を含む光透過性材料により構成されている、請求項1記載の有機発光装置。
- 前記バリア層は、前記反射層よりも仕事関数が大きい材料により構成されている、請求項1記載の有機発光装置。
- 前記反射層は、銀(Ag)または銀を含む合金により構成されている、請求項1記載の有機発光装置。
- 前記反射層は、銀(Ag)と共に、パラジウム(Pd)、ネオジウム(Nd)、サマリウム(Sm)、イットリウム(Y)、セリウム(Ce)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、エルビウム(Er)、イッテルビウム(Yb)、スカンジウム(Sc)、ルテニウム(Ru)、銅(Cu)および金(Au)を含む群のうちの少なくとも1種の金属を含んでいる、請求項1記載の有機発光装置。
- さらに、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子を支持するための基体を備え、前記下部電極層は、さらに、前記基体に対する前記反射層および前記バリア層の密着性を高めるための密着層を含んでいる、請求項1記載の有機発光装置。
- 前記密着層は、クロム(Cr)、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)およびモリブデン(Mo)を含む群のうちの少なくとも1種の金属、その金属の合金、その金属酸化物、またはその金属窒化物により構成されている、請求項14記載の有機発光装置。
- 前記基体に、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子が配設される下地領域を平坦化するための平坦化層が設けられており、前記密着層は、前記平坦化に対する密着性を高めるためのものである、請求項14記載の有機発光装置。
- 前記反射層のうちの最上層と前記上部電極層との間の光学的距離Lは、下記の数1の関係を満たしている、請求項1記載の有機発光装置。
(数1)
(2L)/λ+Φ/(2π)=m
(式中、L,λ,Φ,mは、Lが反射層(最上層のうちのバリア層に隣接する第1の端面)と上部電極層(上部電極層のうちの発光層を含む層に隣接する第2の端面)との間の光学的距離、λが放出したい光のスペクトルのピーク波長、Φは反射層(第1の端面)および上部電極層(第2の端面)で生じる反射光の位相シフト、mが0または整数をそれぞれ表している。) - 前記反射層の厚さは100nm以上300nm以下の範囲内、前記上部電極層の厚さは1nm以上20nm以下の範囲内である、請求項1記載の有機発光装置。
- 下部電極層と上部電極層との間に発光層を含む層が挟まれた構成を有する赤色有機発光素子、緑色有機発光素子および青色有機発光素子を備えた有機発光装置の製造工程が、
前記発光層を含む層から遠い側から順に反射層およびバリア層が積層された積層単位を有すると共に、その積層単位が1または2以上繰り返された積層構造を含むように、前記下部電極層を形成する工程を含み、
前記発光層が、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子の間において互いに等しい色の光を発生し、
前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子が、前記発光層において発生した光を前記反射層のうちの最上層の共振端面と前記上部電極層との間において共振させたのち、その上部電極層を経由してそれぞれ赤色の光、緑色の光および青色の光を放出し、
前記反射層および前記バリア層の積層方向における前記共振端面の位置、ならびに前記下部電極層における前記積層単位の数が、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子のうちの少なくとも2つの間において互いに異なり、
前記バリア層のうちの最上層の厚さが、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子の間において互いに異なるようにする
有機発光装置の製造方法。 - 前記下部電極層を形成する工程は、
第1反射層、第1バリア層、第2反射層、第2バリア層および第3バリア層をこの順に形成して積層させる工程と、
この第3バリア層のうち、前記赤色有機発光素子が形成されることとなる赤色領域上に、第1のマスクをパターン形成する工程と、
この第1のマスクを使用し、前記第3バリア層をエッチングしてパターニングすることにより、前記赤色領域に前記第3バリア層を残存させると共に、その赤色領域の周辺領域に前記第2バリア層を露出させる工程と、
この第2バリア層の露出面のうち、前記緑色有機発光素子が形成されることとなる緑色領域上に、第2のマスクをパターン形成する工程と、
前記第1および第2のマスクを使用し、前記第2反射層および前記第2バリア層を連続的にエッチングしてパターニングすることにより、前記赤色領域および前記緑色領域にそれぞれ前記第2反射層および前記第2バリア層を残存させると共に、それらの赤色領域および緑色領域の周辺領域に前記第1バリア層を露出させる工程と、
この第1バリア層の露出面のうち、前記青色有機発光素子が形成されることとなる青色領域上に、第3のマスクをパターン形成する工程と、
前記第1、第2および第3のマスクを使用し、前記第1反射層および前記第1バリア層を連続的にエッチングしてパターニングすることにより、前記赤色領域、前記緑色領域および前記青色領域にそれぞれ前記第1反射層および前記第1バリア層を残存させる工程と、を含み、
前記赤色有機発光素子および前記緑色有機発光素子が、前記第2反射層と前記上部電極層との間において光を共振させると共に、前記青色有機発光素子が、前記第1反射層と前記上部電極層との間において光を共振させ、
前記赤色有機発光素子における前記第2バリア層および前記第3バリア層の厚さ、前記緑色有機発光素子における前記第2バリア層の厚さ、ならびに前記青色有機発光素子における前記第1バリア層の厚さが、この順に薄くなるようにする
請求項19記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記第2反射層をウェットエッチングするためのエッチャントに対して耐性を有する材料を使用して前記第1バリア層を形成し、
前記第2反射層および前記第2バリア層をエッチングする工程において、ドライエッチングを使用して前記第2バリア層を最後までエッチングすると共に前記第2反射層を途中までエッチングしたのち、ウェットエッチングを使用して前記第2反射層を最後までエッチングする
請求項20記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記下部電極層を形成する工程は、
第1反射層、第1バリア層、第2反射層、第2バリア層、第3反射層および第3バリア層をこの順に形成して積層させる工程と、
この第3バリア層のうち、前記赤色有機発光素子が形成されることとなる赤色領域上に、第1のマスクをパターン形成する工程と、
この第1のマスクを使用し、前記第3反射層および前記第3バリア層を連続的にエッチングしてパターニングすることにより、前記赤色領域に前記第3反射層および前記第3バリア層を残存させると共に、その赤色領域の周辺領域に前記第2バリア層を露出させる工程と、
この第2バリア層の露出面のうち、前記緑色有機発光素子が形成されることとなる緑色領域上に、第2のマスクをパターン形成する工程と、
前記第1および第2のマスクを使用し、前記第2反射層および前記第2バリア層を連続的にエッチングしてパターニングすることにより、前記赤色領域および前記緑色領域にそれぞれ前記第2反射層および前記第2バリア層を残存させると共に、それらの赤色領域および緑色領域の周辺領域に前記第1バリア層を露出させる工程と、
この第1バリア層のうち、前記青色有機発光素子が形成されることとなる青色領域上に、第3のマスクをパターン形成する工程と、
前記第1、第2および第3のマスクを使用し、前記第1反射層および前記第1バリア層を連続的にエッチングしてパターニングすることにより、前記赤色領域、前記緑色領域および前記青色領域にそれぞれ前記第1反射層および前記第1バリア層を残存させる工程と、を含み、
前記赤色有機発光素子が、前記第3反射層と前記上部電極層との間において光を共振させ、前記緑色有機発光素子が、前記第2反射層と前記上部電極層との間において光を共振させ、前記青色有機発光素子が、前記第1反射層と前記上部電極層との間において光を共振させ、
前記赤色有機発光素子における前記第3バリア層の厚さ、前記緑色有機発光素子における前記第2バリア層の厚さ、ならびに前記青色有機発光素子における前記第1バリア層の厚さが、この順に厚くなるようにする
請求項19記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記第2反射層をウェットエッチングするためのエッチャントに対して耐性を有する材料を使用して前記第1バリア層を形成すると共に、前記第3反射層をウェットエッチングするためのエッチャントに対して耐性を有する材料を使用して前記第2バリア層を形成し、
前記第2反射層および前記第2バリア層、ならびに前記第3反射層および前記第3バリア層をそれぞれエッチングする工程において、ドライエッチングを使用して前記第2バリア層または前記第3バリア層を最後までエッチングすると共に前記第2反射層または前記第3反射層を途中までエッチングしたのち、ウェットエッチングを使用して前記第2反射層または前記第3反射層を最後までエッチングする
請求項22記載の有機発光装置の製造方法。 - インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、ガリウム(Ga)およびアルミニウム(Al)を含む群のうちの少なくとも1種の金属、その金属の合金、その金属酸化物、またはその金属窒化物を含む光透過性材料を使用して、前記バリア層を形成する、請求項19記載の有機発光装置の製造方法。
- 酸化インジウム錫(ITO;Indium Tin Oxide)、酸化インジウム亜鉛(IZO;Indium Zinc Oxide )、酸化インジウム(In2 O3 )、酸化錫(SnO2 )、酸化亜鉛(ZnO)、酸化カドミウム(CdO)、酸化チタン(TiO2 )および酸化クロム(CrO2 )を含む群のうちの少なくとも1種の金属酸化物を含む光透過性材料を使用して、前記バリア層を形成する、請求項19記載の有機発光装置の製造方法。
- 銀(Ag)または銀を含む合金を使用して、前記反射層を形成する、請求項19記載の有機発光装置の製造方法。
- 銀(Ag)と共に、パラジウム(Pd)、ネオジウム(Nd)、サマリウム(Sm)、イットリウム(Y)、セリウム(Ce)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、エルビウム(Er)、イッテルビウム(Yb)、スカンジウム(Sc)、ルテニウム(Ru)、銅(Cu)および金(Au)を含む群のうちの少なくとも1種の金属を含むように、前記反射層を形成する、請求項19記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記下部電極層を形成する工程において、さらに、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子を支持するための基体に、その基体に対する前記反射層および前記バリア層の密着性を高めるための密着層を形成する、請求項19記載の有機発光装置の製造方法。
- クロム(Cr)、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)およびモリブデン(Mo)を含む群のうちの少なくとも1種の金属、その金属の合金、その金属酸化物、またはその金属窒化物を含むように、前記密着層を形成する、請求項28記載の有機発光装置の製造方法。
- さらに、前記基体に、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子が形成されることとなる下地領域を平坦するための平坦化層を形成する工程を含み、この下地層に、前記密着層を形成する、請求項28記載の有機発光装置の製造方法。
- 下部電極層と上部電極層との間に発光層を含む層が挟まれた構成を有する赤色有機発光素子、緑色有機発光素子および青色有機発光素子を備え、
前記下部電極層は、前記発光層を含む層から遠い側から順に反射層およびバリア層が積層された積層単位を有すると共に、その積層単位が1または2以上繰り返された積層構造を含み、
前記発光層は、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子の間において互いに等しい色の光を発生し、
前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子は、前記発光層において発生した光を前記反射層のうちの最上層の共振端面と前記上部電極層との間において共振させたのち、その上部電極層を経由してそれぞれ赤色の光、緑色の光および青色の光を放出し、
前記反射層および前記バリア層の積層方向における前記共振端面の位置、ならびに前記下部電極層における前記積層単位の数は、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子のうちの少なくとも2つの間において互いに異なっており、
前記バリア層のうちの最上層の厚さは、前記赤色有機発光素子、前記緑色有機発光素子および前記青色有機発光素子の間において互いに異なっている
ことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003329108A JP4453316B2 (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003329108A JP4453316B2 (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005093401A JP2005093401A (ja) | 2005-04-07 |
JP4453316B2 true JP4453316B2 (ja) | 2010-04-21 |
Family
ID=34458447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003329108A Expired - Fee Related JP4453316B2 (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4453316B2 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4439260B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-03-24 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP4475942B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-06-09 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
CN101027942B (zh) | 2004-09-24 | 2010-06-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件 |
JP4939809B2 (ja) | 2005-01-21 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP4797438B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2011-10-19 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
US8729795B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US8102111B2 (en) | 2005-07-15 | 2012-01-24 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescence device, method of manufacturing electroluminescence device, and electronic apparatus |
JP4548253B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
JP5055723B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2012-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、その製造方法および電子機器 |
JP2007052971A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Seiko Epson Corp | 発光装置、その設計方法および電子機器 |
JP2008059791A (ja) | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Canon Inc | 有機el素子アレイ |
JP2008135373A (ja) | 2006-10-24 | 2008-06-12 | Canon Inc | 有機発光装置及びその製造方法 |
KR101358782B1 (ko) | 2006-11-08 | 2014-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
JP5593621B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2014-09-24 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
EP2239798A1 (en) | 2009-04-07 | 2010-10-13 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Patterning the emission colour in top-emissive OLEDs |
CN102474937A (zh) * | 2009-07-06 | 2012-05-23 | 先锋股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
KR102138213B1 (ko) * | 2010-11-24 | 2020-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 광 디바이스 및 유기 광 디바이스의 보호 부재 |
KR101894898B1 (ko) | 2011-02-11 | 2018-09-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기 |
KR101960759B1 (ko) | 2011-04-08 | 2019-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR101917752B1 (ko) | 2011-05-11 | 2018-11-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 모듈, 발광 패널, 발광 장치 |
JP2012252829A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法 |
WO2013008765A1 (en) | 2011-07-08 | 2013-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module |
JP5722453B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2015-05-20 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
WO2013047457A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法および表示装置 |
WO2014155691A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP6119437B2 (ja) * | 2013-06-05 | 2017-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
JP2015187982A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
KR102377360B1 (ko) | 2014-08-08 | 2022-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치, 표시 장치, 디스플레이 패널, 전자 기기 |
JP7016633B2 (ja) * | 2016-10-28 | 2022-02-07 | キヤノン株式会社 | 複数の有機el素子を有する白色発光装置 |
FR3091035B1 (fr) * | 2018-12-19 | 2020-12-04 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION D’UN PIXEL D’UN MICRO-ECRAN A OLEDs |
-
2003
- 2003-09-19 JP JP2003329108A patent/JP4453316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005093401A (ja) | 2005-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4453316B2 (ja) | 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 | |
JP4179119B2 (ja) | 有機発光装置の製造方法 | |
JP4618323B2 (ja) | 有機発光装置および表示装置 | |
US10916593B2 (en) | Display unit | |
KR100990871B1 (ko) | 발광 디바이스, 발광 디바이스 제조 방법, 및 디스플레이 유닛 | |
JP4016144B2 (ja) | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置 | |
JP5109303B2 (ja) | 有機発光素子および表示装置 | |
JP2007157732A (ja) | 発光素子およびこれを用いた表示装置 | |
JP3944906B2 (ja) | 発光素子およびこれを用いた表示装置 | |
JP4736284B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
JP2005093329A (ja) | 表示素子およびこれを用いた表示装置 | |
JP2008091223A (ja) | 表示装置 | |
JP2011040340A (ja) | 有機el装置 | |
JP2011154968A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091211 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100112 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100125 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |