CN102474937A

CN102474937A - 显示装置及其制造方法

Info

Publication number: CN102474937A
Application number: CN2009801603677A
Authority: CN
Inventors: 小山田崇人; 吉冈俊博; 内田敏治
Original assignee: Pioneer Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2009-07-06
Filing date: 2009-07-06
Publication date: 2012-05-23
Also published as: KR20120041748A; US20120161172A1; JPWO2011004421A1; JP5292465B2; WO2011004421A1; KR101331232B1

Abstract

本发明提供一种可抑制色纯度下降的显示装置。其具有第一～第三共振器结构，第一共振器结构包括：上部反射部件；下部反射部件；和配置在所述上部反射部件和下部反射部件之间的、包含发出红光的发光层的发光功能层；第二共振器结构包括：上部反射部件；下部反射部件；和配置在所述上部反射部件和下部反射部件之间的、包含发出蓝光的发光层的发光功能层；第三共振器结构包括：上部反射部件；下部反射部件；和配置在所述上部反射部件和下部反射部件之间的、包含发出绿光的发光层的发光功能层，所述红色发光层是配置于各个所述第一～第三共振器结构的发光功能层的公共层。

Description

显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及显示装置及其制造方法。

背景技术

利用在施加电压时产生电致发光(EL)现象而自发光的物质的EL显示装置作为显示装置和照明装置等已众所周知。EL显示装置中，由薄膜状的EL发光元件形成显示区域的像素，该薄膜状的EL发光元件中，在上部电极和下部电极间形成由有机材料或无机材料构成的发光功能层。

EL发光元件通过选择例如材料或滤色镜等可发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的光。因此在基板上排列多个发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)光的EL发光元件，可制造出能够进行全色彩显示的显示装置。

但是，在基板上制作多个微小且薄的EL发光元件，在技术上难度高，成膜精度要求高。解决上述问题的一个方法是，利用喷墨法形成红色发光元件和绿色发光元件的发光层，利用真空蒸镀法形成蓝色发光元件的发光层(例如，参照专利文献1)。

但是，专利文献1公开的发光元件是使由发光层生成的光从由透明材料形成的阳极和基板一侧射出的底部发光结构，当在红色发光层和绿色发光层上层叠蓝色发光层时，红色和绿色的色纯度会下降。尤其是发出红光的像素，因混入蓝色色纯度容易下降，若蓝色的混入量多，则会变成紫色。

专利文献

专利文献1：日本专利第4062352号公报

发明内容

以上为本发明所要解决的课题的一个例子。本发明的目的在于提供一种可抑制色纯度下降的显示装置及其制造方法。

本发明的显示装置的特征在于，具有：第一共振器结构，其包括：上部反射部件；下部反射部件；和配置在所述上部反射部件和下部反射部件之间的、包含发出红光的发光层的发光功能层；第二共振器结构，其包括：上部反射部件；下部反射部件；和配置在所述上部反射部件和下部反射部件之间的、包含发出蓝光的发光层的发光功能层；第三共振器结构，其包括：上部反射部件；下部反射部件；和配置在所述上部反射部件和下部反射部件之间的、包含发出绿光的发光层的发光功能层，所述红色发光层是配置于各个所述第一～第三共振器结构的发光功能层的公共层。

本发明的显示装置的制造方法的特征在于，包括：形成第一、第二和第三共振器结构的下部反射部件的工序；在所述第一共振器结构的下部反射部件上形成包含发出红光的红色发光层的发光功能层的工序；在所述第二共振器结构的下部反射部件上形成包含发出蓝光的蓝色发光层的发光功能层的工序；在所述第三共振器结构的下部反射部件上形成包含发出绿光的绿色发光层的发光功能层的工序；和形成第一、第二和第三共振器结构的上部反射部件的工序，在所述第二和第三共振器结构中，基于涂布法分别涂布形成所述蓝色发光层和绿色发光层，所述红色发光层为配置于各所述第一～第三共振器结构的发光功能层中的公共层，利用涂布法以外的成膜方法形成于所述第一～第三共振器结构。

附图说明

图1是本发明第一实施方式的RGB发光元件的纵截面图。

图2是本发明第一实施方式的RGB发光元件的俯视图。

图3是上述RGB发光元件层状图。

图4是表示上述RGB发光元件的制造工序的图。

图5是表示上述RGB发光元件的蓝光的发光特性的图。

图6是表示上述RGB发光元件的蓝光的色纯度的图。

图7是表示上述RGB发光元件的绿光的发光特性的图。

图8是表示上述RGB发光元件的绿光的色纯度的图。

图9是例如使蓝色发光层为公共层时的RGB发光元件的层状图。

图10是上述使蓝色发光层为公共层时的红光的发光特性的图。

图11是上述使蓝色发光层为公共层时的红光的色纯度的图。

符号说明

1 基板

2 阳极

3 发光功能层

31R 红色发光层(红色公共层)

31G 绿色发光层

31B 蓝色发光层

32 空穴注入层

33 空穴输送层

34 电子输送层

35 光路长度调整层

4 阴极

6 隔壁部

具体实施方式

下面，结合附图详细说明基于发明优选实施方式的显示装置。但是，不能将以下说明的实施方式解释为对本发明技术范围的限定。

(第一实施方式)

图1和图2所示的例子中，在公共的基板1配置发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)光的第一～第三共振器结构(R、G、B)，形成RGB发光元件。图1是RGB发光元件的纵截面图，图2是俯视图。图3是上述RGB发光元件的层状结构图，在层状结构内标注的数值为各层厚度(膜厚)的一个例子。实际的显示装置是在基板1上排列多个RGB发光元件而形成显示区域，利用配置在未图示的显示区域之外的驱动电路进行被动驱动，或者对于每个元件配置驱动电路而进行主动驱动。

如图1所示，第一～第三共振器结构(R、G、B)为所谓的顶部发光结构，即在基板上层叠作为下部反射部件的阳极2、发光功能层3、作为上部反射部件的阴极4、密封层5，并从成膜面一侧射出光。各共振器结构(R、G、B)由被称为堤(bank)的隔壁部6隔开。虽然图中没有显示，但还可以在基板上层叠防止外部光反射的薄膜或基板。密封层5根据情况配置的任意层，也可以不设置密封层5。

阳极2为两层结构，包括反射电极21和透明电极22。阳极2与发光功能层3相接的材料使用逸出功高的材料。具体地，反射电极21的材料可以使用例如Al、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Ag等金属，或含有这些金属的合金或金属间化合物等。反射电极21的厚度例如为100nm。反射电极21对于400～700nm波长光的反射率的平均值在80％以上，优选高反射率。透明电极22的材料例如可以使用ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等金属氧化物等。透明电极22的厚度例如为75nm。虽然在图1和图2中省略了图示，阳极2连接有引出电极(配线电极)。阳极2也可以为具有反射电极21的单层电极。

第一～第三共振器结构(R、G、B)，在各自的发光功能层3中分别具有发出红光的红色发光层31R、发出绿光的绿色发光层31G、发出蓝光的蓝色发光层31B。红色发光层31R、绿色发光层31G、蓝色发光层31B是通过例如选择产生电致发光(EL)现象的材料而呈现不同发光色的EL发光层。其中，红色发光层31R不仅形成于第一共振器结构R，同样也形成于第二共振器结构G和第三共振器结构B各自的发光功能层3。即，红色发光层31R是形成于各第一～第三共振器结构(R、G、B)的发光功能层3的公共层(因此，在本说明书中称为“红色公共层”)。

例如，可以通过一个工序在第一～第三共振器结构(R、G、B)中同时形成红色公共层31R的膜。如后所述，采用共振器结构，即使混入30％左右的红色公共层31R发出的红光，也可以抑制蓝色和绿色色纯度下降。但是，对于蓝光和/或绿光，为了得到充分满足规格的色纯度，红色公共层31R的最佳膜厚为40nm以下，优选30nm以下。可通过涂布法以外的方法形成上述红色公共层31R。例如，其成膜方法可以是蒸镀法或激光烧蚀(1aser ablation)法等。但成膜方法不限于此。所谓混入量是根据R、G、B的发光峰值强度比得到的。R在590～700nm的范围，G在490～540nm，B在430～490nm。

进一步，如图1所示，阴极一侧配置红色发光层31R并使其与蓝色发光层31B和绿色发光层31G相接，此时，优选红色发光层31R具有电子输送性和/或空穴阻挡特性。例如可通过将具有后述发光功能的材料和具有后述电子输送特性等的材料相混合而形成具有上述功能的红色发光层31R。

另一方面，绿色发光层31G和蓝色发光层31B仅形成于第二共振器结构G和第三共振器结构B。例如，蓝色发光层31B的膜厚为20nm，绿色发光层的膜厚为65nm。蓝色发光层31B和绿色发光层31G可通过喷墨法等涂布法分别涂布形成薄膜。但成膜方法不限于此。

配置于阳极2和阴极4之间的发光功能层3至少具有EL发光层(31R、31G、31B)即可。但是，为了有效地促进电致发光现象，可根据情况适当配置空穴注入层和/或空穴输送层、电子输送层和/或空穴阻挡层、电子注入层等功能层，形成多层结构。

图1表示配置有空穴注入层32、空穴输送层33、电子输送层34的结构的例子。上述空穴注入层32、空穴输送层33和电子输送层34、与红色公共层31R相同，作为公共层形成于第一～第三共振器结构(R、G、B)。因此，空穴注入层32、空穴输送层33和电子输送层34有相同的膜厚和形成顺序。例如，空穴注入层32的膜厚为30nm，空穴输送层33的膜厚为30nm，电子输送层34的膜厚为20nm。

在通过喷墨法等涂布法形成蓝色发光层31B和绿色发光层31G时，对于与这些液状材料接触的下层空穴输送层33(或者是空穴注入层)，选择不溶于上述液状材料的材料，或者对其实施不溶处理。虽然因发光层的液状材料的不同情况有所不同，作为不溶于上述液状材料的材料，例如有在有机材料中，将光热交联型的氧杂环丁烷(oxetane)骨架导入到空穴输送材料而得的DHTBOX(参照书名：有机EL设备物理·材料化学·设备应用-112页)。作为不溶处理的具体例子，比如有基于光聚合反应等的交联处理、亲水处理或疏水处理等。

在此，共振器结构(R、G、B)具有对于各自的发光颜色为最佳的共振器光路长度。在图1所示的情形下，共振器光路长度与反射电极21和阴极4的反射面的间隔距离相等。作为一个例子，对于红色(R)，为得到最佳共振器光路长度，层叠膜厚为300nm；对于绿色(G)，为得到最佳共振器光路长度，层叠膜厚为240nm；对于蓝色(B)，为得到最佳共振器光路长度，层叠膜厚为195nm。但并不限于此。

如图1和图3所示，在第二共振器结构G和第三共振器结构B，通过改变作为EL发光层的绿色发光层31G和蓝色发光层31B的厚度，调整共振器光路长度。因此，可将空穴注入层32等其他膜设为膜厚一定的公用层。另一方面，在第一共振器结构R中，作为EL发光层的红色发光层31R为公共层，因此追加光路长度调整层35来调整共振器光路长度。通过追加该光路长度调整层35，空穴注入层32等其他的膜可以被设为与在第二共振器结构G和第三共振器结构B中的膜的膜厚相同的公用层。

光路长度调整层35使用空穴传送特性(迁移率)比红色发光层31R高的材料，配置在与蓝色发光层31B和绿色发光层31G对应的层阶位置。即，图1中的光路长度调整层除了调整共振器管路长度外，还具有空穴传送层的功能。通过采用上述结构，即使形成级数相同的共振器结构，也可形成薄的红色发光层31R的膜，具有能够抑制共振器光路长最大的第一共振器结构R电压上升的优点。但是，光路长度调整层35并不限于图1所示的位置，也可以使用电子迁移率比红色发光层31R高的材料，配置于比红色发光层31R靠阴极一侧。

空穴注入层31、空穴输送层32和图1的光路长度调整层35可以由空穴传送特性(迁移率)高的材料形成，例如可以使用酞菁铜(CuPc)等酞菁化合物，m-MTDATA等星型(starburst)胺，联苯胺型胺的聚合物，4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯胺基]-联苯(4，4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]-biphenyl：NPB)、N-苯基对苯二胺(N-phenyl-p-phenylenediamine：PPD)等芳叔胺，4-(二对甲苯基氨基)-4’-[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(4-(di-P-tolylamino)-4’-[4-(di-P-tolylamino)styryl]stylbenzene)等茋(stilbene)化合物，三唑衍生物、苯乙烯胺化合物、巴克球、C60、将氧杂环丁烷(oxetane)骨架导入到空穴输送材料而得的DHTBOX等富勒烯等的有机材料。也可以使用在聚碳酸酯等高分子材料中分散了低分子材料得到的高分子分散系材料。此外还可以使用钼氧化物、钨氧化物、钛氧化物、钒氧化物等氧化物。但是并不限于上述材料。

红色发光层31R、绿色发光层31G、蓝色发光层31B使用产生电致发光(EL)现象的发出各色光的材料。例如，可以使用(8-羟基喹啉)铝络合物(Alq₃)((8-hydroxyquinolinate)aluminum)complex(Alq₃))等荧光型有机金属化合物；4，4′-二(2，2-二苯乙烯基)-联苯(4，4’-bis(2，2’-diphenylvinyl)-biphenyl：DPVBi)等芳香族二亚甲基化合物；(1，4-二(2-甲基苯乙烯基)苯(1，4-bis(2-methylstyryl)benzene)等苯乙烯基苯化合物；3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-t-butylphenyl-1，2，4-triazole：TAZ)等三唑(triazole)衍生物；蒽醌(anthraquinone)衍生物、芴(fluonorene)衍生物等荧光型有机材料；聚对苯乙撑(polyparaphenylene vinylene：PPV)系、聚芴(polyfluorene)系、聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole：PVK)系等高分子材料；铂络合物或铱络合物等磷光型有机材料。但是并不限于上述材料。也可以不使用有机材料，而使用可产生电致发光现象的无机材料。

作为公共层的红色发光层31R的优选材料，可使用三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-quinolinolato)aluminum：Alq3)、双(8-羟基喹啉)镁(bis(8-quinolinolato)magnesium)、双[苯并(f)-8-羟基喹啉]锌(bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基-酚)铝(bis(2-methyl-8-quinolinolato)(4-phenyl-phenolate)aluminum)、三(8-羟基喹啉)铟(tris(8-quinolinolato)indium)、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝(tris(5-methyl-8-quinolinolato)aluminum：Balq)、8-羟基喹啉锂(8-quinolinolatolithium)、三(5-氯-8-羟基喹啉)镓(tris(5-chloro-8-quinolinolato)gallium)、双(5-氯-8-羟基喹啉)钙(bis(5-chloro-8-quinolinolato)calcium)等至少具有一个以8-羟基喹啉或其衍生物为配体的金属络合物；BCP，2，9-双(2-萘基)-4，7-联苯-1，10-二氮杂菲(2，9-bis(2-naphthyl)-4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline：NBPhen)等二氮杂菲衍生物；2，2’，2”-(1，3，5-benzenetriyl)三(1-苯基)-1H-苯并咪唑(2，2’，2”-(1，3，5-benzenetriyl)tris(1-phenyl)-1H-benzimidazole，又名1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯：TPBI)等咪唑衍生物，用于对上述红色发光层31R附加电子输送性和/或空穴阻挡特性的合适的材料可以是Balq、TPBI。另外，蓝色发光层31B和绿色发光层31G优选包含具有空穴输送型或双极输送性的材料，比如，4，4′-双(咔唑-9-基)联苯(4，4′-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl：CBP)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(4，4′，4″-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamine：TCTA)、蒽衍生物等。具有双极输送性的材料不仅可以是在一种材料中具有该功能，也可以通过使具有空穴输送性的材料和具有电子输送性的材料混合而呈现该功能。比如，这样的材料可以是将TCTA与2，6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(2，6-bis(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)pridine：26DCzPPy)混合的物质。如上所述，通过形成具有空穴输送性或双极输送性的红色公共层31R，即使将红色公共层31R配置于第二和第三共振器结构G、B中，也可使绿色发光层31G和蓝色发光层31B有效地呈现出电致发光现象。

电子输送层34可以由电子输送特性(迁移率)高的材料形成，例如可以使用PyPySPyPy等硅杂环戊二烯(silacyclopentadiene(silole))衍生物、硝代芴酮(nitro-substituted fluorenone)衍生物、蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)衍生物等有机材料；三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-hydroxyquinolinate)aluminum：Alq3)等8-羟基喹啉(8-quinolinole)衍生物的金属络合物；金属酞菁(metal phthalocyanine)、3-(4-联苯)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-1，2，4-三唑(3-(4-biphenyl)-5-(4-t-butylphenyl)-4-phenyl-1，2，4-triazole：TAZ)等三唑衍生物、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)-1，3，4-噁二唑(2-(4-biphenylyl)-5-(4-t-butyl)-1，3，4-oxadiazole：PBD)等噁二唑衍生物、巴克球、C60、碳纳米管(carbon nanotube)等富勒烯。但并不限于上述材料。

阴极4的材料可以使用与电子输送层34接触的区域的逸出功低，阴极整体反射及透过损失小的材料。具体地，阴极4可使用Al、Mg、Ag、Au、Ca、Li等金属或其化合物，或者是含有上述金属的合金等的单层或多层层叠结构。另外，可在与电子输送层34接触的区域形成薄的氟化锂或氧化锂等，控制电子注入特性。例如，阴极4的厚度为10nm。本实施方式中，采用在成膜面的一侧，即阴极一侧放出光的顶部发光结构。因此，阴极4为半透过性的电极，例如，对于400～700nm波长的光的透过率的平均值为20％以上。可利用电极的膜厚等来调整透过率。图1和图2中省略了图示，阴极4连接有引出电极(配线电极)。

密封膜5可以由对水蒸汽和氧透过率小的无机材料形成。密封膜5的材料可以使用氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)等。

被称为堤的隔壁部6的材料可使用含氟成分的感光性树脂。由于含氟，其对液态材料可起到拨液性的作用，因此在使用涂布法成膜时，能够抑制液流(所谓的overlap)。优选由具有遮光性的材料形成隔壁部6。

下面参照图4所示的工序图说明制造上述RGB发光元件的工序。

首先，如图4中的工序100所示，使用蒸镀法或溅射法等依次形成反射电极21、透明电极22的膜。可通过照相平版印刷术形成上述电极21、22的图案。然后，如图4中工序110所示，在基板1上涂布含氟的感光性树脂，干燥并成膜后，通过照相平版印刷术形成具有如图1所示的图案的隔壁部6。在为被动型的情形下，形成条纹状的电极21、22后，形成隔壁部6。另一方面，在为主动型的情形下，形成与每个驱动电路连接的岛状的电极21、22，然后形成隔壁部6。

接着，如图4中的工序120所示，用例如喷墨喷嘴等将空穴注入层32的液体材料涂布在由隔壁部6分隔的、构成各共振器结构(R、G、B)的区域内，通过加热或光照形成膜。可以不对第一～第三共振器结构(R、G、B)分别涂布形成作为公共层的空穴注入层32的膜，而最好是以一个工序同时形成。可根据例如液体材料的涂布量调整膜厚。并且对于空穴输送层33也利用同样的方法形成膜。但是，对于空穴注入层32和空穴输送层33的涂布法，也可以不使用喷墨法，而使用例如喷雾法、旋涂法、浸涂法、挤压涂布法(die coating)等。还可根据需要进行不溶处理，以使已形成的膜不溶于下一工序中涂布的绿色发光层31G和蓝色发光层31B。

接着，如图4中的工序130所示，用喷墨喷嘴等将绿色发光层31G的液体材料涂布在由隔壁部6分隔的、构成各共振器结构(R、G、B)的区域内，通过加热或光照形成膜。与绿色发光层31G同样地形成蓝色发光层31B的膜。利用与空穴输送层32相同的涂布法形成光路长度调整层35的膜。如上所述，通过对第一～第三共振器结构(R、G、B)分别涂布形成绿色发光层31G、蓝色发光层31B、光路长度调整层35的膜，但对它们的成膜顺序并没有限定。

接着，如图4中的工序140所示，用例如蒸镀法或激光烧蚀法形成红色公共层31R的膜。此时，可不在共振器结构R、G、B中分别形成作为公共层的红色公共层31R，而最好是通过一个工序同时在共振器结构R、G、B中形成膜。

接着，如图4中的工序150所示，用例如蒸镀法形成电子输送层34。同样地，也可以不在第一～第三共振器结构(R、G、B)中分别涂布形成作为公共层的电子输送层34的膜，而最好是用一个工序同时形成。

接着，如图4中的工序160所示，用例如蒸镀法形成阴极4。可使用金属掩膜等掩膜，或者利用隔壁部6的堤坝形状形成阴极4的图案。例如在为被动型的情形下，可将阴极的图案形成为条纹状。另一方面，在为主动型的情形下，可不形成图案，而使其成为屏蔽电极。

最后，如图4中的工序170所示，在不活泼气体氛围下，通过等离子体CVD法等形成密封层5的膜。通过上述工序，制造图1所示的RGB发光元件。虽然图中没有表示，但也可以利用第二基板(覆盖部件)覆盖由多个RGB发光元件形成的显示区域，并在其内部空间充满不活泼气体或不活泼液体。

根据上述实施方式，在具有由RGB发光元件形成的显示区域的显示装置中，使RGB发光元件为共振器结构(R、G、B)，并且作为可减少分别涂布次数的公共层，在RGB发光元件的各发光功能层中配置红色发光层31R，由此可抑制从第二共振器结构G和第三共振器结构B发出的绿光和蓝光色纯度下降。即，得到可输出高色纯度的红光、绿光和蓝光的显示装置。

进一步，根据上述实施方式，通过利用涂布法分别涂布而形成绿色发光层31G和蓝色发光层31B，但对于作为公共层的红色发光层31R，则利用涂布法以外的成膜方法形成膜，且不分别涂布，由此可节省一次涂布工序，从而可降低制造成本。另外，一般认为涂布法的成膜精度低，但本实施方式中，利用涂布法以外的方法形成红色公共层31R的膜，可提高产品生产率。

进一步，根据上述实施方式，追加光路长度调整层35后，即时为了形成公共层而使红色发光层31R的膜厚变薄，也能够将第一共振器结构R的共振器光路长度设为最佳距离。通过用空穴或电子迁移率比红色发光层31R高的材料形成光路长度调整层35，可抑制在共振器光路长度最大的第一共振器结构R上电压上升。

图1所示的发光元件中，由反射电极和半透过电极构成上部和下部电极，但并不限于此，也可以形成与电极独立的反射膜。此时，在该反射膜的元件一侧的阳极和阴极可以是透明电极。此外，也可以不采用顶部发光结构，而采用底部发光结构，即由半透过电极形成下部反射部件，由反射电极形成上部反射部件。此时基板1使用透明材料。

下面，结合图5～8说明对以红色发光层31R为公共层的第一～第三共振器结构(R、G、B)所发出的蓝光和绿光的色纯度进行计算的结果。根据该计算结果可进一步理解本实施方式的显示装置能抑制色纯度下降的原因。

图5是表示共振器结构中蓝光的发光特性的图，表示出不设置红色公共层31R时(即，不混入红光时)的光谱，和设置红色公共层31R时(即，混入红光时)的光谱。红光混入量为30％。共振器光路长度为195nm。根据图5的计算结果可知，即使在第三共振器结构B(蓝色像素)中混入红光的量为30％时，蓝光波长区域470nm附近发光强度几乎未发生变化。即，因混入红光产生的影响很微弱。

图6表示将红色发光作为不纯光而观测蓝色像素时，计算色度变化的结果。图中○为NTSC，●(左)为仅蓝色发光的色纯度，在将30％的红光与蓝色发光混合的情形下，色纯度向箭头方向变化，□是●(左)表现出共振效果的情形。如图6的结果可知，采用本实施方式中表现出共振效果的结构，色度几乎无变化。如上所述，采用本实施方式的结构，即使混入不纯光的红色发光时，也可抑制蓝光色纯度下降。

图7是表示共振器结构中绿光的发光特性的图，表示出不设置红色公共层31R时(即，不混入红光时)的光谱，和设置红色公共层31R时(即，混入红光时)的光谱。红光混入量为30％。共振器光路长度为240nm。根据图7的计算结果可知，即使在第二共振器结构G(绿色像素)中混入红光的量为30％时，绿光波长区域530nm附近发光强度几乎未发生变化。即，与蓝色像素的情形相同，因混入红光产生的影响很微弱。

图8表示将红色发光作为不纯光而观测绿色像素时，计算色度变化的结果。图中○为NTSC，●(左)为仅绿色发光的色纯度，在将30％的红光与绿色发光混合的情形下，色纯度向箭头方向变化，□是●(左)表现出共振效果的情形。如图8的结果可知，采用本实施方式中表现出共振效果的结构，色度几乎无变化。如上所述，通过采用本实施方式的结构，即使混入不纯光的红色发光时，也可抑制绿光色纯度下降。

为了进行比较，说明采用专利文献1的技术以蓝色发光层为公共层的情形下进行计算的结果。图9表示计算中所使用的RGB发光元件的层状结构。

图10是表示第一共振器结构R中红光的发光特性的图，表示出不设置蓝色公共层时(即，不混入蓝光时)的光谱，和设置蓝色公共层时(即，混入蓝光时)的光谱。蓝光混入量为5％、10％、20％、30％。共振器光路长度为300nm。根据图10的计算结果可知，随着蓝光混入量增加，蓝光波长区域470nm附近的发光强度增加。并且红色像素的情形下，具有在470nm附近和620nm附近发光强度差小的特性。如此，在共振器结构中若使蓝色发光层为公共层，则因混入蓝光对红色像素的影响大。

图11是表示将蓝色发光作为不纯光而观测红色像素时，计算色度变化的结果。图中○为NTSC，×(最右端)为仅红色发光的色纯度，在混入5％、10％、20％、30％的蓝光的情形下，色纯度向箭头方向变化，■是×(最右端)表现出共振效果的情形，●是箭头方向上×发光(右数第二个以后)表现出共振效果的情形。如图11的结果可知，在共振器结构中，在将蓝色发光层作为公共层时，因红色像素中混入了蓝光，导致色纯度下降。

如上所述，在第一和第二实施方式中，第一共振器结构具有上部反射部件，下部反射部件，和配置在上述上部反射部件和下部反射部件之间、包含发出红光的红色发光层的发光功能层；第二共振器结构具有上部反射部件，下部反射部件，和配置在上述上部反射部件和下部反射部件之间、包含发出蓝光的蓝色发光层的发光功能层；第三共振器结构具有上部反射部件，下部反射部件，和配置在上述上部反射部件和下部反射部件之间、包含发出绿光的绿色发光层的发光功能层，并且使上述红色发光层配置于上述第一～第三共振器结构的各个发光功能层，由此，可抑制红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的色纯度下降。

以上，结合具体实施方式对本发明进行了详细说明，但在不脱离本发明的精神和权利要求的范围内，可对方式和细节可进行各种替换、变形和变更，这对于具有本领域一般知识的本领域技术人员来说是不言自明的。因此，本发明的保护范围并不限定于上述实施方式和附图的记载，而应根据权利要求书的记载及其等同的实施方式来确定。

Claims

1.一种显示装置，其特征在于，具有：

第一共振器结构，其包括：上部反射部件；下部反射部件；和配置在所述上部反射部件和下部反射部件之间的、包含发出红光的发光层的发光功能层；

第二共振器结构，其包括：上部反射部件；下部反射部件；和配置在所述上部反射部件和下部反射部件之间的、包含发出蓝光的发光层的发光功能层；

第三共振器结构，其包括：上部反射部件；下部反射部件；和配置在所述上部反射部件和下部反射部件之间的、包含发出绿光的发光层的发光功能层，

所述红色发光层是配置于所述第一～第三共振器结构的各个发光功能层的公共层。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

作为公共层配置于所述第二和第三共振器结构的所述红色发光层，配置在比所述蓝色发光层和绿色发光层靠阴极一侧，由可兼做所述第二和所述第三共振器结构的空穴阻挡层和/或电子输送层的材料形成。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

所述红色发光层以相同的膜厚形成于各所述第一～第三共振器结构。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

作为公共层配置于所述第二和第三共振器结构的所述红色发光层，在蓝色和/或绿色发光中混入红光的混入量为30％以下。

5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于：

所述红色发光层的膜厚为40nm以下，红光的混入量为30％以下。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

所述第一共振器结构，在发光功能层中还具有光路长度调整层，所述光路长度调整层由空穴或电子迁移率比红色发光层高的材料形成。

7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：

所述光路长度调整层，配置于与所述第二和第三共振器结构的所述蓝色发光层和绿色发光层相应的层阶位置，并且由空穴迁移率比所述红色发光层高的材料形成。

8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

所述蓝色发光层和绿色发光层是利用涂布法分别涂布形成的发光层，且所述红色发光层是利用涂布法以外的方法形成的膜。

9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

所述第一共振器结构的发光功能层的层叠构造包括，空穴注入层和/或空穴输送层、光路长度调整层、红色发光层、电子输送层和/或空穴阻挡层、电子注入层；

所述第二共振器结构的发光功能层的层叠结构包括，空穴注入层和/或空穴输送层、蓝色发光层、红色发光层、电子输送层和/或空穴阻挡层、电子注入层；

所述第三共振器结构的发光功能层的层叠结构包括，空穴注入层和/或空穴输送层、绿色发光层、红色发光层、电子输送层和/或空穴阻挡层、电子注入层，

所述空穴注入层和/或空穴输送层、电子输送层和/或空穴阻挡层、电子注入层为配置于各所述第一～第三共振器结构的公共层。

10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于：

所述空穴注入层和/或空穴输送层由对于所述蓝色发光层和/或绿色发光层的材料为不溶性的材料形成，或实施了不溶处理。

11.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成第一、第二和第三共振器结构的下部反射部件的工序；

在所述第一共振器结构的下部反射部件上形成包含发出红光的红色发光层的发光功能层的工序；

在所述第二共振器结构的下部反射部件上形成包含发出蓝光的蓝色发光层的发光功能层的工序；

在所述第三共振器结构的下部反射部件上形成包含发出绿光的绿色发光层的发光功能层的工序；和

形成第一、第二和第三共振器结构的上部反射部件的工序，

在所述第二和第三共振器结构中，基于涂布法分别涂布形成所述蓝色发光层和绿色发光层，

所述红色发光层为配置于各所述第一～第三共振器结构的发光功能层中的公共层，利用涂布法以外的成膜方法形成于所述第一～第三共振器结构。