[go: up one dir, main page]

CN1332265A - 电子线路基片 - Google Patents

电子线路基片 Download PDF

Info

Publication number
CN1332265A
CN1332265A CN00128792A CN00128792A CN1332265A CN 1332265 A CN1332265 A CN 1332265A CN 00128792 A CN00128792 A CN 00128792A CN 00128792 A CN00128792 A CN 00128792A CN 1332265 A CN1332265 A CN 1332265A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
ceramic
mbc
melt
welded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN00128792A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1246902C (zh
Inventor
宁晓山
永田长寿
樱庭正美
田中敏和
木村正美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dowa Holdings Co Ltd
Original Assignee
Dowa Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dowa Mining Co Ltd filed Critical Dowa Mining Co Ltd
Publication of CN1332265A publication Critical patent/CN1332265A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1246902C publication Critical patent/CN1246902C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D19/00—Casting in, on, or around objects which form part of the product
    • B22D19/14—Casting in, on, or around objects which form part of the product the objects being filamentary or particulate in form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/4505—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application
    • C04B41/4523—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application applied from the molten state ; Thermal spraying, e.g. plasma spraying
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/88—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/006—Pattern or selective deposits
    • C23C2/0062—Pattern or selective deposits without pre-treatment of the material to be coated, e.g. using masking elements such as casings, shields, fixtures or blocking elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/04—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the coating material
    • C23C2/12—Aluminium or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/34—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the shape of the material to be treated
    • C23C2/36—Elongated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

将陶瓷件2通过入口导管6A连续地供入坩埚7中,在它们于坩埚7中被熔融金属1完全湿润后,陶瓷件2进入到位于出口侧的模子6B中,陶瓷件由该处被连续挤出,并在每个陶瓷件2的表面上焊有金属部分。这种方法可以以低的费用制成各种形状的具有令人满意的性能的金属陶瓷焊接材料(MBC)或部件5,此外,从这种MBC材料5可以制造电子线路基片。

Description

电子线路基片
本申请是申请日为1995年4月11日，申请号为95104308.0，发明名称为“制造金属陶瓷焊接材料或部件的方法、其产品和产品用途”的中国发明专利申请的分案申请。
本发明涉及由牢固的金属陶瓷焊接(MBC)(metal-bonded-ceramic)部件板制成的电子线路基片。
MBC部件被广泛用于汽车、电子设备及其它领域，因为它利用了陶瓷的化学稳定性、高熔点、绝缘性和高的硬度，以及金属的高强度、高韧性、自由加工性和传导性。这些部件的典型应用包括汽车涡轮增压器的转子、以及用于安装大功率电子元件的基片和包封。
已经知道MBC材料及部件可用不同方法例如粘合、电镀、金属化、热喷射、钎焊、DBC、热装套和浇铸来制造。粘合是一种用有机或无机粘合剂将金属件与陶瓷元件焊接起来的方法。电镀方法包括活化陶瓷件的表面，并将其浸于电解槽内以形成一个金属镀层。金属化的方法是在陶瓷件的表面涂上一层含金属颗粒的浆料，然后进行烧结以形成金属层。热喷射是将熔融金属(或陶瓷)的液滴喷射到陶瓷(或金属)件的表面，从而在那个表面上形成了一层金属(或陶瓷)层。钎焊是借助低熔点的填料金属或合金将金属和陶瓷元件焊接起来。为了保证使填料金属或合金与陶瓷件牢固焊接，通过一种合适的方法例如金属化或热喷射，在陶瓷的焊接表面加上一种与陶瓷高度反应的金属组份或在陶瓷的焊接表面预先形成一层金属层。DBC是为了将氧化物陶瓷件与铜元件结合起来而特定开发的技术。根据DBC，当铜元件与陶瓷件焊接时，将含氧的铜元件在惰性气氛中加热，或者首先将无氧的铜板表面氧化形成一层氧化层，然后将其焊接到陶瓷件上。为了利用DBC技术将非氧化物陶瓷件与铜元件焊接起来，首先要在非氧化物陶瓷件的表面形成一层氧化物层。在热装套时，在要结合的陶瓷和金属件上分别形成一个凸起和凹处，便得凸起部分的外径与凹处的内径相等，然后加热金属使凹处膨胀，并将瓷件上的凸起部分放入凹处，此后，将两个元件冷却，使它们形成一个整体结合，其中陶瓷件上的凸起部分嵌套在金属件上的凹处。浇铸与热装套相类似，只是它将金属浇铸在陶瓷周围并冷却，使金属收缩，并使得陶瓷件嵌套成为一个整体部分。
但是，这些现有技术有它们的问题。粘合法制得的复合材料的粘合强度和耐热性差。电镀、金属化和热喷射方法的应用通常局限于形成厚度从几微米到几十微米范围内的薄的金属(或陶瓷)层时的情况。热装套或浇铸法仅适用于某些特殊情况，即至少部分陶瓷件要嵌套在金属中，在DBC方法中，铜是能被焊接的唯一金属，而且焊接温度必须在接近Cu—O低共熔点的很窄的范围内，因此很容易形成焊接缺陷如隆起和焊接不完全。钎焊使用昂贵的填料金属或合复，而且要求焊接操作在真空中进行，因此，操作费用太高以至于限制了该方法在大范围内的应用。
如上所述的，MBC部件可用作安装大功率电子元件的基片。现在所用的MBC基片有在表面形成有铜线路图案的陶瓷基片。根据所用陶瓷基片的种类和制造MBC基片的方法，市场上的复合材料基片可分为铜/氧化铝直接焊接基片，铜/氮化铝直接焊接基片，铜/氧化铝钎焊基片和铜/氮化铝钎焊基片。
未审查的日本专利52—37914公开了一种制造铜/氧化铝直接焊接基片的方法：将一块合氧铜板叠放在一块氧化铝基片上，或者在将铜板通过形成在界面上的铜和铝的复合氧化物焊接在氧化铝上之前，将无氧铜板在氧化气氛下加热，以在无氧铜板的表面形成氧化铜。
为了制造铜/氮化铝直接焊接基片，必须首先在氮化铝基片的表面形成一层氧化物。未审查日本专利3—93687中叙述了一种这样的生产方法：首先，将氮化铝基片在大约1000℃的温度下于空气中处理，以在其表面形成一层氧化膜，然后使用前面一段所述的方法，通过中间的氧化层将铜板焊在氮化铝基片上。
为制造铜/氧化铝或氮化铝钎焊的基片，借助低熔点的填料金属将铜板焊接在陶瓷基片上。一种常用的填料金属是由包括Ag、Cu和Ti的合金制成。在这种情况下，加入Ag的目的是为了降低熔点，而添加Ti是为了增加填料金属对陶瓷的湿润性。
尽管他们经常使用，铜/陶瓷复合基片在制造和实际使用时会遇到几个问题。最严重的问题是在安装电子元件及使用这样装配好的电子装置时，陶瓷基片上容易产生裂纹。这是因为铜的热膨胀系数比陶瓷的热膨胀系数高大约一个数量级。在焊接操作时，陶瓷基片和铜均被加热至大约1000℃，在它们从焊接温度冷至室温的过程中，由于热膨胀的不同，会在MBC基片上形成明显的热应力，在将电子元件装在MBC基片上时，基片被加热至400℃，而且因为工作环境的温度变化或在使用装配好的电子装置时产生的热量也会使MBC基片的温度产生变化，由此使MBC经受不同的热应力。因为这些热应力的作用，会在陶瓷基片上产生裂纹。
评价MBC基片的一个重要因素是它的耐热循环性。这个因素用基片在不因热应力作用而产生裂纹前提下所能够经受-40℃至125℃之间的重复加热和冷却循环的次数来表示。在上述条件下，焊接铜的陶瓷基片只能经受几十次热循环。此外，为了获得耐热循环性，陶瓷基片的厚度应该大于焊接在陶瓷基片两个基础表面上的铜板的厚度。这意谓着陶瓷基片的厚度大于维持其电绝缘性所需的厚度。因而使MBC基片的另一个重要特性—热导性—受到损失。
近年来，随着用于安装在电车上的大功率组件(Powermodules)的发展，增加了对具有增强耐热循环性的MBC基片的需要。在温度变化很大而且振动很大的电车上这样恶劣的条件下使用，需要基片具有3000次以上的耐热循环性。但是，使用现在的焊接铜的陶瓷基片不能满足这个要求。
如同在未审查日本专利申请59—121890中所述的，因为铝与铜一样也是好的电和热的导体，因此很容易考虑将铝用作导电线路材料。通常使用钎焊将铝与陶瓷焊接起来，未审查日本专利申请3—125463、4—12554和4—18746中指导了用钎焊制造的铝/陶瓷基片。这些基片可耐200次热循环，但它们仍不能适合于需要很高耐热循环性的应用如在电车上的使用或其它的应用。另一个问题是，钎焊必须在真空中进行，非氧化物陶瓷必须经受预处理以在其表面上形成氧化物，这使得钎焊方法不仅成本高、而且产品导热性也受到影响。
因此，用于焊接金属和陶瓷的现有技术存在下面所列的一个或多个问题：
1)要焊接的金属和陶瓷件局限于特殊形状的部件；
2)焊接步骤成本高，而且应用范围受到限制；
3)焊接件不能满足焊接强度、耐热性和耐热循环性等性能的要求。
本发明解决了这些现有技术中存在的问题，并且本发明的目的是提供一种以低成本制造具有改进性能的各种形状的MBC材料或部件的方法。
本发明的另一个目的是提供一种用这种方法制造的MBC板。
本发明的第三个目的是提供一种由上述MBC板制成的MBC电子线路基片。
本发明人为达到这些目的进行了深入研究并发现了一种将熔融金属焊接到陶瓷上的有效方法，以及一种成形金属的有效方法。本发明在这些发现的基础上得以完成。
在第一方面，本发明提供了一种制造在陶瓷件2的至少一部分上焊有金属的MBC材料或MBC部件5，其特征在于，移动陶瓷件2，使陶瓷件2与金属的熔体1保持接触，以便使陶瓷件2被熔体湿润，然后将其冷却，使熔体在陶瓷件2的表面上凝固并焊接在陶瓷件2上。
在一个实施方案中，移动陶瓷件2，使它待与金属焊接的部分与金属熔体1保持接触，以便被熔体1湿润，此后，金属熔体1或其一部分在陶瓷件2上选定的位置凝固，以形成预定的形状的金属部分。
在另一个实施方案中，将陶瓷件2连续提供给金属熔体1并移动，使它上面要被金属焊接的部分与金属熔体1保持接触，并被金属熔体1湿润，此后，将陶瓷件1取出，使金属熔件1的一部分在陶瓷件2上的选定区域凝固，以形成预定形状的金属部分。
在另一个实施方案中，将要被金属焊接的陶瓷件的一部分从其一边连续供入金属熔体1中，在它被金属熔体1完全湿润以后，使陶瓷件2中通过一个在相对方向的模子6B，使金属熔体1的一部分凝固在陶瓷件2上的选定区域，以形成预定形状的金属部分。
在另一个实施方案中，将已经预先在陶瓷件2的一部分焊有金属的MBC材料或部件的陶瓷部分供入焊接金属的熔体中，该焊接金属的熔点低于已经焊在陶瓷件一侧上的金属的熔点，在陶瓷件完全被金属熔体湿润之后，使陶瓷部分通过在相反方向的模子6B，使低熔点的金属熔体的一部分在已经焊有高熔点金属的MBC材料或部件的选定位置上凝固，由此形成预定形状的低熔点金属部分。
在还有一个实施方案，陶瓷件或陶瓷部分是由氧化物、氮化物或碳化物制成的。
在另一个实施方案中，金属是铝、铜、铁、镍、银或金，或者基于这些金属中的一种金属的合金。
在第二方面，本发明提供了一种MBC板元件，其特征在于，金属板是用上述的任何一种方法在陶瓷基片上形成的。
在第三方面，本发明提供了一种MBC电子线路基片，其特征在于，通过蚀刻上述MBC板元件上的金属板，形成一种预定的电路图案。
图1是在实施例1—6中用来形成MBC材料或部件的装置的示意截面图。
图2是表示本发明基本概念的简图。
图3是在实施例1中用来制造MBC材料的模子的截面图。
图4在实施例2中用来制造MBC材料的模子的截面图；
图5是在实施例3中用来制造MBC材料的模子截面图；
图6是在实施例4中用来制造MBC材料的模子的截面图；
图7是表示在实施例5和6中使用的陶瓷基片以及虚线位置的尺寸的简图，其中a＝36mm、b＝26mm，c＝102mm、d＝112cm、e＝45°；和
图8是表示用蚀刻方法在焊接铝的陶瓷基片上的一侧形成的电路图案和在另一侧上的基体金属的简图。
金属以三种方式即机械、物理和化学中的一种焊接在陶瓷上，这根据所涉及的焊接机理来确定。机械焊接是通过机械力使陶瓷件上的凸起部分嵌套在金属件的凹处而实现的，例如通过热装套或浇铸法将两部件焊接起来时的情况。如果在粘合的情况下，粘合剂进入陶瓷和金属件的表面并在固化时表现出“锚钉”作用，这样制成整体结合的金属和陶瓷件，也可实现机械焊接。物理焊接是通过陶瓷件上的分子与金属原子的吸引力(范德华力)作用而实现的。化学焊接是通过陶瓷分子与金属原子的电子之间形成共价键(共用电子)或离子键(电子转移)而实现的。因为如果陶瓷和金属件的表面分子(电子)之间产生共用或转移，会形成化学键，在陶瓷和金属件之间的界面上不一定会存在可用物理方法(例如：普通光学显微镜，SEM和TEM)观察到的反应产物。在这种情况下，仅从界面的状态来区分物理焊接和化学焊接通常是有困难的。事实上，在许多情况下，为了获得可靠的焊接在要焊接的部件之间的界面会同时产生几种焊接机制，这是实现物理或化学焊接所必须的。
可以通过湿润的状态来时常确定产生的焊接是物理的还是化学的。通常说来，置于固体上的液滴会铺展开，直至在一定时间达到平衡。假设液—固—气(空气)三相之间的接触线处于平衡状态。
在液体与固体接触处画一条沉液体的切线，接触角是切线与固体表面之间的角度，这可在存在液滴的那一侧测得。这样测得的接触角是固体被液湿润状态的一个指标。当发生物理或化学焊接时，接触角通常会减小。在本发明中，湿润状态是通过下面更简单和更实际的方法来测定。即，将陶瓷件2与加热到给定温度的金属熔体1接触；经过一定时间，将中陶瓷件2从熔体1取出，擦掉疏松地附着在陶瓷件2的冷却表面上的金属，再测定陶瓷件2被金属湿润的状态。
进行物理或化学焊接的第一步是清洗要焊接的金属表面。如本发明人中的一个在已知的日本专利申请4—355211(参考文献1)中公开的，已经发现如果将铝和其它的化学活性金属置于空气中，它们的表面会发生氧化，这使它们失去粘合化学活性，从而变得不能与陶瓷形成牢固的焊接。本领域熟练技术人员都知道，不在焊接操作时进行除油以从要焊接的部件的表面除去油污，是不能达到牢固的焊接。
在参考文献1中，本发明人之一Supra提出了一种清洗要焊接的部件表面的方法。根据该方法，将陶瓷件2浸入金属熔体1中，或者将金属熔体1浇铸在已经预先放置了陶瓷件2的模子中，由此使熔体1和陶瓷件2之间产生相对运动，以在熔体1和陶瓷件2之间形成一个干净的界面，使金属能牢固地焊接在陶瓷上。本发明人在这个设想的基础上进行了深入的研究，发现了一种制造不同形状的MBC材料或部件的工业方法。该方法包括以下步骤(1)移动陶瓷件2经过金属熔体，使陶瓷件2浸入金属熔体1，直到陶瓷件2要被金属焊接的那部分被金属熔体1湿润，(2)将陶瓷件2从金属熔体中取出，并使陶瓷件2通过一个模子6被加工成为预定形状，使一部分金属熔体在陶瓷件2的预定位置上以预定的形状凝固。
这是应该强调一下，表面清洗不是指要将除了组成要焊接的部件的组份以外的其它成分全部都除去。相反，如果这些成份可以促进物理或化学焊接，应很好地利用这种能力。举例来说，在DBC方法中，为了产生牢固的焊接，要预先在待焊接的陶瓷件表面上形成氧物化，为满足这一要求，应将非氧化物陶瓷的表面进行氧化以形成一层氧化层。因此，本发明中“清洗”的目的局限于除去有害于产生物理或化学焊接的任何成分。
图2是表示本发明基本概念的简图。如果陶瓷件2在金属熔体中只移动很小的距离，就不能保证足以将陶瓷件表面上的有害成分4和金属熔体表面上的有害成分3完全除去，结果，陶瓷件2中的一部分仍未被金属1湿润，这就不可能在陶瓷件和金属之间实现牢固焊接。为了避免这种不完全的焊接，陶瓷件2移动进入金属熔体1的距离应超过某一最小值(Dmin)，这个最小值随许多因素而变化，例如金属熔体1和陶瓷件2的性质，以及它们表面上的有害成分的状况，温度，气氛，陶瓷件2的移动速度。在下文中将叙述的本发明实施例中，最小距离(Dmin)在几毫米至几十毫米的范围内。
在下面将叙述的实施例1中，公开了一种制造MBC材料5的举例方法。图1是实施该方法的装置的示意截面图，而图3是模子6的截面图。通过与模子6相连的导管6A；连续地将陶瓷件2送入熔融金属1中，当陶瓷件2被熔体完全湿润后，将它从模子6B中退出，以在陶瓷件2上的预定位置形成预定形状的金属部分。如果将熔体在陶瓷件2的移动方向上的尺寸设定成比使陶瓷件2被熔体湿润所需最小距离长，则得到的MBC材料5是结构完整的。
上述的实施例是为了说明本发明的要素。而该实施例公开的方法显然只是能用来获得本发明目的的措施之一，应该理解本发明并不局限于这个特定的方法。在下文将叙述的所有实施例中，熔体和陶瓷件2分别是由铝和氧化铝制成，但应该理解在上述的本发明精神的说明中，它们并不局限于铝和氧化铝。只要陶瓷件2能被熔融金属1湿润，其它的金属和陶瓷的结合也可以同样实用。如果金属可以改性或可以向金属中加入湿润增强剂，以改进陶瓷件2被熔融金属1湿润的性能，则陶瓷件2不一定要能够被某种金属湿润。这种方法也可用于本发明并取得好的效果。例如，考虑用铜和氮化铝组份制造焊铜的氮化铝材料，可预先将陶瓷件的表面氧化形成一种氧化物，如氧化铝，或将熔融的铜暴露在空气中，形成一层氧化铜或者进行其它处理以结合氧，由此，明显改进了陶瓷件2被熔融铜的湿润性，从而保证了复合材料的生产，其中陶瓷件2被牢固地焊在金属件上。在制造氧化铝一银复合材料时，类似地，通过向熔融的银中添加钛和其它的活性金属可以得到牢固的焊接。
当然，温度、气氛和陶瓷件2的移动速度对本发明而言也是很重要的参数。然而，不同的金属和陶瓷件2具有不同的特性，因此，这些参数随着要焊接的部件的不同而变化。这些条件应该以这种方式来选择，即：使陶瓷可有效地被熔融金属1湿润。这些条件的合适选择对保证本发明优点的充分发挥是一个很重要的步骤。在选择这些条件时应考虑下面的要点：在本发明的方法中，有效湿润是制造MBC材料或部件5的必要条件，提高熔体温度或延长接触时间对改进湿润性的目的肯定是有效的；但是，如果熔体温度或接触时间增加不适当，金属件和陶瓷件2将在它们的界面反应形成厚的反应产物，这可能会降低两部件之间的焊接强度。
通过使用本发明方法，本发明人能制造MBC板的部件，他们还可通过蚀刻MBC板的部件的金属部分制造MBC电子线路基片。在通过蚀刻形成金属电路图案之前，应在陶瓷基片的连接部分通过切割将用本发明方法制造的MBC板的元件分割，并且需要在金属部分的抛光表面形成电阻图案。可用各种方法来形成电阻图案，一种方法中，在金属部分的表面压上一层光敏电阻膜，通过一个覆盖的图案掩膜将它们暴露在光下，进行显影以除去不需要区域上的电阻，任选地，以预定电阻图案，在金属上直接印上一层液体电阻层，然后将其暴露在紫外线下以固化电阻。在这些预处理之后，将蚀刻溶液喷在已经形成有电阻图案的复合基片上，而使金属从无电阻区域除去，以形成预定形状的金属电路图案。
在下文中将叙述的实施例中，将氧化铝和氮化铝基片用作陶瓷基片，但应该理解由碳化硅、二氧化锆等制成的其它陶瓷基片，以及各种玻璃基片也可使用并具有同样的好的效果。至于与陶瓷件复合的金属，使用纯铝，因为它是良好的电的导体并且保证了柔软度。所用的铝的纯度是99.9％(3N)，以便获得电导率(它随着纯度增加而增加)和价格之间的平衡。但是应该理解这不是本发明的唯一情况。
参考附图提供下面的实施例是为了进一步说明本发明的方法和可用该方法制造的电子线路基片。
实施例1
使用图1所示的实验装置，出口侧的模子具有图3所示的截面。将铝置于坩埚7中。将氧化铝板从入口供入进到导管6A中，并将它以这种方法设置，使它的前端稍微伸入坩埚7的内表面。将坩埚7在氮气氛下加热以熔化铝。熔融铝进入在出口端的模子6B，当它流过模子时，它的前面部分的温度降至铝的熔点以下，并凝固堵塞了模子的出口；由此防止了熔体的流出。为了防止熔体不进入在入口侧的导管6A或进入模子与坩埚7之间的空隙内，其间隙必须小于某一特定值。在实施例1中，该间隙该定为小于0.1mm。在熔融铝被加热到一个预定的温度时，将氧化铝片从入口侧连续供入导管6。氧化铝片连续进入熔融铝中，并被熔体湿润，然后进入口侧的模子6B并最终从出口被连续挤出，每块氧化铝的两个表面都焊有0.5mm厚的铝。在实施例1中，在加热温度、挤出速度和氮气流速设定在不同值时，测定了每块氧化铝板被铝熔体湿润时，它所移动的最小距离Dmin。从这样获得的焊接铝的氧化铝板中切下试样，并根据在参考文献1(日本专利申请4—355211)中Supra所叙述的方法进行评价。为了测定Dmin，将坩埚7中的熔体倒空，取出氧化铝板，测量它开始与铝熔体接处的位置到它完全被熔体湿润时的位置之间的距离。对于制得的试样测得的结果列于表1，除了E组以外、其它的所用试样都有致密的铝结构，并且撕裂强度超过35kg/cm。因此用本发明方法可制造质量满意的焊接铝的氧化铝板。
                             表    1
组    熔体温度(℃) 挤出速度mm/min N2流速L/min Dmin，mm 铝的结构 撕裂强度kg/cm
 A     700     25     30     55     好     ＞35
 B     800     25     30     35     好     ＞35
 C     850     25     30     14     好     ＞35
 D     900     25     30     9     好     ＞35
 E     900     50     30     23     有孔隙     -
 F     900     25     10     87     好     ＞35
实施例2
重复实施例1的步骤，制造了在一侧带有散热片10(见图4)的焊接铝的氧化铝片，但以下几点与实施例1不同：在出口侧的模子6B具有在图4的截面上所示的形状，熔体温度、挤出速度和氮气流速分别设定为850℃、25mm/min、和30L/min；向熔体施加0.5kg/cm2的压力以加快它的流动并防止形成孔隙。这样制造的MBC材料具有满意的质量。
实施例3
重复实施例2的步骤，制造了在一侧有铜板而另一侧有铝的散热片10的MBC材料，只是有下面的不同点：氧化铝板的一面上有用DBC方法焊接的铜板；熔体中的导管被加工成有图5所示的截面形状。这样制成的MBC材料具有满意的质量。
实施例4
重复实施例2的步骤，制造了在陶瓷管的周围焊有铝片的MBC元件，只是有下面的不同点：提供多根外直径50mm，壁厚5mm，长度为500mm的氧化铝管作为陶瓷件，模子外形从长方形变为圆形，而模子6B从图3所示形状变为图6所示形状。
实施例5
通过重复实施例1的步骤，制造了焊接铝的氧化铝板，只是将多个0.635mm厚的具有图7所示虚线的氧化铝基片作为陶瓷基片。将每个MBC部件在连接处分开，并对金属部分的表面抛光以形成电阻。
在形成电阻以后，用35％40 Be铁的氯化物(40 Be ironchloride)和10％HCl混合物的水溶液形式的液体蚀刻剂喷射每个MBC基片上的金属部分，由此在MBC基片的反面形成了图8所示几何形状的电路图案。对电路图案的表面进行置换锌的处理并沉积一层厚度约3—5μm的镍层。将这样制得的复合基片沿虚线切开，得到两块焊接铝的氧化铝电子线路基片，每块的宽为26mm，长为51mm。
发现MBC基片具有下面的特征：
撕裂强度＞30kg/cm(铝破裂)
耐热循环性＞3000次循环(没有裂纹)
抗弯强度＝69kg/mm2
挠度：286μm
实施例6
重复实施例5的方法，制造了铝/氮化铝直接焊接基片，只是用尺寸36mm×52×0.637mm的氮化铝基片代替氧化铝基片。这样制成的氮化铝基片具有下面的特性：
撕裂强度＞20kg/cm
耐热循环性＞3000次循环
抗弯强度＝53kg/mm2
挠度＝230μm
根据本发明的方法，可以以低成本制造各种形状的令人满意的MBC材料或部件5。本发明还提供了具有令人满意的性能的MBC电子线路基片。

Claims (7)

1.一种带有预定电路图案的电子线路基片，该电路图案是通过蚀刻一种金属陶瓷焊接(MBC)部件板上的金属板而形成的，其特征在于，所述MBC部件板包括在陶瓷部件2的至少一部分上焊有金属板，该部件板通过下述方法制备，所述方法包括以下步骤：移动陶瓷件2，使陶瓷件2与金属熔体1接触，从而被金属熔体完全湿润，然后，冷却熔体，使熔体在陶瓷件2的表面上凝固，并焊接在陶瓷件2上。
2.根据权利要求1的带有预定电路图案的电子线路基片，其特征在于，在制备所述的MBC部件板时，移动陶瓷件2，使陶瓷件2中待与金属焊接的部分与金属的熔体1接触，从而被金属熔体1完全湿润，然后，使金属熔体1或它的一部分在上述陶瓷件2上的选定位置凝固，以形成预定形状的金属。
3.根据权利要求1的带有预定电路图案的电子线路基片，其特征在于，在制备所述的MBC部件板时，向金属熔体1连续提供上述陶瓷件2，移动陶瓷件2，使陶瓷件2上待与金属焊接的部分与金属熔体1保持接触，从而被金属熔体1完全湿润，然后，取出陶瓷件2，使金属熔体1的一部分凝固在陶瓷件2上的选定位置，以形成预定形状的金属部分。
4.根据权利要求1的带有预定电路图案的电子线路基片，其特征在于，在制备所述的MBC部件板时，将待与金属焊接的陶瓷件2的部分从熔体的一侧连续供入金属的熔体1中，使上述陶瓷件2被金属熔体1完全湿润，然后使陶瓷件2通过在相对方向的模子6B，使金属熔体1的一部分在陶瓷件2上的选定位置凝固，形成预定形状的金属部分。
5.根据权利要求1的带有预定电路图案的电子线路基片，其特征在于，在制备所述的MBC部件板时，将已经预先在陶瓷件2的至少一部分上焊有金属的MBC部件的陶瓷部分供入一种焊接金属的熔体中，该焊接金属的熔点低于已经焊于陶瓷件2一侧的焊接金属的熔点，使所说的陶瓷部分完全被所说熔体湿润，然后使MBC件通过在相对方向上的模子6B，使低熔点金属的一部分在已经焊有高熔点金属的MBC件上的选定位置上凝固，由此形成预定形状的低熔点金属部分。
6.一种根据权利要求1至5任意一项的电子线路基片，其中所述的陶瓷件或陶瓷部分由氧化物、氮化物或碳化物制成。
7.一种根据权利要求1-5的任一项的电子线路基片，其中所说的金属是铝、铜、铁、镍、银或金，或者基于这些金属中的一种的合金。
CNB001287923A 1994-04-11 1995-04-11 电子线路基片 Expired - Fee Related CN1246902C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6096941A JP2918191B2 (ja) 1994-04-11 1994-04-11 金属−セラミックス複合部材の製造方法
JP96941/1994 1994-04-11

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN95104308A Division CN1066494C (zh) 1994-04-11 1995-04-11 制造金属陶瓷焊接材料的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1332265A true CN1332265A (zh) 2002-01-23
CN1246902C CN1246902C (zh) 2006-03-22

Family

ID=14178356

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN95104308A Expired - Fee Related CN1066494C (zh) 1994-04-11 1995-04-11 制造金属陶瓷焊接材料的方法
CNB001287923A Expired - Fee Related CN1246902C (zh) 1994-04-11 1995-04-11 电子线路基片

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN95104308A Expired - Fee Related CN1066494C (zh) 1994-04-11 1995-04-11 制造金属陶瓷焊接材料的方法

Country Status (6)

Country Link
EP (2) EP0676800B1 (zh)
JP (1) JP2918191B2 (zh)
KR (1) KR100201887B1 (zh)
CN (2) CN1066494C (zh)
DE (1) DE69529185T2 (zh)
MY (1) MY114268A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103889927A (zh) * 2012-02-15 2014-06-25 库拉米克电子学有限公司 金属陶瓷基底以及用于制造这样的金属陶瓷基底的方法
CN106795583A (zh) * 2014-10-07 2017-05-31 伊苏瓦尔肯联铝业 润湿超声波发生器的方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69603664T2 (de) * 1995-05-30 2000-03-16 Motorola, Inc. Hybrid-Multichip-Modul und Verfahren zur seiner Herstellung
AT405039B (de) * 1996-02-08 1999-04-26 Electrovac Verbundbauteil
DE19735531A1 (de) * 1997-08-16 1999-02-18 Abb Research Ltd Leistungshalbleitermodul mit in Submodulen integrierten Kühlern
JP4756200B2 (ja) 2000-09-04 2011-08-24 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属セラミックス回路基板
JP4434545B2 (ja) 2001-03-01 2010-03-17 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 半導体実装用絶縁基板及びパワーモジュール
JP4692708B2 (ja) 2002-03-15 2011-06-01 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 セラミックス回路基板およびパワーモジュール
JP4324704B2 (ja) 2002-09-13 2009-09-02 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス複合部材の製造装置、製造用鋳型、並びに製造方法
JP4028452B2 (ja) * 2003-08-27 2007-12-26 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 電子部品搭載基板およびその製造方法
JP4821013B2 (ja) * 2003-09-29 2011-11-24 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP4496404B2 (ja) * 2003-10-10 2010-07-07 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP4543279B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-15 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 アルミニウム接合部材の製造方法
JP5467407B2 (ja) * 2007-10-22 2014-04-09 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 アルミニウム−セラミックス接合体
JP4862196B2 (ja) * 2008-07-14 2012-01-25 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属セラミックス回路基板の製造方法
CN103524148B (zh) * 2009-04-30 2015-10-28 清华大学 一种表面金属化陶瓷的制造方法
WO2010124532A1 (zh) * 2009-04-30 2010-11-04 清华大学 陶瓷表面金属化的方法及陶瓷与铝的连接方法
CN101538166B (zh) * 2009-04-30 2014-01-29 清华大学 陶瓷和铝或铝合金的连接方法
US20100314790A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Stansberry Peter G Highly Oriented Graphite Product
FR2969402B1 (fr) * 2010-12-17 2013-02-15 Fibercryst Module a gain laser et methode de fabrication d'un tel module
DE102011103746A1 (de) 2011-05-31 2012-12-06 Ixys Semiconductor Gmbh Verfahren zum Fügen von Metall-Keramik-Substraten an Metallkörpern
DE102012103786B4 (de) * 2012-04-30 2017-05-18 Rogers Germany Gmbh Metall-Keramik-Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates
JP6233973B2 (ja) * 2014-03-31 2017-11-22 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス回路基板の製造方法
JP2016048789A (ja) * 2015-11-05 2016-04-07 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 アルミニウム−セラミックス接合体の製造方法
CN108257922A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 比亚迪股份有限公司 一种散热基板及其制备方法和应用以及电子元器件
JP7202213B2 (ja) * 2019-02-22 2023-01-11 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属－セラミックス接合基板およびその製造方法
JP7480533B2 (ja) * 2020-03-10 2024-05-10 東ソー株式会社 Ｃｒ－Ｓｉ系焼結体
JP2021165220A (ja) * 2020-04-08 2021-10-14 住友金属鉱山シポレックス株式会社 軽量気泡コンクリートの製造方法
CN112238587B (zh) * 2020-08-26 2023-03-14 山东高速交通装备有限公司 一种复合材料组合梁挤出成型设备
CN113443621A (zh) * 2021-07-23 2021-09-28 哈尔滨六方新材料科技有限公司 一种镁基复合材料中纳米碳材料的回收方法
CN118080821B (zh) * 2024-04-23 2024-07-09 广州众山精密科技有限公司 一种铝液连铸制备的铜铝复合板料及其工艺

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2109254A5 (en) * 1970-10-08 1972-05-26 Inst Materia Cermet prodn - by melt impregnation of a preheated porous ceramic body
US4104417A (en) * 1973-03-12 1978-08-01 Union Carbide Corporation Method of chemically bonding aluminum to carbon substrates via monocarbides
US4129243A (en) * 1975-07-30 1978-12-12 General Electric Company Double side cooled, pressure mounted semiconductor package and process for the manufacture thereof
US3994430A (en) * 1975-07-30 1976-11-30 General Electric Company Direct bonding of metals to ceramics and metals
US4409278A (en) * 1981-04-16 1983-10-11 General Electric Company Blister-free direct bonding of metals to ceramics and metals
JPS58138061A (ja) * 1982-02-10 1983-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｃ用基板
DE3376829D1 (en) * 1982-06-29 1988-07-07 Toshiba Kk Method for directly bonding ceramic and metal members and laminated body of the same
JPS59121890A (ja) 1982-12-28 1984-07-14 株式会社東芝 セラミツクスと金属との接合体
JPS6318648A (ja) * 1986-07-11 1988-01-26 Toshiba Corp 窒化アルミニウム回路基板
JPS63250022A (ja) * 1987-04-03 1988-10-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導導体の製造方法
JPS649884A (en) * 1987-05-30 1989-01-13 Ikuo Okamoto Insert ceramics
DE3804124A1 (de) * 1988-02-11 1989-08-17 Htk Ges Fuer Hochtemperaturker Verfahren zum herstellen eines gegenstands aus siliziumkarbid-keramik
JPH0676266B2 (ja) * 1988-07-13 1994-09-28 日本碍子株式会社 酸化物超電導焼結体およびその製造方法
JPH0393687A (ja) 1989-09-06 1991-04-18 Toshiba Corp 窒化アルミニウム基板の製造方法
JP2658435B2 (ja) 1989-10-09 1997-09-30 三菱マテリアル株式会社 半導体装置用軽量基板
FR2655334B1 (fr) * 1989-12-06 1992-02-21 Poudres & Explosifs Ste Nale Procede de preparation de chlorures d'acides carboxyliques chlores.
JP2689685B2 (ja) 1990-05-02 1997-12-10 三菱マテリアル株式会社 半導体装置用軽量基板
JP2689687B2 (ja) 1990-05-11 1997-12-10 三菱マテリアル株式会社 Ｉｃ実装用基板
US5213877A (en) * 1991-05-02 1993-05-25 Mitsubishi Materials Corporation Ceramic substrate used for fabricating electric or electronic circuit
JPH04355211A (ja) 1991-05-31 1992-12-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気ヘッドおよびその製造方法
JPH075758A (ja) * 1993-06-16 1995-01-10 Ricoh Co Ltd 現像装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103889927A (zh) * 2012-02-15 2014-06-25 库拉米克电子学有限公司 金属陶瓷基底以及用于制造这样的金属陶瓷基底的方法
CN103889927B (zh) * 2012-02-15 2016-01-20 库拉米克电子学有限公司 金属陶瓷基底以及用于制造这样的金属陶瓷基底的方法
US9730310B2 (en) 2012-02-15 2017-08-08 Rogers Germany Gmbh Metal-ceramic substrate
CN106795583A (zh) * 2014-10-07 2017-05-31 伊苏瓦尔肯联铝业 润湿超声波发生器的方法
CN106795583B (zh) * 2014-10-07 2018-10-12 伊苏瓦尔肯联铝业 润湿超声波发生器的方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1243569A2 (en) 2002-09-25
CN1246902C (zh) 2006-03-22
DE69529185D1 (de) 2003-01-30
MY114268A (en) 2002-09-30
EP0676800A2 (en) 1995-10-11
EP0676800A3 (en) 1997-01-15
CN1066494C (zh) 2001-05-30
JPH07276035A (ja) 1995-10-24
EP0676800B1 (en) 2002-12-18
JP2918191B2 (ja) 1999-07-12
KR100201887B1 (ko) 1999-06-15
KR950032001A (ko) 1995-12-20
DE69529185T2 (de) 2003-09-25
CN1118382A (zh) 1996-03-13
EP1243569A3 (en) 2008-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1066494C (zh) 制造金属陶瓷焊接材料的方法
US6183875B1 (en) Electronic circuit substrates fabricated from an aluminum ceramic composite material
JP4133170B2 (ja) アルミニウム−セラミックス接合体
JP4756200B2 (ja) 金属セラミックス回路基板
CA2800957C (en) Semiconductor substrate having copper/diamond composite material and method of making same
EP0733129B1 (de) Verfahren zur herstellung eines haftfesten verbundes zwischen kupferschichten und keramik
EP3632879A1 (en) Ceramic circuit board and module using same
JP4348565B2 (ja) 高熱伝導・低熱膨張複合材及び放熱基板
TWI357788B (zh)
EP1122780A2 (en) Laminated radiation member, power semiconductor apparatus and method for producing the same
JP2005002470A (ja) 高熱伝導・低熱膨張複合材及び放熱基板並びにこれらの製造方法
JP2007500450A (ja) 複合材料及び電気回路又は電気モジュール
WO1995024113A1 (fr) Boule en cuivre et procede de production de cette derniere
JP5467407B2 (ja) アルミニウム−セラミックス接合体
CN112958785A (zh) 一种3d打印铜铝复合材料及其制备方法
JP2001217362A (ja) 積層放熱部材、および同放熱部材を用いたパワー半導体装置、並びにそれらの製造方法
JP3452822B2 (ja) アルミニウム−セラミックス複合部材の製造方法
WO2023234286A1 (ja) セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体装置
JP3392594B2 (ja) アルミニウム−セラミックス複合基板のエッチング処理方法およびエッチング液
JP2023041248A (ja) 積層構造体およびその製造方法
JP3890540B2 (ja) 金属−セラミックス複合基板及びその製造法
JP2016048789A (ja) アルミニウム−セラミックス接合体の製造方法
Ning et al. Interface of aluminum/ceramic power substrates manufactured by casting-bonding process
JP4669965B2 (ja) アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP4895638B2 (ja) セラミックス回路基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20060322

Termination date: 20110411