JPH04355211A - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH04355211A JPH04355211A JP12920191A JP12920191A JPH04355211A JP H04355211 A JPH04355211 A JP H04355211A JP 12920191 A JP12920191 A JP 12920191A JP 12920191 A JP12920191 A JP 12920191A JP H04355211 A JPH04355211 A JP H04355211A
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- resistance
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- magnetic head
- bias magnetic
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000582320 Homo sapiens Neurogenic differentiation factor 6 Proteins 0.000 description 1
- 102100030589 Neurogenic differentiation factor 6 Human genes 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気信号再生用の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと称する）に関す
る。
抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと称する）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＭＲヘッドにより得られる再生出
力波形を目的にあった波形に調整する方法の１つとして
バイアス磁界を印加する方法が用いられている。
力波形を目的にあった波形に調整する方法の１つとして
バイアス磁界を印加する方法が用いられている。
【０００３】以下に、この種の従来のＭＲヘッドを図面
を参照しながら説明する。図６に一般的な磁気抵抗素子
の構成を示す。素子の長さ方向に磁化容易軸をもつ磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）に磁化容易軸と
直角方向に信号磁界ＨＳおよびバイアス磁界ＨＢが印加
されるよう構成されている。また図７は図６の磁気ヘッ
ドに交流の信号磁界ＨＳが印加された場合、出力（抵抗
変化量ΔＲ）がバイアス磁界ＨＢにより変化する動作状
態を示している。所望の出力波形、例えば最も波形歪み
の少ない出力を得るためには、図７の（ｂ）の状態にバ
イアス磁界ＨＢを設定する必要がある。
を参照しながら説明する。図６に一般的な磁気抵抗素子
の構成を示す。素子の長さ方向に磁化容易軸をもつ磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）に磁化容易軸と
直角方向に信号磁界ＨＳおよびバイアス磁界ＨＢが印加
されるよう構成されている。また図７は図６の磁気ヘッ
ドに交流の信号磁界ＨＳが印加された場合、出力（抵抗
変化量ΔＲ）がバイアス磁界ＨＢにより変化する動作状
態を示している。所望の出力波形、例えば最も波形歪み
の少ない出力を得るためには、図７の（ｂ）の状態にバ
イアス磁界ＨＢを設定する必要がある。
【０００４】図８に従来のＭＲ素子の一例を示す。この
ようなバイアス磁界はＨＢの印加方法の一例としてＭＲ
素子としてのＮｉ−Ｆｅ合金（以下パーマロイと称する
）４とバイアス線１１としてのＴｉ薄膜を同じ形状のパ
ターンとして積層する。この端子１２間に一定の電流Ｉ
を流すことにより、ＭＲ素子４の抵抗ＲＭＲとバイアス
線の抵抗ＲＢｉａｓに反比例した電流に分流され、各々
、ＭＲ電流ＩＭＲとバイアス電流ＩＢｉａｓとが流れる
。この時、図９に示すように、バイアス線１３には、Ｉ
Ｂｉａｓに相当する磁界ＨＢｉａｓが発生する。
ようなバイアス磁界はＨＢの印加方法の一例としてＭＲ
素子としてのＮｉ−Ｆｅ合金（以下パーマロイと称する
）４とバイアス線１１としてのＴｉ薄膜を同じ形状のパ
ターンとして積層する。この端子１２間に一定の電流Ｉ
を流すことにより、ＭＲ素子４の抵抗ＲＭＲとバイアス
線の抵抗ＲＢｉａｓに反比例した電流に分流され、各々
、ＭＲ電流ＩＭＲとバイアス電流ＩＢｉａｓとが流れる
。この時、図９に示すように、バイアス線１３には、Ｉ
Ｂｉａｓに相当する磁界ＨＢｉａｓが発生する。
【０００５】そしてこのような構造のＭＲヘッドでは、
ＭＲ素子とバイアス線を共通端子としバイアス磁界を与
えるため、特別な電気回路を別に設けなくて良いという
特徴がある。
ＭＲ素子とバイアス線を共通端子としバイアス磁界を与
えるため、特別な電気回路を別に設けなくて良いという
特徴がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の構成では、バイアス磁界ＨＢｉａｓの強度は、ＭＲ
抵抗ＲＭＲとバイアス線抵抗ＲＢｉａｓが、各々、膜の
比抵抗と膜の厚みが製造工程上、製造ロットごとに変動
し、必ずしも常に理想的なバイアス状態とならず、所望
の出力波形特性が得られない不良素子が発生するという
問題があった。
来の構成では、バイアス磁界ＨＢｉａｓの強度は、ＭＲ
抵抗ＲＭＲとバイアス線抵抗ＲＢｉａｓが、各々、膜の
比抵抗と膜の厚みが製造工程上、製造ロットごとに変動
し、必ずしも常に理想的なバイアス状態とならず、所望
の出力波形特性が得られない不良素子が発生するという
問題があった。
【０００７】本発明はこのような課題を解決するもので
、常に一定のバイアス電流が得られ、所望の出力波形を
有するＭＲ型磁気ヘッドを歩留りよく生産する製造方法
を提供することを目的とするものである。
、常に一定のバイアス電流が得られ、所望の出力波形を
有するＭＲ型磁気ヘッドを歩留りよく生産する製造方法
を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明のＭＲ型磁気ヘッドは、ＭＲ素子とバイアス抵
抗線を絶縁層により分離し、バイアス線本体とは別のバ
イアス抵抗調整用抵抗パターンをＭＲ素子のパターン領
域外に設け、端子部で各々の抵抗線を並列に接合するよ
う構成し、ＭＲヘッドの特性測定後、最適バイアス磁界
強度になるように、バイアス抵抗調整用抵抗線を切断あ
るいはパターン幅を削り込むなどの後加工を行なうよう
にしたものである。
に本発明のＭＲ型磁気ヘッドは、ＭＲ素子とバイアス抵
抗線を絶縁層により分離し、バイアス線本体とは別のバ
イアス抵抗調整用抵抗パターンをＭＲ素子のパターン領
域外に設け、端子部で各々の抵抗線を並列に接合するよ
う構成し、ＭＲヘッドの特性測定後、最適バイアス磁界
強度になるように、バイアス抵抗調整用抵抗線を切断あ
るいはパターン幅を削り込むなどの後加工を行なうよう
にしたものである。
【０００９】
【作用】バイアス抵抗ＲＢｉａｓの大きさを、バイアス
抵抗調整用抵抗回路の後加工により調整することにより
最適の出力特性になるようバイアス磁界を形成すること
ができる。
抵抗調整用抵抗回路の後加工により調整することにより
最適の出力特性になるようバイアス磁界を形成すること
ができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【００１１】図１に、本発明の一実施例の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの構成を示す。図に示すように、基板１上
にバイアス線２とＡｌ２Ｏ３などからなる絶縁層３とＭ
Ｒ素子４を積層して形成し、ＭＲ素子の領域５外にバイ
アス抵抗調整用パターン６をバイアス線２と同層で、バ
イアス線と並列に連結するように形成したものである。 バイアス線２とＭＲ素子４は電極端子部７により並列に
接合されている。このＭＲ磁気ヘッドの特性検査工程に
おいて、バイアス磁界強度ＨＢｉａｓを確認した後、複
数の抵抗線８を微小ポストのレーザ光、あるいはカッテ
ィング用プローバで切断する。バイアス抵抗調整用パタ
ーンの１本の抵抗線８の抵抗をＲ１とすれば、図２（Ａ
）に示すように、ｎ本の抵抗の合計はＲ１／ｎであり、
その中の１本を切断することにより、図２（Ｂ）に示す
ようにＲ１／（ｎ−１）となり、抵抗は増加する。図３
に示すようにここで、中心規格値よりズレなくヘッドを
製造し、適性なバイアス磁界となるバイアス線全体の抵
抗を（数１）とする。これは、バイアス抵抗調整線をｍ
本切断した場合に対応する抵抗である。
型磁気ヘッドの構成を示す。図に示すように、基板１上
にバイアス線２とＡｌ２Ｏ３などからなる絶縁層３とＭ
Ｒ素子４を積層して形成し、ＭＲ素子の領域５外にバイ
アス抵抗調整用パターン６をバイアス線２と同層で、バ
イアス線と並列に連結するように形成したものである。 バイアス線２とＭＲ素子４は電極端子部７により並列に
接合されている。このＭＲ磁気ヘッドの特性検査工程に
おいて、バイアス磁界強度ＨＢｉａｓを確認した後、複
数の抵抗線８を微小ポストのレーザ光、あるいはカッテ
ィング用プローバで切断する。バイアス抵抗調整用パタ
ーンの１本の抵抗線８の抵抗をＲ１とすれば、図２（Ａ
）に示すように、ｎ本の抵抗の合計はＲ１／ｎであり、
その中の１本を切断することにより、図２（Ｂ）に示す
ようにＲ１／（ｎ−１）となり、抵抗は増加する。図３
に示すようにここで、中心規格値よりズレなくヘッドを
製造し、適性なバイアス磁界となるバイアス線全体の抵
抗を（数１）とする。これは、バイアス抵抗調整線をｍ
本切断した場合に対応する抵抗である。
【００１２】ＭＲ素子とバイアス層全体に流れる電流と
バイアス電流はそれぞれ（数２），（数３），（数４）
で与えられる。
バイアス電流はそれぞれ（数２），（数３），（数４）
で与えられる。
【００１３】
【数１】
【００１４】
【数２】
【００１５】
【数３】
【００１６】
【数４】
【００１７】もし、特性検査後、バイアス磁界が弱いと
判定される場合には、バイアス回路の抵抗値を下げ、バ
イアス電流を増加させれば良い。この特性検査時にはバ
イアス用の抵抗調整線は、通常調整する範囲の本数（切
断本数：ｍ±ｌ本）より、少なくとも抵抗線を１本多い
状態としておく。ここでｌ本は整数で切断本数の幅を示
す。また多くの場合には、図４に示すように、このテス
ト時に、バイアス調整線に事前の加工は行なわなくとも
、出力波形の状態を把握することにより、実験データか
ら容易に最終修正本数が推定可能である。仮に設定する
場合には、バイアス回路の抵抗値を下げるよう、切断本
数をｍ本とすれば良い。逆に、バイアス磁界が強すぎる
と推定される場合には、切断本数を多くすれば良い。
判定される場合には、バイアス回路の抵抗値を下げ、バ
イアス電流を増加させれば良い。この特性検査時にはバ
イアス用の抵抗調整線は、通常調整する範囲の本数（切
断本数：ｍ±ｌ本）より、少なくとも抵抗線を１本多い
状態としておく。ここでｌ本は整数で切断本数の幅を示
す。また多くの場合には、図４に示すように、このテス
ト時に、バイアス調整線に事前の加工は行なわなくとも
、出力波形の状態を把握することにより、実験データか
ら容易に最終修正本数が推定可能である。仮に設定する
場合には、バイアス回路の抵抗値を下げるよう、切断本
数をｍ本とすれば良い。逆に、バイアス磁界が強すぎる
と推定される場合には、切断本数を多くすれば良い。
【００１８】なお、本発明のバイアス調整は上記の実施
例に限定されるものではなく、図５（Ａ），（Ｂ）に示
すように、抵抗パターン９，１０の幅をレーザ光で削除
し、抵抗値を変えてもよい。
例に限定されるものではなく、図５（Ａ），（Ｂ）に示
すように、抵抗パターン９，１０の幅をレーザ光で削除
し、抵抗値を変えてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上の実施例の説明からも明らかなよう
に、本発明のＭＲ型磁気ヘッドは、ＭＲ素子に印加する
バイアス磁界を、ＭＲ型磁気ヘッドの各要素値にバラツ
キがあっても抵抗線の切断により調整できるため、バイ
アス磁界の不具合による不良が発生しない。
に、本発明のＭＲ型磁気ヘッドは、ＭＲ素子に印加する
バイアス磁界を、ＭＲ型磁気ヘッドの各要素値にバラツ
キがあっても抵抗線の切断により調整できるため、バイ
アス磁界の不具合による不良が発生しない。
【００２０】また、バイアス調整用抵抗パターンの幅を
レーザ光などにより削除し、抵抗を変える方法でも上記
と同様の効果を得ることができる。
レーザ光などにより削除し、抵抗を変える方法でも上記
と同様の効果を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例のＭＲ型磁気ヘッドの斜視図
【図２】（Ａ）は同バイアス抵抗修正前の回路図（Ｂ）
は同バイアス抵抗修正後の回路図
は同バイアス抵抗修正後の回路図
【図３】同バイアス抵
抗修正後の回路図
抗修正後の回路図
【図４】バイアス抵抗調整パターンの
本数とバイアス磁界強度の関係を示すグラフ
本数とバイアス磁界強度の関係を示すグラフ
【図５】（Ａ）は本発明の別の実施例のＭＲ型磁気ヘッ
ドの斜視図 （Ｂ）は同バイアス抵抗パターンの平面図
ドの斜視図 （Ｂ）は同バイアス抵抗パターンの平面図
【図６】従来
のＭＲ型磁気ヘッドの構成図
のＭＲ型磁気ヘッドの構成図
【図７】同バイアス磁界強
度と出力の関係を示すグラフ
度と出力の関係を示すグラフ
【図８】同ＭＲ型ヘッドの
斜視図
斜視図
【図９】同バイアス電流とバイアス磁界の関係を示す斜
視図
視図
１ 基板
２ バイアス層
３ 絶縁層
４ ＭＲ素子
６，９ バイアス抵抗調整用パターン７ 端子
８ 抵抗線
Claims (2)
- 【請求項１】互いに絶縁された磁気抵抗素子およびバイ
アス電流線を備えたヘッドチップに、バイアス電流線と
同膜，同層で、並列に抵抗パターンを設けた磁気ヘッド
。 - 【請求項２】互いに絶縁された磁気抵抗素子およびバイ
アス電流線を備えたヘッドチップに、バイアス電流線と
同膜，同層で、並列に抵抗パターンを設けた磁気ヘッド
において、並列に設けた抵抗パターンのパターン本数ま
たはパターン幅を後加工することによりバイアス抵抗を
独立自在に可変する磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12920191A JPH04355211A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12920191A JPH04355211A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355211A true JPH04355211A (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=15003645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12920191A Pending JPH04355211A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04355211A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1243569A2 (en) | 1994-04-11 | 2002-09-25 | Dowa Mining Co., Ltd. | Electrical circuit having a metal-bonded-ceramic material or MBC component as an insulating substrate |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP12920191A patent/JPH04355211A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1243569A2 (en) | 1994-04-11 | 2002-09-25 | Dowa Mining Co., Ltd. | Electrical circuit having a metal-bonded-ceramic material or MBC component as an insulating substrate |
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