JPS58138061A - Ｉｃ用基板 - Google Patents
Ｉｃ用基板Info
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- JPS58138061A JPS58138061A JP2025282A JP2025282A JPS58138061A JP S58138061 A JPS58138061 A JP S58138061A JP 2025282 A JP2025282 A JP 2025282A JP 2025282 A JP2025282 A JP 2025282A JP S58138061 A JPS58138061 A JP S58138061A
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- Japan
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- layer
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- ceramic
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテープキャリア型実装方式のＩＣ，ノ）イブリ
ッドＩＣなど各種ＩＣに用いる基板材料に関するもので
あり、耐熱性及び熱放散性を改善して、テープキャリア
型実装方式の適用可能範囲を著しく向上させることを可
能にする基板を提供するものである。
ッドＩＣなど各種ＩＣに用いる基板材料に関するもので
あり、耐熱性及び熱放散性を改善して、テープキャリア
型実装方式の適用可能範囲を著しく向上させることを可
能にする基板を提供するものである。
テープキャリア型ＩＣ実装はＩＣ実装の連続化及びボン
ディング速度の向上の面でＩＣ実装技術の中でも注目さ
れている。しかしながら基板用フィルムとしてポリイミ
ドなどの有機物が用いられることから耐熱性及び熱放散
性が十分でなく、近年需要がますます増大しつつあるパ
ワーＩＣ用途への展開や部品実装の高密度化などが困難
であや実用可能範囲が限定されているのが実情である。
ディング速度の向上の面でＩＣ実装技術の中でも注目さ
れている。しかしながら基板用フィルムとしてポリイミ
ドなどの有機物が用いられることから耐熱性及び熱放散
性が十分でなく、近年需要がますます増大しつつあるパ
ワーＩＣ用途への展開や部品実装の高密度化などが困難
であや実用可能範囲が限定されているのが実情である。
本発明はかかるテープキャリア型ＩＣ実装用基板フィル
ムの欠点を解消し、耐熱性、熱放散性良好なる基板フィ
ルムを提供せんとするものである。
ムの欠点を解消し、耐熱性、熱放散性良好なる基板フィ
ルムを提供せんとするものである。
第１図は現在広く用いられているテープキャリア型ＩＣ
実装に用いられる基板フィルムの一部断面構造を示すも
ので、ポリイミドフィルム１の上に銅箔２を接着したも
のである。この銅箔をレジスト法により回路形成したも
のがリードフレームとして用いられている。しかし、こ
の方法はポリイミドフィルムと銅箔の接合性が１５０°
Ｃ以上の温度に長時間さらされると著しく劣化すること
及びポリイミドフィルム自体の熱伝導性が悪いことから
ＩＣ組立工程での高温処理やＩＣ動作時に発生する熱の
放散などの点で問題点が多い。
実装に用いられる基板フィルムの一部断面構造を示すも
ので、ポリイミドフィルム１の上に銅箔２を接着したも
のである。この銅箔をレジスト法により回路形成したも
のがリードフレームとして用いられている。しかし、こ
の方法はポリイミドフィルムと銅箔の接合性が１５０°
Ｃ以上の温度に長時間さらされると著しく劣化すること
及びポリイミドフィルム自体の熱伝導性が悪いことから
ＩＣ組立工程での高温処理やＩＣ動作時に発生する熱の
放散などの点で問題点が多い。
第２図は本発明によるテープキャリア型ＩＣ実装用基板
フィルムの一部断面構造を示すもので、基板として有機
物でなく、十分可撓性のある金属箔３を用い、この上に
電気絶縁性の士ラミックフィルム４を被覆した後、その
セラミック層の上にアルミニウムフィルム５を被覆しｋ
もので三層構造を示す。金属箔８は十分な可撓性を必要
とするため厚みは０．Ｏ１〜０．１０ｊｌｊＬに限定さ
れる。材質としては、ＩＣの熱膨張特性と熱放散特性に
対する要求に応じて選択されるが、コバール、４２アロ
イ（４２９６Ｎｉ−Ｆｅ）各種銅合金、Ｃｕクラッド４
２アロイクラツドＣｕ、Ｃｕクラッドステンレスクラッ
ドＣｕ％４２アロ − − イクラツド鋼フラッド４２アロイなどの材料が有効であ
る。又被覆上ラミック層４としては、厚み０．１〜８μ
ｍで、ＢＮ、 ｆｉＪ＠ＯＢ 、ＡｊＮ、 ＳｉＣ，５
ｉＢＮ４、ＹｇＯｓ から選ばれた１種又は２種以上
の酸化物が有益であり、回路基板の要求特性に応じて選
択することができる。七ラミック被覆層の厚みが０．１
μ以下では絶縁性の上で問題があり、８μ以上では被覆
コストが高くなることと可撓性、密着強度の点で問題が
ある。
フィルムの一部断面構造を示すもので、基板として有機
物でなく、十分可撓性のある金属箔３を用い、この上に
電気絶縁性の士ラミックフィルム４を被覆した後、その
セラミック層の上にアルミニウムフィルム５を被覆しｋ
もので三層構造を示す。金属箔８は十分な可撓性を必要
とするため厚みは０．Ｏ１〜０．１０ｊｌｊＬに限定さ
れる。材質としては、ＩＣの熱膨張特性と熱放散特性に
対する要求に応じて選択されるが、コバール、４２アロ
イ（４２９６Ｎｉ−Ｆｅ）各種銅合金、Ｃｕクラッド４
２アロイクラツドＣｕ、Ｃｕクラッドステンレスクラッ
ドＣｕ％４２アロ − − イクラツド鋼フラッド４２アロイなどの材料が有効であ
る。又被覆上ラミック層４としては、厚み０．１〜８μ
ｍで、ＢＮ、 ｆｉＪ＠ＯＢ 、ＡｊＮ、 ＳｉＣ，５
ｉＢＮ４、ＹｇＯｓ から選ばれた１種又は２種以上
の酸化物が有益であり、回路基板の要求特性に応じて選
択することができる。七ラミック被覆層の厚みが０．１
μ以下では絶縁性の上で問題があり、８μ以上では被覆
コストが高くなることと可撓性、密着強度の点で問題が
ある。
七ラミック被覆層の上に被覆するアルミニウム箔５は８
二８０μｍの厚みが必要でこれは導電回路形成の上で必
要な厚さに基くものである。
二８０μｍの厚みが必要でこれは導電回路形成の上で必
要な厚さに基くものである。
ここで回路形成材料としてアルミニウムを用いたのはＡ
ノ細線によるワイヤーポンディングが直接容易に可能の
為でＳｉチップのダイポンディングは、ペースト法によ
りゃはり可能である。
ノ細線によるワイヤーポンディングが直接容易に可能の
為でＳｉチップのダイポンディングは、ペースト法によ
りゃはり可能である。
セラミック及びアルミニウムフィルムの被覆法としては
薄く均一で安定な密着性の点で物理的気相蒸着法（ｐｖ
ｃ法）や化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）などの気相メッ
キ法を用いると本発明の効果が顕著である。
薄く均一で安定な密着性の点で物理的気相蒸着法（ｐｖ
ｃ法）や化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）などの気相メッ
キ法を用いると本発明の効果が顕著である。
しかし、アルミニウムフィルムの被覆は接着剤による方
法、圧接法も利用し得る。
法、圧接法も利用し得る。
以下実施例によって説明する。
板厚０．０８ｊｌＫの銅クラツド４２アロイクラツド銅
の上にイオンブレーティング法でＡｊｇＯｓ薄膜を２．
０μｍ被覆したのち、イオンスパッタリング法で８μｍ
のアルミニウム膜を被覆した。
の上にイオンブレーティング法でＡｊｇＯｓ薄膜を２．
０μｍ被覆したのち、イオンスパッタリング法で８μｍ
のアルミニウム膜を被覆した。
基板としては積層金属テープを用い熱膨張係数を７．
ＯＸ １０−６／ ｄｅｇとする為、銅比率（断面積比
）でＢ０９６とした。Ａｊ ２ＯＢ被覆の為のイオンブ
レーティングは原料としてＡノ２０８焼結体を用い、電
子ビーム加熱により蒸発させ、酸素圧４ Ｘ Ｉ Ｐ’
Ｔｏｒｒで、１８．５６ＭＨｚ 、 １００〜２００
Ｗノ高周波電力を印加して蒸発物質の一部をイオン化し
、基板を２００″Ｃに加熱してＡｊｇ０８を厚さ１．０
μｍ被覆し、絶縁耐圧３Ｍｖ／Ｆ＋！以上の絶縁性良好
でかつ密着性、可撓性ノヨイフイルムヲ作製した。又ア
ルミニウムフィルムを形成するスパッタリング条件はタ
ーゲットとして純度９９．９９ｗｔ９６のアルミニウム
を用い、アルゴンガス雰囲気で、基板を１００”Ｃに加
熱して行った。このようにして作製した基板フィルムは
２００°Ｃで長時間さらされてもその特性は劣化するこ
となく、被覆層が剥離することもなく可撓性も十分であ
った。
ＯＸ １０−６／ ｄｅｇとする為、銅比率（断面積比
）でＢ０９６とした。Ａｊ ２ＯＢ被覆の為のイオンブ
レーティングは原料としてＡノ２０８焼結体を用い、電
子ビーム加熱により蒸発させ、酸素圧４ Ｘ Ｉ Ｐ’
Ｔｏｒｒで、１８．５６ＭＨｚ 、 １００〜２００
Ｗノ高周波電力を印加して蒸発物質の一部をイオン化し
、基板を２００″Ｃに加熱してＡｊｇ０８を厚さ１．０
μｍ被覆し、絶縁耐圧３Ｍｖ／Ｆ＋！以上の絶縁性良好
でかつ密着性、可撓性ノヨイフイルムヲ作製した。又ア
ルミニウムフィルムを形成するスパッタリング条件はタ
ーゲットとして純度９９．９９ｗｔ９６のアルミニウム
を用い、アルゴンガス雰囲気で、基板を１００”Ｃに加
熱して行った。このようにして作製した基板フィルムは
２００°Ｃで長時間さらされてもその特性は劣化するこ
となく、被覆層が剥離することもなく可撓性も十分であ
った。
以上説明した如く、十分な熱伝導性と所要の熱゛膨張特
性を有し、かつフィルムとして可撓性をもつ金属又は複
合合金テープ上に°電気絶縁性を有する七ラミック膜を
被覆した後、回路形成のためのアルミニウムフィルムを
被覆することにより、耐熱性及び放熱性良好で且つ直接
、ワイヤーポンディングが可能なテープキャリア型実装
方式のＩＣに用いる基板材料を作製することができ、テ
ープキャリア型実装方式の適用範囲を著しく拡大するこ
とが可能となった。
性を有し、かつフィルムとして可撓性をもつ金属又は複
合合金テープ上に°電気絶縁性を有する七ラミック膜を
被覆した後、回路形成のためのアルミニウムフィルムを
被覆することにより、耐熱性及び放熱性良好で且つ直接
、ワイヤーポンディングが可能なテープキャリア型実装
方式のＩＣに用いる基板材料を作製することができ、テ
ープキャリア型実装方式の適用範囲を著しく拡大するこ
とが可能となった。
第１図は従来の基板フィルム１部所面図、第２図は本発
明による基板フィルムの１部所面図である。 ｌ：ポリイミドフィルム、２：銅箔、８：金属箔、４：
セラミックフィルム、５ニアルミニウム箔。 芳Ｉ図
明による基板フィルムの１部所面図である。 ｌ：ポリイミドフィルム、２：銅箔、８：金属箔、４：
セラミックフィルム、５ニアルミニウム箔。 芳Ｉ図
Claims (3)
- （１）板厚０．Ｏ１〜０．１０４１の可撓性のある金属
又は複合合金テープの上に、厚さ０．１〜３μｍで電気
絶縁性を有するセラミック薄層があり、更にその上にア
ルミニウムフィルムが８〜８０μｍの厚みで被覆された
三層構造であることを特徴とするＩＣ用基板。 - （２）三層の中間層であるセラミックがＢＮ、 Ａｊｇ
０８゜ＳｉＣ，５ｉａＮ＋＋ Ｙａｋｓの１種又は２種
以上のセラミック薄層であることを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載のＩＣ用基板。 - （３）三層の中間層であるセラミック薄層がＰＶＤ法又
はＣＶＤ法によって被覆されたものであることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載のＩＣ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2025282A JPS58138061A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | Ｉｃ用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2025282A JPS58138061A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | Ｉｃ用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138061A true JPS58138061A (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=12021999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2025282A Pending JPS58138061A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | Ｉｃ用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138061A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1243569A3 (en) * | 1994-04-11 | 2008-11-19 | Dowa Metaltech Co., Ltd. | Electrical circuit having a metal-bonded-ceramic material or MBC component as an insulating substrate |
-
1982
- 1982-02-10 JP JP2025282A patent/JPS58138061A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1243569A3 (en) * | 1994-04-11 | 2008-11-19 | Dowa Metaltech Co., Ltd. | Electrical circuit having a metal-bonded-ceramic material or MBC component as an insulating substrate |
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