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TWI654603B - 光學媒體複製裝置及光學媒體複製方法 - Google Patents

光學媒體複製裝置及光學媒體複製方法

Info

Publication number
TWI654603B
TWI654603B TW103124612A TW103124612A TWI654603B TW I654603 B TWI654603 B TW I654603B TW 103124612 A TW103124612 A TW 103124612A TW 103124612 A TW103124612 A TW 103124612A TW I654603 B TWI654603 B TW I654603B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pattern
region
signal
channels
margin
Prior art date
Application number
TW103124612A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201506920A (zh
Inventor
西紀彰
齊藤公博
白石淳也
天宅豊
安藤伸彦
Original Assignee
日商新力股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商新力股份有限公司 filed Critical 日商新力股份有限公司
Publication of TW201506920A publication Critical patent/TW201506920A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI654603B publication Critical patent/TWI654603B/zh

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    • G11B7/00718—Groove and land recording, i.e. user data recorded both in the grooves and on the lands
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Abstract

本發明係關於一種複製裝置。該複製裝置可包括一光學濾波器及電濾波器。該光學濾波器可經組態以提供對應於自一光學媒體返回之一光束之區域的電信號，該光束入射在該光學濾波器上，該光束之該等區域對應於一線密度方向及/或一軌道密度方向上之不同頻帶。該等電濾波器可經組態以至少部分基於由該光學濾波器提供之該等電信號而提供輸出，其中該複製裝置經組態以藉由組合該等電濾波器之該等輸出來獲得一複製信號。

Description

光學媒體複製裝置及光學媒體複製方法 相關申請案之交叉參考
本申請案主張2013年8月14日申請之日本優先權專利申請案JP 2013-168484之權利，該案之全部內容係以引用之方式併入本文。
本發明係關於一種光學媒體複製裝置及一種用於自諸如一光碟之一光學媒體進行複製之光學媒體複製方法。
存在用於藉由縮短通道位元長度(即，標記長度)達成一線密度方向上之一較高密度之一方法作為用於達成一光碟上之一較高密度之一方法。另一方法係使軌道節距變狹窄之一方法。然而，若密度在線密度方向上較高，則發生符號間干擾增加之一問題。此外，若軌道節距較狹窄，則來自一相鄰軌道之資訊之一洩漏(相鄰軌道串擾)增加。提出用於減小相鄰軌道串擾(必要時下文簡稱為串擾)之方法。
例如，PTL 1中描述藉由將為一複製目標之一軌道及位於該複製目標之兩側上之軌道之複製信號供應給一自適應等化器單元及控制自適應等化器單元中之分接頭係數而消除串擾。
[引用清單]
[專利文獻]
[PTL 1]
JP 2012-079385 A
根據PTL 1中描述之技術，同時自為複製目標之軌道及位於複製目標之兩側上之軌道讀取資料需要三個光束。必須對準由三個光束讀取之複製信號之相位。亦可使用一光束自三個軌道相繼複製資料並使複製信號同時產生。必須用於使複製信號同時產生之一方法。因此，PTL 1中描述之技術具有以下問題：光學拾取器之組態變複雜，相位對準變複雜，且電路規模變複雜。此外，關於PTL 1中描述之技術，未提及使線密度方向上之密度變得更高。
因此，意欲提供一種能夠藉由使用一軌道之一複製信號消除串擾且使線密度方向上之密度變得更高之光學媒體複製裝置及光學複製方法。
本發明係自其上形成複數個軌道之一光學媒體進行信號複製之一光學媒體複製裝置，該光學媒體複製裝置包含：一偵測單元，其經組態以將自該光學媒體返回之一光束之一截面劃分為對應於一徑向方向上之外部區域之至少一通道、對應於一切向方向上之位置不同之區域之至少一區域及對應於其他區域之一通道，且分別形成該等通道之偵測信號；一多輸入等化器單元，其經組態以包含分別被供應該複數個通道之偵測信號之複數個等化器單元且對該複數個等化器單元之輸出進行計算並輸出一結果作為一等化信號；及一個二進位化單元，其經組態以對該等化信號進行二進位化處理並獲得二進位資料。
本發明係自其上形成複數個軌道之一光學媒體進行光學複製之 一光學媒體複製裝置，該光學媒體複製裝置包含：一光學濾波器，其上入射自該光學媒體返回之一光束且以一空間光學方式形成在一線密度方向及/或一軌道密度方向上具有不同頻帶之複數個信號；及複數個電濾波器，其等分別被供應由該光學濾波器形成之該複數個信號，其中該光學媒體複製裝置藉由組合該複數個電信號之輸出獲得一複製信號。
根據本發明之一態樣，提供一種複製裝置，其包括：一偵測單元，該偵測單元經組態以：將自一光學媒體返回之一光束之一截面劃分為分別對應於第一通道及第二通道之至少第一區域及第二區域，其中該第一區域包含該光束之一徑向方向上之一外部區域，其中該第二區域包含該光束之一切向方向上之一外部區域，且形成對應於該等各自通道之偵測信號；一多輸入等化器組件，其包括被供應對應於該等通道之該等各自偵測信號之等化器單元，且經組態以對該等等化器單元之輸出執行計算且基於該計算輸出一等化信號；及一個二進位化單元，其經組態以對該等化信號執行二進位化處理以獲得二進位資料。
根據本發明之一態樣，提供一種方法，其包括：將自一光學媒體返回之一光束之一截面劃分為分別對應於第一通道及第二通道之至少第一區域及第二區域，其中該第一區域包含該光束之一徑向方向上之一外部區域，其中該第二區域包含該光束之一切向方向上之一外部區域；形成對應於該等各自通道之偵測信號；將對應於該等通道之該等偵測信號供應給各自等化器單元；使用包括該等等化器單元之一多輸入等化器組件以對該等等化器單元之輸出執行計算且基於該計算輸出一等化信號；及對該等化信號執行二進位化處理以獲得二進位資料。
根據本發明之一態樣，提供一種複製裝置，其包括：一光學濾 波器，該光學濾波器經組態以提供對應於自一光學媒體返回之一光束之區域之電信號，該光束入射在該光學濾波器上，該光束之該等區域對應於一線密度方向及/或一軌道密度方向上之不同頻帶；及電濾波器，其等經組態以至少部分基於由該光學濾波器提供之該等電信號提供輸出，其中該複製裝置經組態以藉由組合該等電濾波器之該等輸出獲得一複製信號。
1‧‧‧半導體雷射/雷射二極體
2‧‧‧準直器透鏡
3‧‧‧偏光光束分離器(PBS)
4‧‧‧物鏡
5‧‧‧透鏡
6‧‧‧光偵測器
11‧‧‧A/D轉換器
12‧‧‧鎖相環(PLL)
13‧‧‧多輸入自適應等化器單元
14‧‧‧二進位化偵測器
15‧‧‧PR迴旋單元
16‧‧‧等化誤差計算單元
17‧‧‧加法電路
21‧‧‧自適應等化器單元
22‧‧‧自適應等化器單元
23‧‧‧自適應等化器單元
24‧‧‧加法器
25‧‧‧減法器
26‧‧‧係數倍乘器
30-0‧‧‧延遲元件
30-1‧‧‧延遲元件
30-2‧‧‧延遲元件
30-3‧‧‧延遲元件
30-4‧‧‧延遲元件
30-5‧‧‧延遲元件
30-n‧‧‧延遲元件
31-0‧‧‧係數倍乘器
31-1‧‧‧係數倍乘器
31-2‧‧‧係數倍乘器
31-3‧‧‧延遲元件
31-4‧‧‧延遲元件
31-5‧‧‧延遲元件
31-n‧‧‧延遲元件
32-0‧‧‧計算單元
32-1‧‧‧計算單元
32-2‧‧‧計算單元
32-3‧‧‧計算單元
32-4‧‧‧計算單元
32-5‧‧‧計算單元
32-n‧‧‧計算單元
33-0‧‧‧積分器
33-1‧‧‧積分器
33-2‧‧‧積分器
33-3‧‧‧積分器
33-4‧‧‧積分器
33-5‧‧‧積分器
33-n‧‧‧積分器
34‧‧‧加法器
100‧‧‧光碟
101‧‧‧光學拾取器
102‧‧‧主軸馬達
103‧‧‧線程機構
104‧‧‧矩陣電路
105‧‧‧資料偵測處理單元
106‧‧‧擺動信號處理電路
107‧‧‧編碼/解碼單元
108‧‧‧主機介面
109‧‧‧位址解碼器
110‧‧‧系統控制器
111‧‧‧光學區塊伺服電路
112‧‧‧主軸伺服電路
113‧‧‧雷射驅動器
114‧‧‧寫入策略單元
115‧‧‧線程驅動器
116‧‧‧ADIP解調變處理單元
117‧‧‧主軸驅動器
118‧‧‧驅動器
121‧‧‧光源
122‧‧‧光束分離器
123‧‧‧物鏡
124‧‧‧光碟
125‧‧‧光束分離器
126A‧‧‧光感測元件
126B‧‧‧光感測元件
126C‧‧‧光感測元件
127‧‧‧光束分離器
131‧‧‧光學濾波器
132‧‧‧電濾波器
133‧‧‧電濾波器
200‧‧‧主機器件
圖1係繪示根據本發明之一實施例之一光碟裝置之一組態之一方塊圖。
圖2係繪示本發明之一實施例中之一光學拾取器之一組態之一示意圖。
圖3係一實施例中之一資料偵測處理單元之一實例之一方塊圖。
圖4係資料偵測處理單元中之一多輸入自適應等化器之一實例之一方塊圖。
圖5係多輸入自適應等化器之一實例之一方塊圖。
圖6係一等化誤差計算單元之一實例之一方塊圖。
圖7係用於解釋一區域劃分之一圖案之複數個實例之一示意圖。
圖8係繪示關於一圖案R2之頻率振幅特性之一圖表。
圖9A及圖9B係繪示關於圖案R2之分接頭係數及頻率相位之圖表。
圖10係用於解釋關於圖案R2之一散焦裕度之一圖表。
圖11係用於解釋關於圖案R2之一徑向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖12係用於解釋關於圖案H3A及H4C之一散焦裕度之一圖表。
圖13係用於解釋關於圖案H3A及H4C之一光碟之一徑向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖14係用於解釋關於圖案H3A及H4C之一光碟之一切向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖15係繪示關於圖案H3A之頻率振幅特性之一圖表。
圖16A及圖16B係繪示關於圖案H3A之分接頭係數及頻率振幅特性之圖表。
圖17係指示固定線密度與指標之間之關係之一圖表。
圖18係用以解釋一散焦裕度之一圖表。
圖19係用以解釋徑向方向上之一慧差裕度之一圖表。
圖20係繪示關於一圖案HT4A之頻率振幅特性之一圖表。
圖21A及圖21B係繪示關於圖案HT4A之分接頭係數及頻率相位特性之圖表。
圖22係繪示區域劃分之一具體實例之一示意圖。
圖23係指示藉由改變劃分位置獲得之一徑向慧差之一裕度之擴大之一圖表。
圖24A至圖24D係繪示受一透鏡移位影響之一實例之示意圖。
圖25係指示一透鏡移位對徑向慧差之一影響之一圖表。
圖26A至圖26C係指示一透鏡移位對徑向慧差之一影響之圖表。
圖27A至圖27C係指示一透鏡移位對徑向慧差之一影響之圖表。
圖28A至圖28C係指示一透鏡移位對徑向慧差之一影響之圖表。
圖29A至圖29C係指示一透鏡移位對散焦特性之一影響之圖表。
圖30A至圖30C係指示一透鏡移位對散焦特性之一影響之圖表。
圖31A至圖31C係指示一透鏡移位對散焦特性之一影響之圖表。
圖32A至圖32C係指示一透鏡移位對徑向慧差特性之一影響之圖表。
圖33A至圖33C係指示一透鏡移位對散焦特性之一影響之圖表。
圖34A至圖34C係指示一透鏡移位對徑向慧差特性之一影響之圖 表。
圖35A至圖35C係指示一透鏡移位對散焦特性之一影響之圖表。
圖36係繪示區域劃分之一圖案之具體實例之一示意圖。
圖37係用以解釋徑向方向上之一慧差裕度之一圖表。
圖38係用以解釋徑向方向上之一慧差裕度之一圖表。
圖39係用以解釋繞射光之一移位量之一示意圖。
圖40係繪示一調變傳送函數(MTF)之空間頻率特性之一圖表。
圖41係用以解釋繞射光之移位之一示意圖。
圖42係用以解釋繞射光之移位之一示意圖。
圖43係用以解釋一光學濾波器之最佳化之一示意圖。
圖44係繪示一區域劃分圖案IVT4之一示意圖。
圖45係用於解釋關於圖案IVT4之一徑向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖46係用於解釋關於圖案IVT4之一散焦裕度之一圖表。
圖47係用於解釋關於圖案IVT4之一球面像差裕度之一圖表。
圖48係用於解釋關於圖案IVT4之一切向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖49係用於解釋其中一圖案在關於圖案IVT4之一徑向方向上移位之一情況之一圖表。
圖50係繪示針對圖案IVT4最佳化之一電濾波器之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖51係繪示針對圖案IVT4最佳化之一電濾波器之頻率特性之一圖表。
圖52係繪示針對圖案IVT4最佳化之一電濾波器之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖53係繪示針對圖案IVT4最佳化之一電濾波器之頻率特性之一 圖表。
圖54係繪示一區域劃分圖案NST6之一示意圖。
圖55係用於解釋關於圖案NST6之一徑向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖56係用於解釋關於圖案NST6之一散焦裕度之一圖表。
圖57係用於解釋關於圖案NST6之一球面像差裕度之一圖表。
圖58係用於解釋關於圖案NST6之一切向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖59係用於解釋其中一圖案在關於圖案NST6之一徑向方向上移位之一情況之一圖表。
圖60係繪示一區域劃分圖案IVNST6之一示意圖。
圖61係用於解釋關於圖案IVNST6之一徑向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖62係用於解釋關於圖案IVNST6之一散焦裕度之一圖表。
圖63係用於解釋關於圖案IVNST6之一球面像差裕度之一圖表。
圖64係用於解釋關於圖案IVNST6之一切向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖65係用於解釋其中一圖案在關於圖案IVNST6之一徑向方向上移位之一情況之一圖表。
圖66係繪示針對圖案IVNST6最佳化之一電濾波器之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖67係繪示針對圖案IVNST6最佳化之一電濾波器之頻率特性之一圖表。
圖68係繪示針對圖案IVNST6最佳化之一電濾波器之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖69係繪示針對圖案IVNST6最佳化之一電濾波器之頻率特性之 一圖表。
圖70係繪示針對圖案IVNST6最佳化之一電濾波器之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖71係繪示針對圖案IVNST6最佳化之一電濾波器之頻率特性之一圖表。
圖72係繪示針對圖案IVNST6最佳化之一電濾波器之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖73係繪示針對圖案IVNST6最佳化之一電濾波器之頻率特性之一圖表。
圖74係用於解釋關於圖案IVNST6之改變分接頭數目之一情況中之一散焦裕度之一圖表。
圖75係用於解釋關於圖案IVNST6之改變分接頭數目之一情況中之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖76係用於解釋關於圖案IVNST6之改變分接頭數目之一情況中之頻率特性之一圖表。
圖77係繪示一區域劃分圖案IVTSP5之一示意圖。
圖78係用於解釋關於圖案IVTSP5之一徑向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖79係用於解釋關於圖案IVTSP5之一散焦裕度之一圖表。
圖80係用於解釋關於圖案IVTSP5之一球面像差裕度之一圖表。
圖81係用於解釋關於圖案IVTSP5之一切向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖82係用於解釋其中一圖案在關於圖案IVTSP5之一徑向方向上移位之一情況之一圖表。
圖83係用以解釋減小通道數目之一圖案IVTSM4之一示意圖。
圖84係用於解釋關於圖案IVTSM4之一徑向方向上之慧差之一裕 度之一圖表。
圖85係用於解釋關於圖案IVTSM4之一散焦裕度之一圖表。
圖86係用於解釋關於圖案IVTSM4之一球面像差裕度之一圖表。
圖87係用於解釋關於圖案IVTSM4之一切向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖88係用於解釋其中一圖案在關於圖案IVTSM4之一徑向方向上移位之一情況之一圖表。
圖89係繪示一區域劃分圖案IVNS5之一示意圖。
圖90係用於解釋關於圖案IVNS5之一徑向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖91係用於解釋關於圖案IVNS5之一散焦裕度之一圖表。
圖92係用於解釋關於圖案IVNS5之一球面像差裕度之一圖表。
圖93係用於解釋關於圖案IVNS5之一切向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖94係用於解釋其中一圖案在關於圖案IVNS5之一徑向方向上移位之一情況之一圖表。
圖95係繪示針對圖案IVNS5最佳化之一電濾波器之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖96係繪示針對圖案IVNS5最佳化之一電濾波器之頻率特性之一圖表。
圖97係繪示針對圖案IVNS5最佳化之一電濾波器之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖98係繪示針對圖案IVNS5最佳化之一電濾波器之頻率特性之一圖表。
圖99係繪示針對圖案IVNS5最佳化之一電濾波器之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖100係繪示針對圖案IVNS5最佳化之一電濾波器之頻率特性之一圖表。
圖101係用於解釋關於減小通道數目之一圖案IVSP4之一徑向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖102係繪示一徑向方向上之慧差之一裕度之係數相依性之一圖表。
圖103係用於解釋關於圖案IVSP4之一散焦裕度之一圖表。
圖104係繪示一散焦裕度之係數相依性之一圖表。
圖105係用於解釋關於圖案IVSP4之一球面像差裕度之一圖表。
圖106係繪示一球面像差裕度之係數相依性之一圖表。
圖107係用於解釋關於圖案IVSP4之一切向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖108係用於解釋其中一圖案在關於圖案IVSP4之一徑向方向上移位之一情況之一圖表。
圖109係用於解釋其中一圖案在關於圖案IVSP4之一徑向方向上移位之一情況之一圖表。
圖110係用以解釋減小通道數目之一圖案IVos4之一示意圖。
圖111係用於解釋關於圖案IVos4之一徑向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖112係用於解釋關於圖案IVos4之一散焦裕度之一圖表。
圖113係用於解釋關於圖案IVos4之一球面像差裕度之一圖表。
圖114係用於解釋關於圖案IVos4之一切向方向上之慧差之一裕度之一圖表。
圖115係用於解釋其中一圖案在關於圖案IVos4之一徑向方向上移位之一情況之一圖表。
圖116係用於解釋其中一圖案在關於圖案IVos4之一徑向方向上移 位之一情況之一圖表。
圖117係繪示一圖案HNST6之一示意圖。
圖118係繪示一圖案HiNS5之一示意圖。
圖119係繪示一圖案VT4之一示意圖。
圖120係繪示一圖案VHT4之一示意圖。
圖121係繪示一圖案VHi3之一示意圖。
圖122係繪示一圖案NST6之一示意圖。
圖123係繪示在使密度更高之一情況中關於圖案NST6之一電濾波器之分接頭之係數之一圖表。
圖124係繪示在使密度更高之一情況中關於圖案NST6之頻率特性之一圖表。
圖125係用以解釋本發明之一方塊圖。
圖126係繪示根據本發明之另一實施例之一複製光學系統之一實例之一示意圖。
圖127係繪示一光束分離器之反射特性之一圖表。
圖128係繪示一光束分離器之透射特性之一圖表。
圖129係繪示包含一額外光束分離器之一光學系統之一示意圖。
圖130係繪示根據本發明之另一實施例之一電濾波器之分接頭之係數之一實例之一圖表。
圖131係繪示根據本發明之另一實施例之一電濾波器之頻率特性之一實例之一圖表。
圖132係繪示根據本發明之另一實施例之一電濾波器之分接頭之係數之另一實例之一圖表。
圖133係繪示根據本發明之另一實施例之一電濾波器之頻率特性之另一實例之一圖表。
下文描述之實施例係本發明之較佳具體實例，且具備技術上期望之各種約束。然而，除非隨後描述中特別說明一實施例限制本發明，否則本發明之範疇不限於此等實施例。
順便提及，本發明將以下列順序加以描述。
<1.一實施例>
<2.其他實施例>
<3.修改>
<1.一實施例>
「光碟器件」
根據本發明之一實施例之一光碟器件包含一光學拾取器101，其經組態以將資訊記錄並複製在一光碟100上，從而用作一光學記錄媒體；及一主軸馬達102，其經組態以使光碟100如圖1中繪示般旋轉。一線程(饋送馬達)103經提供以使光學拾取器101在光碟100之一徑向方向上移動。
可使用諸如一Blu-ray(註冊商標)光碟(BD)之一高密度光碟作為光碟100。BD係一面之一單層上具有近似25Gb(十億位元組)之一記錄容量且一面之兩層上具有近似50Gb之一記錄容量之一高密度光碟。根據BD標準，光源波長被設定為等於405nm，且一物鏡之數值孔徑(NA)大至0.85以使束點直徑更小。在CD標準中，光源波長係780nm，NA係0.45且束點直徑係2.11μm。在DVD標準中，光源波長係650nm，NA係0.6且束點直徑係1.32μm。在BD標準中，束點直徑可縮小至0.58μm。
此外，近年來，其中藉由縮短通道位元長度(即，Blu-ray(註冊商標)光碟(BD)之標記長度)且使線密度方向上之密度更高來實施三層中之100GB及四層中之128GB之一較大容量之BDXL(註冊商標)已經在實際使用了。
此外，為進一步增加記錄容量，期望採用將資料記錄在一凹軌軌道及一軌面軌道(必要時稱為軌面/凹軌記錄方案)兩者上之一方法之一光碟。順便提及，日文中的「mizo」稱為凹軌，且由一凹軌形成之一軌道稱為凹軌軌道。凹軌被定義為使用雷射光輻照之一部分。夾置在相鄰凹軌之間之一區域稱為軌面。由軌面形成之一軌道稱為軌面軌道。此外，在藉由層壓複數個資訊記錄層形成之一多層光碟中，可進一步增加記錄容量。
若能夠以一高密度進行記錄之此一光碟100安裝在一光碟裝置上，則在記錄/複製時，由主軸馬達102驅動光碟100以依一恆定線速度(CLV)或一恆定角速度(CAV)旋轉。為在光碟100之徑向方向上對準擺動凹軌之相位，期望CAV或一區CAV。在複製時，由光學拾取器(光學頭)101讀出記錄在光碟100上之一軌道上之標記資訊。在將資料記錄在光碟100上時，由光學拾取器101將使用者資料記錄在光碟100上之一軌道上作為一相變標記或一著色劑改變標記。
在一可記錄類型光碟之情況下，使用相變標記之記錄標記被記錄在由一擺動凹軌形成之一軌道上。相變標記係藉由使用一RLL(1,7)PP調變方案(RLL：執行長度限制，PP：同位保護/禁止重複最小轉變執行長度(rmtr))等等而記錄。在每層具有23.3GB之一BD之情況下，以0.12μm/位元及0.08μm/通道位元之一線密度記錄相變標記。以相同方式，在具有25GB/層之一BD之情況下，以0.0745μm/通道位元之一線密度記錄相變標記。在32GB/層之BDXL(註冊商標)之情況下，以0.05826μm/通道位元之一線密度記錄相變標記。在33.4GB/層之BDXL(註冊商標)之情況下，以0.05587μm/通道位元之一線密度記錄相變標記。以此方式，根據一光碟分類，以對應於通道位元長度之一密度進行記錄。假設通道時脈週期係「T」，標記長度係在2T至8T之範圍中。在僅專用於複製之一光碟之情況下，未形成凹軌，藉由以相 同方式使用RLL(1,7)PP調變方案調變之資料被記錄為壓印訊坑列(emboss pit train)。
在光碟100之一內部圓周區域等等上，例如光碟之物理資訊等等藉由一壓印訊坑或一擺動凹軌記錄為僅專用於複製之管理資訊。此等類型的資訊之讀出亦藉由光學拾取器101進行。此外，隨著光碟100上之一凹軌軌道之擺動嵌入之ADIP資訊之讀出亦係藉由光學拾取器101進行。
在光學拾取器101中，提供用作一雷射光源之一雷射二極體、用於偵測一反射光束之一光偵測器、成為雷射光之一輸出端之一物鏡及一光學系統，該光學系統使用雷射光經由物鏡輻照一光碟之一記錄面且將一反射光束引導至光二極體。在光學拾取器101中，物鏡經固持以可藉由一雙軸機構在一循軌方向及一聚焦方向上移動。整個光學拾取器101可藉由線程機構103在光碟徑向方向上移動。光學拾取器101中之雷射二極體被供應來自一雷射驅動器113之一驅動電流。雷射二極體產生雷射光。
來自光碟100之一反射光束藉由光偵測器予以偵測，且取決於接收光量之一所得電信號被供應至一矩陣電路104。矩陣電路104包含對應於來自用作光偵測器之複數個光感測元件之輸出電流之電流電壓轉換電路及矩陣計算/放大電路。矩陣電路104藉由進行矩陣計算處理產生必要的信號。考慮到信號傳輸品質，電流電壓轉換電路可形成於光偵測器元件內。例如，矩陣電路104產生對應於複製資料之一複製資訊信號(RF信號)、用於伺服控制之一聚焦誤差信號、一循軌誤差信號等等。此外，產生一推挽信號作為與凹軌之擺動有關之一信號，即，用於偵測擺動之一信號。
自矩陣電路104輸出之複製資訊信號被供應至一資料偵測處理單元105。聚焦誤差信號及循軌誤差信號被供應至一光學區塊伺服電路 111。推挽信號被供應至一擺動信號處理電路106。
資料偵測處理單元105進行複製資訊信號之二進位化處理。例如，資料偵測處理單元105進行RF信號之類比轉數位(A/D)轉換處理、使用PLL進行複製時脈產生處理、進行部分回應(PR)等化處理、威比特解碼(最大似然解碼)等等，且藉由使用部分回應最大似然解碼處理(PRML偵測方案：部分回應最大似然偵測方案)獲得二進位資料。資料偵測處理單元105在一後續階段中將二進位資料列供應至一編碼/解碼單元107作為自光碟100讀出之資訊。
編碼/解碼單元107在複製時進行複製資料之解調變且在記錄時進行記錄資料之調變處理。換言之，編碼/解碼單元107在複製時進行資料解調變、解交錯、ECC解碼、位址解碼等等，且在記錄時進行ECC編碼、交錯、資料調變等等。
在複製時，藉由資料偵測處理單元105解碼之二進位資料列被供應至編碼/解碼單元107。編碼/解碼單元107對二進位資料列進行解調變處理，且自光碟100獲得複製資料。換言之，例如，編碼/解碼單元107對經歷執行長度限制碼調變(諸如RLL(1,7)PP調變)且記錄在光碟100上之資料進行解調變處理，且進行ECC解碼處理以進行誤差校正，且自光碟100獲得複製資料。
基於來自一系統控制器110之一指令，藉由編碼/解碼單元107解碼且當作複製資料之資料被傳送至一主機介面108，且被傳送至一主機器件200。主機器件200係(例如)一電腦器件或一影音(AV)系統器件。
在光碟100上進行記錄/複製時，對ADIP資訊進行處理。換言之，自矩陣電路104輸出作為與凹軌之擺動有關之推挽信號在擺動信號處理電路106中轉換為數位化擺動資料。藉由PLL處理產生同步至推挽信號之一時脈。擺動資料藉由一ADIP解調變處理單元116解調變 為形成一ADIP位址之一資料串流，且被供應至一位址解碼器109。位址解碼器109對所供應之資料進行解碼，獲得一位址值且將位址值供應至系統控制器110。
在記錄時，自主機器件200傳送記錄資料。經由主機介面108供應記錄資料至編碼/解碼單元107。編碼/解碼單元107進行誤差校正碼加法(ECC編碼)、交錯、子碼加法等等作為記錄資料之編碼處理。編碼/解碼單元107對經歷此等類型的處理之資料進行執行長度限制碼調變，諸如RLL(1,7)PP方案。
藉由編碼/解碼單元107處理之記錄資料被供應至一寫入策略單元114。寫入策略單元114對記錄層之特性、雷射光之束點形狀、一記錄線速度等等進行雷射驅動脈衝波形調整作為記錄補償處理。接著寫入策略單元114將一雷射驅動脈衝輸出至雷射驅動器113。
雷射驅動器113基於經歷記錄補償處理之雷射驅動脈衝使一電流流過光學拾取器101中之雷射二極體，且進行雷射光發射。因此，取決於記錄資料之一標記形成在光碟100上。
光學區塊伺服電路111自供應自矩陣電路104之聚焦誤差信號及循軌誤差信號產生聚焦、循軌及線程之各種伺服驅動信號，且導致執行伺服操作。換言之，光學區塊伺服電路111根據聚焦誤差信號及循軌誤差信號產生一聚焦驅動信號及一循軌驅動信號，且經由一驅動器118驅動光學拾取器101中之雙軸機構中之一聚焦線圈及一循軌線圈。因此，由光學拾取器101、矩陣電路104、光學區塊伺服電路111、驅動器118及雙軸機構形成一循軌伺服迴路及一聚焦伺服迴路。
此外，光學區塊伺服電路111關斷循軌伺服迴路且回應於來自系統控制器110之一軌道跳躍指令輸出一跳躍驅動信號，且藉此導致執行一軌道跳躍操作。此外，光學區塊伺服電路111基於獲得作為循軌誤差信號之一低頻分量之一線程誤差信號及來自系統控制器110之一 存取執行控制產生一線程驅動信號，且經由一線程驅動器115驅動線程機構103。
一主軸伺服電路112實行控制以導致主軸馬達102進行CLV旋轉或CAV旋轉。主軸伺服電路112獲得由PLL針對擺動信號產生之時脈作為主軸馬達102之當前旋轉速度資訊，且藉由比較該時脈與預定參考速度資訊產生一主軸誤差信號。此外，在資料複製時，由PLL在資料偵測處理單元105中產生之複製時脈變為主軸馬達102之當前旋轉速度資訊。因此，藉由比較複製時脈與預定參考速度資訊而產生主軸誤差信號。接著主軸伺服電路112輸出根據主軸誤差信號產生之一主軸驅動信號，且導致一主軸驅動器117執行主軸馬達102之CLV旋轉或CAV旋轉。
主軸伺服電路112根據供應自系統控制器110之一主軸起動/制動控制信號而產生主軸驅動信號，且導致亦執行諸如主軸馬達102之啟動、停止、加速及減速之操作。
如在此之前描述之伺服系統及記錄及複製系統之各種操作受控於由一微電腦形成之系統控制器110。系統控制器110根據由主機器件200經由主機介面108給定之一命令執行各種類型的處理。例如，若由主機器件200給定一寫入指令(寫入命令)，則系統控制器110首先將光學拾取器101移動至其中寫入資料之一位址。接著系統控制器110導致編碼/解碼單元107對自主機器件200傳送之資料(例如，視訊資料、音訊資料等等)執行編碼處理。接著雷射驅動器113根據編碼資料驅動雷射光發射。因此，執行記錄。
此外，在其中自(例如)主機器件200供應一讀取命令以要求傳送在光碟100上記錄之某些資料之一情況下，系統控制器110首先以一經指示之位址作為一目標來實行尋找操作控制。換言之，系統控制器110發出一指令至光學區塊伺服電路111且導致以由尋找命令集指定作 為一目標之一位址執行光學拾取器101之一存取操作。此後，系統控制器110實行將一經指示之資料段中之資料傳送至主機器件200所必須的操作控制。換言之，系統控制器110自光碟100進行資料讀取、導致資料偵測處理單元105及編碼/解碼單元107執行複製處理，且傳送所請求之資料。
順便提及，圖1中繪示之實例被描述為連接至主機器件200之一光碟裝置。然而，至於光碟裝置，其中光碟裝置未連接至另一器件之一形式亦係可能的。在該情況下，提供一操作單元及一顯示單元，且資料輸入及輸出之一介面區域之一組態變得不同於圖1中繪示之組態。換言之，除了根據使用者之操作進行記錄及複製以外，亦必須形成一終端機單元以輸入並輸出各種資料。理所當然的是，除此之外，亦可想像光碟裝置之極多組態實例。
「光學拾取器」
現在將參考圖2描述上述光碟裝置中使用之光學拾取器101。光學拾取器101將資訊記錄至光碟100上且藉由使用具有(例如)405nm之一波長λ之雷射光(光束)自光碟100複製資訊。雷射光係發射自一半導體雷射(LD：雷射二極體)1。
雷射光行進穿過一準直器透鏡2、一偏光光束分離器(PBS)3及一物鏡4，且使用雷射光輻照光碟100。偏光光束分離器3具有一分離面，其(例如)近似100%透射p-偏光且近似100%反射s偏光。來自光碟100中之一記錄層之反射光透過相同光學路徑返回且入射在偏光光束分離器3上。入射雷射光藉由偏光光束分離器3憑藉插置未繪示之一λ/4元件近似100%反射。
由偏光光束分離器3反射之雷射光經由一透鏡5聚集在一光偵測器6之光感測面上。光偵測器6在光感測面上具有一光感測單元以對入射光進行光電轉換。光感測單元藉由在光碟100之徑向方向(光碟徑向 方向)及/或切向方向(軌道方向)上延伸之劃分線劃分為複數個區域。光偵測器6根據光感測單元之各自區域之光感測量輸出複數個通道之電信號。順便提及，隨後將描述用於劃分為區域之方法。
順便提及，圖2中之光學拾取器101之組態繪示用於解釋本發明之最少組件。省略經由矩陣電路104輸出至光學區塊伺服電路111之聚焦誤差信號及循軌誤差信號以及用於產生經由矩陣電路104輸出至擺動信號處理電路106之推挽信號之一信號。除此之外，惟圖2中繪示之組態以外之各種組態亦係可能的。
在本發明中，來自光碟100之一返回光束之一光通量之一截面被劃分為複數個區域，且獲得對應於各自區域之複數個通道之複製資訊信號。至於用於獲得每個區域之一複製資訊信號之一方法，可使用惟劃分光偵測器6之方法以外之一方法。例如，可使用以下方法：將一光學路徑轉換元件安置在行進穿過物鏡4之一光學路徑中，且導致光偵測器6分離該複數個區域，且將由光學路徑轉換元件分離之複數個光束供應至不同光偵測器。可使用諸如一全像光學元件之一繞射元件或諸如一微透鏡陣列或一微稜鏡之一折射元件作為光學路徑轉換元件。
「資料偵測處理單元」
如上所述，藉由光學拾取器101進行自光碟100之複製，對應於各自區域之偵測信號被供應至矩陣電路104，且獲得對應於各自區域之複數個通道之複製資訊信號。如圖3中繪示，資料偵測處理單元105包含被供應複製資訊信號(其供應自矩陣電路104)之一A/D轉換器11。順便提及，圖3及圖4繪示其中例如來自光碟100之返回光束之光通量之截面被劃分為三個區域且自矩陣電路104獲得三個通道之複製資訊信號之一實例。
A/D轉換器11之一時脈係由一PLL 12形成。供應自矩陣電路104 之複製資訊信號由A/D轉換器11轉換為數位資料。由Sa至Sc標示自區域A至C之三個通道之數位化之複製資訊信號。藉由在一加法電路17中加總複製資訊信號Sa至Sc獲得之一信號被供應至PLL 12。
此外，資料偵測處理單元105包含一多輸入自適應等化器單元13、一個二進位化偵測器14、一PR迴旋單元15及一等化誤差計算單元16。多輸入自適應等化器單元13對複製資訊信號Sa至Sc之各者進行PR自適應等化處理。換言之，複製資訊信號Sa至Sc經等化以近似表示目標PR波形。加總等化輸出，且輸出一等化信號y0。順便提及，可使用多輸入自適應等化器單元之輸出作為PLL 12之一信號輸入。在此情況下，多輸入自適應等化器單元中之初始係數被設定為等於預定值。
二進位化偵測器14被製造為例如一威比特解碼器。二進位化偵測器14對經歷PR等化之等化信號y0進行最大似然解碼處理，且獲得二進位化資料DT。二進位化資料DT被供應至圖1中繪示之編碼/解碼單元107，且進行複製資料解調變處理。至於威比特解碼，使用一威比特偵測器，威比特偵測器包含藉由採取具有一預定長度之連續位元作為單位之複數個狀態及由狀態之間之轉變表示之分支。威比特偵測器經組態以高效率地偵測所有可能位元字串中之一所要位元字串。
在實際電路中，對於各狀態，準備兩個暫存器，即，一路徑度量暫存器及一路徑記憶體暫存器。就狀態而言，路徑度量暫存器係儲存一部分回應字串及信號路徑度量之一暫存器。就狀態而言，路徑記憶體暫存器係儲存位元字串之一流之一暫存器。此外，對於各分支，準備一計算單元，其指稱計算該位元處之一部分回應字串及一信號路徑度量之分支度量單元。
在此威比特解碼器中，各個位元字串可與行進穿過該狀態之路徑一對一對應地相關聯。此外，行進穿過此等路徑之一部分回應字串 與一實際信號(複製信號)之間之一路徑度量係藉由隨後新增包含於上述路徑中之狀態間轉變而獲得(即，分支中之上述分支度量)。
此外，可藉由後續選擇具有一較小路徑度量之一路徑並同時比較達到各狀態之兩個或更少分支具有之路徑度量之量值來實施最小化路徑度量之一路徑選擇。藉由將選擇資訊傳送至路徑記憶體暫存器，儲存使用一位元字串表示達到各狀態處之一路徑之資訊。路徑記憶體暫存器中之值最終收斂至最小化路徑度量並同時隨後更新之一位元字串。因此，輸出結果。
PR迴旋單元15進行二進位化結果之迴旋處理，且產生如由以下等式表示之一目標信號Zk。目標信號Zk係藉由迴旋二進位化偵測結果而獲得。因此，目標信號Zk係不具有雜訊之一理想信號。例如，在PR(1,2,2,2,1)之一情況下，每個通道時脈之值P變為(1,2,2,2,1)。約束長度係5。此外，在PR(1,2,3,3,3,2,1)之一情況下，每個通道時脈之值P變為(1,2,3,3,3,2,1)。約束長度係7。在其中當雷射光之波長λ=405nm時記錄密度高至容量超過35GB之一程度之一情況下，物鏡之NA=0.85，且軌道節距恆定且為0.32μm，除非部分回應之約束長度自5延長至7且偵測能力更高，否則偵測變得困難。順便提及，d在以下等式中表示二進位化資料。
P=(1,2,3,3,3,2,1)
P=(1,2,2,2,1)
等化誤差計算單元16自供應自多輸入自適應等化器單元13之等化信號y0以及目標信號Zk獲得一等化誤差ek，且將等化誤差ek供應至多輸入自適應等化器單元13以控制分接頭係數。如圖6中繪示，等化 誤差計算單元16包含一減法器25及一係數倍乘器26。減法器25自等化信號y0減去目標信號Zk。係數倍乘器26使減法之一結果倍乘一預定係數「a」。因此，產生等化誤差ek。
如圖4中繪示，多輸入自適應等化器單元13包含自適應等化器單元21、22及23以及一加法器24。上述複製資訊信號Sa係輸入至自適應等化器單元21。複製資訊信號Sb係輸入至自適應等化器單元22。複製資訊信號Sc係輸入至自適應等化器單元23。繪示其中區域劃分數目係3之一情況下，該多輸入自適應等化器單元13之一組態。提供對應於區域劃分數目之自適應等化器單元。
自適應等化器單元21、22及23之各者具有以下參數：有限脈衝回應(FIR)濾波器分接頭之數目、一計算精度(位元解析度)及自適應計算之一更新增益。針對參數之各者設定一最佳值。自適應等化器單元21、22及23之各者被供應等化誤差ek作為用於自適應控制之一係數控制值。
藉由加法器24加總分別為自適應等化器單元21、22及23的輸出y1、y2及y3。輸出一結果作為多輸入自適應等化器單元13之等化信號y0。多輸入自適應等化器單元13之一輸出目標變為藉由將二進位化偵測結果迴旋成部分回應(PR)所獲得之一理想PR波形。
自適應等化器單元21包含(例如)如圖5中繪示之一FIR濾波器。自適應等化器單元21係具有包含延遲元件30-1至30-n、係數倍乘器31-0至31-n及一加法器34之n+1級之分接頭之一濾波器。係數倍乘器31-0至31-n分別使各自時刻之輸入x倍乘分接頭係數C0至Cn。係數倍乘器31-0至31-n之輸出係由加法器34加總且取出作為輸出y。
為進行自適應類型之等化處理，實行分接頭係數C0至Cn之控制。為此目的，提供被供應等化誤差ek及各自分接頭輸入且進行計算之計算單元32-0至32-n。此外，提供求各自計算單元32-0至32-n之輸 出的積分之積分器33-0至33-n。在計算單元32-0至32-n之各者中，例如進行-1×ek×x之計算。計算單元32-0至32-n之輸出分別藉由積分器33-0至33-n求積分。基於積分結果，控制改變分別為係數倍乘器31-0至31-n之分接頭係數C0至Cn。順便提及，在積分器33-0至33-n中進行積分以調整自適應係數控制之責任。
在具有在此之前描述之組態之資料偵測處理單元105中，減小諸如串擾之不必要的信號，且接著進行二進位化資料之解碼。
自適應等化器單元22及23之各者亦具有類似於自適應等化器單元21之組態之一組態。共同等化誤差ek被供應給自適應等化器單元21、22及23，且進行自適應等化。換言之，自適應等化器單元21、22及23進行複製資訊信號Sa、Sb及Sc之輸入信號頻率分量之誤差及相位失真之最佳化(即，自適應PR等化)。換言之，在計算單元32-0至32-n中根據-1×ek×x之計算結果調整分接頭係數C0至Cn。這意謂在其中解決等化誤差之一方向上調整分接頭係數C0至Cn。
以此方式，在自適應等化器單元21、22及23中，分接頭係數C0至Cn在達成目標頻率特性之一方向上經歷使用等化誤差ek之自適應控制。藉由在加法器24中加總分別為自適應等化器單元21、22及23之輸出y1、y2及y3獲得之多輸入自適應等化器單元13之等化信號y0變為串擾中減小之一信號等等。
「區域劃分之圖案」
首先，將描述本說明書中之區域劃分之一圖案之實例。如圖7中繪示，存在用於劃分自光碟100返回之光束之光通量之一截面區域之複數個圖案。現在將描述各自圖案。順便提及，一經繪示之圓圈指示一光束光通量之一截面之一周邊。例如，一正方形表示用於偵測之一光偵測器中之一光感測單元之一區域。順便提及，區域劃分圖式之上下方向對應於光通量之切向方向。橫向方向對應於徑向方向。此外， 圖7中繪示之區域劃分圖案係實例。惟圖7中繪示之圖案以外之圖案亦係可能的。例如，一劃分線不限於一直線，但是可為諸如一圓弧之一曲線。
˙圖案R2
圖案R2係其中光束在徑向方向上藉由在切向方向上延伸之兩個劃分線劃分為兩個區域之一實例，該兩個區域為：一區域A及一區域B(=B1+B2)。取決於區域B1及B2中之光感測信號之電信號被加總在一起以產生一通道之一信號。圖7中繪示之實例係其中存在兩個通道(即，一內部通道(區域A)及一外部通道(區域B1+B2))之一實例。此區域劃分稱為圖案R2。
˙圖案R3
在圖案R2中，兩個外部區域被當作不同通道B及C之區域。區域劃分之此一圖案稱為R3。獲得對應於三個區域之三個通道之信號。
˙圖案H3A
在圖案H3A中，藉由在徑向方向上延伸之劃分線分割圖案R2中之區域A之上部及下部。區域C1及C2形成於切向方向上之上部及下部中。一剩餘中心區域稱為區域A。換言之，圖案H3A係將光束截面劃分為三個區域(即，區域A、一區域B(B1+B2)及一區域C(C1+C2))之一圖案。獲得對應於三個區域之三個通道之信號。
˙圖案H4C
在圖案H4C中，圖案H3A中之上部區域C1及下部區域C2之各者在切向方向上被劃分為兩個區域，且形成區域D1及D2。換言之，圖案H4C係將光束劃分為四個區域(即，區域A、區域B(B1+B2)、一區域C(=C1+C2)及一區域D(=D1+D2))之一圖案。獲得對應於四個區域之四個通道之信號。
˙圖案T3A
圖案T3A係藉由延伸圖案H3A中之上部區域C1及下部區域C2以分別遮蓋區域B1及B2獲得之一圖案。圖案T3A係將光束截面劃分為三個區域(即，區域A、區域B(B1+B2)及區域C(=C1+C2))之一圖案。獲得對應於三個區域之三個通道之信號。
˙圖案X4A
在圖案X4A中，延伸圖案H3A中在切向方向上劃分區域A之劃分線，且形成四個區域B2、B3、C2及C3。圖案X4A係將光束截面劃分為四個區域(即，區域A、一區域B(B1+B2+B3)、一區域C(=C1+C2+C3)及一區域D(D1+D2))之一圖案。獲得對應於四個區域之四個通道之信號。
˙圖案Hi3A
圖案Hi3A係其中圖案H3A中之切向方向上之劃分線數目被設定等於1且未提供包含於上部區域C1及下部區域C2中之區域C2。因此，中心區域A之一中心位置在切向方向上自光束截面之一中心位置向下移位。獲得三個通道之信號，該三個通道包含切向方向上之中心位置不同之兩個通道。
˙圖案Hi3B
進行類似於圖案Hi3A中之區域劃分之區域劃分。然而，與圖案Hi3A相比，上部區域C1之一寬度更寬。
˙圖案HT4A
圖案HT4A係其中圖案H3A中之區域C2成為一第四通道之一區域D之一圖案。圖案HT4A係將光束截面劃分為四個區域(即，區域A、區域B(B1+B2)、一區域C及一區域D)之一圖案。獲得對應於四個區域且包含切向方向上之中心位置不同之三個通道之四個通道之信號。
˙圖案HTR5A
在徑向方向上位於圖案HT4A中外部之兩個區域B1及B2當作不同 通道之區域，且獲得五個通道之信號。
˙圖案T4A
圖案T4A係藉由延伸圖案HT4A中之上部區域C及下部區域D以遮蓋區域B1及B2獲得之一圖案。圖案T4A係將光束截面劃分為四個區域(即，區域A、區域B(B1+B2)、區域C及區域D)之一圖案。獲得對應於四個區域且包含切向方向上之中心位置不同之三個通道之四個通道之信號。
˙圖案Hi4A
圖案Hi4A係其中一區域D提供在圖案HT4A中之區域C下方且與區域C相鄰之一圖案。因此，中心區域A之中心位置在切向方向上自光束截面之中心位置向下移位。獲得四個通道之信號，該四個通道包含切向方向上之中心位置不同之三個通道。
˙圖案L6A
分別與圖案HT4A中之上部區域C及下部區域D相鄰之區域E及F分別提供在區域C下方及區域D上方。分別自區域A至F獲得六個通道之信號，該六個通道包含切向方向上之中心位置不同之五個通道。
˙圖案LR7A
在圖案LR7A中，區域B1被設定為一區域B且區域B2被設定為一區域G。分別自區域A至G獲得七個通道之信號。
在下文中，將基於圖案之模擬結果描述各自圖案。模擬條件如下。
˙Tp=0.225μm(對於軌面及凹軌之各者)
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE(隨後描述)
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
此外，線密度係藉由使用光碟直徑係120mm且軌道節距Tp=0.32μm時之一盤片容量(plane capacity)而表示。尤其在表達「低線密度」之一情況下，
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元，且當Tp=0.32μm時，盤片容量變為35.18GB。
˙在Tp=0.225μm(在軌面及凹軌之各者中)之一情況下，盤片容量變為50.0GB，包含LD 35.18GB。
此外，在表達「高線密度」之一情況下，
˙LD 41(GB)…0.04547μm/通道位元，且當Tp=0.32μm時，盤片容量變為41GB。
˙在Tp=0.225μm(在軌面及凹軌之各者中)之一情況下，片容量變為58.3GB，包含LD 41GB。
「圖案R2中之自適應濾波器特性」
作為本發明之一比較實例，現在將描述圖案R2之一低線密度之一情況下之自適應濾波器特性。此處，徑向方向上之區域劃分位置被設定等於±0.55，其中光瞳半徑係1.0。如上所述，在多輸入自適應等化器單元13中處理複數個通道之複製資訊信號。多輸入自適應等化器單元13具有與通道數目一樣多的許多自適應等化器單元。自適應等化器單元具有FIR濾波器之一組態，且自適應地控制各自分接頭係數。
關於圖案R2，圖8中繪示一模擬結果之頻率振幅特性。特性L1係對應於外部區域B之一通道之頻率振幅特性。特性L2係對應於內部區域A之一通道之頻率振幅特性。順便提及，該等特性係擾動原點處之例示性特性。此處，擾動原點意謂其中所有散焦、光碟歪斜等等位於原點處且一般而言在實行自適應控制之一情況下基本上獲得最佳結果之一狀態。
在頻率振幅特性中，橫座標軸指示n/(256T)(n：橫座標軸上之值)。例如，在(n=64)之一情況下，其遵循(64/256T)=(1/4T)。例如，在使用RLL(1,7)PP調變方案之一情況下，標記長度係在2T至8T之範圍中，其中「T」係通道時脈週期。(1/4T)係重複2T之標記長度之一情況下之一頻率。在圖8中繪示之特性中，2T之標記係其中無法進行複製之一頻率區域。可複製3T之標記。
圖9A繪示圖案R2中之各自通道之分接頭係數。例如，FIR濾波器中之分接頭數目被設定等於31。圖9B繪示各自通道之頻率相位特性。頻率相位特性表示兩個通道之間之一相位差。如圖9B中繪示，兩個通道之間之相位差變小。
「複製效能」
圖10及圖11中繪示關於圖案R2之複製效能之模擬結果。
˙此等圖式繪示低線密度之情況下圖案R2中之區域劃分之效果。
線密度係藉由使用光碟直徑係120mm且軌道節距Tp=0.32μm時之一盤片容量而表示。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元，且當Tp=0.32μm時，盤片容量變為35.18GB。
˙在Tp=0.225μm(在軌面及凹軌之各者中)之一情況下，盤片容量變為50.0GB，包含LD 35.18GB。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
˙徑向方向上之區域劃分位置被設定等於±0.55，其中光瞳半徑係1.0。
在此等條件下，改良e-MLSE。
在不存在劃分之情況下，滿足e-MLSE15%之裕度寬度係零(由e-MLSE標示之一圖表)。另一方面，如圖10中繪示，散焦裕度W20變為一總寬度0.21(對應於±0.18μm)。如圖11中繪示，徑向慧差裕度W31變為一總寬度0.25(對應於±0.44度)。
圖10中繪示之圖表之橫座標軸係依波長正規化之一散焦量。一值0意謂散焦量係0。在實際複製時，產生散焦。因此，散焦必須具有一裕度。
在(正規化散焦量對指標之)圖表中，e-MLSE之值愈小，複製效能變得愈高。作為一實例，期望e-MLSE之值近似為0.15或更小。因此，散焦裕度對應於其中e-MLSE之值變為近似0.15或更小之一範圍之一寬度。寬度愈大，散焦裕度變得愈大。
至於裕度，除了散焦裕度以外，光碟偏斜之裕度亦係重要的。圖11繪示對應於光碟之徑向方向上之偏斜之三階慧差W31之裕度(依波長正規化之像差係數)。作為一實例，期望e-MLSE之值近似為0.15或更小。因此，慧差裕度對應於其中e-MLSE之值變為近似0.15或更小之一範圍之一寬度。寬度愈大，徑向光碟偏斜裕度變得愈大。
圖10及圖11中繪示之圖表之縱座標軸係用於表示複製效能之一指標。例如，已知i-MLSE之值作為指標。最大似然序列誤差(MLSE)係對應於藉由使用一目標位準(其係使用威比特偵測之資料設定)與一實際信號之一位準之間之一差計算之一誤差概率之一指標。在BDXL(註冊商標)之情況下，使用一i-MLSE方法，加權傾向於產生一誤差之一些資料圖案且進行計算。
順便提及，在與BDXL(註冊商標)相比記錄密度更高之一情況下，傾向於產生誤差之資料圖案變得不同。因此，係之前的信號指標值之i-MLSE之誤差變為一問題。在本發明中，因此，不同於具有在 新增之一較高線密度下改良信號指標值之精度所必需的新資料圖案之i-MLSE之一信號估計值用以解釋效果。在下文中，精度改良之一新的指標值稱為一e-MLSE。
e-MLSE中新增之資料圖案係以下三種類型。
圖案中表示為1之位元指示其中與一偵測之圖案相比一誤差圖案中發生位元倒置之位置。
新增圖案(1)：10111101
新增圖案(2)：1011110111101
新增圖案(3)：10111100111101
順便提及，在之前等於i-MLSE之精度足夠大之BDXL(註冊商標)中之線密度之一線密度下，e-MLSE及i-MLSE幾乎彼此一致。在一更高線密度下，出現對應於精度改良之一差值。一指標值與在實際使用中變得重要之一誤差率之理論關聯在其等兩者之間變得相同。雖然計算存在一差值且所應用之線密度之範圍存在一差值，但是因此可以相同含義瞭解由其等兩者指示之信號品質之估計值。順便提及，在本發明中，亦可使用惟e-MLSE以外之一指標。
在圖案R2之情況下，按原樣使用串擾分量最初具有之振幅相位特性。藉由使用稍微改變通道間相位差之振幅特性之通道間平衡而改良信號特性。在圖案R2中，光束截面在徑向方向上被劃分為內部區域及外部區域。存在以下效果：抑制來自相鄰軌道且產生於軌道節距狹窄之情況下之串擾。在其中如圖案R2中一樣僅在徑向方向上進行區域劃分之一實例中，因此，存在以下問題：不可能充分應付由(例如)切向方向上之符號間干擾導致的信號惡化。下文描述之本發明考慮此一關鍵點。
「進一步在切向方向上進行區域劃分(圖案H3A及H4C)」
作為其中進一步在切向方向上進行區域劃分之實例，圖12、圖 13及圖14中繪示圖案H3A及H4C(參見圖7)中之複製效能。圖12係(正規化散焦量對指標之)一圖表。圖13係(徑向方向上之正規化偏斜量對指標之)一圖表。圖14係(切向方向上之正規化偏斜量對指標之)一圖表。
此等圖式繪示低線密度之情況下切向方向上之劃分之效果。在以下條件下進行模擬。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元
˙Tp=0.225μm(在軌面及凹軌之各者中)，盤片容量變為50.0GB。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
徑向方向上之區域劃分位置通常被設定等於±0.55，其中光瞳半徑係1.0。切向方向上之區域劃分位置被設定等於±0.65及±0.30。
如自圖12至圖14明白，若在切向方向上進一步進行區域劃分，則與其中僅在徑向方向上進行區域劃分之圖案R2相比，該圖表之底部進一步下降且裕度展開。
在此一條件下，如下文描述般改良圖案H3A之裕度。
散焦裕度W20變為一總寬度0.27(對應於±0.23μm)。徑向慧差裕度W31變為一總寬度0.30(對應於±0.53度)。
在此一條件下，如下文描述般改良圖案H4C之裕度。
散焦裕度W20變為一總寬度0.275(對應於±0.235μm)。徑向慧差裕度W31變為一總寬度0.30(對應於±0.53度)。
如上所述，與僅在切向方向上進行劃分相比，可藉由除徑向方 向以外進一步在切向方向上進行區域劃分來進一步增強複製效能。順便提及，在本說明書中之描述中，假設自適應地控制自適應等化器單元(FIR濾波器)中之分接頭係數。然而，在尋找最佳分接頭係數作為模擬之一結果之一情況下，可使用已固定分接頭係數之一等化器單元。亦可使用惟FIR濾波器以外之具有等效特性之一類比濾波器或一數位濾波器。在效能方面，自適應類型係優越的，此係因為自適應類型無須實行分接頭係數之自適應控制，然而仍可簡化處理及硬體。此外，亦可對部分通道使用固定類型之一等化器單元且對其他通道使用自適應類型之一等化器單元。
「圖案H3A中之自適應電光學濾波器特性」
現在將描述一低線密度之情況下圖案H3A中之自適應電光學濾波器特性。圖15中繪示關於圖案H3A(參見圖7)之一模擬結果之頻率振幅特性。特性L1係對應於徑向方向上之外部區域B之一通道之頻率振幅特性。特性L2係對應於切向方向上之內部區域C之一通道之頻率振幅特性。特性L3係對應於中心區域A之一通道之頻率振幅特性。順便提及，該等特性係擾動原點處之例示性特性。
圖16A繪示圖案H3A中之各自通道之分接頭係數。例如，FIR濾波器中之分接頭數目被設定等於31。圖16B繪示各自通道之頻率相位特性。頻率相位特性表示三個通道中之兩個通道之間之一相位差。特性L11係分別對應於切向方向上之外部區域C及徑向方向上之外部區域B之通道之複製資訊信號之間之一相位差。特性L12係分別對應於中心區域A及徑向方向上之外部區域B之通道之複製資訊信號之間之一相位差。特性L13係分別對應於切向方向上之外部區域C及中心區域A之通道之複製資訊信號之間之一相位差。
如上所述，H3A中之濾波器特性具有以下特徵。
˙可形成具有三個通道之每個區域在振幅及相位兩方面皆大幅不 同之頻率特性之濾波器且實施有利的複製信號複製。
˙在對應於3T信號(其在由一虛線包圍之一橫座標軸值43附近)之一頻率頻帶中，與中心區域相比，切向方向上之外部區域C之相位及外部區域B中之相移位位180度。
˙中心區域具有攔截對應於一4T信號(其在由一虛線包圍之一橫座標軸值32附近)之一頻率頻帶之特性且抑制藉由串擾產生之一誤差信號。
˙切向方向外部應促成短標記複製，且攔截對應於一8T信號(其在由一虛線包圍之一橫座標軸值16附近)之一頻率頻帶之特性。
以此方式，每個區域形成一高通濾波器、一低通濾波器、一帶通濾波器、一帶阻(或陷波)濾波器等等。僅光學或電力地實施無法實施之濾波器特性。
圖17繪示線密度與指標(NA=0.85、Tp=0.225及PR(1233321))之間之關係。若製成切向方向上之中心位置不同之通道，則即使PR類相同亦可有利地複製具有一較高線密度之一信號。該等特性亦可藉由如圖案Hi3B中一樣最佳化切向方向上之劃分位置而改良。若設定擾動中心處之e-MLSE10%，則可使用總計LD 38GB之圖案R2及H3A。另一方面，可使用總計LD 41GB之Hi3B、HT4A及Hi4A。
「切向方向上之劃分之較高線密度效果」
圖18及圖19中繪示圖案H3A、Hi3A、Hi3B、HT4A及Hi4A以及圖案R2及H3A之複製效能以進行比較(參見圖7)。圖18係正規化散焦量對指標之一圖表。圖19係徑向方向上之正規化偏斜量對指標之一圖表。
此等圖式指示高線密度之情況下切向方向上之劃分之效果。在以下條件下進行模擬。
˙LD 41(GB)…0.04547μm/通道位元
˙Tp=0.225μm(在軌面及凹軌之各者中)，盤片容量變為58.3GB，包含LD 41(GB)。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
徑向方向上之區域劃分位置通常被設定等於±0.55，其中光瞳半徑係1.0。切向方向上之區域劃分位置被設定等於±0.30及±0.65。
如自圖18及圖19明白，在LD 41GB之一高密度下，e-MLSE在不具有在切向方向上之中心位置不同之通道之圖案R2及H3A中之15%附近進行。另一方面，在具有切向方向上之中心位置不同之通道之圖案Hi3A、Hi3B、HT4A及Hi4A中可足夠確保滿足e-MLSE15%之一裕度寬度。特定言之，在LD 41GB下，圖案HT4A具有等效於圖案H3A在LD 35.18GB下具有的裕度寬度之一裕度寬度。
「圖案HT4A中之自適應電光學濾波器特性」
現在將描述一高線密度之情況下圖案HT4A(參見圖7)中之自適應電光學濾波器特性。圖20中繪示關於圖案HT4A之一模擬結果之頻率振幅特性。特性L21係對應於徑向方向上之外部區域B之一通道之頻率振幅特性。特性L22係對應於切向方向上之外部區域C之一通道之頻率振幅特性。特性L23係對應於中心區域A之一通道之頻率振幅特性。特性L24係對應於切向方向上之外部區域D之一通道之頻率振幅特性。順便提及，該等特性係擾動原點處之例示性特性。
圖21A繪示圖案HT4A中之各自通道之分接頭係數。例如，FIR濾波器中之分接頭數目被設定為31。圖21B繪示各自通道之頻率相位特性。頻率相位特性表示對應於切向方向之外部區域C之一通道與對應 於切向方向上之外部區域D之一通道之間之一相位差。
HT4A中之濾波器特性具有以下特徵。
˙以與圖案H3A相同之方式，中心區域展現出類似低通特性且切向方向上之外部區域展現出類似高通特性。(此處，通過對應於包含於促成信號複製之一頻率頻帶中之較短標記之一頻帶之帶通特性相對稱為類似高通)。
˙此外，在圖案H4T中，切向方向上之外部區域變為獨立的兩個通道。在對應於3T及4T(在橫座標軸值43及32附近)之頻率頻帶中(如自分接頭係數明白，其對應於兩個時脈)，該兩個區域形成具有近似120度至90度之範圍中之一相位差之一濾波器。因此，與使用一簡單總和信號之複製振幅相比在一較高靈敏度下偵測一短標記變得可能。亦藉由對短標記複製使用區域之間之相位差實施一高線密度區域中之有利複製信號特性。
如自線密度相依性之上述圖表明白，在不取決於線密度之情況下可藉由與圖案Hi3B自圖案Hi3A之情況一樣在一些情況下改變劃分位置改良該等特性，且與HT4A及Hi4A之情況一樣在一些情況下取決於線密度倒置該等特性。圖22繪示區域劃分之若干具體實例。在判定與系統一樣更注重之一線密度(盤片容量)之一情況下，可最佳化其劃分圖案。
「藉由區域劃分進行之特性最佳化」
現在將藉由將其中該等類型的劃分圖案提供有利特性之一低線密度之情況當作一實例來描述劃分之最佳化。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元
˙Tp=0.225μm(在軌面及凹軌之各者中)，盤片容量變為50.0GB。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
圖23繪示藉由改變劃分位置獲得之徑向慧差之裕度之擴大。在圖案HT4A及H3A中，劃分位置在徑向方向上係±0.55，且在切向方向上係±0.65。在圖案T4A及T3A中，劃分位置在徑向方向上係±0.7，且在切向方向上係±0.6。劃分形狀亦在四個角隅中改變。
如自圖23明白，在圖案HT4A中，徑向慧差裕度W31變為一總寬度0.32(對應於±0.56度)。在圖案T4A中，徑向慧差裕度W31變為一總寬度0.34(對應於±0.60度)。在圖案H3A中，徑向慧差裕度W31變為一總寬度0.30(對應於±0.53度)。在圖案T3A中，徑向慧差裕度W31變為一總寬度0.32(對應於±0.56度)。
「藉由使由徑向方向上之劃分所得之外部區域獨立而獲得之效果」
圖24A至圖24D係其中僅在徑向方向上進行劃分以形成三個區域之圖案。以一偽方式，繪示其中視野根據一物鏡之一透鏡移位(在圖24A至圖24D中標示為LS)移動之情況。假設R2(區域A、B1及B2)及R3(區域A、B及C)作為圖案。假設徑向方向上發生0.2之一透鏡移位。(因為光束光通量之截面之直徑被假設為2.0，所以0.2對應於10%)。
「藉由使由徑向方向上之劃分所得之外部區域獨立而獲得之效果1」
圖25中之圖表繪示關於此等圖案之徑向慧差之模擬結果。如圖25中繪示，圖案R2中之慧差裕度(LS 0.2)下降。換言之，在進行徑向方向上之劃分之情況下，可藉由使兩個外部區域獨立來減小視野移動 之影響。順便提及，存在用於如隨後描述般大幅抵消視野移動之另一技術。
「透鏡移位時徑向慧差之裕度改變」
圖26A中繪示關於圖案R3藉由偽視野移動(0.1移位及0.2移位)導致之徑向慧差特性之一改變。圖26B繪示一0.2移位，且圖26C繪示無移位。如自圖26A明白，若最佳化劃分寬度，則可抑制藉由視野移動導致之徑向慧差之裕度寬度之改變。
圖27A中繪示關於圖案T4A藉由偽視野移動(0.1移位及0.2移位)導致之徑向慧差特性之一改變。圖27B繪示一0.2移位，且圖27C繪示無移位。如自圖27A明白，可確保藉由視野移動導致之裕度寬度。然而，中心稍微移位。
圖28A中繪示關於圖案T3A藉由偽視野移動(0.1移位及0.2移位)導致之徑向慧差特性之一改變。圖28B繪示一0.2移位，且圖28C繪示無移位。如自圖28A明白，藉由視野移動導致之裕度寬度突然變狹窄。因此，在圖案T3A之情況下，必須抑制視野移動量。
「透鏡移位時散焦裕度改變」
圖29A中繪示關於圖案R3藉由偽視野移動(0.1移位及0.2移位)導致之散焦特性之一改變。圖29B繪示一0.2移位，且圖29C繪示無移位。如自圖29A明白，若最佳化劃分寬度，則可抑制藉由視野移動導致之散焦裕度寬度之改變。
圖30A中繪示關於圖案T4A藉由偽視野移動(0.1移位及0.2移位)導致之散焦特性之一改變。圖30B繪示一0.2移位，且圖30C繪示無移位。如自圖30A明白，可確保藉由視野移動導致之散焦裕度寬度。
圖31A中繪示關於圖案T3A藉由偽視野移動(0.1移位及0.2移位)導致之散焦特性之一改變。圖31B繪示一0.2移位，且圖31C繪示無移位。如自圖31A明白，藉由視野移動導致之散焦裕度寬度突然變狹 窄。因此，在圖案T3A之情況下，必須抑制視野移動量。
「大幅抵消透鏡移位之三個通道之圖案」
如自圖26A中繪示之特性明白，圖案R3與圖案T3A相比大幅抵消三個通道中之透鏡移位。換言之，在無一透鏡移位之情況下，徑向慧差裕度變為±0.125(對應於±0.44度)，且在0.2之一透鏡移位之情況下變為±0.125(對應於±0.44度)。
存在Hi3A作為大幅抵消一透鏡移位之三個通道之一圖案。圖32A中繪示關於圖案Hi3A藉由偽視野移動(0.1移位及0.2移位)導致之徑向慧差特性之一改變。圖32B繪示一0.2移位，且圖32C繪示無移位。如自圖32A明白，可確保藉由視野移動導致之裕度寬度為與四個通道中之圖案T4A(參見圖27A至圖27C)相同之度數。換言之，在無一透鏡移位之情況下，徑向慧差裕度變為±0.16(對應於±0.56度)，且在0.2之一透鏡移位之情況下變為-0.155至+0.12(對應於-0.54度至+0.42度)。
圖33A中繪示關於圖案Hi3A藉由偽視野移動(0.1移位及0.2移位)導致之散焦特性之一改變。圖33B繪示一0.2移位，且圖33C繪示無移位。如自圖33A明白，可確保藉由視野移動導致之裕度寬度為與四個通道中之圖案T4A(參見圖29A至圖29C)相同之度數。換言之，在無一透鏡移位之情況下，散焦裕度變為0.25(對應於±0.21μm)，且在0.2之一透鏡移位之情況下變為0.24(對應於±0.20μm)。
「大幅抵消透鏡移位之四個通道之圖案」
如自圖27A中繪示之特性明白，圖案T4A與圖案T3A相比大幅抵消四個通道中之透鏡移位。換言之，在無一透鏡移位之情況下，徑向慧差裕度變為±0.17(對應於±0.60度)，且在0.2之一透鏡移位之情況下變為-0.17至+0.135(對應於-0.60度至+0.47度)。
存在X4A作為大幅抵消一透鏡移位之四個通道之一圖案。圖34A中繪示關於圖案X4A藉由偽視野移動(0.1移位及0.2移位)導致之徑向 慧差特性之一改變。圖34B繪示一0.2移位，且圖34C繪示無移位。如自圖34A明白，藉由視野移動導致之徑向慧差之裕度改變較小。換言之，在無一透鏡移位之情況下，徑向慧差裕度變為±0.17(對應於±0.60度)，且在0.2之一透鏡移位之情況下變為±0.16(對應於±0.56度)。
圖35A中繪示關於圖案X4A藉由偽視野移動(0.1移位及0.2移位)導致之散焦特性之一改變。圖35B繪示一0.2移位，且圖35C繪示無移位。如自圖35A明白，藉由視野移動導致之裕度寬度之一改變較小。換言之，在無一透鏡移位之情況下，散焦裕度變為0.265(對應於±0.225μm)，且在0.2之一透鏡移位之情況下變為0.25(對應於±0.21μm)。
「藉由使由徑向方向上之劃分所得之外部區域獨立而獲得之效果2」
圖36繪示圖案HT4A、HTR5A、L6A及LR7A。圖37及圖38中繪示此等圖案之徑向慧差特性。圖37繪示其中在圖案HT4A及在圖案HTR5A中未進行區域劃分之情況下之徑向慧差特性。圖38繪示其中在圖案LR7A及在圖案L6A中未進行區域劃分之情況下之徑向慧差特性。如自圖37及圖38明白，可藉由組合切向方向上之劃分擴大徑向慧差裕度。
如上所述，在藉由憑藉縮短通道位元長度(即，標記長度)在一線密度方向上達成一較高密度且藉由憑藉使軌道節距變狹窄在一軌道密度方向上達成一較高密度對一光碟實施一較高密度之一情況下，記錄標記二維地配置在一信號記錄表面上。
光碟中之複製信號用於偵測藉由重疊及干擾由記錄標記、凹軌等等之週期結構產生之繞射光束導致之亮度改變。如圖39中繪示，當光瞳半徑被設定為1時，在根據週期p之週期結構之±一階繞射光束 中，由λ/(NA．p)表示中心之移位量。此外，隨著重疊增加，複製信號之振幅增加，且隨著重疊降低，振幅降低。當不存在重疊時(即，當移位量變為λ/(NA．p)=2時)，振幅變為零。因此，調變傳送函數(MTF)之空間頻率特性與圖40中繪示之空間頻率特性相同。自λ/(NA．p)=2，截止空間頻率變為1/p=2NA/λ，且在連續配置具有一較小週期之週期結構之情況下，振幅變為零。
若此等應用於波長405nm且NA=0.85之上述系統，則自1/p=2NA/λ，週期變為p=λ/(2NA)=238nm，且形成具有238nm之週期之最小可複製週期結構。換言之，此標示在RLL(1,7)PP下給定為低線密度之一實例之53nm/通道位元之系統中，因為最短的2T標記/空間變為53nm×2×2=212nm，所以頻率超過截止空間頻率，且2T標記/空間之延續導致振幅為零。在對應於3T標記/空間53nm×3×2=318nm之週期結構中，因為移位量變為λ/(NA．p)=1.50，所以其中零階光與±一階光在圖41中彼此重疊之區域促成信號複製。類似地，在給定為高線密度之一實例之45.47nm/通道位元之系統中，因為最短的2T標記/空間45.47nm×2×2=182nm，所以頻率超過截止空間頻率，且在對應於3T標記/空間45.47nm×3×2=273nm之週期結構中，因為移位量變為λ/(NA．p)=1.75，所以其中零階光與±一階光在圖42中彼此重疊之區域促成信號複製。在其中2T標記/空間之振幅根據PRML變為零之密度中，雖然信號處理未失敗，但是短標記之複製品質係一重要因數。
如上所述，在圖案H3A及HT4A之電光學濾波器特性中，切向方向上之外部區域變為高頻通過對應於諸如3T或4T之短標記之頻率頻帶之一濾波器，且中心區域變為通過對應於5T或更大之長標記之大量頻率頻帶之一類似低通濾波器。如可自圖41與圖42之比較可知，此標示以一空間光學方式促成有效地分離對應於短標記之頻帶之複製之區 域及促成對應於長標記之頻帶之複製之區域；且關於各區域，增強其中一目標軌道之複製信號分量之比率增加之頻率分量且藉由使複製信號與其他信號平衡來抑制、阻止或消除相鄰軌道之複製信號分量增加之比率之頻率分量，使得實施目標軌道之複製信號之品質之改良。此外，可瞭解，在圖案HT4A之情況下，容許來自切向方向上之兩個外部區域之信號具有相位差，使得與使用一簡單總和信號之複製振幅相比以一更高靈敏度偵測短標記變得可能。然而，如可自圖41與圖42之比較可知，在一高線密度實例之情況下，因為促成3T標記/空間以及2T標記/空間之複製之區域變小，所以在使用簡單總和信號極大地不利於複製之區域中，歸因於高靈敏度根據相位差之偵測抑制特性惡化。
以此方式，為以一空間光學方式將信號分離為在線密度方向及/或軌道密度方向上具有不同頻帶之複數個信號，在切向方向及徑向方向上劃分該等區域；且具有不同最佳特性(諸如一高通濾波器、一低通濾波器、一帶通濾波器及一帶阻(或陷波)濾波器)之電濾波器自各自區域應用於該等信號，且此後組合此等信號使得可獲得良好的複製信號，其中信號符號間干擾及來自相鄰軌道之洩漏及插入降低。
在此之前，已描述切向方向及徑向方向上之簡單區域劃分之情況。然而，如在此之前描述，作為以一空間光學方式有效地分離具有頻帶之區域之信號之濾波器，除零階光(對應於如根據軌道結構之繞射光之短標記之複製且由圖43中之*指示)之區域之信號以外，亦分離干擾根據軌道結構之±一階繞射光之區域之信號(由O指示)，使得可使擾動中心位置處維持良好的e-MLSE且可加寬徑向慧差裕度及各種裕度。
[圖案IVT4]
圖44中繪示之一圖案IVT4係其中存在4個通道之一實例。換言 之，一光束被劃分為徑向方向上之一外部區域A(=A1+A2)、一中心區域B、切向方向上之一上部區域C(C1+C2+C3)以及一下部區域D(D1+D2+D3)。獲得對應於各自區域之四個通道之信號。此處，徑向方向上之區域劃分位置被設定為±0.5及±0.7，其中光瞳半徑係1.0。切向方向上之區域劃分位置被設定為±0.45及±0.65，其中光瞳半徑係1.0。
將基於上述圖案IVT4之模擬結果描述該圖案。模擬條件與「低線密度」之上述情況之模擬條件相同且如下。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元，且當Tp=0.32μm時，盤片容量變為35.18GB。
˙Tp=0.225μm(對於軌面及凹軌之各者而言)
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
「複製效能」
圖45至圖49中繪示關於圖案IVT4之複製效能之模擬結果。此等圖式繪示低線密度之情況下圖案IVT4中之區域劃分之效果。在各圖式中，e-MLSE表示未進行區域劃分之情況下之特性。
與上述其他圖案HTR5A、LR7A及HT4A之一徑向慧差裕度W31相比，圖45繪示圖案IVT4之徑向慧差裕度。類似於上述其他圖表，縱座標軸指示指標e-MLSE且橫座標軸指示正規化徑向慧差。已發現當與其他圖案之徑向光碟歪斜裕度相比時，圖案IVT4之徑向光碟歪斜裕度更佳。
圖46繪示散焦裕度，且圖46中繪示之圖表之橫座標軸指示依波 長正規化之一正規化散焦量W20。一值0意謂散焦量係0。在實際複製時，產生散焦。因此，散焦必須具有一裕度。
在(正規化散焦量對指標之)圖表中，e-MLSE之值愈小，複製效能變得愈高。作為一實例，期望e-MLSE之值近似為0.15或更小。因此，散焦裕度對應於其中e-MLSE之值變為近似0.15或更小之一範圍之一寬度。寬度愈大，散焦裕度變得愈大。圖案IVT4具有一足夠大的裕度。
圖47繪示球面像差SA之一裕度。圖47中繪示之圖表之橫座標軸指示一正規化球面像差量W40。圖案IVT4具有一足夠大的球面像差裕度。
圖48繪示一切向慧差裕度。圖48中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化切向慧差量W3-1。圖案IVT4具有一足夠大的切向慧差裕度。
圖49繪示其中圖案在徑向方向上移位之一情況下之一裕度。圖49中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化移位量。如上所述，由於一偽視野移動，當僅進行±0.1及±0.2(包含方向)之透鏡移位LS時，圖表中繪示其中其他擾動係零之情況下e-MLSE之一改變。如可瞭解，圖案IVT4具有近似等於T4A之一移位裕度。
「針對圖案IVT4最佳化之電濾波器」
將描述針對上述圖案IVT4最佳化之一電濾波器。圖52中繪示當W31=0時(即，圖45中之擾動原點處)電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。電濾波器經組態具有一FIR濾波器。圖53中繪示其中設定此等係數之一情況下對應於區域A至D之各自通道之頻率振幅特性。此外，圖50中繪示當W31=-0.16時電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。圖51中繪示其中設定此等係數之一情況下對應於區域A至D之各自通道之頻率振幅特性。
在頻率振幅特性中，橫座標軸指示n/(256T)(n：橫座標軸上之 值)。例如，在(n=64)之一情況下，其遵循(64/256T)=(1/4T)。例如，在使用RLL(1,7)PP調變方案之一情況下，標記長度係在2T至8T之範圍中，其中「T」係通道時脈週期。(1/4T)係重複2T之標記長度之一情況下之一頻率。在圖51及圖53中繪示之特性中，在對應於4T(橫座標軸上之一值32附近)及3T(橫座標軸上之一值43近)之頻帶中，通道C、D及A之頻率振幅特性幾乎維持為相同形狀(無關於徑向慧差的存在)使得維持所要電光學濾波器特性。圖案IVT4產生一徑向光碟歪斜裕度，與其他圖案之徑向光碟歪斜裕度相比，該徑向光碟歪斜裕度更佳。
「圖案NST6」
圖54中繪示之一圖案NST6係其中存在6個通道之一實例。上述圖案可被視為藉由進一步將圖案T4A之中心區域在徑向方向上劃分為三個區域形成之一圖案。換言之，一光束被劃分為徑向方向上之一外部區域A(=A1+A2)、切向方向上之一上部區域E、一下部區域F及三個中心區域B、C及D。除了中心部分中之三個區域以外，更靠近區域A1之區域變為區域B，更靠近區域A2之區域變為區域D，且最中心區域變為區域C。獲得對應於各自區域之六個通道之信號。此處，徑向方向上之區域劃分位置被設定為±0.3及±0.75，其中光瞳半徑係1.0，且切向方向上之區域劃分位置被設定為±0.65(劃分位置係藉由考慮各種特性歸因於圖案T4A之上述區域劃分、中心區域之劃分等等而產生的變化來精細地調整)。
將基於上述圖案NST6之模擬結果描述該圖案。模擬條件與「低線密度」之上述情況之模擬條件相同且如下。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元
˙當Tp=0.225μm時(對於軌面及凹軌之各者而言)，盤片容量變為50.0GB。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
如圖14中繪示，可瞭解，如在圖案H4C中，若在切向方向上(即，對應於線密度方向之方向上)具有不同頻帶之上述圖案H3A中以一空間光學方式進行之劃分區域增加，則根據切向方向上之劃分數目擴大切向慧差裕度。此概念對徑向方向之應用係圖案NST6。
在劃分圖案NST6中，以一空間光學方式進行之劃分區域(頻帶在徑向方向上不同)之數目增加，且亦偵測對應於干擾根據軌道結構之±一階繞射光之區域之信號，但是劃分圖案NST6不同於圖案IVT4。因此，可使擾動中心位置處維持良好的e-MLSE且加寬徑向慧差裕度及各種裕度。
「複製效能」
圖55至圖59中繪示關於圖案NST6之複製效能之模擬結果。此等圖式繪示低線密度之情況下圖案NST6中之區域劃分之效果。在各圖式中，e-MLSE表示未進行區域劃分之情況下之特性。
圖55繪示圖案NST6之徑向慧差裕度及上述其他圖案T4A及IVT4之徑向慧差裕度以進行比較。類似於上述其他圖表，縱座標軸指示指標e-MLSE且橫座標軸指示正規化徑向慧差W31。已發現藉由增加T4A中以空間光學方式進行之劃分區域(頻帶在徑向方向上不同)之數目且藉由偵測對應於干擾根據軌道結構之±一階繞射光之區域之信號，雖然劃分圖案NST6不同於圖案IVT4，但是當與圖案T4A及IVT4之徑向光碟歪斜裕度相比時，圖案NST6之徑向光碟歪斜裕度更佳。
圖56繪示散焦裕度，且圖56中繪示之圖表之橫座標軸指示依波 長正規化之正規化散焦量W20。值0意謂散焦量係0。
圖57繪示球面像差SA之一裕度。圖57中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化球面像差量W40。已發現當與圖案IVT4之球面像差裕度相比時，圖案NST6之球面像差裕度更佳。
圖58繪示一切向慧差裕度。圖58中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化切向慧差量W3-1。已發現當與圖案IVT4之切向慧差裕度相比，時圖案NST6之切向慧差裕度更佳。
圖59繪示其中圖案在徑向方向上移位之一情況下之一裕度。圖59中繪示之圖表的橫座標軸指示正規化移位量。已發現當與圖案IVT4之移位裕度相比時，圖案NST6之移位裕度更佳。
「圖案IVNST6」
圖60中繪示之一圖案IVNST6係其中存在6個通道之一實例。圖案IVNST6係上述劃分圖案IVT4及NST6之良好組態之一組合。換言之，在將圖案IVT4視為一參考時，類似於圖案NST6(對於圖案T4A而言)，為增加以空間光學方式進行之劃分區域(頻帶在徑向方向上不同)的數目，圖44中之中心區域B被視為進一步劃分為徑向方向上的三個區域。此外，在將圖案NST6視為一參考時，區域A1及A2可延伸至區域E及F；且區域E之一部分(E2)及區域F之一部分(F2)可被視為插入至區域B中，且區域E之一部分(E3)及區域F之一部分(F3)可被視為插入至區域B中。此處，徑向方向上之區域劃分位置被設定為±0.25、±0.5及±0.7，其中光瞳半徑係1.0，且切向方向上之區域劃分位置被設定為±0.45及±0.65。抑制了徑向方向上之圖案移位(在圖案IVT4中係顯著的)的惡化，且達成大部分特性之最佳解決方法。
將基於上述圖案IVNST6之模擬結果來描述該圖案。模擬條件與「低線密度」之上述情況的模擬條件相同，且係如下。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元
˙當Tp=0.225μm時(對於軌面及凹軌之各者而言)，盤片容量變為50.0GB。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
「複製效能」
圖61至圖65中繪示關於圖案IVNST6之複製效能之模擬結果。此等圖式繪示低線密度之情況下圖案IVNST6中之區域劃分之效果。在各圖式中，e-MLSE表示未進行區域劃分之情況下之特性。
圖61繪示關於圖案IVNST6、上述圖案NST6及圖案IVT4之一徑向慧差裕度。類似於上述其他圖表，縱座標軸指示指標e-MLSE且橫座標軸指示正規化徑向慧差W31。已發現圖案IVNST6之徑向光碟歪斜裕度最佳。
圖62繪示一散焦裕度，且圖62中繪示之圖表之橫座標軸指示依波長正規化之正規化散焦量W20。已發現圖案IVNST6之散焦裕度最佳。
圖63繪示球面像差SA之一裕度。圖63中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化球面像差量W40。已發現類似於圖案NST6，圖案IVNST6之球面像差裕度最佳。
圖64繪示一切向慧差裕度。圖64中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化切向慧差量W3-1。已發現圖案IVNST6之切向慧差裕度最佳。
圖65繪示其中圖案在徑向方向上移位之一情況下之一裕度。圖65中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化移位量。已發現當與圖案IVT4相比時圖案IVNST6之移位裕度更佳。
「針對圖案IVNST6最佳化之電濾波器」
將描述針對上述圖案IVNST6最佳化之一電濾波器。圖68中繪示當W31=0時(即，圖61中之擾動原點處)電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。電濾波器經組態具有一FIR濾波器。圖69中繪示其中設定此等係數之一情況下對應於區域A至F之各自通道之頻率振幅特性。此外，圖66中繪示當W31=-0.16時電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。圖67中繪示其中設定此等係數之一情況下對應於區域A至F之各自通道之頻率振幅特性。
如可自圖69(繪示擾動原點處之特性)與圖67(繪示其中發生徑向慧差之狀態中之特性)之比較可知，當發生徑向慧差W31=-0.16時，濾波器加強中心部分中之三個通道B、C及D之中的通道C(最中心)並削弱通道B及D。此外，如可自圖67及圖69可知，類似於圖案IVT4，在對應於4T及3T之頻帶中，通道E、F及A之頻率振幅特性幾乎維持為相同形狀(無關於徑向慧差的存在)，使得維持所要電光學濾波器特性。因此，可實施圖案IVNST6中之最佳徑向光碟歪斜裕度。
圖70中繪示當圖62中之散焦W20之特性中W20=-0.16時電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。電濾波器經組態具有一FIR濾波器。圖71中繪示其中設定此等係數之一情況下各自通道A至F之頻率振幅特性。
如可自圖69(繪示擾動原點處之特性)與圖71(繪示其中發生散焦之狀態中之特性)之比較瞭解，當發生散焦W20=-0.16時，濾波器削弱中心部分中之三個通道B、C及D之中的通道C(最中心)且藉由使8T附近具有一互反相位(可自圖70中之分接頭係數瞭解互反相位)進行頻帶通過，且濾波器加強通道B及D。
圖72中繪示當圖63中之球面像差SA之特性中W40=-0.20時電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。電濾波器經組態具有一FIR濾波 器。圖73中繪示其中設定此等係數之一情況下各自通道A至F之頻率振幅特性。
如可自圖69(繪示擾動原點處之特性)與圖73(繪示其中發生球面像差之狀態中之特性)之比較瞭解，當發生球面像差W40=-0.20時，濾波器加強中心部分中之三個通道B、C及D之中的通道C(最中心)。以此方式，藉由根據擾動類型獨立地改變中心部分中之三個通道B、C及D之濾波器特性，實施各種裕度之擴大。
「電濾波器之最佳化：散焦特性及分接頭數目」
圖74繪示上述圖案IVNST6之散焦特性之模擬結果。模擬條件與上述條件相同。圖74繪示其中如上所述FIR濾波器之分接頭數目係31之情況及其中分接頭數目係15之情況。
如上所述，圖70中繪示當W20=-0.16時電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。圖71中繪示各自通道A至F之頻率振幅特性。在頻率特性中，濾波器削弱中心部分中之三個通道B、C及D之間的通道C(最中心)且藉由使8T附近具有一互反相位進行頻帶通過，且濾波器加強通道B及D。
另一方面，圖75中繪示當W20=-0.16時電濾波器之15個分接頭之係數值之一實例。圖76中繪示各自通道A至F之頻率振幅特性。頻率特性不同於31個分接頭(圖71)之情況之頻率特性，使得無法實施所要濾波器特性。關於通道C，濾波器變為一低通濾波器而非一互反相位帶通濾波器。因此，當進行散焦時，發生根據分接頭數目之一裕度差異。
在本文中，雖然根據分接頭數目之圖案IVNST6之散焦裕度差異表示為一實例，但是可製成其他圖案及其他裕度之相同組態。在RLL(1,7)PP之情況下，因為存在2T至8T之記錄標記，所以在使用FIR濾波器以實施對應於8T標記/空間之頻率之所要特性之組態之情況下，具 有16T寬度或更大寬度之一範圍中之分接頭係數之組態係較佳的。
[圖案IVTSP5]
(藉由維持特性減小通道數目)
如上所述，圖60(圖77)中繪示之圖案IVNST6達成幾乎每個特性之最佳解決方法。然而，在一些情況下，較佳地歸因於諸如一信號處理電路之功率消耗、輸入接腳數目及電路大小之約束而減小通道數目。圖案IVTSP5係藉由維持特性將通道數目自6減小至5之一圖案。此處，徑向方向上之區域劃分位置被設定為±0.25、±0.5及±0.7，其中光瞳半徑係1.0，且切向方向上之區域劃分位置被設定為±0.45及±0.65。
作為減小通道數目之一方法，在圖案IVNST6中之六個通道A至F之中，按原樣使用通道A、E及F，且通道C之信號分佈至通道B及D，使得設定五個通道。換言之，通道B之信號被設定為B+(Ks×C)，且通道D之信號被設定為D+(Ks×C)。以此方式減小通道數目之圖案被稱為一圖案IVTSP5。
將基於上述圖案IVTSP5之模擬結果描述該圖案。模擬條件與「低線密度」之上述情況之模擬條件相同且如下。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元
˙當Tp=0.225μm時(對於軌面及凹軌之各者而言)，盤片容量變為50.0GB。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
「複製效能」
圖78至圖82中繪示關於圖案IVTSP5之複製效能之模擬結果。在各圖式中，e-MLSE表示未進行區域劃分之情況下之特性。
圖78繪示關於圖案IVTSP5s0.5、圖案IVTSP5s1.0、上述圖案IVNST6及上述圖案IVT4之一徑向慧差裕度。類似於上述其他圖表，縱座標軸指示指標e-MLSE且橫座標軸指示正規化徑向慧差W31。IVTSP5s0.5標示當Ks=0.5時之圖案IVTSP5。IVTSP5s1.0標示當Ks=1.0時之圖案IVTSP5。
圖79繪示關於圖案IVTSP5s0.5、圖案IVTSP5s1.0、圖案IVNST6及圖案IVT4之一散焦裕度。圖79中繪示之圖表之橫座標軸指示依波長正規化之正規化散焦量W20。一值0意謂散焦量係0。在實際複製時，產生散焦。因此，散焦必須具有一裕度。
在(正規化散焦量對指標之)圖表中，e-MLSE之值愈小，複製效能變得愈高。作為一實例，期望e-MLSE之值近似為0.15或更小。因此，散焦裕度對應於其中e-MLSE之值變為近似0.15或更小之一範圍之一寬度。寬度愈大，散焦裕度變得愈大。
圖80繪示關於圖案IVTSP5s0.5、圖案IVTSP5s1.0、圖案IVNST6及圖案IVT4之球面像差SA之一裕度。圖80中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化球面像差量W40。
圖81繪示關於圖案IVTSP5s0.5、圖案IVTSP5s1.0、圖案IVNST6及圖案IVT4之一切向慧差裕度。圖81中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化切向慧差量W3-1。
圖82繪示關於圖案IVTSP5s0.5、圖案IVTSP5s1.0、圖案IVNST6及圖案IVT4在一圖案在徑向方向上移位之一情況下之一裕度。圖82中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化移位量。
如可自特性瞭解，若改變區域之間之信號之比率Ks，則「散焦裕度及切向慧差裕度」與「徑向慧差裕度及球面像差裕度」之間存在 一折衷關係。根據媒體等等之差異，可切換使用複數個係數Ks。
此外，在圖案IVTSP5中，B、C及D之簡單比率變為B：C：D=1：2Ks：1。藉由考慮圖案IVNST6之上述濾波器特性，當C相對較強時，徑向慧差裕度或球面像差裕度係良好的。因此，Ks>0.5之組態有利於該兩個裕度。如可自Ks=0.5及Ks=1.0之圖表瞭解，此等係由模擬結果表示。
「圖案IVTSM4」
(藉由維持特性減小通道數目)
雖然圖案IVNST6改良圖案IVT4中之各種特性，但是可藉由與自圖案IVNST6至圖案IVTSP5之轉換之上述組態相同之組態改良徑向慧差裕度及球面像差裕度。將描述藉由維持特性將通道數目自6減小至4之圖案IVTSM4。如圖83中繪示，有效地應用光學或電加權因數於中心區域(B、C及D)。此處，徑向方向上之區域劃分位置被設定為±0.25、±0.5及±0.7，其中光瞳半徑係1.0，且切向方向上之區域劃分位置被設定為±0.45及±0.65。
作為減小通道數目之一方法，在圖案IVNST6中之六個通道A至F之中，按原樣使用通道A、E及F，且通道C之信號被設定為C=Ksm×B+Ksm×D。以此方式減小通道數目之圖案被稱為一圖案IVTSM4。
將基於上述圖案IVTSM4之模擬結果描述該圖案。模擬條件與「低線密度」之上述情況之模擬條件相同且如下。在各圖式中，e-MLSE表示未進行區域劃分之情況下之特性。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元
˙當Tp=0.225μm時(對於軌面及凹軌之各者而言)，盤片容量變為50.0GB。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
「複製效能」
圖84至圖88中繪示關於圖案IVTSM4之複製效能之模擬結果。在各圖式中，e-MLSE表示未進行區域劃分之情況下之特性。
圖84繪示關於圖案IVTSM4s0.7及上述圖案IVT4之一徑向慧差裕度。類似於上述其他圖表，縱座標軸指示指標e-MLSE且橫座標軸指示正規化徑向慧差W31。IVTSM4s0.7標示當Ksm=0.7時之圖案IVTSM4。
圖85繪示關於圖案IVTSM4s0.7及圖案IVT4之一散焦裕度。圖85中繪示之圖表之橫座標軸指示依波長正規化之正規化散焦量W20。
圖86繪示關於圖案IVTSM4s0.7及圖案IVT4之球面像差SA之一裕度。圖86中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化球面像差量W40。
圖87繪示關於圖案IVTSM4s0.7及圖案IVT4之一切向慧差裕度。圖87中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化切向慧差量W3-1。
圖88繪示關於IVTSM4s0.7及圖案IVT4在一圖案在徑向方向上移位之一情況下之一裕度。圖88中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化移位量。
如可自特性瞭解，雖然改良徑向慧差裕度及球面像差裕度，但是散焦裕度及切向慧差裕度亦稍微變窄。然而，徑向方向上之圖案移位(在圖案IVT4中惡化較為顯著)未改良。在此情況下，根據媒體等等之差異，可切換使用複數個係數Ksm。
「圖案IVNS5」
(藉由維持特性減小通道數目)
當線密度不是太高時，甚至在切向方向上之中心區域不同之通 道之情況下，亦可獲得所要特性。換言之，如圖89中繪示，切向方向上之圖案IVNST6之兩個通道(E及F)被整合為一通道(E)。通道F之區域F1、F2及F3被設定為通道E之區域E4、E5及E6。以此方式減小通道數目之圖案被稱為一圖案IVNS5。此處，徑向方向上之區域劃分位置被設定為±0.25、±0.5及±0.7，其中光瞳半徑係1.0，且切向方向上之區域劃分位置被設定為±0.45及±0.65。
將基於上述圖案IVTS5之模擬結果描述該圖案。模擬條件與「低線密度」之上述情況之模擬條件相同且如下。在各圖式中，e-MLSE表示未進行區域劃分之情況下之特性。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元
˙當Tp=0.225μm時(對於軌面及凹軌之各者而言)，盤片容量變為50.0GB。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
「複製效能」
圖90至圖94中繪示關於圖案IVTS5之複製效能之模擬結果。在各圖式中，e-MLSE表示未進行區域劃分之情況下之特性。
圖90繪示關於圖案IVTS5、上述圖案IVT4及上述圖案IVNST6之一徑向慧差裕度。類似於上述其他圖表，縱座標軸指示指標e-MLSE且橫座標軸指示正規化徑向慧差W31。
圖91繪示關於圖案IVTS5、圖案IVT4及圖案IVNST6之一散焦裕度。圖91中繪示之圖表之橫座標軸指示依波長正規化之正規化散焦量W20。
圖92繪示關於圖案IVTS5、圖案IVT4及圖案IVNST6之球面像差SA之一裕度。圖92中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化球面像差量W40。
圖93繪示關於圖案IVTS5、圖案IVT4及圖案IVNST6之一切向慧差裕度。圖93中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化切向慧差量W3-1。
圖94繪示關於圖案IVTS5、圖案IVT4及圖案IVNST6在一圖案在徑向方向上移位之一情況下之一裕度。圖94中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化移位量。
如可自特性瞭解，當線密度不是太高時，即使不具有在切向方向上之中心區域不同之通道之情況下，亦可獲得所要特性。
「針對圖案IVNS5最佳化之電濾波器」
將描述針對上述圖案IVNS5最佳化之一電濾波器。圖97中繪示當W31=0時(即，圖90中之擾動原點處)電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。電濾波器經組態具有一FIR濾波器。圖98中繪示其中設定此等係數之一情況下對應於區域A至E之各自通道之頻率振幅特性。此外，圖95中繪示當W31=-0.16時電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。圖96中繪示其中設定此等係數之一情況下對應於區域A至E之各自通道之頻率振幅特性。
圖99中繪示當圖92中之球面像差SA之特性中W40=-0.20時電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。電濾波器經組態具有一FIR濾波器。圖100中繪示其中設定此等係數之一情況下各自通道A至E之頻率振幅特性。
如可自圖98(繪示擾動原點處之特性)與圖96(繪示其中發生徑向慧差之狀態中之特性)之比較及圖98與圖100(繪示其中發生球面像差之狀態中之特性)之比較瞭解，在圖案IVNS5之情況下，類似於圖案 IVNST6，中心部分被劃分為三個通道B、C及D，使得可實施徑向慧差及球面像差之裕度之擴大。在圖案IVNS5之情況下，比圖案IVNST6更明顯的是，在擾動中心之狀態中，濾波器在C(最中心)及B以及D處之頻率特性已經變得不同。此外，當徑向慧差係W31=-0.16時或當球面像差係W40=-20時，進一步改變濾波器在C(最中心)及B以及D處之頻率特性。
[圖案IVSP4]
(藉由維持特性減小通道數目)
類似於基於圖案IVNST6組態圖案IVTSP5，可基於圖案IVNS5組態圖案IVSP4。換言之，藉由以一光學或電方式共用中心區域C之方法，可歸因於諸如一信號處理電路之功率消耗、輸入接腳數目及電路大小之約束而減小通道數目。
作為減小通道數目之一方法，在圖案IVNS5(參考圖89)中之五個通道A至E之中，按原樣使用通道A及E，且通道C之信號分佈至通道B及D，使得設定四個通道。換言之，通道B之信號被設定為B+(Ks×C)，且通道D之信號被設定為D+(Ks×C)。以此方式減小通道數目之圖案被稱為一圖案IVSP4。
將基於上述圖案IVSP4之模擬結果描述該圖案。模擬條件與「低線密度」之上述情況之模擬條件相同且如下。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元
˙當Tp=0.225μm時(對於平面及凹軌之各者而言)，盤片容量變為50.0GB。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
「複製效能」
圖101至圖109中繪示關於圖案IVSP4之複製效能之模擬結果。在各圖式中，e-MLSE表示未進行區域劃分之情況下之特性。
圖101繪示關於圖案IVSP4s0.5、圖案IVSP4s0.7、圖案IVSP4s1.0、圖案IVSP4s2.0、上述圖案IVNS5及上述圖案IVT4之一徑向慧差裕度。類似於上述其他圖表，縱座標軸指示指標e-MLSE且橫座標軸指示正規化徑向慧差W31。IVSP4s0.5標示當Ks=0.5時之圖案IVSP4。IVSP4s0.7標示當Ks=0.7時之圖案IVSP4。IVSP4s1.0標示當Ks=1.0時之圖案IVSP4。IVSP4s2.0標示當Ks=2.0時之圖案IVSP4。
圖102繪示徑向慧差裕度對係數Ks之一相依性。徑向慧差裕度在其中Ks降低之方向上大幅惡化。徑向慧差裕度在Ks=1附近係最佳的。
圖103繪示關於圖案IVSP4s0.5、圖案IVSP4s0.7、圖案IVSP4s1.0、圖案IVSP4s2.0、圖案IVNS5及圖案IVT4之一散焦裕度。圖103中繪示之圖表之橫座標軸指示依波長正規化之正規化散焦量W20。
圖104繪示散焦裕度對係數Ks之一相依性。當Ks為小時，散焦裕度良好。
圖105繪示關於圖案IVSP4s0.5、圖案IVSP4s0.7、圖案IVSP4s1.0、圖案IVSP4s2.0、圖案IVNS5及圖案IVT4之球面像差SA之一裕度。圖105中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化球面像差量W40。
圖106繪示球面像差裕度對係數Ks之一相依性。當Ks為大時，球面像差裕度良好。
圖107繪示關於圖案IVSP4s0.5、圖案IVSP4s1.0、圖案IVNS5及圖 案IVT4之一切向慧差裕度。圖107中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化切向慧差量W3-1。
圖108繪示關於圖案IVSP4s0.5、圖案IVSP4s0.7、圖案IVSP4s1.0、圖案IVSP4s2.0、圖案IVNS5及圖案IVT4在一圖案在徑向方向上移位之一情況下之一裕度。圖108中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化移位量。類似地，圖109亦繪示其中圖案在徑向方向上移位之一情況下之一裕度。與圖108相比，縱座標軸(e-MLSE)延伸，使得可容易識別各自圖表。
如可自特性瞭解，若改變區域之間之信號之比率Ks，則「散焦裕度及切向慧差裕度」與「徑向慧差裕度及球面像差裕度」之間存在一折衷關係。根據媒體等等之差異，可切換使用複數個係數Ks。
「圖案IVos4」
(藉由維持特性減小通道數目)
類似於圖案IVSP4，藉由以一光學或電方式共用圖案IVNS5中之中心區域C之方法，可歸因於諸如一信號處理電路之功率消耗、輸入接腳數目及電路大小之約束而減小通道數目。
作為減小通道數目之一方法，在圖案IVNS5(參考圖89)中之五個通道A至E之中，按原樣使用通道A及E，且通道C之信號分佈至通道B及D，使得設定四個通道。換言之，通道B之信號被設定為B+(Ks1×C)，且通道D之信號被設定為D+(Ks2×C)(Ks1≠Ks2)。在(Ks1=0、Ks2=1)之情況下，如圖110中繪示般進行圖案劃分。以此方式減小通道數目之圖案被稱為一圖案IVos4。此處，徑向方向上之區域劃分位置被設定為±0.25、±0.5及±0.7，其中光瞳半徑係1.0，且切向方向上之區域劃分位置被設定為±0.45及±0.65。
將基於上述圖案IVos4之模擬結果描述該圖案。模擬條件與「低線密度」之上述情況之模擬條件相同且如下。在各圖式中，e-MISE 表示未進行區域劃分之情況下之特性。
˙LD 35.18(GB)…0.053μm/通道位元
˙當Tp=0.225μm時(對於平面及凹軌之各者而言)，盤片容量變為50.0GB。
˙NA=0.85
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.7
˙存在光碟雜訊及放大器雜訊
「複製效能」
圖111至圖116中繪示關於圖案IVos4之複製效能之模擬結果。在各圖式中，e-MLSE表示未進行區域劃分之情況下之特性。
圖111繪示關於圖案IVos4、圖案IVSP4s0.5、圖案IVSP4s1.0、圖案IVNS5及圖案IVT4之一徑向慧差裕度。類似於上述其他圖表，縱座標軸指示指標e-MLSE且橫座標軸指示正規化徑向慧差W31。IVos4表示情況(Ks1=0、Ks2=1)之特性。
圖112繪示關於圖案IVos4、圖案IVSP4s0.5、圖案IVSP4s1.0、圖案IVNS5及圖案IVT4之一散焦裕度。圖112中繪示之圖表之橫座標軸指示依波長正規化之正規化散焦量W20。
圖113繪示關於圖案IVos4、圖案IVSP4s0.5、圖案IVSP4s1.0、圖案IVNS5及圖案IVT4之球面像差SA之一裕度。圖113中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化球面像差量W40。
圖114繪示關於圖案IVos4、圖案IVSP4s0.5、圖案IVSP4s1.0、圖案IVNS5及圖案IVT4之一切向慧差裕度。圖114中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化切向慧差量W3-1。
圖115繪示關於圖案IVos4、圖案IVSP4s0.5、圖案IVSP4s1.0、圖 案IVNS5及圖案IVT4在一圖案在徑向方向上移位之一情況下之一裕度。圖115中繪示之圖表之橫座標軸指示正規化移位量。類似地，圖116亦繪示其中圖案在徑向方向上移位之一情況下之一裕度。與圖115相比，縱座標軸(e-MLSE)延伸，使得可容易識別各自圖表。
如可自特性瞭解，圖案IVos4具有優於圖案IVSP4s0.5之特性之一些特性。根據媒體等等之差異，可切換使用複數個係數Ks或可改變係數Ks1及Ks2之平衡。
在此之前，描述自圖案IVST6(其中圖案IVT4之中心區域被劃分為徑向方向上之三個區域)通過圖案IVTSP5、圖案IVTSM4、圖案IVNS5及圖案IVSP4至圖案IVos4之流程。可如表格1中列出般總結此等關係。
在各自通道中，如由表格中之計算等式表達，信號無須被偵測為獨立信號，但是在光束由偵測元件感測時信號可由相同光感測單元偵測。否則，在單獨感測信號之後，可電計算信號。
根據相同考慮，可考慮自圖案NST6(其中圖案T4之中心區域被劃分為徑向方向上之三個區域)通過圖案TSP5、圖案TSM4、圖案NS5及圖案SP4至圖案os4之流程。此外，類似地，可考慮自圖案HNST6(圖117)(其中圖案HT4之中心區域被劃分為徑向方向上之三個區域)通過圖案HTSP5、圖案HTSM4、圖案HNS5及圖案HSP4至圖案Hos4之流程。可如表格2中列出般總結此等。按原樣使用基本劃分圖案，且可藉由考慮各種特性適當地改變劃分位置。
此外，可考慮自圖案HiNS5(圖118)(其中圖案Hi3之中心區域被劃分為徑向方向上之三個區域)通過圖案HiSP4及圖案HiSM3至圖案Hos4之流程。可如表格3中列出般總結此等。
此外，若圖案IVT4之組態應用於T4系統、圖案HT4系統及圖案Hi3系統，則可考慮圖案VT4(圖119)、圖案VHT4(圖120)及圖案VHi3(圖121)。此外，可基於上述組態考慮增加以一空間光學方式進行之劃分區域(頻帶在徑向方向上不同)之數目。
[圖案NST6]
(使密度更高之情況)
圖122繪示一劃分圖案NST6(類似於圖54)。將描述使劃分圖案中之密度更高之情況。換言之，模擬條件如下。
˙LD 47(GB)…0.03967μm/通道位元
˙當Tp=0.15μm時(對於平面及凹軌之各者而言)，盤片容量變為100.3GB。
˙NA=0.91
˙PR(1233321)
˙估計指標：e-MLSE
˙標記寬度=Tp×0.6
圖123中繪示此情況下電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。電濾波器經組態具有一FIR濾波器。圖124中繪示其中設定此等係數之一情況下對應於區域A至F之各自通道之頻率振幅特性。在未使用光學濾波器之情況下，e-MLSE變為38.6%；且在使用一光學濾波器(NST6)及一電濾波器之情況下，e-MLSE改良8.6%。
<2.其他實施例>
光碟之複製信號歸因於藉由使線方向上之密度更高引起的符號間干擾之一增加及藉由使理想信號中之軌道方向上之密度更高引起的來自相鄰軌道之信號洩漏及插入之一增加而大幅偏離一理想信號。在相關技術中，藉由使用電濾波器解決問題。例如，在BDXL(註冊商標)中，實施33.4GB/L。
圖125中繪示以根據本發明之一高密度記錄之複製信號之組態。換言之，複製信號被供應給光學濾波器131，且由光學濾波器131以一空間光學方式將信號分離為在線密度方向上及/或軌道密度方向上具有不同頻帶之複數個信號。複數個分離信號，例如兩個信號分別供應給最佳電濾波器132及133，且藉由加總電濾波器132及133之輸出獲得一輸出信號。
在上述實施例之組態中，光學濾波器被劃分為複數個區域，且獲自各自劃分區域之複數個通道之信號分別供應給電濾波器。在另一實施例中，存在其中一光束分離器用作光學濾波器之一實例。
如圖126中繪示，使用來自一光源121之一雷射光束透過用於傳出/返回路徑分離之一光束分離器122及一物鏡123輻照一光碟124之一表面。在光束分離器122中反射自光碟124返回之光束以入射在光學濾 波器之光束分離器125上。此外，圖126繪示描述所必需的最少光學元件。
由光束分離器125反射之光束藉由光感測元件126A轉換為一電信號，且透射光束分離器125之光束藉由光感測元件126B轉換為一電信號。光束分離器125具有入射角相依性，使得藉由使用入射角相依性以一空間光學方式分離光瞳。圖127繪示光束分離器125之反射特性。在圖127中，縱座標軸指示反射比，且橫座標軸指示半徑位置。半徑位置係當光瞳半徑被設定為1時徑向方向上之一半徑位置。
如由圖127及圖128可知，入射在光束分離器125上之大部分雷射光束(半徑位置=0)透射以被引導至光感測元件126B。入射在半徑位置(=±1.0)上之大部分雷射光束經反射以引導至光感測就126A。以此方式，雖然光束被分離，但是不同於上述實施例，由光感測元件126A及126B引導之光束具有一重疊部分。
此外，在圖126之組態中，一光束分離器127(參考圖129)可配置在光束分離器125與光感測元件126B之間。光束分離器127具有入射角相依性。光束分離器127以與由光感測元件126A引導之光束及由光感測元件126B引導之光束相位差90。之角度引導光束。換言之，在圖126中，光束在自後紙的後面至正面之方向上引導以由光感測元件126C感測。
「電濾波器之特性」
如圖126之「電濾波器之特性」中繪示，圖130及圖131中繪示供應分別由光感測元件126A及126B轉換之電信號之電濾波器之特性。圖130繪示電濾波器之31個分接頭之係數值之一實例。電濾波器經組態具有一FIR濾波器。圖131中繪示其中設定此等係數之一情況下一反射光側濾波器及一透視光側濾波器之頻率振幅特性。
此外，圖132繪示極適合於組合圖129之光束分離器及圖126之組 態之兩級組態之情況之一電濾波器之31個分接頭之係數之一實例。A指示光感測元件126A之係數；B指示被供應光感測元件126B之輸出之濾波器之係數；且C指示被供應光感測元件126C之輸出之濾波器之係數。圖133中繪示其中設定此等係數之一情況下一反射光側濾波器及一透視光側濾波器之頻率振幅特性。
此外，雖然具有入射角相依性之光束分離器用作上述實例中之光學濾波器，但是亦可採用其中一光束入射在一半波片上且半波片之一輸出光束入射在一偏光光束分離器上之組態。在此情況下，半波片之光學軸之定向在二維平面上具有不同分佈。因此，根據半波片之入射位置不同地進行偏光，且可藉由偏光光束分離器將輸入光束分離為兩個光束。
順便提及，本發明亦可採用下文描述之組態。
(1)一種複製裝置，其包括：一偵測單元，該偵測單元經組態以：將自一光學媒體返回之一光束之一截面劃分為分別對應於第一通道及第二通道之至少第一區域及第二區域，其中該第一區域包含該光束之一徑向方向上之一外部區域，其中該第二區域包含該光束之一切向方向上之一外部區域；及形成對應於該等各自通道之偵測信號；一多輸入等化器組件，其包括被供應對應於該等通道之該等各自偵測信號之等化器單元，且經組態以對該等等化器單元之輸出執行計算且基於該計算輸出一等化信號；及一個二進位化單元，其經組態以對該等化信號執行二進位化處理以獲得二進位資料。
(2)如(1)之複製裝置，其中該多輸入等化器組件包括經組態以輸出該等化信號之一多輸入自適應等化器組件，且其中該裝置進一步包括一等化誤差計算單元，其經組態以：至少部分基於一等化目標信號 及該等化信號獲得等化誤差資料，其中該等化目標信號係至少部分基於該二進位資料獲得；及將該等化誤差資料供應給該自適應等化器單元以控制自適應等化。
(3)如(2)之複製裝置，其中：該多輸入自適應等化器組件經組態以對對應於該等各自通道之該等偵測信號執行部分回應等化處理，藉由其獲得該二進位資料之該二進位化處理包括最大似然解碼處理，該等化目標信號係藉由使用該二進位資料執行迴旋而獲得，且該等化誤差計算單元經組態以藉由使用該等化目標信號及該等化信號進行計算來獲得該等化誤差資料。
(4)如(1)之複製裝置，其中該偵測單元包含經劃分對應於該等區域且經組態以獲得該等偵測信號之光偵測器。
(5)如(4)之複製裝置，其進一步包括經組態以將自該光學媒體返回之該光束分離為該等區域之一光學路徑轉換元件，其中該光學路徑轉換元件安置在穿過一物鏡且至該等偵測器之一光學路徑中，且其中該光束之由該光學路徑轉換元件分離之該等區域輸入至各自偵測器。
(6)如(1)之複製裝置，其中該光學媒體包含交替平面及凹軌，且其中資訊記錄在該等平面及凹軌兩者上。
(7)一種方法，其包括：將自一光學媒體返回之一光束之一截面劃分為分別對應於第一通道及第二通道之至少第一區域及第二區域，其中該第一區域包含該光束之一徑向方向上之一外部區域，其中該第二區域包含該光束之一切向方向上之一外部區域；形成對應於該等各自通道之偵測信號；將對應於該等通道之該等偵測信號供應給各自等化器單元；使用包括該等等化器單元之一多輸入等化器組件以對該等等化器單元之輸出執行計算且基於該計算輸出一等化信號；及對該等化信號執行二進位化處理以獲得二進位資料。
(8)一種複製裝置，其包括：一光學濾波器，其經組態以提供對 應於自一光學媒體返回之一光束之區域之電信號，該光束入射在該光學濾波器上，該光束之該等區域對應於一線密度方向及/或一軌道密度方向上之不同頻帶；及電濾波器，其等經組態以至少部分基於由該光學濾波器提供之該等電信號提供輸出，其中該複製裝置經組態以藉由組合該等電濾波器之該等輸出獲得一複製信號。
(9)如(8)之複製裝置，其中該光學濾波器包含具有一入射角相依性之一光束分離器。
(10)如(8)之複製裝置，其中該光束之該等區域包含包括該光束在該軌道密度方向上之一或多個外部部分之一第一區域、包括該光束在該線密度方向上之一或多個外部部分之一第二區域及包括該光束之一中心部分之一第三區域。
(11)如(10)之複製裝置，其中該第一區域之該一或多個外部部分包含第一外部部分及第二外部部分，且其中該光束之該第二區域介於該第一區域之該第一外部部分與該第二外部部分之間。
(12)如(10)之複製裝置，其中該第二區域之該一或多個外部部分包含第一外部部分及第二外部部分，且其中該光束之該第一區域介於該第二區域之該第一外部部分與該第二外部部分之間。
(13)如(10)之複製裝置，其中該光束之該等區域進一步包含一第四區域，其包括該光束之介於該光束在該線密度方向上之該第二區域與第三區域之間之一或多個部分。
(14)如(10)之複製裝置，其中該第二區域之該一或多個外部部分包含該光束在該線密度方向上之一第一外部部分，且其中該第三區域進一步包含該光束在該線密度方向上之一第二外部部分。
(15)如(8)之複製裝置，其中該光束之該等區域包含包括該光束在該線密度方向上之一或多個外部部分之一第一區域、包括該光束之一中心部分之一第二區域、包括該光束在一軌道密度方向上之一第一 外部部分之一第三區域及包括該光束在該軌道密度方向上之一第二外部部分之一第四區域，其中該第三區域進一步包含該光束之與該第一區域相鄰之一或多個部分及該光束在該軌道密度方向上之該第二外部部分，且其中該第四區域進一步包含該光束之與該第一區域相鄰之一或多個部分及該光束在該軌道密度方向上之該第一外部部分。
(16)如(8)之複製裝置，其中該光束之該等區域包含包括該光束在一軌道密度方向上之一或多個外部部分之一第一區域、包括該光束在該線密度方向上之一第一外部部分之一第二區域、包括該光束之一中心部分之一第三區域及包括該光束在該線密度方向上之一第二外部部分之一第四區域。
(17)如(16)之複製裝置，其中該第一區域之該一或多個外部部分包含第一外部部分及第二外部部分，且其中該光束之該第二區域及該第四區域介於該第一區域之該第一外部部分與該第二外部部分之間。
(18)如(16)之複製裝置，其中該光束之該第一區域介於該光束之該第二區域與該第四區域之間。
(19)如(16)之複製裝置，其中該光束之該等區域進一步包含包括該光束之介於該線密度方向上之該第二區域與該第三區域之間之一部分之一第五區域及包括該光束之介於該線密度方向上之該第三區域與該第四區域之間之一部分之一第六區域。
(20)如(8)之複製裝置，其中該光束之該等區域包含包括該光束在一軌道密度方向上之一第一外部部分之一第一區域、包括該光束在該線密度方向上之一第一外部部分之一第二區域、包括該光束之一中心部分之一第三區域、包括該光束在該線密度方向上之一第二外部部分之一第四區域及包括該光束在該軌道密度方向上之一第二外部部分之一第五區域。
(21)如(8)之複製裝置，其中該光束之該等區域包含包括該光束 在一軌道密度方向上之一或多個外部部分之一第一區域、包括該光束在該線密度方向上之一第一外部部分之一第二區域、包括該光束之一中心部分之一第三區域及包括該光束之介於該線密度方向上之該第二區域與該第三區域之間之一部分之一第四區域。
(22)如(8)之複製裝置，其中該光束之該等區域包含包括該光束在一軌道密度方向上之一或多個外部部分之一第一區域及包括該光束在該軌道密度方向上之一或多個內部部分之兩個或更多個第二區域，其中該兩個或更多個第二區域關於行進穿過該光束之一中心之一線不對稱地配置，該線指向該軌道密度方向。
(23)如(8)之複製裝置，其中該光束之該等區域包含包括該光束在一軌道密度方向上之一第一外部部分之一第一區域、包括該光束在該線密度方向上之一第一外部部分之一第二區域、包括該光束之一中心部分之一第三區域、包括該光束在該軌道密度方向上之一第二外部部分之一第四區域、包括該光束在該線密度方向上之一第二外部部分之一第五區域、包括該光束之介於該線密度方向上之該第二區域與該第三區域之間之一部分之一第六區域及包括該光束之介於該線密度方向上之該第三區域與該第五區域之間之一部分之一第七區域。
<3.修改>
在此之前，已具體描述本發明之實施例。然而，本發明不限於上述實施例，但是基於本發明之技術思維之各種修改係可行的。例如，雷射光源之波長、軌道節距及記錄線密度之上述數值係實例，且可使用其他數值。此外，可使用惟上述指標以外之一指標作為用於估計複製效能之一指標。此外，本發明可應用於在一光碟上僅進行記錄及複製之一者之一光碟器件。
此外，在不脫離本發明之精神之情況下，上述實施例中之組態、方法、程序、形狀、材料及數值可彼此組合。例如，可組合上述 第一實施例及第二實施例。

Claims (7)

  1. 一種複製裝置，其包括：一偵測單元，該偵測單元經組態以：將自一光學媒體返回之一光束之一截面劃分為至少第一外部區域及第二外部區域，該第一及第二外部區域不包含該光束之該截面之一中心且分別對應於第一通道及第二通道，其中該第一區域包含該光束之一徑向方向上之一外部區域，其中該第二區域包含該光束之一切向方向上之一外部區域，及形成對應於該等各自通道之偵測信號；一多輸入等化器組件，其包括被供應有對應於該等通道之該等各自偵測信號之等化器單元，且經組態以對該等等化器單元之輸出執行計算，且基於該計算來輸出一等化信號；及一個二進位化單元，其經組態以對該等化信號執行二進位化處理以獲得二進位資料。
  2. 如請求項1之複製裝置，其中該多輸入等化器組件包括經組態以輸出該等化信號之一多輸入自適應等化器組件，及其中該裝置進一步包括一等化誤差計算單元，其經組態以：至少部分基於一等化目標信號及該等化信號來獲得等化誤差資料，其中該等化目標信號係至少部分基於該二進位資料而獲得，及將該等化誤差資料供應給該自適應等化器單元以控制自適應等化。
  3. 如請求項2之複製裝置，其中：該多輸入自適應等化器組件經組態以對對應於該等各自通道 之該等偵測信號執行部分回應等化處理，藉由其獲得該二進位資料之該二進位化處理包括最大似然解碼處理，該等化目標信號係藉由使用該二進位資料執行迴旋而獲得，及該等化誤差計算單元經組態以藉由使用該等化目標信號及該等化信號進行計算來獲得該等化誤差資料。
  4. 如請求項1之複製裝置，其中該偵測單元包含經劃分對應於該等區域且經組態以獲得該等偵測信號之光偵測器。
  5. 如請求項4之複製裝置，進一步包括經組態以將自該光學媒體返回之該光束分離為該等區域之一光學路徑轉換元件，其中該光學路徑轉換元件係安置在穿過一物鏡且至該等偵測器之一光學路徑中，且其中該光束之由該光學路徑轉換元件分離之該等區域被輸入至各自偵測器。
  6. 如請求項1之複製裝置，其中該光學媒體包含交替平面及凹軌，且其中資訊係記錄在該等平面及凹軌兩者上。
  7. 一種光學媒體複製方法，其包括：將自一光學媒體返回之一光束之一截面劃分為至少第一外部區域及第二外部區域，該第一及第二外部區域不包含該光束之該截面之一中心且分別對應於第一通道及第二通道，其中該第一區域包含該光束之一徑向方向上之一外部區域，且其中該第二區域包含該光束之一切向方向上之一外部區域；形成對應於該等各自通道之偵測信號；將對應於該等通道之該等偵測信號供應給各自等化器單元；使用包括該等等化器單元之一多輸入等化器組件以對該等等化器單元之輸出執行計算，且基於該計算來輸出一等化信號；及對該等化信號執行二進位化處理以獲得二進位資料。
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