JP5726557B2 - 光記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、光ディスク等の光記録媒体に関し、特に高記録密度で記録可能な光記録媒体に関する。

近年、大容量光ディスクとしてブルーレイディスク（ＢＤ：Blu-ray Disc（登録商標）、以下本明細書では「大容量光ディスク」と記す）が製品化されている。この大容量光ディスクは、記録再生用光波長を４０５ｎｍ程度、記録再生用光学系の集光レンズの開口数ＮＡを０．８５程度として、約２５ＧＢの記録容量を実現している。

この大容量光ディスク型の光記録媒体において、追記可能な記録層材料が種々検討されている。従来の追記型光ディスクの記録層材料としては、有機色素材料が知られている。一方、有機色素材料を用いる場合の生産性、また記録信号の長期安定保存性の問題点を改善するため、無機材料を追記型記録層材料に用いることが種々検討されている。例えば下記特許文献１には、昇温により高速で結晶化して光学変化を生じさせるＴｅ−Ｏ等を含む記録層を有する光記録媒体が提案されている。

特開２００８−１１２５５６号公報

ところで、上述した大容量光ディスク型の追記型光記録媒体において更に大容量化を図るために、多層化が進められている。単層の大容量光ディスクに対してはジッター、変調度、エラーレート等の記録特性に関する適切な範囲が設定されており、多層型の媒体においてもこの範囲の記録特性を達成することが求められている。

以上の課題に鑑みて、本発明は、上述した大容量光ディスク型であって追記型の光記録媒体に対応可能であり、多層化による記録特性の低下を抑制し、単層記録層構成と同程度の記録特性を有する光記録媒体を提供することを目的とする。

本発明による光記録媒体は、基板と、２層以上４層以下の記録層を有し、これら記録層のうち少なくとも１以上の記録層は、ＰｄＯと、ＰｄＯ_２とを含む。更に、完全に酸化されたＺｎを少なくとも含む組成の特定記録層とする。そして、この特定記録層に隣接して、Ｉｎを主成分とする酸化物層が設けられる構成とする。

上述したように、本発明の光記録媒体においては、記録層を２層以上４層以下の多層構成とすると共に、少なくとも一以上の記録層を特定記録層として、その組成にＰｄＯとＰｄＯ_２を含むものとする。この特定記録層にレーザ光を照射すると、その他の安定した酸化物ではなく、ＰｄＯ、ＰｄＯ_２が反応する。すなわち、記録用光の照射によってＰｄＯはＰｄとＯ_２に分解し、またＰｄＯ_２はＰｄＯとＯ_２に分解するように反応する。このときＯ_２が発生することで、平坦な薄膜状の記録層に膨れが生ずる構造となる。このため記録用光を照射した位置に、周囲とは反射率の異なる記録マークが形成される。

また、この特定記録層は、ＰｄＯ、ＰｄＯ_２に加え、完全に酸化されたＺｎを少なくとも含むものである。このような組成とする場合、組成比を調整することによって透過率を精度良く制御することができる。例えば、Ｚｎの組成比を大きくすると透過率は低下し、Ａｌの組成比を大きくすると透過率は増加する。また、Ｐｄの組成比を大きくすると透過率は大きく低下し、逆にＰｄの組成比を小さくすると透過率は大きく増加する傾向がある。このような組成比に対する透過率の変化を利用して、容易に且つ精度良く記録層の透過率を調整することができるという利点を有する。

また本発明による光記録媒体は、この特定記録層に隣接して、Ｉｎを主成分とする酸化物層を設けるものである。このような酸化物層を特定記録層の光入射側とは反対側に設ける場合、記録パワーのマージンがより広くなる。一方、光入射側に設ける場合は、その厚さを調整することによって、特定記録層を含む全体の反射率と透過率を個別に調整することが可能となる。したがって、特定記録層の上下いずれかに隣接して酸化物層を設けることによって、多層記録媒体とする場合に良好な記録特性を実現できる。これにより、大容量光ディスク型の光記録媒体において、２層以上４層以下の多層記録層構成とすることが可能となる。

本発明によれば、大容量型光ディスクであって追記型の光記録媒体において、単層記録層構成と同等の記録特性を有する多層記録層構成の光記録媒体を提供することができる。

本発明の一実施の形態に係る光記録媒体の概略断面構成図である。 本発明の他の実施の形態に係る光記録媒体の概略断面構成図である。 本発明の他の実施の形態に係る光記録媒体の概略断面構成図である。 本発明の光記録媒体の特定記録層を単層構成とした第１の参考例における記録特性を示す図である。 本発明の光記録媒体の特定記録層を単層構成とした第２の参考例における記録層の特性を比較例の記録層の特性と比較して示す図である。 本発明の光記録媒体の特定記録層を単層構成とした第３の参考例における記録層の特性を示す図である。 本発明の一実施の形態に係る光記録媒体の各記録層の特性を示す図である。 本発明の他の実施の形態に係る光記録媒体の記録層の特性を示す図である。 本発明の他の実施の形態に係る光記録媒体の記録層の特性を示す図である。 本発明の他の実施の形態に係る光記録媒体の各記録層の特性を示す図である。 本発明の他の実施の形態に係る光記録媒体の記録層（Ｌ３）の特性を示す図である。 本発明の他の実施の形態に係る光記録媒体の記録層（Ｌ３）の特性を示す図である。 本発明の更に他の実施の形態に係る光記録媒体の各記録層の特性を示す図である。

以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．光記録媒体の構成（記録層を２層、３層及び４層構成とする例）
２．参考例（特定記録層のみの単層構成とした光記録媒体の記録特性）
３．実施例（記録層を２層、３層及び４層構成とする例の記録特性）

＜１．光記録媒体の構成＞
［光記録媒体の構造］
図１は、本発明の一実施の形態に係る光記録媒体１０の概略断面構成図である。図１に示すように、この光記録媒体１０は、基板１１上に、２層の記録層１２１（Ｌ０）及び１２２（Ｌ１）が形成される。なお、多層記録媒体においては通常、基板に最も近い記録層をＬ０、次いでＬ１、Ｌ２、・・・とするので、便宜上併記して示す。

本例の光記録媒体１０は、上述した大容量光ディスク（Blu-ray Disc、（登録商標））型の構成とする場合は、厚みが約１．１ｍｍで、外径が約１２０ｍｍの円盤状の基板１１が用いられる。そしてその一面側、例えばウォブリンググルーブとしての凹凸が形成された面の上に、記録層１２１及び１２２が光透過性材料より成る中間層１４を介して形成される。また、各記録層１２１及び１２２の上又は下、図示の例では上下に隣接して、誘電体層１３１ａ及び１３１ｂ、１３２ａ及び１３２ｂが設けられる。この誘電体層は、上又は下のいずれか一方に隣接して設けられていてもよい。これらの記録層１２１及び１２２のうち、少なくとも一層、好ましくは光入射側の記録層１２２は、ＰｄＯと、ＰｄＯ_２とを含む。更に、完全に酸化された、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎ（すなわちＩｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２）のうち少なくとも１つを含む組成の特定記録層とする。また、特定記録層の上下に隣接する誘電体層１３１ａ、１３１ｂ、１３２ａ、１３２ｂのうち少なくともいずれかは、Ｉｎ又はＡｌを主成分とするＩｎ／Ａｌ酸化物層として構成する。

更に記録層１２２の上には光透過性材料より成る保護層１５が形成される。この保護層１５の厚さは、記録層１２１から上の層の厚さの総和が約１００μｍとなるように選定され、基板１１を含む全体の厚さが１．２ｍｍとして構成される。大容量光ディスク型構成とする場合、記録用光の入射側は保護層１５側とされる。なお、本発明は大容量光ディスク型構成とする場合に限定されるものではなく、ディスク状ではなくカード状等の基板を用いるとか、また基板１１や保護層１５の厚さ、ディスク状とする場合の外径等は用途に応じて適宜選定可能である。

図２及び図３は、本発明の他の実施の形態に係る光記録媒体２０及び３０の概略断面構成図である。
図２に示す例においては、記録層を３層構成とする光記録媒体２０の構成を示す。この例では、基板２１上に、図１に示す例と同様にウォブリンググルーブとしての凹凸が形成され、その凹凸形成面の上に、基板２１側から順に記録層２２１（Ｌ０）、２２２（Ｌ１）及び２２３（Ｌ２）が、中間層２４１及び２４２を介して形成される。図示の例では、記録層２２１、２２２及び２２３の上下に隣接して誘電体層２３１ａ及び２３１ｂ、２３２ａ及び２３２ｂ、２３３ａ及び２３３ｂがそれぞれ設けられる。そして記録層２２１〜２２３のうち少なくともいずれか、好ましくは記録層２２２、２２３の少なくともいずれかは、上述の組成による特定記録層として構成する。また特定記録層の上下に隣接して設けられる誘電体層のうち少なくともいずれかは、Ｉｎ／Ａｌ酸化物層として構成する。記録層２２３（Ｌ２）の上には、保護層２５が形成される。図１に示す例と同様に、大容量光ディスク型の構成とする場合は、基板２１の外径や厚さ、保護層２５の厚さを図１に示す例と同様とすることが好ましい。

図３は、記録層を４層とする場合の光記録媒体３０の構成を示す。この例では、基板３１上に、図１に示す例と同様にウォブリンググルーブとしての凹凸が形成される。そしてこの凹凸形成面の上に、基板３１側から順に記録層３２１（Ｌ０）、３２２（Ｌ１）、３２３（Ｌ２）、３２４（Ｌ３）が、中間層３４１、３４２、３４３を介して形成される。また記録層３２１〜３２４の上下に隣接して、誘電体層３３１ａ及び３３１ｂ、３３２ａ及び３３２ｂ、３３３ａ及び３３３ｂ、３３４ａ及び３３４ｂが設けられる。この場合も、記録層３２１〜３２４のうち少なくともいずれか、好ましくは記録層３２２〜３２４のうち少なくともいずれかを上述した組成の特定記録層として構成する。また、この特定記録層の上下に隣接して設ける誘電体層のうち、少なくともいずれかを、Ｉｎ／Ａｌ酸化物層より構成する。そして記録層３２４（Ｌ３）の上には、保護層３５が形成される。この場合も図１に示す例と同様に、大容量光ディスク型の構成とする場合は、基板３１の厚さや外径、保護層３５の厚さを図１に示す例と同様とすることが好ましい。

次に、図１〜図３に示す各実施の形態に係る光記録媒体における基板、記録層、中間層及び保護層の各部の適用可能な構造や材料等について説明する。

［基板の構造］
基板１１（２１、３１）は、例えばポリカーボネート等の樹脂等の材料より成り、射出成形等によって、マスタリング原盤からトラッキング用のウォブリンググルーブの凹凸形状が転写されて形成される。なお、本発明の光記録媒体においてグルーブ形状は必須ではなく、トラッキングが可能で、且つ記録トラック間クロストークが適切に抑制される構造であればよい。また、記録トラックは光入射側から見てグルーブ上又はランド上とすることができ、記録方式を問わない。

［記録層材料］
本例において少なくとも１以上の記録層、例えば記録層１２２、２２３、３２４等は、上述したように、ＰｄＯと、ＰｄＯ_２とを含むものとする。更に、完全に酸化された、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎのうち少なくとも１つを含む組成の特定記録層として構成する。

この特定記録層に、例えば中心波長４０５ｎｍ近傍のレーザ等の光を照射したときに、ＰｄＯはＰｄとＯ_２に、ＰｄＯ_２はＰｄＯとＯ_２に分解し、Ｏ_２の発生によって構造的に膨れを生じる。これにより、周囲と反射率の異なる記録マークが形成される。

そしてこの特定記録層は、完全に酸化された、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｌ又はＳｎのうち少なくとも１つ、すなわちＩｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２のうち少なくとも１つを含むものとする。上述したように、Ｚｎの組成比を大きくすると透過率は低下し、Ａｌの組成比を大きくすると透過率は増加する。また、Ｐｄの組成比を大きくすると透過率は大きく低下し、逆にＰｄの組成比を小さくすると透過率は大きく増加する傾向がある。このような組成比に対する透過率の変化を利用して、容易に且つ精度良く記録層の透過率を調整することができる。このため、記録層を多層構成とする場合に、記録層のいずれかの層を特定記録層とすることで、大容量光ディスク型構成で且つ多層構成とする光記録媒体において良好な記録特性を実現できる。

すなわちこの特定記録層は、２層以上４層以下とする記録層全てに適用する必要はなく、特に光入射側の記録層の１層以上に設けることが好ましい。例えば２層構成とする場合は、第２の記録層１２２（Ｌ１）のみを特定記録層としてもよい。３層構成とする場合は、第２の記録層２２２か第３の記録層２２３のいずれか、又は第２及び第３の記録層２２２及び２２３を特定記録層とすることができる。また、４層構成とする場合は、第２、第３又は第４の記録層３２２、３２３又は３２４のいずれかを特定記録層としてもよい。また、第２及び第３の記録層３２２及び３２３か、第３及び第４の記録層３２３及び３２４を特定記録層としてもよい。更に、第２〜第４の記録層３２２〜３２４を全て特定記録層としてもよい。

一方、光入射側とは反対側の記録層、すなわち大容量光ディスクの場合、最も基板１１（２１、３１）側の記録層１２１（又は２２１又は３２１、Ｌ０）は、特定記録層として構成しなくてもよく、その他の材料を用いてもよい。その他の材料としては、多層記録層構成とした場合に良好な記録層としての記録特性が得られる材料であれば利用可能であり、特に限定されない。例えば、別の追記型の記録材料や書き換え型記録材料より成る記録層を設けることも可能であり、或いは再生専用型の記録層を設けることもできる。

なお、この特定記録層には、その他Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎのうち完全酸化物とする元素以外の元素の不完全酸化物を含んでいてもよい。いずれの場合でも、共通の成膜装置を利用して記録層の形成が可能である材料より構成すれば、生産性上好適である。

特定記録層以外の記録層として適用可能な材料として、例えばＰｄＯとＰｄＯ_２とを含む記録層材料が挙げられる。この場合、少なくともＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれかを含むことが好ましい。すなわち、Ｚｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｉｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｓｎ−Ｐｄ−Ｏのいずれかとすることができる。また、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｐｄ−Ｏのいずれかとしてもよい。いずれの場合も透過率に対して影響が少なく、記録特性に大きな違いを生じることがない。そして、ＯはＺｎ、ＩｎまたはＳｎを完全酸化させたとき（ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２）の化学量論組成よりも多く含まれるようにする。このようにすることで、上述したようにこの記録層がＰｄＯ又はＰｄＯ_２を含み、大容量光ディスク型構成とした場合に良好な記録特性が得られ、また上述した特定記録層と共通の成膜装置を利用して記録層形成が可能であり、生産性上好適である。なお、本明細書において「元素−Ｏ」とは、その元素と酸素とを成分として含む材料を示し、その元素と酸素とを含む化合物、その元素の酸化物（完全酸化に限らない）を含む。

また、特定記録層の上下片側又は両側に隣接して設けるＩｎ／Ａｌ酸化物層は、他の誘電体材料を含んでもよい。他の材料としては例えばＺｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｖ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ、Ｎｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｈｆ−Ｏ、Ｔａ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ等の酸化物（完全酸化に限らない）等が挙げられる。また、ＳｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物も含んでいてもよい。

Ｉｎ又はＡｌの組成比は、Ｏ、ＮやＣを除いた他の元素、すなわちＺｎ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｂｉ等の元素に対する組成比が３０原子％を超え、好ましくは５０原子％以上とすることが好ましい。また、ＩｎとＡｌとを両方含む場合は、これらの組成比の和が３０原子％を超える値、好ましくは５０原子％以上であればよい。このような組成の酸化物層を特定記録層に隣接して設ける場合、特定記録層の耐久性を高めることができると共に、多層構成としても良好な記録特性が得られる。

この様な構成とするＩｎ／Ａｌ酸化物層は、特定記録層の上層又は下層に隣接して設けてもよく、上下に隣接して設けてもよい。上層、すなわち光入射側に設ける場合はその厚さを調整することによって、反射率と透過率を精度良く制御することができる。また、下層、すなわち光入射側とは反対側に設ける場合は、記録パワーのマージンを広げることができる。したがって、上層又は下層のいずれか、好ましくは上下に隣接して設けることで、多層記録層構成とする場合の特定記録層における記録特性を良好に保持することが可能である。また、他の材料の誘電体層を隣接して設ける場合と同様に、耐久性の向上の効果を得ることもできる。

またこのＩｎ／Ａｌ酸化物層とする誘電体層１３１ａ、１３１ｂ（２３１ａ、２３１ｂ・・等）の厚さは、数ｎｍ〜数十ｎｍであればよく、好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であればよい。３ｎｍ未満とする場合、膜厚精度を保つことが難しく、また２層から４層構成とする場合の好ましい透過率、反射率の範囲とすることが難しい。一方、５０ｎｍを超える膜厚としても他の効果は得られず、成膜時間が長くなり生産性に影響する。このため、膜厚は３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましい。

また特定記録層の上層又は下層に隣接して設ける、酸化物層から成る誘電体層を、特に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ層（ＩＴＯ層）やＩｎ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ層等とした場合には、保存信頼性を向上することができる。

Ｉｎ／Ａｌ酸化物層より成る誘電体層を設けない場合、或いは設けない側に特定記録層に隣接して、保護膜としての機能をもつ他の材料より成る誘電体層を設けてもよい。この場合は、厚さ数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の光透過性の誘電体材料であればよい。適用可能な材料を例示すると、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｖ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ、Ｎｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｈｆ−Ｏ、Ｔａ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ等の酸化物が挙げられる。また、ＳｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物も利用可能である。これらの材料を用いる場合においても、記録層の耐久性を高めることができる。

また図１に示す記録層１２１と記録層１２２の間等、各記録層の間には、光透過性材料より成る中間層１４（２４１、２４２、３４１〜３４３）が形成される。中間層１４（２４１等）の材料としては、記録特性に影響を及ぼさない十分な光透過性があればよく、その厚さは層間クロストークを所定値以下に抑えられる範囲であればよい。適用可能な材料としては紫外線硬化性樹脂等が挙げられる。

［製造方法］
特定記録層を含む各記録層１２１（１２２、２２１、・・・等）の成膜は蒸着法やスパッタ法等により行うことができる。例えば特定記録層をスパッタリング法により形成する場合、Ｐｄターゲットと、その他にＩｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｎＯのいずれか１つ以上のターゲットを使用する。または、目的とする組成比の合金ターゲットを用いてもよい。そして、Ｏ_２ガスに加え、ＡｒガスやＮ_２ガスを流しながら、スパッタ法により成膜する。

このとき、特にＮ_２ガスを用いて特定記録層を形成することにより、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することができる。これにより、特定記録層の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。特に、特定記録層の透過率を高く、かつ反射率を低くすることが可能になる。

上述したように特定記録層はＰｄＯとＰｄＯ_２を含むものである。このようにＰｄＯとＰｄＯ_２を含む記録層を形成する際に、Ｏ_２ガスとＡｒガスのみを用いてスパッタ法により成膜すると、記録層中のＰｄと酸素との結合状態を制御することにより、記録層の透過率を高くすることができる。

これに対して、酸素ガスに加えて窒素ガスを流してスパッタ法により成膜する場合は、記録層中のＰｄと酸素との結合状態を制御して、記録層の透過率をさらに高くすることが可能になる。酸素ガスに加えて窒素ガスを流した場合には、２つの酸素原子と結合している状態（ＰｄＯ_２）よりも、１つの酸素原子と結合している状態（ＰｄＯ）のＰｄ原子が増える傾向が見られる。

よって、特定記録層を形成する場合、特に光入射側に特定記録層を設ける場合は、その成膜時にＯ_２ガスに加えＮ_２ガスを流してスパッタ法により成膜することが好ましいといえる。なお、酸素ガス及び窒素ガスの流量は、任意の量とすることが可能であるが、より好ましくは、酸素ガスの流量を１０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの範囲内とし、窒素ガスの流量を２ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍの範囲内とする。

また、各誘電体層１３１ａ、１３１ｂ、・・・３３４ａ、３３４ｂを形成する場合も、同様に、各誘電体層の材料をターゲットに用いたスパッタ法等により成膜することができる。

中間層１４（２４１等）の材料としては、例えば紫外線硬化性樹脂等の、光硬化性、又は熱硬化性の樹脂等を用いることができる。この場合、スピンコート等により塗布した後、加熱又は光照射により形成される。

また、記録用光入射側に設ける保護層１３（２３、３３）は、熱又は光硬化性の樹脂材料が利用可能である。これらの材料をスピンコート法等により塗布して成膜した後、加熱や光照射、例えば紫外線照射により硬化して形成することができる。または、紫外線硬化性樹脂等とポリカーボネート等の樹脂シートや、接着層とポリカーボネート等の樹脂シート用いて保護層１３を形成することもできる。

なお、図示しないが、保護層１３（２３、３３）の表面（レーザ照射面）に、例えば機械的な衝撃、傷に対する保護、また利用者の取り扱い時の塵埃や指紋の付着等から、情報信号の記録再生品質を保護するためのハードコートを設けてもよい。ハードコートには、機械的強度を向上させるためにシリカゲルの微粉末を混入したものや、溶剤タイプ、無溶剤タイプ等の紫外線硬化性樹脂を用いることができる。機械的強度を有し、撥水性や撥油性を持たせるには、厚さを１μｍから数μｍ程度とすることが好ましい。

このような構成の光記録媒体１０（２０、３０）によれば、後述の実験例において述べるように、非常に良好な記録再生特性を得ることができた。例えば再生信号の反射率、透過率、記録感度、記録マージン等の点で、大容量光ディスクとして十分な特性が得られた。

＜２．参考例（特定記録層の単層構成とした光記録媒体の記録特性）＞
まず、特定記録層を含む多層光記録媒体の記録特性を検討する前に、特定記録層単独構成とした光記録媒体の記録特性について、参考例として検討した。
第１の参考例では、光記録媒体の基板として、外径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのディスク状のポリカーボネートより成る基板を用いた。この基板上に、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏより成る厚さ１５ｎｍの下層誘電体層、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｐｄ−Ｏより成る厚さ４０ｎｍの特定記録層、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏより成る厚さ１５ｎｍの上層誘電体層を形成した。更にこの上に、記録用光入射側最表面のいわゆるカバー層として、紫外線硬化性樹脂より成る厚さ１００μｍの保護層を形成した。

各層は、それぞれターゲットを用いて成膜した。下層及び上層の誘電体層を成膜する際のターゲットはＩｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯを用い、特定記録層を成膜する際のターゲットとしては、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＳｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｐｄを用いた。各層ともに各ターゲットのスパッタ電力をコントロールすることで組成を調整した。上下の誘電体層の組成比は、Ｉｎ：Ｚｎ＝８：２とし、すなわちＩｎを主成分とする酸化物により構成した。また、特定記録層の組成比は、Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ａｌ：Ｐｄ＝４８：１６：４：１２：２０とした。

また、スパッタ成膜時のガスの流量は、誘電体層の成膜時はＡｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍ、記録層の成膜時はＡｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍ、Ｎ_２：１０ｓｃｃｍとした。

このようにして作製した光記録媒体に対し、Blu-ray Disc（登録商標）用の評価装置において１倍速記録（クロック６６ＭＨｚ、線速４．９２ｍ／ｓ）にて連続５トラックを記録し、中央のトラックのジッターを測定した。この評価装置における記録用光の波長は４０５ｎｍ、集光レンズの開口数ＮＡは０．８５、一層当たりの記録容量は約２５ＧＢを実現する記録方式である。この結果、ジッターボトム値は４．４％と良好な結果が得られた。図４にこの光記録媒体のジッターの記録特性を示す。

なお、この光記録媒体の記録層について、その組成や膜厚、上下に隣接して設ける誘電体層の膜厚により、反射率をコントロールすることができる。
また、主に、記録層の組成により、透過率をコントロールすることができる。例えば、Ａｌの添加量を上げるほど透過率は少しずつ高くすることができる。Ｚｎは添加量を上げるほど、逆に透過率が少しずつ低くなる。一方、Ｐｄは添加量を上げると透過率は大きく減少し、添加量を下げれば透過率は大きく増大する。

上記の第１の参考例による光記録媒体の記録層は、反射率６．０％、透過率６５％である。これは、例えば２層構成の光記録媒体における記録用光入射側の第２の記録層１２２（Ｌ１）に、また３層構成の場合は第２又は第３の記録層２２２及び２２３（Ｌ１及びＬ２）に用いると好適である。また、４層構成の場合は第２の記録層３２２（Ｌ１）に用いると好適である。
その他、組成や厚さを変えることで、他の記録層に用いることが可能である。

第２の参考例では、光記録媒体の基板として、第１の参考例と同じく、外径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのディスク状のポリカーボネートより成る基板を用いた。この基板上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏより成る厚さ８ｎｍの下層誘電体層、Ｚｎ−Ｗ−Ｐｄ−Ｏより成る厚さ３０ｎｍの特定記録層、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏより成る厚さ１５ｎｍの上層誘電体層を形成した。更にこの上に、記録用光入射側最表面のいわゆるカバー層として、紫外線硬化性樹脂より成る厚さ１００μｍの保護層を形成した。

各層は、それぞれターゲットを用いて成膜した。下層及び上層の誘電体層を成膜する際のターゲットはＩｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯを用い、特定記録層を成膜する際のターゲットとしては、ＺｎＯ、Ｗ、Ｐｄを用いた。各層ともに各ターゲットのスパッタ電力をコントロールすることで組成を調整した。上下の誘電体層の組成比は、Ｉｎ：Ｓｎ＝９：１とし、すなわちＩｎを主成分とする酸化物により構成した。また、特定記録層の組成比は、Ｚｎ：Ｗ：Ｐｄ＝６０：２５：１５とした。
また、スパッタ成膜時のガスの流量は、誘電体層の成膜時はＡｒ：５０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：５ｓｃｃｍ、特定記録層の成膜時はＡｒ：３０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍとした。
このようにして、第２の参考例の光記録媒体を作製した。

さらに、特定記録層に対して、上下のＩｎ−Ｓｎ−Ｏ誘電体層を設けないで、特定記録層の単膜のみとして、その他は第２の参考例と同様の構成とした、比較例の光記録媒体を作製した。

このようにして作製したそれぞれの光記録媒体に対し、第１の参考例と同様の評価装置において、２倍速記録（クロック１３２ＭＨｚ、線速７．６８ｍ／ｓ）にて連続５トラックを記録し、中央のトラックのｉ−ＭＬＳＥを測定した。
図５に、第２の参考例及び比較例の光記録媒体のｉ−ＭＬＳＥ（次世代光ディスク用評価基準）の記録特性を示す。図５中○印は第２の参考例の結果を示し、●印は比較例の結果を示す。

図５より、特定記録層の上下にＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜を設けた第２の参考例の場合、比較例の特定記録層の単膜の場合と比較して、ｉ−ＭＬＳＥ値も記録パワーマージンも大幅に向上していることがわかる。
従って、特定記録層をＺｎＷＰｄＯとした場合も、Ｉｎを含む誘電体層を設けることにより、非常に良好な特性が得られ、ｉ−ＭＬＳＥ値も記録パワーマージンも非常に良好な結果が得られている。

第３の参考例では、特定記録層のＺｎ−Ｗ−Ｐｄ−Ｏの厚さを４０ｎｍとし、組成比をＺｎ：Ｗ：Ｐｄ＝７０：２０：１０とし、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏより成る下層誘電体層の厚さを１０ｎｍとして、その他は第２の参考例と同じ構成とした光記録媒体を作製した。
また、スパッタ成膜時のガスの流量は、誘電体層の成膜時はＡｒ：５０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：５ｓｃｃｍ、特定記録層の成膜時はＡｒ：３０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍとした。

第３の参考例の光記録媒体について、第１の参考例と同様の評価装置を用いて、特定記録層におけるエラーレートを調べた。エラーレートの結果を、図６に示す。
図６より、エラーレートが充分低く、パワーマージンも非常に良好な結果が得られた。

第２の参考例及び第３の参考例の光記録媒体においては、特定記録層がＺｎＷＰｄＯであり、特定記録層にＩｎを含んでいないが、良好な結果が得られた。
したがって、特定記録層に隣接してＩｎ−Ｓｎ−Ｏ誘電体層を設けていることにより、特定記録層にＩｎを含んでいなくても、良好な記録特性が得られることがわかる。

第２の参考例及び第３の参考例による光記録媒体の記録層も、例えば２層構成の光記録媒体における記録用光入射側の第２の記録層１２２（Ｌ１）に、また３層構成の場合は第２又は第３の記録層２２２及び２２３（Ｌ１及びＬ２）に用いると好適である。また、４層構成の場合は第２の記録層３２２（Ｌ１）に用いると好適である。さらに、組成や厚さを変えることで、他の記録層に用いることが可能である。

＜３．実施例（記録層を２層、３層及び４層構成とする例の記録特性）＞
次に、上述した特定記録層を含む２層〜４層の光記録媒体を作製し、その記録特性をそれぞれ検討した。各例共に、光記録媒体の基板としては、外径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのディスク状のポリカーボネートより成る基板を用いた。中間層としてはアクリル系の紫外線硬化性樹脂を用い、また記録用光入射側の最表面の保護層、いわゆるカバー層として、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を用いた。第１の記録層から保護層までの全厚さを１００μｍとなるように構成し、全体として１．２ｍｍの厚さとなるようにした。またこれら中間層及び保護層は、スピンコート法により成膜した後紫外線を照射して硬化することにより形成した。以下各実施例について詳細に説明する。

（１）実施例１（２層構成、図１参照）
上述した構成の基板１１上に、下記の第１の記録層１２１（Ｌ０）、中間層１４、第２の記録層１２２（Ｌ１）、保護層１５を形成した。各記録層１２１及び１２２の上下に隣接して、Ｉｎ／Ａｌ酸化物として、この場合はＩｎを主成分とする酸化物より成る下層の誘電体層１３１ａ、１３２ａ及び上層の誘電体層１３１ｂ、１３２ｂを設ける構成とした。各層の材料及び厚さは下記の通りである。

（第１の記録層Ｌ０）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ５ｎｍ）／記録層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐｄ−Ｏ（厚さ４０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ５ｎｍ）
（第２の記録層Ｌ１）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐｄ−Ｏ（厚さ４０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ１５ｎｍ）

各層はそれぞれターゲットを用いて成膜した。ガスの流量は、各誘電体層の成膜時はＡｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍとした。また記録層の成膜時は、Ｌ０の場合はＡｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍ、Ｌ１の場合は、Ａｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍ、Ｎ_２：１０ｓｃｃｍとした。

また、各層の組成を原子％の比で表すと下記の通りである。
（Ｌ０上下誘電体層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝７０：２０：１０
（Ｌ０記録層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｐｄ＝２５：３５：５：３５
（Ｌ１上下誘電体層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝７０：２０：１０
（Ｌ１記録層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｐｄ＝３５：３５：１０：２０

なお、第１の記録層１２１（Ｌ０）の反射率は７．７％、第２の記録層１２２（Ｌ１）の反射率は７．５％、透過率は５６％である。

この実施例１における光記録媒体に対し、上述の参考例と同様の評価装置において１倍速記録（クロック６６ＭＨｚ、線速４．９２ｍ／ｓ）にて連続５トラックを記録し、中央のトラックのジッターを測定した。この場合一層当たりの記録容量は約２５ＧＢを実現する記録方式である。この結果、ジッターボトム値は第１の記録層１２１（Ｌ０）で４．６％、第２の記録層１２２（Ｌ１）で５．２％と良好な結果が得られた。図７にこの光記録媒体のジッターの記録特性を示す。図７中実線ａ１及びａ２はそれぞれ第１の記録層１２１、第２の記録層１２２の結果を示す。

この場合、第１及び第２の記録層１２１及び１２２を特定記録層とし、またその上下にＩｎ／Ａｌ酸化物層より成る誘電体層１３１ａ、１３１ｂ、１３２ａ、１３２ｂを設けている。そして誘電体層１３１ａ及び１３１ｂと、誘電体層１３２ａ及び１３２ｂをそれぞれ同一の材料としているが、上下で異なる材料、組成比とすることも可能であり、同様に良好な記録特性を得ることが可能である。

（２）実施例２（３層構成、図２参照）
上述した構成の基板２１上に、下記の第１の記録層２２１（Ｌ０）、中間層２４１、第２の記録層２２２（Ｌ１）、中間層２４２、第３の記録層２２３（Ｌ２）、保護層２５を形成した。この例では、各記録層２２１〜２２３を全て特定記録層とし、その上下の誘電体層２３１ａ、２３１ｂ、・・・２３３ａ、２３３ｂを全て、Ｉｎ／Ａｌ酸化物、この場合Ｉｎを主成分とする酸化物より成る誘電体により構成した。各層の材料及び厚さは下記の通りである。

（第１の記録層Ｌ０）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｐｄ−Ｏ（厚さ４０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ１５ｎｍ）
（第２の記録層Ｌ１）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｐｄ−Ｏ（厚さ４０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ（厚さ２５ｎｍ）
（第３の記録層Ｌ２）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｐｄ−Ｏ（厚さ４０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ（厚さ３０ｎｍ）

各層はそれぞれターゲットを用いて成膜した。ガスの流量は、各誘電体層の成膜時はＡｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍとした。また記録層の成膜時は、Ｌ０の場合はＡｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍ、Ｌ１及びＬ２の場合は、Ａｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍ、Ｎ_２：１０ｓｃｃｍとした。

また、各層の組成を原子％の比で表すと下記の通りである。
（Ｌ０上下誘電体層）Ｉｎ：Ｓｎ＝９０：１０
（Ｌ０記録層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ａｌ：Ｐｄ＝４８：１６：４：１２：２０
（Ｌ１上下誘電体層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｇａ＝８６：７：７
（Ｌ１記録層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ａｌ：Ｐｄ＝５５：１５：５：１３：１２
（Ｌ２上下誘電体層）Ｉｎ：Ｓｉ：Ｚｒ＝５０：２０：３０
（Ｌ２記録層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ａｌ：Ｐｄ＝５５：１５：５：１５：１０

なお、第１の記録層２２１（Ｌ０）の反射率は３．１％、第２の記録層２２２（Ｌ１）の反射率は２．７％、透過率は７５％である。また、第３の記録層２２３（Ｌ２）の反射率は３．０％、透過率は８０％である。

この実施例２における光記録媒体に対し、上述の参考例及び実施例１と同様の評価装置において２倍速記録（クロック１３２ＭＨｚ、線速７．３６ｍ／ｓ）にて連続５トラックを記録し、中央のトラックのｉ−ＭＬＳＥ（次世代光ディスク用評価基準）を測定した。この場合の一層当たりの記録容量は約３３．４ＧＢを実現する記録方式である。この結果、ｉ−ＭＬＳＥの値は第１の記録層２２１（Ｌ０）で９．７％、第２の記録層２２２（Ｌ１）で１０．０％、第３の記録層２２３（Ｌ２）で１０．２％と良好な結果が得られた。図８にこの光記録媒体のｉ−ＭＬＳＥの記録特性を示す。図８中実線ｂ１〜ｂ３はそれぞれ第１の記録層２２１、第２の記録層２２２及び第３の記録層２２３の結果を示す。

この場合、第１〜第３の記録層２２１〜２２３を特定記録層とし、またその上下にＩｎ／Ａｌ酸化物層より成る誘電体層２３１ａ、２３１ｂ、・・・２３３ａ、２３３ｂを設けている。そして特定記録層を挟む上下の誘電体層２３１ａ及び２３１ｂ、・・・、２３３ａ及び２３３ｂをそれぞれ同一の材料としているが、上下で異なる材料、組成比とすることも可能であり、その場合も同様に良好な記録特性を得ることが可能である。

（３）実施例３（４層構成、図３参照）
上述した構成の基板３１上に、下記の第１の記録層３２１（Ｌ０）、中間層３４１、第２の記録層３２２（Ｌ１）、中間層３４２、第３の記録層３２３（Ｌ２）を形成した。更にその上に、中間層３４３、第４の記録層３２４（Ｌ３）、保護層３５を形成した。この例では、各記録層３２１〜３２４を全て特定記録層とした。またその上下の誘電体層３３１ａ、３３１ｂ、・・・、３３４ａ、３３４ｂを全て、Ｉｎ／Ａｌ酸化物、この場合Ｉｎを主成分とする酸化物より成る誘電体により構成した。各層の材料及び厚さは下記の通りである。

（第１の記録層Ｌ０）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ５ｎｍ）／記録層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐｄ−Ｏ膜（厚さ４０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ５ｎｍ）
（第２の記録層Ｌ１）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｐｄ−Ｏ膜（厚さ４０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ（厚さ１５ｎｍ）
（第３の記録層Ｌ２）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｐｄ−Ｏ膜（厚さ４０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ（厚さ２５ｎｍ）
（第４の記録層Ｌ３）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｐｄ−Ｏ膜（厚さ４０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ（厚さ３０ｎｍ）

各層はそれぞれターゲットを用いて成膜した。ガスの流量は、各誘電体層の成膜時はＡｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍとした。また記録層の成膜時は、Ｌ０の場合はＡｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍ、Ｌ１〜Ｌ３の場合は、Ａｒ：７０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍ、Ｎ_２：１０ｓｃｃｍとした。

各層の組成を原子％の比で表すと下記の通りである。
（Ｌ０上下誘電体層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝７０：２０：１０
（Ｌ０記録層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｐｄ＝２５：３５：５：３５
（Ｌ１上下誘電体層）Ｉｎ：Ｚｎ＝８０：２０
（Ｌ１記録層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ａｌ：Ｐｄ＝４８：１６：４：１２：２０
（Ｌ２上下誘電体層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｇａ＝８６：７：７
（Ｌ２記録層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ａｌ：Ｐｄ＝５５：１５：５：１３：１２
（Ｌ３上下誘電体層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ａｌ＝５０：１０：４０
（Ｌ３記録層）Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ａｌ：Ｐｄ＝５５：１５：５：１５：１０

なお、第１の記録層３２１（Ｌ０）の反射率は２．５％、第２の記録層３２２（Ｌ１）の反射率は３．３％、透過率は６５％である。また、第３の記録層３２３（Ｌ２）の反射率は３．２％、透過率は７５％、第４の記録層３２４（Ｌ３）の反射率は３．６％、透過率は８０％である。

この実施例３における光記録媒体に対し、上述の参考例、実施例１及び２と同様の評価装置において、まず１倍速記録（クロック６６ＭＨｚ、線速４．９２ｍ／ｓ）にて連続５トラックを記録し、中央のトラックのジッターを測定した。この場合の一層当たりの記録容量は約２５ＧＢを実現する記録方式である。この結果、ジッターボトム値は第１の記録層３２１（Ｌ０）で５．１％、第２の記録層３２２（Ｌ１）で５．１％、第３の記録層３２３（Ｌ２）で４．７％、第４の記録層３２４（Ｌ３）で４．７％と良好な結果が得られた。図９にこの光記録媒体のジッターの記録特性を示す。図９中実線ｃ１〜ｃ４はそれぞれ第１の記録層３２１〜第４の記録層３２４の結果を示す。

次に、同様の評価装置において、２倍速記録（クロック１３２ＭＨｚ、線速７．６８ｍ／ｓ）にて連続５トラックを記録し、中央のトラックのｉ−ＭＬＳＥを測定した。この場合の一層当たりの記録容量は約３２ＧＢを実現する記録方式である。この結果、ｉ−ＭＬＳＥの値は第１の記録層３２１（Ｌ０）で９．３％、第２の記録層３２２（Ｌ１）で８．４％、第３の記録層３２３（Ｌ２）で８．８％、第４の記録層３２４（Ｌ３）で８．８％と良好な結果が得られた。図１０にこの光記録媒体のｉ−ＭＬＳＥの記録特性を示す。図１０中実線ｄ１〜ｄ４はそれぞれ第１の記録層３２１〜第４の記録層３２４の結果を示す。また、この場合の第４の記録層３２４（Ｌ３）におけるエラーレートと変調度を図１１及び図１２に示す。

この場合においても、第１〜第４の記録層３２１〜３２４を特定記録層とし、またその上下にＩｎ／Ａｌ酸化物層より成る誘電体層３３１ａ、３３１ｂ、・・・３３４ａ、３３４ｂを設けている。そして特定記録層を挟む上下の誘電体層３３１ａ及び３３１ｂ、・・・、３３４ａ及び３３４ｂをそれぞれ同一の材料としているが、上下で異なる材料、組成比とすることも可能である。これらの例を含め、一層当たりの記録容量を約２５ＧＢ、約３２ＧＢとする場合のいずれにおいても良好な記録特性を得ることが可能である。

（４）実施例４（４層構成、実施例３の変形例）
実施例３において、第１の記録層３２１のみを特定記録層とせず、別の材料を用いて光記録媒体を構成し、その記録特性を測定した。この例における第１の記録層３２１の材料及び厚さは下記の通りである。なお、基板３１と第１の記録層３２１との間にＡｇより成る厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。

（第１の記録層Ｌ０）：下層誘電体層ＩｎＳｎＯ（厚さ１０ｎｍ）／記録層ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｓｂ−ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（厚さ２０ｎｍ）／上層誘電体層ＩｎＳｎＯ（厚さ２０ｎｍ）

また、記録層を構成する各層の組成比は下記の通りである。
（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ層）Ｉｎ：Ｓｎ＝９０：１０
（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層）ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０
（Ｓｂ−ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層）Ｓｂ：ＺｎＳ−ＳｉＯ_２＝４：６
（ただしＺｎＳ−ＳｉＯ_２についてはＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０）

このような構成の第１の記録層３２１（Ｌ０）とする場合においても、上述の各例と同様の評価装置において、２倍速記録（クロック１３２ＭＨｚ、線速７．６８ｍ／ｓ）にて連続５トラックを記録し、中央のトラックのｉ−ＭＬＳＥを測定した。この場合の一層当たりの記録容量は約３２ＧＢを実現する記録方式である。この結果、ｉ−ＭＬＳＥ＝９．８％が得られた。

以上説明した各実施例１〜４において、ジッター及びｉ−ＭＬＳＥの値は非常に小さく、記録パワーマージンは十分得られており、非常に良好な記録特性が得られた。
特に、３層構成とする実施例２において、一層当たりの記録容量を３３．４ＧＢ、４層構成とする実施例３及び４において一層当たりの記録容量を３２ＧＢとする場合においても、非常に良好な記録特性が得られることが分かった。

（５）実施例５（４層構成）
上述した構成の基板３１上に、下記の第１の記録層３２１（Ｌ０）、中間層３４１、第２の記録層３２２（Ｌ１）、中間層３４２、第３の記録層３２３（Ｌ２）を形成した。更にその上に、中間層３４３、第４の記録層３２４（Ｌ３）、保護層３５を形成した。この例では、各記録層３２１〜３２４を全て特定記録層とした。またその上下の誘電体層３３１ａ、３３１ｂ、・・・、３３４ａ、３３４ｂを全て、Ｉｎ／Ａｌ酸化物、この場合Ｉｎを主成分とする酸化物より成る誘電体により構成した。各層の材料及び厚さは下記の通りである。

（第１の記録層Ｌ０）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｚｎ−Ｐｄ−Ｏ膜（厚さ３０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ５ｎｍ）
（第２の記録層Ｌ１）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｚｎ−Ｗ−Ｐｄ−Ｏ膜（厚さ３０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ１５ｎｍ）
（第３の記録層Ｌ２）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｚｎ−Ｗ−Ｐｄ−Ｏ膜（厚さ３０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（厚さ２２ｎｍ）
（第４の記録層Ｌ３）：下層誘電体層Ｉｎ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ（厚さ１０ｎｍ）／記録層Ｚｎ−Ｗ−Ｐｄ−Ｏ膜（厚さ３０ｎｍ）／上層誘電体層Ｉｎ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ（厚さ３０ｎｍ）

各層はそれぞれターゲットを用いて成膜した。誘電体層を成膜する際のターゲットはＩｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２を用い、特定記録層を成膜する際のターゲットとしては、ＺｎＯ、Ｗ、Ｐｄを用いた。ガスの流量は、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ誘電体層の成膜時はＡｒ：５０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：５ｓｃｃｍ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ誘電体層の成膜時はＡｒ：５０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：１ｓｃｃｍとした。また各記録層の成膜時は、Ａｒ：３０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：３０ｓｃｃｍとした。

各層の組成を原子％の比で表すと下記の通りである。
（Ｌ０上下誘電体層）Ｉｎ：Ｓｎ＝９：１
（Ｌ０記録層）Ｚｎ：Ｐｄ＝６０：４０
（Ｌ１上下誘電体層）Ｉｎ：Ｓｎ＝９：１
（Ｌ１記録層）Ｚｎ：Ｗ：Ｐｄ＝６０：２０：２０
（Ｌ２上下誘電体層）Ｉｎ：Ｓｎ＝９：１
（Ｌ２記録層）Ｚｎ：Ｗ：Ｐｄ＝６０：３０：１０
（Ｌ３上下誘電体層）Ｉｎ：Ｓｉ：Ｚｒ＝５０：２５：２５
（Ｌ３記録層）Ｚｎ：Ｗ：Ｐｄ＝６０：３０：１０

この実施例５における光記録媒体に対し、上述の参考例、実施例１〜４と同様の評価装置において、２倍速記録（クロック１３２ＭＨｚ、線速７．６８ｍ／ｓ）にて連続５トラックを記録し、中央のトラックのｉ−ＭＬＳＥを測定した。この場合の一層当たりの記録容量は約３２ＧＢを実現する記録方式である。この結果、ｉ−ＭＬＳＥの値は第１の記録層３２１（Ｌ０）で９．５％、第２の記録層３２２（Ｌ１）で９．１％、第３の記録層３２３（Ｌ２）で９．３％、第４の記録層３２４（Ｌ３）で９．０％と良好な結果が得られた。図１３にこの光記録媒体のｉ−ＭＬＳＥの記録特性を示す。図１３中実線ｅ１〜ｅ４はそれぞれ第１の記録層３２１〜第４の記録層３２４の結果を示す。

実施例５では、特定記録層に隣接する誘電体層に、ＩｎＳｎＯ層（ＩＴＯ層）やＩｎＳｎＺｒＯ層を使用した。これらＩｎＳｎＯ層（ＩＴＯ層）やＩｎＳｎＺｒＯ層は、実施例１〜実施例４の特定記録層の材料やその他の特定記録層の材料に対しても同様に、特定記録層に隣接する誘電体層として使用することができる。

なお、本発明の光記録媒体は上述の各実施例における構成に限定されるものではなく、特定記録層を１層のみ設ける場合においても、同様に良好な記録特性を実現できる。また、特定記録層に隣接して設けるＩｎ／Ａｌ酸化物層も、上述の各実施例の構成に限定されるものではなく、上又は下側にのみ設けるとか、また上下で異なる材料とすることも可能である。
更に、複数の特定記録層を設けてその上下、又は片側にＩｎ／Ａｌ酸化物層を隣接して設ける場合、各特定記録層に隣接して設けるＩｎ／Ａｌ酸化物層は、上述の各例においては異なる組成を含んでいる。これに対して、各特定記録層に隣接して設けるＩｎ／Ａｌ酸化物層を全て同一の組成とし、膜厚のみを変化させる構成としてもよい。
その他、本発明は上述の例に限定されることなく、本発明構成を逸脱しない範囲で種々の変形、変更が可能である。

１０，２０，３０．光記録媒体、１１，２１，３１．基板、１２１，１２２，２２１，２２２，２２３，３２１，３２２，３２３，３２４．記録層、１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂ，２３１ａ，２３１ｂ，２３２ａ，２３２ｂ，２３３ａ，２３３ｂ，３３１ａ，３３１ｂ，３３２ａ，３３２ｂ，３３３ａ，３３３ｂ，３３４ａ，３３４ｂ．誘電体層、１４，２４１，２４２，３４１，３４２，３４３．中間層、１５，２５，３５．保護層

Claims (8)

1. 基板と、
   ２層以上４層以下の記録層を有し、
   前記記録層のうち少なくとも１以上の記録層は、ＰｄＯと、ＰｄＯ_２とを含むと共に、完全に酸化されたＺｎを少なくとも含む組成の特定記録層とされ、
   前記特定記録層に隣接して、Ｉｎを主成分とする酸化物層が設けられる
   光記録媒体。
2. 前記特定記録層の下層及び上層の両側に隣接して、前記酸化物層が設けられる請求項１に記載の光記録媒体。
3. 前記記録層のうち、記録用光の入射側とは反対側の一層を除いて少なくとも１以上の記録層が、前記特定記録層とされる請求項１に記載の光記録媒体。
4. 前記記録層は、記録用光の波長４０５ｎｍ、集光レンズの開口数ＮＡ０．８５の光学系に対して、一層当たりの記録容量が２５ＧＢ以上とされる請求項１に記載の光記録媒体。
5. 前記記録層が３層以上とされ、
   前記記録層は、記録用光の波長４０５ｎｍ、集光レンズの開口数ＮＡ０．８５の光学系に対して、一層当たりの記録容量が３０ＧＢ以上とされる請求項１に記載の光記録媒体。
6. 前記酸化物層がＩｎＳｎＯ層又はＩｎＳｉＺｒＯ層である請求項１に記載の光記録媒体。
7. 前記特定記録層がＺｎ及びＷを含む請求項１に記載の光記録媒体。
8. 前記特定記録層に隣接する前記酸化物層がＩｎＳｎＯ層又はＩｎＳｉＺｒＯ層である請求項７に記載の光記録媒体。