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TWI390526B - Optical information recording medium and its recording and / or reproducing method - Google Patents

Optical information recording medium and its recording and / or reproducing method Download PDF

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Publication number
TWI390526B
TWI390526B TW097108376A TW97108376A TWI390526B TW I390526 B TWI390526 B TW I390526B TW 097108376 A TW097108376 A TW 097108376A TW 97108376 A TW97108376 A TW 97108376A TW I390526 B TWI390526 B TW I390526B
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TW
Taiwan
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recording
layer
optical information
recording medium
information recording
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Application number
TW097108376A
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English (en)
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TW200903474A (en
Inventor
Manami Miyawaki
Yuji Kuroda
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of TW200903474A publication Critical patent/TW200903474A/zh
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Description

光資訊記錄媒體與其記錄及/或再生方法
本發明係關於光資訊記錄媒體與其記錄及/或再生方法，特別適宜適用在追記型光資訊記錄媒體。
迄今，於CD或DVD等光資訊記錄媒體，作為追記型光資訊記錄媒體材料主要使用有機色素材料。作為其理由可舉出，於記錄再生所用之雷射光之波長區中，使用有機色素材料之情況下較容易維持與規格上要求較高反射率之ROM(read only memory：唯讀記憶體)之互換性。而且，僅以於旋轉塗布有機色素後，藉由濺鍍法形成反射層之簡單步驟，即可獲得記錄媒體，因此從設備投資等製造成本面來考量亦有利等。
然而，若記錄再生所用之雷射光之波長變短而使用藍紫色波長區之雷射光(波長400 nm程度)，則事情會有變化。亦即，從記錄感度或信號特性等觀點考量，不容易合成可對應該波長之雷射光之有機色素，記錄媒體之層結構亦不易以迄今之單純結構來對應。進一步而言，藉由旋轉塗布法製造記錄媒體，從而未能保持陸區部與溝槽部均勻，從高密度記錄之推挽信號或串音等觀點考量，亦明顯不利。
因此，為了回應該等要求，不使用以往之有機色素材料，現今頻繁地使用無機記錄材料。使用無機記錄材料之記錄媒體迄今由於難以與高反射率之ROM取得相容，或需要可將材料予以多層成膜之昂貴之濺鍍裝置等，自以往均 延後研究之實用化。然而，由於無機記錄材料一般不如使用有機材料等，其對於所使用之雷射光之波長之依存性不高，而且近年來經常進行之記錄層多層化(藉由具有複數記錄層，以便事實上使同尺寸光碟之記錄容量成為加倍程度以上)係較使用有機色素材料之情況容易，因此至此，作為下一代光記錄材料，無機記錄材料之使用逐步成為主流，其取代有機色素材料，亦被實用化。
作為無機記錄材料，自以往提案有各種類型。例如提案有一種光記錄媒體，其係使用將2層以上之不同金屬材料之薄膜予以鄰接構成之型態之記錄層(參考專利文獻1)。於該光記錄媒體，利用雷射光之照射所發生之熱，將多層膜予以部分合金化以製成單一膜，藉此形成記錄標記。作為該方法之應用，亦提案有材料改變之各種型態(參考例如專利文獻2)。而且，亦提案一種於記錄層使用氧化物系化合物之追記型光記錄媒體(參考例如專利文獻3、4)。
然而，該等之任一均難謂充分符合追記型光資訊記錄媒體所必要之所有條件。亦即，對於追記型光資訊記錄媒體係宜維持初始狀態並歷經長期安定保存所記錄之資訊(歸檔特性)，或於信號再生時，信號不會受到再生用雷射光破壞(再生安定性)，或不會由於通常之長期保存而變質，並保持寫入特性(架上特性)等，但於上述以往之記錄媒體之各個，均難謂可充分獲得其等所有特性。而且，從記錄媒體之製造成本或製造步驟之邊際(margin)確保等觀點考量，亦期待構成記錄媒體之層數儘量少或步驟單純等。或 者，從記錄再生特性之觀點考量，期待充分之感度及反應速度。因為藉此，會遍及廣泛線速保證良好之記錄再生信號。
作為使用無機記錄材料之光記錄媒體提案如下：使用由包含Zn、Sn、Sb及Te之合金所構成之記錄層(參考專利文獻5)；使用包含由Ax B1－x (式中，A：選自由Zn、Ga、In、Si、Ge、Sn、Bi及Sb所組成之群組之至少1種元素，B：選自由Se、Te、S及O所組成之群組之至少1種元素，x：藉由可取得平均配位數之範圍(2.0~3.0)所決定之組成比)所表示之化合物為主成分之記錄材料之記錄層(參考專利文獻6)；使用包含Mw ((Sbz Te1－z )1－w (0≦w<0.3、0.5<z<0.9，M係選自In、Ga、Zn、Ge、Sn、Si、Cu、Au、Ag、Pd、Pt、Pb、Cr、Co、O、S及Se所組成之群組之至少1種元素)之合金薄膜之記錄層(參考專利文獻7、8)；使用以Te為主成分，作為副成分含有30原子%以上、小於60原子%選自由Ge、Sb、Bi、Se、S、As、Tl、In、Ga、Au、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni及Co所組成之群組之至少1種元素之合金，且添加材料包含選自由ZnS、ZnTe、ZnSe、SiO2 、TiO2 、Al2 O3 、TiC、ZrC及HfC所組成之群組之至少1種材料之記錄層(參考專利文獻9)；使用具有藉由Sba Inb Snc Znd Sie Of Sh 所表示之組成，且a>0，b>0，c>0，d>0，e>0，f>0，h>0及a＋b＋c＋d＋e＋f＋h＝100之記錄層(參考專利文獻10)；使用具有藉由Sba Xb Snc Znd Sie Of Sh 所表示之組成，X為選自In、Ge、Al、Zn、Mn、Cd、Ga、Ti、Si、Te、Nb、Fe、Co、 W、Mo、S、Ni、O、Se、Tl、As、P、Au、Pd、Pt、Hf或V之元素，且a>0，b>0，c>0，d>0，e>0，f>0，h>0及a＋b＋c＋d＋e＋f＋h＝100之記錄層(參考專利文獻11)；及包含使用選自由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn及La所組成之群組之至少1種金屬M，及藉由照射記錄用雷射光束而與金屬M結合，並產生與金屬M之化合物之結晶之元素X之記錄層(參考專利文獻12、13)。
[專利文獻1]日本特開昭62－204442號公報[專利文獻2]日本專利第3066088號說明書[專利文獻3]日本特公昭54－7458號公報[專利文獻4]日本特開2006－281751號公報[專利文獻5]日本特開平11－235873號公報[專利文獻6]日本特開平8－104060號公報[專利文獻7]日本特開平10－172179號公報[專利文獻8]日本特開2001－236690號公報[專利文獻9]日本特開平5－124353號公報[專利文獻10]日本特開2003－72244號公報[專利文獻11]日本特開2003－182237號公報[專利文獻12]日本特開2005－125726號公報[專利文獻13]日本特開2005－129192號公報
如上述，迄今難以低價地取得一種追記型光資訊記錄媒 體，其係所記錄之資訊維持初始狀況並歷經長期安定保存，於信號再生時，信號不會受到再生用雷射光破壞，不會由於通常之長期保存而變質，亦保持寫入特性，具有良好感度及反應速度，藉此可遍及廣泛線速或記錄功率來實現良好之記錄再生特性。
因此，本發明所欲解決之問題係在於提供可符合上述諸條件之光資訊記錄媒體，與其記錄及/或再生方法。
本發明者等為了解決上述問題而銳意地進行研究，結果發現藉由在光資訊記錄媒體，使用ZnS、SiO2 及Sb作為主成分之材料來作為記錄層之材料，可完全符合上述諸條件，在實驗上亦將其實證，終至研究出本發明。
即，為了解決上述問題，第一發明為，一種光資訊記錄媒體，其特徵為包含記錄層，其係以ZnS、SiO2 及Sb為主成分。
第二發明為，一種光資訊記錄媒體之記錄及/或再生方法，其特徵為：該光資訊記錄媒體係包含以ZnS、SiO2 及Sb為主成分之記錄層；其記錄及/或再生方法係藉由使波長為385 nm以上415 nm以下之雷射光射入上述記錄層，來進行記錄及/或再生。
於該光資訊記錄媒體，利用雷射光之照射，使記錄層引起伴隨有光學常數變化之質變，藉此記錄資訊。
記錄層係因應需要，除了ZnS、SiO2 及Sb以外，亦可包 含選自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta及Tb所組成之群之至少1種元素。上述記錄層適宜具有符合下述式(1)之組成：[(ZnS)x (SiO2 )1－x ]y (Sbz X1－z )1－y ………(1)其中，0<x≦1.0、0.3≦y≦0.7、0.8<z≦1.0，X係選自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta及Tb所組成之群之至少1種元素。
記錄層之厚度係因應需要來決定，但為了獲得良好之記錄再生特性，適宜為3 nm以上40 nm以下。
於該光資訊記錄媒體，典型上係於基板上具有記錄層。該光資訊記錄媒體係為了獲得所期望之記錄再生特性，除了記錄層以外，亦可伴隨有包含金屬或半金屬等之反射層或包含介電體之保護層，可因應所期望之記錄再生特性，自由地選擇該等之層數及順序。典型上，該光資訊記錄媒體係於基板與記錄層間具有反射層；記錄及/或再生用雷射光係從記錄層側射入。該反射層典型上包含可獲得高反射率之金屬及/或半金屬。該光資訊記錄媒體適宜包含保護層，其係鄰接於記錄層之至少單側之面而設置，且包含介電體。或者，該光資訊記錄媒體包含：反射層，其係設置於基板與記錄層間；及保護層，其係於反射層與記錄層間，與記錄層之單側之面鄰接而設置，且包含介電體；記錄及/或再生用雷射光係從記錄層側射入。或者，該光資訊記錄媒體包含：反射層，其係設置於基板與記錄層間；第一保護層，其係於反射層與記錄層間，與記錄層之單側之面鄰接而設置，且包含介電體；及第二保護層，其係與 記錄層之與基板相反側之面鄰接而設置，且包含介電體；記錄及/或再生用雷射光係從記錄層側射入。
該光資訊記錄媒體具有1層記錄層或具有複數層，即多層光資訊記錄媒體均可。於多層光資訊記錄媒體，以ZnS、SiO2 及Sb為主成分，或者由於使用具有符合式(1)之組成之記錄層之光資訊記錄媒體具有高反射率及廣功率裕度，因此典型上作為離記錄及/或再生用雷射光之射出入側最遠之記錄層，以ZnS、SiO2 及Sb為主成分，或者可使用具有符合式(1)之組成之記錄層。作為該最遠記錄層以外之記錄層，可使用以往習知之寫一次型或重寫型之記錄層或僅可再生之記錄層。
光資訊記錄媒體之記錄及/或再生所用之雷射光之波長，典型上為385 nm以上415 nm以下，但不限定於此。
於如上述構成之第一及第二發明中，以ZnS、SiO2 及Sb為主成分之記錄層，特別是具有以[(ZnS)x (SiO2 )1－x ]y (Sbz X1－z )1－y 所表示之組成之記錄層係富安定性，而且對於雷射光，其中尤以波長為385 nm以上415 nm以下之雷射光，具有良好之靈敏度及反應速度。
根據本發明，所記錄之資訊可維持初始狀況並歷經長期安定保存，於信號再生時，信號不會受到再生用雷射光破壞，不會由於通常之長期保存而變質，並可保持寫入特性，不僅構成記錄媒體之層數少即可，而且由於製造步驟單純，因此可確保記錄媒體之製造成本或製造步驟之裕 度，對於記錄及/或再生用雷射光可獲得充分之靈敏度及反應速度，藉此可遍及廣泛線速或記錄功率獲得良好之記錄再生特性，取決於記錄及/或再生用雷射光之波長少，不需要初始化，對於再生用雷射光之功率亦充分安定，環境可靠性亦高。
以下，一面參考圖式一面說明有關本發明之實施型態。此外，於實施型態之所有圖中，於同一或對應之部分附上同一符號。
圖1係表示根據本發明之第一實施型態之光資訊記錄媒體1。
如圖1所示，於該光資訊記錄媒體1，於基板10上依序積層有反射層11、保護層12、記錄層13、保護層14及光穿透保護層15。對於該光資訊記錄媒體1之記錄/再生係藉由從光穿透保護層15側，使雷射光之例如波長為385 nm以上、415 nm以下之雷射光射出入來進行。該光資訊記錄媒體1典型上具有圓盤形狀，但不限定於此。
記錄層13係以ZnS、SiO2 及Sb為主成分，並進一步因應需要而包含選自由Zn、Ga、Te、V、Si、Ta及Tb所組成之群組之至少1種元素，適宜具有上述式(1)之組成。作為記錄層13之形成方法，適宜利用濺鍍法，但不限定於此。
基板10之材料、厚度、形成方法等只要具有所期望之特性即可，可任意選擇。作為基板10所用之材料，聚碳酸酯或丙烯酸系樹脂等塑膠材料在成本等方面優良，但不限定 於此，亦可使用其他材料之例如玻璃。而且，如上述，記錄/再生用雷射光從光穿透保護層15側射出入之情況時，由於基板10不須為透明，因此作為基板10之材料亦可使用金屬等非透明材料。於基板10使用塑膠材料之情況時，於該基板10之形成可利用例如射出成形法(噴射法)或使用紫外線硬化樹脂之光聚合物法(2P法)等。基板10之材料或形成方法不限定於上述，若可充分保證所需形狀(例如厚度1.1 mm、直徑120 mm之圓盤形狀)及於基板10之表面可充分保證光學平滑性者均可。基板10之厚度並未特別限定，但特別宜為0.3 mm以上、1.3 mm以下。基板10之厚度若比0.3 mm薄，則光資訊記錄媒體1之強度降低，容易翹曲。相反地，基板10之厚度若比1.3 mm厚，則光資訊記錄媒體1之厚度變得比CD或DVD之厚度1.2 mm厚，因此於構成對應該等所有之記錄/再生用驅動裝置之情況時，可能無法共用相同之碟片托盤。
而且，於基板10之形成有記錄層13等側之面，亦可形成有凹凸之溝軌或凹坑等。藉由如此，記錄/再生用雷射光由該溝所導引而可移動往光資訊記錄媒體1上之任意位置或獲得位址資訊等。此外，溝形狀為螺旋狀、同心圓狀、凹坑串列等，可適用各種形狀。
作為反射層11之材料，可因應對於該反射層11所要求之特性，任意選擇使用例如Ag合金或Al合金等，於以往習知之光碟中一般可使用之金屬或半金屬等。而且，作為反射層11之材料，宜使用除了光之反射能力以外，尚具有散熱 片(散熱)能力者。藉由如此，亦可使反射層11具有作為散熱層之功能。
保護層12、14係保護記錄層13，用以控制記錄/再生時之光學特性及熱特性。作為該等保護層12、14之材料，可因應對於該等保護層12、14所要求之特性，任意選擇使用SiN或ZnS－SiO2 或Ta2 O5 等，於以往習知之光碟中一般可使用之介電體。
如上述，使記錄/再生用雷射光從光穿透保護層15側射出入之情況時，該光穿透保護層15宜構成為對於該雷射光極力不具有吸收能力。具體而言，例如該光穿透保護層15之厚度為0.3 mm以下，屆時，作為該光穿透保護層15之材料宜選擇對於記錄/再生用雷射光之穿透率為90%以上之材料。特別是將該光穿透保護層15之厚度設為3~177 μm，並與該光資訊記錄媒體1之記錄/再生用驅動裝置之記錄/再生光學系統之透鏡之高數值孔徑NA(例如0.85)組合，藉此可實現高密度記錄。
光穿透保護層15之結構或形成方法只要符合上述條件即可，並未特別限定。具體而言，光穿透保護層15可藉由例如以旋轉塗布器等，將硬化後對於記錄/再生用雷射光波長區不具有吸收之紫外線硬化樹脂，塗布為0.3 mm以下之所需厚度(例如0.1 mm)後，於其施以紫外線照射以使其硬化來形成。或者，光穿透保護層15亦可藉由將厚度0.3 mm以下之包含聚碳酸酯樹脂或丙烯酸系樹脂等塑膠材料、且光學上充分平滑之光穿透性片材(膜)，乘載於以旋轉塗布 法塗布為例如5~15 μm之厚度之紫外線硬化類型之接著劑上，於其施以紫外線照射來形成，或藉由PSA(pressure sensitive adhesive：壓感黏合劑)等黏著劑，黏著上述光穿透性片材來形成。
進一步因應需要，以防止在光穿透保護層15之表面附著廢物或形成損傷為目的，亦可於該光穿透保護層15之表面，形成包含有機系或無機系之材料之保護層(未圖示)。該保護層亦宜使用對於記錄/再生用雷射光幾乎不具有吸收能力之材料。
<實施例1>
如以下製作一種光資訊記錄媒體1，其係藉由使用數值孔徑0.85之2群物鏡及以藍紫色波長區之波長405 nm發光之半導體雷射光源之光碟記錄/再生裝置，來進行記錄/再生。
作為基板10係藉由射出成形，來製作於單面具有厚度1.1 mm、軌距0.32 μm、溝槽深度20 nm之溝槽之聚碳酸酯基板。於該聚碳酸酯基板上，藉由濺鍍法依序形成厚度100 nm之Ag合金膜來作為反射層11、厚度30 nm之Ta2 O5 膜來作為保護層12、厚度20 nm之記錄層13及厚度30 nm之Ta2 O5 膜來作為保護層14。進一步於最上層之Ta2 O5 膜上，以旋轉塗布法，將紫外線硬化類型之接著劑塗布15 μm之厚度後，乘載厚度85 μm之聚碳酸酯製光穿透性片材(膜)，於其施以紫外線照射，藉此形成光穿透保護層15，製作光資訊記錄媒體1。
藉由濺鍍法形成記錄層13時，使用混合ZnS、SiO2 、Sb及Zn所調製之單體靶材，於流有95 sccm之Ar氣體之狀態下，同時進行濺鍍。藉由拉塞福背向散射分光法(RBS)，將所獲得之薄膜進行組成分析，原子數比約為Zn：Sb：Si：S：O＝14：15：2：10：9，此係於式(1)中相當於x＝0.8、y＝0.45、z＝0.9之組成。
進行如此所製作之光資訊記錄媒體1之評估。評估係利用PULSTEC工業股份有限公司製ODU－1000(雷射光波長405 nm)、ADVANTEST股份有限公司製光譜分析儀R3267、LEADER電子股份有限公司製抖動分析儀LE1876等。以依照藍光碟片25 GB密度之規格之線速4.92 m/s、通道位元長74.50 nm，來進行光資訊記錄媒體1之信號評估。信號記錄除了以線速4.92 m/s進行以外，還以2倍線速9.84 m/s及4倍線速19.68 m/s來進行。抖動測定係利用經由PULSTEC工業股份有限公司製有限等化器之信號，等化器增益為7.0 dB。
如此將該光資訊記錄媒體1進行記錄再生評估，於線速4.92 m/s(1倍速)下，於記錄功率4.9 mW時，抖動5.9%。而且，對於8T空白部分之信號位準I8H及8T標記部分之信號位準I8L，將(I8H－I8L)/I8H定義為調變度時，其值為53%，顯示出非常良好之記錄再生特性。
而且，於2倍線速9.84 m/s(2倍速)下，於記錄功率6.8 mW時，抖動6.3%，調變度56%。於4倍線速19.68 m/s(4倍速)下，於記錄功率7.2 mW時，抖動5.9%，調變度64%。
於圖2及圖3匯總表示記錄再生評估之結果。從圖2可知，該光資訊記錄媒體1在任一線速均具有高記錄感度，顯示出非常良好之記錄再生特性。而且，從圖3可知，對於記錄功率變動之裕度係於以抖動8.5%作為上限之情況下，於任一線速均可容許±15%程度之功率變動，具有充分寬廣之功率裕度。
該光資訊記錄媒體1之反射率為16%，於需要更高反射率之情況時，如圖4所示，藉由控制作為記錄/再生用雷射光所射入側之保護層14來使用之Ta2 O5 膜之厚度，亦可獲得20%以上之反射率。如此，藉由進行光學熱特性之最佳化，可實現進一步之信號特性改善。
圖5係表示以式(1)表示記錄層13之組成之情況時，改變y時之抖動變化，圖6係表示將式(1)之y固定於0.4並改變x時之抖動變化。藉由圖5及圖6，可知於0<x≦1.0及0.3≦y≦0.7會獲得低抖動。而且，表1係表示改變式(1)之元素X時之記錄再生特性之變化。於表1，作為比較例亦表示X為Mg之情況下之記錄再生特性之測定結果。從表1可知，式(1)之元素為Ga、Te、V、Si、Zn、Ta及Tb之情況時，可獲得良好之記錄再生特性，而X為Mg之比較例無法獲得良好之記錄再生特性。表2係表示於記錄層13之組成為[(ZnS)0.8 (SiO2 )0.2 ]0.4 (Sbz Ga1－z )0.6 之情況下，改變z時之記錄再生特性之變化。從表2可知，式(1)之z為0.8<z≦1.0之情況時，可獲得良好之記錄再生特性。
如從圖5、圖6、表1及表2可知，藉由改變記錄層13之組成，可改變記錄再生特性。從圖5可知，於0.3≦y≦0.7中，尤其於0.4≦y≦0.5之情況下特別可獲得低抖動。而且，從圖6可知，於0<x≦1.0中，尤其於x約從0.4至1.0之情況下特別可獲得低抖動，x約從0.6至約0.9之情況下，可獲得更低之抖動。
於根據實施例1之光資訊記錄媒體1進行特定記錄，並置入80℃、85% RH之恆溫恆濕槽。其後，經過200小時，進行與上述同樣之記錄再生特性。其結果，如圖7、圖8及圖9所示，反射率、調變度、抖動之任一測定值均與置入前之測定值相同，雖省略圖示，但記錄感度或C/N之測定值亦與置入前之測定值相同。藉此可闡明，該光資訊記錄媒體1即使於嚴苛之環境下，仍可歷經長期保持良好之特性。
於根據實施例1之光資訊記錄媒體1進行特性記錄，藉由比通常嚴苛之再生功率條件來進行再生。如圖10及圖11所示，即使於4倍線速19.68 m/s下，以0.6 mW進行100萬次再生，抖動及調變度均未變化。藉此可闡明，該光資訊記錄媒體1即使於重複再生時，仍可歷經長期保持良好之記錄狀態。
如以上，若根據該第一實施型態，藉由記錄層13以ZnS、SiO2 及Sb為主成分，並適宜具有上述式(1)之組成，則可低價地獲得一種追記型光資訊記錄媒體，其係所記錄之資訊維持初始狀況並歷經長期安定保存，於信號再生 時，信號不會受到再生用雷射光破壞，不會由於通常之長期保存而變質，亦保持寫入特性，具有良好感度及反應速度，藉此可遍及廣泛線速或記錄功率來實現良好之記錄再生信號特性。該追記型光資訊記錄媒體係適宜適用在對於記錄/再生，使用例如波長為385 nm以上、415 nm以下之雷射光之情況。
接著，說明有關根據本發明之第二實施型態之光資訊記錄媒體。
於圖12表示該光資訊記錄媒體2。
如圖12所示，於該光資訊記錄媒體2，與根據第一實施型態之光資訊記錄媒體1相同，於基板10上積層有反射層11、保護層12、記錄層13、保護層14及光穿透保護層15，除此以外進一步於保護層12與記錄層13間設有保護層16。該保護層16係為了使反射層12之材料之例如Ag合金膜等，與記錄層13中之ZnS－SiO2 不會反應，使用例如SiN膜等對於Ag原子等之障壁性高者。
於該第二實施型態，除了上述以外均與第一實施型態相同。
若根據該第二實施型態，可獲得與第一實施型態相同之優點。
接著，說明有關根據本發明之第三實施型態之光資訊記錄媒體。
於圖13表示該光資訊記錄媒體3。
如圖13所示，於該光資訊記錄媒體3，反射層11、保護 層12、記錄層13及保護層14之積層順序係與根據第一實施型態之光資訊記錄媒體1相反。亦即，於該光資訊記錄媒體3，於基板10上依序積層有保護層14、記錄層13、保護層12及反射層11，於最上層之反射層11上積層有光穿透保護層15。對於該光資訊記錄媒體3之記錄/再生係藉由從基板10側使雷射光射出入來進行。該情況下，作為該基板10之材料係使用對於該記錄/再生用雷射光幾乎不具有吸收能力之材料，例如聚碳酸酯或丙烯酸系樹脂等塑膠材料。
於該第三實施型態，除了上述以外均與第一實施型態相同。
若根據該第三實施型態，可獲得與第一實施型態相同之優點。
接著，說明有關根據本發明之第四實施型態之光資訊記錄媒體。
於圖14表示該光資訊記錄媒體4。
如圖14所示，於該光資訊記錄媒體4，與根據第一實施型態之光資訊記錄媒體1相同，於基板10上積層有反射層11、保護層12、記錄層13及保護層14，與根據第一實施型態之光資訊記錄媒體1不同在於，於保護層14上，進一步依序積層有中間層17及記錄層18，於記錄層18上積層有光穿透保護層15。該光資訊記錄媒體4係具有2層記錄層13,18之2層光資訊記錄媒體。對於該光資訊記錄媒體4之記錄/再生係藉由從光穿透保護層15側使雷射光射出入來進行。
中間層17可藉由例如為了硬化後，在使用於記錄/再生 之雷射光之波長區不具有吸收，以旋轉塗布器等塗布紫外線硬化樹脂成為所需厚度(例如20~30 μm)，或黏貼硬化後在使用於記錄/再生之雷射光之波長區不具有吸收之可光硬化之PSA等之後，施以紫外線照射來形成。紫外線照射時，使用具有凹凸之溝軌之基板來轉印凹凸之溝軌亦可。
第二層之記錄層18係構成為具有充分高之穿透率，經由其來使記錄/再生用雷射光在第一層之記錄層13射出入，可進行記錄再生。該記錄層18除了為追記型或重寫型之記錄層以外，亦可為僅可再生之記錄層。
<實施例2>
如以下製作一種光資訊記錄媒體4，其係藉由使用數值孔徑0.85之2群物鏡及以藍紫色波長區之波長405 nm發光之半導體雷射光源之光碟記錄/再生裝置，來進行記錄/再生。
作為基板10係藉由射出成形，來製作於單面具有厚度1.1 mm、軌距0.32 μm、溝槽深度20 nm之溝槽之聚碳酸酯基板。於該聚碳酸酯基板上，藉由濺鍍法依序形成厚度100 nm之Ag合金膜來作為反射層11、厚度30 nm之Ta2 O5 膜來作為保護層12、厚度20 nm之記錄層13及厚度30 nm之Ta2 O5 膜來作為保護層14。進一步於最上層之Ta2 O5 膜上，以旋轉塗布法，將紫外線硬化類型之接著劑塗布25 μm之厚度後，藉由聚碳酸酯製壓模機轉印溝軌，於其施以紫外線照射，形成中間層17，於其上形成第二層之記錄層18。進一步於該記錄層18上，以旋轉塗布法，將紫外線硬化類 型之接著劑塗布15 μm之厚度後，乘載厚度85 μm之聚碳酸酯製光穿透性片材(膜)，於其施以紫外線照射，藉此形成光穿透保護層15，製作光資訊記錄媒體4。
進行如此所製作之光資訊記錄媒體4之評估。評估係利用PULSTEC工業股份有限公司製ODU－1000(雷射光波長405 nm)、ADVANTEST股份有限公司製光譜分析儀R3267、LEADER電子股份有限公司製抖動分析儀LE1876等。以依照藍光碟片DL50GB密度之規格之線速4.92 m/s、通道位元長74.50 nm，來進行光資訊記錄媒體4之信號評估。信號記錄除了以線速4.92 m/s進行以外，還以2倍線速9.84 m/s及4倍線速19.68 m/s來進行。抖動測定係利用經由PULSTEC工業股份有限公司製有限等化器之信號，等化器增益為7.0 dB。
如此將該光資訊記錄媒體4進行記錄再生評估，反射率為4.6%，於線速4.92 m/s(1倍速)下，於記錄功率9.1 mW時，抖動6.3%。而且，對於8T空白部分之信號位準I8H及8T標記部分之信號位準I8L，將(I8H－I8L)/I8H定義為調變度時，其值為57%，顯示出非常良好之記錄再生特性。
而且，於2倍線速9.84 m/s(2倍速)下，於記錄功率6.8 mW時，抖動6.5%，調變度58%。於4倍線速19.68 m/s(4倍速)下，於記錄功率11.9 mW時，抖動6.5%，調變度65%。
於圖15及圖16匯總表示記錄再生評估之結果。從圖15可知，該光資訊記錄媒體4在任一線速均具有高記錄感度，顯示出非常良好之記錄再生特性。而且，從圖16可知，對 於記錄功率變動之裕度係於以抖動8.5%作為上限之情況下，於任一線速均可容許±15%程度之功率變動，具有充分寬廣之功率裕度。
若根據該第四實施型態，可低價地獲得具有與第一實施型態相同優點之2層光資訊記錄媒體。
接著，說明有關根據本發明之第五實施型態之光資訊記錄媒體。
圖17係表示該光資訊記錄媒體5。
如圖17所示，於該光資訊記錄媒體5，與根據第一實施型態之光資訊記錄媒體1相同，於基板10上積層有反射層11、保護層12、記錄層13及保護層14，與根據第一實施型態之光資訊記錄媒體1不同在於，於保護層14上，進一步依序積層有中間層19、記錄層20、中間層21、記錄層22、中間層23及記錄層24，於記錄層24上積層有光穿透保護層15。該光資訊記錄媒體4係具有4層記錄層13、20、22、24之4層光資訊記錄媒體。對於該光資訊記錄媒體4之記錄/再生係藉由從光穿透保護層15側使雷射光射出入來進行。
中間層19、21、23可藉由例如為了硬化後，在使用於記錄/再生之雷射光之波長區不具有吸收，以旋轉塗布器等塗布紫外線硬化樹脂成為所需厚度(例如20~30 μm)，或黏貼硬化後在使用於記錄/再生之雷射光之波長區不具有吸收之可光硬化之PSA等之後，施以紫外線照射來形成。紫外線照射時，使用具有凹凸之溝軌之基板來轉印凹凸之溝軌亦可。
第二層之記錄層20、第三層之記錄層22及第四層之記錄層24係構成為具有充分高之穿透率，經由其來使記錄/再生用雷射光在第一層之記錄層13射出入，可進行記錄再生。該等記錄層20、22、24除了為追記型或重寫型之記錄層以外，亦可為僅可再生之記錄層。
若根據該第五實施型態，可低價地獲得具有與第一實施型態相同優點之4層光資訊記錄媒體。
以上，具體說明有關本發明之實施型態，但本發明不限定於上述實施型態，可根據本發明之技術思想來實現各種變形。
例如上述第一~第五實施型態及實施例1、2所舉出之數值、材料、構造、形狀等只不過為例子，亦可因應需要來利用與該等不同之數值、材料、結構、形狀等。
1,2,3,4,5‧‧‧光資訊記錄媒體
10‧‧‧基板
11‧‧‧反射層
12,14,16‧‧‧保護層
13,18,20,22,24‧‧‧記錄層
15‧‧‧光穿透保護層
17,19,21,23‧‧‧中間層
圖1係表示根據本發明之第一實施型態之光資訊記錄媒體之要部之概略剖面圖。
圖2係表示根據實施例1之光資訊記錄媒體之調變度相對於記錄功率之變化之簡略線圖。
圖3係表示根據實施例1之光資訊記錄媒體之抖動相對於記錄功率之變化之簡略線圖。
圖4係表示作為根據實施例1之光資訊記錄媒體之記錄/再生用雷射光射入側之保護層所使用之Ta2 O5 膜之厚度與反射率之關係之簡略線圖。
圖5係表示根據實施例1之光資訊記錄媒體之記錄層之組 成與記錄再生特性之關係之簡略線圖。
圖6係表示根據實施例1之光資訊記錄媒體之記錄層之組成與記錄再生特性之關係之簡略線圖。
圖7係表示將根據實施例1之光資訊記錄媒體在80℃、85% RG環境中以200小時保存時之保存前後之反射率之簡略線圖。
圖8係表示將根據實施例1之光資訊記錄媒體在80℃、85% RG環境中以200小時保存時之保存前後之調變度之簡略線圖。
圖9係表示將根據實施例1之光資訊記錄媒體在80℃、85% RG環境中以200小時保存時之保存前後之抖動相對於記錄功率之變化之簡略線圖。
圖10係表示將根據實施例1之光資訊記錄媒體於線速19.68 m/s下以0.6 mW再生100萬次之情況下之調變度之變化之簡略線圖。
圖11係表示將根據實施例1之光資訊記錄媒體於線速19.68 m/s下以0.6 mW再生100萬次之情況下之抖動之變化之簡略線圖。
圖12係表示根據本發明之第二實施型態之光資訊記錄媒體之要部之概略剖面圖。
圖13係表示根據本發明之第三實施型態之光資訊記錄媒體之要部之概略剖面圖。
圖14係表示根據本發明之第四實施型態之光資訊記錄媒體之要部之概略剖面圖。
圖15係表示根據實施例2之光資訊記錄媒體之調變度相對於記錄功率之變化之簡略線圖。
圖16係表示根據實施例2之光資訊記錄媒體之抖動相對於記錄功率之變化之簡略線圖。
圖17係表示根據本發明之第五實施型態之光資訊記錄媒體之要部之概略剖面圖。
1‧‧‧光資訊記錄媒體
10‧‧‧基板
11‧‧‧反射層
12,14‧‧‧保護層
13‧‧‧記錄層
15‧‧‧光穿透保護層

Claims (12)

  1. 一種包含記錄層之光資訊記錄媒體，該記錄層包含符合下述式(1)之組成：[(ZnS)x (SiO2 )1-x ]y (Sbz X1-z )1-y ………(1)其中，0<x≦1.0、0.3≦y≦0.7、0.8<z≦0.9，X係選自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta及Tb所組成之群之至少1種元素。
  2. 如請求項1之光資訊記錄媒體，其中X係選自由Ga、V、Si、Zn、Ta及Tb所組成之群之至少1種元素。
  3. 如請求項1之光資訊記錄媒體，其中X為Zn或Ta。
  4. 如請求項1至3中任一項之光資訊記錄媒體，其中上述記錄層之厚度為3 nm以上40 nm以下。
  5. 如請求項1至3中任一項之光資訊記錄媒體，其中於基板上包含上述記錄層。
  6. 如請求項5之光資訊記錄媒體，其中於上述基板與上述記錄層間包含反射層；記錄及/或再生用雷射光係從上述記錄層側射入。
  7. 如請求項6之光資訊記錄媒體，其中上述反射層包含金屬及/或半金屬。
  8. 如請求項1至3中任一項之光資訊記錄媒體，其中更包含保護層，其係鄰接於上述記錄層之至少單側之面而設置，且包含介電體。
  9. 如請求項5之光資訊記錄媒體，其中更包含：反射層，其係設置於上述基板與上述記錄層間；及保護層，其係 於上述反射層與上述記錄層間，與上述記錄層之單側之面鄰接而設置，且包含介電體；記錄及/或再生用雷射光係從上述記錄層側射入。
  10. 如請求項5之光資訊記錄媒體，其中更包含：反射層，其係設置於上述基板與上述記錄層間；第一保護層，其係於上述反射層與上述記錄層間，與上述記錄層之單側之面鄰接而設置，且包含介電體；及第二保護層，其係與上述記錄層之與上述基板相反側之面鄰接而設置，且包含介電體；記錄及/或再生用雷射光係從上述記錄層側射入。
  11. 如請求項1至3中任一項之光資訊記錄媒體，其中更包含複數層上述記錄層。
  12. 如請求項1至3中任一項之光資訊記錄媒體，其中使用於上述光資訊記錄媒體之記錄及/或再生之雷射光之波長為385 nm以上415 nm以下。
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