JP5298623B2 - 追記型光記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、青色レーザ光波長領域でも高密度の記録が可能な追記型（ＷＯＲＭ：Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ Ｒｅａｄ Ｍａｎｙ）光記録媒体に係り、特に、レーザ光入射側の基板上に、少なくとも、交互に積層された複数の情報層と中間層を有する追記型光記録媒体に関するものである。

最近、追記型光記録媒体の記録容量を増大するため、片面２層構成の提案がなされている（例えば、特許文献１〜２、非特許文献１等参照）。
一方、本発明者らは以前に青色領域のレーザ光による追記型光記録媒体に関する発明を出願した（特許文献３参照）。この先願発明は、従来、光吸収機能による熱発生層であり且つ分解・変質に起因した屈折率（複素屈折率の実部）変化による記録層として機能していた有機材料薄膜の代りに、無機層である主に酸化ビスマスからなる記録層（Ｒｅ層）を設けた点に特徴がある。
しかしながら、前記先願のＲｅ層のＢｉは結晶化速度が速いため、マークを横方向に広げないためにも速やかに隣接する反射層などに熱を逃がしてやる必要がある。即ち、急冷構造を取ることが必要な材料であり、記録層片面２層型のような反射層の薄い構造では、微小なマーク形成が困難になるという問題がある。

特許文献４では、熱を逃がすための熱拡散層の材料としてＮｂ酸化物を用いているが、この発明は相変化型光記録媒体（ＲＷ）に関するもので、記録層に何度も記録再生を行うものである。これに対し、本発明の追記型多層構成光記録媒体は一度だけの記録を目的としており、最適な層構成が異なるため、相変化型光記録媒体の層構成を転用することはできない。
また、本発明では、レーザ光入射側からみて最も奥側の情報層以外の情報層に半透明反射層を設けておらず、そのために大きなコスト低減を実現できるが、そのためには本発明特有の設計概念を必要とする。
また、特許文献５には、２層光記録媒体の上部保護層材料としてＮｂ酸化物を用いることが記載されているが、Ｎｂ酸化物を熱拡散層として用いることは記載されていない。また第１情報層に半透明層を必要とする技術であり、本発明とは基本的層構成が異なる。更に、この技術の効果として「透明誘電体膜の熱伝導を低減して高線速に適した記録媒体を提供する」と記載されており、本発明のような熱を素早く取り除くための層とは発想が逆である。

また、比較的熱伝導率が高く光吸収率の小さい窒化物又は炭化物などを用いて、反射層が担っていた熱拡散機能を補助する層（熱拡散層）を反射層の上に更に設けて急冷構造に近づけるやり方が、特許文献６（単層相変化型光記録媒体）、及び特許文献７（２層相変化型光記録媒体）などで提案されている。この方法は第１情報層を構成する反射層を薄くした場合に発生する前述のような欠点を解消するのに有効な方法であると考えられる。
しかしながら、上記の技術は相変化型光記録媒体に関するものである上に、窒化物又は炭化物などの材料は、応力が大きいために形成された熱拡散層にクラックを生じやすく、その結果、熱拡散層を設けた光ディスクでは、充分なオーバーライト特性が得られないという問題がある。また、炭化物材料は、特に短波長側での吸収が大きく、青紫色レーザを用いるＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｋシステムのような次世代のシステムでは、第１情報層の光透過率を大きくすることが出来ないと言う問題を生じる。

特開２００３−２００６６３号公報 特開２００３−２０３３８３号公報 特開２００６−１９２８８５号公報 特開２００６−２５２６６９号公報 特開２００６−９９９０５号公報 特開平８−５０７３９号公報 特開２０００−２２２７７７号公報 Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｅｍｏｒｙ ２００３（ＩＳＯＭ ２００３）予稿集ｐ．７４

本発明は、上記従来の問題を解決し、簡易で単純な層構成を有し、高密度記録において記録再生波長に対する大きな屈折率と小さな吸収係数を実現でき、高反射率、高感度かつ良好な記録特性を有する追記型光記録媒体の提供を目的とする。

上記課題は、次の１）〜１０）の発明によって解決される。
１） レーザ光照射側から順に、少なくとも第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、第２基板を有する２層構成の追記型光記録媒体であって、第１情報層が、レーザ光照射側から順に、少なくとも第１記録層と、第１上部保護層と、半透明反射層に代わる光学調整層とを有し、該光学調整層は、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｎから選ばれる１つの元素Ｘの酸化物を含み、かつ、波長４０５ｎｍの光に対する吸収係数ｋが０．０５〜０．２０であることを特徴とする追記型光記録媒体。
２） 元素Ｘが、Ｎｂであることを特徴とする１）に記載の追記型光記録媒体。
３） 第２情報層が、レーザ光照射側から順に、少なくとも無機材料からなる第２記録層と、第２上部保護層と、反射層とを有し、光学調整層がＮｂ酸化物を含み、第１上部保護層及び第２上部保護層が共に、ＺｎＳＳｉＯ_２（モル比６０：４０〜８０：２０）からなり、第１上部保護層の膜厚が１０〜４０ｎｍ、第２上部保護層の膜厚が１０〜３０ｎｍ又は８０〜１２０ｎｍであることを特徴とする１）又は２）に記載の追記型光記録媒体。
４） 第１情報層は、レーザ光照射側から見て第１記録層よりも手前に第１下部保護層を有し、第１基板と第１下部保護層との間にＡｌ酸化物層を有することを特徴とする１）〜３）のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
５） 第１記録層が、Ｂｉを主成分として含むことを特徴とする１）〜４）のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
６） 第１記録層が、Ｂｉ酸化物を主成分として含むことを特徴とする１）〜４）のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
７） 第１記録層が、光吸収率を向上させる元素Ｙを更に含み、波長４０５ｎｍの光に対する吸収係数ｋが０．３〜０．９であることを特徴とする６）に記載の追記型光記録媒体。
８） 元素Ｙが、Ｂであることを特徴とする７）に記載の追記型光記録媒体。
９） 元素Ｙとして更にＧｅを含むことを特徴とする８）に記載の追記型光記録媒体。
１０） 元素Ｙが、Ｃｕであることを特徴とする７）に記載の追記型光記録媒体。

以下、上記本発明について、詳しく説明する。
図１に、情報層を２層有する本発明の追記型光記録媒体の基本的層構成を示す。
この図１を参照しつつ各層の説明をする。
従来の２層光記録媒体の第１情報層は、第１下部保護層／第１記録層／第１上部保護層／第１反射層／光学調整層のような層構成が一般的であるが、第１情報層の充分な光透過率を確保する必要があるため、吸収係数の高い第１反射層の膜厚を薄くして半透明膜にする必要がある。これに対し、本発明では、第１上部保護層の上に、第１上部保護層よりも光透過率が高く光吸収が少ない材料からなり、波長４０５ｎｍの光に対する吸収係数ｋが０．０５〜０．２０の光学調整層を設ける。これにより、第１反射層を無くしても第１記録層の充分な記録感度が得られるので、第１反射層による光吸収がなくなり、光透過率を高く確保できる。その結果、第１情報層において高い反射率を確保しつつ光吸収を効率的に行なうことが可能となり、第１情報層の安定した記録再生特性が得られる。
吸収係数ｋが０．０５未満となる場合は、第１情報層の光透過率が上がり過ぎてしまい第１情報層の記録感度が悪くなる。吸収係数ｋが０．２０を超える場合は材料自体の吸収により十分な光透過率を得にくくなるため第２情報層の記録感度が悪くなる。波長４０５ｎｍの光に対する吸収係数ｋが０．０５〜０．２０となる材料を用いた場合、光学調整層の屈折率ｎは、通常２．０〜２．４となるが、この範囲に限定されるものではない。

光学調整層に用いられる材料としては、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｎから選ばれる少なくとも１つの元素Ｘの酸化物を用いる。例えばＮｂ_２Ｏ_５は、波長４０５ｎｍにおいて、ｎ＝２．２２、ｋ＝０．１１８であり、Ｉｎ_２Ｏ_３（９０モル％）−ＺｎＯ（１０モル％）は、ｎ＝２．３９、ｋ＝０．０６である。
光学調整層の膜厚は、１０〜６０ｎｍ程度が好ましい。１０ｎｍよりも薄いと反射率が下がり始めてしまい、６０ｎｍよりも厚いと、第１情報層の光吸収率が高くなり始めるため、充分な光透過率が得られない。

第１記録層は、本発明の媒体において主たる光吸収機能を担う層である。
第１記録層には正常分散を示す材料を用いる。このような材料は、有機材料のようにある波長範囲内に大きな吸収帯を有する材料ではないため複素屈折率の波長依存性が小さい。その結果、レーザ光源の個体差や、環境温度の変化等による記録再生波長の変動により、記録感度、変調度、ジッタ、エラー率といったような記録特性や、反射率等が大きく変化するという従来の問題を大幅に解消することができる。
第１記録層の材料としては、Ｂｉ又はＢｉ酸化物を主成分として含有する材料が好ましい。ここで、Ｂｉ又はＢｉ酸化物を主成分とするとは、第１記録層の組成において、Ｂｉ又はＢｉ酸化物が必須成分であると共に、Ｏ（酸素）、Ｎ（窒素）などの金属又は半金属元素と化合物を形成している元素を除き、Ｂｉが３０原子％以上を占めることを意味する。例えば、第１記録層がＢｉ、Ｆｅ、Ｎからなる場合、Ｎを除くＢｉとＦｅの合計量のうち、Ｂｉが３０原子％以上を占めることを意味し、第１記録層がＢｉ、Ｆｅ、Ｏからなる場合、Ｏを除くＢｉとＦｅの合計量のうち、Ｂｉが３０原子％以上を占めることを意味する。
第１記録層の膜厚は２〜２５ｎｍの範囲が好ましく、更に好ましい範囲は３〜２０ｎｍである。２ｎｍ未満では、充分な光吸収率を得にくく記録感度が悪化し始める。また２５ｎｍを超えると記録特性が悪化しやすい。

第１記録層は、Ｂｉ酸化物を主成分とし光吸収率を向上させる元素Ｙを含むことが好ましい。光吸収率を向上させる元素Ｙは、元素単体として含まれていても化合物として含まれていてもよい。化合物としては、酸化物、炭化物、窒化物などが挙げられる。また、好ましい元素としては、Ｂ、Ｃｕが挙げられる。Ｂに加えて更にＧｅが含まれていてもよく、ＢやＣｕに代えて、Ｇｅが含まれていてもよい。これらの元素Ｙを含有させることにより、第１記録層の波長４０５ｎｍの光に対する吸収係数ｋを０．３〜０．９とする。これにより、第１記録層の記録感度が向上し、記録前後の反射率のコントラストが良くなるため、充分な変調度が得られる。また第１情報層の光透過率を充分に確保できるため、第２記録層の記録感度が向上する。
図４は、後述する表２に示されている実施例及び比較例において、ピークパワー（最適記録パワー）と第１及び第２記録層の波長４０５ｎｍの光に対する吸収係数ｋをプロットした図である。記録線速は１３．２２ｍ／ｓ（ＨＤ ＤＶＤ−Ｒの２Ｘ相当）である。
図４から分かるように、第１記録層の吸収係数ｋを０．３以上にすると、第１情報層、第２情報層ともに記録感度が良好となる（基準は１５ｍＷ以下）。
第１記録層の吸収係数ｋが０．９を超えると、第１情報層の光透過率が下がりすぎてしまい、第２情報層の記録感度が悪くなるため好ましくない。なお、現在のところ、Ｂｉ酸化物及び光吸収率を向上させる元素を含む無機材料で、吸収係数ｋが０．９を超える材料は見当たらない。

第１記録層には、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有させることが好ましい。これにより、青色波長の光に対して良好な記録を行うことができる。
未記録状態の結晶構造と記録マークの結晶構造が異なるようにすることにより変調度を得ることは、従来から相変化記録などで行われていたが、本発明では、２種類以上の酸化物の結晶が混在する状態の記録マークを形成することにより、記録マークと未記録部の屈折率差などがより大きくなり、大きな変調度が得られる。更に、それぞれの酸化物の結晶だけでなく単体元素の結晶を存在させることで、より大きな効果が得られる。また、異なる元素及び／又は結晶構造の結晶が混在することで、結晶の成長を抑えることができる。即ち、二つ以上の異なる元素及び／又は結晶構造の結晶からなる記録マークは、大きく成長して広がってしまうことが抑制され、小さい記録マークを形成することができる。

第１下部保護層及び第１上部保護層材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等を考慮して決定される。一般的には、透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いる。
具体例として、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２などの金属酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、ＴａＳ_４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、或いは、それらの混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護膜とすることもできるが、互いの混合物としても良い。また、必要に応じて不純物を含んでも良い。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物や、Ｔａ_２Ｏ_５とＳｉＯ_２の混合物が挙げられる。
特にＺｎＳ−ＳｉＯ_２がよく用いられるが、その場合の混合比としてはＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０（モル比）が最も好ましい。この材料は、屈折率ｎが高く消衰係数ｋがほぼゼロであるため、第１記録層の光吸収率を上げることができ、かつ、熱伝導率が小さいため光吸収により発生した熱の拡散を適度に抑えることができるので、第１記録層を溶融可能な温度まで昇温することができる。
第１下部保護層の膜厚は、１０〜７０ｎｍの範囲が好ましい。１０ｎｍよりも薄いと再生光による安定性が悪くなるため好ましくない。７０ｎｍよりも厚いと成膜時間が長くなり第１基板への熱ダメージが大きくなるため、ディスクの反りに大きな影響が出るので好ましくない。
第１上部保護層の膜厚は、１０〜４０ｎｍの範囲が好ましい。１０ｎｍよりも薄いと記録層に熱が留まり難くなるため記録感度が悪くなり好ましくない。４０ｎｍよりも厚いと記録層に熱が留まり過ぎてしまうため記録特性が悪くなり好ましくない。

また、第１基板と第１下部保護層の間にＡｌ酸化物層を設けると、基板ノイズを抑制できるため、更に記録特性が向上する。
また、第１情報層の光透過率が４０〜５０％の範囲にあると、第１及び第２情報層の記録感度を共に良好にすることが可能となるので好ましい（図２参照）。
第１情報層の光透過率は、第１情報層を構成する各層の材料の屈折率、吸収係数、膜厚により変動するが、第１情報層の光透過率を４０〜５０％の範囲とすることにより、第１及び第２情報層の記録感度を良好でかつ同等となるように設計できる。

第１基板は、記録再生のために照射するレーザ光を十分透過する必要があり、当該技術分野において公知のものを用いればよい。材料としては、通常、ガラス、セラミックス又は樹脂が用いられるが、特に成形性、コストの点で樹脂が好適である。
樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
第１基板の第１情報層を形成する面には、レーザ光トラッキング用の螺旋状又は同心円状の蛇行溝があり、ランド部及びグルーブ部と称される凹凸パターンが形成されている。このような基板は、通常、射出成形法又はフォトポリマー法などにより成形され、金型内に取り付けられたスタンパの溝が転写される。
第１基板の厚さは７０〜５９０μｍ程度が好ましい。
第２基板には、第１基板と同様の材料を用いても良いが、記録再生光に対して不透明な材料を用いてもよく、第１基板とは材質や溝形状が異なってもよい。
第２基板の厚さは特に限定されないが、第１基板の厚さとの合計が１．２ｍｍになるように厚さを選択することが好ましい。
なお、後述する図１０や図１１のようなブルーレイ対応の「カバー層」を有する構成の場合には、該カバー層が上記第１基板に相当する。

中間層は、記録再生用レーザ光の波長における光吸収が小さいことが好ましく、材料としては成形性やコストの点で樹脂が好適であり、紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。また、光ディスクの貼り合わせ用の両面テープ（例えば日東電工製の粘着シートＤＡ−８３２１）なども用いることができる。
中間層は、記録再生を行なう際に、ピックアップが第１情報層と第２情報層とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは２０〜３０μｍが好ましい。２０μｍよりも薄いと、情報層間クロストークが生じる。また、３０μｍより厚いと第２記録層を記録再生するときに球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。

第２情報層の構成としては、図１に示すように、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、反射層とするのが一般的である。
第２記録層は、第１記録層と同様の組成を持つ材料からなる記録層を用いても良いし、記録感度や反射率、変調度などの特性を考慮して、第１記録層とは組成の異なる記録層を用いても良い。つまり、第１記録層とは組成の異なるＢｉ主成分の材料はもちろん、Ｂｉ単体から成る材料、Ｂｉ以外の無機材料、更には有機色素材料などであってもよい。
第２下部保護層は、第２記録層が無機材料からなる場合には省略してもよいが、第２記録層が有機色素からなる場合には、貼り合わせの際に有機色素が紫外線硬化樹脂液に溶解するのを防止するため、必ず設ける必要がある。
第２記録層の膜厚は５〜２５ｎｍが好ましい。５ｎｍよりも薄いと記録感度が悪化するし、２５ｎｍよりも厚いと記録特性が悪化する。
第２下部保護層及び第２上部保護層には、前述した第１下部保護層及び第１上部保護層と同様の材料を用いることができる。ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０（モル比）からなる材料が最も好ましい点も同じである。

第２情報層が、レーザ光入射側から順に、少なくとも、無機材料からなる第２記録層、第２上部保護層、反射層を有し、第１情報層の光学調整層がＮｂ酸化物を含み、第１上部保護層と第２上部保護層が共に、ＺｎＳＳｉＯ_２（モル比６０：４０〜８０：２０）からなる場合、第１上部保護層の膜厚（ｔ１）が１０〜４０ｎｍであり、第２上部保護層の膜厚（ｔ２）が１０〜３０ｎｍであるか又は８０〜１２０ｎｍであることが望ましい。
各層の膜厚を上記範囲に設定することにより、第１情報層の透過率と第２情報層の反射率とのバランスが最適となり、両情報層において、高いＰＲＳＮＲ、高反射率、高感度の特性を比較的簡素な層構成で実現できる。第１情報層の各膜厚が限定範囲を外れると、第１情報層の透過率が低下し、第２情報層の感度が著しく悪化し、ＰＲＳＮＲも悪化する。第２情報層の各膜厚が限定範囲を外れると、第２情報層の反射率が著しく上昇し、第２情報層の感度とＰＲＳＮＲが悪化する。
なお、第１、第２上部保護層の材料がＺｎＳＳｉＯ_２でない場合には、上記膜厚条件は当てはまらない。

反射層の材料は再生光の波長で反射率の充分高いものが好ましい。例えばＡｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ等の金属を単独で又は合金として用いることができる。特にＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として好適である。
また、上記金属を主成分として他の元素を含んでいても良く、他の元素としてはＭｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属を挙げることができる。中でもＡｇを主成分とするものは、コストが安く高反射率が得やすいので特に好適である。
また、金属以外の材料を用い、低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。

反射層にＡｇ等を用いた場合、ＺｎＳＳｉＯ_２層を隣接させて設けるとＺｎＳＳｉＯ_２中のＳがＡｇと徐々に反応し、特性の悪化や反射率の減少などを招く可能性がある。よって反射層と第２上部保護層の間に該反応を防止するための層（硫化防止層）を設けてもよい。硫化防止層の材質としては、例えばＳｉＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３などの酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮなどの窒化物、ＳｉＣなどの炭化物が挙げられる。一般によく用いられている材料はＳｉＣであり、好適な材料なので、必要に応じて本発明に用いることができる。
反射層の膜厚は４０〜８０ｎｍの範囲にあることが好ましい。４０ｎｍよりも薄いと熱伝導率が低くなるため信号品質が低下する。８０ｎｍよりも厚い場合はそれ以上厚くしても効果が得られない。
反射層の形成方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。

上述した層の他に、基板の上や反射層の下に、反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために公知の無機系又は有機系の上引層、下引層、接着層などを設けてもよい。
更に、反射層上や、その他の構成層間に適宜保護層を設けてもよい。
保護層の材料としては、外力から保護する機能を有するものであれば、従来公知の材料を適用できる。例えば有機材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等が挙げられる。また、無機材料としては、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＳｎＯ_２等が挙げられる。
保護層の膜厚は、一般に０．１〜１００μｍとするが、特に３〜３０μｍが好ましい。
保護層の形成方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法等が用いられるが、特にスピンコート法が好ましい。
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂からなる保護層は、樹脂を適当な溶剤に溶解した塗布液を塗布し乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂からなる保護層は、樹脂をそのまま又は適当な溶剤に溶解した塗布液を塗布し、紫外線光を照射して硬化させることによって形成できる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を適用できる。
これらの材料は単独で用いても混合して用いても良いし、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。

本発明の追記型光記録媒体は、通常、成膜工程、密着工程などを経て製造される。
例えば情報層を２層有する場合には、成膜工程において、図１の第１基板のグルーブが設けられた面に第１情報層を、第２基板のグルーブが設けられた面に第２情報層をそれぞれ成膜する。
第１情報層、第２情報層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でもスパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら反応スパッタリングさせても良い。
次いで密着工程において、第１情報層と第２情報層とを向かい合わせながら、中間層を介して貼り合わせる。例えば、何れか一方の膜面にＵＶ樹脂を塗布し、情報層面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させ、紫外線を照射して樹脂を硬化させる。
また、カバー層を有する構成の場合は、第２基板のグルーブが設けられた面に第２情報層を成膜し、中間層（ＵＶ樹脂）を塗布し、これにスタンパを用いてグルーブを形成した後、第１情報層を成膜し、カバー層を形成する。

本発明によれば、第１情報層に半透明反射層を設けなくても、青色波長のレーザ光に対して充分な反射率と記録感度を有し、高速記録が可能な追記型光記録媒体を提供できる。また、この光記録媒体は、ＨＤ ＤＶＤ−Ｒ ＤＬ規格に対応した光記録媒体、ＢＤ−Ｒ ＤＬ規格に対応した光記録媒体にも適用可能である。

以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。なお、スパッタ装置は、ユナクシス社製のＤＶＤスプリンタを用いた。
また、各光記録媒体の記録特性の評価には、パルステック社製ＯＤＵ１０００を用い、記録用レーザ光波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６５とした。記録線速は１３．２２ｍ／ｓ、再生用レーザ光パワーは０．８ｍＷとした。光波形発生装置にはパルステック社製のＭＳＧ３を用いた。記録方法は、図３に示す１Ｔ周期記録ストラテジを用いた。第１情報層への記録条件は、Ｔｍｐ＝０．７５Ｔ、バイアスパワー１＝５ｍＷ、バイアスパワー２＝０．１ｍＷとした。第２情報層への記録条件は、Ｔｍｐ＝０．８１Ｔ、バイアスパワー１＝４ｍＷ、バイアスパワー２＝０．１ｍＷとした。記録は５トラックに施し、その真ん中のトラックを再生した。
記録特性の評価項目は、ピークパワー、ＰＲＳＮＲ、ＳｂＥＲ、Ｉ_１１／Ｉ_１１Ｈとした。ピークパワーは最適記録パワーを表し、１５ｍＷ以下を合格基準とした。ＰＲＳＮＲはＨＤ−ＤＶＤの信号処理方式「ＰＲＭＬ」を用いた場合の信号品質であり、１５以上を合格基準とした。ＳｂＥＲはエラーレートを表し、０．００００５（５Ｅ−５）以下を合格基準とした。Ｉ_１１／Ｉ_１１Ｈは、未記録部反射強度をＩ_１１Ｈ、記録部反射強度をＩ_１１Ｌ、Ｉ_１１＝Ｉ_１１Ｈ−Ｉ_１１Ｌとしたときの変調度を表し、４０％以上を合格基準とした。
なお、以下の実施例について評価装置で測定したところ、何れの実施例についても第１情報層、第２情報層の反射率がともに４．５％以上となり、バランスの取れた追記型２層光記録媒体が得られた。

（実施例１）
直径１２ｃｍ、厚さ０．５９ｍｍで、片面にトラックピッチ０．４μｍの蛇行した連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸（溝深さ３０ｎｍ）を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚５０ｎｍの第１下部保護層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー０．８ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、Ｂｉ_２Ｏ_３ターゲットを用いて、膜厚７．５ｎｍの第１記録層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚２０ｎｍの第１上部保護層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー２ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２（８．８：４１．７：３５．２：１４．３モル％）からなる膜厚４５ｎｍの光学調整層をＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜し、第１情報層を形成した。
一方、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、片面にトラックピッチ０．４μｍの蛇行した連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸（溝深さ３２ｎｍ）を持つポリカーボネート樹脂からなる第２基板上に、スパッタパワー３ｋＷ、Ａｒ流量２０ｓｃｃｍのもとで、Ａｇ−Ｂｉ（９９．５：０．５重量％）からなる膜厚６０ｎｍの反射層をＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー２ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＴｉＣ−ＴｉＯ_２（７０：３０モル％）からなる膜厚４ｎｍの界面層（硫化防止層）をＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚９０ｎｍの第２上部保護層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー０．８ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、Ｂｉ_２Ｏ_３ターゲットを用いて、膜厚９ｎｍの第２記録層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚７０ｎｍの第２下部保護層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜し、第２情報層を形成した。
次いで、第１情報層の膜面側上に日本化薬製の紫外線硬化樹脂（カヤラッドＤＶＤ８０２）を塗布し、第２基板の第２情報層面側と貼り合わせたのちスピンコートし、第１基板側から紫外線を照射し硬化させて膜厚２５μｍの中間層とし、図１に示す２つの情報層を有する追記型２層光記録媒体を作成した。
この光記録媒体の記録特性の測定結果を表１に示す。

（実施例２〜７、比較例１〜４）
光学調整層材料を上記表１に示すものに変えた点以外は、実施例１と同様にして実施例２〜７、比較例１〜４の追記型２層光記録媒体を作成した。なお、各光学調整層材料を分光エリプソメーターで測定したところ、波長４０５ｎｍのレーザ光に対する光学定数ｎ、ｋは上記表１のようになった。
各光記録媒体の記録特性の測定結果を上記表１に示すが、比較例１〜４の場合、光学調整層の吸収係数ｋが規定範囲を外れているため、ピークパワー及びＰＲＳＮＲが不合格となった。
なお、詳細は後述するが、光学調整層材料をＮｂ_２Ｏ_５（波長４０５ｎｍにおいて、ｎ＝２．２２、ｋ＝０．１１８）に変えた点以外は、実施例１と略同様にして作成した追記型２層光記録媒体（実施例３４等）においても、良好なピークパワー及びＰＲＳＮＲを示した。

（実施例８〜１４）
第１基板と第１下部保護層の間に膜厚１０ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３層を形成した点以外は、実施例１〜７と同様にして、実施例８〜１４の追記型２層光記録媒体を作成した。
これらの媒体について、ＰＲＳＮＲを測定した結果、実施例１〜７よりもＰＲＳＮＲが４〜６上昇した。

（実施例１５）
直径１２ｃｍ、厚さ０．５９ｍｍで、片面にトラックピッチ０．４μｍの蛇行した連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸（溝深さ３０ｎｍ）を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚５０ｎｍの第１下部保護層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー０．８ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、表２に示す記録層組成比を持つターゲットを用いて、膜厚７．５ｎｍの第１記録層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。なお、この記録層材料を分光エリプソメーターで測定したところ、光学定数は表２のようになった。
次に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚２０ｎｍの第１上部保護層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー２ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、Ｉｎ_２Ｏ_３（９０モル％）−ＺｎＯ（１０モル％）からなる膜厚４５ｎｍの光学調整層をＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜し、第１情報層（Ｌ０層）を形成した。
一方、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、片面にトラックピッチ０．４μｍの蛇行した連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸（溝深さ３２ｎｍ）を持つポリカーボネート樹脂からなる第２基板上に、スパッタパワー３ｋＷ、Ａｒ流量２０ｓｃｃｍのもとで、Ａｇ−Ｂｉ（９９．５：０．５重量％）からなる膜厚６０ｎｍの第２反射層をＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー２ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＴｉＣ−ＴｉＯ_２（７０：３０モル％）からなる膜厚４ｎｍの界面層（硫化防止層）をＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚９０ｎｍの第２上部保護層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー０．８ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、第１記録層と同じターゲットを用いて、膜厚９ｎｍの第２記録層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
次に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚７０ｎｍの第２下部保護層をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜し、第２情報層（Ｌ１層）を形成した。
次いで、第１情報層の膜面側上に日本化薬製の紫外線硬化樹脂（カヤラッドＤＶＤ８０２）を塗布し、第２基板の第２情報層面側と貼り合わせたのちスピンコートし、第１基板側から紫外線を照射し硬化させて膜厚２５μｍの中間層とし、図１に示す２つの情報層を有する追記型２層光記録媒体を作成した。
この光記録媒体の記録特性の測定結果を表２に示す。

（実施例１６〜２０）
記録層のターゲットを表２に示す組成のものに変えた点以外は、実施例１５と同様にして実施例１６〜２０の追記型２層光記録媒体を作成した。なお、各記録層材料を分光エリプソメーターで測定したところ、波長４０５ｎｍのレーザ光に対する光学定数ｎ、ｋは上記表２のようになった。
各光記録媒体の記録特性の測定結果を上記表２に示す。

（実施例２１〜２８）
第１情報層の記録層膜厚を２ｎｍ、３ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、１７ｎｍ、２０ｎｍ、２３ｎｍとした点以外は、実施例１５（記録層膜厚７．５ｎｍ）と同様にして実施例２１〜２８の追記型２層光記録媒体を作成した。
これらの媒体について、記録感度とＰＲＳＮＲを測定した結果を図５と表３に示す。
実施例２１では、最適な記録パワーＰｗが１５ｍＷを超えてしまっているが、ＰＲＳＮＲは良好である。また、実施例２８では、ＰＲＳＮＲ値が１５を下回っているが、記録感度は良好である。これらの結果から、第１記録層の膜厚は３〜２０ｎｍの範囲にあるのが好ましいことが分かる。

（実施例２９〜３３）
第１基板と第１下部保護層の間に膜厚１０ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３層を形成した点以外は、実施例１５〜１９と同様にして、実施例２９〜３３の追記型２層光記録媒体を作成した。
これらの媒体について、ＰＲＳＮＲを測定した結果、実施例１５〜１９よりもＰＲＳＮＲが４〜６上昇した。

（実施例３４）
表面にトラックピッチ０．４０μｍ、溝深さ２１ｎｍの案内溝を有する直径１２０ｍｍ、厚さ０．５９ｍｍのポリカーボネート樹脂製の第１基板と第２基板を用意した。
次に、Ｂａｌｚｅｒｓ社製の枚葉スパッタ装置を用いて、第１基板上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（モル比８０：２０モル％）からなる膜厚４０ｎｍの第１下部保護層、Ｂｉ_２Ｏ_３からなる膜厚２０ｎｍの第１記録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（モル比８０：２０モル％）からなる膜厚２０ｎｍの第１上部保護層（ｔ１）、膜厚４５ｎｍのＮｂ_２Ｏ_５からなる光学調整層を順次製膜することにより、第１情報層を作製した。
同様にして、第２基板上に、Ａｇからなる膜厚８０ｎｍの反射層、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（モル比８０：２０モル％）からなる膜厚（ｔ２）が５〜１４０ｎｍの第２上部保護層、Ｂｉ_２Ｏ_３からなる膜厚２０ｎｍの第２記録層を順次製膜することにより、第２情報層を作製した。
次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂（日本化薬株式会社 ＤＶＤ００３）を含む塗布液をスピンコートにより塗布し、同様にして第２基板上に紫外線硬化樹脂を塗布した後、減圧雰囲気下で貼り合わせた。その後、第１基板側から紫外線光を照射し紫外線硬化樹脂を硬化させて厚さ２５μｍの中間層を形成した。
以上のようにして、第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、第２基板がこの順に積層された追記型２層光記録媒体を作製した。

上記光記録媒体に対し、パルステック社製ＯＤＵ−１０００を評価機として用い、レーザ光波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６、クロック周波数６４．８ＭＨｚで、６．６１ｍ／ｓの線速度で基板を回転させ、第１、第２情報層にランダムパターンを書き込んで第２情報層を評価した結果を図６に、第１情報層を評価した結果を図７に示した。これらの評価において、第２記録パワーを３ｍＷに固定し、第１記録パワーをそれぞれ振って（変化させて）、最も良好なＰＲＳＮＲ値を示す記録パワー、即ち最適記録パワー（Ｐｗ）と、該ＰｗにおけるＰＲＳＮＲを図６の縦軸に示した。横軸は第２上部保護層の膜厚（ｔ２）である。
記録ストラテジは図１２に示すようなマルチパルス方式を選択した。
なお、これらの評価では、ＨＤ ＤＶＤ−Ｒ ＤＬ規格（ＤＶＤ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ Ｄｉｓｃ ｆｏｒ Ｄｕａｌ Ｌａｙｅｒ Ｖｅｒ．１．０）に基づき、ＰＲＳＮＲは１５未満を規格外の値とし、記録パワーは１３ｍＷ以上を規格外の値とした。サンプルのばらつきを考慮して、ＰＲＳＮＲ、最適記録パワー（感度）が充分合格にできる膜厚を本発明の要件とした。
図６では第２上部保護層の膜厚（ｔ２）が１０〜３０ｎｍ及び８０〜１２０ｎｍであるとき、ＰＲＳＮＲ及び記録パワーが規格値を充分に満足した。この傾向は第１上部保護層の膜厚範囲１０〜４０ｎｍにおいて同様であった。
本実施例では、第２上部保護層膜厚（ｔ２）を振っているだけであるため、第２情報層には大きな影響を与えるが、第１情報層への影響は少ない。したがって、第１情報層のデータについては大きな特性の変化は見られないことを参考までに図７に示した。

（実施例３５）
第２上部保護層の膜厚（ｔ２）を９０ｎｍに固定し、第１上部保護層の膜厚（ｔ１）を４〜４０ｎｍの範囲で振り、第１情報層にランダムパターンを書き込んで第１情報層を評価した結果を図８に示した。この評価において、第２記録パワーを４．２ｍＷに固定し、第１記録パワーをそれぞれ振って、最も良好なＰＲＳＮＲ値を示す記録パワー、即ち、最適記録パワー（Ｐｗ）と、該ＰｗにおけるＰＲＳＮＲを図８の縦軸に示した。横軸は第１上部保護層の膜厚（ｔ１）である。
図８から分かるように、第１上部保護層の膜厚（ｔ１）が１０〜４０ｎｍのとき、ＰＲＳＮＲ及び記録パワーは規格値を充分に満足した。

（実施例３６）
第１記録層、第２記録層のＢｉ_２Ｏ_３に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂを含有させた点以外は、実施例３４と同様にして追記型２層光記録媒体を作製し、（ｔ２）を９０ｎｍとし、実施例３４と同様にして評価した結果を表４に示す。
表４から、これらの元素を添加することによりＰＲＳＮＲ及び最適記録パワー（感度）を更に改善できることが分かる。

（実施例３７）
第１下部保護層の膜厚を、０、１０、７０、８０ｎｍとした点以外は、実施例３４と同様にして追記型２層光記録媒体を作製し、８０℃、湿度８５％の恒温槽中で保存試験を行った。
上記各光記録媒体について、保存試験開始時、１００時間後、２００時間後、３００時間後に、実施例３４と同様にして第１情報層のＰＲＳＮＲを測定した結果を図９に示した。
図９から分かるように、第１下部保護層がない場合には、時間の経過と共に信号特性（ＰＲＳＮＲ）が悪化したが、規格値の１５は満たしていた。これに対し、第１下部保護層がある場合には、膜厚が７０ｎｍまでは、時間が経過しても良好な信号特性を示した。しかし膜厚が８０ｎｍになると信号特性は悪化した。その原因として、第１下部保護層の光学特性ｎ、ｋ値を考慮して、光記録媒体の各膜厚を最適に組み合わせるが、８０ｎｍでは、その最適な膜厚の組み合わせにずれが生じてしまい、第１情報層において良好な特性が得られなくなってしまうことが分かった。
また、第１下部保護層の材料をＡｌ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２に変えてもほぼ同様の結果が得られることを確認した。

（実施例３８）
ブルーレイ方式の追記型２層光記録媒体を次のようにして作製した。
表面にトラックピッチ０．３２μｍ、溝深さ２１ｎｍの案内溝を有する直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート樹脂製の第２基板を用意した。
次に、Ｂａｌｚｅｒｓ社製の枚葉スパッタ装置を用いて、第２基板上に、Ａｇからなる膜厚８０ｎｍの反射層、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（モル比８０：２０モル％）からなる膜厚（ｔ２）５〜１４０ｎｍの第２上部保護層、Ｂｉ_２Ｏ_３からなる膜厚２０ｎｍの第２記録層を順次製膜し第２情報層を形成した。
次に、第２情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂（三菱レーヨン株式会社 ＲＱ１００６）を含む塗布液をスピンコートにより塗布し、光透過性のスタンパを減圧雰囲気下で貼り合わせた。次いで、光透過性のスタンパ側から紫外線光を照射し紫外線硬化樹脂を硬化させた後、光透過性のスタンパを剥がして第２基板と同様な溝を持つ厚さ２５μｍの中間層を形成した。
次に、中間層上に、膜厚５０ｎｍのＮｂ_２Ｏ_５からなる光学調整層、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（モル比８０：２０モル％）からなる膜厚（ｔ１）２０ｎｍの第１上部保護層、Ｂｉ_２Ｏ_３からなる膜厚２０ｎｍの第１記録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（モル比８０：２０モル％）からなる膜厚４０ｎｍの第１下部保護層を順次製膜することにより、第１情報層を作製した。
次に、第１情報層上に、厚さ０．０９ｍｍのポリカーボネート樹脂製カバーフィルムを紫外線硬化樹脂（三菱レーヨン株式会社 ＲＱ１００６）で貼り合わせ、紫外線を照射し硬化させてカバー層を形成した。
以上のようにして、カバー層、第１情報層、中間層、第２情報層、第２基板がこの順に積層された追記型２層光記録媒体を作製した（図１０参照）。

上記光記録媒体を４．９２ｍ／ｓの線速度で回転させ、レーザ光波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数０．８５、クロック周波数６６ＭＨｚで、ランダムパターンを書き込んで評価した。評価は記録マークについてジッタ値を測定した。
その結果、ジッタが５．１％となり、ブルーレイの評価においても規格値（７．０％以下）を満足することが確認された。
なお、ブルーレイの規格名称は「Ｓｙｓｔｅｍ Ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎ Ｂｌｕ−Ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ Ｆｏｒｍａｔ Ｐａｒｔ １ Ｂａｓｉｃ Ｆｏｒｍａｔ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｖｅｒ． １．１９」である。

（実施例３９）
第１記録層、第２記録層の材料をＢｉＮに変えた点以外は、実施例３４と同様にして追記型２層光記録媒体を作製し、評価した。
その結果、実施例３４とほぼ同じ特性を示し、反射率、ＰＲＳＮＲの挙動の傾向は同じであった。また、最適な（ｔ１）と（ｔ２）の組み合わせの範囲もほぼ同じであった。

（実施例４０）
第１記録層、第２記録層の材料をＴｅＯＰｄに変えた点以外は、実施例３４と同様にして追記型２層光記録媒体を作製し、評価した。
その結果、実施例３４とほぼ同じ特性を示し、反射率、ＰＲＳＮＲの挙動の傾向は同じであった。しかし、実施例３４と比較すると、全体的にＰＲＳＮＲは５ほど悪い値となった。また、最適な（ｔ１）と（ｔ２）の組み合わせの範囲はほぼ同じであった。

（比較例５）
第１情報層のＮｂ_２Ｏ_５からなる光学調整層を設けなかった点以外は、実施例３４と同様にして追記型２層光記録媒体を作製し、評価しようとしたところ、記録できなかった。
本発明のＮｂ_２Ｏ_５からなる光学調整層は、反射層としての機能（第１情報層の反射率を高め記録時の熱を逃がす機能）も果たすものであるが、本比較例により、このことが証明された。

情報層を２層有する本発明の追記型光記録媒体の基本的層構成を示す図。 第１情報層の光透過率と第１及び第２情報層の記録感度の関係を示す図。 記録ストラテジのパラメータを表した図。 表２に示されている実施例及び比較例について、ピークパワーと第１及び第２記録層の波長４０５ｎｍの光に対する吸収係数ｋをプロットした図。 第１情報層の記録感度とＰＲＳＮＲの、第１記録層膜厚依存性を表した図。 実施例３４の第２情報層の評価結果を示す図。 実施例３４の第１情報層の評価結果を示す図。 実施例３５の第１情報層の評価結果を示す図。 実施例３７の第１情報層のＰＲＳＮＲの評価結果を示す図。 実施例３８の２層構成でカバー層を有する場合の層構成を示す図。 実施例３４〜４０、比較例５で用いたマルチパルスストラテジを示す図。

符号の説明

Ｔ 基本クロック周期
Ｔｓｆｐ 先頭パルスの立ち上がり位置
Ｔｅｆｐ 先頭パルスの立ち下がり位置
Ｔｓｌｐ 最終パルスの立ち上がり位置
Ｔｅｌｐ 最終パルスの立ち下がり位置
Ｔｌｃ 最終冷却パルスの幅
Ｔｍｐ 長さＴｍｐのパルス（マルチパルス部のピークパワーパルスの幅）

Claims (10)

1. レーザ光照射側から順に、少なくとも第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、第２基板を有する２層構成の追記型光記録媒体であって、第１情報層が、レーザ光照射側から順に、少なくとも第１記録層と、第１上部保護層と、半透明反射層に代わる光学調整層とを有し、該光学調整層は、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｎから選ばれる１つの元素Ｘの酸化物を含み、かつ波長４０５ｎｍの光に対する吸収係数ｋが０．０５〜０．２０であることを特徴とする追記型光記録媒体。
2. 元素Ｘが、Ｎｂであることを特徴とする請求項１に記載の追記型光記録媒体。
3. 第２情報層が、レーザ光照射側から順に、少なくとも無機材料からなる第２記録層と、第２上部保護層と、反射層とを有し、光学調整層がＮｂ酸化物を含み、第１上部保護層及び第２上部保護層が共に、ＺｎＳＳｉＯ_２（モル比６０：４０〜８０：２０）からなり、第１上部保護層の膜厚が１０〜４０ｎｍ、第２上部保護層の膜厚が１０〜３０ｎｍ又は８０〜１２０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の追記型光記録媒体。
4. 第１情報層は、レーザ光照射側から見て第１記録層よりも手前に第１下部保護層を有し、第１基板と第１下部保護層との間にＡｌ酸化物層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
5. 第１記録層が、Ｂｉを主成分として含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
6. 第１記録層が、Ｂｉ酸化物を主成分として含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
7. 第１記録層が、光吸収率を向上させる元素Ｙを更に含み、波長４０５ｎｍの光に対する吸収係数ｋが０．３〜０．９であることを特徴とする請求項６に記載の追記型光記録媒体。
8. 元素Ｙが、Ｂであることを特徴とする請求項７に記載の追記型光記録媒体。
9. 元素Ｙとして更にＧｅを含むことを特徴とする請求項８に記載の追記型光記録媒体。
10. 元素Ｙが、Ｃｕであることを特徴とする請求項７に記載の追記型光記録媒体。