JP6562002B2 - 光記録媒体 - Google Patents

Description

本技術は、相変化記録層を備える光記録媒体に関する。

近年では、光記録媒体においては、記録容量をさらに増大させるために、記録層を多層化する技術が広く採用されている。このような多層化技術について、再生専用型、追記型、および書き換え型の各種光記録媒体でそれぞれ検討が進められている。書き換え型の多層光記録媒体としては、基板上に、第１記録層（Ｌ０層）、中間層、第２記録層（Ｌ１層）、光透過層がこの順序で積層された２層構造の記録層を有するものが提案されている。この２層構造の光記録媒体では、第２記録層としては、第１記録層の記録再生に用いられるレーザー光を透過可能な記録層（以下「半透過記録層」と適宜称する。）が用いられる。第２記録層は、記録再生性能が発揮できるように誘電体、金属、相変化記録材料などを積層して構成される。典型的には、中間層上に、第１誘電体層、金属反射層、第２誘電体層、相変化記録層、第３誘電体層をこの順序で積層した構造を有している（例えば特許文献１参照）。

さらに記録容量を増大させるために、基板上に、第１記録層（Ｌ０層）、中間層、第２記録層（Ｌ１層）、中間層、第３記録層（Ｌ２層）、光透過層がこの順序で積層された３層構造の記録層を有するものも商品化されている。さらに記録密度を向上させる方法として、最短マーク長を短くして線方向の密度を向上させること、ランドとグルーブの両方に記録にすることが提案されている。

これら２層構造や３層構造を有する記録媒体では、レーザー光から見て最奥層の記録再生を行うために、手前層の透過率を向上させなくてはいけない。その場合には、吸収率の高い記録層、反射層を薄くする必要があり、特に記録層を薄くした場合には、結晶化速度の低下により書換えの記録速度が低下し、その相変化型記録媒体の記録速度は、追記型に比べて著しく遅くなる。

一方で相変化型記録媒体の記録速度を向上させる技術としては、相変化記録層の材料の最適化による結晶化速度の向上があり、そのような相変化記録材料としては、ＧｅＳｂＳｎ、ＩｎＳｂ（例えば特許文献２、３参照）やＧａＳｂＧｅ（例えば特許文献４参照）などが提案されている。

国際公開第２００８／０１８２２５号 特開２００５−３５０５８号公報 特開２００６−４４２１５号公報 特開２００４−２５８０１号公報

しかしながら、特許文献２、３に記載の技術では、高密度の記録においては記録特性や保存信頼性が不十分になる虞がある。また、特許文献４では、保存信頼性については記載されていない。

本技術の目的は、高密度および高線速度の記録において、良好な記録特性を得ることができ、オーバライト特性を良好に維持でき、さらに高い長期保存安定性を得ることができる光記録媒体を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、第１誘電体層が、酸化ジルコニウムと、酸化インジウムおよび酸化シリコンの少なくとも一方とからなる複合酸化物を含み、第２誘電体層が、酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含む光記録媒体である。
ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
（式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
第２の技術は、反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、
相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、第１誘電体層が、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムからなる複合酸化物を含み、第１誘電体層における酸化ジルコニウムの含有量が、２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、第１誘電体層における酸化インジウムの含有量が、１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、第２誘電体層が、酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含む光記録媒体である。
ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
（式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
第３の技術は、反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、第１誘電体層が、酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含み、第２誘電体層が、酸化クロム、酸化ジルコニウムおよび酸化シリコンのうち２つ以上からなる複合酸化物を含む光記録媒体である。
ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
（式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
第４の技術は、反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、第１誘電体層が、酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含み、第２誘電体層が、酸化クロムおよび酸化ジルコニウムからなる複合酸化物を含み、第２誘電体層における酸化クロムの含有量が、２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、第２誘電体層における酸化ジルコニウムの含有量が、３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下である光記録媒体である。
ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
（式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）

第５の技術は、２層以上の記録層を備え、記録層は、反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、光照射側から見て最も奥側の記録層よりも手前側にある記録層におけるｘとｙの総量は、最も奥側の記録層におけるｘとｙの総量よりも大きく、第１誘電体層が、酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含み、第２誘電体層が、酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含む光記録媒体である。
ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
（式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）

以上説明したように、本技術によれば、高密度および高線速度の記録において、良好な記録特性を得ることができ、オーバライト特性を良好に維持でき、さらに高い長期保存安定性を得ることができる。

図１Ａは、本技術の一実施形態に係る光記録媒体の外観の一例を示す斜視図である。図１Ｂは、本技術の一実施形態に係る光記録媒体の構成の一例を示す断面図である。 図２Ａは、光照射面から見て最も奥側の記録層の構成の一例を示す断面図である。図２Ｂは、光照射面から見て最も奥側以外の記録層の構成の一例を示す断面図である。 図３は、本技術の一実施形態の変形例に係る光記録媒体の構成の一例を示す断面図である。 図４は、実施例１、２７〜３０の光ディスクの透過率と相変化記録層の層厚との関係を示すグラフである。

本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 光記録媒体の構成
２ 光記録媒体の製造方法
３ 効果
４ 変形例

［１ 光記録媒体の構成］
本技術の一実施形態に係る光記録媒体１０は、図１Ａに示すように、中央に開口（以下センターホールと称する）が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体１０の形状はこの例に限定されるものではなく、カード状などとすることも可能である。

本技術の一実施形態に係る光記録媒体１０は、図１Ｂに示すように、記録層Ｌ０、中間層Ｓ１、記録層Ｌ１、中間層Ｓ２、記録層Ｌ２、・・・、中間層Ｓｎ、記録層Ｌｎ、カバー層である光透過層１２がこの順序で基板１１の一主面に積層された構成を有する。但し、ｎは１または２以上の整数である。なお、以下の説明において、記録層Ｌ０〜Ｌｎを特に区別しない場合には記録層Ｌということがある。

光記録媒体１０は、レーザー光照射により、記録層Ｌ０〜Ｌｎをアモルファス状態とすることにより情報の記録を行い、記録層Ｌ０〜Ｌｎを結晶状態とすることにより情報の消去を行うことが可能な相変化型光記録媒体である。具体的には、光記録媒体１０では、光透過層１２側の表面Ｃからレーザー光を各記録層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザー光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層１２の側から各記録層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような光記録媒体１０としては、例えば多層のＢＤ−ＲＥ（Blu-ray Disk ReWritable）が挙げられる。以下では、記録層Ｌ０〜Ｌｎに情報信号を記録または再生するためのレーザー光が照射される表面Ｃを光照射面Ｃと称する。

光記録媒体１０の記録方式は、例えば、グルーブＧｖに情報信号を記録する方式（グルーブ記録方式）、またはランドＬｄおよびグルーブＧｖの両方に情報信号を記録する方式（ランドグルーブ記録方式）であり、記録密度の向上の観点からすると、後者の記録方式が好ましい。光記録媒体１０は、高密度および高線速度の記録が可能な光記録媒体であり、その最高記録線速は１４ｍ／ｓ以上２３ｍ／ｓ以下であり、かつ記録マークの最短マーク長は１１２ｎｍ以下であることが好ましい。

以下、光記録媒体１０を構成する基板１１、記録層Ｌ０〜Ｌｎ、中間層Ｓ１〜Ｓｎおよび光透過層１２について順次説明する。

（基板）
基板１１は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板１１の一主面には、ランドＬｄおよびグルーブＧｖにより構成された凹凸面が設けられ、この凹凸面上に記録層Ｌ０が成膜される。本明細書では、凹凸面のうち凹部をランドＬｄ、凸部をグルーブＧｖと称する。

このランドＬｄおよびグルーブＧｖの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、ランドＬｄおよびグルーブＧｖが、線速度の安定化やアドレス情報付加などのためにウォブル（蛇行）されていてもよい。

基板１１の径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センターホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。

基板１１の材料としては、例えば、プラスチック材料またはガラスを用いることができ、コストの観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。

（記録層）
光照射面Ｃから見て最も奥側の記録層Ｌ０は、図２Ａに示すように、例えば、反射層２１、第１誘電体層２２、相変化記録層２３、第２誘電体層２４、保護層２５がこの順序で基板１１上に積層された積層膜である。ここでは、記録層Ｌ０が保護層２５を備える構成を例として説明するが、保護層２５を省略することも可能である。

反射層２１を構成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅなどの単体、またはこれらの合金を主成分とするものを挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｂなどが好適に用いられる。これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、短波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系の材料を用いることが好ましい。

第１、第２誘電体層２２、２４は、相変化記録層２３を保護するとともに、光学的特性および熱的安定性などを制御する層である。第１誘電体層２２が、酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含んでいる。酸化ジルコニウムを含む複合材料は、酸化ジルコニウムと、酸化インジウムおよび酸化シリコンの少なくとも一方とからなる複合酸化物であることが好ましい。第２誘電体層２４が、酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含んでいる。酸化クロムを含む複合材料は、酸化クロム、酸化ジルコニウムおよび酸化シリコンのうち２つ以上からなる複合酸化物であることが好ましい。

第１誘電体層２２が酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む場合、第１誘電体層２２における酸化ジルコニウムの含有量が２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、第１誘電体層２２における酸化インジウムの含有量が１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。高密度および高線速度の記録において、オーバライト特性を特に良好に維持でき、かつ特に高い長期保存安定性を得ることができるからである。

第２誘電体層２４が酸化クロムおよび酸化ジルコニウムを含む場合、第２誘電体層２４における酸化クロムの含有量が２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、第２誘電体層２４における酸化ジルコニウムの含有量が３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。高密度および高線速度の記録において、オーバライト特性を特に良好に維持でき、かつ特に高い長期保存安定性を得ることができるからである。

相変化記録層２３は、レーザー光の照射により情報信号を繰り返し記録可能な記録層である。具体的には、相変化記録層２３は、レーザー光の照射により非晶質相と結晶相との間を可逆的に変化させることにより、情報信号の記録および書き換えが行われる記録層である。この相変化記録層２３は、ＳｂＩｎＭ（Ｍ：Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。）を含んでいる。ＳｂＩｎＭを含む相変化記録層２３は、以下の式（１）に示した平均組成を有していることが好ましい。
ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
（式中、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙおよびｚは原子比であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）

相変化記録層２３は、必要に応じて、Ｎ、Ｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ａｕ、Ｂｉ、ランタノイド、およびアクチノイドなどのうちの１種以上の材料を更に含んでいてもよい。

相変化記録層２３の厚さが、８ｎｍ以下であることが好ましい。相変化記録層２３の厚さが８ｎｍ以下であると、記録層Ｌの層数が３層である場合において、以下の利点を得ることができる。すなわち、透過率の向上により、現在の民生用ドライブで良好な再生特性を得ることができる程度の、光入射側から見て奥層の戻り光量を確保できる。

保護層２５を構成する材料としては、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびフッ化物からなる群より選ばれる少なくとも１種以上を含む透明誘電体材料が挙げられる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物、好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、およびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。

光照射面Ｃから見て記録層Ｌ０よりも手前側にある記録層Ｌ１〜Ｌｎは、いわゆる透過型記録層であり、図２Ｂに示すように、透過率向上層３１、半透過反射層３２、第１誘電体層３３、相変化記録層３４、第２誘電体層３５、保護層３６がこの順序で中間層Ｓ１〜Ｓｎ上に積層された積層膜である。ここでは、記録層Ｌ１〜Ｌｎが透過率向上層３１および保護層３６を備える構成を例として説明するが、これらの層のうちの少なくとも一方を省略することも可能である。また、記録層Ｌ１〜Ｌｎがすべて同一の積層膜を有する構成を例として説明するが、記録層Ｌ１〜Ｌｎごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性など）に応じて層構成を変えるようにしてもよい。

透過率向上層３１は、記録層Ｌ１〜Ｌｎの透過率を向上するための層である。透過率向上層３１を構成する材料としては、半透過反射層３２との界面の屈折率差を小さくするために、ＴｉＯ₂などの屈折率の高い透明誘電体材料を用いることが好ましい。

半透過反射層３２は、情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光を透過可能に構成されている。具体的には、半透過反射層３２は、レーザー光を用いて、この半透過反射層３２を含む記録層Ｌよりも光照射面Ｃから見て奥側の記録層Ｌに対して情報信号の記録、もしくはその記録層Ｌからの情報信号の再生が可能な程度の透過率を有している。半透過反射層３２を構成する材料としては、反射層２１と同様の材料を例示できる。

光照射面Ｃ側から見て最も奥側の記録層Ｌ０よりも手前側の記録層Ｌ１〜Ｌｎにおけるｘとｙの総量は、最も奥側の記録層Ｌ０におけるｘとｙの総量よりも大きいことが好ましい。最も奥側の記録層Ｌ０と同等の記録特性を手前側の記録層Ｌ１〜Ｌｎで得ることができるからである。なお、式（１）中のｘとｙの総量が光照射面Ｃに近い記録層Ｌほど大きくなるようにしてもよい。上記のように記録層Ｌ０と同等の記録特性が得られる理由を以下に説明する。

光照射面Ｃから最も奥側の記録層Ｌ０の反射率を向上させるためには、記録層Ｌ０よりも手前側の記録層Ｌ１〜Ｌｎは、情報信号を記録または再生するためのレーザー光に対して十分な透過率を有することが好ましい。記録層Ｌ１〜Ｌｎの透過率を向上させるためには、記録層Ｌ１〜Ｌｎを構成している、吸収係数が大きい相変化記録層３４を薄くすればよい。しかし相変化記録層３４を薄くすると、相変化できる記録材料体積が小さくなるために構造変化しにくくなり、結晶化速度の低下につながる。このような相変化記録層３４の薄膜化による結晶化速度の低下分を補うためには、相変化記材料の組成で結晶化速度を向上すればよい。具体的には、相変化記録層３４に含まれる元素ＳｂとＩｎの総量（すなわち式（１）中のｘとｙの総量）を記録層Ｌ０の手前側の記録層Ｌ１〜Ｌｎにおいて増やせばよい。

第１誘電体層３３、相変化記録層３４、第２誘電体層３５、保護層３６はそれぞれ、第１誘電体層２２、相変化記録層２３、第２誘電体層２４、保護層２５と同様である。但し、第１誘電体層３３、相変化記録層３４、第２誘電体層３５、保護層３６の膜厚や組成比などは、所望とする特性に応じて、第１誘電体層２２、相変化記録層２３、第２誘電体層２４、保護層２５とは異なるものを選ぶようにしてもよい。

（中間層）
中間層Ｓ１〜Ｓｎは、記録層Ｌ０〜Ｌｎを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、ランドＬｄおよびグルーブＧｖにより構成されている。このランドＬｄおよびグルーブＧｖの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、ランドＬｄおよびグルーブＧｖが、線速度の安定化やアドレス情報付加などのためにウォブル（蛇行）されていてもよい。

中間層Ｓ１〜Ｓｎの厚みは、９μｍ〜５０μｍに設定することが好ましい。中間層Ｓ１〜Ｓｎの材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、中間層Ｓ１〜Ｓｎは、奥側の層への情報信号の記録または再生のためのレーザー光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。

（光透過層）
光透過層１２は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１１に対して貼り合わせるための接着層とから光透過層１２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）などを用いることができる。

光透過層１２の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれ、例えば中間層Ｓ１〜Ｓｎとの合計厚で１００μｍに選ばれる。このような薄い光透過層１２と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。

［２ 光記録媒体の製造方法］
次に、本技術の一実施形態に係る光記録媒体の製造方法の一例について説明する。

（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１１を成形する。基板１１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。

（記録層の形成工程）
次に、例えばスパッタ法により、反射層２１、第１誘電体層２２、相変化記録層２３、第２誘電体層２４、保護層２５をこの順序で基板１１の凹凸面上に積層する。これにより、記録層Ｌ０が基板１１上に形成される。

（中間層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂を記録層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、凹凸面を有する中間層Ｓ１が記録層Ｌ０上に形成される。

（記録層の形成工程）
次に、例えばスパッタ法により、透過率向上層３１、半透過反射層３２、第１誘電体層３３、相変化記録層３４、第２誘電体層３５、保護層３６をこの順序で中間層Ｓ１の凹凸面上に積層する。これにより、記録層Ｌ１が中間層Ｓ１上に形成される。

（中間層および記録層の形成工程）
次に、中間層Ｓ１および記録層Ｌ１の形成工程と同様にして、中間層Ｓ２、記録層Ｌ２、・・・、中間層Ｓｎ、記録層Ｌｎをこの順序で記録層Ｌ１上に積層する。

（光透過層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を記録層Ｌｎ上にスピンコートした後、紫外線を照射し、硬化する。これにより、記録層Ｌｎ上に光透過層１２が形成される。
以上の工程により、目的とする光記録媒体１０が得られる。

［３ 効果］
上述した一実施形態に係る光記録媒体１０では、相変化記録層２３、３４が上記式（１）に示した平均組成を有している。また、第１誘電体層２２、３３が酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含み、第２誘電体層２４、３５が酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含んでいる。これにより、高密度および高線速度の記録において、良好な記録特性を得ることができ、オーバライト特性を良好に維持でき、さらに高い長期保存安定性を得ることができる。

［４ 変形例］
本技術の一実施形態の変形例に係る光記録媒体４０は、いわゆる貼り合わせ型の光記録媒体であり、図３に示すように、第１のディスク４０ａと、第２のディスク４０ｂと、第１、第２のディスク４０ａ、４０ｂの間に設けられた貼合層４１とを備える。本変形例において第１の実施形態と対応する箇所には同一の符号を付す。

第１、第２のディスク４０ａ、４０ｂは、同一の構成を有し、記録層Ｌ０、中間層Ｓ１、記録層Ｌ１、・・・、中間層Ｓｎ、記録層Ｌｎ、カバー層である光透過層１２がこの順序で基板１１の一主面に積層された構成を有する。但し、ｎは１または２以上の整数である。

光記録媒体４０は、情報信号を記録または再生するための光が照射される光照射面を両面に有する。より具体的には、第１のディスク４０ａの情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光が照射される第１の光照射面Ｃ１と、第２のディスク４０ｂの情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光が照射される第２の光照射面Ｃ２とを有する。

基板１１の厚さは、例えば０．５ｍｍである。第１、第２のディスク４０ａ、４０ｂの厚さは、例えば０．６ｍｍである。光記録媒体４０の厚さは、例えば１．２ｍｍである。光記録媒体１０の記録方式は、記録密度の向上の観点からすると、ランドグルーブ記録方式であることが好ましい。

貼合層４１は、硬化した紫外線硬化樹脂を含んでいる。この貼合層４１により、第１のディスク１０と第２のディスク２０とが貼り合わされる。より具体的には、第１、第２のディスク４０ａ、４０ｂは、光透過層１２側とは逆側の面が対向するようにして貼り合わされている。貼合層４１の厚さは、例えば０．０１ｍｍ以上０．２２ｍｍ以下である。紫外線硬化樹脂は、例えばラジカル重合紫外線硬化樹脂である。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、本実施例において、光ディスクが３層の記録層を備える場合には、それらの記録層を基板側からレーザー光照射面側に向かって順にＬ０層、Ｌ１層、Ｌ２層と称する。

本実施例について以下の順序で説明する。
ｉ 第１、第２誘電体層および相変化記録層の材料の組合せと記録特性との関係、記録速度と記録特性との関係
ii 相変化記録層の材料および組成比と記録特性との関係
iii 第１誘電体層の組成比と記録特性との関係
iv 第２誘電体層の組成比と記録特性との関係
ｖ 相変化記録層の層厚と記録特性との関係
vi 各層の記録特性の関係（３層ディスク）

＜ｉ 第１、第２誘電体層および相変化記録層の材料の組合せと記録特性との関係、記録速度と記録特性との関係＞
（実施例１）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、グルーブおよびランドを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタリング法により、以下の構成（材料、層厚）を有する透過率向上層、半透過反射層、第１誘電体層、相変化記録層、第２誘電体層および保護層をポリカーボネート基板の凹凸面上に積層した。これにより、記録層がポリカーボネート基板の凹凸面上に形成された。
透過率向上層：ＴｉＯ₂、１１ｎｍ
半透過反射層：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
第１誘電体層：（ＳｉＯ₂）₃₅−（Ｉｎ₂Ｏ₃）₃₀−（ＺｒＯ₂）₃₅、６ｎｍ
相変化記録層：Ｓｂ₈₅−Ｉｎ₁₀−Ｍｏ₅、７ｎｍ
第２誘電体層：（ＳｉＯ₂）₂₀−（Ｃｒ₂Ｏ₃）₃₀−（ＺｒＯ₂）₅₀、２２ｎｍ
保護層：ＳｉＮ、３０ｎｍ

次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を記録層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ１００μｍを有する光透過層を形成した。以上により、目的とする光ディスクが得られる。

（実施例２〜６、比較例１〜６）
表１に示すように、第１誘電体層、相変化記録層および第２誘電体層の材料を変更する以外は実施例１と同様にして光ディスクを得た。

（評価）
上述のようにして得られた光ディスクについて以下の評価を行った。

（ＤＯＷ（Direct Over Write）１０（６ｘ）特性）
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、開口数ＮＡ＝０．８５、記録波長λ＝４０５ｎｍ、記録線速ｖ＝２２．１３ｍ／ｓ（６倍速相当）で１層あたり３３．３ＧＢ密度の１−７変調データを１１回繰り返し記録し、再生線速ｖ＝７．３８ｍ／ｓ（２倍速相当）でｉ−ＭＬＳＥを測定した。なお、最短マーク長である２Ｔマーク長は、１１２ｎｍであった。

（ＤＯＷ１０００（６ｘ）特性）
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、開口数ＮＡ＝０．８５、記録波長λ＝４０５ｎｍ、記録線速ｖ＝２２．１３ｍ／ｓ（６倍速相当）で１層あたり３３．３ＧＢ密度の１−７変調データを１０００回繰り返し記録し、再生線速ｖ＝７．３８ｍ／ｓ（２倍速相当）でｉ−ＭＬＳＥを測定した。

（Ａｒｃｈｉｖａｌ（６ｘ）特性）
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、開口数ＮＡ＝０．８５、記録波長λ＝４０５ｎｍ、記録線速ｖ＝２２．１３ｍ／ｓ（６倍速相当）で１層あたり３３．３ＧＢ密度の１−７変調データを１１回繰り返し記録したあと、８０℃８５％環境で４００時間保管し、その後再生線速ｖ＝７．３８ｍ／ｓ（２倍速相当）で記録部のｉ−ＭＬＳＥを測定した。

次に、ＤＯＷ１０（６ｘ）特性、ＤＯＷ１０００（６ｘ）特性およびＡｒｃｈｉｖａｌ（６ｘ）特性の測定結果に基づき、以下の基準で光ディスクを評価した。
◎：上記３つの測定結果すべてのｉ−ＭＬＳＥが１２．０％以下である。
○：上記３つの測定結果すべてのｉ−ＭＬＳＥが１３．０％以下であり、かつ上記３つの測定結果のうちの少なくとも１つのｉ−ＭＬＳＥが１２．０％を超えて１３．０％以下である。
×：上記３つの測定結果のうちの少なくとも１つのｉ−ＭＬＳＥが１３．０％を超える。
なお、上記基準値の選定は、以下の理由に基づくものである。すなわち、ｉ−ＭＬＳＥが１５．０％を超えると、一般的に民生用ドライブで良好な再生特性を得ることができなくなるが、民生用ドライブの再生系のばらつきを考慮すると、ｉ−ＭＬＳＥが１３．０％以下であることが望ましい。更に、光ディスクの製造マージンを考慮すると、ｉ−ＭＬＳＥが１２．０％以下であることが望ましい。

表１は、第１、第２誘電体層および相変化記録層の材料の組合せと記録特性との関係を示す。

上記評価結果から以下のことがわかる。
ＳｂＩｎＭ（Ｍ：Ｍｏ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ａｌの中から選ばれた少なくとも１つの元素）を含む相変化記録層と、酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含む第１誘電体層と、酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含む第２誘電体層を用いることで、高密度および高線速度の記録において、良好な記録特性を得ることができ、オーバライト特性を良好に維持でき、さらに高い長期保存安定性を得ることができる。

（評価）
上述のようにして得られた光ディスクについて、更に以下の評価を行った。

（ＤＯＷ１０（４ｘ）特性）
記録線速ｖ＝１４．７５ｍ／ｓ（４倍速相当）に変更する以外は、上記ＤＯＷ１０（６ｘ）特性と同様にしてｉ−ＭＬＳＥを測定した。

（ＤＯＷ１０００（４ｘ）特性）
記録線速ｖ＝１４．７５ｍ／ｓ（４倍速相当）に変更する以外は、上記ＤＯＷ１０００（６ｘ）特性と同様にしてｉ−ＭＬＳＥを測定した。

（Ａｒｃｈｉｖａｌ（４ｘ）特性）
記録線速ｖ＝１４．７５ｍ／ｓ（４倍速相当）に変更する以外は、上記Ａｒｃｈｉｖａｌ（６ｘ）特性と同様にしてｉ−ＭＬＳＥを測定した。

次に、ＤＯＷ１０（４ｘ、６ｘ）特性、ＤＯＷ１０００（４ｘ、６ｘ）特性およびＡｒｃｈｉｖａｌ（４ｘ、６ｘ）特性の測定結果に基づき、以下の基準で光ディスクを評価した。
◎：上記６つの測定結果すべてのｉ−ＭＬＳＥが１２．０％以下である。
○：上記６つの測定結果すべてのｉ−ＭＬＳＥが１３．０％以下であり、かつ上記６つの測定結果のうちの少なくとも１つのｉ−ＭＬＳＥが１２．０％を超えて１３．０％以下である。
×：上記６つの測定結果のうちの少なくとも１つのｉ−ＭＬＳＥが１３．０％を超える。

表２Ａ、表２Ｂは、記録速度と記録特性との関係を示す。

上記評価結果から以下のことがわかる。
記録速度を４倍速から６倍速に変更すると、オーバライト特性およびアーカイバル特性のいずれにおいてもｉ−ＭＬＳＥが上昇する傾向が見られるが、良好な範囲に維持される。

＜ii 相変化記録層の材料および組成比と記録特性との関係＞
（実施例７〜１０、比較例７〜９）
表３に示すように、相変化記録層の組成比を変更する以外は実施例１と同様にして光ディスクを得た。

（実施例１１、１２、比較例１０〜１２）
表３に示すように、相変化記録層の組成比を変更する以外は実施例４と同様にして光ディスクを得た。

（実施例１３、１４、比較例１３、１４）
表３に示すように、相変化記録層の組成比を変更する以外は実施例５と同様にして光ディスクを得た。

（実施例１５、１６、比較例１５、１６）
表３に示すように、相変化記録層の組成比を変更する以外は実施例６と同様にして光ディスクを得た。

（比較例１７〜２１）
表３に示すように、相変化記録層の材料を変更する以外は実施例１と同様にして光ディスクを得た。

（評価）
上述のようにして得られた光ディスクについて、実施例１〜６と同様にＤＯＷ１０（６ｘ）特性、ＤＯＷ１０００（６ｘ）特性およびＡｒｃｈｉｖａｌ（６ｘ）特性を評価した。

表３は、相変化記録層の材料および組成比と記録特性との関係を示す。

上記評価結果から以下のことがわかる。
相変化記録材料としてＳｂｘＩｎｙＭｚ（Ｍ：Ｍｏ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ａｌの中から選ばれた少なくとも１つの元素）を用い、各元素の組成比を０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲とすることで、高密度および高線速度の記録において、良好な記録特性を得ることができ、オーバライト特性を良好に維持でき、さらに高い長期保存安定性を得ることができる。

＜iii 第１誘電体層の組成比と記録特性との関係＞
（実施例１７〜２１）
表４に示すように、第１誘電体層の組成比を変更する以外は実施例１と同様にして光ディスクを得た。

（評価）
上述のようにして得られた光ディスクについて、実施例１〜６と同様にＤＯＷ１０（６ｘ）特性、ＤＯＷ１０００（６ｘ）特性およびＡｒｃｈｉｖａｌ（６ｘ）特性を評価した。

表４は、第１誘電体層材料比率と記録特性との関係を示す。

上記評価結果から以下のことがわかる。
第１誘電体層において酸化ジルコニウムの含有量を２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下、酸化インジウムの含有量を１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下にすることで、特に良好なオーバライト特性およびアーカイバル特性が得られる。

＜iv 第２誘電体層の組成比と記録特性との関係＞
（実施例２２〜２６）
表５に示すように、第２誘電体層の組成比を変更する以外は実施例１と同様にして光ディスクを得た。

（評価）
上述のようにして得られた光ディスクについて、実施例１〜６と同様にＤＯＷ１０（６ｘ）特性、ＤＯＷ１０００（６ｘ）特性およびＡｒｃｈｉｖａｌ（６ｘ）特性を評価した。

表５は、第２誘電体層の組成比と記録特性との関係を示す。

上記評価結果から以下のことがわかる。
第２誘電体層において酸化ジルコニウムの含有量を３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下、酸化クロムの含有量を２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下にすることで、特に良好なオーバライト特性およびアーカイバル特性が得られる。

＜ｖ 相変化記録層の層厚と記録特性との関係＞
（実施例２７〜３０）
表６に示すように、相変化記録層の層厚を変更する以外のことは実施例１と同様にして光ディスクを得た。

（透過率測定）
上述のようにして得られた光ディスクについて、分光高度計（日本分光（株）製、商品名：Ｖ５３０）を用いて記録波長４０５ｎｍに対する透過率を測定した。図４に、その測定結果を示す。

（評価）
上述のようにして得られた光ディスクについて、実施例１〜６と同様にＤＯＷ１０（６ｘ）特性、ＤＯＷ１０００（６ｘ）特性およびＡｒｃｈｉｖａｌ（６ｘ）特性を測定し、これらの３つの測定結果に上記透過率の測定結果を加えて、以下の基準で評価した。
◎：上記３つの測定結果すべてのｉ−ＭＬＳＥが１２．０％以下であり、かつ透過率が５０％以上である。
○：上記３つの測定結果すべてのｉ−ＭＬＳＥが１２．０％以下であるが、透過率が５０％未満である。もしくは上記３つの測定結果すべてのｉ−ＭＬＳＥが１３．０％以下であり、かつ上記３つの測定結果のうちの少なくとも１つのｉ−ＭＬＳＥが１２．０％を超えて１３．０％以下である。
×：上記３つの測定結果のうちの少なくとも１つのｉ−ＭＬＳＥが１３．０％を超える。

表６は、相変化記録層の層厚と記録特性との関係を示す。

上記評価結果から以下のことがわかる。
相変化記録層の層厚を８ｎｍ以下にすることで、透過率を５０％以上にすることができる。３層の光ディスクにおいて、単層の状態でのＬ０層の反射率を２５％と仮定した場合、単層の状態でのＬ１層、Ｌ２層の透過率が５０％であると、３層の光ディスクの光照射面側におけるＬ０層の反射率を１．５％以上にすることができる（２５％×０．５²×０．５²）。このように反射率が１．５％以上であると、現在の民生用ドライブで良好な再生特性を得ることができる程度の戻り光量を確保できる。ここでＬ０層の反射率は膜構成等で２５％より大きくすることができるが、再生特性が確保できる変調度とのトレードオフから２５％より大きい反射率を得ることは難しい。

＜vi 各層の記録特性の関係（３層ディスク）＞
（実施例３１）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、グルーブおよびランドを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタリング法により、以下の構成（材料、層厚）を有するＬ０層をポリカーボネート基板の凹凸面上に形成した。

反射層：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、８０ｎｍ
第１誘電体層：（ＳｉＯ₂）₃₅−（Ｉｎ₂Ｏ₃）₃₀−（ＺｒＯ₂）₃₅、１４ｎｍ
相変化記録層：Ｓｂ₈₀−Ｉｎ₁₀−Ｍｏ₁₀、１０ｎｍ
第２誘電体層：（ＳｉＯ₂）₂₀−（Ｃｒ₂Ｏ₃）₃₀−（ＺｒＯ₂）₅₀、１８ｎｍ
保護層：ＳｉＮ、６０ｎｍ

次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂をＬ０層上に均一に塗布した。その後、均一に塗布した紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これらにより、ランドおよびグルーブからなる凹凸面を有する厚さ２５μｍの中間層が形成された。

次に、スパッタリング法により、以下の構成（材料、層厚）を有する構成を有するＬ１層を中間層の凹凸面上に形成した。
透過率向上層：ＴｉＯ₂、１１ｎｍ
半透過反射層：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
第１誘電体層：（ＳｉＯ₂）₃₅−（Ｉｎ₂Ｏ₃）₃₀−（ＺｒＯ₂）₃₅、６ｎｍ
相変化記録層：Ｓｂ₈₀−Ｉｎ₁₀−Ｍｏ₁₀、７ｎｍ
第２誘電体層：（ＳｉＯ₂）₂₀−（Ｃｒ₂Ｏ₃）₃₀−（ＺｒＯ₂）₅₀、２２ｎｍ
保護層：ＳｉＮ、３０ｎｍ

次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を記録層Ｌ１上に均一に塗布した。その後、均一に塗布した紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これらにより、ランドおよびグルーブをからなる凹凸面を有する厚さ１８μｍの中間層が形成された。

次に、スパッタリング法により、以下の構成（材料、層厚）を有する構成を有するＬ２層を中間層の凹凸面上に形成した。
透過率向上層：ＴｉＯ₂、１２ｎｍ
半透過反射層：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
第１誘電体層：（ＳｉＯ₂）₃₅−（Ｉｎ₂Ｏ₃）₃₀−（ＺｒＯ₂）₃₅、６ｎｍ
相変化記録層：Ｓｂ₈₀−Ｉｎ₁₀−Ｍｏ₁₀、７ｎｍ
第２誘電体層：（ＳｉＯ₂）₂₀−（Ｃｒ₂Ｏ₃）₃₀−（ＺｒＯ₂）₅₀、２４ｎｍ
保護層：ＳｉＮ、１８ｎｍ

次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂をＬ２層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ５７μｍを有する光透過層を形成した。
以上により、目的とする３層の光ディスクが得られた。

（実施例３２）
Ｌ０層、Ｌ１層およびＬ２層の相変化記録層の構成材料をＳｂ₈₀−Ｉｎ₁₀−Ｇｅ₁₀に変更する以外は実施例３１と同様にして３層の光ディスクを得た。

（評価）
上述のようにして得られた光ディスクについて、実施例１〜６と同様にＤＯＷ１０（６ｘ）特性、ＤＯＷ１０００（６ｘ）特性およびＡｒｃｈｉｖａｌ（６ｘ）特性を評価した。

表７Ａ、表７Ｂは、各層の記録特性の関係（３層ディスク）を示す。

上記評価結果から以下のことがわかる。
３層の記録層のいずれにおいても、高密度および高線速度の記録において、良好な記録特性を得ることができ、オーバライト特性を良好に維持でき、さらに高い長期保存安定性を得ることができる。

以上、本技術の一実施形態およびその変形例、ならびに実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の一実施形態およびその変形例、ならびに実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の一実施形態およびその変形例、ならびに実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の一実施形態およびその変形例、ならびに実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の一実施形態およびその変形例では、多層の記録層を備える光記録媒体を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではなく、単層の記録層を有する光記録媒体に対しても適用可能である。

また、上述の一実施形態およびその変形例では、基板上に複数層の記録層、光透過層がこの順序で積層された構成を有し、この光透過層側からレーザー光を複数層の記録層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対して本技術を適用した場合を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に複数層の記録層、カバー層がこの順序で積層された構成を有し、基板側からレーザー光を複数層の記録層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体、または２枚の基板の間に複数層の記録層が設けられた構成を有し、少なくとも一方の基板の側からレーザー光を複数層の記録層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対しても本技術は適用可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、
前記相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、
前記第１誘電体層が、酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含み、
前記第２誘電体層が、酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含む光記録媒体。
ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
（式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
（２）
前記第１誘電体層が、酸化ジルコニウムと、酸化インジウムおよび酸化シリコンの少なくとも一方とからなる複合酸化物を含む（１）に記載の光記録媒体。
（３）
前記第１誘電体層が、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムからなる複合酸化物を含み、
前記第１誘電体層における酸化ジルコニウムの含有量が、２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、
前記第１誘電体層における酸化インジウムの含有量が、１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下である（１）に記載の光記録媒体。
（４）
前記第２誘電体層が、酸化クロム、酸化ジルコニウムおよび酸化シリコンのうち２つ以上からなる複合酸化物を含む（１）に記載の光記録媒体。
（５）
前記第２誘電体層が、酸化クロムおよび酸化ジルコニウムからなる複合酸化物を含み、
前記第２誘電体層における酸化クロムの含有量が、２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、
前記第２誘電体層における酸化ジルコニウムの含有量が、３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下である（１）に記載の光記録媒体。
（６）
前記相変化記録層の厚さが、８ｎｍ以下である（１）から（５）のいずれかに記載の光記録媒体。
（７）
最高記録線速が１４ｍ／ｓ以上２３ｍ／ｓ以下であり、かつ記録マークの最短マーク長が１１２ｎｍ以下である（１）から（６）のいずれかに記載の光記録媒体。
（８）
２層以上の記録層を備え、
前記記録層は、反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、
前記相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、
光照射側から見て最も奥側の前記記録層よりも手前側にある前記記録層におけるｘとｙの総量は、最も奥側の前記記録層におけるｘとｙの総量よりも大きく、
前記第１誘電体層が、酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含み、
前記第２誘電体層が、酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含む光記録媒体。
ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
（式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）

１０、４０ 光記録媒体
１１ 基板
２１ 反射層
２２、３３ 第１誘電体層
２３、３４ 相変化記録層
２４、３５ 第２誘電体層
２５、３６ 保護層
３１ 透過率向上層
３２ 半透過反射層
４０ａ 第１のディスク
４０ｂ 第２のディスク
Ｌ１〜Ｌｎ 記録層
Ｓ１〜Ｓｎ 中間層
Ｃ、Ｃ１、Ｃ２ 光照射面
Ｌｄ ランド
Ｇｖ グルーブ

Claims (7)

1. 反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、
   前記相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、
   前記第１誘電体層が、酸化ジルコニウムと、酸化インジウムおよび酸化シリコンの少なくとも一方とからなる複合酸化物を含み、
   前記第２誘電体層が、酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含む光記録媒体。
   ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
   （式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
2. 反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、
   前記相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、
   前記第１誘電体層が、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムからなる複合酸化物を含み、
   前記第１誘電体層における酸化ジルコニウムの含有量が、２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、
   前記第１誘電体層における酸化インジウムの含有量が、１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、
   前記第２誘電体層が、酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含む光記録媒体。
   ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
   （式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
3. 反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、
   前記相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、
   前記第１誘電体層が、酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含み、
   前記第２誘電体層が、酸化クロム、酸化ジルコニウムおよび酸化シリコンのうち２つ以上からなる複合酸化物を含む光記録媒体。
   ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
   （式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
4. 反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、
   前記相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、
   前記第１誘電体層が、酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含み、
   前記第２誘電体層が、酸化クロムおよび酸化ジルコニウムからなる複合酸化物を含み、
   前記第２誘電体層における酸化クロムの含有量が、２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、
   前記第２誘電体層における酸化ジルコニウムの含有量が、３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下である光記録媒体。
   ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
   （式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
5. 前記相変化記録層の厚さが、８ｎｍ以下である請求項１から４のいずれかに記載の光記録媒体。
6. 最高記録線速が１４ｍ／ｓ以上２３ｍ／ｓ以下であり、かつ記録マークの最短マーク長が１１２ｎｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の光記録媒体。
7. ２層以上の記録層を備え、
   前記記録層は、反射層と、第１誘電体層と、相変化記録層と、第２誘電体層とを備え、
   前記相変化記録層が、以下の式（１）に示した平均組成を有し、
   光照射側から見て最も奥側の前記記録層よりも手前側にある前記記録層におけるｘとｙの総量は、最も奥側の前記記録層におけるｘとｙの総量よりも大きく、
   前記第１誘電体層が、酸化ジルコニウムを含む複合材料または酸化タンタルを含み、
   前記第２誘電体層が、酸化クロムを含む複合材料または窒化シリコンを含む光記録媒体。
   ＳｂｘＩｎｙＭｚ ・・・（１）
   （式中、Ｍは、Ｍｏ、Ｇｅ、ＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、０．７０≦ｘ≦０．９２、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．０３≦ｚ≦０．１０の範囲内の値である。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）

Images