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KR960009013A - 타이타늄 나이트라이드(TiN) 게이트전극 형성방법 - Google Patents

타이타늄 나이트라이드(TiN) 게이트전극 형성방법 Download PDF

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Publication number
KR960009013A
KR960009013A KR1019940020433A KR19940020433A KR960009013A KR 960009013 A KR960009013 A KR 960009013A KR 1019940020433 A KR1019940020433 A KR 1019940020433A KR 19940020433 A KR19940020433 A KR 19940020433A KR 960009013 A KR960009013 A KR 960009013A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
titanium nitride
depositing
gate electrode
metal material
low
Prior art date
Application number
KR1019940020433A
Other languages
English (en)
Inventor
백충렬
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to JP7210865A priority patent/JPH08116057A/ja
Priority to TW084109230A priority patent/TW271500B/zh
Publication of KR960009013A publication Critical patent/KR960009013A/ko

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
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    • H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
    • H01L21/28088—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being a composite, e.g. TiN
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

신규한 타이타늄 나이트라이드 게이트전극 형성방법이 개시되어 있다. 반도체기판 상에 게이트절연막을 형성한 다음, 600℃의 온도에서 스퍼터링 방법에 의해 제1증착속도로 제1타이타늄 나이트라이드를 상기 게이트절연막 상에 증착한다. 600℃의 온도에서 스퍼터링 방법에 의해 상기 제1증착속도보다 빠른 제2증착속도로 제2타이타늄 나이트라이드를 상기 제1타이타늄 나이트라이드 상에 증착함으로써 게이트전극을 형성한다. 종래방법보다 낮은 비저항과 높은 절연파괴전압 특성을 얻을 수 있다.

Description

타이타늄 나이트라이드(TiN) 게이트전극 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 TiN 게이트전극 형성방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 600℃의 온도에서 스퍼터링 방법에 의해 제1증착속도로 제1타이타늄 나이트라이드를 상기 게이트절연막 상에 증착하는 단계; 및 600℃의 온도에서 스퍼터링 방법에 의해 상기 제1증착속도보다 빠른 제2증착속도로 제2타이타늄 나이트라이드를 상기 제1타이타늄 나이트라이드상에 증착함으로써 게이트전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1타이타늄 나이트라이드는 질소 분위기에서 증착하고, 상기 제2타이타늄 나이트라이드는 아르곤 및 질소가스의 혼합 분위기에서 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2타이타늄 나이트라이드를 증착한 후, 그 위에 저저항의 금속물질을 증착하는 단계를 더 구비하여 상기 제1 및 제2타이타늄 나이트라이드와 저저항의 금속물질로 이루어진 게이트전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 저저항의 금속물질은 텅스텐(W), 텅스텐 실리사이드(WSix), 타이타늄 실리사이드(TiSix), 및 구리(Cu) 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 반도체기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 및 600℃의 온도에서 아르곤 및 질소 가스의 혼합 분위기의 스퍼터링 방법으로 타이타늄 나이트 라이드를 상기 게이트절연막 상에 증착하여 게이트전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 타이타늄 나이트라이드를 증착한 후, 그 위에 저저항의 금속물질을 증착하는 단계를 더 구비하여, 상기 타이타늄 나이트라이드와 저저항 금속물질로 이루어진 게이트전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 저저항의 금속물질은 텅스텐(W), 텅스텐 실리사이드(WSix), 타이타늄 실리사이드(TiSix), 및 구리(Cu) 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940020433A 1994-08-18 1994-08-18 타이타늄 나이트라이드(TiN) 게이트전극 형성방법 KR960009013A (ko)

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