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KR900019264A - 분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조방법 - Google Patents

분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR900019264A
KR900019264A KR1019900007335A KR900007335A KR900019264A KR 900019264 A KR900019264 A KR 900019264A KR 1019900007335 A KR1019900007335 A KR 1019900007335A KR 900007335 A KR900007335 A KR 900007335A KR 900019264 A KR900019264 A KR 900019264A
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엘. 더겔라 하워드
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Abstract

내용 없음

Description

분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 양호한 실시예에 따라 구성된 완료된 캐패시터의 단면도, 제3도는 본 발명에 따라 구성된 부동-게이트 트랜지스터의 단면도, 제4도는 제3도의 부동 게이트 트랜지스터의 단면도.

Claims (16)

  1. 반도체 본체의 표면에 형성된 캐패시터에 있어서, 상기 표면부근에 형성된 실리콘으로 구성된 저부 플레이트 상기 저부 플레이트와 접촉하고, 상기 저부 플레이트 위에 증착된 캐패시터 유전체층, 금속으로 구성되고 상기 저부 플레이트 위에 놓인 위치에서 상기 캐패시터 유전체층과 접촉하고, 상기 캐패시터 유전체층위에 증착된 상부 플레이트, 상기 상부 플레이트위에 증착된 두꺼운 절연체층, 및 상기 두꺼운 절연체층을 관통하여 에칭된 접촉비아를 통해 상부 플레이트와 접촉하고 상기 두꺼운 절연체층 위에 증착된 금속라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저부 플레이트가 금속 규화물에 의해 피복되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저부 플레이트가 다결정된 실리콘으로 구성되고 상기 다결정성 실리콘의 필드 산화물층에 의해 상기 표면으로부터 절연되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  4. 제3항에 있어서, 상기 다결정질 실리콘이 금속 규화물에 의해 피복되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 저부 플레이트가 상기 표면의 도프된 영역인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 도프된 영역이 금속 규화물에 의해 피복되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 상부 플레이트가 티타늄 및 텅스텐의 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 상부 플레이트가 도전성 내화 금속 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  9. 제8항에 있어서, 상기 도전성 내화 금속이 티타늄 질화물인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  10. 반도체 본체의 표면에 캐패시터를 제조하기 위한 방법에 있어서, 상기 표면 부근에 실리콘으로 구성된 저부 플레이트를 형성하는 스텝, 상기 저부 플레이트위에 캐패시터 유전체를 형성하는 스텝, 상기 캐패시터 유전체위에 놓인 제1금속층을 형성하는 스텝, 상기 캐패시터 유전체 및 상기 저부 플레이트 위에 놓인 제1금속층을 정하기 위해 상기 제1금속층 중 선택된 부분들을 제거하는 스텝, 다중레벨 유전체층 전체를 형성하는 스텝, 이 층의 일부를 노출하기 위해 상기 상부 플레이트 위에 상기 다중레벨 유전체 층의 일부를 제거하는 스텝, 및 상기 상부 플레이트와 접촉하는 제2금속층을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 표면에 필드 유전체 구조를 형성하는 스텝을 포함하고, 저부 플레이트를 형성하는 상기스텝이 상기 필드 유전체 구조위에 다결정질 실리콘층을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 저부 플레이트 위에 금속 박막을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 저부 플레이트 위에 금속 규화물 박막을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제10항에 있어서, 제1금속층을 형성하는 상기 스텝이 상기 캐패시터 유전체위에 티타늄 질화물을 스퍼터링하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제10항에 있어서, 제1금속층을 형성하는 상기 스텝이 전체의 티타늄층을 형성하는 스텝, 및 상기 티타늄이 티타늄 질화물을 형성하도록 상기 질소와 반응하도록 주위 공기내에서 구조를 가열하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 제1금속이 티타늄 및 텅스텐의 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900007335A 1989-05-23 1990-05-22 분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조 방법 KR0185375B1 (ko)

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